TWI260668B - Image display device and its manufacturing method - Google Patents

Description

1260668 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於電場發射型顯示裝置（F i e 1 d E m i s s i Ο n Display，FED )等的畫像顯示裝置、和製造畫像顯示裝置 的方法。 【先前技術】 以往，陰極線管（CRT )或 FED等的晝像顯示裝置 中，係使用在螢光體層上形成有金屬膜之金屬背層方式的 螢光面。該方式之金屬膜（金屬背層）係以藉由從電子發 射源射出的電子而自螢光體射出的光中，將行進至電子發 射源側的光，朝向面板側反射以提高亮度；以及對螢光體 層賦與導電性，而發揮陽極電極的功能等爲目的而形成 者。 FED等薄型畫像顯示裝置中，具有螢光面（螢光體層 及金屬背層）的面板、和具有電子發射元件的後板之間的 間隙（gap )極窄，爲1mm至數mm，所以會有容易在面 板和後板之間的電場集中部產生放電（真空弧光放電）的 問題。 以往，爲了提升耐壓特性，又，爲了緩和上述放電發 生時所導致的破壞（damage )，故將作爲導電膜的金屬層 分斷成幾個區塊（block )，並在分斷部設置間隙。（例 如，參照專利文獻1 ) 然而，具有分斷之金屬背層的畫像顯示裝置’不僅難 -5- (2) 1260668 以控制分斷部的電阻値，而且分斷部兩側之金屬背層端部 係呈尖銳的形狀，所以會有電場集中在該銳角部分，而產 生放電的問題。 再者’近年來，平板型畫像顯示裝置中，爲了吸附從 真ife外圍益的內壁等發散出的氣體，而檢討將吸氣材層形 成於畫像顯示裝置內，故提案有在金屬背層上，疊合具有 鈦（Ti )、鉻（Ζι·)等導電性之吸氣材薄膜的構造。（例 φ 如，參照專利文獻2 ) •而且’如上所述在金屬背層上具有吸氣層的畫像顯示 、 裝置中’爲了抑制放電的產生且改善耐壓特性，故提案有 錯由设置積層構造之保護層（overcoat)，而分斷吸氣層 的構造。（例如，參照專利文獻3 ) 然而’專利文獻3所記載的畫像顯示裝置中，不僅塗 佈層的形成步驟繁雜，而且難以形成穩定良好的耐壓特 性。 φ 〔專利文獻"曰本特開2000— 311642公報（第2 — 3頁、第3圖） 〔專利文獻2〕日本特開平9一 8 224 5號公報（第2 — 4頁） 〔專利文獻3〕日本特開2003 - 68237號公報（第2 一 3頁） 【發明內容】 本發明係爲了解決此種問題而開發者，其目的在於提 -6- (3) (3)1260668 供一種耐壓特性可大幅改善，且可防止因異常放電而導致 電子發射元件或螢光面的破壞、劣化，而可進行高亮度、 局品級之顯示的畫像顯示裝置。 本發明之畫像顯示裝置，具備：面板，其具有在玻璃 基板上以預定圖案形成的光吸收層和螢光體層所構成的螢 光體螢幕，且在該螢光體螢幕上形成有金屬背層；及後 板，其具有形成於基板上的多數電子發射元件，且與上述 面板相對配置，其特徵爲：上述金屬背層具有以預定圖案 形成的電性分斷部，同時該分斷部分別含有將構成上述金 屬背層的金屬材料加以溶解或氧化的成分、和耐熱性微粒 子；並在表面形成具有因上述耐熱性微粒子所產生之凹凸 的被覆層，且在上述金屬背層上，由上述被覆層所分斷的 吸氣層係形成膜狀。 又，本發明之畫像顯示裝置的製造方法，包括：在面 板內面，形成光吸收層和螢光體層會以預定圖案配列的螢 光體螢幕之步驟；和在上述螢光體螢幕上，形成金屬膜且 形成金屬背層的步驟；和形成含上述面板之真空外圍器的 步驟；和在上述真空外圍器內，與上述螢光體螢幕相對而 配置電子發射源的步驟，其特徵爲具備下列步驟：在由上 述金屬膜所構成之金屬背層上的預定區域形成被覆層，而 該被覆層分別包含將該金屬膜溶解或氧化的成分、和耐熱 性微粒子；並且將形成有該被覆層之部分的上述金屬膜加 以去除或高電阻化的步驟；和從上述被覆層上蒸鍍吸氣 材，而形成吸氣層的步驟。 (4) (4)1260668 本發明中，藉由在金屬背層上形成被覆層的圖案，而 該被覆層分別包含將該金屬膜溶解或氧化的成分、和耐熱 性微粒子，而將所形成之部位的金屬膜溶解.去除或高電 阻化，並在金屬背層上形成電性分斷部，同時，由於在金 屬背層上形成膜狀的吸氣層係藉由含有上述耐熱性微粒子 的被覆層分斷，故可抑制放電電流，且提升耐壓特性。 此外，藉由僅形成單一構造的被覆層，可獲得所期望 的耐壓特性，故與習知構造相比較，可獲得步驟數減少而 製造效率大幅提升，並且特性不均較小而具有穩定良好特 性的畫像顯示裝置。再者，由於金屬背層上的處理次數減 少，故金屬背層所受到的損傷可抑制爲最小限度，所以可 防止新的放電觸發（trigger )之形成。 【實施方式】 繼之，說明本發明之較佳的實施型態。此外，本發明 並不限定於以下的實施型態。 第1圖係模式地表示本發明之一實施型態的F E D構 造之剖面圖。 該FED具有：面板3，其在螢光體螢幕1上形成金屬 背層2，且在其上具有吸氣層（省略圖示）；及後板6, 其具有在基板4上配列成矩陣狀的電子發射元件（例如， 表面傳導型電子發射元件）5，並且面板3和後板6係隔 著1mm至數mm的間隔，經由支承框7及隔件（spacer) (省略圖示）相對配置。面板3及後板6和支承框7係藉 (5) 1260668 由玻璃熔塊（frit glass )等接合材（省略圖示）密封。藉 由面板3及後板6和支承框7形成真空外圍器，而將內部 予以真空排氣。此外，以在面板3和後板6間之極窄的間 隙，施加5至1 5 k V的高電壓之方式構成。此外，圖中符 號8是表示玻璃基板。 將面板3的構造放大顯示於第2圖。第2圖中，在玻 璃基板8的內面，由碳等光吸收性物質構成且具有預定圖 φ 案（例如條紋狀）的光吸收層9，係藉由印刷法或光微影 • 法等形成，而在該光吸收層9的圖案之間，紅（R )、綠

. (G)、藍（B )之三色的螢光體層1〇，係藉由使用ZnS 系、Y2〇3系、Y2 02 S系等螢光體液的漿料（slurry )法， 以預定圖案形成。然後，藉由此種光吸收層9的圖案與三 色螢光體層10的圖案，形成有螢光體螢幕1。 此外，各色的螢光體層10亦可藉由噴塗（spray )法 或印刷法形成。在噴塗法或印刷法中，亦可依需要倂用利 用光微影法的圖案化（patterning)。

光吸收層9中’位於至少後述之金屬背層之分斷部下 層的部分’係以具有lxl〇5至1χ1012Ω/ □的表面電阻 爲佳。由於在具有此種表面電阻的區域上，形成金屬背層 t電性分斷部的構造中，金屬背層的分斷部係以上述電阻 値連接’故耐壓特性的提升效果較大。由於當光吸收層9 的表面電阻未滿lx 1〇5ω/ □時，分斷之金屬背層之間的 « i生S阻過低’故無法充分地獲得防止放電及抑制放電電 流之鋒値的分斷效果。當光吸收層9的表面電阻超過1 X (6) (6)1260668 1 0 12 Ω / □時，所分斷之金屬背層間的電性接觸不充分’ 在耐壓特性的觀點上，不是理想的形態。 在此種光吸收層9的圖案與三色螢光體層10的圖案 所構成的螢光體螢幕1上，形成有A1膜等金屬膜所構成 的金屬背層2。形成金屬背層2時，可採用在利用例如旋 轉（s p i η )法形成之硝化纖維素（n i t r 〇 c e 11 u 1 〇 s e )等有機 樹脂所構成的薄層上，將A1等金屬膜施以真空蒸鍍後， 再進行加熱處理（烘烤：baking )，而將有機成分予以分 解·去除的方法（塗漆法：lacquer)。 再者，如下所示，亦可藉由使用轉移膜的轉移法來形 成金屬背層2。轉移膜具有在底膜（base film )上，經由 脫膜劑層（依據需要，爲保護膜），依序積層A1等金屬 膜與接著劑層的構造。該轉移膜係以接著劑層連接於螢光 體螢幕之方式配置，且將其一邊加熱，一邊施行推壓處 理。推壓方式具有壓印（stamp)方式、滾輪（roller)方 式等。如此，一邊加熱轉移膜，一邊推壓，接著金屬膜 後，將底膜（b a s e f i 1 m )剝除，以此方式，將金屬膜轉移 到螢光體螢幕上。轉移後，藉由進行加熱處理（烘烤： baking)，將有機成分予以分解·去除，即可形成金屬背 層。 .. 本實施型態中，在以此方式形成的金屬背層2上，電 性分斷部1 1會以預定圖案形成。此外，爲了獲得高亮度 的螢光面，金屬背層2的分斷部1 1以設置於光吸收層9 上爲佳。接著’分斷部11上形成有被覆層12，而該被覆 •10- (7) (7)1260668 層1 2分別包含將構成金屬背層2之金屬的A 1加以溶解或 氧化的成分（以下，表示金屬溶解.氧化成分）、和耐熱 性微粒子。 在此，就金屬溶解·氧化成分而言’可例舉：pH爲 5 . 5以下的酸性物質或PH爲9以上的驗性物質。酸性物 質例如有：鹽酸、硝酸、稀硫酸、磷酸、草酸（0 x a 1 iC acid )、醋酸等，且以水溶液的狀態使用。再者’鹼性物 質例如有：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣、碳酸鈉等’ 且以水溶液的狀態使用。此外，形成於分斷部1 1的被覆 層12不僅直接含有這些物質’同時也包括藉加熱而生成 這些物質的情形。 就耐熱性微粒子而言，只要具有絕緣性’且可耐密封 步驟等高溫加熱的話即可使用，而沒有特別限定種類。例 如：Si〇2、Ti02、Al2〇3、Fe2〇3等的氧化物微粒子，並可 組合這些之中的一種或兩種以上來使用。 此外，耐熱性微粒子的平均粒徑以5nm至3 0 μπι爲 佳，以位於1 〇nm至1 Ομιη的範圍更爲理想。耐熱性微粒 子的平均粒徑未滿5nm時，被覆層12表面幾乎無法形成 凹凸。結果，如後所述在金屬背層2上形成吸氣材的蒸鍍 膜時，被覆層12上也會成膜吸氣膜，造成難以在吸氣層 形成分斷部。又，耐熱性微粒子的平均粒徑超過3 Ομπι 時，不可能形成被覆層1 2。 形成被覆層1 2的方法，具有：藉由噴墨（ink jet ) 方式或使用具有開口圖案之遮罩的噴塗（spray )方式’ -11 - (8) (8)1260668 來塗佈分別含有金屬溶解·氧化成分和耐熱性微粒子的液 體的方法。再者，亦可將該液體中添加黏結劑（binder ) 樹脂、溶媒等而形成糊（Paste )狀的構成進行網版印刷 (screen print)。 在此，由於形成含有金屬溶解·氧化成分和耐熱性粒 子之被覆層1 2的區域’係金屬背層2的分斷部1 1且位於 光吸收層9的上方，故具有因耐熱性微粒子之電子線吸收 而導致亮度降低較少的優點。而且’該被覆層1 2的圖案 寬度係爲5 0 μιη以上，更理想是1 5 0 以上，且光吸收層 9的寬度以下爲佳。當被覆層I2的圖案寬度未滿50μιη 時，將無法充分獲得將吸氣膜分斷的效果’又’當圖案寬 度超過光吸收層9的寬度時’被覆層12會造成螢光面的 發光效率降低，所以不是理想的形態。 將含有金屬溶解·氧化成分與耐熱性微粒子的液體或 糊（paste)，塗佈於金屬背層2上的預定區域（例如光 吸收層9的上方），並實施加熱處理（baking )’藉由包 含於液體或糊的金屬溶解·氧化成分，使金屬背層2的金 屬膜溶解或高電阻化而電性分斷，同時，在該分斷部11 上形成由上述液體或糊（paste)之塗佈層所構成的被覆 層1 2。由於該被覆層1 2的主成分含有耐熱性微粒子’故 與該耐熱性微粒子之直徑相當的微細凹凸會形成於被覆層 1 2的表面。 再者，本發明之實施型態中，如上所述從含耐熱性微 粒子且表面具有凹凸的被覆層12上，進行吸氣材的蒸鍍 -12- (9) 1260668 等。僅在未形成有被覆層1 2的區域，吸氣材的蒸 形成於膜上，結果，對於被覆層1 2之圖案具有反 的膜狀吸氣層1 3乃形成於金屬背層2上。以此方 形成由含耐熱性微粒子之被覆層1 2的圖案所分斷 吸氣層1 3。 吸氣材可使用從 Ti、Zr ' Hf、V、Nb、Ta、 選擇的金屬、或以此等金屬中之至少一種金屬爲主 合金。再者，藉由吸氣材的蒸鍍形成吸氣層1 3後 防止吸氣材的劣化，吸氣層1 3經常保持在真空環 此，以在金屬背層2上形成含耐熱性微粒子等的 12之圖案後，藉由組裝真空外圍器而將螢光體螢I 置在真空外圍器內，並在真空外圍器內，進行吸氣 鍍步驟爲佳。 本發明之實施形態中，藉由金屬背層2上形成 12的圖案，而該被覆層12分別包含將該金屬（A1 以溶解或氧化的成分、和耐熱性微粒子，而將金屬 溶解·去除或高電阻化，而在金屬背層2上形成電 部11，同時藉由形成於該分斷部11的被覆層12, 蒸鍍形成於金屬背層2上的膜狀吸氣層1 3分斷， 氣層1 3之形成，不會損害金屬背層2的分斷效果 確保良好的耐壓特性。 再者，位於分斷部1 1下層之光吸收層9的表 値可控制爲預定値，且分斷的金屬背層2係以該電 性連接，故耐壓特性得以進一步提升。 鍍膜會 轉圖案 式，可 的膜狀 W、Ba 成分的 ，爲了 境。因 被覆層 ^ 1配 材的蒸 被覆層 )膜加 膜加以 性分斷 得以將 因此吸 ，而可 面電阻 阻値電 -13- (10) (10)1260668 此外，藉由僅形成單一構造的被覆層1 2，可獲得所 期望的耐壓特性，故與習知構造相比較，可獲得步驟數減 少而製造效率大幅提升，且特性不均較小而具有穩定良好 特性的畫像顯示裝置。再者，由於金屬背層2上的處理次 數減少，故金屬背層2所受到的損傷可抑制爲最小限度， 所以可防止新的放電觸發（trigger )之形成，而可維持良 好的耐壓特性。 又，實施形態的FED中，由於金屬背層2的分斷部 1 1係限定在對應於光吸收層9的區域，且在該區域形成 含耐熱性微粒子等的被覆層1 2，所以金屬背層2的反射 效果幾乎不會減少，而且，不會因被覆層12的形成而造 成發光效率的降低，故可獲得高亮度的顯示。 〔實施例〕 繼之，說明將本發明適用於FED的具體實施例。 實施例1 在玻璃基板上，將具有以下組成的碳糊（carbon paste)進行網版印刷後，以45(TC進行30分鐘的加熱燒 成，將有機成分予以分解·去除，而形成條紋狀的光吸收 層。測定該光吸收層的表面電阻値時，爲1 X 1 0 7 Ω /匚]。 繼之，利用漿料（slurry )法，形成紅（R)、綠（G)、 藍（B )三色的螢光體層，並且在光吸收層之間，形成條 紋狀三色的螢光體層分別相鄰而配列的螢光體螢幕。 -14- (11) (11)1260668 〔碳糊的組成〕 碳粒子........................................................3 0 w t % 樹脂（乙基纖維素（ethyl cellulose) ) ...7wt% 溶媒（丁基卡必醇醋酸酯（butyl carbitol acetate)) …6 3 w t % 繼之，在該螢光體螢幕上，利用轉移方式形成金屬背 層。亦即，在聚酯樹脂製的底膜（base film )上，經由脫 膜劑層積層A1膜，並將塗佈·形成有接著劑層的A1轉移 膜配置於其上，使接著劑層黏接於螢光體螢幕，然後，從 其上方藉加熱滾輪（roller )加熱·加壓，使之密接。其 後，剝除底膜，將A1膜接著於螢光體螢幕.上後，分別在 A 1膜實施加壓（P r e s s )處理及烘烤處理。以此方式，可 獲得在螢光體螢幕上轉移·形成有金屬背層的基板A。 將該基板A的溫度保持在5 0 °C，並將具有以下組成 的酸及含有二氧化矽成分的糊（以下，表示酸·二氧化矽 糊），網版印刷在與A1膜上之光吸收層上對應的位置， 然後，以4 5 0 °C進行30分鐘的加熱處理（baking )。 〔酸·二氧化矽糊的組成〕 醋酸水溶液（p Η 5 · 5以下）..... 3 0 w t % 二氧化矽微粒子（粒徑3·0μιη ) ........ 20wt% 樹脂（乙基纖維素（ethyl cellulose) ) ...4wt% 溶媒（丁基卡必醇醋酸酯（butyi carbito1 acetate))… .........4 6 w t % -15- (12) (12)1260668 藉由酸·二氧化矽糊的塗佈與其後的烘烤，糊塗佈部 的A 1膜會溶解，而在A 1膜所構成的金屬背層上形成條紋 狀分斷部，同時形成主成分含有矽微粒子的被覆層，以覆 蓋該分斷部。 將以此方式獲得的基板B (在金屬背層的分斷部，形 成含二氧化矽微粒子之被覆層的基板）作爲面板使用，並 利用一般方法製作F E D。首先，將基板上多數形成有矩陣 狀表面傳導型電子發射元件的電子發射源固定於背面玻璃 基板，來製作後板。繼之，將該後板與上述面板（基板 B )經由支承框及隔件（s p a c e r )相對配置，並藉由玻璃 熔塊密封。面板和後板的間隙爲2mm。接著，進行真空 排氣後，朝面板內面蒸鍍B a (鋇），且在主成分含二氧 化矽微粒子的被覆層上蒸鍍B a (鋇）。 結果，在主成分含二氧化矽微粒子的被覆層上，沈積 作爲吸氣材的B a，但是，對於沒有形成一樣的膜，在金 屬背層上沒有形成被覆層的區域，形成 B a均勻的蒸鍍 膜。而且，形成由主成分含二氧化矽微粒子之被覆層所分 斷的膜狀B a吸氣層。然後，實施密封等必要的處理，而 完成FED。 〔實施例2〕 使用含黑色顏料的糊來取代碳粒子，而在玻璃基板上 形成具有lx 10 14Ω / □之表面電阻値的光吸收層。其餘部 -16- (13) 1260668 分則與實施例1同樣，製作面板而完成FED。 再者，就比較例而言，係以下述方式製作面板，並使 用該面板，以相同於實施例1的方式完成F E D。亦即，與 實施例2同樣，在玻璃基板上使用黑色顏料糊，形成光吸 收層（表面電阻値lx 1〇14Ω/Ε])後，在螢光體螢幕上形 成金屬背層。繼之，利用網版印刷，將醋酸水溶液 (ρΗ5 · 5以下）和樹脂（乙基纖維素）及溶媒（丁基卡必 醇醋酸酯）所構成的酸糊，塗佈於與Α1膜上之光吸收層 上對應的位置後，以4 5 0 °C進行3 0分鐘的烘烤，而形成 分斷部。 接著，將以下所示之組成的碳糊網版印刷於金屬背層 的分斷部上。然後，以4 5 0 °C進行3 0分鐘的加熱燒成， 將有機成分予以分解·去除’而形成被覆下層。測定該被 覆下層的表面電阻値時，爲ΐχΐ〇7Ω/Ε]。

〔碳糊的組成〕 碳粒子.........................................................30wt% 樹脂（乙基纖維素（ethyl cellulose ) ) ......7wt% 溶媒（丁基卡必醇醋酸酯（butyl carbitol acetate))... …6 3 w t % 將具有以下組成的二氧化矽糊網版印刷於該被覆下層 上，並以4 5 0 °C進行3 0分鐘的烘烤。以此方式’獲得在 高電阻的被覆下層上，積層二氧化矽粒子層而形成的基 -17- (14) 1260668 板。以該基板作爲面板，利用相同於實施例的方式，完成 FED。 二氧化矽糊的組成 二氧化矽粒子（粒徑3.0μιη ) ................20wt% 低熔點玻璃粒子（Si02 . B2〇3 · PbO ) ... .20wt% 樹脂（乙基纖維素）… 6wt%

溶媒（丁基卡必醇醋酸酯）....................54wt% 利用一般方法測定實施例1、2及比較例中分別獲得 的F E D之放電電壓及放電電流。又，將實施例1、2及比 較例的FED以相同樣式分別製作1 0個，並測定·評價放 電電流的不均。將測定結果顯示於表1。 〔表1〕 實施例1 實施例2 比較例 初次放電電壓（kv) 11 10 6 耐壓特性（kV ) 14 12 12 放電電流（A ) 2至3 1 0至η 2 至 7.5 放電電流的不均（A ) 1 1 5.5 如表1之明示，得知實施例1、2中獲得的FE D ’相 較於比較例的FED，初次放電電壓及耐壓特性（最大耐電 壓）的値較高，而且，放電電流値的不均較小’具有穩定 -18- (15) (15)1260668 良好的特性。尤其是實施例1的F E D，由於其金屬背層的 分斷部係經由具有1 X 1 〇 7 Ω / □之表面電阻的光吸收層連 接，故可大幅抑制放電電流値。 〔產業上利用之可能性〕 根據本發明，可獲得放電電流受到抑制且耐壓特性優 良的畫像顯示裝置。該畫像顯示裝置尤其適用於FED。 又，相較於以往構成，步驟數得以減少，故製造效率得以 大幅提升，又，特性不均較小而可獲得穩定的良好特性。 【圖式簡單說明】 弟1圖是模式地表不本發明之畫像顯不裝置之一實施 型態的FED構造之剖面圖。 第2圖是放大本發明之一實施型態之面板的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1螢光體螢幕 2金屬背層 3面板 6後板 8玻璃基板 9光吸收層 1〇螢光體層 11分斷部 -19- 1260668 (16) 1 2被覆層 1 3吸氣層

Claims (1)

1260668 ； 4 丨丨 彳.： 、勹 '：； ： -* ·' 十、申請專利範圍 第94 1 05069號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 5年5月5 日修正 1 . 一種畫像顯示裝置’具備：

面板，其具有在玻璃基板上以預定圖案形成的光吸收 層和螢光體層所構成的螢光體螢幕’且在該螢光體螢幕上 形成有金屬背層；及 後板，其具有形成於基板上的多數電子發射元件，且 與上述面板相對配置， 其特徵爲= 上述金屬背層具有以預定圖案形成的電性分斷部，同 時該分斷部分別含有將構成上述金屬背層的金屬材料加以 溶解或氧化的成分、和耐熱性微粒子；並在表面形成具有 因上述耐熱性微粒子所產生之凹凸的被覆層，且在上述金 屬背層上，由上述被覆層所分斷的吸氣層係形成膜狀。 2 ·如申請專利範圍第1項之畫像顯示裝置，其中，上 述金屬背層的電性分斷部係位於上述光吸收層上。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之畫像顯示裝置，其 中，將構成上述金屬背層的金屬材料加以溶解或氧化的成 分係ρΗ5.5以下的酸性物質或pH9以上的鹼性物質。 4.如申請專利範圍第2項之畫像顯示裝置，其中，上 述光吸收層中，至少位於上述金屬背層之電性分斷部下層 的部分’具有lxio5至1χ1012Ω/ □的表面電阻。 1260668 5 ·如申g靑專利範圍第1項之畫像顯示裝置，其中，上 述耐熱性粒子的平均粒徑係5nm至30μιη。 6 ·如申請專利範圍第1項之畫像顯示裝置，其中，上 述耐熱性微粒子係從Si02、Ti02、Al2〇3、Fe2〇3選擇之 至少一種氧化物的粒子。

7 ·如申g靑專利範圍第5項之畫像顯示裝置，其中，上 述耐熱性微粒子係從Si02、Ti02、Αΐ2〇3、ρ62〇3選擇之 至少一種氧化物的粒子。 8 ·如申請專利範圍第1項之畫像顯示裝置，其中，上 述吸氣層係從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Ba選擇的 金屬層、或以此等金屬中之至少一種金屬爲主成分的合金 層。 9·一種畫像顯示裝置的製造方法，包括： 在面板內面，形成光吸收層和螢光體層會以預定圖案 配列的螢光體螢幕之步驟；和 在上述螢光體螢幕上，形成金屬膜且形成金屬背層的 步驟；和 形成含上述面板之真空外圍器的步驟；和 在上述真空外圍器內，與上述螢光體螢幕相對而配置 電子發射源的步驟， 其特徵爲具備下列步驟： 在由上述金屬膜所構成之金屬背層上的預定區域形成 被覆層，而該被覆層分別包含將該金屬膜溶解或氧化的成 分、和耐熱性微粒子；並且將形成有該被覆層之部分的上 -2 - 1260668 述金屬膜加以去除或高電阻化的步驟；和 從上述被覆層上蒸鍍吸氣材，而形成吸氣層的步驟。 1 0,如申請專利範圍第9項之畫像顯示裝置的製造方 法，其中，在形成上述吸氣層的步驟中，在上述金屬背層 上之上述被覆層的非形成區域，形成膜狀吸氣層。