TWI280545B - Display and array substrate - Google Patents

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TWI280545B
TWI280545B TW094130580A TW94130580A TWI280545B TW I280545 B TWI280545 B TW I280545B TW 094130580 A TW094130580 A TW 094130580A TW 94130580 A TW94130580 A TW 94130580A TW I280545 B TWI280545 B TW I280545B
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Toshiba Matsushita Display Tec
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Description

1280545 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種顯示器，如有機EL顯示器；且關於其 所使用的陣列基板。 【先前技術】 有機EL顯示器的結構中，會在一對電極間插入一含有發 光層的有機層。於主動式矩陣有機EL顯示器中，該等電極 _ 之其中一電極靠近該下層者係作為像素電極，而另一電極 則作為共同電極。 有機EL顯示器可採用底部發射結構，其中可從下層端顧 取由有機EL元件所發出的光；或是採用頂部發射結構，其 中可從反向端擷取光。於頂部發射有機EL_示器中，即使 將複數個薄膜電晶體（下文稱為「TFT」）或複數條電線排 列在於厚度方向中和有機EL元件重疊的位置處，該等有機 EL元件所發出的光仍然不會被它們阻隔，不同於底部發射 φ 有機EL顯示器。所以，頂部發射有機EL顯示器可達成和 底部發射有機EL顯示器相同的亮度，但和後者的顯示器相 比僅使用較低的電流密度。 不過，於頂部發射有機EI^M示器中’該共同電極必須具 有透光特性。一般來說，具高透光的導電材料（如氧化銦 錫（ιτο))的特定電阻會高於金屬（如A1)。舉例來說，當電 極厚度設為數百奈米時，一ITO電極的薄片電阻便會是幻 電極的1〇0倍或更高。所以，於頂部發射有機EL顯示器 中，尤其是在顯示區的對角尺寸超過英口寸的有機EL顯示 104649.doc 1280545 器中’該共同電極的周圍部份與H份便可能會出現非 常大的電位差。 基於上述，在日本專利申請公開案第2〇〇2_3 18556號所 揭不的、、Ό構中，有複數個像素電極與複數條輔助線路排列 在相同的絕緣層之上，且有一共同電極被電連接至一顯示 區域中的該等輔助線路。此結構能夠降低該共同電極周圍 部份與中心部份間的電位差。 【發明内容】 本發明的目的係抑制-主動式矩陣顯㈣賴示區中的 顯示不均勻性。 一根據本發明的第一項方面’提供一種顯示器，其包括： 一絕，基板辅助線路’置放在該絕緣基板的主表面 、、緣下層其會覆蓋该辅助線路與該絕緣基板的主 /、備第一牙孔用'以和該輔助線路進行通信；複 數個像：電極’置放在絕緣下層之上且圍繞該第一穿孔的 ;複數層光活層’分別覆蓋該像素電極且分別包含一 毛光層’以及—透光共同電極，其會覆蓋該等光活層且會 透過該第-穿孔被f連接至該輔助線路。 根據本發明第二方面’提供—種陣列基板，其包括：一 二：基板；一辅助線路，置放在該絕緣基板的主表面上； 面、邑緣下層’其會覆蓋該辅助線路與該絕緣基板的主表 =具備-第-穿孔用以和該輔助線路進行通信；複數 :像素電極，置放在絕緣下層之上且圍繞該第一穿孔的開 104649.doc 1280545 【實施方式】 以下將參考附圖詳細說明本發明的具體實施例。所有圖 式中，相同的元件符號代表具有相同或類似功能的構成元 件，並且將省略其重覆說明。 圖1概略地顯示依據本發明第一具體實施例之有機eL顯 示器的平面圖。该顯示器1係一頂部發射有機EL顯示器， 其採用主動式矩陣驅動方法，且包含一顯示面板DP與一控 ^ 制器CNT。 該顯示面板DP包含一絕緣基板is(如玻璃基板），以及以 矩陣方式排列在該基板IS主表面上的複數個像素ρχ。該等 像素PX會於5亥基板IS的主表面上界定一顯示區AA。於該 顯示區AA以外的區域上（即周圍區域）則設置一掃描信號線 路驅動器YDR與視訊信號線路驅動器XDIl，作為驅動電 路。 每個像素PX均包含一驅動控制元件DR、電容器c、開關 • S W、以及有機EL元件OLED。於此具體實施例中，驅動控 制元件DR、電容器C、開關S w會構成一像素電路。 該驅動控制元件DR包含第一與第二終端以及一控制終 端。於此具體實施例中，該驅動控制元件DR係一 p通道場 效電晶體（TFT)，其源極（即第一終端）連接至電源供應線路 PL1，而其汲極（即第二終端）則連接至該有機el元件 OLED。操作該驅動控制元件dr使得對應於閘極（即控制終 端）與源極（即第一終端）間之電位差的電流流過其源極與沒 極之間。 104649.doc 1280545 該電容lie的其中-終端（第一電極E1)會被連接至該驅 動控制元件DR的控制終端。該電容器c的另一終端（第二 - 電極E2)則通常會被連接至一恆定電流終端，舉例來說， . 電源供應線路PL1。當開關SW開啟時，電容器c實質上會 讓該驅動控制元件DR的控制終端與源極（第一終端）間之電 位差保持恆定。 開關SW包含一輸入終端、輸出終端以及控制終端。於 • 本具體實施例中，_SW係一 P通道TFT，其汲極（即輸入 終端）透過一視訊信號線路〇£連接至視訊信號線路驅動器 XDR，❿纟源極（即輸出終端）則連接至該驅動控制元件⑽ 的控制終端。另夕卜，開關sw的閘極（即控制終端）會透過掃 描指號線路SL被連接至掃描信號線路驅動器ydr。 忒有機EL元件〇LED係連接於該驅動控制元件DR的汲極 (p第一終编）與作為辅助線路的電源供應線路凡2之間。 電2供應線路PL1與PL2會被設在不同的電位處。於本具 鲁體貝施例中’電源供應線路pL1會被設在高於電源供應線 路PL2的電位處。 控制器CNT包含一印刷電路才反，其設置在該顯示面板DP 的外面且其上安裝各種元件，並且控制掃描信號線路驅 動益YDR與視訊信號線路驅動器xdr的運作。明確地說， &制裔CNT會從-外部電路中接收—數位視訊信號與同步 L唬並且會依據該同步信號產生一垂直掃描控制信號來 控制垂直掃描時序’並產生一水平掃描控制信號來控制水 平掃描時序。該控制器CNT會將其所產生的垂直與水平掃 104649.doc 1280545 描控制信號分別提供給掃描信 號線路驅動器XDR，並且會以 序的方式來提供一數位視訊信 XDR 〇 號線路驅動器YDR與視訊信 同步於該垂直與水平掃描時 號給該視訊信號線路驅動器 該視訊信號線路驅動器職會在㈣水平掃描控制信號 ^空制下針對-水平掃描週期將數位視訊信號轉換成類比 七就並且同時將該等已轉換的視訊信號提供給視訊信號 :路DL。於本具體實施例中，視訊信號線路驅動器乂⑽ 曰乂電Ik唬的方式將視訊信號提供給該等視訊信號線路 DL 〇 掃描信號線路驅動器YDR會依序供應掃描信號，用以控 制開關sw的切換作㈣’以在該等垂直掃描控制信號的 控制下掃描信號線路SL。 現在將參考圖2至4來更詳細說明有機EL顯示器丨的顯示 面板DP。 圖2係圖1所不之顯示器丨的顯示面板Dp的放大平面圖。 圖3係/σ著圖2所不之顯示面板^^的直線ιπ_ιπ所獲得的剖 面圖。圖4係沿著圖2所示之顯示面板1)1>的直線IV_IV所獲 得的剖面圖。 如圖2與3所示，有複數層經圖案化的半導體層sc排列在 。亥絕緣基板IS的主表面上。舉例來說，該些經圖案化的半 導體層SC係由多晶矽所製成。 形成於各半導體層8(：中的打丁的源極S及汲極〇係彼此分 隔。在半導體層SC之源極s及汲極d間的區域CH則係作為 104649.doc 1280545 一通道。 如圖3與4所示，閘極絕緣體GI係形成於該等半導體層 SC之上且第一導體圖案與絕緣膜II會依序形成於該閘極 絕緣體GI之上。舉例來說，該第一導體圖案係作為該爪 的閘極G、$亥電容器c的第一電極E1、掃描信號線路几、 以及用來連接上述部份的互連線。另外，該絕緣膜U係作 為該層間絕緣膜以及該電容器C的介電層。 弟一導體圖案會形成在絕緣膜j 1上。舉例來說，該第 一 V體圖案係作為源極電極π、汲極電極、電容器c的 第電極Ε2、視汛#號線路DL·、電源供應線路pl 1與 PL2以及用來連接上述部份的互連線。源極電極SE及汲 極電極加會分別連接至位於對應形成在絕緣膜GI及II中之 牙孔位.置處之該TFT之源極s及汲極D。 、’、邑緣膜12及第二導體圖案會依序形成在該第二導體圖 案及絕緣膜II上。絕緣膜12係作為一鈍化膜及/或一平坦化 層。第二導體圖案係作為各有機]5]1元件〇LED的像素電極 PE。於此具體實施例中，該像素電極]?£具有反光特性。 當藉由沉積與蝕刻來形成該像素電極PE時，通常會利用 蝕刻速率低於該像素電極PEi蝕刻速率的材料作為該等電 源供應線路的材料。舉例來說，倘若該像素電極pE係由
Mo Τι W、或其合金所製成的話，則電源供應線路pL2 便可由以A1為基礎的材料製成。 於該絕緣膜12中會為每個像素ρχ形成一穿孔，用以與連 接至汲極電極DE的像素電極托進行通信。每個穿孔的側 104649.doc 1280545 壁與底部均會塗布該對應的像素電極P E，藉此讓每個像素 電極PE均會透過該汲極電極DE被連接至該驅動控制元件 DR的汲極D。 於該絕緣膜12中會為每個像素PX形成另一穿孔，用以與 電源供應線路PL2進行通信。穿孔TH1呈現出正向錐形， 所以该孔ΤΗ 1的直徑會從絕緣膜12的表面處朝下層側逐漸 縮小。 一分隔絕緣層SI會形成於絕緣膜12之上。舉例來說，該 分隔絕緣層SI係一有機絕緣層或是一無機絕緣層與有機絕 緣層的層疊結構。 於該分隔絕緣層SI中，於每個穿孔TH1與像素電極pE的 位置處會分別形成一正向錐形穿孔TH2與一正向錐形穿孔 TH3。牙孔TJJ2位在絕緣膜12側上的直徑大於穿孔TH1位在 分隔絕緣層si側上的直徑。換言之，絕緣層12的上表面（其 係位於穿孔Τ Η1靠近該分隔絕緣層s〗之上緣處附近）會暴露 於穿孔TH2内的空間中。 於分隔絕緣層SI的穿孔TH3中，像素電極PE會被一有機 層〇RG(即光活層）覆蓋，其包含一發光層。舉例來說，該 發光層係—含有可發出紅光、綠光或藍光之發光有機化合 。、薄膜除了 5亥發光層以外，舉例來說，該有機層⑽G 可月b還包3電洞注人層、電洞傳輸層、電子傳輸層、以及 電子注入層等。用以形成該有機層ORG的每一層均可藉由 遮罩沉積法或噴墨法來形成。 !]來σ兒可於该分隔絕緣層SI與有機層ORG之上形成 104649.doc 1280545 由ITO所製成的可透光共同電極ce。該共同電極ce會覆蓋 穿孔TH1與TH2的側壁、絕緣層12暴露在穿孔TH2内之空間 中的上表面區、以及電源供應線路PL2暴露在穿孔TH1内 之空間中的上表面區。因此，該共同電極CE會被連接至電 源供應線路PL2。各有機EL元件OLED係由像素電極ρχ、 有機層ORG及共同電極CE組成。 於上面的有機EL顯示器1中，基板IS、像素電極ρΕ以及 φ 插入其間的部件會形成一陣列基板。如圖1所示，該陣列 基板可進一步包括掃描信號線路驅動器YDR及視訊信號線 路驅動器XDR。 如上述構造的有機EL顯示器1的操作方式如下。 一用於關閉開關SW(也就是，用於將該開關設在啟動狀 態中）的掃描信號會被依序供應至該等掃描信號線路乩， 而作為視訊信號的電壓信號則會於該等開關8貿關閉期間 於寫入週期中被供應給每條視訊信號線路DL。因此，驅 • 動控制70件DR的閘極G(即控制終端）會被設為對應於該視 訊信號的電位。當該等開關8冒被開啟時（也就是，設在關 閉狀態中），該寫入週期便會終止。 在寫入週期之後的發光週期中，作為驅動控制元件dr 之控制終端的閘極的電位會保持在電容器c所保持的電位 處。於此週期中，對應於該驅動控制元件DR之閘極與源 極間之電壓的電流會被供應至該有機EL元件OLED，且該 有機EL兀件0LED會在對應於該電流的亮度處發光。該發 光週期會持續到下個寫入週期開始為止。 104649.doc -12- 1280545 如上述，於有機EL顯示器！中，該等電源供應線路孔2 係排列在顯示區AA中，且該共同電極會被電連接至每個 像素PX的電源供應線路PL2 ^如此便可防止該共同電極ce 的電位於該顯示區中發生變化。 吾人希望製作該等電源供應線路PL2的材料的電阻遠低 於形成該共同電極CE的透明導電膜，明確地說，希望由特 定電阻為llxl〇-6Qcm或更低的導電材料所製成。使用低阻 φ 材料能夠進-步降低該共同電極的電位於該顯示區中發生 變化。 另外，於有機EL顯示器，該等用來供電給該共同電 極CE的電源供應線路PL2係位在該等像素電極？£的下方。 相較於將該等電源供應線路PL2與該等像素電極四排列在 相同層中的情況，此結構能夠提高每單位面積中像素電極 PE的數量。據此，利用低於後者情況中電流密度便可達到 充足的亮度。換言之，可達成較亮的顯示及/或更長的壽 • 命。 此外’於該有機EL顯示器4，料穿孔雇與th2均為 正向錐形，且絕緣層12的上表面的每一部分（其圍繞穿孔 ΤΗ1位在該&隔絕緣層狀側上的開口）會暴露於穿孔皿 内的空間中。換言之，藉由互連該等穿孔ΤΗι與th2所形 成的穿孔的側壁會於深度方向中具有階級部份。 倘若無此階級部份的_，目|丨# 4 π ， 白汉I仂的話，則忒共同電極CE將會於該等 穿孔TH1與TH2中具有不連續部分，此係因為含有絕緣層 12與分隔絕緣層SI的層疊結構非常厚的關係。相反地，倘 104649.doc -13- 1280545 若上述階級部份存在的話，那麼便不容易形成該不連續部 分。 可在和該等電源供應線路PL 1及視訊信號線路dl相同的 製程中來形成該等電源供應線路PL2。再者，可在和用以 將該等像素電極PE連接至該等驅動控制元件DR的源極電 極SE的穿孔相同的製程中來形成該等穿孔TH1，而且可在 和該分隔絕緣層SI中位於該等像素電極pe位置處的穿孔相 φ 同的製程中來形成該等穿孔TH2。結果，無需增加製程數 量，便可降低該共同電極CE的薄片電阻，可抑制該共同電 極CE中的電位變化，並且充份地抑制顯示不均勻性。 現在將說明本發明的第二具體實施例。 除了該等電源供應線路PL2與該共同電極CE間的連接方 式之外，第二具體實施例均與第一具體實施例類似。所以 於第二具體實施例中，主要說明的係其間的連接方式。 圖5係根據本發明第二具體實施例之有機EL顯示器的顯 • 示面板DP的放大平面圖。圖6係沿著圖5所示之顯示面板的 直線VI-VI所獲得的剖面圖。請注意，沿著圖5所示之顯示 面板的直線IIMII所獲得的剖面圖和圖3中所示者類似。 於此顯示面板DP中，該等電源供應線路pL2係排列在顯 示區AA中，該共同電極CE會電被連接至每個像素1>义的該 等電源供應線路PL2，且該等用來供電給該共同電極（：£的 電源供應線路PL2係位在該等像素電極pE的下方。據此， 第二具體實施例中的共同電極CE便不會有電位變化，且相 較於將該等電源供應線路PL2與該等像素電極托形成在相 104649.doc -14- 1280545 同層中的情況，可達成較亮的顯示及/或更長的壽命。 再者’於第二具體實施例的顯示面板DP中，會於該絕 緣層12上排列複數個中間電極IE，其位置係在對應於等穿 孔ΤΗ 1處且與該等像素電極pe隔開，並且會於該等穿孔 TH1的位置處被連接至該等電源供應線路pL2。另外，該 等穿孔TH2係形成於該分隔絕緣層SI中，其位置對應於該 等中間電極IE且在面内方向中和該等個別穿孔THl分離。 φ 該共同電極CE會被連接至該等穿孔TH2位置處的中間電極 IE 〇 在面内方向中不同位置處形成穿孔的結構中不容易於該 等穿孔TH1或TH2中的共同電極中含有不連續部分，其有 利於達成高產能的目的。 於該第二具體實施例中，該中間電極IE與像素電極？£可 能係由不同材料或相同材料製成。倘若由相同材料製成的 話，便可於相同製程中來形成。 φ 於該等第一與第二具體實施例中，係將每一像素!>又的 共同電極CE與電源供應線路PL2連接。不過，亦可將數個 像素PX的共同電極CE與電源供應線路PL2連接。 圖7係根據第二具體實施例的顯示面板中可採用的結構 範例的概略平面圖。圖7僅顯示出複數個像素電極PE、中 間電極IE、掃描信號線路SL、視訊信號線路dL、以及電 源供應線路PL 1與PL2，而其它元件則未顯示。另外，圖7 中，元件符號PEG、PEB、及PER表示的係分別發出綠 光、藍光、以及紅光的有機EL元件OLED的像素電極。 104649.doc -15- 1280545 一般來說，發出藍光與紅光的有機EL元件〇LED的發光 效率低於發出綠光的有機EL元件0LED。為獲得足夠的亮 度，發出藍光與紅光的有機EL元件〇1^]〇被提供電力的電 流控度會南於發出綠光的有機EL元件〇LED。據此，前者 有機EL元件將較後者有機EL元件更容易受損。 於圖7的結構中，該等中間電極压僅排列在該等像素電 極PEG的行之中。再者，於此結構中，像素電極pEG小於 _ 像素電極PEB與PER。因此，發出藍光與紅光的有機视元 件OLED的壽命便不會因該等中間電極m而縮短。 請注意，倘若改變該等電源供應線路pL2與該共同電極 CE間的連接方式的話，則圖7的結構亦可應用於第一具體 貫施例的顯示面板中。 當將數個像素ρχ的共同電極（；^與電源供應線路PL2連接 的居’那麼可以規律或隨機的方式來配置它們的連接方 式不過，規律配置它們的連接方式可能較隨機配置更容 B 易設計。 於該等第一與第二具體實施例中，該等電源供應線路 L2雖僅在顯示區AA中被連接至該共同電極cE。不過，亦 可於顯示區AA及其周圍區中作連接。 另外°亥等第一與第二具體實施例採用的係圖1所示的 像素電路。不過，本發明並不受限於此。只要可採用主動 式矩陣驅動方式即可。舉例來說，驅動控制元件DR及/或 /關SW亦可為n通道TFT。另外，電容器c亦可被連接於 〆制το件OR的控制終端與該電源供應線路pL2或該 104649.doc -16- 1280545 象素電極PE其中一者之間。此外，亦可以使用電流信號作 為視訊信號的像素電路取代使用電壓信號作為視訊信號的 像素電路。 Μ 4等第一與第二具體實施例中，每條電源供應線路 PL2的電位係被設為低於每條電源供應線路。或者， 亦可將前者的電位設為高於後者。 一於孩等第一與第二具體實施例中，該等像素電極為反 光式。或者’該等像素電極邱亦可為透光式。於此情況 中，在每個像素電極ΡΕ的背面便可能會設置一反射層。 於该等第一與第二具體實施例中，像素電極ΡΕ係作為陽 極’而共同電極⑶係作為陰極。或I，像素電極ΡΕ亦可 作為陰極，而共同電極CE作為陽極。舉例來說，當前電極 係由金屬材料製成的話，其便可形成薄膜以達可透光目 的。舉例來說’當該共同電極CE作為陰極時，其可能具有 Ag/ITO層疊結構。 熟習此項技術之人士可容易地發現額外優點並且進行修 改。因此’本發明的廣泛方面並不限定於本文所示及描述 之，定細節及代表性具體實施例。據此，只要不背離隨附 申=專利範圍及其等效範圍所定義的一般發明概念的精神 及範疇，即可進行各種修正。 【圖式簡單說明】 具體實施例之顯示器的 圖1概略地顯示依據本發明第一 平面圖； 圖2係圖1所不之顯不器的顯示面板的放大平面圖 104649.doc 1280545 圖3作、儿从 /α者圖2所示之顯示面板的直線ΙΠ-ΙΙΙ所獲得的剖 面圖； 圖4係沿著圖2所示之顯示面板的直線IV-IV所獲得的剖 面圖； 圖5係根據本發明第二具體實施例之有機EL顯示器的顯 不面板的放大平面圖； 圖6係沿著圖5所示之顯示面板的直線VL· VI所獲得的剖 面圖；以及 圖7係根據第二具體實施例的顯示面板中可採用的結構 範例的概略平面圖。 【主要元件符號說明】 1 顯示器 ΑΑ 顯示區 C 電容器 CE 共同電極 CH 區域 CNT 控制器 D >及極 DE 汲極電極 DL 視訊信號線路 DP 顯示面板 DR 驅動控制元件 Ε1 第一電極 Ε2 第二電極 104649.doc -18- 1280545
G 閘極 GI 閘極絕緣體 11 絕緣膜 12 絕緣膜 IE 中間電極 IS 絕緣基板 OLED 有機EL元件 ORG 光活層 PE 像素電極 PEB 藍光像素電極 PEG 綠光像素電極 PER 紅光像素電極 PL1 電源供應線路 PL2 輔助線路/電源供應線路 PX 像素 S 源極 SC 半導體層 SE 源極電極 SI 分隔絕緣層 SL 掃描信號線路 SL 掃描信號線路 SW 開關 TH1 穿孔 TH2 穿孔 104649.doc -19- 1280545 TH3 穿孔 XDR 視訊信號線路驅動器 YDR 掃描信號線路驅動器
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Claims (1)

1280545 十、申請專利範圍： 1 · 一種顯示器，其包括： 一絕緣基版； 一辅助線路，其置放在該絕緣基板的一主表面上； 一絕緣下層，其會覆蓋該輔助線路與該絕緣基板的主 表面，且具備一第一穿孔用以和該輔助線路進行通信； 複數個像素電極，其置放在絕緣下層之上且圍繞該第 一穿孔的一開口； 複數層光活層，分別覆蓋該像素電極且分別包含一發 光層；以及 & -透光共同電極，其會覆蓋該等光活層且會透過該第 一穿孔被電連接至該輔助線路。 2. 3. 5. 如請求項1之顯示器’其進-步包括-分隔絕緣層，其 覆蓋介於該等像素電極間—位置處的該絕緣下層且且備 :第二穿孔’其中該制電極會進—步覆蓋該分隔絕緣 、曰’且其中該共同電極會透過該等第—與第二穿孔被電 連接至該輔助線路。 如請求項2之顯示器，其中該第二穿 每孔會與該第一穿孔 ^ 且其中該第二穿孔位於該 .,巴緣下層側上的一開口 ”：於該第-穿孔位於該分隔絕緣層側上的開口。 如請求項3之顯示器，其中該等第一 錐形。 ，、弟一開口呈正向 如印求項2之顯示器，其進一步包 括—中間電極，插入 在該、尾緣下層與該分隔絕緣層之 且透過該第一穿孔 104649.doc 1280545 被電連接至該輔助線路，其中該共同電極會透過該第二 牙孔被電連接至該中間電極。 6·如請求項5之顯*器，其中該巾間電極的一材料與該等 像素電極的一材料係彼此相同。 7.如請求们之顯示器’其進一步包括一視訊信號線路， 插入在該絕緣基板與該絕緣下層之間’且該視訊信號線 路的一材料與該辅助線路的一材料係彼此相同。 Φ '員1之顯示器，其中该像素電極面向該輔助線 9.如請求们之顯示器，其中該顯示器係頂部發射有機此 顯示器。 10·如叫求項9之顯示器，其進一步包括： 一電源供應線路，其插入在該絕緣基板與該絕緣下層 稷條掃描信號線路，其插入在該絕緣基板與該絕矣 下層之間； 複數條視則㈣，其插人在該絕緣基板與該絕海 下層之間且和該等掃描信號線路相交；以及 ^數個像素電路’其分別插人在該絕緣基板與該絕轉 :曰^間’位在靠近該掃描信號線路與該視訊信號線銘 '又免且刀別電連接於該像素電極與該電源供應線 路之間。 η· 一陣列基版，其包括： 一絕緣基版； 104649.doc 1280545 一輔助線路，其置放在該絕緣基板的一主表面上； -絕緣下層，其會覆蓋該輔助線路與該絕緣基板的主 表面’且具備-第-穿孔用以和該輔助線路進行通信·， 複數個像素電極，其置放在絕緣下層之上且圍繞該第 一穿孔的一開口。 12. 如 其 備 請求項11之陣列基板’其進—步包括_分隔絕緣層， 覆蓋介於該等像素電才亟間立置處的該絕緣下層且具 -第二穿孔，Λ中該第二穿孔會與該第_穿孔通信， 且其中該第二穿孔位於該絕緣下層側上的一開口係大於 該第一穿孔位於該分隔絕緣層侧上的開口。 13. 如請求項12之陣列基板，其中該等第一與第二開口呈正 向錐形狀。 14·如請求項！1之陣列基板，其進一步包括： 一分隔絕緣層，其覆蓋介於該等像素電極間一位置處 的該絕緣下層且具備一第二穿孔；以及 15. 一中間電極，其插入在該絕緣下層與該分隔絕緣層之 間，且透過該第一穿孔被電連接至該辅助線路， 其中該第二穿孔會與該中間電極通信。 如請求項14之陣列基板，其中該中間電極的一材料與該 等像素電極的一材料係彼此相同。 16. 如請求項丨丨之陣列基板，其進一步包括一視訊信號線 路，其插入在該絕緣基板與該絕緣下層之間，該視訊作 號線路的一材料與該輔助線路的一材料係彼此相同。 17. 如請求項丨丨之陣列基板，其中該像素電極面向該輔助線 104649.doc 1280545 路。 18·如請求項11之陣列基板，其進一步包括： 一電源供應線路，其插入在該絕緣基板與該絕 之間； 層 複數條掃描信號線路，其插入在該絕緣基 下層之間； / ”、、€緣 複數條視訊信號線4，其插入在該絕緣基板與該絕緣 | 下θ之間且和該等掃描信號線路相交；以及 、 ^個像素電路，其分別插入在該絕緣基板與該絕緣 下層之間，位為贵、^ 罪近该掃描信號線路與該視訊信號線路 的相父處，且分別雷 J電連接於該像素電極與該電源供應線 路之間。
104649.doc
TW094130580A 2004-10-15 2005-09-06 Display and array substrate TWI280545B (en)

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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005327674A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセント表示素子、それを有する表示装置、及び、その製造方法
KR100647704B1 (ko) * 2005-09-26 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치,유기 박막 트랜지스터의 제조방법 및 평판 디스플레이장치의 제조방법
KR100738233B1 (ko) * 2006-03-30 2007-07-12 엘지전자 주식회사 전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100759759B1 (ko) 2006-04-27 2007-09-20 삼성전자주식회사 표시장치와 그 제조방법
KR100914784B1 (ko) * 2006-05-17 2009-08-31 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
JP5228910B2 (ja) 2006-06-19 2013-07-03 ソニー株式会社 発光表示装置およびその製造方法
KR100835919B1 (ko) * 2006-07-31 2008-06-09 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
JP2008037848A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Takasago Internatl Corp 白金錯体及び発光素子
KR100807560B1 (ko) * 2006-11-30 2008-03-03 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
US20090001874A1 (en) * 2007-06-28 2009-01-01 Feng Wen Yen Arylamine compound and organic light emitting device using it
JP2009169071A (ja) 2008-01-16 2009-07-30 Sony Corp 表示装置
KR101002665B1 (ko) * 2008-07-02 2010-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 포함하는유기전계발광표시장치
JP4621818B1 (ja) 2009-06-04 2011-01-26 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
KR102070951B1 (ko) * 2013-05-23 2020-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102227455B1 (ko) * 2013-10-08 2021-03-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102312557B1 (ko) * 2014-10-22 2021-10-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102446425B1 (ko) 2015-11-17 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102483229B1 (ko) 2015-12-31 2022-12-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
EP4386734A1 (en) 2016-01-21 2024-06-19 Apple Inc. Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
JP2018006212A (ja) 2016-07-05 2018-01-11 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102584965B1 (ko) * 2016-11-21 2023-10-06 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
CN106876413A (zh) * 2017-03-17 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
KR102387343B1 (ko) * 2017-12-20 2022-04-15 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102457997B1 (ko) * 2017-12-29 2022-10-21 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
CN110224003B (zh) * 2018-03-01 2023-06-09 天马日本株式会社 显示装置
JP7179517B2 (ja) * 2018-03-01 2022-11-29 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 表示装置
KR20220076081A (ko) * 2020-11-30 2022-06-08 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
TWI784612B (zh) * 2021-07-05 2022-11-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5610414A (en) * 1993-07-28 1997-03-11 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US6724149B2 (en) * 1999-02-24 2004-04-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Emissive display device and electroluminescence display device with uniform luminance
JP2001102169A (ja) * 1999-10-01 2001-04-13 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP3809758B2 (ja) 1999-10-28 2006-08-16 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
JP4434411B2 (ja) 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
TWI257496B (en) * 2001-04-20 2006-07-01 Toshiba Corp Display device and method of manufacturing the same
JP2002352963A (ja) 2001-05-23 2002-12-06 Sony Corp 表示装置
JP4162890B2 (ja) * 2001-12-27 2008-10-08 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP4310984B2 (ja) * 2002-02-06 2009-08-12 株式会社日立製作所 有機発光表示装置
JP3922374B2 (ja) * 2002-09-25 2007-05-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、マトリクス基板、及び電子機器
JP4089544B2 (ja) * 2002-12-11 2008-05-28 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
JP4255844B2 (ja) * 2003-02-24 2009-04-15 ソニー株式会社 有機発光表示装置およびその製造方法

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