TWI261670B - Apparatus for treating temperature compensation - Google Patents

Description

1261670 九、發明說明： 【發明所屬之技術劈域】 、/本發明涉及通過由物體放射的熱，例如遠紅外線等， 進行…泉圖ϋ欢測、測出火災和人的存在等或物體的溫度 的溫度校正處理裝置。 【先前技術】 熱電偶是即使對人體產生的微小的遠紅外線，也可將 =射的遠紅外線變換為熱，採用將熱直接變換為電的賽貝 克效應，產生直流電壓的裝置。 綠从上^所明赛貝克效應是，連接不同物質的不同種金屬 f :端:若加熱—端接點、冷卻另-端節點’則產生熱 ΓίιΪ之產生該熱電動勢的特性。將該效應用於 :熱大小測量接點間溫度差的感測器稱為孰電 15 個熱電偶、輪出更高電㈣稱為熱電堆 情況mm—輯熱變化量的 此外，以往的二維熱電堆陣列被裝設在電子測量儀箄 的頂部，用作不直接接觸地 、里儀4 具體地，電子測量儀^ 的被_溫度的裝置。 量區域，可以測量放置為二維熱電堆陣列的測 技術記載在參考文獻^轉室上的被測物溫度分佈。上述 採二術作為人體檢測方法被 …、电堆陣列的照明燈。 20 1261670 ^ 口^…可以降低造價5還可提供低價產品。可舉出用 可以同％利用r^測量精度可放心地使用這一優點。 火-:Ϊ二Γ可舉出通過採用熱線探測器可製成精度好的 火火報^或人體檢測的安全裝置這一優點。 【實施方式】 本發說明本發明的詳細情況。第-圖為表示 號處理裝置框圖。在同圖中所示的顯示信 遠處理裝置中，敎雷谁刑、土 右-:、隹生延紅外線區域感測器1，在内部具 ==1、掃描電路3、溫度感_ 被探&不進仃溫度測量並成為目標的區域。 被^木測&域5通過透錄6，烚 15 20 域感丨二^小亚取人熱電堆型遠紅外線區 被探測區域5t熱電堆_ 2將由透鏡6縮小的 按遠紅外線量比例的微弱電2二32 (橫）的區域’得到 根據上述微弱的雷叙埶 被探，域5各區域的2資^維熱電堆陣列2可以取得 的溫ΐ;訊2得到的被探測區域5的各區域 溫度差。二維=L=5和二維熱電堆__ 域5的區域與自身的:】差2可以僅知各所分_^^^ 二維熱電堆陣列2白 測量。 母的溫度可由溫度感測器器件4 因此’微型電腦9通過由來自溫度感測器器件4的溫 8 1261670 度資訊，計算在二維熱電堆陣列 的各區域的溫度:纽，可制 t咖被探測區域5 (^) X 32 ii-) 被刀到為被探測區域5的32 J X 32 U田、）各區域的溫度資訊。 内置熱電堆型遠紅外線區域 外部輸入時鐘信號和重定信號。掃描^ ^描，路= 號來時，將配置於上述掃描 母個重疋t 並回零。 ^3㈣的魏器值初始化 ，二=描電路3内部的計數器與所輸入的時鐘 七就的上升邱步’―個—個地增加計數值。 以二維熱電堆陣列2的32 (縱）χ32 (樺 域，從左上角起依次所有了地址。掃描電路3利 ====將分配給二維熱電堆陣列2的位址值= 一人输出至一維熱電堆陣列2。 15 述位址的二維熱電堆陣列2,將依次對應的各區 域所取付的溫度差資訊作為電位差（電壓）輸出。 山上述％位差攸熱電堆型遠紅外線區域感測器1的 端子P端子、N軒輸出。p端子是p溝道端子， 極性；N端子是N溝道端子，意為 負極性。 從熱電堆型遠紅外線區域感測ϋ 1輸出的P端子、N 端子輸入放大器7。放大器7為差分放大電路，根據p端子 和N端子的電位差5放大電位差並從放大器7作 號輸出。 由於在二維熱電堆陣列2產生的電動勢微弱，故需在 放大器7中用高放大倍數放大。 20 1261670 本實施例的放大器7，將P端子與N端子的電位差放 大約數千倍5輸出至低通濾波器（LPF) 8。 LPF8為由電阻和電容器構成的低通濾波器。LPF8將 在由放大器7放大後的電位差内所包含的信號中急劇變高 5的雜訊成分平滑化，輸出至微型電腦9内部的12位元A/D 轉換器10。 12位A/D轉換器1〇將由LPF8輸入的類比信號變換為 12位元數位資料。 此外，溫度感測器器件4將二維熱電堆陣列2自身的 10溫度資訊作為電位差輸出。

二維熱電堆陣列2自身的溫度資訊被輸入12位元A/D 轉換器11，由12位A/D轉換器11變換為12位元數位資 料。 ' CPU12計算表示來自12位A/D轉換器11的二維熱電 is堆陣列2自身的溫度資訊、和來自I】位元a/d轉換器 的各所分割區域的二維熱電堆陣列2之間的溫度差的電壓 輸出’得到被分割為32 (縱）X 32 (橫）的每個區域的溫 度貧訊。 其中的溫度資訊為表示被探測區域5的每個區域溫度 2〇 ί二維熱電堆陣列2之間的溫度差的相對溫度差。也就是 。兒被才木測區域5的每個區域的溫度如果與二維熱電堆陣 列相比較，就可知溫度相對高多少、低多少。 為了得到被探測區域5的每個區域中的溫度資訊， CPU12在表示被探測區域5的每缠域的溫度和二維熱電 !() 1261670 2之間的溫度差的相對溫度差中，附加並求出二維 熱電堆陣列2自身的溫度資訊。 =求得的每個被探測區域5的區域中的溫度資訊，由 制旦沾f ^ CPU _敎，_ SRAM1 (14)中。1次所 里时母個32x 32區域的溫度資訊被稱為〗幀，作為1個 一貝汛早位被收集處理。 旦1ί本貝加例中’被檢測區域5的溫度測量定為1秒測 里-人，在SRAM1C14)中，記憶了過去3次的測量结果。 果在每次新測量溫度是隨時刪除最早的測量結 、’、貝更新。細的—系贼理程式被記憶在PROM13 由被稱之為閃燦應的非易失性記憶體構 在t正耘式時可重寫、使用方便。 15 被八=:第：圖所示的_(14)和狃鑛⑻ 被刀開圖不。在CPU中所㈣記憶體中，—般將 體區分錢健撕管理。若由⑽ 取了 Γ據記憶體的位址資訊等從所區分的記憶體子二 擇1個區分物件，勃并居山紅们木口中砥 稱之為存儲單b ^“人。將㈣的記憶體區分 採用上述存儲單元將記憶體分為2 個設為SRAM1 (⑷艿⑴…/ 、 兩早兀將母 為2個使用。及SRAM2U5)’可將1個8_分 在利用5亥存儲單元時，與單個設sramι(ΐ4)及说 (:;汐=比，可共有部分内置的記憶體 —部刀，故可減小微型機9的晶片面積。 ㈣ 20 1261670 為了瞭解每個完成品的溫度特性，需要從低溫到古、 的範圍内，在不同的溫度中，至少進行2次以上測量= 用了黑體爐/9的溫度試驗。例如在低溫_ 度，在南溫範圍内設為攝氏4〇度進行試驗。根據試驗結果， —5 *戶、際’則里的值發生偏移時，進行將實際值接近實際專 爐19的溫度的理想值的校正。 、〜、、、耀 第=圖至第四圖對具體的校正方法進行詳細說明。 > 在第二圖的（1)、（2)中，從低溫到高溫具體說明以 一定比例校正高或低的情況。在低溫、高溫進行測量，如 10果在低溫、尚溫範圍為大致相同程度的誤差，則可僅以一 定的比例單純地將所有的實測值進行升高或降低而進行= 效的校正。 ’ 在第二圖（1)中，在由採用黑體爐19的實測值的測 量結果中，相對理想的直線高出一定的比例來所測量的^ 15因此，進行降低一定數值的校正。在第二圖（1)中，在低 丨溫及高溫的範圍内，相對理想的溫度，由於測量出高出$ 度，故進行將由實測值減5度的值作為測量結果的校正。 此時，相對理想的溫度，校正的溫度被保持在pR〇M13中。 在第二圖（2)中，與第二圖（！）相反，因採用黑體 爐19的實測值的測量結果低，故進行升高一定數值的校 正。在第二圖（2)中，在低溫及高溫的範圍内，相對理想 的溫度，由於測量低5度，故進行將由實測值加5度的值 作為測量結果的校正。 在第二圖的（1)及（2)中，是通過校正溫度減少誤 1261670 差的考慮方法，而在第四圖中，表示無理想值自身的情況。 只測量2點實測值，之後所測量的結果以所在連接該實測 值2點的直線上作為過程決定實際溫度。

10 15

在第三圖中，在被檢測地區域5的區域中設置黑體爐 19 ’作為不同的2個已知的第1溫度和第2溫度。第1溫 度為低溫的5度，第2溫度為高溫的40度。 將由來自第1溫度、第2溫度中的A/D轉換器1〇及 轉換器u的輸出得到的測量結果分別作為第工基準計 算結果、第2基準計算結果。 :出連接第1溫度中的第丨基準計算結果和第2溫度 中的第2基準计异結果的直線。在每次測量被檢測地區域$ 的區域時，採用線性關係預測實際溫度。 具體為，測量被檢測地區域5的區域，將得到的計曾 :果作為y轴的點，由與直線相交賴求出垂直下落到X 軸上的比例_為基礎綱實際溫度。 ，二圖及第三圖中，战用黑體爐B 進行2點測量，由？ 七，+ 1 皿度 偏差的方法。自2胃/^ f直線、並校正與理想直線間的 理想直線的校正。·據實測值的直線’進行如成為 對南溫和低溫2^ 的直線、並校正為理相直1'厂’由2點求出根據實測值 有時包含測量誤差/直線¥’在測量2點實測值的時刻， 所謂該測量誤差，Β户— 因，例如，有根據雜訊影量，次不同的主要原 ^曰的大小，在測量結果中較多包 20 1261670 含測情況和幾乎不含測量誤差的情況。 的結果㈣誤差的如下’其後由於根據試 成為追=====蝴量結果中 驗時 19的試驗夕包含測里决差的情況’希望對由黑體爐 ^不①2點’而是進行許多試驗。

線。2 所示’通過許多試驗難以得到近似直 線口此’進行利用最小二乘法的溫度校正。 嚴二維熱韓_ 2自身的溫度特財時也不是 通過’丨而是2次崎。在溫度特料2次曲線時， 在最小限法進㈣溫度校正’可將測量誤差控制 以下顯示利用最小二乘法的溫度校正方法。對由里體 15 m生的基準溫度進行攝影，將此時的資料設為X、測 、=度汉為y ,使黑體爐19的溫度依次變化，將7個採樣 的、°果表示為式卜連接實測值的近似函數（近似曲線）與 理想的直線（近似直線）不能完全吻合的理由是考慮了上 述測量誤差的影響等。 若對黑體爐19依次設定基準溫度為χ1、χ2、χ3···，將 此日寸的測里結果設為y2、…，則對基準溫度的每個變 化進行N個採樣的結果可以表示為式1。 ϋ式13 (xn，yn) 9η=〇，1 5 …，Ν~1 另外，由式2表示求出的近似函數 1261670 K式23 f (x) =rc〇 + c1xJrc2x2 + -^cnxn 在理想的直線中，將測量1中的x座標設為xl，此時 5的y座標為a (xl) +b。用測量1在實測值中，x座標為 XI，y座標為yl。理想值與實測值的差被稱為預測誤差， 可用 S1 = yi— U (xi) +b}表示。 正如由式2所示的近似函數（近似曲線）的預測誤差 為最小，式2的係數c〇〜cn採用平方誤差，可表示為式3。 ) ϋ式 33 Ν-1

Sz=z Σ (yn~f (xn)) 2 n-〇 在式3中，如果忽略X的係數比3次大的情況，則可 15表示為式4。 K式43 ^n~ ^yri~C0 ~C]xn—c2xn2) 2 20 ^在式4中’有關係數c〇〜cn，在成為最小的點中，偏微 刀的值為令。有關係數c0〜C2在成為最小的點中，偏微分 的值為零，故可導出式5、式6、式7。 ε式52

N~1 Σ η=0 〔yn—C〇—C!Xn—C2Xn2)

16 1261670 [[式 63 h— dcj N—l Σ (yn~C〇~'CjXn—C2Xn^ ^ = 0 n=0 [I 式 73 C 〇N + C1 N-l N-l N-l Σ x^i I 〇2 Σ Xu Σ 少” n=0 n=0 n=0 而且，若解式5則為式8，若解式6則為式9，若解式 7則為式10。 ϋ式82 N-l N-l N-l Ν-1 c〇YlχηΛ~ cι Σ] Xfj 丨 〇2 Σ ΣΙ η η=〇 η=0 η=0 η=0 15 [[式 93 Ν-1 C〇 Σ Χη Cj η=0 Ν-1 Ν-1 Ν-1Σ Xu I 〇2 Σ Χγι ~~ Σ Xu y γι η=0 n=0 η=0 [[式 103

’Ν Σ χη Σ χη2、 lyn、 Σ Σ χη2 Σ Cl — Σ xt1y n Σχ/Σχ/Σχ/ ν J c2 y n ^ J 17 1261670 若用矩陣變換表示式8、式9、式1〇則成為式u £式 112 (Arj) (C/) = 由式11可得到以CG〜C2為未知數的連立方程式。若設 係數矩陣為Ay、未知數向量為Ci、常數向量為氏，則式u 表示為式12。 · 1 K 式 123 (Arj) (Ci) = (Bi) 要素可表示為式13。 當式12時，近似函數的最高次數為n次時，a、b的 κ 式 132

由基準輸入資料式1求出二次最 連立方程式，若解其便可得到q。

丨一次最小平方多項式、導出 ci。通渦趑Ci代入式2，將新 曲線，故由採樣的數點 巧c〇〜C2登錄到r〇m，可 電堆特性的溫度。 樣，故可進行高精度的 需要在每個圖元單位進 18 1261670 行上述處理，得到校正後的溫度。通過採用最小2除法5 可將實際測得的溫度更接近理想值。 以上針對本發明的實施方式，根據其實施方式進行了 具體的說明，但並不限定於此，在不脫離其主要意思的範 5圍内可作種種變更。

19 1261670 【圖式簡單說明】 第一圖是表示涉及本發明的一實施例的顯示信號處理 裝置的構成框圖。 第二圖是表示涉及本發明的一實施例的具體動作的 5圖。 第三圖是表示涉及本發明的一實施例的具體動作的 圖。 第四圖是表示涉及本發明的一實施例的具體動作的 圖0 【主要元件符號說明】 1熱電堆陣列 2二維熱電堆陣列 3掃描電路 4溫度感測器器件 5被探測區域 6透鏡 7放大器 8低通濾波器（LPF) 9微型電腦 10、11 A/D轉換器 12 CPU 13 PROM 14 SRAM 1 15 SRAM2 19黑體爐 20

Claims (1)

1261670 在每次求出連接上述第i基準計算結果和上述第2其 準計算結果的直線的斜率並測量上述受光部的溫度時^ 用上述線性關係預測上述監視區域的溫度。 4、 依據申請專利範圍第丨項所述的溫度校正處理裝 5置，其特徵在於： 、 進行多次溫度測量，根據來自上述計算電路的結果， 求出表示溫度特性的函數，根據該函數校正來自上述計算 電路的溫度。 5、 依據申請專利範圍第4項所述的溫度校正處理裝 10置，其特徵在於··上述函數採用了最小2乘法。 6、 依據申請專利範圍第1至5項所述的溫度校正處理 襞置，其特徵在於：採用了熱線探測器。 22