TWI277836B - Method and apparatus for forming pattern on thin-substrate or the like - Google Patents

Description

1277836 五、發明說明（1) 發明背景 本發明係關於一種曝光裝置、一種處理器及一種基板 的，光方法’特別是具大的不均勻厚度之基板，如以二於 液晶顯示或其類似物的玻璃基板表示、產生薄膜電 方法、及製造顯示裝置的方法。 曰 用於半導體基板、液晶顳示器或其類似物的破璃基板 由圖案化及堆疊複數個材料如半導體層、絕緣層1二 物而被形成，微影技術被使用於該圖案化。 -"' ' 根據微影，光致抗蝕劑被施用於要被處理的材斜， ί\ ;圖f形成於光致抗钕劑層(表面），該光致抗餘劑層被顯 分的光致抗"劑層而得到(留下 p電路、電日日體及其類似物被形成。曝光的业型 影曝光如透鏡投影曝光、反射鏡投影曝光、^苴旨為杈 :據此曝光機㈣，原板(遮罩)的影像(曝圖荦;被：：至 =加工物件的表面，該光致抗㈣層被二= 光抗飯劑層的曝光圖案之影像(藉由形成曝 在投影曝光中，投射器的焦點距離，亦即由哕旦/ t所形成的經影像形成的表面，需要等於自投射器俱 光表面（抗I虫劑表面）的距離。 、口口 、、工士《 然而’在某些情況下，該抗蝕劑層 ^ 光表面為微視地波盪狀❾，在該抗蝕戶的Ί:曝 抗議形成於此的基板的厚度不均勻:面

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結、基板被放置台的平坦化、及复 在該抗蝕劑層表面的波盪之變化旦必：：被引起。 内，其中成像光學系統(併入投射 聚：二-個範圍 被維持在一個預先決定位準。不的^焦冰度（D〇F)可 及該投射器間的距離超出該D〇F的範右在該二曝光表面 強度分布（空氣影像）被變形且預 、]成像圖案的光 或截面形狀）無法被Λ 預^6VV4劑圖案（為平面 Α未被如㈣圖所示的^析換。之，超出該刪範圍的部分 一般，在曝光時， DOF間的關係由下式定 在該抗餘劑層的影像解析度及 義：

DOF = k^R2/X 其中λ表示光源的波長，R表示標線寬度（解析度），且让表 不正比因子（對應於該方法為約1的值）。 在曝光時間，該抗蝕劑層表面的經曝光表面必須落在 該DOF的範圍内。換言之，經曝光表面必須位於滿足下式 (1)的位置： DOF>"基板厚度的不均勻性” + 口（基板維持部分）表面的波盈’’ +π聚焦正確性（在該投射器的成像光學系統的焦點位置的 偏差之允許值及成像光學系統固有的焦距）”

+ π由經加工層所引起的波盪” + Π由該成像光學系統的像差之影響，I +π方法自由度”-----------------------—(1) 若薄基板a位於台s上如第1 9圖所示，該基板a的抗蝕

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五、發明說明（3) = 曰即經曝光表面)的波值等於”（基板厚度的不 稱為·，波盪τ”。 、波值）π之總和，它們被-概 種"波曰專a利中請細⑴申請案號碼200 1 -360 88揭示此 圖案被曝光時。 檀UT會引起問題’當微 示f L而且、大規模曝光裝置，如能夠在用於大規模液晶县員 (或ϋί寸2G(忖）X25(时），或對角線較32⑷為幻 先ΛΛ:曝光裝置的玻璃基材)的玻璃基材上形成‘預 先决又的圖案之曝光裝置因下 、、預 式⑴的條件： 卜夕】原因a)及b)幾乎無法滿足 高傳真影像已被要求要能顯示數位資料，如 時虽1析度*需要的（亦即當該標線寬度㈠皮製 J日守），该DOF允許的帶寬變得更窄。 铋 )特佳為’在液晶顯示的情況下，具良好平坦性的曰 α用作半導體裝置的基板）未被使用，而是1在厚产 :均J性的玻璃基板(當與石夕晶圓的平坦度相較時大 顯-ίΐ造方法中’當玻璃基板被選擇為足夠大使得單-;頁=置的複數個玻璃基板可於其上形成，在該玻反 個面積上明顯增加。 〆坡璃基板的整 璃若標線寬度要更小且解析度要更大，則在該玻 璃基板厚度的不均勻性的最大值及最小值超出該d〇f。 於此處假設如若具（最小）標線寬度R=1〇微米的圖案

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被曝光於為1 〇 〇毫来芈士 Μ μ P ^ # ,, ^ H _ 十十方的曝先區域，在具尺寸550X650毫 〆、、液日日顯不的基板上，下列值被使用·· Α=〇·36 5微米（所利用波長），k = 1〇 在此日寸’ βπ=^·π/Α：=2·7微米 摄Φ二ί ，必^ &该基板尺寸為足夠大以減少整體基板 =先所兩牯間。一般，對大於約55〇χ65〇毫米的尺寸之液 曰曰顯^的基板為約丨00亳米平方的該曝光區域被使用。 止^ 液03、、員示的玻璃基板厚度的不均勻性一般為約1 〇微 米（义峰至尖峰）至100毫米的寬度。

所以，該DOF較基板厚度的不均勻性為小，且 會被滿足即使其他項目為”〇”。換言之，經曝光遮^的 像（亦即在該經曝光表面的光強度分布）在一位置為模糊 的，在此位置經影像形成表面及經曝光表面（亦即抗蝕劑 表面）因厚度的不均勻性彼此大為分開，此主題在日 ^ 利申請案KOKAI申請案號碼2 〇〇 1 - 360 88亦被做為問題處 已知該液晶顯示的玻璃基板厚度的不均勻性被美 一度空間地說明於第23圖。換言之，在第23圖，厚$在^ 方向為不均勻的，然而，其在y方向為均勻的。做+ & x 玻璃的典型製造方法，有融合方法及漂浮方法。”、、土板 ^ /ί JFtf* ΛΑ 不均勻性的條件係得自製造方法的特性。 又、 另一方面，當被使用以產生用於液晶顯示及其 的薄膜電晶體（T F Τ )的曝光機制，主要為"分佈重覆;^乂物 及步進及知描"機制。然而，在此二種機制的直 制 /、τ 一種的

第10頁 1277836 五、發明說明（5) 曝光裝置中，存在保留基板以用於曝光的唯一台，但平坦 化波盪表面的機構或是測量波盪的台之必要性未被考慮。 在分佈重覆機制中’在經曝光基板表面的不均勻性由 s動聚焦U測量且$適表面由傾斜或上下移動被決定， 進行。 们射擊之靜態曝光以進行曝光前 * 波i表面的機構被加至基板台以執行分佈 ίϊ; = ’置於基板台的基板表面的波盈 於此目的，直到曝光=1或僅曝光操作）前被測量。基 低。 j'九、、，Q束所經過的時間為較長且產出被降 波盈tL進ίϋΐ機制中，c)置於基板台的基板表面的 同時，該掃描#光被執行且=fd) ^描=光開始的 或上下移動決定最適的曝光表面j里值為基礎經由傾斜及/ 行，=時在；可與焦點控制的加入同時被執 面上的波盪的時問^ 2機制中，測量要被曝光的基板表 覆機制，直到眼:姓t於該曝光時間，類似於該分佈重 降低。 *先…束所經過的時間變得更長，且產出被 附帶地，日太直制由 1 揭示一種測旦】if利中請案K0KAI中請案號碼63-260 1 29 於曝光台上表面上的波盪及在傳送要被曝光基板 坦化該波盪的：法u個經二度空間排列的壓電元件平 农 ’、、、而，由知^一 痒办Μ从η 1277836 五、發明說明（6) ^刀凋整兩度的精確控制、 發明概要 衣置為必須的。 由本發明要解決的問 斤欲圖索無法在該影像形成表面影像是模糊的及抗蝕劑 =用：大規模液晶顯示；：：：： =，及經曝光表 而大幅分離。 观每基板的厚度不均勻性 另—個要解決的問題為當暖山 執行的情況下，直到曝光社二^由添加平垣化機構而被 產出被降低。 先、、，°束别所需要的時間變得較長且 另一個問題為，該平坦化機 光裝置的製造成本被進一步增加。為一種大規模裝置且曝 根據本發明一個方面，提供一 板之曝光裝置，其包括债洌；曝光曝光圖案於-基 性之偵測裝置.、具在與由二匕=盈或厚 均勻的方向正交的方向加厚= 該基板’該支撐結構係排列於波盈或厚置以支撐 支撐結構吸附板能夠在與基板表面正交ς多二=立 地被移動’及複數個吸附裝置被提 度方向的該支撐機構的保留裝置上以吸附及J = ^根面，提供—種在台上加工組件Μ 衣置，其包括偵測組件表面的波盪或 1 裝置、具在組件表面的波盪或厚度不均 =二丨生之彳、測 Τ X 司的方向 二==之f ’該吸附板係排列於波盈或厚 度不均句的方该吸附板能夠在與組件表面正交 1277836 五、發明說明（7) 方向被獨立地被移動，及吸附裝置被提供於該個別吸附板 上以吸附該組件。 根據本發明另一個方面，提供一種曝光曝光圖案於在 複數個吸附板被排列的保留裝置的預先決定位置曝光所提 供的基板之曝光方法，該方法包括定位及排列該基板於該 保留裝置’及曝光圖案以使與基板表面的波盪或厚度不均 勻性的方向正交之方向對應於該吸附板的縱向邊緣之方 向0 根據本發明進一步另一個方面，提供一種曝光一種曝 光圖案於在複數個吸附板被排列的保留裝置的預先決定位 置所提供的基板之方法，該方法包括吸附在該吸附板的表 面之基板、偵測在基板表面的波盪或厚度不均勻性，及根 據已彳貞知的波盈或厚度不均勻性以與基板表面正交的方向 調整在與波盪或厚度不均勻的方向正交的方向加長的吸附 板0 根據本發明進一步另一個方面，提供一種藉由曝光 MOS-TFT圖案於在複數個吸附板被排列的保留裝置的預先 決定位置所提供的基板以製造薄膜電晶體的方法，該方法 包括吸附在該吸附板的表面之基板、偵測在基板表面的波 盈或厚度不均勻性、根據已债知的波盈或厚度不均勻性以儀^ 與基板表面正交的方向調整在與波盪或厚度不均勻的方向 正父的方向加長的吸附板、及由曝光區段曝光預先決定的 曝光圖案於半導體薄膜已初步形成的基板上，此係在吸附 板根據已偵知的波盈或厚度不均勻性調整之條件下進行。

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1277836 五、發明說明（8) 本啦明的鶴外目的及優點* 伤可由下列敘述 ^ 月於下列敘述中，且一部 發明的目的及優點^於二疋可由本發明經驗知曉。本 組合而被進行及得到。曰； < 文被特別指出的權宜方法及 併入及構成本專利奎一 明較佳具體實施例及與i文；：的相關圖式說明本發 供的較佳具體實施 ：：=-般敘述及下文所提 則。 子、，、敘述共同用以說明本發明原 發明詳細說明 ii發圖明/1體實施例可參考所附圖式敘述於下。 本發明具"體實施^解釋一種裝置的結構’其係根據 不均勻性ϊ;;例修正在經曝光表面的影響之波盈或厚度 的預：Γί ί 或似板狀組件如玻璃基板或石夕晶圓 句:即要被曝光的表面)的波盈及厚度不均 詈纟其：^ ^予度不均勻修正裝置包括保留基板a的保留f 置（基板變形機構Μ、感知 ’仔“ 波盪或厚度不垧今的、士、县^ 保遠裝置1上的基板3的 種於制今2 ί 或厚度不均勻修正.裝置2、及一 雷^ @ ^ /正衣置2的操作之控制裝置3。例如，一個個人 電驷或其類似物被提供用做，該控制裝置3。 ，：留裝置i被構形為包括具複數個吸附板（吸附裝 八吸附基板a )及複數個基板變形元件丨2 (其變 該^附辦板U所吸附的基板&)的變形組件10，及包括如壓電 兀件（變形裝置）、及支撐該變形組件1〇的台13。 尾 第14頁 1277836 五、發明說明（9) 該吸附板11由整體形成矽橡 於具合適剛性、撓性及彈性的4丄，、、且件或其類似物 到。複數個真空蒸發開孔或管b?紹的金屬板表面而得 向，接著在長度方向的中該吸附板11的長度方 空蒸發開孔或管子b的每—個經，、如第2圖所說明。真 發開孔《管子b的每一個之流動 接^該複數個真空蒸 導管），亦即管子l4a，被連接至直被說明的 固定於在每一個該吸附板u ς工泵14，^電兀件12被 子b的右側及左側。具基本、其。卩之該真空瘵發開孔或管 數個吸附板1丨以固定間隔μ其；基板&的寬度相同長度的複

^ ^ Ί同/σ基板a的厚度不均勾A 方向被平行排列。較佳為， ^又不勺勺為車乂大的 的厚度不均勾的基本循環"、反1以小於在該基板& 合兮I』 +循衣的—半之間隔排列。 時傾斜它們而變形該基板k形組^件10，或由隨垂直移動同 文解釋的波盪或厚/ ^ a，換言之，該基板&由以要於下 的波盪或厚度不均；為義磔：偵測裝置所偵測的該基板a 且被修正使得嗜美柏沾礎受形該保留裝置1而被變形， 文解釋的圖案曝；/的:曝光表面基本上等於由要於下 形成表面。 置的衫像形成光學系統所形成的影像 做為該變形梦晉，— 置、-種使用靜電的梦：使用磁石如電磁鐵線圈的裝 被使用。如佔&丄 4 一種磁頭驅動器及其類似物可 夾子做為^保留置^真空吸盤、靜電吸盤及機械 表置以固疋該基板a，該保留裝置1應除

1277836 五、發明說明（10) M k形裝置外較佳為具吸附裝4。該靜電吸盤由如在兩 :上方及下方陶瓷間整體地燒結被分開及相反的複數個内 #電極，該基板a由利用在該靜電吸盤的表面及置於其表 面上的f板間所產生的靜電力而被固定。 。亥壓電元件1 2以正比於施用於該元件的電壓而伸長或 ^知§’且能夠進行微視位移的高準確性控制。此元件具高 回j速度、高發展應力及其類似的特性，且被使用以進行 該$的定位、反射鏡的控制以補償光學、及其類似功用。 特定言之，該壓電元件丨2由將該壓電陶瓷C夾於兩個電極a 及B之間而形成，且該壓電陶瓷c可藉由改變施用於該電極 A及B的電壓之極性而在如說明於第3圖的厚度方向收縮或 伸展。此外，在該壓電陶瓷(；的伸展及收縮量可根據施用 於邊電極A及B的電壓之大小被每分鐘地調整。 波盈或厚度不均勻性偵測裝置2以來自光源的光束， =來自半導體雷射21的雷射光束L照射該基板a的表面，以 :種透鏡22捕獲經規則反射的光束，&形成該光束的 於PSD(正敏感裝置）23的光接收表面。 象 該PSD 23包括兩個電極以輪出信號，經反射光R的忠 ^被形成的位置可基於由個別電極所輸出的輸出電流 $叮定。該基板a的表面波盪或厚度不均勻性由得到 时物件，基於由該PSD 23輸出的輪出電流之該基板a，= 该方向及位移量而被偵測。為増加由該pSD 所 的 盈或厚度不均句性的偵測之…，較佳為“：：：波 知、射在該基板表面的一些點，如五個點，以進行高度測

第16頁 1277836 五、發明說明（π) 量’及丫貞測對應於該個別雷射光束L的經反射 該波盪或厚度不均勻性的偵測可僅由〃束R。 行，基於厚度不均勾性僅發生在一個二如次空間地被執 向）及不會在該基板3的橫向（如與該縱向正(六该基板a的縱 之前提，此為咸知該玻璃基板的特性如該人的方向）發生 勻性基本上為一次空間，的之原因，如第所=:度：^ 該玻璃基板的製造方法產生。 斤祝明，此由 除了上文利用該經反射光束R，做為销測誃 厚度不均勻性的方法，光的干擾可被利 x 〇 或是感知端口P可被使用如第4B圖所說明/弟4A圖所說明 擾之方法及使用感知端口P之方法中，偵測必； 被載入(亦即縣板被移至預★決定& ;頁 板處理裝置如該曝光裝置或其類似裝置之 I义二土 然而，在使用光的干擾之上述方法中，偵 别仃。 該基板a被置於該台1 3。 、’、ϋ被執灯即使 該基板a的厚度不均勻性僅在利用光的干擾 被偵測、然而該經曝光表面的波盪可在使用該感知端口p 之方法中及使用該經反射光束!^之方法中被偵測。 根據上述測量方法，以雷射朵Φ T戸 '、 的經曝光t…接收因照射結 及處理5亥U旦例？，s亥基板a的波盈或該厚度不均句性 m向2可错由使用—種(商業提供的)雷射焦點位 移測直計以具在0. 1微米的解析力之準確性被偵測。 在任何該偵測方法中，該偵測裝置及/或該偵測步

1277836 五、發明說明（12) 驟’其他裝置及/或該偵測步驟可彼此分 ^ 理時間可藉由同時隨著曝光偵測要接著* 。此外，该處 之波盡或厚度不均勻性而被減少。者破曝光的基板區域 忒波盪或厚度不均勻性偵測裝置2的 / ^ 至該控制裝置（個人電腦）3的輸入側，且ς制糸統係連接 制系統係連接至其輸出侧，該PSD 23的輪\保\裝置1的控 A/D轉換器（未說明）被A/D-轉換的及入至出電^制為藉由 二計算該基板a的波盈或該厚度不均勻性 =控制裝置3根據該波盪或該厚度不均勻性 向及量計算在每一個該壓電元件12的移方 量，及該壓電元件1 2的位w^ ^ + 收縮方向與 ^ , 1置 以使得在所探討物杜 ^ 玻璃基板a的該經曝光砉而L t _ 4奶件，亦即 ^ 拉—斗：★/ 表面上的所有點位於該DOF的r岡 内。接者，該控制裳置3輪出具對應 的把圍 展及收縮量的極性及大+ 、 、’ ^ ^方向及伸 例如，如弟2 0圖所干 上一 疋件1 2 〇

波盪或該厚度不均勻性的^在經曝光區域的位移分布C該 23的（經A/D-轉換的）輪向及位移量）係基於由該PSD 曰以 出而被計算（S11 ) 〇 示： 付，的位移分布，修正量z的a及b由下式表 z = ax + b 其由線性（平面）近似法 基於在S12所得到的修叮定，如最小平方方法（S12)。 置1保留的該玻璃基板a的^正5 z (a，b)，用於由該保留裝 、局部變形的傾斜量及上下移動量

第18頁 1277836 五、發明說明（13) 被得到（S1 3 )。 基於在S13所得到的傾斜及上下移動量， 亦即以預先決定方法排列於該台13的每一個該壓乍方向’ (變形裝置M2的伸展/壓縮及其控制量（伸展 電疋件 量），被得到（S14)。 ^ ^ 由此得到的每一個該壓電元件1 2的操作方向（ 縮）及其量（伸展量/壓縮量）被轉換為要由D/A轉換夫…、 明）被供應至該壓電元件12的極性及大小的電壓。、σ (未祝 根據其他線性近似法演算法，傾斜量被由最 值決定且上下移動量係由平均值決定。 汉取小 影響的波動或該厚度不均句性的修正可在該基a 波動或該厚度不均勻性為大的方向被一度空間地執行，類 似於波動或該厚度不均勻性的偵測。在此情況下，輸出至 排列於該吸附板1 1的底部表面之縱向的該壓電元件丨2的電 壓之極性及大小為完全相同的。藉由僅一度空間地偵測及 修正該波動或該厚度不均勻性，該波動或該厚度不均勻性 的該偵測裝置2及該變形裝置之結構變為簡單的，且該裝 置的控制變容易的。 " 關於另一修正方法，藉由偵測在該基板a的波動或該 厚度不均勻性，該波動或該厚度不均勻性可被修正以使得 該經曝光表面基本上對應於該影像形成的表面及根據該偵 測分布邊基板a的底部表面之該真空吸附力（空氣壓力）以 變形該基板a。在此情況下，一種彈性材料可被用於與該 基板a接觸的表面，故該基板&的變形亦可具大的波動。

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第5圖圖示地說明根據本發明具體實施例的基板處理 如曝光裝置，在其上有該經曝光表面的波動修正裝 杯本發明如上文所敘述完成。—種影像形成光學系統5 入原板（遮罩）4及該基板&之間，i該基板&的表面被 2複數個#光區域〇以福測及修正職動㈣纟分佈重 復機制由該曝光區域的單元執行該曝光。 在該基板a被水平地提供的情況下，要被施用於該壓 你及> 件12的起始電壓先被設定於"（由校正的參考電壓）以 么所有該壓電το件12為相同高度’且該基板3被載入於該 σ及由該吸附板1 1保留。

接著，該基板a被以該半導體雷射21的雷射光束沿該 較長邊緣的方向掃描，以偵測在該曝光區域的該一度空間 波動或該厚度不均勻性（參考第1圖）。 接著，在該曝光區域的該壓電元件丨2被操作（位移）以 在與經债測波動或該厚度不均勻性的方向相反的方向變形 該基板a，且在該基板a的經曝光表面的該波動 勻性被修正。 亍又卜d 二換言之，當波動或該厚度不鵠勻性的方向為向上（在 與該基板a的表面方向正交的方向）時，該壓電元件丨2被壓 縮以向下拉該經曝光表面。當波動或該厚度不均勻性的方 向為向下（在與該基板a的表面方向正交的方向）時，該壓 電元件1 2被伸展以向上推該經曝光表面。 μ 若該吸附板11與該波動或厚度不均勻性的山或谷接 觸，該吸附板11的右側及左側壓電元件12被置於相^高度

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五、發明說明（15) B -- 以平行地將該經曝光表面向上或向下地移動。 立 若該吸附板11與該波動或厚度不均勻性的山或谷之一 部份接觸，該吸附板π的右側及左側壓電元件丨2被置於不 同高度使得該經曝光表面以補償該波動或該厚 的方向被傾斜。 如此，當在該基板a的曝光區域的基本上經曝光表面 的正個區域之尚度對應於該曝光裝置或該處理裝置的影像 形成光學系統的聚焦位置，原板4以光束照射以曝光該基 板a的曝光區域c於光。 ^ 所以’經曝光表面的高度被設定於該DOF及不具任何 楔糊的影像被形成於基板上，此係在基本上目前選擇的 (經曝光）曝光區域的整個表面，如在第丨9圖所說明。 ^關於其他曝光方法，執行曝光且同時移動該原板4及 j基材5至影像形成光學系統5的掃描曝光可被使用。在此 月況下17亥基材a僅於該經曝光區域〇被變形。此外，該、、古 t或厚度不均勻性可被同時與（或在即時與）曝光或在步 階刼作期間同時被偵測，且不需初步偵測該整個波動或厚 度不均勻性。換言之，偵測週期及直到曝光結束經過所需 ，處理時間週期可被減少。此外，# —次要被變形區域變 付更小，該變形機構規模可被縮小且其控制可為容易的。 使用壓電元件做為變形該基板3的變形裝置之具體 施例將於下文敘述。 、 具尺寸5 50X65 0毫米及厚度〇. 7毫米的液晶顯示的玻璃 板（非鹼性玻璃）被用做該基板a。此玻璃基板的厚度不均

第21頁 1277836 五、發明說明（16) Ίίΐΐ六僅在該基板的較長邊緣方向發生，厚度不均句 =為至夕1。微米(尖峰至尖峰)，且其基本循環為約i。。毫 所使用壓電元件！2為具15微米的來回衝程。 吸：板11的長度等於該基板a的較短邊緣，具直空 生/的間距’亦即該基板的厚度不均勻 1·生的基本循裱之一半，沿較長邊緣的方向排列。 兮二基Λ8 ίΐ至該台13 ’其中該變形元件10被提供， /度不均勻性被錢，且該基板a由該 =Γ應電壓根據偵測信息被施用於該個 另J C電π件1 2以修正該波動或該 左侧壓電元件1 2的位移量A π Μ η ^ Ί 4右側及 士同的且該變形元件10的高度 :不均勻的以使該變形元件10可在與該基板a較接近的接 暖亦ί階曝光於為1 〇〇毫米平方的經曝光區域由透鏡投參 ^光執仃，且上.述條件被保持。在此時， 兔 1微米，且該DEF為： 取-如綠見度為 a λ=〇·36 5微米（利用波長），k = 1〇 DOF = k · R2 / Λ = 2 · 7 微来 所以，在該基板a的整佃I& 被得到，雖然一般具表面之元正的抗蝕劑圖案可 的該基板a，及100毫該波動或該厚度不均句性 如h #、f 的基本循環無法被部分解析。 上所述’根據該具體實施例，在曝光時間期間 第22頁 1277836 五、發明說明（17) 該基板表面的該波動或該厚度不均勻性可藉由修正哕 或該厚度不均勻性（其被處理做為存在該基板表面，〃亦 該經曝光表面，的波紋）之裝置而被修正以使得該經暾 表面進入該影像形成光學系統的D0F。所以，因 = 表面的該波動或該厚度不均句性所引起的該 Ύ反 及該經曝光表面之分開可被減少，且即使當該曝光= 具較窄DOF的料光裝S #光時在該料光表面所案由 曝光〒案之模糊可被減少。結果，極精細的圖案可在 做液晶顯示及其類似物的玻璃基板上被處理，^ ， 大的波，或厚度不均勻性的基底（經處理物件）疋，/、

接者，本發明的進"^步转定呈辦患> / I X 式被敘述。 4疋具體貫施㈣會參考所附圖 示意Γ。圖顯示一種根據本發明具體實施例的曝光裝置之 曝光圖案於玻璃基板的曝光裝 段30及基板厚度測量區段4〇。 1匕括曝先執订區 (原』==如= 、遮罩 匣46及其類似物。 罟被曝先基板45、基板 第6圖的曝光裝置3〇1敕田丰、#72 1 佈重覆機制的瞧出壯知步進及掃描機制，然而，分 覆棧制的曝先裝置亦可被設計為具相同構造。

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五、發明說明（18) 該照明裝置31為一種光源，如KrF激光器雷射裝 其射出具足夠波長及能量的光以曝光及光敏化要被曝 件，如抗蝕劑層。在此具體實施例中，自該光源3丨輪級 該雷射光束以約90度在反射鏡11 i偏折。 的 由該反射鏡111以90度偏折的雷射光束由光學透鏡us 提供一預先決定的截面光束形狀，光學透鏡112伸展^減 少截面光束形狀為能夠被施用於該預先固定遮罩3 2的 形狀及/或尺寸。 該遮罩32被排列於該光學透鏡丨12的聚焦位置及供應 預先決疋的曝光圖案（亦即光學影像）於該抗蝕劑層，該抗 蝕劑層被初步施用於該玻璃基板42的預先決定表面。 光學影像，亦即遮罩32，所形成的曝光圖案為一種電路 案或MOS-TFT結構圖案。 該遮罩掃描台33由預先決定的程式於預先決定的方向 如方向X移動暫時固定於該遮罩固持器34的該遮罩32。 疏衫像形成光學系統3 5形成通過在該抗蝕劑層表面 該遮罩3 2之光學影像。 該基板掃描台3 6可由預先決定的步驟在預先決定的時 間在與该遮罩3 2相同的方向如方向X被移動。

，基板變形區段37為一種吸附機構或一度空間吸附板 如在第2圖敘述於上，其在補償該波盪的方向變形在其表 面具波盪或厚度不均勻性的基板。該吸附板的吸附力量可 基於該基板45的波盪或厚度不均勻性的大小在預先決定的 範圍變化。在此情況下，如泵14(參考第丨圖）的排出量可

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五、發明說明（19) 化的或預是:Λ機，㈤ 置C 置被提供且其開孔可由該控制穿 :連：Γ="反’真空吸"電吸盤或其= 震置為Λ適的的數個吸引開孔被排列）的暫時固定 要枯ΐΐ送機41為一種定位於該基板匠46的機構，其包含 *光的任意數目的組件，亦即基板45 可由機器臂42可被自動取出，此定位機構可 ，未示出”皮移動至預先決定的高度(位置;由==: :光的：基板45可由機器臂42取出。_於該驅動傳f皮 構如滾珠螺桿或其類似物可被使用。 美炻:Γί器臂42包括自該基板匿46取出要接著被曝光的該 =45及定位與裝設該基板45於該基板掃描台36 決 疋位置之機構。 ，一部份接觸該基板45的該機器臂42應較佳為由金屬如 鋁形成，其表面被鋁化因垃圾產生可被減少。 該機器臂42由操作棒支撐，此操作棒可在機器&χ_γ-R · ^的任意方向以360度旋轉的。該機器為如機器人。 4雙側厚度感知器4 3或底面厚度感知器4 4藉由自其頂 部側或底面測量該基板45的厚度而彳貞測該基板45的波紋或 厚f不均勻性的量。該箄側厚度感知器43及該底面厚度感 知抑4 4係連接至托號處理系統（例如，說明於第1圖的該控 制裝置3 )。該雙側厚度感知器4 3及該底面厚度感知器4 4皆 被說明於第6 ·圖。然而，實際上，至少它們中的^其中一個

1277836 五、發明說明（20) 會被提供。 該基板4 5由如依序堆疊基底絕緣層，非晶形半導體 層 '抗餘劑層及其類似物於該玻璃基板上而形成以用做液 晶顯示裝置。 被構形為包含該基板45的該基板匣46被裝設於該輸送 機41 ’該基板45以預先決定的相同間隔被排列於該基板匣 46以使他們可由該機器臂42被自動地載入。 接著，傳送方法以曝光該基板4 5將被敘述。 首先，包含於該基板匣46的任意一個該基板45由該機 為臂42被傳送至該感知器43及44被提供的預先決定位置 (Sljl，傳送步驟）。換言之，如第8圖所示，包含於預先 决疋位置的該基板4 5由該機器臂4 2自該基板匣4 6取出。 接著’該基板45由具該感知器43及44的感知器區段停 止，且該基板4 5的固有波盪或厚度不均勻性被測量 (Slj2，測量步驟）。該測量步驟為一種由該感知器“及^ 測量該基板45或在該機器臂42上的玻璃基板的厚度之步 :。在該玻！基板的情況下，其中厚度在某間隔循環被變 ’其為數毫米，厚度可由在厚度變化為大的方向(亦即 f 7圖的方向乂）掃描測量點而被一度空間地測量，此是因 ί=ΐ:ί板Γ皮盈或厚度不均勾性之特性因該玻璃 於上。’衣以/而基本上為—度空間的，如在第23圖敘述 厚度二資^度6!;化在特定循環發生，，個表面的 又 、’ ^由-人知描而被得到，且測量該基板45的

第26頁 1277836 五、發明說明（21) 厚度變化之時間可被減少。在此測量中，測量位置可在— 些毫米的間隔二度空間地在整個表面被掃描。然而，若波 紋為規則的如在第7圖所說明，則測量時間較一度空間測 量的時間為短’此外，此測量為可足以應用於在一個方向 具大的厚度變化之基板，如說明於第7圖的玻璃基板。 如此，預先放置於基板變形區段3 7的該基板4 5應較佳 地被放置及在測量該基板4 5的波盪或厚度不均勻性的時間 由曝光執行區段3 0曝光，且曝光時間可被減少。 之後’該基板4 5由該機器臂4 2被自該基板匣4 6移至該 基板變形區段37。 人

該基板45的表面在該基板變形區段37被平坦化，且通 過該遮罩32的光學影像（亦即M〇s — TFT或薄膜電晶體圖案） 被形成於由該影像形成光學系統35預先形成於該基板的該 半導，薄，的該抗蝕劑層表面。下列步驟依需要被執行。

§液日日顯示板被形成，第一玻璃基板（於其上T F T圖案 由以上步驟被形成），及第二玻璃基板（於其上相對基板的 預先決定圖案被形成且該波盪或厚度不均勻性在相同步驟 被修正）以μ預先決定的間隔被相對地提供，電化學基板如 具預先決定厚度的液晶材料被排列於兩個基板之間，在兩 個基板=間的間隔被製做的氣密且驅動電路被加入。 接著，第6圖的曝光裝置之操作會參考第8圖及第9圖 詳細敘述，在第8圖及第9圖中，與第6圖部 以相同參考數字表示，且其解釋於此處被省略。 在該傳送步驟（S103)，在機器臂42上的該基板45 (其

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厚度已被測量）被傳送至該基板變形區段37的預先決定位 置，如第9圖所說明。 ▲ 接著坦化步驟（S1 04)以下列方式被執行，在傳送 该基板45的操作期間，該基板變形區段37的表面以該厚度 不均勻性的測量資料為基礎被控制為波盪狀（亦即在垂直 方向移動）以平坦化（消除）該基板4 5的經曝光表面。 接著’定位該基板45且曝光步驟被執行（S105)。 當該曝光步驟已被結束，該基板4 5被包含至包括其他 經曝光基板的基板匣46或是相同的基板匣46(S106)。或 者’該經曝光基板4 5可被傳送至下一個步驟，如顯影裝 置。 11 接著，減少該曝光處理時間的條件以參考說明上述步 驟的第1 0圖的時序圖被敘述。 在弟1 0圖中’取出該基板4 5 (S1 0 1 )、測量至少該基板 45的經曝光區域之厚度的測量步驟（si 02)、及傳送該基板 4 5至該基板變形區段3 7的傳送步驟（S1 0 3 )與使在該基板變 形區段3 7表面上的波紋的平坦化步驟（S1 0 4 )、定位及曝光 该基板45的曝光步驟（S105)、及包含該基板45於該基板匣 46的傳送步驟（S106)重疊。 因而了解與使用已知曝光裝置（其中該基板的波盛或❼ 厚度不均勻性之偵測·及該曝光步_被獨立執行）相較，直 到該基板的曝光結束所需要經過的時間可被減少。 接著，在第6圖敘述於上的該曝光裝置的另一具體實 施例將參考第11圖被敘述。

第28頁 1277836 五、發明說明（23) 在第1 1圖的該曝光裝置之特性為提供一種台4 7以進行 波紋的測：s及表面波紋的感應器4 8，取代第6圖的該雙側 厚度感知器4 3及該底面厚度感知器4 4。與第6圖部份相同 的部份以相同參考數字表示，且其詳細敘述被省略。 s亥基板4 5在該基板4 6的預先決定位置被傳送。 該基板45由該機器臂42自該基板匣46傳送至該台47。 在該台4 7的該基板4 5表面的波紋由該感應器48測量。 由該感應器4 8的輸出被連接至一種信號處理系統，其 輸出驅動δ玄台的^號以放大該基板4 5表面的投影及凹陷 (波盤）信號及消除該波盪。在該台47(其接觸該基板45)表 面所提供的真空吸附的孔洞及凹槽之裝置與在該基板變形 區段37上的相同。 此疋因為，當該基板4 5由這些孔洞及凹槽均勻地變形 時’置於該基板變形區段37上的該基板45必須在與在測量 時間的該基板4 5為相同的條件。 “ 接著，由第11圖的該曝光裝置處理該基板4 5的實例將 參考第13圖至第15圖敘述。 首先，在該傳送步驟（S201)，接著要被曝光的預先決 定基板45由該機器臂42自該基板！^46取出，此操作由預先 儲存於控制裝置1〇1的記憶體的程式執行。換言之，接著 要被曝光的該基板45的容納位置由操作該輸° 被 ^先決定位置’此位置被預先設定以插人該基板45進= 忒基板Ε46或由該機器臂42自該基板Ε46取出該基板45， 戎輸送機41由旋轉建於該機器臂42的滾珠螺桿調整該基板

第29頁 1277836 五、發明說明（24) 4 5的位置。 接著’該機器臂42在該控制裝置1〇1的控制下被旋轉 及被插在該基板45及包含於該基板45下方的基板45之間。 之後，該機器臂42以預先設定的量向上移動，該機器臂42 被操作以當該基板45被放置於該機器臂42時回^^由此 該基板4 5被自該基板匣4 6取出。 接著，在.傳送步驟（S20 2 )，在該機器臂42上的該基板 45被放置及傳送至在該台47的預先決定位置及之後^於 該位置，如第1 4圖所說明。 ' 在投影及凹陷測量步驟（S20 3 )，在該基板45表面的波 紋由該感應器48測量。 / 由該感應器48所得到的在該基板45表面的波紋之測量 資料被儲存於控制裝置1 01的記憶體的預先決定位置及'被s 利用於該基板45表面的平坦化操作。在表示在該基板45表 面的波紋之測量結束之信號由該控制裝置丨〇 i接收後，該、 控制裝置101控制由該機器臂42傳送在該台47的該基板^ 至在該基板變形區段37的預先決定位置，如第15圖所說 (傳送步驟（S204 ))。 在該傳送操作期間，該控制裝置1 〇 1讀取儲存於該記 憶體的測量資料及控制使得該基板變形區段37的表面°"基於 測量資料變的波盪狀以平坦化該基板45的經曝光表面（1 、 坦化步驟（S2 0 5 ))。 、 換言之，置於該基板變形區段37的該基板45的表面被 控制為平坦的，在該基板45表面的平坦化操作可在每一個

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五、發明說明（25) 經曝光區域執行或一次在整個表面上執行。 接著，置於該基板變形區段37的該基板45被定位及 曝光於光（曝光步驟（S20 6 ))。該定位由在該控制裝置ι〇ι 的控制下使該基板變形區段37的預先決定參考位置符合該 基板4 5的預先決定位置之操作執行。 口〜 該曝光步驟以如步進重覆機制被執行，該操作被執行 並以單一軸方向（方向X)連續移動該基板45，如參考第7圖 如上所敘述。 在該曝光步驟結束後，該曝光基板45被包含於另一個 基板匣46或相同基板匣4 6 (傳送步驟（S2 〇 7 ))。或者，該曝 光基板4 5可被傳送至該顯影裝置。 接著’減少在由第11圖的曝光裝置如第13圖至第15圖 所說明的曝光該基板的該曝光處理時間的條件以參考說明 上述步驟的第1 2圖的時序圖被敘述。 取出該基板4 5的傳送步驟（S 2 0 1 )、傳送該基板4 5於該 台4 7上的傳送步驟（S 2 0 2 )，測量在該基板4 5的表面之波紋 如該基板4 5的厚度的測量步驟（S 2 0 3 )、及傳送該基板4 5至 該基板變形區段37的傳送步驟（S 204 )與使在該基板形成區 段3 7表面成波紋狀的平坦化步驟（S2 0 5 )、定位及曝光該基 板45的曝光步驟（S206 )，及包含該基板45於該基板匣46的Φ 傳送步驟（S2 0 7 )重疊。因而了解與.使用已知曝光裝置（其 中該基板的波盪或厚度不均勻性之偵測及該曝光步驟被獨 立執行）的情況相較，直到基板的曝光結束所需要經過的 時間可被減少。

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第31頁 1277836 發明說明（26) 接著，說明於第1圖及第2圖的波盪修正裝置的另一個 特定具體實施例會參考第1 6圖敘述。 第1 6圖說明該基板所放置的台的特定結構，一種形成 半導體裝置於用於該液晶顯示裝置的玻璃基板上的該曝光 裝置之具體實施例。 在基底，例如，具4 0 0毫米寬度（方向乂）及4〇〇毫米長 度（方向y)的方形鋼板基底51，吸附板如四方形吸附板52 以如1 0宅米的預先決定間隔以如五列排列。每一個該四方 形吸附板52被提供為可在垂直方向（方向z)獨立移動的。 在此具體實施例中，所有四方形吸附板52為相同長度，其 等於該基板45的較短邊緣之長度，在每一個或一些板該^ 度可為較短的。該基板4 5為具30 0毫米寬度及32〇毫米長度 的方形玻璃基板

本h況的邊四方形吸附板5 2的長度為3 2 0毫米，且排 列圍的寬度為如3 0 0毫米。垂直移動該四方形吸附基板 52的裝置為如壓電元件、空氣壓力調整裝置、滾珠螺桿或 其類似物，亦即能夠由在方形基底51及四方形吸附板52間 所形成的電子信號調整垂直移動（在方向z)量的裝置。由 忒垂直移動裝置所產生的移動距離為如J 〇至3 〇微米如由 在該基板45所產生的該波盪或厚度不均勻性的高度決定。 在第16圖的具體實施例中，凹槽53在於該方形基底51 上的位置形成，在此位置每一個該四方形吸附板5 2被排 列，以使该四方形吸附板5 2底部側的一部份被安置於該凹 槽。壓電元件54被植入於每一個凹槽53，該壓電元件54可

第32頁 1277836 五、發明說明（27) 被提仏以在些°卩伤支撐每一個該四方形吸附板5 2或是可 由一個經加長似帶狀組件形成。 至少一列該四方形吸附板52被放置於該壓電元件54。 複數個真空吸附孔55以—種足以暫時吸附該基板45的 間=被提供於每一個該四方形吸附板52。每—個吸附孔” 被、接至真空泵56以獨立地控制每一個該四方形吸附板” 的吸附及分離。 、該曝光裝置的台37(該基板變形區段）以如上所述形 成，該基板4 5的吸附裝置可為一種靜電吸盤。 接者，傳送該基板45至該台37的方法將被敘述。 至該或厚度不均句性之資料被輸出 ^ k 5又做為輸出的結果，在第γ圖所說明 的戎波盪發生於在該基板45的寬度方向X。 45至:=裝置1〇1輪出-種指令以傳送經測量的該基板 的長ΐ i itU先決定的操作步驟被定位使得該基板45 的^度方向付合该四方形吸附板52的長度方向且該其 =見度方向X符合該四方形吸附板52的排列方向。社土 吞亥四方形吸附板52的長产方内$人++ 、〇果 的波盈方向X的方向ζ 向付合垂直於在第7圖所說明 吸附in’該控制裝置101操作該真空泵56以產生真空 吸附，及## ί ΐ Θ基板45 $到該四方形吸附板52的直空 = 資料至每一個該虔電元件54以； 渡盈戍备度不均勻性資料所 貝村所形成的該基板45表面的

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五、發明說明（28) 經曝光表面。 該基板4 5表面的經曝光表面由此作用於至少在於方向 y的預先決定寬度（亦即在方向X約1 0毫米）被平坦化。若該 吸附板52及該壓電元件54以五列被提供，該基板45的經^ 光表面在方向y及約50毫米的方向X的整個面積之範圍在該 玻璃亦即該基板45上該被平坦化。平坦化該基板45表面的 經曝光表面為垂直地移動在第2 1圖於上所敘述的位於該 DOF之外的該經曝光表面a (亦即調整其位置）以使之落於在 弟19圖所說明的DOF内。

7在上述具體實施例中，所有該吸附板52的吸附操作初 執行，然而，在如在該步進及掃描機制的曝光之情況下， 吸附及垂直運動可對每一個經曝光區域操作。 第17圖為一種示意方塊圖，其顯示該基板變形區段37 („6圖所示該波盪修正系統的台37)的控制系統。該基 J :形區段37的控制系統經由介面24輸入該控制裝置3的 ΪίΪΪ:由基板變形區段控制器25及電力供應電路26 =驅，電壓Α列選擇信號（列位址）h驅動器27々驅動 &路（亦固別地控制排列於該基板變形部分37的預先決定 附板52)的該壓電元件12的位移*。此外，

㈣H ί ί谷兀件（未示出）被排列於該吸附板Μ的每— =又犄間期間維持該壓電元件12的驅動電壓。 =厚度測量感應器的輸出電流 至該控制裝置3，該基板a的波邊式戶择上 輸 位移量由該經轉換輸.出電勾性的方向及 L 异，该控制裝置3計算它們

1277836 五、發明說明（29) 以使於在第21圖所敘述該D〇F之外的該“ 第19圖所說明的_内，如以上所敘述、β ςΐ表面t洛於在 的方向及位移量被計算，且在每一個誃' '之，μ波盪 及縮回方向及量亦根據在該壓電元件12:位m的伸長 :以使在該經曝光表面的所有點落在該 輸出至每-個該壓電hi及里…亥極性及大小的電壓被 該波盪的修正可僅在該基板45的該厚度不均勻性 ，類似於該波盪的偵測。在此情況；， 輸^至排列於该吸附板！ ！的底部表面之長度方向 元件12的電壓之極性及大小變為相同的。 地偵測及修正該波盪，該波盪及該原声I=惶度工間 ^ ^ ^ ^ U，反盈及4厗度不均勻性的該偵測 I置之結構及该變形裝置之結構變為簡單的，且該基板變 形部分37的控制系統之控制變為容易的。 另一修正方法可為偵測在該基板45的該波盪或該 不均勻性，根據該偵測分布於該真空吸附力（空氣壓力）= 基板45的底部表面以變形該基板45，及修正該波盪以使得 該經曝光表面基本上對應於該影像形成的表面。在此情況 下，一種彈性材料可被用做與該基板45接觸的表面，故該 基板45的變形可具大的波動。 特定言之，如第18圖所示，該基板45的厚度（一般自 〇· 5至1· 1毫米的範圍）先被測量並在第7圖的方向χ掃描該 厚度測量感應器，且被自該感應器掃描系統輸出的其測量 值tη(高於至少一位數的〇· 1微米的值）及位置座標（χη，yn)

第35頁 1277836 五、發明說明（30) 被儲存於個人電腦3的記憶體（步驟s 3 0 1 )。接著，厚度的 平均值<t>被得到且'1 tn11被轉換為tn = <t> ±δ η的形式，其 被儲存（步驟S302)。 ' 接著，相當於±Δ η的該壓電元件1 2的伸長及縮回量 的電壓被施用於在位置（xn，yn)的每一個該壓電元件12 (步 驟S303) 〇 該基板54被置於該基板變形部分37(步驟S3 04 )。 該基板4 5被進行真空吸附（步驟s 3 〇 5 )。 最後’排列被執行及曝光被啟動（步驟ς 3 〇 6 )。 關於其他曝光方法，執行曝光且同時將該遮罩3 2及該 基材45向該影像形成光學系統5移動的掃描曝光可被採 ，。在此情況下，該基材4 5的變形僅於該曝光區域被執 仃。所以，該波盪的偵測可同時與該曝光（在即時）或在該 =操作期間被執行。目整個波盪不須被事先偵測，該偵 '日寸間可被減少。Λ外，目一次要被變形區域可為更小 的’該控制變得容易。 根據本發明的該基板處理裝置，藉由垂直地移 麫暖本ί基板的複數個吸附板及執行該曝光使得該基板的 ί ^ 被平坦化’該曝光圖案可在該影像形成光學 3 =的範圍内被正確地形成於液晶顯示的玻璃基板 i:波；；厚度不均…特別是大的厚度不均句性之基 (細a ϋ妝0，不具任何模糊的該曝光圖案可在該基板 被特疋地形成，以用於該曝光裝置、該處理裝i、曝光方

第36頁 1277836 五、發明說明（31) _ 該薄膜電晶體產生方法、兮韶-& 。 以δ亥顯不裝置產生方法，及其 法 類似物 如上所敘述，根據本發明，當要在由吸 的似板狀組件被處理之區㉟的表面方向 保持 被修正以落於較該處理裝置的可允許位 =取大值可 決定範圍，在該似板狀組件上的處理變得^ =為小的預先 此外，i到所有步驟，特別是曝光，牡 處理時間可被減少，變形該基 ^ =所需總 盤或厚度不均句性被線性地或一度空根， 位移、及該裝置的製造成本之特性亦可被減；備，亦即， 本發明不限於以上所述的呈妒给 被修改而不偏離本發明意旨及圍^ ώ 1 η以各種方式 例如，本發明可提供： —種修正在要被曝光的物件之經眼 厚度不均勻性之裝置，其包括·· * 、 勺波盪或 保持基板於台的保持裝置； 產生一種外部力量於該保持 裝置； 了衣直及變形该基板的變形 厚度持裝置所保持的基板表面上的該… 序沒不均勻性之偵測裝置； 改盈次 於消除該經偵測的波盪或厚度 1 基板變形的控制裝置；及 +杓勾丨生的方向控制該 匕括在原板及該基板間的影像形成氺與糸姑沾适 置1曝光-種該原板的曝光圖案至；的曝光褒

第37頁 1277836 五、發明說明（32) ____ 其中在曝光時間期間，在 不均勻性被修正使得該經曝；二，表面的該波盪或厚度 統的的聚焦深度。 +先表面洛在該影像形成光學系 本發明亦可提供： 一種修正在要被曝光的物件之細 厚度不均勻性之裝置，其包括··、、二曝先表面上的波盪或 :吸附及保持基板的吸附裝置之保持· 裝置 種外部力量於該保持裝置及㈣該基板的變形 不均勻性之偵測^ : f置所保持的基板表面的波盪或厚度 於消除該經偵測的波盪或厚户 基板變形的控制裝置；及 X不均勻性的方向控制該 具在原板及該基板間的影像 置，以曝光該原板的曝光圖案至令糸統的曝光裝 其中該變形褒置在曝光時間’ 的吸附力量而變形該純，修正==由控制該吸附裝置 厚度不均勾性使得該經曝光表面面的該波盈或 的的聚焦深度。 ^衫像形成光学系統 本發明可進一步提供： 種修正在要被曝光的物件航 厚度不均勻性之裝置，其包括：、、，二曝先表面上的波盈或 保持基板於台上之保持裝置； 產生一種外部力量於該保持裝置及變形該基板的變形

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偵測在由該保持裝置所保持的基板表面的該波盪或厚 度不均勻性之偵測裝置； ▲於消除該經偵測波盪或厚度不均勻性的方向控制該基 板變形的控制裝置；及 具在原板及該基板間的影像形成光學系統的曝光裝 置’以曝光該原板的曝光圖案至該基板表面， 其中在曝光時間期間，在該基板表面的該波盪或厚度 不均勻性沿在該基板表面的該波盪或厚度不均勻性為大的 =向僅一度空間地被修正，使得該經曝光表面落在該影像 形成光學系統的的聚焦深度。 本發明可進一步提供： 一種修正在要被曝光的物件之經曝光表面上的波盪或 厚度不均勻性之裝置，其包括： 一 保持基板於台上之保持裝置； 壯產生一種外部力量於該保持裝置及變形該基板的變形

偵測在由該保持瓜置所保持的基板表面上 尽度不均勻性之偵測裝置； 盔A 於消除該經偵測的波盪或厚度不均勻性的方向控制誃 土板變形的控制裝置；及 人 具在原板及該基板間的影像形成光學系統的曝光裝 以曝光4原板的曝光圖案至該基板表面， 其中該曝光裝置執行在每一個曝光領域的曝光，其中

五、發明說明（34) 曝光面積小於基板面， 變形該基板。 、且该變形裝置由該曝光領域單^ 本發明可進一步提供： 種修正在要被曝光 厚度不均勻性之裝置，其包=件之經曝光表面上的波盪或 2基板於台上之保n 產生一種外部力晷 裝置； ；k保持裝置及變形該基板的變形 摘測在由該保持裝w 厚度不均勻性之偵測裝置·斤保持的基板表面上的該波盪或 於消除該經偵測的波盪哎 基板變形的控制裝置；=盪成厗度不均勻性的方向控制該 置，：ί i Ϊ i該基板間的影像形成光學系統的曝光裝 *光μ原板的曝光圖案至該基板表面， 的曝/光光裝置所曝光的基板單元為小於基板面積 形…域且該基板由該曝光領域單&，由該曝光裝置變 1277836 圖式簡單說明 &體實施 第1圖為說明一種示意圖，其說明以根據本發明具 例修正波動在經曝光表面的影響之裝置實例。^ 圓的波 第2圖為一種示意圖，其說明可被建造於說明於第1 0 動修正裝置的吸附機構之實例。 於第1 第3A及3B圖為一種示意圖，其說明可被建造於説明、 圖的波動修正裝置的壓電元件之操作。 第4A及4B圖為一種示意圖，其說明藉由被說明於第1圖的 波動修正裝置偵測基板的波動之原則。 第5圖為一種示意圖，其說明根據本發明具體實施例曝光 圖案於該基板之實例。 第6圖為一種示意圖’其說明根據本發明具體實施例應用 本發明於圖案曝光裝置之實例。 ^ 第7圖為一種示意圖，其說明在基板波動（單—輛 度空間厚度測量感知器所進行的測量方向間的關仏及由一 第8圖為一種示意圖，其說明於第6圖說明（亦f糸。 光基板）的曝光裝置操作之實例。 出每曝 第9圖為種不意目，其說明於 光基板於基板侔毯卸v、 即放置經瞒 扪。圖為mr)的曝光裝置操作之實例。 測量基板厚度，其說明由說明於第6圖的曝光事署 楚彳彳闰么尺及曝光圖案於該基板的步驟。 衣置 士技⑽认η 思圖’其說明根據本發明具體杂从 本發明於圖案暖也壯π ^貝施例靡田 # M m 1 曝先裝置的另一個實例。 應用 、HT曰甘化r 間表，其說明由說明於第1 1圖的通 測篁基板厚度刀R 口的曝光，罢 又及曝先圖案.於該基板的步驟。 衣置 1277836 圖式簡單說明 第1 3圖為一種示意圖，其說明說明於第11圖（亦即取出經 曝光基板）的曝光裝置操作之實例。 第1 4圖為一種示意圖，其說明說明於第11圖（亦即放置經 曝光基板於台上以進行波紋測量）的曝光裝置操作之實 例。 第1 5圖為一種示意圖，其說明說明於第11圖（亦即放置經 曝光基板於基板變形部分）的曝光裝置操作之實例。 第1 6圖為一種示意圖，其說明根據本發明具體實施例所提 供基板波動修正裝置的另一個實例。 第1 7圖為一種示意方塊圖，其說明控制基板變形部分的控 制系統之實例，其修正如說明於第1圖的基板的波動（單一 軸）。 第1 8圖為一種說明π波動修正n的實例之流程圖，其係在修 正如說明於第1圖的基板的波動（單一軸）之波動修正裝 置。 第1 9圖為一種示意圖，其說明在由說明於第丨8圖的”波動 修正π所變形的基板及曝光於該基板的圖案之去焦間的關 係。 第2 0圖為一種示意圖，其說明設定在波盪修正”的壓電元 件的操作量（控制量）的方法實例。 第2 1圖為一種流程圖，其說明在基板上發生的波動及曝光 於該基板的圖案之去焦，亦即經曝光表面及經影像成形表 面間的分離，間的關係。 第22圖為一種示意圖，其解釋基板的固有”波動”。

第42頁 1277836 圖式簡單說明 第23圖為一種示意圖，其解釋說明於第22圖的波動之（單 一轴）位向。 元件符號說明： a 基板 1 保留裝置（基板變形機構） 2 偵測裝置 3 .控制裝置（個人電腦） 4 原板 5 光學系統 11 吸附板（吸附裝置） 10 變形組（元）件 12 壓電元件（基板變形元件） 13 台 b、 14a 管子 14 真空泵 C 壓電陶兗 A、 B 電極 21 半導體雷射 22 透鏡 23 PSD(正敏感裝置） 24 介面 25 基板變形區段控制器 26 電力供應電路 L 雷射光束 P 感知端口 R 反射光束 27 、28 驅動器 30 曝光執行區段 31 照明系統（照明裝置） 32 遮罩（原板） 33 遮罩掃描台 34 遮罩固持器 35 影像形成光學系統 36 基板掃描台 37 台（基板變形區段） 40 基板厚度測量區段 41 輸送機 42 機器臂 43 雙側厚度感知器 44 底面厚度感知器 45 基板 46 基板匡 ί

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Claims (1)

1277836 六、申請專利範圍 I:種曝光一曝光圖案於一基板之曝光裝置，直包括： =在基板纟面的波盈或厚度不肖勻性之谓測裝置； 二有在與*該㈣裝置㈣知的該波盈或厚度*均勻的 板ΐ =方向被加長的支撐結構之保持裝置以支撐該基 U支撐結構係排列於該波盧或厚度不Μ的方向，支 ^構^附板能夠在與基板表面正交的位移方向被獨立地 =個吸附裝置被提供於沿該支樓機構長度方向的該支 牙機構的保持裝置上，以吸附及保持該基板。 勺ί ΐ申請專利範圍第1項的曝光裝置，其中該支撐機構 2拖/、沿位移方向的位移量可被變化的任何壓電元件，位 機構係使用空氣壓力及馬達驅動機構。 Hi申請專利範圍第2項的曝光裝置，其中該支撐機構 為線性或一度空間組件。 4的根據申請專利範圍第1項的曝光裝置，其中該保持裝置 、尺寸等於該基板的尺寸或是與在該基板的該波盪、 不均勾的方向正交的方向之長度為相等或較大。 予又 5勺根，申請專利範圍第1項的曝光裝置，其中該吸附機構 匕括吸弓丨裝置、真空吸引裝置及靜電吸盤中的任何—個。 6、· f據申請專利範圍第5項的曝光裝置，其中該吸附裝置 ΐί:?可根據在該基板上的該波盈或厚度不均勻… 7·根據申請專利範圍第1項的曝光裝置，其中該偵測裝置 接收破施用於該基板表面的光之經反射光束及測量在該基

第45頁 1277836 申請專利範圍 板上的該波盪或厚度不均勻性。 U: 1::專利範圍第1項的曝光裝置’其中該保持裝置 :棧構以一半或小於在該基板的該波盪或厚度不均勻 的基本循環的間隔排列。 9接利範圍第1項的曝光裝4 ’其進-步包括被 徒仏於與该基板接觸的該吸附 10. 一種在台上處理組件的裝置，其包括：，、且件

，組件纟面的波盪或厚度不肖勻性之偵測裝置； ς 2在與該組件表面的該波盪或厚度不均勻的方向正交 _ :，加長的吸附板之保持裝置，該吸附板係排列於該 二J或厚度不均勻的方肖，該吸附板能夠在與組件表面正 父的位移方向被獨立地移置；及 吸^附裝置被提供於該個別吸附板上以吸附該組件。 2沾位種Α曝光一曝光圖案於被提供於在複數個吸附板被排 '的保持裝置的預先決定位置的基板之方法， =方法包括定位及排列該基板於該保持裝置，及曝光該 :以使正交於基板表面的波盪或厚度不均勻性的方向之 万向對應於該吸附板的縱向邊緣之方向。 1 π根#據+申明專利範圍第11項的曝光方法，其中被提供於 二保持裝置的基板由相對於該基板的所有吸附板吸附，且 個該吸附板在與該基板表面正交的方向被移置使得在 =曝光圖案被曝光前，在該基板經曝光表面的波紋落 先決定的範圍。 1 3·根據申請專利範圍第丨丨項的曝光方法，其中在複數個

1277836 六、申請專利範圍 及附板中對應於在該基板表面的預先決定經曝光區域的任 意數目的吸附板被操作以吸附該基板，且每一個該吸附板 在與違基板表面正交的方向被移置使得在該曝光圖案被曝 光則’在該基板的經曝光表面的波紋落在預先決定的範 圍。 1 4 · 一種曝光一曝光圖案於被提供於在複數個吸附板被排 列的保持裝置的預先決定位置的基板之方法，該方法包 括： 吸附該基板於該吸附板表面；

偵測在基板表面的波盪或厚度不均勻性；及 根據經偵測的波盪或厚度不均勻性，在與基板表面正交 的方向’調整在與該波盪或厚度不均勻的方向正交的方向 被加長的該吸附板。 1 5 ·根據申請專利範圍第丨4項的曝光方法，其中以與該基 板表面正交的方向調整該吸附板移置該基板，使得在該基 板表面的波紋落在預先決定的範圍。 1 6 ·根據申請專利範圍第丨4項的曝光方法，其中以與該基 板表面正交的方向調整該吸附板移置該基板，使得在該基 板表面的波紋一度空間地落在預先決定的範圍。 1 7· —種製造薄膜電晶體之方法，其係藉由曝光M〇s_TFT圖 案於被提供於在複數個吸附板被排列的保持裝置的預先決 定位置的基板，該方法包括： k 吸附該基板於該吸附板表面； 偵測在該基板表面的波盪或厚度不均勻性；

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六、申請專利範圍 交：：：偵測的波盈或厚度不均句性，在與該基板表面正 5 周整在與该波盪或厚度不均勻的方向正交的方 向被加長的該吸附板；及 J又扪乃 況η:偵測的波盪或厚度不均句性調整該吸附板的情 苴中一 ι旨曝光裝置曝光預先決定的曝光圖案於該基板， 八中+導體薄膜初步形成於該基板上。 muf專利範圍第17項的曝光方法，其中在該吸附 I二=^ b ，該m〇s-tft圖案在該基板表面的波盈或厚度 性被處理於影像形成光學系統的-範圍的情況下

1 ^ ·根n凊專利範圍第17項的曝光方法，其進一步包括 ΐ i瞪ί預先決疋的曝光圖案於在該基板上所形成的半 ¥體4膜來形成薄膜電晶體。 2〇. 一種製造顯示裝置的方法，其包括： 吸附該基板於該吸附板表面； 偵測在該基板表面的波盈或厚度不均勻性； 根據經偵測的波盈或厚度不均勻性，在與基板表面正交 的方向凋整在與该波盪或厚度不均勻的方向正袞的方向 被加長的該吸附板； 、在根，經偵測的波盪或厚度不均勻性調整該吸附板的情 況下藉由曝光裝置曝光預先決定的曝光圖案於該基板， 其中半導體薄膜初步形成於該基板上；且 提供相對於該經曝光基板的初步形成基板及排列預先決 定厚度的電光物質於該基板間。

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