TWI261614B - Alkyl and aryl trifluoromethoxytetrafluorosulfuranes - Google Patents

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Description

1261614 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關新組合物的物質(特別是芳香基三氟甲 氧四氣硫燒),它們可被衍化產生高電極性的分子,特別是 具有高介電向異性的新液晶組合物。 【先前技術】 液晶是許多種類光學顯示器的一種基本組成,液晶在 此應用領域的效用與液晶分子中的極性基團的強度與位置 以及液晶所表現的介電向異性有關(1)。因此,文獻顯示在 主動矩陣驅動式顯示器中所用的一些液晶已發展出含有高 極性前端基團(1,2)的液晶,尤其是全氟化的基團(例如eh) 給予此分子一個偶極,以便增加介電向異性並因此提高其 性能。 早期的學術研究顯示導入額外的侧面氟原子將會增加 分子的偶極矩,因而增加介電向異性並提高性能,然而此 種側面氟化的程序對產品的其他性質有負面的影響,例如 液晶的相變點。因此,學術研究開始集中於確認新的高極 性末端基團,它可以在增加介電向異性的同時引發相$高 的相變點(2)。 W μ 新的液日日鈾基團的研究一直在進行,鹿 ^ 您用鬲極性的 -SF5基團於向列型液晶的合成(3,4)就是證據。在 、 叶估過物 理性質後顯示-SF5為主的液晶是一種極性等 適用於主動矩陣驅動式顯示器技術,有一此 二蚁不利的性質 1261614 也變得明顯。首先,實驗測得新合成的-SF5衍生物的介電 向異性遠比預期的還低。另外,此種液晶具有比較高的旋 轉黏度以及較高的熔點(3)。 文獻中報導以化學基團-SF4-OCF3當作少量無機組合 物的一成分,包括F5SOCF3 (5)及F4S(OCF3)2之順式-及反 式-的異構物(6)。最近的專利(7)建議含有_CF2_SF4_〇CF3基 團連接在各種有機結構的液晶組合物,但是並沒有合成此 種組合物或明確的描述[見(7a)]。特別是並未有先前的技術 或疋SF^OCF3基團被附加在一種有機基團的真實化合 物,雖然芳香基硫化物及FWOF(氟氧三氟甲烷)之間的反 應已被報導(8),但是研究者並未揭示任何含有s_〇_CF3鍵 結中心的產物,此外,使用-SIVOCF3作為官能基仍是未被 探究的。 因此,人們渴望提供具有高介電向異性的液晶組合 物,而且實質上不會受上述其他液晶組合物的缺點之苦。 在此所引用的所有參考文獻的全部内容被加入作為參 考。 ^ 【發明内容】 因此,本發明提供一種包含RSF4〇CF3的組合物,其中 R是一種有機基團,而SF4〇CF3鍵結在此有機基團的碳上。 另外提供的是—種包含RSF4〇CF3的組合物,其中R 包含一種六個碳原子的環。 優選地,R是具取代基或不具取代基的環己基,更優 1261614 選地,R是具取代基或不具取代基的苯基或萘基。 也提供一種包含下面分子式的結構的組合物:
其中的,R2,R3,r4,及r5各自是選自由Η,烷基,芳 香基,環烧基,_素,硝基,全氟化烷基,氰基,甲氧基, 三氟甲氧基,五氟化硫以及三氟曱氧四氟硫烷基所組成之 族群。 本發明另外提供一種芳香基三氟曱氧四氟硫烷。 另外仍提供一種包含下面分子式的結構的組合物: R2 Η R,
R4 H rs 其中的Ri,R2,R 香基,環烷基,鹵 二氟甲氧基,五龜 族群。 另外仍提供一 以下面方程式表示 ,尺3,汉4,及115各自是選自由11,烷基,芳 ’齒素’硝基,全氟化烷基,氰基,甲氧基, 五氣化硫以及三氟曱氧四氟硫烷基所組成之 種製備本發明的組合物的方法,該方法 1261614
其中S_Z疋S-H,二硫化物(亦即s-S,其中的硫鍵結在完 全相同的Ar基團上並形成一種以二硫鍵相連結的二聚 物:Ar-S_S-Ar),S-C1 或是 SF3。 另外仍提供一種製備本發明的組合物的方法,該方法 包含將一種芳香基硫氯四氟化物或是一種芳香基硫溴四氟 化物與一種-OCF3的來源反應,如此一來藉由直接化合、 光催化反應、或是熱誘導置換使_〇CI?3由芳香基硫氯四氟 化物中取代一個氣原子,或是由芳香基硫溴四氟化物中取 代一個溴原子,以提供此組合物。 另外仍提供一種製備本發明的組合物的方法,該方法 〇 3將種芳香基二氟化硫與一種活性氟化物驗以及_種 -OCF3的氧化來源反應,以提供此組合物。 【實施方式】 〜本發明想在對其他性質沒有明顯負面影響的情況下 決獲得高介電向異性的問題,本發明提出鍵結在一種有 、、“冓的獨特的官能基(_sf4-〇cf3)當作一種新的物質組 物八此、、且合物是有用的合成基,它可被衍化產生高電極 、 特別疋具有咼介電向異性的新液晶組合物。此 新的物質組合物是藉由一種芳香基二硫化物或硫醇與氣 1261614 二鼠曱烷的反應所合成。 本發明在本文所描述的某些具體實例包含以分 R-sf4-〇Cf3代表的一種新的物質組合物,直中的尺^ 一種 有機基團。有機基團的性質不特別被限制,它提俾二 與咖3中的硫鍵結的有機基團。非限定的合適有機: ^的例子包減基,環貌基,聚㈣基,㈣以= 基,具取代基的萘基,聚烯烴化厶 J方曰 破-ShOCF3取代),聚苯乙烯(其 —甲的虱 、中sf4〇cf3是芳香環上的 一個取代基),含氧的雜環,含T上的 士 u 鼠的雜環,含硫的雜璟,呈 有非芳香族不飽和基的化合物( ^ /、 , 如乙炔及烯烴),岑直# 由類似之含-CF3及_8卩5_的有嫵礼 义其他 機物所製造的含_SF4〇rp认 有機化合物(例如見參考文獻17 4OCF3的 及 1 8 ) 〇 本發明優選的具體實例包接、 -種新的物質組合物: 下面通用、•口構所代表的
化合物I 其中的Ri,R2,R3,R4,及 不限定)H,貌基,芳香基,環3有的基團通常包括(但 烷基,氰基,甲氧基,三氟甲_素’硝基,全氟化 机7虱基,五外汾 氟曱氧)四氟硫烷基〇SF4〇cf彳 瓜,頜外的(三 3)’卩及其他對製造新組合物 1261614 、、:牛車乂不活潑的基團(或者是如果具有反應性,可以在合 一、才被車乂不活潑的保護基團所取代),以及那些可以自己表 出有用的或疋用來轉換成(或是附加在)其他有用的官能 基的基團。 如圖1及2所不、SF4〇CF3基團是以兩種異構物存在,
fac-(或順式-)及 mer_(^ 斤 4 、 L (A反式-)。這些異構物通常是穩定 的,而且在室溫下不會異構化。
原則上,化合物I J以利用一般的技術進行化學衍化 而形成其他新的組合物,_ Φ ^ ^ Φ ^ V- 廷些組合物包括可用來當作液晶 ΐ子顯不益中的液晶物質 貝 適合加在化合物I的,,层媸其” 的性質並沒有特別限制, 毛細暴 匕使最終化合物具有令人滿咅的 性質,例如在單獨使用或B春 人/雨Μ的 _疋*作液晶混合物的一個έ且忐 時,它具有可接受的性暂 ^ 1LJ、、且成 n ^ 离。在本發明的某些具體實例中,
Ri,R2,R4 ’ 及 R5 的每 疋上文所定義的(例如Η),而 R3是以下列分子式中的—個來表示: 如H)而
10 1261614
其中r6是一個烷基,環烷基或是具取代基的苯基,在某些 具體實例中,烷基是1個碳到1 8個碳的烷基。 例如化合物I可被衍化並提供具有化合物II,III及 IV (如下面所示)之通用結構的化合物:
化合物II C3H7
X
化合物III
化合物IV
其中,例如X代表-CF3,-CN,-SF5,或是-OCF3,已 知這些化合物具有使它們可用於電子顯示器的液晶或液晶 中的混合物。此處的”前端基團’’(-X)表現出關鍵的作用,它 1261614 提供一個具有強的偶極矩的分子。分子的偶極矩(μ)及電的 極化率向異性(Δα)是決定此分子作為液晶顯示器的一個組 成的效能或效用的基本性質,而且高度取決於前端基團(_χ) 的性質以及它使依附的有機結構。 為了要說明本發明的化合物對於設計及合成新的液晶 組合物的實㈣,我們以已確立的方法來計算示範化合物 II ’ III ’及IV(其中-X是_SF4〇CF3)的性能,並將這些性質
與上述已知的組合物(亦即化合物π,ιπ及ιν’其中的X 疋CF3 CN -SF5或-〇CF3)以相同方式計算及由實驗所得 的性質做比較。 我們以量子力學為基礎的計算方法包含首先使用 SPartan(5丄3 版,Schr〇dinger,ll〇產生一個結構,並且 以此軟體套件利用半經驗的參數法3的方法論得到一個初 始的幾何最佳化,所產生的結構再㈣㈣爾(41版, SChl*〇dinger,LLC)軟體套件的密度泛函理論 B3LYP/6 31G # δ十异方法進一步最佳化;這在以前⑺就曾 證明六價的氟化硫需要此種第一原理⑽in·)或密度泛 函理論的方法來可靠地預期它們的偶極矩。然後利用單 點,弟一原理HF/6-31G*的方法論配合搞合微擾
Hartree-FGCk極化率由最佳化的結構計算出不同組合物 、又之偶極(μ)的计异值及極化率向異性(Δα,方程 式1), 12 1261614 zz
Aa 2 方程式1: Δα=極化率向異性 αζζ-分子長轴的極化率 ayy=第一分子短軸的極化率 αχχ=第二分子短軸的極化率 設計液晶顯不器所要的是其介電向異性(△勾及光學雙 折射率(Δη)。文獻中(11)顯示Λε大概與偶極矩的平方(从^ 成正比,而Αη大概與極化率向異性(Δα)成正比,圖3及* 說明先前已知的化合物H,„卜及IV的這些數量的相關 性。對於化合物π到IV(其中的·χ是_SF4〇CF3),由統計學 所推導的^及,與^與&之間的關係,可以計算其幻 與Δη的值,這些值以括號列於表1中。 由這些結果可明顯發現„到IV的結構(其中的_乂是 -SF4〇CF3)可以自化合物!衍化而成,它們的心及々與已 知液:¾的Δε及Λη是一致的。再者’這些Woe。化合物 所計算的偶極數值及制的介電向異性接近或㈣用來比 較的高性能的具氰基取代的模式,尤其是職-異構物,因 此這代表由化合物!所構成的化合物有希望成為液晶,其 中化合物I是當作分子的主要基團 受I圈,此基團包含-SF4〇cf3 的“前端”。 13 1261614 表1:液晶物理及光學性質的計算及比較 化合物 —-- -------- 總μ計算 (debye) -—------- ------ Δα計算 (au) Δε文獻 (估計值) Δη文獻 (估計值) II-CN 8.01 32(12) 0.13(12) ii-cf3 6.02 16·严 0.093(2) II-SF5 7.71 ----- 64.3 20.3W 0.091(3) II-OCF3 5.52 一 II 知 SF4OCF3 7.79 59.8 *----- …(28.7) --(0.107) II-mer-SF4OCF3 8.37 — 63.1 …(34.9) —(0.110) III-CN 6.24 118.4 18·1(12) 0.211(12) III-CF3 4.01 〕 88.4 一 III-SF5 6.01 155.2 15.8^ 0.161(3) III-OCF3 3.45 87.9 III 知 SF4OCF3 5.92 —(11.8) —(0.146) III-mer-SF4〇CF3 6.38 103.2 —(15.5) —(0.146) IV-CN 6.66 61.4 16.8(1) 0_128(11) IV -CF3 4.82 53.6 ——-— — IV -sf5 6.34 — 51.9 12.4W 0.091(3) IV -OCF3 4.55 63.5 IV "^/23?c~SF4〇CF3 6.58 101.1 —(17.2) —(0.144) IV -膨卜 SF4OCF3 6.84 74.5 _V /__ -(19.5) …(0.121) --~·_ ___ 註:上標括號中的數字代表參考文獻的號碼。 因此,在某些具體實例中,本發明包括一種含有一種 (二氟曱氧)四氟硫烷基當作前端基的液晶,其中此組合物 的介電向異性(Δε)至少是1丨(優選的是至少15,更優選的是 至少19,甚至更優選的是至少34),而且光學雙折射率(△“ 至少是0.1(優選的是至少0.H,更優選的是至少〇 i2,甚 至更優選的是至少0.14)。 液晶分子的側面氟化以及/或是導入挑選的聯結基來 .整物理性質已被確立(1,2),而且很有機會可以製備含有 -SF4〇CF3並具有想要的向異性性質的分子。比較用的計瞀 14 1261614 數據及文獻的數據列在表 中’匕們證明在示範的化合物 V,VI及νπ中因為側面 4叫軋亿便偶極提高的效果。
化合物V
化合物VI
化合物νπ
以及 mer-SF4OCF3 表2 ·侧面默化基團的計算的總偶極矩,單位:debye 前端基-Y 化合物V 化合物VI 化合物VII -OCF3 2.79 (2.36)^ 3.72 4.12 -CF3 3.09 (2.86)° 4.13 4.56 -SF5 T63 (3.44^ 5.28 5.67 -CN 4.94 (4.18)^ 5.84 6.37 ~ _/^〇SF4〇CF3 4.95 5.32 5.75 一 -mer-SF4OCF3 5.27 5.77 6.31 註:括號為文獻的數據,其對應的參考文獻號碼在上標處。 15 1261614 將化合物I _ 51化成含環己基的類似物(化合物vm)也 <疋°仃的’化合物νπι也可以與其芳香 似的方式被用來者冼 的對應物相 木田作一種高極性前端基團的合成芙。
優選的方法如下面方程式所示(亦 即反 合成化合物 應1):
化合物IX
化合物I 其中-Ζ可以是-Η,一種第二硫化物基團(亦即其中的化合物 IX是兩個單體以一個二硫化物鍵連結在一起的二聚物· Ar_S-S_Ar),-C1,或是其中的s_x代表中間物_SF3(i5)基 團。反應1可在0。〇到120。(:之間的溫度下進行,但更優選 的是在20t:到80°C之間,而且取決於作用物(化合物ιχ)的 反應性。此反應可以在純的化合物IX或是在一種惰性溶劑 存在下進行,此種惰性溶劑可以選自由(但不限定)不同類 16 1261614 別的溶劑,例如膳_ W頭(乙腈),氟氯碳化物(CFC-113),全氟 碳化物(FC-72),占山 _石反化物(氯仿),烷烴類(癸烷),去活化 的芳烴化合物[13雔 # L 雙(二亂甲基)苯],非氧化物的酸(無水 HF),或其混合铷。备儿_ B 物 鼠化劑[氟氧三氟甲烷(cf3of)]可以批 量添加到反應器Φ+ IM 4 ^ %中,或以連績流入反應器中,其濃度範圍 介於1%到1 00 0/。之間 其餘的為N2,〇2,空氣,f2,CO, C〇2,Ar,He,卩 ,, 0 ’ SF6或是這些的組合;優選的cf3〇F 濃度範圍是介於5%到2〇%之間。
曰反應1不是合成化合物I唯-的方法,另外-個方法 疋先產生之$報導的芳香基硫_化物四氣化物⑺,或是化 合的X:
化合物X, Z = ci或Br 然後將它與一種_〇CF3的來源(例如CF3〇F,F3c〇ci, FgCOOCF3)或是各種已知的fwo-鹽反應,藉由直接結合, 光催化反應,或是一種熱誘導的取代來進行氯或溴原子的 取代。另外一種可能的合成是利用一種活性的氟化物鹼(亦 即無水四甲基銨氟化物)以及一種氧化的CKO·來源(例如 FWOOCF3)來處理相對應的芳香基硫三氟化物中間物。
ArSF^CF3的fac-及mer-的異構物可以藉由色層分離 的方法來分離,製備的氟的逆相HPLC〇〇)是優選的^層分 17 l26l6l4 離的方法,因為它提供異構物優異的分離率。理論上來說, 分餘可容易地將異構物分離。 本發明將以下列的實施例更詳細地說明,但需了解本 發明不想被這些實施例限制。 實施例 實驗的背景 本文描述4-溴化苯基硫醇(Aeros)被用來製造4-漠苯基 二硫化物。無水乙腈(Acros)不需進一步純化可直接使用。 反應器由3/4”或1”FEP管子所組成,此管子的一端被熱封 並且以一個T316S.S·的壓合裝置蓋住;此壓合裝置包含兩 個與T316S.S.活門相接的孔當作入口;反應器的入口經由 1/4”FEP往下流到反應器的底部,並輸送到一個當作氣體喷 霧器的1 Ομηι濾心。在氮氣下將溶劑及化合物Ιχ裝填到反 應器中並封閉’將此反應器連到一個流體歧管,並在周圍 的壓力下供應一種8%CF3〇F的氣流,並以 FTIR(Pr〇spectIR,MIDAC)分析流出物,以便追踪反應的進 展。把一種接在反應器之後的U形氣隔浸在冰中,以捕捉 在升溫下會漏出的可冷凝物質。NMR的圖譜是利用一種 HP-5890IITGC/HP7972 MSD 的組合所得到。製備的 Hp]LC 是使用一種HP-1100系列HPLC,它安裝了一個2〇〇叫樣 品注射迴路,一個具有保護管匣的25〇nm><1〇mm的
FluoPhasePFP(^m粒子,1〇〇人孔)的半製備管柱,以及接 在後面的一種高壓UV槽(在254nm)。 18 1261614 貫施例1: 4 -溴苯基二硫化物 將4-漠笨基硫醇(25 〇 g,132 mrnc)1)及甲醇(25〇rnL,
Fisher Scientific)加入一個500 mL的圓底燒瓶(含有一個塗 佈Teflon的攪拌棒)。將過量的元素碘(36g,i4〇mm〇1)以 - -人2 g的量直接加入快速授拌的硫醇溶液中,將二硫化 · 物沈殿出來’當破的黑色出現時反應完成。將此反應混合 物加入250 mL的水中,然後先後以碳酸氫鈉及亞硫酸氫鈉 fe慢中和任何殘留的I?,所產生的泥漿再以5 〇 mL的二氯 鲁 甲燒萃取三次;將有機相相加,以硫酸鎂乾燥,並且過濾。 以迴轉蒸發器去除溶劑後發現淡黃色的4_溴苯基二硫化物 固體粗產物(24.5 g,98.7%)。此二硫化物由沸騰的甲醇中 再結晶並在真空下溶化以去除任何殘留的溶劑。 實施例2: 4-溴苯基(三氟甲氧)四氟硫烷 將4-溴苯基二硫化物(5 g,13 mmol)及乙腈(15 mL)填 充至一個FEP管狀反應器。一種含有8〇/〇之CF3OF的氮氣 混合物在25°C以200 mL/min的總流率流經反應器的内容 _ 物’直到72 mmol(大約)的CF3〇F都被加入為止。在反應 時以FTIR分析流出物顯示並非所有的CF3〇F都被消耗 掉。在連續添加CFgOF的同時,被外部將反應器加熱至 -7 5 C,在此溫度下,所有的溶劑以流出物被帶出,只留下 作用物(一種黃色的液體)。在一共大約3〇〇 mmol的CF3OF 流經反應器之後,將反應器冷卻至20°C。將此反應器的内 容物溶在戊烷中並以碳酸氫鈉水溶液中和。以一次10 mL 的戊烷萃取水相三次’且利用迴轉蒸發將有機相濃縮,可 19 1261614 以顯露一種黃色的油狀粗產物(3.25 g)。以GC-MS分析此 粗產物,由相對的尖峰面積顯示存在著12%的4-溴苯基(三 氟曱氧)四氟硫烧的異構物,含1 :1的比例的力^-4-漠苯基 (三氟甲氧)四氟硫烷[GC-MS m/z(%相對的強度,離 子):3 50(100,m+2),3 48(100,M+),265/263(48,M-OCF3), 242/240(83,M_SF4),176/174(35,M-SF4&F2CO), 15 7/15 5(9hM_SF4OCF3),95(78,M-SF4&Br),69(84,CF3)] 及mer-4-溴苯基(三氟甲氧)四氣硫烷[gc_ms m/z(%相對的 強度,離子):350(52,M+2),348(52,M+),265/263(27, M,OCF3),176/174(100,M-SF4&F2CO),157/155(30, M-SF4OCF3),95(98,M-SF4&Br),69(66, CF3)]。4-溴苯 基硫戊烧基氟化物及這些產物的環狀含氟形式是主要的副 產物。這些產物溶在CDsCN的混合物的19f_NMR顯示一種 相似的產物分佈[/bc-4-溴苯基(三氟甲氧)四氟硫烷, F-NMR(CD3CN ’ 5): + 93.5(dtq,IF,J=149.6,149.6,18.6 Hz),+67.8(dtq,IF,J=149.6,149.6,6.0 Hz),+66.7(ddq, 2F,J=149.6,149.6,15.6 Hz),-55.4(m,3F)];[mer-4-溴 笨基(三氟甲氧)四氟硫烷,F19 NMR(CD3CN,δ): +74.6(q, 4F,J=l〇.〇 Hz),-56.3(pent,3F,J=10.〇 Hz)]。利用半製 備的氟的逆相HPLC10來分離出此異構物,利用65%曱醇及 3 5%水的等梯度混合物,以5 mL/min的流動來分離少部分 的粗產物。純物質的NMR及GC-MS的數據與在粗產物混 合物中所歸屬的數據是一致的。以4-溴笨硫醇來取代仁溴 笨基二硫化物並重覆此反應,製造相似的結果。 20 1261614 本發明所提供的新的物質大組合物可以當作其他高極 性分子的組成單元,更具體地說就是液晶,這些新化合物 了 间§有這些化合物的液晶組合物的介電向異性。 雖然本發明被詳細地描述並舉例具體的實施例,但明 顯地,對於此技術的一種技巧可以在不違反其精神及範圍 下做不同的改變及修改。 【圖式簡單說明】 本發明將結合下列圖示來描述,其中同樣的數字表示 同樣的元件,其中: 圖1疋本發明的一種芳香基三氟甲氧四氟硫烷的化學 、、、口構其中的_SF4〇CF3基團是以一種fac_(或是順式_)異構 物; 圖2疋本發明的一種芳香基三氟甲氧四氟硫烷的化學 結構’其中的- SF4OCF,其圍專丨、/ w 暴團疋以一種mer-(或是反式_)異構 物; 囷是以些先别技術的液晶組合物計算而得的偶極 矩平方(μ2)對發表的介電向異性(Λε)值所繪製的圖;以及 Θ 疋以些先别技術的液晶組合物所發表的光雙折 射率(Δη)值對計算而得的極化率向異性(Δ〇〇料製的圖。 21

Claims (1)

1261614 ' _…… (2006年1月修正) 十、申请專利範圍: 1· 一種包含RSF4〇CF3的組合物,其中的r是一種有機 基團而且SF4〇CF3是鍵結在有機基團的碳上,其中R 是Ci-C18烷基,c6-C12環烷基,c6-C12聚環烷基,具 取代基的CpCu芳香基,取代的萘基或取烯烴。 2 · 如申凊專利範圍第1項的組合物,其中的R包含一種 六個碳原子的環。 3 · 如申请專利範圍第1項的組合物,其中的R是具取代 基或不具取代基的環己基。 4 · 如申睛專利範圍第1項的組合物,其中的R是具取代 基或不具取代基的苯基或萘基。 5 · 一種具有下面分子式結構的組合物:
其中的,R2,R3,r4,及r5各自是選自H,Cl-Ci8 燒基’ C6-C12*香基,C6-C12環燒基,鹵素,石肖基’ Ci-Cu全氟化烷基,氰基,曱氧基,三氟甲氧基,五 I化硫以及三氟曱氧四氟硫烷基所組成之族群。 6· 如申請專利範圍第5項的組合物,其中Rl,r2,R4, 及R5各自是Η,而且R3是由下列分子式的其中/個 所代表: 22 1261614 (2006年1月修正) Re
C6_c12環烷基或具取代基 其中Re是一個cvcu烷基 的苯基。 7·如申凊專利範圍第5項的組合物,其中的組合物是一 種液晶而且此結構的(三氟曱氧)四氟硫烷基是液晶的 前端基,此液晶的介電向異性是u至34 9而且光學 雙折射率是0.1至0.211。 8· 如申請專利範圍第5項的組合物,其中的SF4〇CF3完 鲁 全以一種面(fac)的形式存在於此組合物中。 9. 如申請專利範圍第5項的組合物,其中的SF4OCF3完 全以一種經線(mer)的形式存在於此組合物中。 · 10. 如申請專利範圍第5項的組合物,其中Ri及R5中至 · 少一個是F。 11· 一種具有下面分子式結構的組合物: 23 1261614 (2006年1月修正)
s—ocf3
其中的Ri,R2,R3,R4,及R5各自是選自Η,Ci-Cw 烷基,C6-C12芳香基,C6-C12環烷基,鹵素,硝基, CrCu全氟化烧基,氰基,甲氧基,三氟甲氧基,五 氟化硫以及三氟曱氧四氟硫烷基所組成之族群。 12.如申請專利範圍第11項的組合物,其中,R2,R4, 及R5各自是Η,而且R3是由下列分子式的其中一個 所代表: Re
其中R6是一個Ci-Cu烷基,c6-c12環烷基或具取代基 的苯基。 13.如申請專利範圍第1 1項的組合物,其中的組合物是一 24 1261614 (2006年1月修正) 種液晶而且此結構的(三氟甲氧)四氟硫烷基是液晶的 雨^基’此液晶的介電向異性是n至3 4 · 9而且光學 雙折射率是0.1至0.211。 14·如申請專利範圍第11項的組合物,其中的sf4〇cf3 完全以一種面(fac)的形式存在於此組合物中。 15·如申睛專利範圍第11項的組合物,其中的SF4〇CF3 完全以一種經線(mer)的形式存在於此組合物中。 16*如申請專利範圍第11項的組合物,其中Ri及R5中至 少一個是F。 17. 種製備申请專利範圍第1項的組合物的方法,該方 法以下面方程式表示:
其中的S-Z是S-H,二硫化物,S-C1或SF3。 18* 一種製備申請專利範圍第1項的組合物的方法,該方 法包含將一種芳香基硫氯四氟化物或是一種芳香基硫 漠四氟化物與一種_〇CF3的來源反應,藉由直接結 合、光催化反應、或是熱誘導置換使-〇CF3取代芳香 基硫氯四氟化物中一個氯原子,或是取代芳香基硫溴 四氟化物中一個溴原子,以提供此組合物。 19* 一種製備申請專利範圍第1項的組合物的方法,該方 法包含將一種芳香基三氟化硫與一種活性氟化物驗以 25 1261614 (2006年1月修正) 及一種-OCF3的氧化來源反應,以提供此組合物。
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