TWI275121B - Substrate baking device - Google Patents
Substrate baking device Download PDFInfo
- Publication number
- TWI275121B TWI275121B TW094120932A TW94120932A TWI275121B TW I275121 B TWI275121 B TW I275121B TW 094120932 A TW094120932 A TW 094120932A TW 94120932 A TW94120932 A TW 94120932A TW I275121 B TWI275121 B TW I275121B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- firing
- transporting
- transport
- transport path
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
- H01J9/241—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases the vessel being for a flat panel display
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D5/00—Supports, screens, or the like for the charge within the furnace
- F27D5/0006—Composite supporting structures
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D5/00—Supports, screens, or the like for the charge within the furnace
- F27D5/0037—Supports specially adapted for semi-conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/46—Machines having sequentially arranged operating stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/46—Machines having sequentially arranged operating stations
- H01J9/48—Machines having sequentially arranged operating stations with automatic transfer of workpieces between operating stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
- H01J2209/26—Sealing parts of the vessel to provide a vacuum enclosure
- H01J2209/261—Apparatus used for sealing vessels, e.g. furnaces, machines or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Tunnel Furnaces (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
Description
1275121 九、發明說明: 【發明所屬之被翁領域】 本發明涉及對基板實施燒成處理的基板燒成裝置。 【先前技術】 、匕去已知如日本專利公開公報第2003-31 7627號所t =的那樣的基板的熱處理裝置(基板燒成裝置)。該熱處理 +置α有·對基板貫施熱處理(燒成處理)的加熱爐;以 、卜g的方式π又置在該加熱爐内,對加熱爐按照每一層運 入運出基板的運送架;使加熱爐升降的料裝置。在加熱 '盧勺上谷側和下游側的規定高度位置上,配置有上游側運 送路徑和下游側運送路徑。 Μ…處理衣置通過升降裝置使加熱爐升降,反復進行 通過使S著的運送架與上游側運送路徑相對向而將基板接 受到加熱爐内㈣作,從而在所有的運送架上都容納基 板。而且,由於是在升降加熱爐的同時,在各層的運送架 上保持基板的過程中在加熱爐中從最先接受的基板開始按 ㈣完成燒成處理,所以利料降裝置使保持有燒成處理 完成後的基板的運送架與下游侧運送架相對向而依次運 出。 然而,在上述專利文獻中記载的基板的熱處理裝置 中必/頁使加熱爐升降,因此在加熱爐中需要設置每一層 的基板運入運出用的開口和閘門,並且,升降裝置成為大 規模的結構’所以高昂的設備成本無法避免,而且由於升 2014-7202-PF;Ahddub 6 1275121 降動作而消耗了非常大的能量,還存在著運行成本高的問 〇 【發明内容】 本發明是鑒於該情況而提出的,其目的在於提供一種 基板燒成裝置,能夠在實現基板的燒成處理的高效率化的 基礎上,實現設備成本和運行成本的降低。 本發明所述的一種基板燒成裝置,包括:燒成爐,其 内邛具有空間,在側壁上形成有基板運入運出部;上游側 運运路徑,其與上述基板運入運出部連接,將基板運送到 上述燒成爐中;及下游侧運送路徑,其與上述基板運入運 出部連接,將燒成後的基板向下游運送,其特徵在於··上 述燒成爐包括:架部,其由在内部保持基板的複數層構成; 及升降結構,其按每一層升降上述架部。 、根據該結構,將通過從上游侧運送裝置運入到設置在 k成爐内的各層的架部而依次被保持的基板,通過曝露在
燒成爐内的燒成環培+, A 、 依—人貫施燒成處理。保持有燒 成处里70成後的基板的架部,通過升降裝置的驅動進行升 降’與下為側運送裝 卜 衣置相對向,在該狀態下將保持在該架 口P上的基板轉移到下 一 運k衣置。通過改變變空了的架 4的尚度位置而使並盥 將從上游側運送來㈣板運運送裝置相吻合’從而能夠 基板從上游㈣送人。如此,通過架部的升降將 過燒成爐向下游側運送裝置按照 逋吊的運迗速度進行 ^ 連k,並且可以同時對多片實施燒成 2014-7202-PF;Ahddub 7 1275121 爐中的燒成處理,實現了基板的燒成處理效率的提高和 時的縮短。 而且,由於升降裝置僅使架部升降,與過去那樣的使 燒成爐本身升降的裝置相比,具有簡單的結構,由此而降 低了設備成本,同時,與使燒成爐本身升降的情況相比, 還降低了能量成本。 最好上述基板運入運出部具有運入基板的基板運入部 及運出基板的基板運出部,上述基板運入部和基板運出部 設有:具有基板可通過的尺寸的開口及進行該開口的開閉 的開閉部。 根據該結構’由於在通過開閉部關閉開口的情況下燒 成爐=被密封,所以可對基板高效率地實施燒成處理。凡 最好上述架部的各層部包括:在上述上游側運送路徑 和上述下游侧運送路徑的基板運送方向上並排設置的複數 们運k輕及使3彡運$報的至少—個旋轉的驅動源。 、# 乂據…構,仗上游侧運送裝置向著架部的基板’通 過設在架部上的•驅動 ^ & 原的驅動導致的運送輥的旋轉而被運 入到架部上的同時,. 、 士 在將基板從架部朝向下游侧運送裝置 =:上==動源的驅動導致的運__ 攸门下耜側運送裝置運出。 這樣’通過在举立 /、4上設置在基板運送方向並置 的承載基板的複數枳、… Π上JL排.又置 ^ , βρ/{Φ ^ Χ廷輥、以及驅動該運送輥的驅動 /原、,即使不特別設/ 乍業機為人等的基板運出運人pg, 也可以相肖架部運+ '富 ^連入哀置 印運入基板,降低了設備成本。 2014-7202-PF/Ahddub 1275121 更加取好上述基板運入 個铡壁鈞上τ^ 这基板運出部在上述- 送路徑上下配置上述上游侧運送路徑和上述下游側運 置以上構一’通過將上游側運送裝置和下游侧運送褒 互相對向的方式設置 板燒成裝置的安裝面積。 心、了用於設置基 最好具有交接基板的基板交接 送路护釦卜、+、Α ^ 接衣置,在上述上游側運 和上述基板運 送路#和上… 運出#之間,亚且在上述下游側運 k略仏和上述基板運入 置,名P+、…、 置有上述基板交接裝 A 迂路仫和上述架部之間,以及上述下 表側運迗路徑和上述竿韶 4木#之間進行基板的交接。
根據該結構,由米V你k、A m 於仗上鮮侧運送裝置運送來的基板, 通過基板交接裝置的規定動 3 > 動作而被轉移到架部的同時,衮 、,、内在架部的基板通過基板 n…, 又接衣置的規定動作而被轉移到 下如侧運送裝置,所以能夠 详牡番卢。丁釦側運达裝置和下游側運 k衣置在同一平面上相對向 對向配置荨的設計上的制約成為必 要的乘小限度,提高了裝晉讯 门〗衣置,又汁中的佈局上的自由度。 更加最好上述上游侧運读々 T側連运路杈和上述下游側運送 配置成大致直線狀。 根據該結構’由於上游側運送裝置和下游側運送裝置 配置成…線狀,所以可縮小基板交接裝置的動作範 圍,在簡化了基板交接裝置的播 直的構造的基礎上,可以相對於 燒成爐可靠地進行基板的運入運出。 如上所述,本發明中由於斗 、升降袭置僅使燒成爐的基板 2014-7202-PF; Aliddub 9 1275121 燒成室内的架部升降,與過去的使燒成爐本身升降的裝置 相比能夠簡化結構,能狗由此而降低設備成本,同時,與 使燒成爐本身升降的情況相比,能夠實現能量成本的降低。 ^由於設有以密閉狀態關閉設在燒戍爐上的開口的開閉 部,所以可以利用該開閉部的關閉來實現對燒成爐内的密 封,可以實現高效率的燒成處理。 通過在架部上設置在基板運送方向上並排設置的承載 基板的複數根運送報、以及驅動該運送輥的驅動源,即使 不特別設置作業機器人等的基板運出運人裝置,也可以相 對木部運出運入基板,降低了設備成本。 由於能夠將上游側運送裝置和下游側運送裝置以上下 向的方式設置,所以減少了甩於設置基板燒成裝 0、女裝面積,由此可以實現安裝占地的有效利用。 定動H基板對架部的運人運出是通過基板交接裝置的規 、、,壯 4仃的,所以能夠使上游側運送裝置和下游側運 =裝置在同-平面上相對向配置等的料上的制= :的最小限度,由此提高了裝置設計中的佈局上的:由 可以對應於現場情況適當配置基板燒成裝置。 由於上游側運送裝置和下游側運送裝置配置成大致直 U技所以可縮小基板交接裳置的動作範圍,在簡化了基 板又接裝置的構造的美雄 ^ 行基板的運入運出。土 ,可以相對於燒成爐可靠地進 【實施方式] 2〇14-72〇2-pp;Ahddub 10 1275121
圖1是表示本發明第_每A 具施形式的基板燒成裝置1 0的 局部劍.開.的立,體圖,圖2是FI !私- ^ # 疋圖1所不的基板燒成裝置10的 A-A剖視圖。而且,在這此圓由
一圖中,x—X方向是寬度方向,Y-Y 方向是前後方向,尤盆一X古A3 凡八人方向是左方向、+x方向是右方 向’-Y方向是前方,+γ方向是後方向。 如圖1和圖2所示,第_本A r# 弟 貝知形式的基板燒成裝置1〇 具有這樣的基本結構,立里供· m 、 再,、具備·用於對基板B實施規定的 燒成處理的、在上下方向μ σ曰/ 壬長條狀的箱形的燒成爐2 〇 ; 内裝於該燒成M 2G中的可升降的基板容納裝置(竿 部使該基板容納裝置3G升降的升降裝Η;向燒成 爐20内供給高溫的非氧化性氣體(本實施形式中是氮氣) ^氣體供給部50;在燒成爐2Q内的燒成處理之前對基板B 霄施規定的前處理的前處理裝置6〇 ;對燒成爐2〇内的燒 成處理完畢後的基板B f絲枴宁& μ + w ^ 土 I D貝她規疋的後處理的後理 70。 ·=述燒成爐20 ’包括:從平面看呈長方形形狀的底板 21 ’從該底板21的寬度方向的各個邊緣部豎立設置的、在 寬度方向上的一對的側板22 ;從底板21的前邊緣部豎立 設置的前板23;從底板21的後邊緣部豎立設置的後板^4; 在每些側板22、前板23和後板24的上邊緣部之間架設的 頂板25,其在上下方向上形成為長條狀的箱开》,在内部設 有用於燒成基板B的燒成室(空間)v。通過將來自氣體供給 部50的高溫的非氧化性氣體G導入到該燒成室v,從而' = 基板容納裝置30所保持的基板B實施燒成處理。 2014-7202-PF;Ahddub 11 1275121 在忒燒成爐2〇的前板23的底部上,設置有用於導入 非氧化性氣體』的氨體導入孔231,而且同樣在頂板25上, ^又有用於導出非氧化性氣體G的導出孔251,從氣體供給 ,5〇共給的非氧化性氣體G,通過這些氣體導入孔231和 氣體導出孔251進行迴圈。 此外,在燒成室V的四個角部,分別設有由角型材料 構成的在上下方向上延伸的導軌26,基板容納裝置3〇的 各角部由廷些導轨26引導並實現升降。
此外在燒成爐2 0後板(一個側壁)2 4的上下方向上 的中央位置猶微上方的位置上,設有用於將來自前處理裝 置60的基板β運入到燒成室ν内的基板容納裝置3〇中的 運入口(開口、基板運入部)27,同樣在稍微下方的位置上, 設有用於將來自基板容納裝置3〇的燒成處理完成後的基 板Β向後處理裝置70運出的運出口(開口、基板運出部)28。 上述基板容納裝置30包括:比底板21稍微小一些的 長方形形狀的底板31 ;與該底板31相同尺寸的頂板32 ; 設置於這些底板31以及頂板32的各角部之間的由方型材 料構成的4根支柱33 ;以被各支柱33支承的狀態形成的 複數層的基板容納架層(層部)34。各支柱33分別與上述各 導軌26的内侧抵接,如此,基板容納裝置3〇可以在與導 軌2 6滑動的同時進行升降。 該基板容納裝置30被設定為,上下尺寸比燒成爐 的底板21和頂板25之間的内尺寸的1/2稍微短一些,這 樣在位於最下位置的狀態下,最上層的基板容納架層34 = 2014-7202-PF/Ahddub 12 1275121 運出口 28相對向,同時在被設定在最上位置的狀態下,最 下層的基扳容納架層3 4與運入口 2 7對應。通過如此調節 基板谷納I置3 0的高度位置,可以實現所有層的基板容納 架層34與運入口 27以及運出口 28相對向。 圖3疋表不基板容納架層34的一個實施形式的立體 圖。如圖所不,基板容納架層34包括··架設在前後相互相 對向的支柱33之間的寬度方向上的一對的橫樑材341,·架 設在寬度方向上相互相對向的支柱33之間的與橫樑材341 相同间度級別的、在前後方向上一對的縱樑材丨在橫 樑材341之間以等間距架設的複數根(本實施形式中是5根) 架部運送親35;安裝在一個橫樑材341上的驅動上述架部 運送輥35的驅動馬達(驅動源)36。 上述木部運送輥35被軸支承於架設在一對橫樑材34 i 之間的輥軸351的周圍,並與輥軸351同心並可一體旋轉。 此外,上述驅動馬達36,在本實施形式中,以與最前列的 架部運送輥35對應的狀態固定在左方的橫標材341上,該 驅動馬達36的圖中省略的驅動軸以與最前列的架部運送 輥35的輥軸351同心、並可一體旋轉的形式連接於輥軸 351。因此,驅動馬達36的驅動旋轉,通過驅動軸以及輥 軸351傳達到最前列的架部運送輥35,由此實現了最前列 的架部運送輥35圍繞著輥軸351並一起旋轉。 而且,—個橫樑材341(本實施形式中為左方的橫樑材 341)和架部運送輥35的端面之間設有齒輪結構π,驅動 馬達3 6的驅動旋轉,通過該齒輪結構3 7向除了最前列之 2014-7202-PF;Ahddub 13 1275121 外的各架部運送輥35傳達(最前列的架部運送輥35,不通 過齒輪結構37,而直接傳達架部運送輥35的驅動力)。 齒輪結構37包括:以與最前列的輥軸351同心且可一 體碇轉的方式外嵌於該最前列的輥軸351的驅動齒輪 371;以與最前列以外的輥軸35ι分別同心並可一體旋轉的 方式刀別外嵌於最前列以外的輥軸351的從動齒輪372 ; 在驅動齒輪371和與該驅動齒輪371相鄰的從動齒輪372 之間以及在各從動齒輪372之間設置的空轉齒輪373。因 此,驅動馬達36的驅動旋轉,通過驅動齒輪371以及空轉 齒輪373而傳遞到各從動齒輪372,由此,所有的架部運 送輥35朝向相同方向一起旋轉。 而且’在通過運人π 27(圖2)將基板B接收到基板容 :架層34上時’驅動馬達36向圖3的順時針方向驅動旋 轉’由此基板B被各架部運送親35的向著順時針方向的旋 轉所引導,被運入到基板容納架層34 、 力一方面,在將 承載在基板容納架層34上的基板山 、重^^士 溉β通過運出口 28(圖2) 連出%,驅動馬達36向圖3中的逆時斜古a 疋吋計方向驅動旋韓,由 此基板容納架層34上的基板B,被 荽、& n士力丄 欲口木#運送輥35的向 者逻恰針方向的旋轉所引導,通過運 裝置7。運出。 出口以而向著後處理 上述升降裝置40,如圖1和圖2所示,包括 爐20所安裝的地板的下方位置以縱 70 弁卩μ k Π女置的方式配置的 升降電機41 ;與該升降電機41的驅動細」^ 碰# & 切罕由411以同心並可 一體疑轉的方式連接的花鍵軸4 2 ;以盥 Α ,、邊化鍵軸42同心 2014-7202~PF;Ahddub 14 1275121 並一體旋轉、且可升降的 f的方式外肷於該花鍵軸42的螺旋混 4 3 ,以與該螺旋捍螺 -、 接的方式固定在燒成爐2G的底板 d的下表面側的螺母構件 4,固疋在基板容納裝置30的 氏板3 1的下表面中麥^ 、皇拉 W置處的、螺旋桿43的頂部以滑動 連接的狀態嵌入的圓筒體45。 上述升降電機41安梦力圓#蝴 女衷在0同體45的正下方位置,同 寸’螺旋桿4 3以I螺番接从λ /、母構件44螺旋連接的狀態貫穿底板 21而知入到燒成室ν 能 在狀下頂部以與圓筒體45 了相對旋轉的方式嵌入 〜 J ®同體45内。上述螺旋桿43設 疋為與基板容納裝詈q η 具痒 内衷置3〇的上下方向的外尺寸大致相同的 、又’ _上述花鍵軸42設定為㈣旋桿Μ稍微長一些。 根據所述料裝置4〇,升降電機41的驅動使花 鍵軸42目繞軸心進行旋轉,從而將該旋轉傳達到螺旋桿 43 ’螺旋桿43也圍繞轴心旋轉。而由於螺旋桿43與螺母 構2 44螺旋連接,所以通過該旋轉進行升降,該升降通過 固筒體45傳達到基板容納裝置30,使得基板容納裝置3〇 進行升降。 上述氣體供給部50包括:儲存非氧化性氣體G的氣體 罐等的^體源51;燒成氣體供給部52,其將來自該氣體源 51的非氧化性氣體G加熱,並將該加熱了的非氧化性氣體 ^給到燒成室V 對基板B實施燒成處理;週遭氣體 供給部 5 3,jSl r^n L. 'J.' t 述則處理裝置6 〇以及後處理裝置了 〇供 給來自氣體源51的非氧化性氣體G,使前處理裝置60以、 及後處理裝置70内成為非氧化性氣體環境。 2014-7202-PF;Ahddub 15 1275121 上述燒成氣體供給部52包括··第-送氣鼓風機522, 51 2〇 231 而配f的加減體供給請上;溫調裝置523,其設置 在Π玄弟达乳鼓風機522的下游側;設置在該溫調裝置523 的下游側㈣—控制閥524 ;從燒成爐20的了頁板25的導 出孔251向第迗氣鼓風機522和溫調裝置523之間的加 熱氣體供給官5 21配置的氣體回收管5 2 5。
述周衣置5 2 3是將非氧化性氣體G的温度調節到 適於基板B的燒成處理的溫度的裝置,在本實施形式中, 通過第-送氣鼓風機522的驅動,將從氣體源_過加熱 氣體供給f 521而導出的非氧化性氣體α熱到適於基板 Β的燒成處理的溫度的25(rc〜35(rc。該加熱處理後的非氧 化f生氣版/通過第一控制閥524被導入到燒成爐20的燒成 至V内該氣/;,L通過與承載在基板容納裝置3 〇的各層的基 板奋、内木層34上的基板B接觸來對該基板β實施燒成處 理。 此外,在本實施形式中,通過對第一控制閥524的開 度進行控制來調節非氧化性氣體G向燒成室y内的導入 里,從而將燒成室V内的壓力設定為常壓,但是本發明不 限於燒成室V内為常壓的情況,根據情況還可以設定為比 常壓壓力高的正壓,或者比常壓壓力低的負壓。 在燒成室V内供基板β的燒成處理之後的非氧化性氣 體G,通過氣體回收管525返回到第一送氣鼓風機522和 ▲调裝置523之間的加熱氣體供給管521進行迴圈使用、 2014-7202-PF;Ahddub 16 1275121 上述週遭氣體供給部53包括:上述氣體源51(氣體源 51在燒成氣體供給部52和週遭氣體供給部53中共用); 在該氣體源51和上述前處理裝置60以及後處理裴置7〇之 1配置的週化氣體供給f 531 ;設置在該週遭氣體供給管 531的適當處的第二送氣鼓風機532。供給到前處理裝置 6〇和後處理裝£ 7〇的非氧化性氣體G,在使前處理裝置 6〇和後處理裝f 7G成為非氧化性氣體環境的基礎之上向 外部排出。
/上述前處理裝置6G包括:固定在後板24上的、在前 後方向上成長條狀的上部殼體61,其下游端(前端)與燒成 爐20的運入口 27相對向;在該上部殼體^内從上游(前 方)侧依次形成的上游側置換室62、第一肝室Μ以及第 一 UV室64。在這此久玄a〇 a a ju 、, 隹、二各至62、63、64中,沿著基板運送方 向亚排a又置有上部殼體内運送輥65。各上部殼體内運送輥 65通過圖中4略的運送電機的驅動而同步旋轉。而通過這 一上U内運达輥65和並排設置在上部殼體以的後方 的上游側運迗輥11形成將基板β向燒成爐20運送的上游 側運送路徑12。 / "上述上游側置換室62用於將從外部侵入的含有氧的 氣體置換為來自氣體源51的非氧化性氣體G而使前處理裳 置6(^内成為非氧化性氣體環境。在所述上游側置換室μ 的上游壁上設置有可開閉的間門(開閉部)66,其用於開閉 基板運人σ,轉时r时職.㈣定雜麵支承 者,同時,上游侧置換室62和第_肝室63之間的隔斷壁 2014-7202-PF;Ahddub 17 1275121 上設置有通過上下動作開閉基板通過口的、比閘門66密閉 度高的' 閘啊閥(開縣奉 通過在下游端的閘門閥67打開、且上游端的閘門66 打開的上游侧置換室62内運入了基板B的狀態下打開設置 在週遭氣體供給管531的下游端的第二控制閥533,從而 上耔側置換室62内的氣體被置換為非氧化性氣體G。 上述第一 UV室63以及第二uv室64是用於對基板b 實施第一次和第二次紫外線照射處理的裝置,分別在内部 設置有紫外線燈68。在所述第一肝室63和第二肝室64 之間的隔斷壁、以及第二uv室64的下游端的後板24上, 分別没置有用於開閉基板通過口和運入口 2 7的閘門6 6。 廷些第一以及第二UV室63、64中也通過從週遭氣體供給 管531分支了的支管而供給來自氣體源51的非氧化性氣體 G,由此第一以及第二uv室63、64内總是保持非氧化性氣 體環境。 而在第二UV室64内實施了第二次紫外線照射的基板 B,在下游端的閘門66處於打開的狀態下,被上部殼體内 運送輥65的驅動旋轉以及架部運送輥35的驅動旋轉所引 導’運入到基板容納裝置30的基板容納架層中。 上述後處理裝置70是用於對在燒成爐2〇的燒成室v 内以承載在基板容納架層34上的狀態實施了燒成處理的 基板B,實施規定的後處理的裝置,其包括:在上部殼體 61的稍下方位置處固定在後板24上的前後方向呈長條狀 的下部设體71,其上游端(前端)與燒成爐2 〇的運出口 2 8 2〇14-7202~PF;Ahddub 18 1275121 相對向,在該下部殼轉 ―、入… 内從上游(前方)側依次形她 〜卻室72、第二冷卻室^ 勺弟 此女+ 以及下游側置換室74。右π 士各室72、73、74中沿著 向 置在乂 體内運魏75。各上部扭〜排5又置有下部殼 、s、、, ^又體内運送輥75通過圖中省 運迗電機的驅動而同步旋糙 〜 疋轉。從而利用這些上部殼體内運 迗輥75和在下部苟髀71 ΑΑ μ ^ . 、後方並排設置的下游側運送輥 形成將基板Β向下—個工序運出的下游侧運送路徑“。 ^上述第一冷卻室72以及第二冷卻室73是用於對從基 板容納裝置30的基板容納架層34導出的燒成處理完成的 基板B實施冷卻處理的裝置。該各冷卻室72、73的頂面上 分別固定有涼片(cool plate)76,同時還設置有將下部殼 如·内運送輥75所支承的基板b抬起而使其與涼片76抵接 的基板抬起機構7 7。 上述基板抬起機構7 7具有在複數個下部殼體内運送 輕75之間設置的、用於支承基板β的複數根基板支承銷 φ 7 71。而且,通過基板抬起機構7 7的驅動使基板支承銷7 71 上升,從而基板Β被基板支承銷7 71抬起而與涼片76面接 觸,由此來實施冷卻處理,另一方面,通過基板抬起機構 77的反向驅動而使基板支承銷771下降,從而基板Β被支 承在下部殼體内運送輥75上,通過下部殼體内運送輥75 的驅動來實現運送。 上述各涼片76中供給有來自圖中省略的冷熱源的冷 媒,由此保持用於冷卻基板Β的低溫。而且’弟二冷卻室 7 3側的涼片7 6比第一冷卻室7 2侧的涼片7 6的溫度低。 2014-7202-PF;Ahddub 19 1275121 因此,從燒成爐運出的基板B,在第一冷卻室72中實 施了第〜次冷卻處。理之後,在第二冷卻室73中實施比此溫 度更低的第二次冷卻處理,通過該兩階段的冷卻處理能夠 防止由於急劇的溫度變化導致的基板B的熱破損。 而且,在第一冷卻室72的上游端相對向的燒成爐2〇 的後板24以及第一和第二冷卻室72、73之間的隔斷壁上, 分別設置有用於將基板B從燒成爐20運出的運出口 28以 及開閉用於通過基板的通過開口的閘門(開閉部)78。該閘 門78是與設置在前處理裝置60上的閘門66具有同樣結構 的裝置。 相對與此,在第二冷卻室73和下游侧置換室74之間 進行隔斷的隔斷壁上,設置有用於開閉設在該隔斷壁上的 基板通過開口的閘門閥(開閉部)79。該閘門閥79是與設置 在前處理裝置60上的間門閥67具有同樣結構的裝置,其 具備高度的氣密性。因此,通過關閉各閘門閥67,79,可 籲以在第一 UV室63、第二uv室64、燒成室V、第一冷卻室 72以及第=冷卻t 73中形成包括前處理和後處理的基板 燒成處理用的高度的密閉空間。 置。在该下游側置換室7 4的下游端壁上 形成在該下游端壁上的基板運出口的閘 上述下游侧置換空間7 4是在將基板B運出到系統外時 將從外部侵人的包括氧的環境置換為非氧化性氣體G的裝 ’設置有用於開閉 門7 8。而通過打開 閘門閥79將基板B運入下游側置換室74中之後關閉閘門 閥79,在該狀態下打開閘門78,將基板B運出到系統外, 2014-7202-PF/Ahddub 20 1275121 仁此%含有氧的外部氣體侵入到下游侧置換室μ中,下游 侧置換’室〃 74夜戒為〜包含氧的氣 74内的環境,利用在閘門78關閉之後的與非氧化性氣體G 的置換,而被置換成為非氧化性氣體環境。 圖4是用於說明第一實施形式的基板燒成裝置丨〇的燒 成爐20的作用的說明圖,圖仏示出最初的基板Β正被= 入到最上面的基板容納架層34的狀態,圖4b示出所有的 基板容納架層34都運入了基板β的狀態,圖4c示出最初 運入的基板Β正被從最上面的基板容納架層34運出的狀 悲,圖4d示出為了將基板β運入變空的基板容納架層以 上而基板容納裝置30上升的狀態。 首先,在基板燒成裝置丨0操作的最初,通過升降電機 41的驅動,設定基板容納裝置3〇的高度水平,使得最上 層的基板容納架層34與前處理裝置60的第二UV室64相 對向。在該狀態下,打開第二υν室64下游端的閘門66, • 同時驅動上部殼體内運送輥65,並驅動最上面的基板容納 架層34的驅動馬達36,使架部運送輥35旋轉。這樣,第 二UV室64内的基板β,如圖4a所示,通過運入口 27運 入到基板谷納架層3 4上。而當基板B向基板容納架層3 4 的運送結束時,驅動馬遠3 β停止,由此,成為基板β保持 在最上面的基板容納架層34上的狀態。 接著,利用升降電機41的驅動,通過花鍵軸42而螺 旋桿43圍繞軸心旋轉,基板容納裝置3〇僅上升1個螺距, 對從上開始的第二個基板容納架層34裝填下一個基板β, 2〇l4~7202-PF;Ahddub 21 1275121
支X 成為在所有的基板容 ^反復進行該操作,如圖4b所示 "曰3 4上都'裝填有基板b的狀態
〜而在本實施形式中,由於升降電機41被在時間上驅動 使得在所有的基板容納架層34上都裝填有基板B的 ::(即’經過1個迴圈週期的時刻),最勒裝填的基板B 細::成處理結束,所以在基板B被運入到最下層的基板容 木層34上的時刻,最上層的基板B的燒成處理結束。 欠該狀態下基板容納裝置30利用升降電機41的驅動而 下1V,如圖4c所示,最上層的基板容納架層34與運出口 28^目對向,該狀態下基板B通過打開的閑門78向第一冷 郃室72運出。這樣使得最上層的基板容納架層%變空。 接著,為了向變空的最上層的基板容納架層34運入基 板B,基板容納裝置30利用升降電機41的驅動而上升, 由此,如圖4d所示,最上層的基板容納架層34與運入口 27相對向,該狀態下將第二訂室64内的基板6運入最上 層的基板容納架層34,這樣的基板B相對於基板容納架層 34的運入運出操作從最上面開始到第二個基板容納架層 34、第三個基板容納架層34而依次反復進行,這樣從前處 理裝置60依次向燒成爐20供給的基板B,在燒成爐2〇内 依次連續地實施燒成處理,將完成的基板依次向後處理裝 置70運出。 如上詳述,第一實施形式的基板燒成裝置丨〇包括:内 部形成有燒成室V的燒成爐20;向該燒成爐20運送基板E 的上游侧運送路徑1 2 ;接受並運送從燒成爐2〇導出的燒 2014-7202-PF/Ahddub 22 1275121 成處理完成後的基板B的丁、脖/ 1 攸β的下游側運达路徑14,在燒成爐2〇 中内置有:具備依次接受並保持利用上游側運送路徑i 2運 迗來的基板B的稷數層的基板容納架層34的基板容納裝置 3〇 ;使該基板容納裝置3〇升降的升降裝置4〇,升降裝置 4 0為了使谷納有燒成處理— X处理兀成後的基板B的基板容納架層 3 4朝向與下游側運送路和] k 14相對向的位置而使基板容納 t置30依次升降。 因此’通過從上游侧運择敗^ U連达路I 12運入到設在燒成爐 20内的基板容納裝置3〇的久装 ^ 不1川的各基板容納架層34上而依次保 持的基板B,通過暴露為、j;圭# @ π Λ +路在燒成爐20内的燒成環境中來依次 實施燒成處理。保持有煻忐_ w + >功,^ 寸,乂成處理完成後的基板β的基板容 納架層34,通過利用升ρ备駐嬰」η α … 、置4 0的驅動導致的燒成爐2 〇 内的基板容納裝置30的升降,豆古洚仏罢a A 一 ▼異网度位置與下游側運送路 1 4對應’在该狀態下將/〇 -A- -fcf- 1 〜、卜將保持在基板容納架層34上的基 板B依次轉移到下游側運送路徑14上。如果將通過上游側 運送路徑12運送來的基板B基於利用升降裝置Μ進行的 基板容納裝置3Q的升降動作依次運人β的基板容納架 g 3 4貞丨可以邊將基板β從上游側運送路徑1 2通過燒 成爐2 0向下游側運送路經1 4 、峪位14以通常的運送速度來運送, 一邊在燒成爐2 0實施燒成虛w 70料理,由此可以提高基板B的燒 成處理效率。 而且由於升降裝置4〇僅能使燒_ % v 内的基板容納裝置3G升降,與過去的使燒成爐2q本身升 降的技術方案相比能夠簡化結構,由此而實現設備成本的 2 014-72 02-PF/Ahddub 1275121 降低,同犄’與使燒成爐20本身升降的情況相比,能夠實 .現能量戒本韵释低。 、 此外,由於在基板容納架層34中設置有在基板運送方 向上並排設置的承載基板B的複數根架部運送親%和驅動 該架部運送輕35的驅動馬達36,所以從上游側運送路徑 12運向基板容納裝置3〇的基板容納架層^的基板b,通 過設在基板容納架層34上的驅動馬達36的驅動導致的架 部運送輥35的旋轉,而運入到基板容納架層以上,同時7 f將基板B從基板容納架層34向下游側運送路徑丨4運出 日守’也能夠利用驅動馬達36 #驅動導致#架部運送輥Μ 的旋轉而將基板容納架層34上的基W向下游側運送 14運出。 工 、,這樣,通過在基板容納架層34上而在基板運送方向上 f排設置的承载基板B的複數根架部運送輥35和驅動該架 々P運达輥35的驅動馬達36,即使不特別設置作業機器人 等的基板運出運入裝置,也能將基板β相對於基板容納架 層34進仃運出運入,能夠實現設備成本的降低。 日進一步,由於上游側運送路徑12和下游側運送路徑 是上下相互相對向的方式安裝的,可以減少用於設置 基板燒成裝置1G的安裝面積’能夠實現安裝面積的有效利 用0 圖5是表示本發明第二實施形式的基板燒成裝置1〇, 的局部剖開的立體圖’圖6是圖5所示的基板燒成裝置1〇, 的β-Β剖視圖。而且,這些圖令,χ_χ方向是寬度方向, 2014-7202-PF/Ahddub 1275121 γ—γ方向是前後方向,尤其方向是左方,+χ方向是右方, —Y方向是前,方,+Y方向是後方。 如圖5和圖6所示,第二實施形式的基板燒成裝置1 〇 ’ 具有這樣的基本結構,其包括··用於對基板B實施規定的 燒成處理的上下方向上呈長條狀的箱形的燒成爐2 〇 ;内置 在該燒成爐2 0内的可以升降的基板容納裝置3 〇,(圖6); 使該基板容納裝置30’升降的升降裝置40 ;向燒成爐2〇
内供給高溫的非氧化性氣體(本實施形式中是氮氣)的 供給部50 ;在燒成爐20内的燒成處理之前對基板B實施 規定的前處理的前處理裝置60 ;對在燒成爐2〇内的燒成 處理結束後的基板B實施規定的後處理的後處理裝置7〇 ; 將基板B從前處理裝置60向基板容納裝置3〇,以及從基 板容納裝S 30’向後處理裝置7〇運入運出的基板運入運 出裝置(基板交接裝置)8〇。 構成基板燒成裝置10’的這些構成要件中,對於燒成 爐20、升降裝置40、氣體供給部5〇、前處理裝置⑽:及 後處理裝S 70’採用與第—實施形式相同的裝置,相對與 此’基板容納裝置30’ %與第一實施形式在結構上稍有些 差異。此外,在設計上,箓—與 弟貝施幵乂式中疋前處理裝置6〇 和後處理裝置70上下柏對人α σ成碰a 下相對向的2層構造的方式,相對於 此,第二實施形式中前處 ⑴ < 理裝置6〇和後處 著基板運入運出部15而巷π μ +展置70疋k 班… 而在同-平面上’在前後方向上串聯 配置的,這一點是與第一實 只%形式不同的。因此,在 爐20的後板24上,代妹楚 ^ ^ 代曰弟一實施形式的運入口 27和運出 2014-7202-PF;Ahddub 25 1275121 口 28,僅設置了一個運入運出基板B的運入運出口 2卜 上述祕隸I置30’,如圖6巧示,包括:底板31 ; 頂板3 2 ;設置在這些各個板3 j 根支柱33;在這些支柱33上 32之間的四個角部上的4 在上下方向上以等間距支 承的複數個基板容納架層34,在這些方面是與第一實施形 式的基板容納裝置30共通的,但是與第一實施形式的基板 容納裝置30不同點在於,在各基板容納架層34上代替架 部運送輥35而設置4根基板支承銷38。
上述基板支承銷38,豎立設置在基板容納架層34上, 使得將它們連接的線形成為四邊形。該基板支承銷38,其 長度尺寸設定為比上下方向上相鄰設置的基板容納架層34 之間的間隙尺寸短很多,這樣基板B能夠在各基板容納架 層34中不與上方的基板容納架層34發生干涉而具有一定 餘量地被支承在基板支承銷38上。 上述基板運入運出部15(圖7)是用於確保上述基板運 入運、出裝置80能夠動作的空間的裝置,設置在前處理裝置 60的下游端(前端)和後處理裝置的上游端(後端)之間,並 且,向在其右方設置的燒成爐2 〇延伸。該基板運入運出部 15具備:與前處理裝置60和後處理裝置70的底部具有相 同高度水平的底板1 51 ;與前處理裝置60和後處理裝置7〇 的左面共面的左面板1 52 ;在前處理裝置60和後處理裝置 70的各個右面與向燒成爐2〇各側板22的左方突出的部分 之間架設的前後方向上的一對架設板1 53 ;從這些一對架 設板153的上邊緣部之間向左面板152延伸,並進—步通 2014-7202-PF;Ahddub 26 1275121 過向側板22的左邊突出的部分的上邊緣部延伸到後板24 的頂板154。 由这些底板15卜左面板152、一對架設板153以及頂 板154所圍繞的空間形成用於中轉基板B的中繼室yi。中 繼室vi被區分為:内裝有用於提升從前處理裝置6〇運入 的基板B的後述的提升機構81的基板提升室vu、安裝有 在該基板提升室VI1和燒成爐2〇之間交接基板β的後述的 機為人85的機器人室vi2。在基板提升室vu和機器人室 _ V12之間設置有隔斷板155。在該隔斷板155和頂板154之 間形成有用於通過基板B的間隙。 圖7是詳細示出基板運入運出裝置8〇的立體圖。而 且,圖7中X以及Y所表示的方向與圖5的情況相同。如 圖7所示,基板運入運出裝置80包括:在基板運入運出部 1 5的底板1 51的兌度方向的中央部左側設置的、舉起基板 B的提升機構81 ;進行將通過該提升機構81被升起的基板 參B容納在燒成爐20内的基板容納裝置3〇,中,或者將基板 Β從基板容納裝置30,中取出並轉移到提升機構81的動作 的機器人(基板交接裝置)8 5。 上述提升機構81包括··提升從前處理裝置6〇運入中 繼室VI内的基板Β的提升板82 ;使該提升板82提升的偏 心凸輪機構83 ;驅動該偏心凸輪機構83的驅動機構84。 上述提升板82呈大致正方形形狀,在四個角部分別豐立設 置有提升基板Β的提升銷821。另一方面,在基板運入運 出部1 5的左面板1 5 2和隔斷板1 5 5之間,架設有規定根數 2014-7202-PF/Ahddub 27 1275121 的提升室内運运輥16。這些提升室内運送輥16,通過圖中 省略τ的驅動馬達的驅動進行旋轉。 而且彳火如處理裝置6 0運入的基板b,在提升板8 2 被位置设疋在下方位置上的狀態下通過提升室内運送輥工6 的驅動旋轉’不與提升銷821發生干涉,而被運入到基板 提升室vii的中央部,同時,在提升板82被位置設定在上 方位置上的狀態下,4根提升銷82丨將基板B升降。 上述偏心凸輪機構83,包括··在提升板82的下部而 架設在左面板152和隔斷板155之間的前後方向上的一對 的凸輪軸831 ;以及一體外嵌在各凸輪軸831上的每一根 凸輪軸8 31有2個的偏心凸輪8 3 2。偏心凸輪8 3 2形成為 圓形’並設定其偏心位置分別成同-相位。而上述提升板 2被該4個偏心凸輪8 3 2在前後左右方向上定位的狀態 下以可上下動作的方式支承著。因此,通過各凸輪轴gw 圍繞軸心旋轉,4個偏心凸輪832的偏心狀態同步進行, _亚圍繞凸輪軸83丨旋轉,由此實現提升板82在下方位置和 上方位置之間升降。 上述驅動機構84包括:在從基板運入運出部15的底 板1 51的前後方向中央部向左方突出設置的架台1 7上安裝 的提升馬達841 ;以與該提升馬達841的驅動軸842同心 亚一體的方式外嵌於驅動轴842的驅動齒輪843;以與上 述各凸輪軸831分別同心並一體的方式外嵌於各凸輪軸 831的從動齒輪844;分別設置在各從動齒輪844和上述驅 動齒輪843之間的空轉齒輪845。因此,當驅動提升馬達 2014-7202一pp;Ahddub 28 1275121 841時,該驅動力通過驅動軸842、驅動齒輪843、空轉齒 輪845以及從動齒.輪844被傳達到凸輪軸83丨,通過凸輪 轴831圍繞軸心的旋轉,偏心凸輪832圍繞凸輪軸831偏 心旋轉,由此,被支承在偏心凸輪832上的提升板82就實 現了在下方位置和上方位置之間的升降。 上述機為人包括··在機器人室V12的底板151的中 央位置從下方貫穿固定的傳動裝置851;從該傳動裝置851 向上方犬出设置的旋轉桿852;安裝在該旋轉桿852的頂 部的在水平方向上延伸的基端側臂部853;在該基端側臂 部853的前端部上以圍繞連接軸855可旋轉的方式連接著 的前端侧臂部854。 上述傳動裝置851具備使旋轉桿852圍繞軸心旋轉的 功能。此外,上述基端側臂冑853以及前端侧臂部854相 互連接’使得通過在它們内部形成的圖中省略了的連桿機 ,而聯動的同時進行屈伸。旋轉桿852的旋轉動作以及各 臂4 853、854的屈伸動作,可以相應于向燒成室v内運入 的基板B的情況(是將基板提升室V11内的基板㈣送到燒_ 成爐2〇 ’還是將燒成爐2〇内的基板B從燒成室V取出)預 先設定。 ,圖圖10疋用於說明第二實施形式的基板燒成裝置 10中的基板運入運出裝置80的作用的說明圖,其中圖 88圖8b表不各臂部853、854位於起始位置的狀態,圖 8e'圖8d表示前端側臂部⑽載有基板β的狀態,圖 圖讥表示前端侧臂部854將基板B運到機器人室V12的狀 2014-7202-pp;Ahddub 29 1275121 恶’圖9c、圖^表示前端側臂部似將基板心入到燒 成爐2〇件你 表不刚端侧臂部854所支承的基板β向基板容納架層34轉 私的狀悲’目1 〇c、圖1 0d表示前端側臂部854正在從燒 成爐20中抽出的狀態。而且,這些圖中,各&、c圖表: 平面視圖’各b、d圖表示侧面咅彳視圖。 首先,在圖8a、圖8b所示的狀態下,通過提升室内 運送輥16的驅動而從前處理裝置6〇被運入到基板提升室 VII内的基板b通過由提升馬達841的驅動導致的提升銷 821的上升而成為被舉起的狀態。該狀態下通過驅動傳動 I置851,旋轉桿852圍繞軸心按順時針方向旋轉,從而 各臂部853、854如圖8c、圖8d所示,向左方伸直地延伸, 由此,前端侧臂部854潛入到基板B的下方,接著反向驅 動提升馬達841,由於由此而提升銷821下降,成為基板β 由前端側臂部854支承的狀態。 _ 接著,傳動叙置8 51被反向驅動,通過由此而旋轉桿 852向著逆時針方向的旋轉,前端侧臂部854所支承的基 板B,如圖9a、圖9b所示,從基板提升室vu暫時轉移到 機器人室V12,並且通過旋轉桿852的繼續旋轉,如圖9c、 圖9d所示,插入燒成爐20的基板容納裝置3〇,的基板容 納架層34的上方位置。 接著’利用升降電機41 (圖6 )的驅動,基板容納裝置 3 0’被稍微向上方抬起,由此基板β如圖10a、圖1〇b所 示,成為被基板支承銷38支承的狀態。該狀態下,通過傳 2014-7202-PF;Ahddub 30 1275121 動裝置851的正驅動,各臂部853、854如圖i〇c、圖1⑽ 所示.從燒成〜爐』0 t 3 0 ’的運入結束。 而當各臂部853、854從燒成爐20中抽出時,升降芙 板容納裝置30,,支承著燒成處理結束的基板β的基板^ 納架層34與燒成爐20的運入運出口別相對向,該燒成處 理結束的基板Β,有前端側臂部854承載而取出,接著通 過旋轉捍852的驅動而被送到基板提升室vu,移到該基 _板提升t VII的基板B,在由架部運送輥35接受後,通過 采邓運送輥3 5的驅動旋轉而向後處理裝置7 〇運出。 通過反復進行這樣一連串的動作,從前處理裝置“依 次運入到中繼室V1的基板B,在通過機器人85而被逐一 插入到燒成爐20内的同時’在燒成爐20中燒成處理完成 了的基板B,也通過機器人85而經由中繼室n被逐一運 出到後處理裝置70,由此與過去的完全批次處理那樣’在 參燒成爐20内完成!片基板B的燒成處理後,將下_片基板 B裝填到燒成爐2G的方式相比,大幅度縮短了燒成處理時( 間,並在各層提高了燒成處理的效率。 ,如上詳述那樣,根據第二實施形式的基板燒成裝置 1 〇 ’由於在别處理裝置6Q和後處理裝置之間設置有 基板運入運出裝置卩4c <直忒基板運入運出裝置在將從前 處理裝置6〇運送來的基板β運入到内裝在燒成爐20中的 基板奋、,、内4置3G㈣基板容納架層34上的同時,將燒成 處理、、、。束了的基板Β從基板容納架層%向後處理裝置7〇 2014-7202-PF/Ahddub 1275121 運出,所以從前處理裝置60送入的基板B,通過基板運入 運出裝置制的機器人85的規定動作而轉移到基板容納架 層34,同時容納在基板容納架層34上的燒成處理結束了 的基板B通過機裔人8 5的規定動作而轉移到後處理裝置 。因此可以使將前處理裝置60和後處理裝置7〇在同_ 個平面上相對向配置等的設計上的限制控制在必要的最小 限度,可以提高裝置設計中的佈局上的自由度。 此外,由於前處理裝置60和後處理裝置7〇在同一平 •面上成大致直線狀,而且,隔著規定的空間(中繼室η的 基板提升室Hi)配置在相對向位置上,燒成爐2〇設置在 從中繼室VI偏離的位置,基板運入運出裝置8〇設置在機 态人室V12,所以不僅基板運入運出裝置8〇的結構簡單化 了,而且可以相對燒成爐2〇可靠的進行基板Β的運入運出。 而且,由於在燒成爐20中設有運入運出基板Β的運入 運出口 29,在該運入運出口 29設有使燒成爐2〇内成為密 %封狀態的可開閉的閘門66,所以通過關閉該閘門66,可使 燒成爐20内密封,由此可以實現高效率的燒成處理。 本1¾明並不限於上述的實施形式,還可以包括下面的 内容。 (1) 在上述的實施形式中,作為升降裝置採用了具 備化鍵軸4 2和螺旋桿4 3的結構,但是本發明的升降裝置 不限於具有螺旋桿4 3的結構,例如也可以通過基於油壓的 A缸裝置的驅動來使基板容納裝置3 〇、3 〇,升降。 (2) 在上述實施形式中,在前處理裝置6〇設置有上游 2014-7202-PF/Ahddub 32 1275121 側置換室62、第一 _63以及第二卯室&4的同時,在 72: 73^τ 心側置換冑74 ’但是本發明的前處理裝置6q和後處理裝 置70不限於該設計,還可以根據具體情況增減⑽室和冷 部室的數量。
、(3)在上述實施形式中,基板Β的燒成處理是通過在燒 成爐20内導入加熱了的非氧化性氣體6來進行的,但是將 其代替,也可以在燒成爐20内配置例如通電發熱體等的加 熱源,通過該加熱源對基板Β實施燒成處理,也可以一併 使用加熱源和加熱了的非氧化性氣體G。 (4)在上述的實施形式中,是在加熱氣體供給管52丨和 週遭氣體供給管531上分別設置第一送氣鼓風機522和第 一运氣鼓風機532,來壓送來自氣體源51的非氧化性氣體 的但是在氣體源51例如是高壓的儲氣瓶的情況下,由 於可以用自身的氣壓從氣體源51中導出,所以無需特別設 置送氣鼓風機522、523。 (5 )在上述的第一實施形式中,基板容納架層34為7 層’在第二實施形式中基板容納架層34為17層,但是本 备明中’基板容納架層34的層數不限於7層或者I?層, 可以根據情況選擇各種層數。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明第一實施形式的基板燒成裝置的局 部剖開的立體圖。 2014-7202-PF;Ahddub 33 1275121 圖2是圖i所示的基板燒成裝置的a_a剖視圖。 圖念是表示適用於第一實施形式的基板燒成裝置的基 板容納架層的一個實施形式的立體圖。 圖4是用於說明第—實施形式的基板燒成裝置的燒成 爐的作用的說明圖,其中圖4a表示最開始的基板正在運入 最上面的基板容納架層的狀態’圖4b表示向所有的基板容 、-内木層運入了基板的狀態,圖4c表示最開始運入的基板正 在從最上面的基板容納架層運出的狀態,圖4d表示為了將 •基板運入到變空的基板容納架層令而基板容納裝置正在上 升的狀態。 圖是表示本發明第二實施形式的基板燒成裝置的局 部剖開的立體圖。 圖6疋圖5所示的基板燒成裝置的Β_β剖視圖。 圖7是詳細表示基板運入運出裝置的立體圖。 ,圖8疋用於說明第二實施形式的基板燒成裝置的基板 • , Γ運出袭置的作用的說明圖,其中圖8a、圖8b表示各 、 ;起始位置的狀態,圖8c、圖8d為前端側臂部承 載了基板的狀態。 、圖9疋用於說明第二實施形式的基板燒成裝置的基板 運運出表置的作用的說明圖,其中圖、圖gb表示前 二:“將基板運到機器人室的狀態,目9c、圖gd表示 &而侧#部將基板插人到燒成爐内的基板容納裝置的狀 態。 圖1〇疋用於說明第二實施形式的基板燒成裝置的基 2014-72〇2^pP;Ahddub 1275121 _ v % %圃,其中圖10a、圖10b 爾端側臂都上& t > n m b轉移到基板容納架層 l〇C、圖 lQd 主-二 表示前端側臂部正在從燒成爐 板運入運出裝置 示被支承,,在 的狀態,圖 抽出的狀態 【主要元件符號說明】 11〜上游侧運送輥; Γ2〜上游側運送路徑; 14〜下游側運送路徑; 16〜提升室内運送輥; 2 〇〜燒成爐; 2 2〜側板; 231〜氣體導入孔; 2 5〜頂板; 2 6〜導執; 3 2〜頂板; 3 41〜橫襟材,· 3 4 2〜縱標材; 3 51〜報軸; 37〜齒輪結構; 372〜從動齒輪; 40〜升降裝置; 42〜花鍵軸; 44〜螺母構件; 10、10’〜基板燒成裝置; 13〜下游侧運送輥; 1 5〜基板運入運出部; 17〜架台; 21〜底板; 2 3〜前板; 2 4〜後板(一個側壁); 2δ1〜導出孔; 31〜底板; 33〜支柱; 34〜基板容納架層(層部)· 35〜架部運送輥; 3 6〜驅動馬達(,驅動源)· 371〜驅動齒輪; 373〜空轉齒輪; 41〜升降馬達; 43〜螺旋桿; 45〜圓筒體; 2014-7202-PP;Ahddub 35 1275121
5 0 ~氣體供給部; 5 2〜燒成·氣、體供給部, 5 2 2〜第一送氣鼓風機; 524〜第一控制閥; 53〜週遭氣體供給部; 532〜第二送氣鼓風機; 60〜前處理裝置; 6 2〜上游側置換室; 64〜第二UV室; 66〜閘門(開閉部); 70〜後處理裝置; 72〜第一冷卻室; 74〜下游側置換室; 76〜涼片; 7 71〜基板支承銷; 79〜閘門閥(開閉部); 8 2〜提升板; 83〜偏心凸輪機構; 8 3 2〜偏心凸輪; 8 41〜提升馬達; 843〜驅動齒輪; 845〜空轉齒輪; 85:1〜傳動裝置; 853〜基端側臂部; 51〜氣體源; 521〜加熱氣體供給管; 523〜溫調裝置; 525〜氣體回收管; 531〜週遭氣體供給管; 533〜第二控制閥; 61〜上部殼體; 63〜第一 UV室; 65〜上部殼體内運送輥 67〜閘門閥(開閉部); 71〜下部殼體; 73〜第二冷卻室; 75〜下部殼體内運送輥 77〜基板抬起機構; 78〜閘門(開閉部); 81〜提升機構; 8 21〜提升鎖; 831〜凸輪軸; 8 4〜驅動機構; 842〜驅動軸; 844〜從動齒輪; 85〜機器人; 8 5 2〜旋轉桿; 854〜前端側臂部; 2014-7202-PF;Ahddub 36 1275121 855〜連接軸; B〜基板; V〜燒成室; VI〜中繼室; VII〜基板提升室; V12〜機器人室; 27〜運入口(開口、基板運入部); 28〜運出口(開口、基板運出部); 30、30’〜基板容納裝置(架部); 8 0〜基板運入運出裝置(基板交接裝置); 29〜運入運出口(開口、基板運入部、基板運出部)。
2014-7202-PF;Ahddub 37
Claims (1)
- 十、申請專利範圍: 1· 一翁基板视成裝置,包栝: 燒成爐,其内部具有空間,在側壁上形成有基板運入 運出部; ! 上游側運送路徑,其與上述基板運入運出部連接,將 基板運送到上述燒成爐中;及 下游側運送路徑,其與上述基板運入運出部連接,將 燒成後的基板向下游運送, 其特徵在於: 上述燒成爐包括:, 架部’其由在内部保持基板的複數層構成;及 φ 升降結構,其按每一層升降上述架部。 2 ·如申請專利範圍第1項所述的基板燒成裝置,其中 上述基板運入運出部具有··運入基板的基板運入部及運出 基板的基板運出部,上述基板運入部和基板運出部設有: 具有基板可通過的尺寸的開口及進行該開口的開閉的開閉 部、 3·如申請專利範圍第1或2項所述的基板燒成裝置, 其中上述架部的各層部包括··在上述上游側運送路徑和上 述下游侧運送路徑的基板運送方向上並排設置的複數個運 送辕及使該運送輥的至少一個旋轉的驅動源。 4·如申請專利範圍第3項所述的基板燒成裝置,其中 上述基板運入部和基板運出部在上述一個側壁的上下形 成’上述上游側運送路徑和上述下游側運送路徑上下配置。 38 2〇l4-7202-pF;Ahddub 1275121 •如申請專利範圍第1或2項所述的基板燒成裝置, /、’、有父接基板的基,板交接裝置,在上述上游側運适略 ^和上述基板運入運出部之間,並且在上述下游侧運送路 k和上述基板運入運出部之間配置有上述基板交接裝置, 在上述上游側運送路徑和上述架部之間,以及上述下游侧 運达路徑和上述架部之間進行基板的交接。 申3專範圍第5項所述的基板燒成裝置,其中 述上I側運廷路徑和上述下游側運送路徑配置成大致直 線狀。2014-7202-PF;Ahddub 39
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004269353A JP2006084109A (ja) | 2004-09-16 | 2004-09-16 | 基板焼成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200611300A TW200611300A (en) | 2006-04-01 |
TWI275121B true TWI275121B (en) | 2007-03-01 |
Family
ID=36162755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094120932A TWI275121B (en) | 2004-09-16 | 2005-06-23 | Substrate baking device |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006084109A (zh) |
KR (1) | KR100749005B1 (zh) |
CN (1) | CN1750219A (zh) |
TW (1) | TWI275121B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9144901B2 (en) | 2012-08-08 | 2015-09-29 | Weibing Yang | Storage device for multilayer substrate |
CN103057945B (zh) * | 2012-08-08 | 2015-07-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种多层基板存储装置 |
JP2019029102A (ja) * | 2017-07-26 | 2019-02-21 | 株式会社Screenホールディングス | 加熱装置 |
CN114963775A (zh) * | 2021-02-23 | 2022-08-30 | 安徽晨鑫维克工业科技有限公司 | 一种石墨炉内料轴对接装置 |
JP7465855B2 (ja) * | 2021-09-27 | 2024-04-11 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 加熱処理装置、搬入搬出治具、および有機膜の形成方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100405909B1 (ko) * | 1998-07-01 | 2003-11-14 | 포톤 다이나믹스, 인코포레이티드 | 대형 기판용 고속 열처리 시스템 |
JP2003165735A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-10 | Showa Mfg Co Ltd | ガラス基板用熱処理装置 |
-
2004
- 2004-09-16 JP JP2004269353A patent/JP2006084109A/ja not_active Abandoned
-
2005
- 2005-06-23 TW TW094120932A patent/TWI275121B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-07-25 CN CNA200510084932XA patent/CN1750219A/zh active Pending
- 2005-09-13 KR KR1020050085252A patent/KR100749005B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100749005B1 (ko) | 2007-08-13 |
TW200611300A (en) | 2006-04-01 |
KR20060051254A (ko) | 2006-05-19 |
CN1750219A (zh) | 2006-03-22 |
JP2006084109A (ja) | 2006-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI275121B (en) | Substrate baking device | |
JP5330721B2 (ja) | 処理装置および処理方法 | |
EP2261391A1 (en) | Processing apparatus and processing method | |
CN110468262A (zh) | 分段式连续热处理炉及物料热处理工艺 | |
CN211112112U (zh) | 分段式连续热处理炉 | |
JPH05347349A (ja) | 加熱炉におけるトレイ連続搬送装置 | |
KR100816647B1 (ko) | 인라인 타입의 큐어장치 | |
JP4776441B2 (ja) | 横型多段プレス装置の板材搬入構造及び板材搬出構造並びにそれらを用いた横型多段プレス装置 | |
JP6959677B2 (ja) | 乾燥装置 | |
JPH0712468A (ja) | 物品熱処理装置 | |
TWI524460B (zh) | 基板處理系統 | |
JP2022154856A (ja) | 連続加熱炉 | |
KR20110105017A (ko) | 간헐이송방식의 열처리로 | |
JP2002231787A (ja) | 被処理体の移載装置及び移載方法 | |
JP2009221552A (ja) | 連続真空熱処理炉 | |
JP7204970B1 (ja) | 連続加熱炉および着脱装置 | |
CN117702082B (zh) | 炉体组件、气相沉积设备、以及气相沉积方法 | |
CN217377977U (zh) | 叠层自动升降循环热处理炉生产线 | |
JP2675211B2 (ja) | 表面処理装置 | |
CN207727112U (zh) | 一种固溶炉的固溶机构 | |
JP6056079B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JPS60174818A (ja) | 搬送装置 | |
JP2519853B2 (ja) | 物品加熱装置 | |
JP3616378B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP3113822B2 (ja) | 熱処理装置の物品搬送装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |