TWI269062B - Electronic device chip assembly, electronic device chip, diffraction grating-optical modulation apparatus assembly, and diffraction grating-optical modulation apparatus - Google Patents

Description

1269062 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電子裝置-晶片集合體、電子裝置-晶片、 繞射光柵-光調變裝置集合體、以及繞射光柵-光調變裝 置。 【先前技術】 關於投影機（Projector)與印表機（printer)等之圖像形成裝 置，藉由一邊利用光掃描機構掃描來自一次元（〇ne_ dimensional)之圖像顯示裝置之光束，一邊投影於圖像形 成機構而形成二次元（Two-dimensional)圖像之裝置，例如 從特許第3401250號專利與特許第3164824號專利係眾所周 知。此一次元之圖像顯示裝置係複數之繞射光柵-光調變 元件（GLV : Grating Light Valve)被排列成一次元之矩陣狀 而成。再者，此一次元之圖像顯示裝置稱為繞射光柵-光 調變裝置。繞射光栅-光調變元件係應用微機器 (Micromachine)製造技術所製造，包含反射型之繞射光 柵，具有光交換（Optical switching)作用，藉由將光之開啟 (On)/關閉（Off)控制進行電氣式控制而顯示圖像。意即， 繞射光栅-光調變裝置係利用掃描鏡（Scanning mirror)掃描 從每一個繞射光柵-光調變元件所射出之光線而得到二次 兀圖像。>1足而’為顯不由XN(例如1920χ 1080)之像 (Pixel)所構成之二次元圖像，若由n個（=1080個）之繞射光 拇光调變元件構成繞射光拇-光調變裝置即可。再者，為 了彩色顯示，若使用3個之繞射光柵-光調變裝置即可。 103234.doc 1269062 么么將構成繞射光拇-光調 電極21、可動電極22等之 者，關於圖6，為明白揭示 動電極22、支撐部14、15、 變元件1 0之下部電極12、固定 配置模式性地揭示於圖6。再 下部電極12、固定電極2 1、可 1 7、1 8，於其上附加斜線。 此繞射光柵-光調變元件10係包含下部電極12、帶狀 (Ribbon狀）之固定電極21、以及帶狀（以以⑽狀）之可動電 極22。下部電極12係形成於支撐體丨丨上。此外，固定電極 21係受到支撐部14、15之支撐，而被支撐、架設於下部電 極12之上方。再者，可動電極22係受到支撐部17、18之支 撐，而被支撐、架設於下部電極12之上方，且與固定電極 21相對並列。關於該圖所揭示之實例，丨個之繞射光柵-光 調變元件10係由3條之固定電極21與3條之可動電極U所構 成。3條之可動電極22係一併被連接於控制電極，而控制 電極係被連接於圖中未揭示之連接端子部。另一方面，3 條之口疋電極21係一併被連接於偏壓（Bias)電極。偏壓電 極係複數之繞射光柵_光調變元件丨〇所共用，並經由圖中 所未揭示之偏壓電極端子部而接地（Earth)。下部電極12亦 係複數之繞射光栅-光調變元件1〇所共用，並經由圖中所 未揭示之下部電極端子部而接地。 若經由連接端子部、控制電極施加電壓至可動電極22， 且施加電壓至下部電極12(實際上，下部電極12係於接地 狀態），則於可動電極22與下部電極12之間會產生靜電力 (庫倫力；Coulomb force)。而且，藉由此靜電力，可動電 極22會朝向下部電極丨2位移至下方。再者，茲將可動電極 103234.doc 1269062 22之位移前之狀態揭示於圖7之（A)以及圖10(B)之左側， 位移後之狀態揭示於圖1〇之（A)以及圖1〇(Β)之右側。而 且’基於此種可動電極22之位移，藉由可動電極22與固定 電極21，而形成反射型之繞射光栅。 此處’若將鄰接之固定電極21之間之距離訂為d(參照圖 10之（B)) ’入射至可動電極22以及固定電極21之光線（入射 角·· D之波長訂為λ，繞射角訂為em，則能夠以（1|>丨11(0〇-sin(0m)]=m · λ表示。此處，m係次數，取 〇、士1、土2 · · · 之數值。 而且’可動電極22之頂面與固定電極21之頂面之高度之 差Μ〆參照圖1〇之⑺”為以⑷時，繞射光之光強度變成最 大之數值。 兹將包含3個之此種繞射光柵-光調變裝置之圖像形成裝 置之概念圖揭示於圖11。意即，此圖像形成裝置包含：射 出光之3原色之紅色光（為雷射光，以點線表示）、綠色光 (為雷射光，以實線表示）、藍色光（為雷射光，以點虛線表 示）之光源100R、100G、100Β，會聚從此等之光源l〇〇R、 100G、100Β所射出之光線之集光透鏡（c〇ndenser lens)(圖 中未揭示），通過此等之集光透鏡之各色所入射之繞射光 柵-光調變裝置101R、101G、101B，從繞射光栅-光調變裝 置101R、101G、101B所射出之光線被入射而集中成一條 之光束之L型稜鏡（Prism) 102，被集中之3原色之光線所通 過之透鏡（Lens)103以及空間濾波器（Spatial ，使 通過空間濾波器1 04之一條之光束成像之成像透鏡（imaging 103234.doc 1269062 lens)(圖中未揭示），掃描通過成像透鏡之一條之光束之掃 描鏡（Scanning mirror) 1 05，以及投射利用掃描鏡1 05所掃 描之光線之螢幕（Sere en) 106。 此種圖像形成裴置，可動電極22係在圖7之（A)以及圖 10(B)之左側所揭示之狀態之繞射光柵-光調變元件1〇之不 動作時，經可動電極22以及固定電極2 1之頂面所反射之光 線會被空間濾波器104遮斷。另一方面，可動電極22係在 圖10之（A)以及圖ι〇(Β)之右側所揭示之狀態之繞射光柵-光 調變元件10之動作時，經可動電極22以及固定電極21繞射 士1次（m=±l)之繞射光會通過空間濾波器104。藉由作成此 種構造，能夠控制為投影於螢幕106之光線之開啟（〇n)/關 閉（Off)控制。此外，藉由使施加於可動電極22之電壓產生 變化’能夠使可動電極22之頂面與固定電極21之頂面之高 度之差Ah〗產生變化。其結果，使繞射光之強度產生變 化，能夠進行色調控制。 由於可動電極22其尺寸非常小，因此，關於繞射光栅_ 光調變裝置，高解析度（Resolution)、高速之交換 (Switching)動作、以及寬廣之頻寬（Bandwidth)之顯示變成 可能。再者，由於能夠利用低施加電壓使之動作，因此， 實現非常小型化之圖像形成裝置係可預期的。此外，此種 圖像形成裝置與一般之二次元圖像形成裝置，例如使用液 曰曰面板等之投射型顯示裝置相比較，由於利用掃描鏡i〇5 進订掃描’因此，極為流暢且自然圖像表現變為可能。而 且，由於將3原色之紅色、綠色、藍色之雷射當作光源而 103234.doc 1269062 混合此等之光線，因此，具有能夠表現極為寬廣、自然之 色彩再現（Color reproduction)範圍之圖像之以往所沒有之 優越顯示性能。 [專利文獻1]特許第3401250號公報 [專利文獻2]特許第3164824號公報 [發明所欲解決之問題] 然而，繞射光栅-光調變元件具有難以處理靜電之弱 點。 例如，現狀下，僅因起因於靜電之22伏特（v〇lt)程度之 電位差施加於可動電極22與下部電極12之間，有些情形會 於繞射光栅-光調變元件發生損壞。意即，若此種電位差 施加於可動電極22與下部電極12之間，則會發生跳下現象 與跳上現象。此處’所謂跳下現象係指可動電極22與下部 電極12接觸，而無法返回圖7(A)所揭示之狀態，或下部電 極12之電荷被轉寫至可動電極22，繞射光柵-光調變元件 之動作再現性因而受到損壞之現象。此外，跳上現象係指 父互排列之可動電極22與固定電極21由於靜電而吸附，或 於可動電極22與固定電極21之間發生放電，最差之情形， 可動電極22與固定電極21變成一種被溶接（WeMing)之狀 態，可動電極22與固定電極21因而切斷之現象。 關於繞射光柵-光調變元件，其製造時，可動電極22係 、4成浮動（Floating)狀態，而且，繞射光栅-光調變元件具 有極高之阻抗（Impedance)，而且為低容量。因此，即使僅 有微小之電荷流入可動電極22，極有發生跳下現象與跳上 103234.doc -10- 1269062 現象之虞。繞射光柵-光調變裝置被連接於外部之驅動電 路等之周邊電路之狀態下，（意即，可動電極22為非浮動 狀態之情形），由於藉由周邊電路所包含之保護電路等而 受到保護’因此不易發生跳下現象與跳上現象。 關於繞射光柵-光調變裝置之製造，由多數之繞射光柵_ 光調變裝置所組成之繞射光栅-光調變裝置集合體係例如 被形成於由矽（Silicon)半導體基板所組成之基板之表面， _ 然後’利用切割（Dicing)切斷成個別之繞射光柵-光調變裝 置。而且，此種繞射光栅-光調變裝置之製造時，由於基 板之磨擦所產生之靜電流入可動電極22之結果，有些情形 會於繞射光桃-光調變元件發生損壞。 然而’截至現在為止，用於有效地防止此種繞射光柵_ ^ 光調變元件由於靜電而受到損壞之情形之適當、或有效之 機構尚未為吾人所知。 因此，本發明之目的在於提供包含用於確實地防止此種 φ 繞射光柵-光調變元件由於靜電而受到損壞之情形之機構 之繞射光栅-光調變裝置或繞射光柵_光調變裝置集合體， 廣而言之，係提供包含用於確實地防止由於靜電所致生之 損壞之機構之電子裝置-晶片或電子裝置·晶片集合體。 【發明内容】 為達成上述之目的之本發明之電子裝置_晶片集合體係 包含形成於基板之表面之複數之電子裝置_晶片之電子裝 置-晶片集合體；其特徵為各電子裝置_晶片包含為與外部 電路之電性連接所設置，露出於外部之連接端子部，且各 103234.doc 1269062 電子裝置-晶片進一步包含圍繞連接端子部之保護電極。 、為達成上述之目的之本發明之電子裝置_晶片，其特徵 =包含形成於支撐體之表面，為與外部電路之電性連接所 ☆ 路出於外部之連接端子部，且進-步包含圍繞連接 端子部之保護電極。 關於本發明之電子裝置·晶片集合體或電子裝置_晶片， 保護電極主要係用於防止於基板(本發明之電子裝置-晶月 集合體）或支樓體（本發明之電子裝置·晶片）之表面及/或背 面發生之靜電從連接端子部往電子裝置·晶片侵入而備 置0 關於本發明之電子裝置-晶片集合體或電子裝置_晶片， 保護電極_設計成處於浮㈣態（意即，未被連接於對 於電子裝置·晶片造成料之類之t氣端子 被接地）之構造。 乂木 ，為達成上述之目的之關於本發明之第1之態樣之繞射光 柵-光調變裝置集合體，其係包含： (A)下部電極； 方之帶狀之固定電極、； 方之與固定電極相對並列 之 (B) 被支撐於下部電極之上 (C) 被支撐於下部電極之上 帶狀之可動電極；以及 (D)為與外部電路之電性連接所設置，恭 、 路出於外部，且 電氣式地連接於可動電極之連接端子部， ^ °|，且係 由複數之包含複數之利用經由連接戚 接碥子°卩，且基於來自 外部電路之對於可動電極之電壓之施加、 从及對於下部電 103234.doc -12- 1269062 極之電壓之施加所發生之於可動電極與下部電極之間發生 作用之靜電力，可動電極會朝向下部電極而位移之原理， 而精由可動電極與固定電極形成有繞射光柵之繞射光柵·光 調變元件之繞射光柵·光調變裝置於基板之表面所形成者； 其特徵為：各繞射光柵-光調變裝置進一步包含圍繞連接 端子部之保護電極。 為達成上述之目的之關於本發明之第1之態樣之繞射光 栅-光調變裝置，其係包含·· • (A)下部電極； (B)被支撐於下部電極之上方之帶狀之固定電極； ^ (C)被支撐於下部電極之上方之與固定電極相對並列之 帶狀之可動電極；以及 (D)為與外部電路之電性連接所設置，露出於外部，且 電氣式地連接於可動電極之連接端子部，且係 由複數之利用經由連接端子部，且基於來自外部電路之 φ 對於勺動電極之電壓之施加、以及對於下部電極之電壓之 施加所發生之於可動電極與下部電極之間發生作用之靜電 力’可動電極會朝向下部電極而位移之原理，而藉由可動 電極與固定電極形成有繞射光栅之繞射光栅-光調變元件於 支撐體之表面所形成者； 其特徵為··進一步包含圍繞連接端子部之保護電極。 為達成上述之目的之關於本發明之第2之態樣之繞射光 栅-光調變裝置集合體，其係包含·· (A)下部電極； 103234.doc -13- 1269062 (B)被支撐於下部電極之上方之帶狀之固定電極； (c)被支撐於下部電極之上方之與固定電極相對並列之 帶狀之可動電極；以及 (D)為與外部電路之電性連接所設置，露出於外部，且 電氣式地連接於可動電極之連接端子部，且係 由複數之包含複數之利用經由連接端子部，且基於來自 外部電路之對於可動電極之電壓之施加、以及對於下部電 極之電壓之施加所發生之於可動電極與下部電極之間發生 作用之靜電力，可動電極會朝向下部電極而位移之原理， 而藉由可動電極與固定電極形成有繞射光栅之繞射光柵_光 調變元件之繞射光柵-光調變裝置於基板之表面所形成者·， 其特徵為：於各繞射光柵·光調變裝置之外周部，設置 有保護電極。 為達成上述之目的之關於本發明之第2之態樣之繞射光 柵-光調變裝置，其係包含： (A) 下部電極； (B) 被支撐於下部電極之上方之帶狀之固定電極； (C) 被支撐於下部電極之上方之與固定電極相對並列之 帶狀之可動電極；以及 (D) 為與外部電路之電性連接所設置，露出於外部，且 電氣式地連接於可動電極之連接端子部，且係 由複數之利用經由連接端子部，且基於來自外部電路之 對於可動電極之電壓之施加、以及對於下部電極之電壓之 施加所發生之於可動電極與下部電極之間發生作用之靜電 103234.doc 14 1269062 可動電極會朝向下部電極而位移之原理，而藉由可動 電極與固定雷 , 〃 ¥極形成有繞射光柵之繞射光栅-光調變元件於 支撐體之表面所形成者； 其特徵為：於支撐體之外周部，設置有保護電極。 ^ ;本^明之第1之態樣、第2之態樣之繞射光栅·光調變 裝置集合體、或關於本發明之第i之態樣、第2之態樣之繞 光調變裝置（以下’有些情形會將此等總稱為本發

明之繞射光柵-光調變裝置集合體等）之可動電極以及固定 例如，能夠應用微機器（Micro machine)技術加以製 作，藉Μ自電極與固冑電極所形成之繞射光栅係包含所 謂反射型繞射光栅。 關於本發明之繞射光栅-光調變裝置集合體等，保護電 極主要係用於防止於基板(本發明之繞射光栅_光調變裝置 集合體）或支撐體（本發明之繞射光柵_光調變裝置）之表面 及/或背面發生之靜電從連接端子部往可動電極侵入而 置。 關於本發明之繞射光栅-光調變裝置集合體等，保護電 極能夠設計成處於浮動狀態（意即，未被連接於對於繞射 光栅-光調變裝置造成影響之類之電氣端子與電源，或未 被接地）之構造。或者，保護電極能夠設計成被連接於且 有較連接端子部更大之面積之導體部分之構造。更具體= 之，保護電極能夠設計成被連接於下部電極之構造，或 者，能夠設計成構成繞射光柵-光調變元件之固定電極係 被連接於各繞射光柵-光調變元件所共用之偏壓電極，而 103234.doc -15- 1269062 且’保言蒦電極係被連接於錢電極之構造。㈣，具朴 連接端子部更大之面積之導體部分(例如，下部電極盘： 壓電極）與從連接端子部至可動電極為止之線之間， 靜電容量（換言之，與從連接端子部至可動電極為止:線 之間可形成-種之電容器（conde叫）之導體部分。 此處，所謂本發明之電子裝置-晶片集合體，係複數之 電子裝置-晶片被排列成二次元矩陣狀者，藉由將電子裝 置·晶片集合體加以切斷、分離，能夠得到個別之電子裝 置-晶片。此處，作為電子裝置-晶片’不僅是繞射光拇4 調變裝置’尚能夠舉出IC(積體電路；Integmed 士㈣）& MEMSC^^ t ^ ； Micro Electro Mechanical Systems) ^ 數位微型反射鏡裝置（DMD ; Digital mi⑽偷阶device 此外，所謂本發明之繞射光柵_光調變裝置集合體，係複 數之繞射光柵-光調變裝置被排列成二次元矩陣狀者，藉 亡將繞射光柵-光調變裝置集合體加以切斷、分離，㈣ 得到個別之繞射光柵·光調變裝置。再者，有些情形將構 成1個之繞射光栅-光調變裝置之複數之繞射光柵-光調變元 件集合之部分稱為繞射光柵_光調變裝置本體部。 作為構成本發明之電子裝置·晶片集合體與關於本發明 之第1之態樣、第2之態樣之繞射光柵_光調變裝置集合體 之基板、以及本發明之電子裝置·晶片、關於本發明之第ι 之態樣、第2之態樣之繞射光柵·光調變裝置之支撐體之材 料，能夠揭示矽半導體基板為例。 此處，基板與支撐體之差異在於形成有多數之電子裝 103234.doc -16- 1269062 置-晶^ 曰曰乃&夕數之繞射光柵-光調變裝置者為基板，而形成 有1個之電子裝置-晶片或1個之繞射光栅-光調變裝置者為 牙瓶。換言之，基板係藉由個別地切斷而變成支撐體。 作為構成本發明之繞射光柵-光調變裝置集合體等之下 4電極、偏壓電極之材料，能夠揭示選自由鋁（A1)、鈦 (Tl)、金（Au)、銀（Ag)、鎢（W)、鈮（Nb)、组（Ta)、鉬 (M〇)、鉻（Cr)、銅（cu)、鎳（Ni)、鈷（Co)、锆（Zr)、鐵 (Fe)、麵（Pt)、以及鋅（Zn)所組成之群之至少1種類之金 屬’包含此等之金屬元素之合金或化合物（例如TiN等之氮 化物、與WSi2、M〇Si2、TiSi2、TaSi2等之矽化物 (Slllcide))，矽（Si)等之半導體，以及ITO(銦（Indium)錫氧 化物）、氧化銦（Indium)、氧化鋅等之導電性金屬氧化物為 例。為製作下部電極與偏壓電極，利用化學氣相沉積 (CVD)法、濺鍍（Sputtering)法、蒸鍍（Evaporation)法、剝 離（Liftoff)法、離子鍍膜（i〇n plating)法、電解鏟膜 (Electrolytic plating)法、無電解鍍膜法、螢幕（Screen)印 刷法、雷射剝蝕（Laser ablation)法、溶膠凝膠（s〇l-gel)法 等公眾周知之薄膜形成技術，將包含上述之構成材料形成 於基板（支撐體）之表面即可。 此外，本發明之繞射光柵-光調變裝置集合體等之固定 電極、可動電極由光反射層（上層）與電介質材料層（下層） 之2層構造形成之較為理想，具體言之，例如，能夠由A1 層（上層）與SiN層（下層）之層疊構造、A1層（上層）與以〇2層 (下層）之層疊構造、添加Si之A1層（上層）與SiN層（下層）之 103234.doc -17- 1269062 層疊構造、添加Si之A1層（上層）與Si〇2層（下層）之層疊構 、添加Cu之A1層（上層）與siN層（下層）之層疊構造（關於 Cu之添加率，能夠以〇1重量％乃至5重量％為例，於以下 之說明亦相同）、添加（^之八丨層（上層）與Si〇2層（下層）之層 $構造、一氧化鈦層（上層）與3丨；^層（下層）之層疊構造、二 氧化欽層（上層）與Si〇2層（下層）之層疊構造以構成之。再 者，亦得將下層作成層與層之2層構造。 I 再者，關於本發明之繞射光栅-光調變裝置集合體等， 用於支撐固定電極之支撐部由固定電極之延伸部構成之較 為理想，此外，，用於支撐可動電極之支撐部由可動電極之 延伸部構成之較為理想。 本發明之繞射光柵-光調變裝置集合體等中，關於下部 電極之頂面與固定電極之頂面之高度之差AhG，能夠揭示 3·〇Χΐ〇 (m)乃至 ι·5χ10-6 (m)，較為理想為 4 5χΐ〇-7 (瓜）乃 至1·2χ1〇6 (m)為例。此外，繞射光栅-光調變元件之不動 φ 作時惑動電極之頂面與固定電極之頂面之高度之差希望 儘可旎接近於〇。再者，繞射光柵·光調變元件之動作時之 可動電極之頂面與較電極之頂面之高度之差—可動電 極之往下方之位移量）之最大值，將往繞射光柵-光 调變凡件或繞射光栅-光調變裝置之入射光之波長訂為λ 寺希望滿足λΜ S 。此外，Δ1ΐΐ ΜΑχ與Δ1ι〇之關係希 望滿^ $ (Δ1ΐ()/3)。再者，藉由使施加於可動電極 之電壓產生變化，能夠使可動電極之頂面與固定電極之頂 面之同度之差Ah!(可動電極之往下方之位移量）產生變化。 103234.doc -18 - 1269062 而且’如此一來’由於能夠使繞射光之強度產生變化，因 此，能夠進行色調控制。 關於本發明之繞射光柵-光調變裝置集合體等，鄰接之 固定電極之間之距離d雖並非限定者，但希望係i χ 1(K6(m) 乃至2x10 (m)，較為理想為2χΐ〇·6 (m)乃至1χ1〇·5 (m)。再 者，存在於鄰接之固定電極與可動電極之間之空隙^個

之繞射光柵-光調變元件内之空隙、鄰接之繞射光柵-光調 變元件間之空隙之兩者）雖非限定者，但希望係i χ i(r7(m) 乃至：乂⑺一⑽卜較為理想為仏⑺-^叫乃至以丨^⑼^此 外j關於固定電極之寬度WF雖非限定者，但能夠揭示ΐ χ 10 (m)乃至 1x10 5 (m)，較為理想為 2χ1〇·6 (m)乃至 (m)為例，關於固定電極之有效長度Lf雖非限定者，但能 夠揭示2ΧΗΓ5 (m)乃至5χ10·4 (m)，較為理想為ΐχΐ〇-4 (⑷乃 至3χ1〇-4 (m)為例。另一方面，關於可動電極之寬度雖 非限定者，但能夠揭示lxl0-6(m)乃至lxl〇.5(m)，較為理

想為2X10·6 (m)乃至5xl〇-6㈤為例，再者，與固定電極之 寬度WF相等更為理想。又，關於可動電極之有效長度^ 雖非限定者，但能夠揭示2xl(r5(m)乃至5xl(r4(m)，較為M 理想為1XH)·4 (m)乃至3χ10·4 (m)為例。再者，所謂固定電 極之有效長度LF與可動電極之有效長度^，意指於固定電 極與可動電極係藉由支撐部所支撐之構造中，支撐部與支 撐部之間之固定電極之部分以及可動電極之部分之長产。 再者，關於本發明之繞射光栅-光調變裝置集合體=， 構成1個之繞射光柵-光調變元件之固定電極與可動電極之 103234.doc -19- 1269062 個別夕►叙θ 里’以一條之固定電極與一條之可動電極當作1 組之情形，最低，1組即可，雖非限定者，但最大，能夠 牛出3"且。此外’繞射光栅-光調變裝置之複數之繞射光柵_ 光凋變7L件之配置狀態，設計成一次元矩陣狀即可。意 I5 /〇著與固定電極以及可動電極之軸線方向成直角之方 向，並列構成複數之繞射光柵_光調變元件之固定電極以 可動電極即可。繞射光柵-光調變元件之數量，基於圖 像示政置所要求之像素數而決定即可。 作為構成本發明之電子裝置·晶片集合體、本發明之電 子裝置·晶片、關於本發明之第1之態樣或第2之態樣之繞 射光栅-光調變裝置集合體、關於本發明之第1之態樣或第 2之態樣之繞射光柵光調變裝置（以下，有些情形僅將此等 總稱為本發明)之連接端子部以及保護電極，以及用於將 本發明之繞射光柵-光調變裝置集合體等之連接端子部以 及可動電極電氣式地加以連接之控制電極之材料’既能夠 揭不上述之構成下部電極與偏屢電極之材料為例，而且， 料部、保護電極、控制電極之形成方法，亦設計成 ^可二I部電極與偏歷電極之形成方法同樣之形成方法 σ 再者，既能夠同時地形成下 妓# 2 * 卜σ卩電極、偏壓電極、連 而邛、保護電極、以及控制電極，而 任一 β Α π + 电棧，而且，亦能夠利用 1 之組合同時地形成此等 邱,. 4種類之電極與連接端子 心此外，關於膜厚，亦能夠另外使其變厚。 關於本發明，連接端子部之 形、0 AI+ 十面形狀旎夠設計成正方 φ 包含長方形之矩形、多負形、冋/ J 囡形、橢圓形等任意之 I03234.doc -20- 1269062 形狀。複數之連接端子部既得配製成】列，亦得配製成格 子狀且多階段（例如2階段）。 作為本發明之電子裝置-晶片集合體、本發明之電子裝 片關於本發明之第1之態樣之繞射光柵-光調變裝置 N 或關於本發明之第1之態樣之繞射光柵-光調變裝 置之保護電極之平面形狀，能夠舉出保護電極於與連接端 子部設置有一定之間隔之狀態下圍繞連接端子部之類之形 狀。而且，此種情形，能夠舉出 (1) 對於1個之連接端子部設置i個之保護電極，而且，將 此專之保5蒦電極電氣式地相互地連接之形態； (2) 對於複數之連接端子部設置i個之保護電極，而且， 將此等之保護電極電氣式地相互地連接之形態； (3) 對於所有之連接端子部設置丨個之保護電極之形態。 再者，保護電極於與連接端子部設置有一定之間隔之狀態 下圍繞連接端子部之形狀之情形，既能夠設計成保護電極 係於除了連接端子部與控制電極之連接部份以外之連接端 子部之接近全周圍圍繞連接端子部之構造，亦能夠設計成 保濩電極係於連接端子部之一部分之周圍圍繞連接端子部 之構造。 此外’關於本發明之第2之態樣之繞射光柵-光調變裝置 集合體、或關於本發明之第2之態樣之繞射光柵_光調變裝 置之保護電極之平面形狀，能夠舉出保護電極於與繞射光 柵-光凋變裝置本體部設置有一定之間隔之狀態下圍繞繞 射光栅-光調變裝置本體部之類之形狀。而且，此種情 103234.doc -21- 1269062 形，既能夠設計成保護電極係於繞射光柵-光調變裝置本 體部之全周圍圍繞繞射光柵-光調變裝置本體部之構造， 亦能夠設計成保護電極係於繞射光柵-光調變裝置本體部 之一部分之周圍（例如，全周圍之1/2)圍繞繞射光栅-光調 變裝置本體部之構造。此外，既得為保護電極於與繞射光 柵-光凋變裝置本體部設置有一定之間隔之狀態下，單層 地圍繞繞射光柵-光調變裝置本體部之類之形狀，亦能夠 設計成多層地（例如雙層）圍繞之類之形狀（限於電氣式地相 互地連接）。 關於本發明之繞射光棚-光調變裝置集合體等，保護電 極既得直接連接於下部電極，亦得經由電阻器（Resist〇r)而 連接。此外，保護電極既得直接連接於偏壓電極，亦得經 由電阻器而連接。 關於本發明之繞射光柵-光調變裝置集合體等，可動電 極之頂面以及固定電極之頂面既得與下部電極之頂面平 行，亦得夠設計成對於下部電極之頂面僅傾斜炫耀角 (Blaze angle) 0D之炫耀（Blaze)型，例如僅射出+1次之繞射 光之構造。 [發明之效果] 本叙明中，由於備置有圍繞連接端子部之保護電極，或 者，於支撐體與繞射光栅_光調變裝置之外周部，設置有 保護電極，因此，能夠確實地防止靜電從連接端子部往内 部侵入，且能夠確實地防止於電子裝置_晶片與繞射光柵_ 光調變裝置（繞射光栅-光調變元件）發生損傷，或電子裝 103234.doc -22- 1269062 置-晶片與繞射光柵-光調變裝置（繞射光柵-光調變元件）受 到損壞之情形。其結果，能夠使電子裝置-晶片與繞射光 柵-光調變裝置安定，且以高良率製造。 【實施方式】 以下，參照圖式，基於實施例說明本發明。 [實施例1] 實施例1係關於本發明之電子裝置-晶片集合體、本發明 之電子裝置-晶片、關於本發明之第1之態樣之繞射光栅·光 調變裝置集合體、以及關於本發明之第1之態樣之繞射光 柵-光調變裝置。 此外，關於實施例1〜實施例4，電子裝置·晶片集合體相 當於繞射光柵-光調變裝置集合體，電子裝置-晶片相當於 繞射光桃-光调變裝置。因此’關於以下之說明，係專就 繞射光柵-光調變裝置集合體以及繞射光柵-光調變裝置進 行說明。 茲將實施例1之繞射光栅-光調變裝置1之概念圖揭示於 圖1之（A)。再者，於圖i之（A)〜(c)、或後述之圖2之 (A)〜（C)、圖3之（A)〜（〇、圖4之（A)〜(C)中，為明白揭示 連接端子部3 0、保護電極4 0，於其上附加斜線。 此繞射光柵-光調變裝置1係由複數（例如丨〇8〇個）之繞射 光柵-光調變元件1 〇所構成。茲將構成繞射光栅_光調變元 件10之下部電極12、固定電極21、可動電極22之配置模式 性地揭示於圖6。此外，將沿著圖6之箭號a_a之可動電極 22等之模式性剖面圖揭示於圖7之（A)〜（C)、以及圖1 〇之 103234.doc -23- 1269062 (A)。再者，於圖7之（A)以及圖ι〇之（A)，係揭示可動電極 22之中央部份，於圖7之（B)以及圖7之（c),係分別揭示圖6 所示之可動電極22之左侧之區域以及右侧之區域。此處， 於圖7之（A)〜(C)，係揭示繞射光栅-光調變元件1〇非動作之 狀悲’於圖10之（A)，係揭示繞射光柵-光調變元件} 〇動作 之狀態。此外，將沿著圖6之箭號B_B之固定電極21等之模 式性剖面圖揭示於圖8之（A)〜(c)。再者，於圖8之（八），係 揭示固定電極21之中央部份，於圖8之（3)以及圖8之（(：）， 係分別揭示圖6所示之固定電極21之左側之區域以及右側 之區域。此外，將固定電極21、可動電極22、偏壓電極 13、控制電極16之配置模式性地揭示於圖9。再者，將沿 著圖6之箭號C-C之下部電極12、固定電極21、可動電極22 等之模式性剖面圖揭示於圖1〇之（]5)。此外，圖1〇之（" 中，圖面右側之繞射光柵_光調變元件10係揭示動作之狀 態，圖面左側之繞射光栅_光調變元件1〇係揭示非動作之 狀態。圖6以及圖9中，為明白揭示下部電極i2、固定電極 21、可動電極22、偏壓電極13、控制電極16、支撐部14、 15、1 7、18，於其上附加斜線。 繞射光栅-光調變元件10包含下部電極12、固定電極 21、可動電極22、以及連接端子部3〇，且進一步包含保護 電極40。 包含摻雜（Doping)有雜質之多晶矽（p〇lysilic〇n)之下部電 極12係形成於由矽半導體基板所組成之支撐體11之表面。 此外，於下部電極12之表面形成有包含Si02之保護絕緣膜 103234.doc -24- 1269062 50，以便形成固定電極21以及可動電極22時，於下部電極 12不會發生損傷。再者，於圖6、圖7之（A)、圖8之（A)、 圖9、圖10之（A)、（B)，省略保護絕緣膜50之圖示。此 外，帶狀（Ribbon狀）之固定電極21係被支撐、架設於下部 電極12之上方，具體言之，係受到固定電極21之延伸部之 支撐部14、15之支撐。再者，帶狀（Ribb〇n狀）之可動電極 22係被支撐、架設於下部電極12之上方，具體言之，係受 到可動電極22之延伸部之支撐部17、18之支撐。固定電極 21以及可動電極2具有包含添加以之…之光反射層（上 層）55與包含SiN之電介質材料層（下層）54之層疊構造（(^之 添加率：0·5重量％)。此外，圖7之⑷、圖8之⑷、圖 之（Α)、圖10之（Β)中，將固定電極21以及可動電極22以一 層表示。 此外，平面形狀為長方形，藉由於摻雜有雜質之多晶矽 層上形成Α1膜所構成之連接端子部3〇,係為與驅動電=等 之外部電路（圖中未揭示）之電性連接所設置，露出於外 部，且電氣式地連接於可動電極22。具體言之，於實施例 1，繞射光栅-光調變元件10係自3條之固定電極21與3條之 可動電極22所構成。3條之可動電極22係分別經由設置於 連接部5丨之連接孔56而被集巾，且被連接於包知膜之控 制電極！6’而控制電極16係被連接料接端子㈣。另一 m◎定電極21 ’係分別經由設置於連接部^之 連接孔56而被集中，且被連接於包含A!膜之偏麼電極13。 偏塵電極13係複數之繞射光栅_光調變元件⑺所共用，並 103234.doc -25- 1269062 經由偏壓電極13之延伸部之偏壓電極端子部13A而被連接 於驅動電路等之外部電路，且接地。下部電極12亦係複數 之繞射光柵-光調變元件10所共用，並經由下部電極12之 延伸部之下部電極端子部丨2 a而被連接於驅動電路等之外 部電路，且接地。 而且，利用經由連接端子部30，基於來自外部電路之對 於可動電極22之電壓之施加、以及對於下部電極I)之電壓 之施加而發生之於可動電極22與下部電極12之間發生作用 之靜電力（庫倫力），可動電極22會朝向下部電極12而位 移。意即’若從外部電路經由連接端子部3〇、控制電極 1 6，施加電壓至可動電極22，而且，從外部電路經由下部 電極端子部12A，施加電壓至下部電極12(實際上，下部電 極12係處於接地狀態），則於可動電極22與下部電極丨2之 間會發生靜電力（庫倫力）。而且，由於該靜電力，可動電 極22會朝向下部電極12而位移。再者，將可動電極22之位 移前之狀態揭示於圖7之〜（c)以及圖i〇(B)之左側，位移 後之狀態揭示於圖10之（八）以及圖1〇(Β)之右側。而且，基 於此種可動電極22之位移，藉由可動電極22與固定電極 2 1 ’而形成反射型之繞射光柵。 此外’實施例1之繞射光柵-光調變裝置集合體，如同於 圖5所不之模式圖，係由複數之以上所說明之繞射光栅-光 調變裝置1形成於由矽半導體基板所組成之基板丨丨A之表面 而成。再者，圖5中，以點線表示切割線（Dicing line)。此 處’所謂繞射光柵-光調變裝置集合體，係由複數之繞射 103234.doc -26- 1269062 光栅-光調變裝詈1m ς & - 、木^ =,， 衣直1如圖5所不，被排列成二次元矩陣狀 者藉由將繞射光栅-光調變裝置集合體加以切斷、分 離，旎夠彳于到個別之繞射光柵-光調變裝置1。再者，繞射 光柵-光調變裝置丨雖係由複數之繞射光柵_光調變元件丨❶於 支撐體11之表面所形成，但是，1個之繞射光栅-光調變裝 置1之複數之繞射光柵-光調變元件10之配置狀態係一次元 矩陣狀。具體言之，複數（例如1080個）之構成繞射光柵_光 凋變元件10之固定電極21以及可動電極22係沿著與固定電 極21以及可動電極22之軸線方向（χ軸方向）成直角之方向 (Y軸方向）而被並列。固定電極21以及可動電極22之總計 為1080χ6(條）。此外，連接端子部3〇之數量為1〇8〇個。此 處’將構成1個之繞射光柵-光調變裝置1之複數之繞射光 柵-光凋變元件集合之部分稱為繞射光柵_光調變裝置本體 部2 〇 再者’繞射光栅-光調變裝置本體部2，係被圖中未揭示 之在、封（Seal)構件所圍繞，玻璃（Giass)板3係被固定於密封 構件之頂面。於密封構件之外側之區域，設置有連接端子 4 3〇、保護電極40、下部電極端子部12A、偏壓電極端子 部13A。由密封構件與玻璃板3所包圍之繞射光栅-光調變 農置本體部2係變成氣密狀態。此外，控制電極16係延伸 於密封構件與支撐體11(或基板11A)之間，視密封構件而 定’控制電極16與控制電極16係變成不短路（Short)之構造 (例如’控制電極16係由絕緣材料所覆蓋之構造）。 再者’後述之實施例2〜實施例4之繞射光栅-光調變裝 l〇3234.do, •27- 1269062 置、繞射光柵-光調變裝置集合體、電子裝置-晶片、電子 裝置-晶片集合體，除了保護電極之構成、構造之外，實 質上’與以上說明之繞射光栅-光調變裝置1、繞射光栅·光 調變裝置集合體、電子裝置-晶片、電子裝置-晶片集合 體，具有相同構成、構造。此外，後述之實施例2〜實施例 4之繞射光栅-光調變裝置（繞射光柵-光調變元件）之動作原 理’亦與以上說明之繞射光栅-光調變裝置1(繞射光柵-光 調變元件10)具有相同之動作原理。 而且，實施例1之繞射光柵-光調變裝置1中，進一步備 置有圍繞連接端子部30之保護電極40。再者，保護電極4〇 主要係為防止於基板11A或支撐體11之表面及/或背面發生 之靜電從連接端子部30往可動電極22侵入而備置。此種靜 電係於例如繞射光柵·光調變裝置集合體與徺射光柵_光調 變裝置之搬運時或輸送時產生。或者，於切斷、分離繞射 光栅-光調變裝置集合體之際，於基板11A之背面預先貼合 切割膠带（Dicing tape)(薄膜Film)，切斷後，雖將切割膠帶 剝除’但於此切割膠帶之剝除時，容易發生靜電。 實施例1中，保護電極40係處於浮動狀態。意即，保護 電極40並未電氣式地被連接於構成繞射光柵_光調變裝置 (或電子裝置-晶片）之任一個部位。保護電極4〇係由與連接 端子部30相同之材料所組成。 而且，貫施例1中，保護電極4〇之平面形狀，係保護電 極40於與連接端子部30設置有一定之間隔之狀態下圍繞連 接端子部30之類之形狀。具體言之，係設計成對於1個之 103234.doc -28- 1269062 連接端子部30設置1個之保護電極4〇，而且，將此等之保 護電極40電氣式地相互連接之型態。再者，保護電極4〇係 於除了連接端子部30與控制電極1 6之連接部份以外之連接 端子部30之接近全周圍圍繞連接端子部3〇。 實施例1之電子裝置-晶片包含形成於支撐體丨丨之表面， 為與外部電路（圖中未揭示）之電性連接所設置，露出於外 部之連接端子部30，而且，包含，圍繞連接端子部3〇之保 護電極40。此外，實施例！之電子裝置_晶片集合體係由此 種複數之電子裝置-晶片所組成之電子裝置-晶片集合體。 再者，所明電子裝置-晶片集合體，係複數之電子裝置·晶 片被排列成一次元矩陣狀者，藉由將電子裝置_晶片集合 體加以切斷、分離，能夠得到個別之電子裝置_晶片。 貝轭例1中，將下部電極12之頂面與固定電極2丨之頂面 之高度之差AhG訂為以下之表丨所示之數值。此外，繞射光 柵-光調變元件ίο之不動作時之可動電極22之頂面與固定 電極21之頂面之高度之差訂為儘可能接近於〇之數值。再 者，繞射光柵-光調變元件10之動作時之可動電極U之頂 面與固；t電極之頂面之高度之差^(可動電極22之往下 方之位移量）之最大值Δ1ΐι.ΜΑχ，將往繞射光拇_光調變元件 1〇或繞射光柵_光調變裝置1之人射光之波長訂為4，滿 足他_驗4/4。此外，Μ丨·_與之關係滿足 △h〇/3。再者’藉由使施加於可動電極22之電壓產生變 化，能夠使可動電極22之頂面與固定電極21之頂面之古产 之差仏(可動電極22之往下方之位移量)產生變化。而：： 103234.doc -29- 1269062 如此一來，由於能夠使繞射光之強度產生變化，因此，能 夠進行色調控制。 此外，鄰接之固定電極21之間之距離d、鄰接之固定電 極與可動電極之間存在之空隙SP、固定電極21之寬度 WF、固定電極21之有效長度LF、可動電極22之寬度Wm、 可動電極22之有效長度Lm訂為如同以下之表1所示。再 者，單位為μηι。 [表1]

Ah〇=0.8 5 d=8.0 SP=0.40 Wf=3.6

Lf=2 0 0

Wm=3.6 0 0 包含3個之此種繞射光栅-光調變裝置i、或後述之實施 例2〜實施例4之繞射光柵-光調變裝置之圖像形成裝置，既 能夠設計成與圖11所示之概念圖同樣之構造，包含3個之 繞射光栅-光調變裝置之圖像形成裝置之動作，亦與參照 圖11所說明之動作相同，因此，省略詳細之說明。 I么於圖1之（B)以及（C)揭示實施例1之繞射光栅-光調變裝 置之變化實例。 於圖1之（B)所示之實施例1之繞射光栅-光調變裝置之變 化實例中，保護電極40並非處於浮動狀態，保護電極4〇係 103234.doc -30- 1269062 經由下部電極端子部12 A而被連接於下部電極〗2。另一方 面，於圖1之（C)所示之實施例1之繞射光柵·光調變裝置之 變化實例中，保護電極40經由偏壓電極端子部13A而被連 接於偏壓電極13。除此等之要點之外，由於此等之繞射光 栅-光調變裝置之變化實例、適用此等之繞射光柵-光調變 裝置之變化實例之繞射光柵-光調變裝置集合體之構成、 構造’能夠設計成與實施例1之繞射光栅-光調變裝置1、 繞射光柵-光調變裝置集合體相同，因此，省略詳細之說 明。 以下，參照沿著X軸方向之基板11A等之模式性之部分 端面圖之圖12之（A)〜(D)以及圖13之（A)〜(D)，說明繞射光 柵-光調變元件、繞射光柵-光調變裝置、繞射光柵-光調變 裝置集合體之製造方法之概要。 [步驟-100] 首先’例如基於CVD法以及餘刻（Etching)法，於基板 11A之表面之期望之區域形成下部電極12以及下部電極端 子部12A。其次，例如基於剝離（Liftoff)法以及钱刻 (Etching)法，於基板ha之表面形成偏壓電極13、偏壓電 極端子部13A、控制電極16、連接端子部30、保護電極 40。再者，於圖12之（A)〜(D)以及圖13之（A)〜(D)中，僅揭 示下部電極12以及控制電極16。如此一來，能夠得到圖12 之（A)所揭示之構造。然後，於全面，例如利用錢鍍法形 成保護絕緣膜50(參照圖12之（B))。 [步驟-110] 103234.doc •31 - 1269062 然後，例如基於CVD法以及蝕刻法，於電氣式地連接可 動電極22與控制電極16之部分、以及電氣式地連接固定電 極21與偏壓電極π之部分，形成例如包含SiN之圓柱狀之 連接部5 1。如此一來，能夠得到圖12之所揭示之構 造。再者，通過電氣式地連接固定電極21與偏壓電極13之 部分之連接部並未揭示於圖中。 [步驟-120] 接著，利用CVD法於全面形成由多晶矽所組成之犧牲層 (Sacrificial layer)52，並利用化學/機械研磨法將犧牲層52 之頂面平坦化。如此一來，能夠得到圖12之（]〇)所揭示之 構造。 [步驟-130] 然後，基於微影技術以及乾餘刻技術，於犧牲層5 2上形 成用於形成支撐部14、15、17、1 8之開口部5 3 (參照圖13 之（A))。此外，圖中僅揭示形成支撐部17之開口部53。 [步驟-140] 其次’形成由光反射層（上層）與電介質材料層（下層）之2 層構造所組成之固定電極21與可動電極22。具體言之，於 包含開口部53之全面，利用濺鍍法形成包含SiN之電介質 材料層（下層）54，再於其上，利用濺鍍法形成包含A1-Cll之 光反射層（上層）55。然後，藉由將光反射層（上層）55與電 "負材料層（下層）54之2層構造圖案化（patterning)，能夠形 成帶狀（Ribbon狀）之固定電極21、以及帶狀（Ribb〇n狀）之 可動電極22。如此一來，能夠得到圖13之（B)所揭示之構 103234.doc -32- 1269062 造。由被埋入開口部53内之光反射層（上層）55與電介質材 料層（下層）54之2層構造，形成有支撐部14、15、l7、。 再者’省略固定電極21、支撐部14、15、18之圖示。 [步驟-150] 然後，基於微影技術以及乾蝕刻技術，於連接部51與保 護絕緣膜50形成開口，使控制電極16與偏壓電極13露出於 開口之底部，接著，利用導電材料掩埋開口，形成電氣式 地連接可動電極22與控制電極16之連接孔56、以及電氣式 地連接固定電極21與偏壓電極13之連接孔（參照圖13之 (c))。茲省略電氣式地連接固定電極21與偏壓電極13之連 接孔之圖示。 [步驟-160] 然後，除去連接電子部30、保護電極4〇上之保護絕緣膜 50，其次，藉由除去犧牲層52，能夠得到受到支撐部η ' 15之支撐，而被支撐、架設於下部電極12之上方之固定電 極，以及受到支律部17、18之支撐，而被支撐、架設於 下部電極12之上方之可動電極22。再者，圖13之⑴）中， 僅揭示受到支撐部17之支樓，而被支推、㈣於下部電極 之上方之可動電極22之部分。如此一來，能夠得到由複 數之包含複數之繞射光柵-光調變元件1〇之繞射光柵·光調 變裝置於基板11A之表面所形成之繞射光柵_光調變裝置集 合體。 ^ [步驟-170] 然後，配置密封構件，以便各繞射光栅_光調變裝置之 103234.doc -33- 1269062 冊-光調變裝置本體部2藉由密封構件而被圍繞，並 :玻：板3固定於密封構件之頂面。其次，將切割膠帶貼 口於基板11A之背自，利用周知之方法進行切割， 光柵-光調變裝置集合體㈣、分離後1除㈣膠帶。 如此-來，能夠得到由複數之繞射光栅·光調變元件形成 於支撐體11之表面而成之繞射光栅_光調變裝置。 [實施例2]

實施例2係實施合“之變形。於實施例i之繞射光栅-光調 變裝置！中’係設計成對於！個之連接端子部3〇設置！個之 保護電極40,而且，將此等之保護電極4〇電氣式地相互連 接之形態°另-方® ’於實施例2中’如圖2之（a)所示， 係設計成對於複數（雖非限定者，但於圖示之實例中為㈣） 之連接端子部30設置1個之保護電極4〇，而且，將此等之 保護電極40通電氣式地相互連接之形態。保護電極4〇係處 於浮動狀態。 此外，將此種實施例2之繞射光柵_光調變裝置以之變化 實例揭示於圖2之（B)以及（C)。於圖2之（B)所示之實施例2 之繞射光柵-光調變裝置1A之變化實例中，保護電極4〇係 介於下部電極端子部12A而被連接於下部電極12。另一方 面，於圖2之（C)所示之實施例2之繞射光柵_光調變裝置1A 之變化實例中，保護電極40係介於偏壓電極端子部13A而 被連接於偏壓電極13。 除此等之要點之外，由於此等之實施例2之繞射光柵_光 調變裝置1A及其變化實例、適用此等之繞射光柵_光調變 103234.doc -34- 1269062 裝置1A及其變化實例之繞射光柵_光調變裝置集合體之構 成、構造，能夠設計成與實施例〗之繞射光柵_光調變裝置 1、繞射光栅-光調變裝置集合體相同，因此，省略詳細 說明。 ^ [實施例3] 實施例3亦係實施例丨之變形。於實施例3之繞射 調變裝置1B中，如圖3之（A)所示，係設計成對於所有之連 _ 接端子部30設置1個之保護電極40之形態。保護電極4〇係 處於浮動狀態。 μ 此外，將此種實施例3之繞射光栅-光調變裝置1Β之變化 實例揭示於圖3之（Β)以及（C)。於圖3之（Β)所示之實施例3 • 之繞射光柵-光調變裝置1Β之變化實例中，保護電極4〇係

於下部電極端子部12 Α而被連接於下部電極丨2。另一方 面，於圖3之（C)所示之實施例3之繞射光栅-光調變裝置lB 之變化實例中，保護電極4〇係介於偏壓電極端子部13A而 φ 被連接於偏壓電極13。 除此等之要點之外，由於此等之實施例3之繞射光柵_光 凋k裝置1B及其變化實例、適用此等之繞射光柵_光調變 裝置1B及其變化實例之繞射光栅_光調變裝置集合體之構 成、構造，能夠設計成與實施例丨之繞射光栅_光調變裝置 1、繞射光栅-光調變裝置集合體相同，因此，省略詳細之 說明。 [實施例4] 實施例4係關於本發明之電子裝置-晶片集合體、本發明 103234.doc -35 - !269〇62 之電子裝置-晶片、關於本發明之第2之態樣之繞射光栅-光 調變裝置集合體、以及關於本發明之第2之態樣之繞射光 柵-光調變裝置。 於實施例4之繞射光栅-光調變裝置1C，如圖4之（八）所 示’保護電極40A係被設置於支撐體11之外周部。此外， 於繞射光柵-光調變裝置集合體，保護電極4〇a係被設置於 各繞射光柵-光調變裝置1 C之外周部。 再者’電子裝置-晶片或電子裝置-晶片集合體中，雖包 含有圍繞連接端子部之保護電極，但於實施例4，更具體 言之，保護電極40A係被設置於電子裝置-晶片之外周部。 此外’保護電極40A主要係為防止於基板11 a或支樓體 π之表面及/或背面發生之靜電從連接端子部3〇往可動電 極22侵入而備置。 關於實施例4之繞射光柵-光調變裝置1C(或電子裝置一晶 片），保護電極40A係處於浮動狀態。意即，保護電極4〇a 並未通電氣式地被連接於構成繞射光柵-光調變裝置（或電 子裝置-晶片）之任一個部位。 實施例4之繞射光栅-光調變裝置集合體、或實施例4之 繞射光柵-光調變裝置1C之保護電極40A之平面形狀，係保 護電極40A於與繞射光栅-光調變裝置本體部2設置有一定 之間隔之狀態下，於全周圍，單層地圍繞繞射光柵-光調 變裝置本體部2之類之形狀。 將此種實施例4之繞射光柵-光調變裝置1C之變化實例揭 示於圖4之（B)以及（C)。於圖4之（B)所示之實施例4之繞射 103234.doc -36- 1269062 光栅·光調變裝置1C之變化實例中，保護電極40A係介於下 部電極端子部12A而被連接於下部電極12。另一方面，於 圖4之（〇所示之實施例4之繞射光柵-光調變裝置1C之變化 實例中’保護電極40A係介於偏壓電極端子部13A而被連 接於偏壓電極13。

除此4之要點之外，由於此等之實施例4之繞射光柵_光 調變裝置1C及其變化實例、適用此等之繞射光柵_光調變 裝置1C及其變化實例之繞射光柵_光調變裝置集合體、電 :裝置-晶片、電子裝置-晶片集合體之構成、構造，能夠 设叶成與實施例！之繞射光柵_光調變裝置！、繞射光拇_光 調變裝置集合體、電子裝置-晶片、電子裝置·晶片集合體 相同’因此，省略詳細之說明。 以上，雖已基於較為理想之實施例說明本發明，但本發 明2限定於此等之實施例者。實施例中所說明之繞射光 冊 '周變裝置、繞射光柵·光調變裝置集合體、電子裝置_ 晶月、電子裝置-晶片集合體構成 … 乂 當地變更之，而且，構成__ 4馬例不，能约適 柵, 成繞射先柵-光調變裝置與繞射光 冊-先心元件之各種構件之材㈣構件之 不，能夠適當地變更之。例如，a ' 之第丨之離戏A 此夠採用組合關於本發明 之也樣之％射光柵-光調變裝 光調變裝置之俘1雷d 〇體或之％射光栅- 夂我置之保濩電極之特 樣之繞射井Μ # 〃關於本發明之第2之態 置之保護電極之特徵之保護電極/U光柵4調變裝 此外，於實施例中’雖係 凡射先柵_光調變裝置本 103234.doc -37- 1269062 體部2之相對向之2邊之每一邊 ^ 將複數之連接端子部30配 置成-列，但但此種配置為例示，例如，亦得配置成格子 狀且多階段（例如2階段），以為代替。 或者，於實施例1〜實施例3中，雖將保護電極40之形狀 設計成於與連接端子㈣設置有_定之間隔之狀態下圍繞 連接端子部之類之形狀’而且’設計成保護電極4〇係於除 了連接端子部30與控制電極16之連接部份以外之連接端子 部3〇之接近全周圍圍繞連接端子部3〇之構造’但亦能夠設

計成保護電極40係於連接端子㈣之—部分之周圍圍繞連 接端子部30之構造，以為代替。 於實施例4中，亦能夠設計成保護電極4〇A係於繞射光 栅-光調變裝置本體部2之一部分之周圍（例如，全周圍之 1 /2)圍繞繞射光柵_光調變裝置本體部2之構造。再者，能 夠沒计成保護電極40A係於與繞射光栅-光調變裝置本體部 2設置有一定之間隔之狀態下，單層地圍繞繞射光柵_光調 變裝置本體部2之類之形狀，亦能夠設計成多層地（例如， 雙層）圍繞之類之形狀（限於電氣式地相互地連接），以為代 替0 於實施例1〜實施例4中，亦得經由電阻器連接保護電極 4〇、40A，以代替直接連接於下部電極12(更具體而言，於 下部電極端子部12 A)。此外，亦得經由電阻器連接保護電 極40、40A，以代替直接連接於偏壓電極13(更具體而言， 於下部電極端子部13A)。 於實施例1〜實施例4中，雖設計成可動電極22之頂面以 103234.doc -38 - 1269062 及固定電極2 1之頂面係與下部電極12之頂面平行，但亦得 夠設計成對於下部電極12之頂面僅傾斜炫耀角eD之炫耀 i ’例如，僅射出+1次（m = +1)之繞射光之構造。 【圖式簡單說明】 圖1之（A)〜(C)係實施例1之繞射光栅-光調變裝置及其變 化實例之概念圖。 圖2之（A)〜(C)係實施例2之繞射光柵-光調變裝置及其變 化實例之概念圖。 圖3之（A)〜(C)係實施例3之繞射光柵-光調變裝置及其變 化實例之概念圖。 圖4之（A)〜(C)係實施例4之繞射光栅-光調變裝置及其變 化實例之概念圖。 圖5係實施例1之繞射光柵-光調變裝置集合體之模式 圖。 圖6係將構成繞射光柵-光調變元件之下部電極、固定電 極、可動電極之配置模式性地揭示之圖式。 圖7之（A)〜（C)係沿著圖6之箭號a-A之可動電極等之模式 性剖面圖（限於繞射光柵-光調變元件係處於非動作狀態）。 圖8之（A)〜(C)係沿著圖6之箭號b_b之固定電極等之模式 性剖面圖。 圖9係將固定電極、可動電極、偏壓電極、控制電極之 配置模式性地揭示之圖式。 圖10之（A)係沿著圖6之箭號A-A之可動電極等之模式性 剖面圖（限於繞射光柵-光調變元件係處於動作狀態）。圖 103234.doc -39* 1269062 之（B)係沿著圖6之箭號C-C之固定電極、可動電極等之模 式性剖面圖。 圖11係揭示組合有3個之繞射光栅-光調變裝置之圖像形 成裝置之概念圖。 圖12之（A)〜(D)係用於說明繞射光栅-光調變元件、繞射 光栅-光調變裝置、繞射光柵-光調變裝置集合體之製造方 法之概要之基板等之模式性之部分端面圖。

圖13之（A)〜(D)係連續於圖I2之（D)之後，用於說明繞射 光柵-光調變元件、繞射光柵-光調變裝置、繞射光拇_光士周 變裝置集合體之製造方法之概要之基板等之模式性之部分 端面圖。 【主要元件符號說明】 1，1A，1B，1C 繞射先棚* -光調變裝置 2 繞射光柵-光調變装置 3 玻璃板 10 繞射光柵、光調變元件 11 支撐體 11A 基板 12 下部電極 12A 下部電極端子部 13 偏壓電極 13A 偏壓電極端子部 14, 15, 17, 18 支撐部 16 控制電極 103234.doc -40- 1269062

21 固定電極 22 可動電極 30 連接端子部 40, 40A 保護電極 50 保護絕緣膜 51 連接部 52 犧牲層 53 開口部 54 電介質材料層（下層） 55 光反射層（上層） 56 連接孔 100R，100G，100B 光源（紅/藍/綠） 101R，101G，101B 繞射光柵-光調變裝置（紅/藍/綠） 102 L型稜鏡 103 透鏡 104 空間濾波器 105 掃描鏡 106 螢幕 103234.doc -41 -

Claims (1)

1269062 十、申請專利範圍： 、—電子裝置·曰曰片集合體，其係由基板之表面所形成之 複數之電子裝置.晶片所組成者，·其特徵為·· 各電子裝置-晶片包含供與外部電路電性連接所設置， 露出於外部之連接端子部，且 各電子裝置·晶片進一步包含圍繞連接端子部之保護電 極0

如請求項1之電子裝置_晶片集合體，其中， 保遵電極主要係為防止於基板之表面及/或背面發生之 靜電從連接端子部侵入至電子裝置-晶片之情形而備置。 如請求項1之電子裝置-晶片集合體，其中， 保護電極係處於浮動狀態。 4. 一種電子裝置_晶片，其特徵為： 包含形成於支撐體之表面，供與外部電路之電性連接 所設置’露出於外部之連接端子部，且進一步包含圍繞 連接端子部之保護電極。 5·如請求項4之電子裝置-晶片，其中， 保護電極主要係為防止於支撐體之表面及/或背面發生 之靜電從連接端子部侵入至電子裝置-晶片之情形而備 置。 6. 如請求項4之電子裝置-晶片，其中， 保護電極係處於浮動狀態。 7. 一種繞射光栅·光調變裝置集合體，其係包含： (A)下部電極； I03234.doc 1269062 (B) 被支撐於下部電極上方之帶狀之固定電極； (C) 被支撐於下部電極上方之相對固定電極為並列之 帶狀之可動電極；以及 (D) 為與外部電路電性連接所設置，露出於外部，且 電氣式地連接於可動電極之連接端子部，且 藉由基於經由連接端子部之來自外部電路之對於可動 電極之電壓施加、以及對於下部電極之電壓施加所發生 • 之於可動電極與下部電極之間發生作用之靜電力，使可 動電極朝向下部電極位移’藉以由可動電極與固定電極 形成繞射光柵之繞射光柵·光調變元件，具備複數個之繞 射光柵·光調變裝置，係於基板之表面以複數個形成該集 合體者； ^ 各繞射光栅-光調變裝置中進-步包含圍繞連接端子部 之保護電極。 8·如請求項7之繞射光栅_光調變裝置集合體，其中， 之 • ^呆護電極主要係為防止於基板之表面及/或背面發生 靜電從連接端子部侵入至可動電極之情形而備置。 其中 9·如請求項7之繞射光柵-光調變裝置集合體 保護電極係處於浮動狀態。 1〇·如請求項7之繞射光栅_光調變裝置集合體，其中， 保護電極係被連接於下部電極。 11·如請求項7之繞射光柵-光調變裝置隹 4 ι釆合體，其中， 構成各繞射光柵-光調變元件之固中+α ν丄土 & τ、固疋電極係被連接於複 數之繞射光柵-光調變所共用之偏壓電極且 103234.doc I269〇62 保護電極係被連接於偏壓電極。 12 · —種繞射光柵-光調變裝置，其係包含： (A) 下部電極； (B) 被支撐於下部電極上方之帶狀之固定電極； (C) 被支撐於下#電極上方之相肖固定電極為並列之 帶狀之可動電極；以及 ⑼為與外部電路電性連接所設置，露出於外部，且 Φ 電氣式地連接於可動電極之連接端子部，且 藉由基於經由連接端子部之來自外部電路之對於可動 電極之電壓施加、以及對於下部電極之電壓施加所發生 - 之於可動電極與下部電極之間發生作帛之靜電力，使可 動電極朝向下部電極位移，藉以由可動電極與固定電極 形成繞射光柵之繞射光柵-光調變元件’以複數個形成於 支撐體之表面而成者； 進一步包含圍繞連接端子部之保護電極。 φ I3·如請求項12之繞射光柵·光調變裝置，其中， 保護電極主要係為防止於支撐體之表面及/或背面發生 之靜電從連接端子部侵入至可動電極之情形而備置。 14·如請求項12之繞射光栅-光調變裝置，其中， 保護電極係處於浮動狀態。 15.如請求項12之繞射光柵-光調變裝置，其中， 保護電極係被連接於下部電極。 16·如請求項12之繞射光栅-光調變裝置，其中， 構成各繞射光柵-光調變元件之固定電極係被連接於複 103234.doc 1269062 數之繞射光柵-光調變所共用之偏壓電極，且 保護電極係被連接於偏壓電極。 17· —種繞射光栅_光調變裝置集合體，其係包含： (A) 下部電極； (B) 被支撐於下部電極上方之帶狀之固定電極； (C) 被支撐於下部電極上方之相對固定電極為並列之 帶狀之可動電極；以及 (D) 為與外部電路電性連接所設置，露出於外部，且 電氣式地連接於可動電極之連接端子部，且係 藉由基於經由連接端子部之來自外部電路之對於可動 電極之電壓施加、以及對於下部電極之電壓施加所發生 之於可動電極與下部電極之間發生作用之靜電力，^可 動電極朝向下部電極位移，藉以由可動電極與固定電極 形成繞射光柵之繞射光柵-光調變元件，具備複數個之繞 射光柵-光調變裝置，係於基板之表面以複數個形成該集 合體者； 於各繞射光栅-光調變裝置之外周部，設置有保護電 極。 18·如請求項17之繞射光柵-光調變裝置集合體，其中， 保護電極主要係為防止於基板之表面及/或背面發生之 靜電從連接端子部侵入至可動電極之情形而備置。 19·如睛求項17之繞射光栅-光調變裝置集合體，其中， 保護電極係處於浮動狀態。 20·如睛求項17之繞射光柵-光調變裝置集合體，其中， ^3234^ 1269062 保護電極係被連接於下部電極。 2 1 ·如請求項17之繞射光柵-光調變裝置集合體，其中， 構成各繞射光柵-光調變元件之固定電極係被連接於複 數之繞射光栅-光調變所共用之偏壓電極，且 保護電極係被連接於偏壓電極。 22· —種繞射光柵-光調變裝置，其係包含： (A) 下部電極； (B) 被支撐於下部電極上方之帶狀之固定電極； (C) 被支撐於下部電極上方之相對固定電極為並列之 帶狀之可動電極；以及 (D) 為與外部電路電性連接所設置，露出於外部，且 電氣式地連接於可動電極之連接端子部，且 藉由基於經由連接端子部之來自外部電路之對於可動 電極之電壓施加、以及對於下部電極之電壓施加所發生 之於可動電極與下部電極之間發生作用之靜電力，使可 動電極朝向下部電極位移，藉以由可動電極與固定電極 形成繞射光柵之繞射光栅-光調變元件，以複數個形成於 支樓體之表面而成者； 於支撐體之外周部，設置有保護電極。 23·如請求項22之繞射光柵-光調變裝置，其中， 保護電極主要係為防止於支撐體之表面及/或背面發生 之靜電從連接端子部侵入至可動電極之情形而備置。 24·如請求項22之繞射光柵-光調變裝置，其中， 保護電極係處於浮動狀態。 103234.doc 1269062 25. 如請求項22之繞射光柵-光調變裝置，其中， 保護電極係被連接於下部電極。 26. 如請求項22之繞射光柵-光調變裝置，其中， 構成各繞射光栅-光調變元件之固定電極係被連接於複 數之繞射光柵-光調變所共用之偏壓電極，且 保護電極係被連接於偏壓電極。

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