TWI278890B - Structure of electron gun for color cathode ray tube - Google Patents

Description

1278890 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域 [0 Oj 1 ]本發明有關一種陰極射線管，尤其有關一種陰 極射線管之電子搶結構。構成此種電子槍三極管部之陰極 ’設有非對稱電子束通孔，目此可使螢光屏上形成的電子 束光點尺寸最小化。 【先前技術】 [ 00 02]圖1解說相關技術之陰極射線管結構，圖2解說 相關技術之電子槍結構。 [ 0003 ]陰極射線管包括一面板5〇，其内表面上設有一 J光屏15 ; 一漏斗60，其與面板5〇接合，形成一抽空的管 二丄-電子搶80，其係容置在漏斗6〇之頸部几内，用以發 鉬？：古一偏轉磁輛12，可將電子搶80發射的電子束 ΪΠΓ 2向偏轉；及一陰罩14，其具有顏色選擇功 此，且其位置係與螢光屏15相距一預定距離。 [_4]此外，還有一内屏蔽2〇，可屏蔽電子扣免於 的影響；—给罩框18，係炫接於内屏蔽2〇，用以 及一落罩彈簧17，可將餐罩框18接設在面板 電 会極3;—第 第二電極5 一預定距離；-苐六電極9 ; [ 0005 ]請參照圖2，電子槍80包括一 用 極4，用以控制陰極3發射的電子束量；一 以加速電子束，且其位置與第一電極相足 第二電極6 ; —第四電極7 ; —第五電極只 及—屏蔽杯10。其中第三電極至屏蔽; 前述順序相距預定距離 至屏㈣係與第二電極5依

mm 第7頁 1278890 五、發明說明（2) [ 0006 ]此外，屏蔽杯1〇上接設一真空管空間連 (BSC)ll，以使電子搶8〇更穩固地導接於漏斗6〇上連。 [ 0007]以下說明電子搶80與陰極射 由=^^^^^2 ’其與—桿HO ， 2:1施加一指定電麼時’電子搶80會從陰極 ； :電些電子是由第一電極4(亦稱為控制 ： =，並由第二電極5(亦稱為加速電極）加速。一部 : 束13被位於第二電極5、第三電極6、第四 電極8之間的聚焦透鏡聚焦與加速子, 联後伙電子搶8 〇發射出。 < 步成=2電子搶⑽發射的電子束13隨後被偏轉磁輛12 罩 與垂直方，轉。電子束13_ ，在螢弁i μ "Γ s J ，並依固定順序掃描到螢光屏15上 在螢光屏1 5上顯示指定的影像。 加到[第常^施加到第一電極4的謂Vgl)為0v，施 mi 6、7的電嶋2)在_到1〇_之 :外電極8的竭Vf)在_到〗。_之間。 。 五電極中，至少有一個被施加一動態電壓 成的]甬圖:解說構成電子搶三極管部之第-電極上形 束r:。說構成電子搶三極管部之第二電 [00011]圖3顯不第一電極4上的電子束通孔41。圖3顯 五、發明說明（3) 示的電子束通孔41為矩形，但電子壶捅力w π ★ ^ 不同㈣片大。 哥子束通孔41可為其他各種 [00^2]圖3中，V4表示電子束通孔41之縱向尺寸，h4 表不電子束通孔41之橫向尺寸。 [ 000 1 3 ]同樣地，圖4顯示第二電極5上的 ^盆^顯示#電子束通孔51為矩形，但電子束通孔Μ 2二他各種不同的形狀，諸如圓形或橢圓形。圖4中，v5 ==子束通孔51之縱向尺寸，h5表示電子束通孔^之橫 寸。雖然圖中未顯示，但是第三電極上的電子束通孔 =0形。如圖中所示，第—電極4與第二電極5上的電子 束j孔，#幾乎完全相同的橫向尺寸h4、h5及縱向尺寸v4 ^000 1 4]過去曾經嘗試減少電子束通孔“、5ι的橫向 开U雷US向尺寸“、V5，期望能夠降低螢光屏15上 ’、電子束1 3光點尺寸。然而，為了減少電子束通孔41 、51的橫向尺寸h4、“及/或縱向尺寸以、v5，勢必 極其高的精密度，而且很不容易製作此種電極： 如此僅會縮短陰極3的壽命。 只 [000 1 5 ]另外，也有人嘗試使橫向或縱向尺寸之一相 f大於另一尺寸。然而，這麼做時，電子束13的光點尺寸 極：尺二：方向放大’而此種現象不利於高清晰度陰 桎射線s 。例如，大家都知道，當第—電極4上的電 通孔橫向尺寸h4大於電子束通孔縱向尺寸v4時， 上形成的光點尺寸朝水平方向放大，最後會使影像品質劣 1278890 五、發明說明（4) 化。通Ιϊΐΐ15上的電子束光點尺寸受幾個因素影缒 ，包括透,放大率、排斥空間電荷(電)力、及主透鏡：： 面像差。在這；因素中，透鏡放大率對光點尺寸(Dx)4 用不太大’且，、作為電子搶設計元素的效龙 中包括不該改變的基本參數，例如電壓、焦距及電 度。另一方面，排斥空間電荷力對光點尺寸（Dst)的影鍥 可指示一種現象，亦即光點尺寸（Dst)會因電子束中電; 間的排斥與碰撞而放大。芒i古A 电卞 殊的設計來增加電子束行進，而要一種特 」）。減少第一電極的角度（以下稱為「發射角 尺寸h4，可以達成此一特殊設計。 tvt、仏向 干-[』=]\气鏡球面像差對光點尺寸(DiC)的影響可指 ΐ子光點尺寸(Dic)會因通過透鏡短軸之 的…、距/、通過透鏡長軸之電子的焦距之間的差 大。不像排斥空間電荷力，若主 ς放 =光㈣上的光點尺寸可很 螢光屏可表示如下：寸…之，

Dt= ^(Dx + Dst)2 + Dic2 [00017]光點尺寸降低方法的本 J:。根據此方法’即使發射大、疋曰加主透鏡 D鏡中的球面像差之故，光點尺寸不言因 ，所L i 力於通過大的主透鏡時會降低 '、要使用較大的主透鏡’即可使排斥空間電荷力 第10頁 1278890 五、發明說明（5) 透鏡中的球面像差最小化。 [ο 〇 018 ]雖然如此，主透鏡的尺寸仍有所限制。主透 鏡不得大於一預定尺寸，而且可能也不容易製作大主透鏡 。另一種方法是，主透鏡之外，可增加三極管部的發射角 。若要增加三極管部的發射角，須減少第一及第二電極4 、5上的電子束通孔41、51之尺寸。然而，減少電子束通 孔4/、51之尺寸可能導致陰極3壽命劣化。為了克服上述 問題，有人使用一種浸潰陰極以保持陰極3的壽命。然而 ，、如此徒然增加成本。減少電子束通孔4丨、5丨之尺寸除了 減低陰極壽命外，也可能影響對準特性而進一步降低陰極 的產出量。 [00019]圖5解說電子搶内構成三極管部的第一與第二 電極上，電子束通孔之橫向尺寸。圖6解說電子槍内構成 三極管.部的第一與第二電極上，電子束通孔之縱向尺寸。 如圖5、6所示，第一電極4上的電子束通孔橫向尺寸以大 致可與電子束通孔縱向尺寸v4完全相同。當第一電極4上 的電子束通孔橫向尺寸]14稍微大於縱向尺寸v4時，光點尺 寸也側向延長。同樣地，第二電極5上的電子束通孔橫向 寸h5大致可與電子束通孔縱向尺寸^^完全相同，或者， 向尺寸h5可稍微大於縱向尺寸v5。當第二電極5上的電 子束通孔橫向尺寸h5稍微大於縱向尺寸v5時，光點尺寸也 侧向延長。然而，由於第一電極4與第二電極5可作為二四 極電極而縱向延長電子束13，所以電子束13甚至可在通過 主透鏡前就沿縱向實質延長。電子束丨3通過主透鏡時，= 第11頁 1278890 五、發明說明（6) 們可能再度被側向延長。因此，等電子束打擊螢光屏丨5時 ’電子束光點的橫向尺寸與縱向尺寸可能幾乎相同。以此 f式’可在螢光屏1 5上形成小尺寸的電子束光點。然而， 若，增加此種作用而使第一及第二電極4、5上的電子束通 =橫向尺寸h4、h5與縱向尺寸V4、V5彼此不對稱，亦即， 若縱向尺寸v4、V5相對上小於橫向尺寸h4、h5，將 縮短電子搶的壽命。 [00020]因此，電子槍内三極管部之第一、第二電極 4、5上，電子束通孔橫向尺寸]14、115與縱向尺寸以、“之 大於u。亦即，橫向尺寸h4、h5可猶微大於縱向 ::v4、v5。如前所討論’減少第一及第二電極4、5上的 電子束通孔橫向尺寸h4、h5與縱向尺寸v4、v5會 :=產口能造成電極裝配件於對準上的嚴重缺陷’ 繼：降低產出1。此外，減少第一及第二電極4、5 :=孔橫向尺寸h4、h5與縱向尺寸v4、v5 子束光點尺寸可能並無幫助。 、減^電 [0GG21 ]-如相關技術中，f試縮 4、5上的電子束通孔以盥大 一 汉弟一電極 趨勢齊頭並進，可能導致降低陰極晰a度陰極射線管的 子搶可與陰極射線管配合，由:射可〒。此外，若電 ，於勞光屏周邊上的偏轉力強4 = 營光屏上 放大螢光屏上的光點尺寸。 、、轉力’所以會 [ 00022 ]圖7解說陰極射線管内， 光點與電流密度間的關係。如螢^屏令央部形成的 如圖所不，習知陰極射線管之 1278890 五、發明說明（7) 電子槍結構中，於螢光屏中央部上形成的電子束，1 :與中央部的電流密度之斜度可能較平滑；2 光點尺寸較大。因此，電子搶結構可能無法配合且 晰度與高亮度的陰極射線管。 〃 ’回巧 【發明内容】 [ = 23]因此，本發明有關一種彩色陰極射 子松結構，此種電子搶結構可實質消除相關技術中電 限制與缺點所造成的一或多個問題。 [00024 ]本發明優點之一在於至少解決上述問題及/ 缺點，並至少提供下述優點。 成 [ 00025 ]本發明另一優點是提供一種螢光屏 具士光點尺寸的陰極射線管，以解決前述 並滿足改進尚清晰度、廣角螢光屏聚焦特性的需求。 電子二02二i為實現上述及其他優點’本發明提供的具有 射線管包·： -三極管部與多數聚焦電極 :極管部包括一陰極用以發射電子束，及第一與第二 用以控制與加速由陰極發射的電子 電子東嚷隹。结 束 #聚焦電極可使 焦。其中，第一電極上形成的電子束通孔，且縱 向尺寸與橫向尺寸之比在5至4.3之間。 ·· 上辻=027]士根據本發明具體及廣義說明之目的，為實現 ’本發明之陰極射線管電子搶包括：一三極管部 =數聚焦電極。三極管部包括一陰極用以發射電=; 哕等令ίίΓ電極用以控制與加速由陰極發射的電子束。 …焦電極可使電子束聚焦。其十，第一電極上形成的 1278890 五、發明說明（8) 電子束通孔，其縱向尺寸與橫向尺寸之比在15至43之 ;且第二電極上形成的電子束通孔，其縱向尺寸大於盆二 向尺寸。 、/、饮 [ 00028 ]本發明其他特徵與優點，將於以下說明中 述，有些部份從說明中即可明白，或可於實施本發明時理 解。依照書面說明、所附申請專利範圍及附圖中特別俨 之結構，可實現與獲得本發明各項目的與優點。 曰 [ 0 0029 ]需要了解的是，前述整體說明與以下詳细 =舉例與解說性質，其目的在於進一步解說請求專利 [ 00030 ]根據所附申請專利範圍中特 可以實現與獲得本發明各優點。 〜構’ 【實施方式】 圖所2〇。049]現在詳細說明本發明一實施例，其實例如附 [ 00050 ]圖8解說本發明之陰極射線管電子搶 :極管部之第一、第二電極4、5上，電子束通孔之橫向尺 二，圖9解說本發明之陰極射線管電子搶 部之第-、第二電極4、5上，電子束通孔之縱籌向成二^ [000 5 1 ]假設，h4,與，v4’分別表示本發 電極4上電子束通孔之橫向 通孔之橫向與縱向尺寸。如圖所示，第一 =束 電子束通孔，其縱向尺寸v4可相對大於其橫向尺寸“成。的同 第14頁 1278890 五、發明說明（9) 樣地，第二電極5上形成的電子束通孔，其縱向尺寸v5 相對大於其橫向尺寸h5 〇 [0 0 0 5 2 ]在先前相關技術中，係藉由減少第一及 ，極4、5上形成的電子束通孔尺寸，或加大橫向尺寸盥 =縱向尺寸，來縮小螢光屏上形成的光點尺寸。本發^血 先前相關技術不同，它建議的縮小光點尺寸新方法I，^ 使縱向尺寸v4、v5比橫向尺寸h4、h5大得多，但不 第 —、第二電極4、5上形成的電子束通孔橫向尺寸Μ、“。 ^明確地說，第一電極4上形成的電子束通孔，其縱向 寸V4與橫向尺寸h4之比在ι·5至4.3之間。此外，第二 5上形成的電子束通孔，其縱向尺寸v5與橫向尺寸Μ之比β :大於或等於1. 5。簡言之，電子束通孔之橫向尺寸盥縱 向尺寸滿足以下關係： … 4.3xh4^v4^1.5xh4 ;以及 v5 .1·5xh5 [00053]若第一電極4上形成的電子束通孔，立縱 寸v4相對大於其橫向尺寸h4，電子束交又點會變得較^， 3尺寸也放大。然而，若電子束通孔縱向尺寸“與橫向 ^寸h4之比大於一指定比值時，電子束交又點會會消失且 光點尺寸縮小。例如，當電子束通孔之縱向尺寸以至 ^其橫向尺寸h4 1. 5倍時，即不再有電子束交叉點且光點 尺寸縮小。然而，若電子束通孔縱向尺寸以與橫向尺寸W 之比大於指定比值時，光點尺寸逐漸放大；若電子 縱向尺寸V4至少大於橫向尺寸h4 4.3倍時，㈣會碰撞 1278890

電極。在本發明另 束通孔，其縱向尺 間，以使螢光屏上 與縱向尺寸v4可滿 一實施例中，第一 寸v4與橫向尺寸h4 的光點尺寸最小化 足以下關係： 電極4上形成的電子 之比可在1.9至3·5之 。亦即，橫向尺寸h4 [00054]3. 5xh4 ^v4 ^1. 9xh4 [ 00055 ]如上所述，為了縮小電子束的光點尺寸，未 必需要減少電子束通孔的尺寸。相反的，藉由增加電子束 通孔縱向尺寸v4，使其大於電子束通孔橫向尺寸h4丨· 5倍 或1 · 9倍以消除電子束交又點，可以更快縮小電子束的光 點尺寸。由於電子束通孔的尺寸並未減少，所以採用本發 明時，可解決與電子槍壽命縮短、電子槍製造困難、及縮 小光點尺寸相關的各種問題。 ' [0 0 0 5 6 ]圖1 0顯示本發明之陰極射線管内，第一電極4 上形成的電子束通孔縱向尺寸v4與橫向尺寸h4之比和光點 尺寸間的關係。圖中的光點尺寸值，1 ’指示電子束通孔縱 向尺寸v4與橫向尺寸h4之比為1。如圖1 〇所示，光點尺寸 隨縱向尺寸v4與橫向尺寸h4之比而改變。 [00 057 ]例如，v4/h4之值較小時，光點尺寸之增加與 v 4 / h 4之比增加成正比。隨後，當v 4 / h 4之比大於一指定比 值時，電子束交叉點消失且電子束光點尺寸縮小。經過某 一點後，電子束光點尺寸相對v4/h4再度增加。圖10顯示 ，v4/h4之比值在1· 5至4. 3之間時，可產生小於0. 8的光點 尺寸。當v4/h4之比值在1· 9至3· 0之間時，可獲得更小的 光點尺寸。

第16頁 五、發明說明（11) [00058]圖11顯示本發明另一實施例中的電子 m:12顯示本發明另-實施例中的電子束通孔縱 向尺^請參照圖Η、12，第一電極4上形成的電 二第H第，一側(亦即陰極側)之橫向尺寸可為114，而位 於第一電極側的橫向尺寸可為“，。同樣地，第一 形成的電子束通孔，其位於第一側之縱向尺寸可 位於第二電極側的縱向尺寸可為ν4，。為了得到較’小的光 ‘點尺寸，第一電極4上形成的電子束通孔在第一電極的 /及第二侧上應彳⑼的尺寸，且電子束通孔第一側上的 縱向尺寸ν4與橫向尺寸h4之比，應等於或小於電子 第二電極侧上的縱向尺寸v4,與橫向尺寸h4，之比。 ，應滿足以下關係： 口 [00059](v4,/h4, ） -(V4/h4) [ 0006G]此外，第-電極4上形成的電子束通孔橫向尺 十h4與縱向尺寸v4’，大於電子束通孔橫向尺寸M盘縱向 尺寸“。如圖所示，從板形第一電極4往第二電極5的方向 ，形成一槽孔。在本發明一實施例中，v4/M之比值等於 成大於1.5 ’而V4’/h4’之比值可等於或大於15。此種 係可簡述如下： [0 00 6 1 ]v4 ^1. 5xh4 ； [ 0 00 62 ]v4’ ^1· 5xh4，；以及 [00063]v5 SI·5xh5 。 [ 0 00 64 ]符合以上條件時，較容易減少螢光屏上形成 的電子束縱向尺寸，因而可縮小光點尺寸。 1278890 五、發明說明（12)"" ' ---—- ♦ [ 0 0 0 6 5 ]圖1 3顯示本發明再一實施例中的電子束通孔 寺買白尺寸，圖1 4顯示本發明再一實施例中的電子束通孔縱 向尺寸。圖1 3、1 4顯示的電子束通孔結構類似圖丨丨、丨2顯 示的、’Ό構。此二實施例間的差異在於，第二電極5的結構 類似第一電極4的結構，亦即，第二電極5位於第一側（亦 即第一電極侧）的橫向尺寸h5，與位於第二側（亦即靠近第 三電極側）的橫向尺寸h5，，彼此可以不同。同樣地，位於 第一側的縱向尺寸V5可與位於第二側的縱向尺寸v5,不同、 。換言之，不僅第一電極上形成槽孔，第二電極上亦形成 槽孔。為了縮小電子束光點尺寸，應該符合以下條件： [000 66 ]v4 ^1.5xh4 ； [ 00067 ]v4, ^1.5xh4,； [00068 ]v5 ^1. 5xh5 ； [ 000 69 ]v5’ ^1.5xh5’ ；以及 [00070]v4^v5’° [ 000 7 1 ]以此而論，使縱向尺寸V4等於或大於縱向尺 寸v5’時，可以縮小螢光屏上形成的光點尺寸。 [00072]圖15解說本發明之陰極射線管電子搶中，第 一電極上形成的電子束通孔v4/h4之比和發射半徑間的關 係。當v4/h4之比值從1增加到丨.4時，電子束交叉點及縱 向上的發射半徑都隨之增加。然而，當v4/h4之比值大於 1·5時，電子束父又點消失。當v4/h4之比值在1.5至4.3之 間時’電子束父又點看來先增加，然後在比值到達4 · 3時 消失。同時，在1· 5至4· 3的範圍内時，發射半徑逐漸下降

1278890 五、發明說明（13) 。最後，當v4/h4之比值大於4· 3時，發射半徑快速增 且電子束碰撞電極。因此，在本發明一實施例中，’ 之比值可在1. 5至4· 3之間。 V 4 [00073]圖16解說本發明之陰極射線管中，榮光屏中 央部上的光點與電流密度間的關係。比較圖丨6與圖7時， 顯然可以看出螢光屏中央部上的光點尺寸顯著縮小，且電 流密度的斜度陡直得多。高亮度廣角陰極射線管最好具有 較小的電子束光點尺寸與施加較高的電流密度。 [ 00 0 74 ]總之，增加第一、第二電極上形成的電子束 通孔縱向尺寸，表示不必縮短陰極的壽命，而且更易掣作 電極。此外，本發明發射高電流密度的電子束，所以^於 用來改善陰極射線管的亮度。再者，由於螢光屏上的光點 尺寸比相關技術中的螢光屏光點尺寸小30_40%，所以也可 大幅改進陰極射線管的解析度。 [ 00075]前述實施例與優點僅為舉例性質，並非用以 推T為限制本發明。本發明之教示可隨時應用在其他類型 =二置。*發明說明之目的在於舉例說明而非限制請求專 之J圍。熟悉此類技術之人士顯然可以理解其中多 變化。，求項目中採用手段加功能之敘述 1 ’係為了在貫施本文詳述的功能時涵蓋其中所說明的結 構0 Φ -r[m熟悉此類技術之人士顯然可以s解，本發明 屬所附申請專利項ί及：Ξί:;?神與範圍。因' 、 /、j等、、Ό構乾圍内的修改與變化’

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第20頁 1278890 圖式簡單說明 【圖式簡單說明】 [0 0 0 3 1 ]附圖係為進一步理解本發明而提供，並構成 本說明書的一部份，以舉例說明本發明各實施例，並與文 字說明共同解說本發明原理。 [ 00032 ]附圖包括： [0 0 0 3 3 ]圖1解說一相關技術之陰極射線管結構，· [0 0 0 3 4 ]圖2解說一相關技術之電子搶結構； [00035]圖3解說電子搶内構成三極管部之第一電極上 的電子束通孔； [ 00036 ]圖4解說電子搶内構成三極管部之第二電極上 的電子束通孔； [ 00037 ]圖5解說電子搶三極管部之第一、第二電極上 ’電子束通孔之橫向尺寸； [ 00 038 ]圖6解說電子槍三極管部之第一、第二電極上 ’電子束通孔之縱向尺寸； 作[〇〇〇39]圖7解說螢光屏中央部形成的光點與陰極射線 言内電流密度間的關係； 、 一 [00040 ]圖8解說本發明之陰極射線管電子搶内， 二極管部之第一、第二電極上，電子束通孔之橫向尺寸； 一 [00041 ]圖9解說本發明之陰極射線管電子搶内， 三極管部之第一、第二電極上，電子束通孔之縱向尺寸，· ，[00042 ]圖10解說本發明之陰極射線管内，第一電極

^形成的電子束通孔縱向尺寸與橫向尺寸之比和 間的關係； T 第21頁 1278890 圖式簡單說明 [ 0 0043 ]圖11解說本發明另一實施例中的击 橫向尺寸； 丁末逋孔 [ 0 0044 ]圖12解說本發明另一實施例中的 縱向尺寸； 丁果通孔 [00045] 圖13解說本發明再一實施例中的 橫向尺寸； 卞果通孔 [00046] 圖14解說本發明再一實施例中的電 縱向尺寸，· 于束通孔 [0 0 0 4 7 ]圖1 5解說本發明之陰極射線管電子搶中， 一電極上形成的電子束通孔縱向尺寸與橫向尺 射半徑間的關係；以及 '之比和發 [ 00048 ]圖16解說本發明之陰極射線管中，勞光 央部上的光點與電流密度間的關係。 “ 中 【元件符號對應表】 1 桿銷 2 加熱器 3 陰極 4 第一電極 41 電子束通孔 5 第二電極 51 電子束通孔 6 第三電極 7 第四電極 8 第五電極

1278890 圖式簡單說明 9 第六電極 10 屏蔽杯 11 真空管空間連接器（BSC) 12 偏轉磁軛 13 電子束 14 蔭罩 15 螢光屏 17 蔭罩彈簧

18 蔭罩框 20 内屏蔽 50 面板 60 漏斗 70 頸部 80 電子槍

第23頁

Claims (1)

1278890 六、申請專利範圍 1· 一種具有電子槍之陰極射線管，其包括： 一三極管部，其具有一陰極； 第一及第二電極，用以控制與加速從該陰極發射 電子束；及 多數聚焦電極，可將電子束聚焦； 其中，該第一電極上的電子束通孔縱向尺寸與橫向 尺寸之比在1· 5至4. 3之間。 、 2·如申請專利範圍第丨項之陰極射線管，其中，該第二電 1的電子束通孔縱向尺寸大於該電子束通孔之橫向尺 3·如申請專利範圍第2項之陰極射線管，其中，該 1 極5上。的電子束通孔縱向尺寸與橫向尺寸之比大；或-等於 4· 一種具有電子搶之陰極射線管，i 一三極管部，其具有一陰極； 束，電：：：：與：；從該搶極發射的電子 近該陰極並具有第一橫向與縱；尺：束= 側靠 一㈣對並具有第二橫向與縱向尺寸.」一側與該第 束，電與：速從該陰極發射的電子 向與縱向尺寸；及 ^電子束通孔具有第三橫 多數聚焦電極，可將電子束擎焦· 其中’該第—電極上的電子ϊ通孔第二縱向尺寸與 第24頁 1278890 六、申請專利範圍 第二橫向尺寸之比，大於第一縱向尺寸與第一橫向尺寸 之比〇 5·如申請專利範圍第4項之陰極射線管，其中，該第一縱 向尺寸與第一橫向尺寸之比大於1·5 ;該第二縱向尺寸 ，第二橫向尺寸之比大於1.5;該第三縱向尺寸與第三 橫向尺寸之比大於5。

6.如申請專利範圍第5項之陰極射線管，其中，用以控制 與加速從該陰極發射之電子束的第二電極，其上之電子 束通孔具有朝向該第一電極之第一側，及與該第一側相 對之第二側；該第一側具有第三橫向與縱向尺寸，該第 一侧具有第四橫向與縱向尺寸；其中，該第四縱向尺寸 與第四橫向尺寸之比大於i.5，且該第一縱向尺寸大於 該第四縱向尺寸。 7·如申請專利範圍第4或第5項之陰極射線管，其中，該第 一縱向尺寸與該第一橫向尺寸之比大約在I 5至4· 3之間 8 ·如申叫專利範圍第1或第4項之陰極射線管，其中，該第 縱向尺寸與該第一橫向尺寸之比大約在1. 9至3 · 〇之間 〇 9 _如申凊專利範圍第1或第4項之陰極射線管，其中，該第 一，極上之電子束通孔於第一側與第二側之尺寸不同， 且該電子束通孔第一侧之縱向尺寸與橫向尺寸之比，小 於該電子束通孔第二側縱向尺寸與橫向尺寸之比。 1〇·如申請專利範圍第1或第4項之陰極射線管，其中，該

第25頁 !27889〇 六、申請專利範圍 u三如極由管部之形成方式係使電子束僅於水平方向交又。 第Λ專利範圍第1或第4項之陰極射線管，其中，該 12第/電極上的電子束通孔為矩形。 其中，該 ^ U㈣範圍们或第4項之陰極射線管 13 一電極上的電子束通孔為矩形。 第專利範圍第1或第4項之陰極射線管，其中，該 等靠近ϊ極側的縱向尺寸，大於或 寸。 電子束通孔靠近一第三電極側的縱向尺 14.蓉如Λ請專利範圍第1或第4項之陰極射線管，其中，該 15 V申Λ焦電極中，至少有一個係施加-動態電壓/ 1 6.如一中請專利範圍第1或第4項之陰極射線管，其中，該 第一及第二電極上的電子束通孔為矩形，且 / 極上的電子束通孔為圓形。 、弟二電 第26頁