TWI261614B - Alkyl and aryl trifluoromethoxytetrafluorosulfuranes - Google Patents

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Description

1261614 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關新組合物的物質（特別是芳香基三氟甲 氧四氣硫燒），它們可被衍化產生高電極性的分子，特別是 具有高介電向異性的新液晶組合物。 【先前技術】 液晶是許多種類光學顯示器的一種基本組成，液晶在 此應用領域的效用與液晶分子中的極性基團的強度與位置 以及液晶所表現的介電向異性有關（1)。因此，文獻顯示在 主動矩陣驅動式顯示器中所用的一些液晶已發展出含有高 極性前端基團（1，2)的液晶，尤其是全氟化的基團（例如eh) 給予此分子一個偶極，以便增加介電向異性並因此提高其 性能。 早期的學術研究顯示導入額外的侧面氟原子將會增加 分子的偶極矩，因而增加介電向異性並提高性能，然而此 種側面氟化的程序對產品的其他性質有負面的影響，例如 液晶的相變點。因此，學術研究開始集中於確認新的高極 性末端基團，它可以在增加介電向異性的同時引發相$高 的相變點（2)。 W μ 新的液日日鈾基團的研究一直在進行，鹿 ^ 您用鬲極性的 -SF5基團於向列型液晶的合成（3，4)就是證據。在 、 叶估過物 理性質後顯示-SF5為主的液晶是一種極性等 適用於主動矩陣驅動式顯示器技術，有一此 二蚁不利的性質 1261614 也變得明顯。首先，實驗測得新合成的-SF5衍生物的介電 向異性遠比預期的還低。另外，此種液晶具有比較高的旋 轉黏度以及較高的熔點（3)。 文獻中報導以化學基團-SF4-OCF3當作少量無機組合 物的一成分，包括F5SOCF3 (5)及F4S(OCF3)2之順式-及反 式-的異構物（6)。最近的專利（7)建議含有_CF2_SF4_〇CF3基 團連接在各種有機結構的液晶組合物，但是並沒有合成此 種組合物或明確的描述[見（7a)]。特別是並未有先前的技術 或疋SF^OCF3基團被附加在一種有機基團的真實化合 物，雖然芳香基硫化物及FWOF(氟氧三氟甲烷）之間的反 應已被報導（8)，但是研究者並未揭示任何含有s_〇_CF3鍵 結中心的產物，此外，使用-SIVOCF3作為官能基仍是未被 探究的。 因此，人們渴望提供具有高介電向異性的液晶組合 物，而且實質上不會受上述其他液晶組合物的缺點之苦。 在此所引用的所有參考文獻的全部内容被加入作為參 考。 ^ 【發明内容】 因此，本發明提供一種包含RSF4〇CF3的組合物，其中 R是一種有機基團，而SF4〇CF3鍵結在此有機基團的碳上。 另外提供的是—種包含RSF4〇CF3的組合物，其中R 包含一種六個碳原子的環。 優選地，R是具取代基或不具取代基的環己基，更優 1261614 選地，R是具取代基或不具取代基的苯基或萘基。 也提供一種包含下面分子式的結構的組合物：
其中的，R2，R3，r4，及r5各自是選自由Η，烷基，芳 香基，環烧基，_素，硝基，全氟化烷基，氰基，甲氧基， 三氟甲氧基，五氟化硫以及三氟曱氧四氟硫烷基所組成之 族群。 本發明另外提供一種芳香基三氟曱氧四氟硫烷。 另外仍提供一種包含下面分子式的結構的組合物： R2 Η R,
R4 H rs 其中的Ri，R2，R 香基，環烷基，鹵 二氟甲氧基，五龜 族群。 另外仍提供一 以下面方程式表示 ，尺3，汉4，及115各自是選自由11，烷基，芳 ’齒素’硝基，全氟化烷基，氰基，甲氧基， 五氣化硫以及三氟曱氧四氟硫烷基所組成之 種製備本發明的組合物的方法，該方法 1261614
其中S_Z疋S-H，二硫化物（亦即s-S，其中的硫鍵結在完 全相同的Ar基團上並形成一種以二硫鍵相連結的二聚 物：Ar-S_S-Ar)，S-C1 或是 SF3。 另外仍提供一種製備本發明的組合物的方法，該方法 包含將一種芳香基硫氯四氟化物或是一種芳香基硫溴四氟 化物與一種-OCF3的來源反應，如此一來藉由直接化合、 光催化反應、或是熱誘導置換使_〇CI?3由芳香基硫氯四氟 化物中取代一個氣原子，或是由芳香基硫溴四氟化物中取 代一個溴原子，以提供此組合物。 另外仍提供一種製備本發明的組合物的方法，該方法 〇 3將種芳香基二氟化硫與一種活性氟化物驗以及_種 -OCF3的氧化來源反應，以提供此組合物。 【實施方式】 〜本發明想在對其他性質沒有明顯負面影響的情況下 決獲得高介電向異性的問題，本發明提出鍵結在一種有 、、“冓的獨特的官能基(_sf4-〇cf3)當作一種新的物質組 物八此、、且合物是有用的合成基，它可被衍化產生高電極 、 特別疋具有咼介電向異性的新液晶組合物。此 新的物質組合物是藉由一種芳香基二硫化物或硫醇與氣 1261614 二鼠曱烷的反應所合成。 本發明在本文所描述的某些具體實例包含以分 R-sf4-〇Cf3代表的一種新的物質組合物，直中的尺^ 一種 有機基團。有機基團的性質不特別被限制，它提俾二 與咖3中的硫鍵結的有機基團。非限定的合適有機： ^的例子包減基，環貌基，聚㈣基，㈣以= 基，具取代基的萘基，聚烯烴化厶 J方曰 破-ShOCF3取代），聚苯乙烯（其 —甲的虱 、中sf4〇cf3是芳香環上的 一個取代基），含氧的雜環，含T上的 士 u 鼠的雜環，含硫的雜璟，呈 有非芳香族不飽和基的化合物（ ^ /、 , 如乙炔及烯烴），岑直# 由類似之含-CF3及_8卩5_的有嫵礼 义其他 機物所製造的含_SF4〇rp认 有機化合物（例如見參考文獻17 4OCF3的 及 1 8 ) 〇 本發明優選的具體實例包接、 -種新的物質組合物： 下面通用、•口構所代表的
化合物I 其中的Ri，R2，R3，R4，及 不限定）H，貌基，芳香基，環3有的基團通常包括（但 烷基，氰基，甲氧基，三氟甲_素’硝基，全氟化 机7虱基，五外汾 氟曱氧）四氟硫烷基〇SF4〇cf彳 瓜，頜外的（三 3)’卩及其他對製造新組合物 1261614 、、:牛車乂不活潑的基團（或者是如果具有反應性，可以在合 一、才被車乂不活潑的保護基團所取代），以及那些可以自己表 出有用的或疋用來轉換成（或是附加在）其他有用的官能 基的基團。 如圖1及2所不、SF4〇CF3基團是以兩種異構物存在，
fac-(或順式-)及 mer_(^ 斤 4 、 L (A反式-)。這些異構物通常是穩定 的，而且在室溫下不會異構化。
原則上，化合物I J以利用一般的技術進行化學衍化 而形成其他新的組合物，_ Φ ^ ^ Φ ^ V- 廷些組合物包括可用來當作液晶 ΐ子顯不益中的液晶物質 貝 適合加在化合物I的，，层媸其” 的性質並沒有特別限制， 毛細暴 匕使最終化合物具有令人滿咅的 性質，例如在單獨使用或B春 人/雨Μ的 _疋*作液晶混合物的一個έ且忐 時，它具有可接受的性暂 ^ 1LJ、、且成 n ^ 离。在本發明的某些具體實例中，
Ri，R2，R4 ’ 及 R5 的每 疋上文所定義的（例如Η)，而 R3是以下列分子式中的—個來表示： 如H)而
10 1261614
其中r6是一個烷基，環烷基或是具取代基的苯基，在某些 具體實例中，烷基是1個碳到1 8個碳的烷基。 例如化合物I可被衍化並提供具有化合物II，III及 IV (如下面所示）之通用結構的化合物：
化合物II C3H7
X
化合物III
化合物IV
其中，例如X代表-CF3，-CN，-SF5，或是-OCF3，已 知這些化合物具有使它們可用於電子顯示器的液晶或液晶 中的混合物。此處的”前端基團’’（-X)表現出關鍵的作用，它 1261614 提供一個具有強的偶極矩的分子。分子的偶極矩（μ)及電的 極化率向異性（Δα)是決定此分子作為液晶顯示器的一個組 成的效能或效用的基本性質，而且高度取決於前端基團（_χ) 的性質以及它使依附的有機結構。 為了要說明本發明的化合物對於設計及合成新的液晶 組合物的實㈣，我們以已確立的方法來計算示範化合物 II ’ III ’及IV(其中-X是_SF4〇CF3)的性能，並將這些性質
與上述已知的組合物（亦即化合物π，ιπ及ιν’其中的X 疋CF3 CN -SF5或-〇CF3)以相同方式計算及由實驗所得 的性質做比較。 我們以量子力學為基礎的計算方法包含首先使用 SPartan(5丄3 版，Schr〇dinger，ll〇產生一個結構，並且 以此軟體套件利用半經驗的參數法3的方法論得到一個初 始的幾何最佳化，所產生的結構再㈣㈣爾（41版， SChl*〇dinger，LLC)軟體套件的密度泛函理論 B3LYP/6 31G # δ十异方法進一步最佳化；這在以前⑺就曾 證明六價的氟化硫需要此種第一原理⑽in·)或密度泛 函理論的方法來可靠地預期它們的偶極矩。然後利用單 點，弟一原理HF/6-31G*的方法論配合搞合微擾
Hartree-FGCk極化率由最佳化的結構計算出不同組合物 、又之偶極(μ)的计异值及極化率向異性(Δα，方程 式1)， 12 1261614 zz
Aa 2 方程式1: Δα=極化率向異性 αζζ-分子長轴的極化率 ayy=第一分子短軸的極化率 αχχ=第二分子短軸的極化率 設計液晶顯不器所要的是其介電向異性（△勾及光學雙 折射率（Δη)。文獻中（11)顯示Λε大概與偶極矩的平方（从^ 成正比，而Αη大概與極化率向異性（Δα)成正比，圖3及* 說明先前已知的化合物H，„卜及IV的這些數量的相關 性。對於化合物π到IV(其中的·χ是_SF4〇CF3)，由統計學 所推導的^及，與^與&之間的關係，可以計算其幻 與Δη的值，這些值以括號列於表1中。 由這些結果可明顯發現„到IV的結構（其中的_乂是 -SF4〇CF3)可以自化合物！衍化而成，它們的心及々與已 知液:¾的Δε及Λη是一致的。再者’這些Woe。化合物 所計算的偶極數值及制的介電向異性接近或㈣用來比 較的高性能的具氰基取代的模式，尤其是職-異構物，因 此這代表由化合物！所構成的化合物有希望成為液晶，其 中化合物I是當作分子的主要基團 受I圈，此基團包含-SF4〇cf3 的“前端”。 13 1261614 表1:液晶物理及光學性質的計算及比較 化合物 —-- -------- 總μ計算 (debye) -—------- ------ Δα計算 (au) Δε文獻 (估計值） Δη文獻 (估計值） II-CN 8.01 32(12) 0.13(12) ii-cf3 6.02 16·严 0.093(2) II-SF5 7.71 ----- 64.3 20.3W 0.091(3) II-OCF3 5.52 一 II 知 SF4OCF3 7.79 59.8 *----- …（28.7) --(0.107) II-mer-SF4OCF3 8.37 — 63.1 …（34.9) —(0.110) III-CN 6.24 118.4 18·1(12) 0.211(12) III-CF3 4.01 〕 88.4 一 III-SF5 6.01 155.2 15.8^ 0.161(3) III-OCF3 3.45 87.9 III 知 SF4OCF3 5.92 —(11.8) —(0.146) III-mer-SF4〇CF3 6.38 103.2 —(15.5) —(0.146) IV-CN 6.66 61.4 16.8(1) 0_128(11) IV -CF3 4.82 53.6 ——-— — IV -sf5 6.34 — 51.9 12.4W 0.091(3) IV -OCF3 4.55 63.5 IV "^/23?c~SF4〇CF3 6.58 101.1 —(17.2) —(0.144) IV -膨卜 SF4OCF3 6.84 74.5 _V /__ -(19.5) …(0.121) --~·_ ___ 註：上標括號中的數字代表參考文獻的號碼。 因此，在某些具體實例中，本發明包括一種含有一種 (二氟曱氧）四氟硫烷基當作前端基的液晶，其中此組合物 的介電向異性（Δε)至少是1丨（優選的是至少15，更優選的是 至少19,甚至更優選的是至少34)，而且光學雙折射率（△“ 至少是0.1(優選的是至少0.H，更優選的是至少〇 i2，甚 至更優選的是至少0.14)。 液晶分子的側面氟化以及/或是導入挑選的聯結基來 .整物理性質已被確立（1，2)，而且很有機會可以製備含有 -SF4〇CF3並具有想要的向異性性質的分子。比較用的計瞀 14 1261614 數據及文獻的數據列在表 中’匕們證明在示範的化合物 V，VI及νπ中因為側面 4叫軋亿便偶極提高的效果。
化合物V
化合物VI
化合物νπ
以及 mer-SF4OCF3 表2 ·侧面默化基團的計算的總偶極矩，單位：debye 前端基-Y 化合物V 化合物VI 化合物VII -OCF3 2.79 (2.36)^ 3.72 4.12 -CF3 3.09 (2.86)° 4.13 4.56 -SF5 T63 (3.44^ 5.28 5.67 -CN 4.94 (4.18)^ 5.84 6.37 ~ _/^〇SF4〇CF3 4.95 5.32 5.75 一 -mer-SF4OCF3 5.27 5.77 6.31 註：括號為文獻的數據，其對應的參考文獻號碼在上標處。 15 1261614 將化合物I _ 51化成含環己基的類似物（化合物vm)也 <疋°仃的’化合物νπι也可以與其芳香 似的方式被用來者冼 的對應物相 木田作一種高極性前端基團的合成芙。
優選的方法如下面方程式所示（亦 即反 合成化合物 應1):
化合物IX
化合物I 其中-Ζ可以是-Η，一種第二硫化物基團（亦即其中的化合物 IX是兩個單體以一個二硫化物鍵連結在一起的二聚物· Ar_S-S_Ar)，-C1，或是其中的s_x代表中間物_SF3(i5)基 團。反應1可在0。〇到120。(：之間的溫度下進行，但更優選 的是在20t：到80°C之間，而且取決於作用物（化合物ιχ)的 反應性。此反應可以在純的化合物IX或是在一種惰性溶劑 存在下進行，此種惰性溶劑可以選自由（但不限定）不同類 16 1261614 別的溶劑，例如膳_ W頭（乙腈），氟氯碳化物（CFC-113)，全氟 碳化物（FC-72)，占山 _石反化物（氯仿），烷烴類（癸烷），去活化 的芳烴化合物[13雔 # L 雙（二亂甲基）苯]，非氧化物的酸（無水 HF)，或其混合铷。备儿_ B 物 鼠化劑[氟氧三氟甲烷（cf3of)]可以批 量添加到反應器Φ+ IM 4 ^ %中，或以連績流入反應器中，其濃度範圍 介於1%到1 00 0/。之間 其餘的為N2，〇2，空氣，f2，CO， C〇2，Ar，He，卩 ,, 0 ’ SF6或是這些的組合；優選的cf3〇F 濃度範圍是介於5%到2〇%之間。
曰反應1不是合成化合物I唯-的方法，另外-個方法 疋先產生之$報導的芳香基硫_化物四氣化物⑺，或是化 合的X:
化合物X， Z = ci或Br 然後將它與一種_〇CF3的來源（例如CF3〇F，F3c〇ci， FgCOOCF3)或是各種已知的fwo-鹽反應，藉由直接結合， 光催化反應，或是一種熱誘導的取代來進行氯或溴原子的 取代。另外一種可能的合成是利用一種活性的氟化物鹼（亦 即無水四甲基銨氟化物）以及一種氧化的CKO·來源（例如 FWOOCF3)來處理相對應的芳香基硫三氟化物中間物。
ArSF^CF3的fac-及mer-的異構物可以藉由色層分離 的方法來分離，製備的氟的逆相HPLC〇〇)是優選的^層分 17 l26l6l4 離的方法，因為它提供異構物優異的分離率。理論上來說， 分餘可容易地將異構物分離。 本發明將以下列的實施例更詳細地說明，但需了解本 發明不想被這些實施例限制。 實施例 實驗的背景 本文描述4-溴化苯基硫醇（Aeros)被用來製造4-漠苯基 二硫化物。無水乙腈（Acros)不需進一步純化可直接使用。 反應器由3/4”或1”FEP管子所組成，此管子的一端被熱封 並且以一個T316S.S·的壓合裝置蓋住；此壓合裝置包含兩 個與T316S.S.活門相接的孔當作入口；反應器的入口經由 1/4”FEP往下流到反應器的底部，並輸送到一個當作氣體喷 霧器的1 Ομηι濾心。在氮氣下將溶劑及化合物Ιχ裝填到反 應器中並封閉’將此反應器連到一個流體歧管，並在周圍 的壓力下供應一種8%CF3〇F的氣流，並以 FTIR(Pr〇spectIR，MIDAC)分析流出物，以便追踪反應的進 展。把一種接在反應器之後的U形氣隔浸在冰中，以捕捉 在升溫下會漏出的可冷凝物質。NMR的圖譜是利用一種 HP-5890IITGC/HP7972 MSD 的組合所得到。製備的 Hp]LC 是使用一種HP-1100系列HPLC，它安裝了一個2〇〇叫樣 品注射迴路，一個具有保護管匣的25〇nm><1〇mm的
FluoPhasePFP(^m粒子，1〇〇人孔）的半製備管柱，以及接 在後面的一種高壓UV槽（在254nm)。 18 1261614 貫施例1: 4 -溴苯基二硫化物 將4-漠笨基硫醇（25 〇 g，132 mrnc)1)及甲醇（25〇rnL，
Fisher Scientific)加入一個500 mL的圓底燒瓶（含有一個塗 佈Teflon的攪拌棒）。將過量的元素碘（36g，i4〇mm〇1)以 - -人2 g的量直接加入快速授拌的硫醇溶液中，將二硫化 · 物沈殿出來’當破的黑色出現時反應完成。將此反應混合 物加入250 mL的水中，然後先後以碳酸氫鈉及亞硫酸氫鈉 fe慢中和任何殘留的I?，所產生的泥漿再以5 〇 mL的二氯 鲁 甲燒萃取三次；將有機相相加，以硫酸鎂乾燥，並且過濾。 以迴轉蒸發器去除溶劑後發現淡黃色的4_溴苯基二硫化物 固體粗產物（24.5 g，98.7%)。此二硫化物由沸騰的甲醇中 再結晶並在真空下溶化以去除任何殘留的溶劑。 實施例2: 4-溴苯基（三氟甲氧）四氟硫烷 將4-溴苯基二硫化物（5 g，13 mmol)及乙腈（15 mL)填 充至一個FEP管狀反應器。一種含有8〇/〇之CF3OF的氮氣 混合物在25°C以200 mL/min的總流率流經反應器的内容 _ 物’直到72 mmol(大約）的CF3〇F都被加入為止。在反應 時以FTIR分析流出物顯示並非所有的CF3〇F都被消耗 掉。在連續添加CFgOF的同時，被外部將反應器加熱至 -7 5 C，在此溫度下，所有的溶劑以流出物被帶出，只留下 作用物（一種黃色的液體）。在一共大約3〇〇 mmol的CF3OF 流經反應器之後，將反應器冷卻至20°C。將此反應器的内 容物溶在戊烷中並以碳酸氫鈉水溶液中和。以一次10 mL 的戊烷萃取水相三次’且利用迴轉蒸發將有機相濃縮，可 19 1261614 以顯露一種黃色的油狀粗產物（3.25 g)。以GC-MS分析此 粗產物，由相對的尖峰面積顯示存在著12%的4-溴苯基（三 氟曱氧）四氟硫烧的異構物，含1 :1的比例的力^-4-漠苯基 (三氟甲氧）四氟硫烷[GC-MS m/z(%相對的強度，離 子）：3 50(100，m+2)，3 48(100，M+)，265/263(48，M-OCF3)， 242/240(83，M_SF4)，176/174(35，M-SF4&F2CO)， 15 7/15 5(9hM_SF4OCF3)，95(78，M-SF4&Br)，69(84，CF3)] 及mer-4-溴苯基（三氟甲氧）四氣硫烷[gc_ms m/z(%相對的 強度，離子）:350(52，M+2)，348(52，M+)，265/263(27， M，OCF3)，176/174(100，M-SF4&F2CO)，157/155(30， M-SF4OCF3)，95(98，M-SF4&Br)，69(66， CF3)]。4-溴苯 基硫戊烧基氟化物及這些產物的環狀含氟形式是主要的副 產物。這些產物溶在CDsCN的混合物的19f_NMR顯示一種 相似的產物分佈[/bc-4-溴苯基（三氟甲氧）四氟硫烷， F-NMR(CD3CN ’ 5): + 93.5(dtq，IF，J=149.6，149.6，18.6 Hz)，+67.8(dtq，IF，J=149.6，149.6，6.0 Hz)，+66.7(ddq， 2F，J=149.6，149.6，15.6 Hz)，-55.4(m，3F)];[mer-4-溴 笨基（三氟甲氧）四氟硫烷，F19 NMR(CD3CN，δ): +74.6(q， 4F，J=l〇.〇 Hz)，-56.3(pent，3F，J=10.〇 Hz)]。利用半製 備的氟的逆相HPLC10來分離出此異構物，利用65%曱醇及 3 5%水的等梯度混合物，以5 mL/min的流動來分離少部分 的粗產物。純物質的NMR及GC-MS的數據與在粗產物混 合物中所歸屬的數據是一致的。以4-溴笨硫醇來取代仁溴 笨基二硫化物並重覆此反應，製造相似的結果。 20 1261614 本發明所提供的新的物質大組合物可以當作其他高極 性分子的組成單元，更具體地說就是液晶，這些新化合物 了 间§有這些化合物的液晶組合物的介電向異性。 雖然本發明被詳細地描述並舉例具體的實施例，但明 顯地，對於此技術的一種技巧可以在不違反其精神及範圍 下做不同的改變及修改。 【圖式簡單說明】 本發明將結合下列圖示來描述，其中同樣的數字表示 同樣的元件，其中： 圖1疋本發明的一種芳香基三氟甲氧四氟硫烷的化學 、、、口構其中的_SF4〇CF3基團是以一種fac_(或是順式_)異構 物； 圖2疋本發明的一種芳香基三氟甲氧四氟硫烷的化學 結構’其中的- SF4OCF，其圍專丨、/ w 暴團疋以一種mer-(或是反式_)異構 物； 囷是以些先别技術的液晶組合物計算而得的偶極 矩平方（μ2)對發表的介電向異性（Λε)值所繪製的圖；以及 Θ 疋以些先别技術的液晶組合物所發表的光雙折 射率（Δη)值對計算而得的極化率向異性（Δ〇〇料製的圖。 21

Claims (1)

1261614 ' _…… （2006年1月修正) 十、申请專利範圍： 1· 一種包含RSF4〇CF3的組合物，其中的r是一種有機 基團而且SF4〇CF3是鍵結在有機基團的碳上，其中R 是Ci-C18烷基，c6-C12環烷基，c6-C12聚環烷基，具 取代基的CpCu芳香基，取代的萘基或取烯烴。 2 · 如申凊專利範圍第1項的組合物，其中的R包含一種 六個碳原子的環。 3 · 如申请專利範圍第1項的組合物，其中的R是具取代 基或不具取代基的環己基。 4 · 如申睛專利範圍第1項的組合物，其中的R是具取代 基或不具取代基的苯基或萘基。 5 · 一種具有下面分子式結構的組合物：
其中的，R2，R3，r4，及r5各自是選自H，Cl-Ci8 燒基’ C6-C12*香基，C6-C12環燒基，鹵素，石肖基’ Ci-Cu全氟化烷基，氰基，曱氧基，三氟甲氧基，五 I化硫以及三氟曱氧四氟硫烷基所組成之族群。 6· 如申請專利範圍第5項的組合物，其中Rl，r2，R4， 及R5各自是Η，而且R3是由下列分子式的其中/個 所代表： 22 1261614 (2006年1月修正) Re
C6_c12環烷基或具取代基 其中Re是一個cvcu烷基 的苯基。 7·如申凊專利範圍第5項的組合物，其中的組合物是一 種液晶而且此結構的（三氟曱氧）四氟硫烷基是液晶的 前端基，此液晶的介電向異性是u至34 9而且光學 雙折射率是0.1至0.211。 8· 如申請專利範圍第5項的組合物，其中的SF4〇CF3完 鲁 全以一種面（fac)的形式存在於此組合物中。 9. 如申請專利範圍第5項的組合物，其中的SF4OCF3完 全以一種經線（mer)的形式存在於此組合物中。 · 10. 如申請專利範圍第5項的組合物，其中Ri及R5中至 · 少一個是F。 11· 一種具有下面分子式結構的組合物： 23 1261614 (2006年1月修正)
s—ocf3
其中的Ri，R2，R3，R4，及R5各自是選自Η，Ci-Cw 烷基，C6-C12芳香基，C6-C12環烷基，鹵素，硝基， CrCu全氟化烧基，氰基，甲氧基，三氟甲氧基，五 氟化硫以及三氟曱氧四氟硫烷基所組成之族群。 12.如申請專利範圍第11項的組合物，其中，R2，R4， 及R5各自是Η，而且R3是由下列分子式的其中一個 所代表： Re
其中R6是一個Ci-Cu烷基，c6-c12環烷基或具取代基 的苯基。 13.如申請專利範圍第1 1項的組合物，其中的組合物是一 24 1261614 (2006年1月修正) 種液晶而且此結構的（三氟甲氧）四氟硫烷基是液晶的 雨^基’此液晶的介電向異性是n至3 4 · 9而且光學 雙折射率是0.1至0.211。 14·如申請專利範圍第11項的組合物，其中的sf4〇cf3 完全以一種面（fac)的形式存在於此組合物中。 15·如申睛專利範圍第11項的組合物，其中的SF4〇CF3 完全以一種經線（mer)的形式存在於此組合物中。 16*如申請專利範圍第11項的組合物，其中Ri及R5中至 少一個是F。 17. 種製備申请專利範圍第1項的組合物的方法，該方 法以下面方程式表示：
其中的S-Z是S-H，二硫化物，S-C1或SF3。 18* 一種製備申請專利範圍第1項的組合物的方法，該方 法包含將一種芳香基硫氯四氟化物或是一種芳香基硫 漠四氟化物與一種_〇CF3的來源反應，藉由直接結 合、光催化反應、或是熱誘導置換使-〇CF3取代芳香 基硫氯四氟化物中一個氯原子，或是取代芳香基硫溴 四氟化物中一個溴原子，以提供此組合物。 19* 一種製備申請專利範圍第1項的組合物的方法，該方 法包含將一種芳香基三氟化硫與一種活性氟化物驗以 25 1261614 (2006年1月修正) 及一種-OCF3的氧化來源反應，以提供此組合物。
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