TWI267882B - Capacitor structure - Google Patents

Description

I2678§2i4twfdoc/g 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域] 本=是有關於—種電容器結構，且特別是有關於一 種具有高單位面積電容值之電容器結構。 【先前技術】 • 電容器是一種在積體電路中不可或缺之構件，在電容 . 1的設計與製程中’必須要考慮到電容器的電容值與設置 面積，因此需要提出較佳的電容器設計與製程。 、 一般來說，電容器主要可分為三種：金屬'絕緣層金 、 屬（metal-insulator_meta，MIM)電容器、金屬線_金屬線 (metal-line to metal-line，M0M)電容器以及金屬_絕緣層· 多晶石夕(metal-insulator_silicon，MIS)電容器。其中， 電容器與MOM電容器在深次微米IC中的使用相當普遍， 然而其單位面積電容值卻偏低。另外，若使用高介電常數 的材料，則雖然可以得到高的電容密度，但是其具有製程 繁瑣費時與成本較高的問題存在，而且此電容器的可靠度 φ 度較低。 又 隨著半導體元件集積度之增加，元件的尺寸逐漸縮 ★ 小，相對的使做為電容器的空間愈來愈小，也因此降低了 ‘ 電各器之電容值。而在進入深次微米（deep sub-micron)的製 程後’電容器之電容值降低的問題更為嚴重。 因此，如何在現行的積體電路製程中提出一種具有高 積集度且高電容量的電容器結構，以在儲存電容器所佔的 平面逐漸縮小的情況下，仍可有效增加電極的表面積，以 6 • 12678¾ 4twf.doc/g

St二能’乃是目前積體電路設計中的首要課題。 構，本發明的目的就是在提供—種電容器麵 冓八/、有較向的單位面積電容值。 本舍月的另—目的是提供-種電容55⑨構，At僻备个 容器中各導電材料之間產生橋接現構㈣免電 佳的又—目的是提供—種電容11結構，其具有钱

容器=::再一目的是提供-種電容器結構，以提高電 本發明提出一種電容器結構 =及多數個接觸窗。多數層導電層彼此堆層各;

有弟―，圖案與第二導電圖案。介電層配置在第 ν電圖案與第二導電圖案之間，以及配置在相鄰二層導 數個接觸窗配置在介電層中，分別電性連接 雷^θ Ϊ電層中的第—導電圖案及電性連接相鄰二層導 的弟二導電圖案。其中，電性連接相鄰二層導電層 心、弟‘電圖案的接觸窗為第—長條狀接觸窗，第一長 條狀接，窗延伸於相鄰二層導電層中的第—導電圖案之 ，且第一長條狀接觸窗的邊界位於第一導電圖案的邊界

範圍内。 /'I 依照本發明的一較佳實施例所述，在上述之電容器結 ，中’電性連接相鄰二層導電層中的第二導電圖案的接觸 囱包括第二長條狀接觸窗，第二長條狀接觸窗延伸於相鄰 •I2678S2 4twf.doc/g 二層導電層中的第二導電圖案之間’且第二長條狀接 的邊界位於第二導電圖案的邊界範圍内。 依照本發明的一較佳實施例所述，在上述之電容哭妗 構中，電性連接相鄰二層導電層中的第二導電圖 窗包括柱狀接觸窗。 〃 ^关觸 依照本發明的一較佳實施例所述，在上述之電容器妗 構中，導電層的材質包括金屬。 依照本發明的一較佳實施例所述，在上述之電容器結 構中，接觸窗的材質包括金屬。 本發明另提出一種電容器結構，包括多數層導電層、 介電層及多數個接觸窗。多數層導電層彼此堆疊配置，各 ，電層具有第一梳狀導電圖案與第二梳狀導電圖案，且各 第一梳狀導電圖案與各第二梳狀導電圖案的梳齒部交錯對 應配置。介電層配置在第一梳狀導電圖案與第二梳狀導電 ，案之間，以及配置在相鄰二層導電層之間。多數個接觸 自配置在介電層中，分別電性連接相鄰二層導電層中的第 :梳狀導電圖案及電性連接相鄰二層導電層中的第二梳狀 ^電圖案。其中’電性連接相鄰二層導電層中的第-梳狀 ‘電圖，的接觸窗為第—梳狀接觸窗，第—梳狀接觸窗的 ^案與第一梳狀導電圖案的圖案相對應，且第一梳狀接觸 窗的邊界位於第—梳狀導電圖案的邊界範圍内。 依，系本發明的一較佳實施例所述，在上述之電容器結 2中i電性，接相鄰二層導電層中的第二梳狀導電圖案的 觸自包括第二梳狀接觸窗，第二梳狀接觸窗的圖案與第 12678¾ 4twf.doc/g

二梳狀導糊__相對應，且第二梳狀 位於第二梳狀導電圖案的邊界範圍内。 、政I 構中依較佳實施例所述’在上述之電容器結 接觸窗層導電層中的第二梳狀導電圖案的 人本發明又提出-種電容器結構，包括多數 i電ϋίί:?觸窗。多數層導電層彼此堆疊配置:各 :螺J狀導電圖案。介電層配置在第-螺旋狀 旋狀導電圖案之間，以及配置在相鄰二層 二^個接觸窗配置在介電層中，分 的第:螺旋狀導電圖案及電性連接相鄰二層導 導電#中=:^疋狀導電圖案。其中，電性連接相鄰二層 觸/奸、弟一螺旋狀導電圖案的接觸窗為第-螺旋狀接 圖：::一螺旋Ϊ接觸窗的圖案與第一螺旋狀導電圖案的 i雷同安應且第螺旋狀接觸窗的邊界位於第—螺旋狀 ¥電圖案的邊界範圍内。 禮Φ依:本杂明的一較佳實施例所述，在上述之電容器結 的接觸!==虫=^=，第二螺旋狀”圖案 案與第二螺旋狀導電圖案的“螺3接 ::rr第二螺旋狀導==二域接 構中，雷极的r較佳實施例所述，在上述之電容器結 _ 、妾相鄰二層導電層中的第二螺旋狀導電圖案 I26788S 4twf.doc/g 的接觸窗包括柱狀接觸窗。 介電種電容器結構，包括多數層導電層、 導電數層導電層彼此堆疊配置，各 圖案具有開口，且;電與一第二導電圖案，第1電 置在第一導電圖安：：¥電圖案配置於開口中。介電層配 二層導電層之導電圖案之間，以及配置在相鄰 性連接相;二;導;;=窗=在介電層中’分別電 二層導電層中的第二以:一二圖案及電性連接相鄰 導電声中的繁一 電圖木。其中，電性連接相鄰二層 觸窗“宰盘第—導=的接觸窗為環狀接觸窗，環狀接 的邊只位;^、广電圖案的圖案相對應，且環狀接觸窗 .界位於H電圖案的邊界範圍内。 構中依電較佳實施例所述，在上述之電容器結 窗包括電層中的第二導電圖案的接觸 層中的第二導雷圖=長條狀接觸窗延伸於相鄰二層導電 二導電_的邊i範且長錄接觸_的邊界位於第 構中依雷較佳實施例所述’在上述之電容器結 窗包鄰二層導電層中的第二導電圖案帽 觸窗結構用以連接相鄰二導電層的接 導雷图安W觸延伸於相鄰二層導電層中的第二 圖案3觸=具，導電層中的導電圖案相對應之 、 自丈可以提升單位面積的電容值。此外，長

(I

I2678824twf,oc/g 九卞狀接觸窗或具有盥導雷 接觸窗的邊界位於位於相in =相對應之圖案的 象，且具有較;二:中料ί間產生，現 置’本發明之電容器可以由兩層以上之2接觸固之配 此更可進一步提高電 層所構成，如 钕问电谷的之早位面積的電容值。 為#本發明之謂和其他目的、射 易憧，下文特舉較佳實施例，並 U月匕更_ 明如下。 划6°_料，作詳細說 【實施方式】 =1所綠示為本發明—實施例之電容器結構的上視 圖。圖2所繪示為沿fflltA_A，剖面線之電以 =^圖3鱗示為本發㈣-實闕之電^賴的 首先’請同時參照圖1及圖2，電容器結構包括設置 於基底100上的多數層導電層1〇2、介電層1〇4 = 接觸窗106。基底1〇〇例如是矽基底。 導電層102彼此堆疊配置，每一導電層1〇2具有導電 圖案102a與導電圖案i〇2b。導電層1〇2的材質例如是金 屬等導電材質。在此所指的多數層導電層1〇2，其膜^數 至少為一層，而於此技術領域具有通常知識者，可視積體 電路設計上的需求來調整所需之導電層102的數量。貝 介電層104配置在導電圖案i〇2a與導電圖案1〇沘之 間，以及配置在相鄰二層導電層102之間。介電層1〇4的 :126788214^ 材質:=匕石夕或氮切等的介電材質。 接觸固1〇6配置在介電 二層導電層102中的導雷同安…。刀别电性連接相鄰 電層1〇2中的導電二:圖：〇域電性連接相鄰二層導 屬等適當材質。其二:f⑽的材質例如是金 導電圖案102a的接觸^1()6目f —層導電層102中的 長條狀接觸K ^ 疋長條狀接觸窗106a， 長仏狀接觸自106a延伸於相鄰二層導電層〗

案102a之間，條狀接觸窗職的邊界位於導電固： l〇2a的邊界範圍内。 圖木 此外，電性連接相鄰二層導電層1()2中的 職的接觸窗觸例如是長條狀接觸窗腸，長停狀= 固106b延伸於相鄰二層導電層1〇2中的導電圖案咖之 間’且長條狀接觸窗祕的邊界位於導電圖案1()2 界範圍内。 & 接著，請參照圖3，在另-實施例中，電性連接相鄰 一層V電層102中的導電圖案i〇2b的接觸窗1〇6例如 狀接觸窗106c。 由於用以連接相鄰二導電層1〇2的接觸窗1〇6為長條 狀接觸窗106a、106b，且分別延伸於相鄰二層導電層1〇2 中的導電圖案l〇2a、102b之間，能增加電容器的表面積， 故可以提升單位面積的電容值。此外，長條狀接觸窗 106a、106b的邊界分別位於相鄰二導電層1〇2中之導電圖 案102a、102b的邊界範圍内，能避免在製作電容器的過程 中，各導電材料之間產生橋接現象，且具有較佳的匹配程 12 .12678¾ 4twf.doc/g 度。而且’藉由接觸窗106之配置，本發明之電容器可以 由二層以上之導電層102所構成，如此更可進一步提高電 容器之單位面積的電容值。 以下’舉例說明本發明之電容器結構的各種不同型態。 圖4所繪示為本發明一實施例之梳狀電容器結構的上 視圖。圖5所繪示為本發明另一實施例之梳狀電容器結 的上視圖。

首先，請先參照圖4，電容器結構設置於基底2〇〇上 的多數層導電層202、介電層204及多數個接觸窗2〇6。基 底200例如是石夕基底。 土 ‘電層202彼此堆疊配置，每一導電層2〇2具有梳狀 導電圖案2G2a與梳狀導電圖案繼b，且梳狀導電@宰2'咖 與梳狀導電圖案202b的梳齒部交錯對應配置。導電層2〇2 的材質例如是金屬科電材質。在此所指的多數層導曰電声 202’其膜層數至少為二層’而於此技術領域 ^

=視積體電路設計上的需求來調整所需之導電】2〇識2 的數JT。 谓ΪΛ ” ^層2G4配置在梳狀導電圖案2G2a與梳狀導電圖荦 ^1’以及配置在相鄰二層導電層202之間。 綱的材1例如是氧切或氮切等的介電材質。層 接觸固206配置在介雷展ο 、 二層導電声202中的拉壯、酋㈢204中，分別電性連接相鄰 ^ ^ 、檢狀蛉電圖案202a及電性連接相鄰- 層導電層中的梳狀導電圖幸2 逆接祁郯— 是金屬等㈣質。Z 接觸窗206的材質例如 4適田材貝其中’電性連接相鄰二層導電層2〇2 12678Ss^^doc/g 2梳r2a的接觸窗206例如是梳狀接觸窗 -Lt e! 202a ^ 二 心，丨接觸窗206&的邊界位於梳狀導電圖安 2〇2a的邊界範圍内。 k狀¥冤圖案 此外，電性連接相鄰二層導電層2〇2巾的 ，〇2b的接觸窗206例如是梳狀接觸窗2_，,梳狀二 固206b的酵與梳狀導電圖案鳥的職相對岸 ^接觸窗鳩的邊界位於梳狀導電圖案鳩的“範; 二声在另-實施例中’電性連接相鄰 Μ曰二曰中的木,L狀導電圖案繼的接觸窗206例如 疋柱狀接觸窗206c。 切二：ί發明將作為電極之用的二導電圖案以梳狀的方 ίϊίΐϊ，以提高單位面積中同—層導電層之個別電極 的·線長度，所以可以提高電容器之單位面積的電容值。 、圖6所繪不為本發明—實關之職狀電容器結構的 上視圖。® 7崎示為本發明另_實施例 結構的上視圖。 疋队电谷口〇 首先，請參照圖6，電容器結構設置於基底3〇〇上的 多數層導電層3〇2、介電層撕及多數個接觸 300例如是矽基底。 低 >導電層302彼此堆叠配置，每一導電層3〇2具有彼此 交錯對應配置的螺餘導電圖案鳥朗餘導電圖幸 3〇2b。導電層302的材質例如是金屬等導電材質。在此所

(S 14 12678¾ 4twf.d〇c/g ==::f_至少為二層，㈣技 整所需之導電層3〇2 ^見積體電路設計上的需求來調 _ 與螺旋狀導電_3Q2h:。此外，職狀導電圖案她 案或是其他種類之矩形^了可如圖6中之矩形螺旋圖 之螺旋圖案，例如圓^疋^之外’也可以是其他形狀 規則，形狀的螺旋圖案:橢圓形、三角形、多邊形、不 圖案3咖日之間狀導電圖案脑與螺旋狀導電 電層304的材f例如曰相鄰二層導電層302之間。介 接觸窗綱、配置或氮化石夕等的介電材質。 二層導電声30?由A "电層304中，分別電性連接相鄰 二層導電^ 302中1，狀導電圖案3 〇2 &及電性連接相鄰 材質例如曰曰入炫中的螺旋狀導電圖案3〇2b。接觸窗306的 S t中H等適當材質。其中，電性連接相鄰二層導 旋狀接觸窗306疋狀導電圖案施的接觸窗施例如是螺 電圖_a ‘ _與螺旋狀導 位於螺旋狀導電圖請Γ的邊界=職遍的邊界 此外，電性連接相鄰二層導電層302中的螺旋狀導電 觸窗細例如是螺旋狀接觸窗懸，螺旋 麻，曰心狀導電圖案3 02b的圖案相對 ί邊界範疋圍内。t3G6b的邊界位於螺旋狀導電圖案302b 接著’請參照圖7’在另一實施例中，電性連接相鄰

(S 15 ^ I2678§24twf.d〇c/g 二層導電層302中的螺旋狀導電圖案302b的接觸窗306 包括柱狀接觸窗306c。 由於本發明將作為電極之用的二導電圖案以螺旋狀的 方式對應配置，以提高單位面積中同一層導電層之個別電 極的繞線長度，所以可以提高電容器之單位面積的電容值。 圖8所繪示為本發明又一實施例之電容器結構的上視 圖。圖9所緣示為本發明再一實施例之電容器結構的上視 圖。圖10所繪示為圖8的立體示意圖。圖u所繪示為圖 ’ 9的立體示意圖。 • 夕百先，請參照圖8，電容器結構設置於基底4〇〇上的 多數層導電層402、介電層4〇4及多數個接觸窗4〇6。基底 400例如是矽基底。 圖案402a與導電圖案4〇2b 導電圖案402b配置於開口 是金屬等導電材質。在此戶乃 層數至少為二層，而於此柄 導電層402彼此堆疊配置，每一導電層4〇2具有導電 ’導電圖案402a具有開口 408，

12678^2 4twf.doc/g 電性連接相鄰二層導_中的 窗4〇6例如是環狀接觸窗榻a，環 $接觸商406a的圖案與導電圖案4。 乂 環狀接觸窗406a的邊界位;^導+ 木' 此外，電性連接相鄰界範圍内。 術b的接觸窗406例如是=二;二4〇42中的導電圖案 窗條w伸於相鄰二層觸^06b，長條狀接觸 間’且長條狀接觸窗的i界 界範圍内。 μ % V罨圖案402b的邊 -声Ϊ^®Γ〇『ϋ.·9’在另—實施例中，電性連接相鄰 層402中的導電圖案4,的接觸窗例如是柱狀接 此外’值付 >主意的是，雖妙产固 圖宰402a 口右㈣ 然在圖8及圖9所緣示導電 有一個開口 408 ’但並不用以限制本發明。於 =域:有通常知識者可輕易推知，導電圖案：a 有一個以上的開口 4〇8而形成網狀 :圖::及圖η)，且如此—來用以連接相 電(圖： 402a的接觸窗條也會呈現網狀的型態。 電Θ案 等型Ϊ於ΐίΐ作為電極之用的一導電圖案為環狀或網狀 面并In —一導電圖案配置於所對應開口中’以提高單位 =中同-層導電層之個別電極的繞線長度 南電容器之單位面積的電容值。 』以和 紅上所述，本發明至少具有下列優點： h本發明的電容器結構用以連接相鄰二導電層的接觸 17 :oc/g 12678仏_ 窗為長條狀接觸窗或為具有與導 之圖案:接觸窗，故可以提升單位面積=案相對應 _二器結構中，長條狀接«或具Μ 鄰二導電c應之圖案的接觸窗的邊界位於相 卢，導電材料之間產生橋接現象，且具二：: 3. 本發明的電容器結構藉由接觸窗之配 以

=:電導::所構成，如此更可進-步提高電容S 4. 在本發明的電容器結構中，作為電極之用的恭 ，二以各種幾何圖案進行對應配置，以提高單位面積中 ^一f導電層之個別電極的繞線長度’所以可以提高電办 态之單位面積的電容值。 谷 —雖;、、;本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 =範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖 圖1所繪示為本發明一實施例之電容器結構的上視 圖2所繪不為沿圖1中A-A，剖面線之電容器結構的 剖面圖。 得的 圖3所繪示為本發明另一實施例之電容器結構的上視 • I2678S2 4twf.doc/g 圖。 圖4所繪示為本發明一實施例之梳狀電容器結構的上 視圖。 圖5所繪示為本發明另一實施例之梳狀電容器結構的 上視圖。 圖6所繪示為本發明一實施例之螺旋狀電容器結構的 上視圖。 圖7所繪示為本發明另一實施例之螺旋狀電容器結構 的上視圖。 圖8所繪示為本發明又一實施例之電容器結構的上視 圖。 圖9所繪示為本發明再一實施例之電容器結構的上視 圖。 圖10所緣示為圖8的立體示意圖。 圖11所繪示為圖9的立體示意圖。 【主要元件符號說明】 100、200、300、400 :基底 102、202、302、402 :導電層 102a、102b、402a、402b :導電圖幸 104、204、304、404 :介電層 106、206、306、406 :接觸窗 106a、106b、406b ··長條狀接觸窗 106c、206c、306c、406c:柱狀接觸窗 202a、202b :梳狀導電圖案 19 [twf.doc/g 206a、206b ··梳狀接觸窗 302a、302b :螺旋狀導電圖案 306a、306b ··螺旋狀接觸窗 406a :環狀接觸窗 408 :開口

Claims (1)

1. 4twf.doc/g 十、申請專利範圍： 1. 一種電容器結構，包括： 多數層導電層，彼此堆疊配置，各該些導電層具有一 第一導電圖案與一第二導電圖案； 一介電層，配置在該些第一導電圖案與該些第二導電 圖案之間，以及配置在相鄰二層導電層之間；以及 多數個接觸窗，配置在該介電層中，分別電性連接相 鄰二層導電層中的該些第一導電圖案及電性連接相鄰二層 導電層中的該些第二導電圖案，其中 電性連接相鄰二層導電層中的該些第一導電圖案的該 接觸窗為一第一長條狀接觸窗，該第一長條狀接觸窗延伸 於相鄰二層導電層中的該些第一導電圖案之間，且該第一 長條狀接觸窗的邊界位於該第一導電圖案的邊界範圍内。 2. 如申請專利範圍第1項所述之電容器結構，其中電 性連接相鄰二層導電層中的該些第二導電圖案的該接觸窗 包括一第二長條狀接觸窗，該第二長條狀接觸窗延伸於相 鄰二層導電層中的該些第二導電圖案之間，且該第二長條 狀接觸窗的邊界位於該第二導電圖案的邊界範圍内。 3. 如申請專利範圍第1項所述之電容器結構，其中電 性連接相鄰二層導電層中的該些第二導電圖案的該接觸窗 包括一柱狀接觸窗。 4. 如申請專利範圍第1項所述之電容器結構，其中該 導電層的材質包括金屬。 5. 如申請專利範圍第1項所述之電容器結構，其中該 (§ 21 I2678S2 4twf.doc/g 些接觸窗的材質包括金屬。 6·—種電容器結構，包括： 多數層導電層，彼此堆疊配置，各謗此 弟-梳狀導電圖案與—第二梳狀導電圖案， = ^導電圖案財該第二梳狀導電圖案的掩齒部J對應i 於壯道ί電層，配置在該些第—梳狀導tffiI案與該些第二 電圖案之間，以及配置在相鄰二層導電層之間；以 鄰二ΐίΐϊί窗，配置在該介電層中’分別電性連接相 二曰¥电層中的該些第一梳狀導電圖案 二層導電層中的該些第二梳狀導電圖案’其^連接相4 的該接相鄰二層導電層中的該些第—梳狀導電圖案 安^#固為—第—梳狀接觸窗’該第—梳狀接觸窗的圖 梳狀導！圖案的圖案相對應，且該第一梳狀接 、”位於該第一梳狀導電圖案的邊界範圍内。 性連項所述之電_構，其中電 結ΓΓ 層導電層中的該些第二梳狀導電圖案的該接 二梳狀接觸窗，該第二梳狀接觸窗的圖案與 二料電11案㈣*相對紅該*二祕接觸窗的 邊界位於該第二梳狀導電圖_邊界範_。 Η、鱼ϋ申料利範㈣6賴述之電容11結構，其中電 觸窗^鄰Γ層導電層中的該些第二梳狀導電圖案的該接 觸囱包括一柱狀接觸窗。 a 22 1267882 4twf.doc/g 9·如申請專利範圍第6項所述之電容器結構 導電層的材質包括金屬。 1〇·如申請專利範圍第6項所述之電容 些接觸窗的材質包括金屬。 -中。亥 u•一種電容器結構，包括·· 多數層導電層，彼此堆疊配置，各該些導電層具有彼 ^交錯對應配置的—第—螺旋狀導電圖案與—第二螺旋狀 導電圖案；

   Μ電層，配置在該些第一螺旋狀導電圖案與該些第 一累旋狀‘電圖案之間，以及配置在相鄰二層導電層之 間；以及 曰 多數個接觸窗，配置在該介電層中，分別電性連接相 鄰一層導電層中的該些第一螺旋狀導電圖案及電性連接相 鄰二層導電層中的該些第二螺旋狀導電圖案，其中 電性連接相鄰二層導電層中的該些第一螺旋狀導電圖 案的該接觸窗為_第_螺旋狀接觸窗，該第一螺旋狀接觸 窗的圖案與該第一螺旋狀導電圖案的圖案相對應，且該第 一螺旋狀接觸窗的邊界位於該第一螺旋狀導電圖案的邊界 範圍内。 1 12·如申請專利範圍第Π項所述之電容器結構，其中 電性連接相鄰二層導電層中的該些第二螺旋狀導電圖案的 該接觸窗包括一第二螺旋狀接觸窗，該第二螺旋狀接觸窗 的圖案與該第二螺旋狀導電圖案的圖案相對應，且該第二 螺旋狀接觸窗的邊界位於該第二螺旋狀導電圖案的邊界範 23 1267881 twf.doc/g 圍内。 13. 如申請專利範圍第u項所述 電性連接相鄰二層導電層中的該些其中 該接觸窗包括一柱狀接觸g。 以疋狀導電圖案的 14. 如申請專利範圍第n項所述 該導電層的材質包括金屬。 令為、、、。構，其中 15. 如申請專利範圍g n項所述 該些接觸窗的材質包括金屬。 MS結構，其中 M·—種電容器結構，包括： 多數層導電層，彼此堆疊配置， 第一導電圖案與一第_道带安^ 電層具有一 開口，且今第1、莫+二電圖木’該第—導電圖案具有-一 亥弟一導電圖案配置於該開口中； ^電層，配置在該些第—導電圖案與該 〜,】’以及配置在相鄰二層導電層之間 h 鄰二層導電層中的該些第一導;電=:生連接相 導電層中的該些第二導電接相鄰二層 接觸導:層中的該些第-導電圖案的該 電狀接觸自，S亥環狀接觸窗的圖案與該第一導 電圖案的圖案相對應，且該環狀接觸窗^ 導電圖—邊界範_。翻自的邊界位於該第一 電性^第16項所述之_結構，其中 窗包括一且、曰電S中的该些第二導電圖案的該接觸 &條狀接觸窗’該長條狀接觸窗延伸於相鄰二層 24 • I2678&2 4twf.doc/g 導電層中的該些第二導電圖案之間，且該長條狀接觸窗的 邊界位於該第二導電圖案的邊界範圍内。 18. 如申請專利範圍第16項所述之電容器結構，其中 電性連接相鄰二層導電層中的該些第二導電圖案的該接觸 窗包括一柱狀接觸窗。 19. 如申請專利範圍第16項所述之電容器結構，其中 該導電層的材質包括金屬。 20. 如申請專利範圍第16項所述之電容器結構，其中 該些接觸窗的材質包括金屬。

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