TWI260666B - Inorganic film, member for PDP using the same and production method for the same - Google Patents

Description

1260666 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於無機質膜、使用其之PDP (電漿顯示面板 )用構件及彼等之製造方法。更詳而言，係關於電漿顯示 面板（PDP)或電漿定址液晶（PALC)顯示器面板等之阻 隔壁或介電質之無機質膜或包括其之構伴。 【先前技術】

近年來在顯示器或電路材料之領域中，被強烈地要求將 無機材料予以圖案加工成高精確度之技術。尤其是在顯示 器領域中，小型•高精晰化已有進步，以致圖案加工技術 也跟著被要求技術提升。 另一方面，爲控制介電常數等電氣特性，一向是在意圖 藉由選擇材料來降低介電常數之方法。然而，仍然在期望 能再更進一步地降低，且能開發出可實現其之方法。 (9 再者，近年來面板大型化或高性能化已有所進展，因此 有必要將膜形成爲大面積、均勻且膜較厚，但是在施加燒 成步驟時，卻往往會產生龜裂等之裂紋，因此一向是希望 此可加以改良。 再加上爲提高發光效率等特性之高性能化，雖然一向是 在希望加高阻隔壁之高度且作成爲高精晰，但是一向是在 希望能開發出一種在維持高精晰度下，可形成均勻且並無 龜裂等故障的高阻隔壁之方法。 以往在實施無機材料之圖案加工時，多半是採取經印刷 由無機粒子與有機黏合劑所構成之基質後，予以燒成之方 1260666 法。然而網簾印刷法卻有不能形成高精確度的圖案之問題 存在。而且’想要形成高縱橫比之圖案時，則必須採取多 層印刷法，以致造成製程變多之問題。 於是，爲解決如上所述之缺點，在專利文獻1、專利文 獻2則已揭示一種使用噴砂法之阻隔壁形成方法。

該方法具有能形成高縱橫比的圖案或高精確度之特徵。 然而在進行噴砂加工步驟時，雖然較佳爲使介電質形成層 與阻隔壁形成層的噴砂性互不相同，以便在施加噴砂加工 時，僅除去阻絕層圖案的開口部之阻隔壁形成層，以使其 下層的介電質形成層殘留下來，但是該方法卻難於賦加噴 砂性之差異。 另外，將介電質層使用感光性乾膜與噴砂法來形成圖案 時，卻有阻隔壁形成層與感光性阻絕層之密著性弱，以致 在顯影中或噴砂中會剝離之問題。 至於採取降低介電質層之介電常數之方法時，則有軟化 點因玻璃組成而變高之問題存在。 (9 再者，在燒成步驟則有收縮之局部性變化性，或是否因 收縮較大之故而易於導致產生裂紋，或在進行經噴砂後的 燒成時易於導致阻隔壁軟化下垂而變形之問題存在。 因此，正在期望一種可在不致於損及噴砂性下’與感光 性之噴砂用阻絕層之密著性佳，且在燒成時下垂或變形、 裂紋又少的可供用於低介電常數之阻隔壁形成層之材料。 在專利文獻3已揭露一種針對於在塗佈無機組物時之缺 陷或在噴砂時之圖案缺口，以及在燒成時之裂紋等問題’ 1260666 使用經混合具有兩種平均粒子尺寸之無機粒子的加強膏， 並以網簾印刷形成圖案之方法來因應之方法。 然而，仍然不能形成經燒成後的高解析度之微細圖案， 且由於使用印刷法，以致在均勻性等方面並非爲能充分令 人滿意，且也可無法提高縱橫比及阻隔壁高度，且製成爲 高清晰。再加上如欲使畫面大型化時，則不易製得高度均 勻的阻隔壁。 在專利文獻4中，關於粒度分佈，雖然提及一種使用具 有2個尖峰的玻璃之介電質膏，但是對於阻隔壁之形成並 未提及。 另外，在專利文獻5至1 3係提及使用模具之阻隔壁形成 法。然而，即使使用該等方法，也不易形成厚膜且無裂紋 ，且高度均勻之膜。 〔專利文獻1〕日本國專利特開平第10-144206號公報 〔專利文獻2〕日本國專利特開平第1 0- 1 72424號公報 〔專利文獻3〕日本國專利特開平第1 1 - 1 343號公報 〔專利文獻4〕日本國專利特開第2002- 1 5664號公報 〔專利文獻5〕日本國專利特開第2003- 1 23637號公報 〔專利文獻6〕日本國專利特開第2000-185938號公報 〔專利文獻7〕日本國專利特開第200 1 - 1 67 698號公報 〔專利文獻8〕日本國專利特開第2〇〇2_75 1 75號公報 〔專利文獻9〕日本國專利特開第2002-93 3 1 3號公報 〔專利文獻1〇〕 日本國專利特開第20〇2_134〇05號公 1260666 〔專利文獻1 1〕 日本國專利特開第2 0 0 0 - 1 7 3 4 5 6號公 報 〔專利文獻1 2〕 日本國專利特開第2 0 0 1 - 5 8 3 5 2號公報 〔專利文獻I3〕 日本國專利特開第200 1 - 1 43 6 1 28號公 報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 本發明提供一種具有幾乎並無經燒成後之阻隔壁或介電 質之各種圖案的線寬或膜厚之變化，且具有高精確度微細 構造之局局度的局縱橫比之阻隔壁的大尺寸之無機質膜， 包括無機質膜之PDP用構件，及彼等之製造方法。 另外，本發明提供一種低介電常數，且發熱受到抑制之 節省功率的無機質膜、包括無機質膜之PE)P用構件，及彼 等之製造方法。 〔解決課題之方法〕 本發明爲如下所述者，藉此即可解決上述課題。 (1 ) 一種無機質膜，其特徵爲具有剖面之空隙尺寸爲〇 · 1 〜3 0微米，空隙面積率爲5〜7 5 %、縱橫比爲1〜 1 〇且局度爲100〜800微米之阻隔壁。 (2) 如上述第（1)項之無機質膜，其中介電常數爲3.5 〜12 ° (3) 一種PDP (電獎顯示面板）用構件，其特徵爲包括 如上述第（1 )或第（2 )項之無機質膜。 (4 ) 一種p D P用構件之製造方法，其特徵爲在含有軟化 1260666 點及粒子尺寸互不相同的至少兩種無機粉末之昌層 - ，以噴砂法形成阻隔壁圖案後，予以燒成以形成如 上述第（1)或第（2)項之無機質膜、或如上述第 (3 )項之PDP用構件。 (5 ) 一種P D P用構件之製造方法，其特徵爲使用含有軟 化點及粒子尺寸互不相同的至少兩種無機粉末之膏 ，及使用模具來形成阻隔壁圖案後，予以燒成以形 成如上述第（1 )或第（2 )項之無機質膜、或如上 述第（3 )項之PDP用構件。 〔發明之效果〕 本發明係使用含有平均粒徑及軟化點互不相同的兩種以 上無機粉末之膏，藉此即可製得具有低介電常數’高高度 且高縱橫比之阻隔壁的大尺寸之無機質膜及使用其之PDP 用構件。 另外，本發明可提供一種即使經燒成後線寬或膜厚之變 化少，具有高精確度、能節省功率之阻隔壁的大畫面PDP 用構件等之精密電子裝置。 β 〔實施發明之最佳形態〕 本發明之無機質膜，係以具有多孔性且特定的輪廓爲其 特徵，前者係將空隙面積率與空隙尺寸界定於特定範圍’ 後者則予以界定縱橫比與高度者。 該無機質膜由於作成爲如上述結構，因此不但是阻隔壁 之耐收縮率可獲得改善，同時也有介電常數會降低之效果 。介電常數之降低，係具有抑制PDP等之發熱且降低功率 -10- 1260666 消耗之效果。 並且，由於燒成時之收縮非常小，膜厚度得以保持均勻 ，且不容易發生裂紋，因此可容易製得大面積且厚膜之膜 另外，由於本發明可將作爲無機質膜的原料之含有無機 粉末之膏，以塗佈或從轉印膜，使設在基板上的膏層之表 面性變得平滑，因此，可將精確度佳且具有優越的輪廓之 圖樣形成於吾所希望之基板上。

在本發明，空隙尺寸及空隙面積，係可由阻隔壁剖面的 孔之剖面求得。 「空隙尺寸」係意謂該剖面的最長直徑（2點間之距離 )，在本發明之情形時係爲0.1〜3 0微米，且更佳爲〇 · 3〜 1 5微米。 「空隙面積」係意謂孔之剖面積的總和，各個剖面之面 積，係以描圖紙描繪出根據S EM (掃描電子顯微鏡）的剖 面照片之孔部份，然後將其剪取並量測其質量即可求得。

孔之剖面形狀並無特殊限定，係不定形，也可爲圓形。 另外，在本發明則將對阻隔壁剖面積的空隙面積之比率 定義爲「空隙面積率」。在此所謂「空隙面積率」’係指 將阻隔壁之剖面攝製成SEM (掃描式電子顯微鏡）照片’ 並由3個1 〇〇微米 X 1 00微米大小之剖面測定値求出平均 所獲得者。在本發明中，無機質膜之空隙面積率爲5〜75 %，且更佳爲10〜6 5 %。 此外，「阻隔壁之高度」，假設阻隔壁爲凸部時’則爲 -11 - 1260666 自阻隔壁間的凹部之底直至凸部頂點之距離h。「縱橫比 」就是假設在凹部之底的位置之寬度（對阻隔壁之長度方 向成正交方向）爲W時，則爲以h/w所表示之値。

在本發明中，無機質膜之阻隔壁係縱橫比爲1〜10，較 佳爲4.5〜8，且高度爲100〜8 00微米，較佳爲150〜7 00 微米。另外，對阻隔壁之長度方向成正交方向的阻隔壁之 剖面形狀較佳爲長方形、或爲寬度逐漸朝其高度方向變狹 而變化的梯形，且其變化則以在頂部相對於w爲90 %以下 爲佳。 將無機質膜之阻隔壁設定成爲上述結構，藉此即使將無 機質膜作成爲大尺寸，例如1 m2以上，也能顯現將收縮變 化性抑制成小於3 %，且在良好良率下製造出無機質膜之 效果。就結果來說，即可以高精晰製得無色斑，且爲大尺 寸之PDP等。 另外，阻隔壁間的凹部之寬度較佳爲50〜1,〇〇〇微米， 更佳爲100〜800微米。

再者，本發明之無機質膜，雖然因爲其係具多孔性而可 使其介電常數降低，但是無機質膜之介電常數較佳爲3.5〜 12，且更佳爲3.5〜1 1。藉此即可減低PDP等裝置之耗電 量，同時可實現使用期限之延長。 控制介電常數之方法係包括將無機質膜之組成加以選定 ，及在確保強度之前提下儘可能地增大空隙面積率等。 在本發明中，將無機質膜之多孔性控制於上述範圍內之 方法，係使用下述各方法。 -12- 1260666 亦即，含有無機粉末之膏，係使用由粒子尺寸（平均粒 徑）及軟化點係各自互不相同的至少兩種所構成，且平均 粒徑大的種類係具有局軟化點之無機粉末者^較佳爲包括 如下所述之方法。在此則將平均粒徑及軟化點互不相同的 無機粉末，由平均粒徑及軟化點較小的一者起依序如a、b ' c、d、_ · •般以小寫之羅馬字字母序列記載。 (1 ) 無機粉末使用由無機粉末a與無機粉末b所構成之 混合物。

(2) 無機粉末使用由平均粒徑爲0.2〜2.5微米之無機粉 末A與平均粒徑比其爲大且由平均粒徑爲2〜10微 米之無機粉末B所構成之混合物。

在上述第（1 )項之方法中，較佳爲無機粉末b之軟化點 比無機粉末a之軟化點高出50 °C以上，更佳爲選定爲高出 l〇〇°C以上。該高的軟化點係以600〜1，50(TC爲佳，以700 〜1，400°C爲更佳。另外，無機粉末a與無機粉末b，其元 素組成和/或結晶構造雖然爲互不相同，但是兩者的平均粒 徑之具體大小，若對應於同種文字標記時，則爲並不需要 符合上述第（2 )項之範圍，但是較佳爲如該等。 在上述第（2)項之方法中，重要的是將無機粉末A與 無機粉末B之平均粒徑予以特定成如上述。亦即，無機粉 末A之平均粒徑爲〇·2〜2.5微米，較佳爲0.3〜2.0微米 ，無機粉末B之平均粒徑爲2〜10微米，較佳爲2.5〜9 微米’且必須使無機粉末B之平均粒徑大於無機粉末a之 平均粒徑。另外，無機粉末A與無機粉末B，其元素組成 -13- l26〇666 和/或結晶構造也可爲相同，兩者的軟化點之關係是若對應 於同種文字標記時，則並不需要符合上述第（丨）項之範圍 ’但是較佳爲如該等。

另外，使用於本發明之無機粉末，較佳爲其粒度分佈曲 線具有至少兩個極大尖峰。該無機粉末包括例如無機粉末 a或b、及該等之混合物，無機粉末A或B、及該等之混合 物。該粒度分佈曲線係以雷射繞射散射法，取橫軸爲粒徑 ’取縱軸爲頻度（體積）所標繪者。此外，在本發明中「 平均粒徑」係意謂設該頻度的累積體積總和爲100 %時， 累積體積將成爲50 %的粒徑（D50)(但是在粒度分佈曲 線中，雖然不一定必須具有極大尖峰，惟較佳爲在D50附 近具有極大尖峰）。 若欲使無機粉末具有至少兩個極大尖峰時·，則將能賦予 該極大尖峰的粉末成份混合比率，調整成使各粉末全體平 均粒徑能符合本發明範圍即可。

因此，在此種情形下，能賦予極大尖峰的粉末成份之粒 度分佈曲線，就得以選定各種。 再者，在本發明中，假設粒度分佈曲線之累積體積之總 和爲1〇〇 %時，累積體積會成爲10 %之粒徑（D10)，對 無機粉末a或無機粉末A而言，則較佳爲0.1〜2.0微米； 對無機粉末b或無機粉末B而言，則較佳爲1.0〜8.0微米 此外，在本發明中，假設粒度分佈曲線之累積體積之總 和爲1〇〇 %時，累積體積會成爲90 %之粒徑（D90)，對 -14- 1260666 無機粉末a或無機粉末A而言，則以2.5〜8.0微米爲佳； _ 對無機粉末b或無機粉末B而言，則以5〜1 5微米爲佳。 若如上所述將無機粉末加以特定時，則將變成在未含有 無機粉末之膏層中，在無機粉末b或無機粉末B之間隙塡 充無機粉末a或無機粉末A之構造’使得經予以燒成時因 大小與軟化點之差異的作用而得以生成如上所述之空隙。 再者，有助於特定上述粒度或軟化點同時調整空隙面積 率所需之要素，則適當地選定含有無機粉末的膏之組成， 例如黏合劑、溶劑、塑化劑等，以及選定燒成條件等。 另外，含有無機粉末的膏（以下僅稱爲「膏」）也可含 有上述特定的粉末成份以外之無機成份。該無機成份可使 用例如粒度、軟化點不相同的無機粉末等。例如平均粒徑 爲50奈米以下之膠態二氧化矽等。 可使用於本發明之轉印膜較佳爲在膏層與可撓曲性臨時 支撐體之間具有脫模性層。 脫模性層係以可容易且正確地將膏層轉印在玻璃等基板 上之方式而設置。 脫模性層係包括將脫模劑設置於基板上者，「脫模劑」 係包括聚矽氧系化合物（例如高黏度聚矽氧化合物、低黏 度聚矽氧化合物、改質聚矽氧化合物）、氟系化合物、植 物油脂系化合物（例如以植物性磷脂物（卵磷脂）爲主成 份者）、蠟等。 「轉印膜」係可使脫模性層與膏層一起轉印在基板上， 也可採取使脫模性層留在可撓曲性臨時支撐體上而僅使膏 -15- 1260666 層轉印之方式。因此’使用轉印膜使膏層轉印所製得之轉 印層，也可具有脫模性層。 而且，使用轉印膜時即能使膏層表面成爲平滑，其中心 線平均表面粗糙度（Ra )較佳爲0.5微米以下，更佳爲〇.3 微米以下。

在本發明無機質膜或PDP用構件之製造方法之一爲在經 由直接塗佈於基板或由上述轉印膜轉印至基板上所設置之 膏層上，設置感光性組成物，並施加曝光、顯影處理後， 以噴砂法在膏層形成阻絕層圖案，接著予以燒成之方法。 此外’經使用膏及模具來形成阻隔壁圖案後予以燒成， 藉此也可製造無機質膜或PDP用構件。 阻隔壁之形成方法，具體而言，其係包括：將膏放入模 具’使阻隔壁圖案轉印於基板，然後予以燒成之方法；將 基板及膏放入模具，在模具內製造阻隔壁圖案，然後在模 具內予以燒成之方法；以及在塗佈於基板或經由轉印膜之 轉印所形成之膏層，使用模具來形成阻隔壁圖案之方法等

〇 茲就本發明之每一構成要素詳加說明如下。 A·膏 供塗佈於基板等之膏，或爲製造轉印膜所塗佈於可撓曲 性臨時支撐體之膏，係含有至少無機粉末，並且以樹脂及 溶劑爲其成份。膏係除上述成份以外，也可含有習知之各 種添加劑，例如塑化劑、保存劑、界面活性劑等。 但是由於膏爲經特意提高無機粉末成份混合率之組成， -16 - 1260666 s使其能發揮其優點’理應儘可能的以少用有機成份爲佳 A-a.無機粉末 無機粉末雖然並無特殊限定，但是可使用具有對經燒成 的無機質膜主要能賦予非透明性的機能之無機物質，例如 氧化銘、氧化駄、錯、堇青石等之金屬氧化物、金屬等， 對，經燒成的無機質膜主要能賦予透明性的機能之無機物質 ’例如玻璃’較佳爲低熔點玻璃等。

所謂「低熔點玻璃」粉末係意謂軟化點爲39〇〜99(rc者 ’較佳爲線性熱膨脹係數爲（4 5〜；i 〇 〇 ) x 1 〇 · 7 κ ·1，更 佳爲（50 〜90) X 者。

低熔點玻璃粉末之組成較佳爲氧化矽係以3〜80質量％ 之範圍來混合，更佳爲1 〇〜7 0質量％。若小於3質量％時 ’則玻璃層之緻密性、強度或穩定性將下降，且熱膨脹係 數將偏離所期望之値，以致易於造成與玻璃基板之錯配。 另外，設定成70質量％以下時，藉此即可獲得熱軟化點變 低，可實現對於玻璃基板之燒結等優點。 低熔點玻璃粉末之組成，則以含有5〜60質量％的氧化 鉍、氧化鉛、氧化鋅、氧化鋁、氧化鋰、氯化鈉、氯化鉀 中之至少一種者，或將氧化硼、氧化鉍或氧化鉛合計爲含 有8〜60質量％，且含有0〜15質量％的氧化鋰、氯化鈉 、氯化鉀中之至少一種之玻璃粒子的玻璃者，因其熔點較 低，所以較佳。 低熔點玻璃粉末之組成，其較佳實例可例示如下：（1 ) -17- 1260666 氧化錯、氧化硼、氧化矽系（Pb〇 — B2〇3 — Si〇2)之混合物 ，（2)氧化鋅、氧化硼、氧化矽系（Zn〇 — b2〇3 — si〇2系 )之混合物，（3 )氧化鉛、氧化硼、氧化矽、氧化鋁系（ PbO- Bah — Si02 — Al2〇3系）之混合物，（4)氧化鉛、 氧化鋅、氧化硼、氧化矽系（Pb0— ZnO — B2〇3 — Si02系） 之混合物等。

尤其是在上述第（1 )項〜第（4 )項中經脫除鉛成份的混 合物’即所謂的「無鉛玻璃」，係不僅是在環保上較爲理 想’也對於降低無機質膜之介電常數上是有效，因此將其 應用於PDP用構件時，則具有優越的省電性，且與氧化鋁 等之金屬氧化物粉末之捏合性也將變得良好，因此，可改 善無機質膜之均勻性。 「無鉛玻璃」是除上述成份之外·，也可含有選自BaO、 MgO、Na2〇、K20、Li20、Α1203、Ti 02、Zr02、Nb203、

Bi203等中一種以上，並且，可進一步混合吾所希望之元素

無鉛玻璃較佳爲在含有ZnO、B2〇3、Si02、BaO及Bi203 中之至少一種以上者。其組成以莫耳比計較佳爲ZnO / B2〇3 / Si〇2 / BaO / Bi2〇3 / 其他=20 〜70/0 〜80/0 〜 45/0〜50/0〜15/0〜15，且更佳爲25〜65/0〜75/0 〜40 / 〇 〜45 / 0 〜13 / 0 〜13 ° 在膏添加特定的無機粉末成份以外之各種金屬氧化物， 藉此即可使圖案著色。例如在膏中含有1〜10質量％之黑 色金屬氧化物，藉此即可形成黑色圖案。作爲爲該目的使 -18 - 1260666 用之黑色或其他之著色的氧化物而包含在Cr、Fe、Co、Μη 、Cu之氧化物中之至少一種，較佳爲三種以上時，藉此， 即可實現黑色化。特別是將Fe與Mn之氧化物各自含有 0.5質量％時，即可形成更深的黑色之圖案。 並且，除黑色以外，經使用經添加會發色成紅、藍、綠 色等之無機顏料的膏，藉此即可形成各種顏色之阻隔壁或 彩色濾光片等，造成著色的圖案之無機質膜。 A-b.樹脂

可供包含在膏中之樹脂，雖然並無特殊的限制，但是可 使用纖維素系化合物或丙烯酸系化合物。 (纖維素系化合物） 用方〗局之纖維素系化合物係包括纖維素及其衍生物。「 纖維素系」化合物係乙基纖維素、甲基纖維素、乙基丙基 纖維素、硝化纖維素、纖維素乙酸酯、纖維素丙酸酯、纖 維素乙酸丁酸酯、纖維素丁酸酯等之纖維素系樹脂。

纖維素衍生物的取代基之取代率爲纖維素羥基之〇 ~ 9 〇 %，較佳爲10〜8 0 %。例如，在乙基纖維素即以i 〇〜7 0 %之取代率者適合使用。該等之黏合劑也可使用單一種之 ‘口物’而且若爲屬可相混合的聚合物彼此時，則也可與 上述其他纖維素衍生物或非纖維素系聚合物混合使用。混 合比率係只要能混合且能維持作爲黏合劑應有之機能即可 爲任意。 为子量（Mw)係可將1萬至40萬者，以低分子單獨、 高分子單獨、或組合兩種以上之平均分子量者來使用。 -19- 1260666 作爲黏合劑所使用之纖維素衍生物，係除上劲 可將經以水丨谷性基取代之纖維素衍生物作爲次要 加’且該樹fc除水丨谷性基之外，也可含有低級煩 醯基作爲取代基。取代基之水溶性基係經院基（ 爲1〜3 )及羧甲基。 該_經1兀基纖維素之邀院基之取代率爲相對於 之葡萄糖爲1·3〜7當量，較佳爲〜5〇當量 右每1單兀之葡甸糖爲大於3 · 〇時，則其係意額 基取代的其羥烷基又再行取代。取代率若爲1 ·3 時，則溶解性、混合性將變得不充分，大於7 .〇 則將不易提高取代度，且增加製造成本。特別適 「水溶性基取代之纖維素衍生物」爲：經丙基纖 甲基纖維素、經乙基纖維素、錢乙基纖維素、經 維素、羥甲基鄰苯二甲酸纖維素、羥丙甲基纖維 甲酸酯、趨丙甲基纖維素乙酸鄰苯二甲酸酯、硫 〇 「甲基纖維素」係以傳統方法由鹼纖維素與氯 甲基硫酸合成。再進一步與氧化乙烯進行反應即 甲基纖維素。「乙基纖維素」係將鹼纖維素在加 乙烷進行反應所製得。其他之烷基纖維素也以同 可合成。「羥乙基纖維素」係以傳統方法由纖維 乙烯合成。「羧甲基纖維素」係以傳統方法在苛 在下使纖維素與一氯乙酸進行反應所製得。另外 纖維素」係以傳統方法使纖維素與二甲基甲醯胺 t以外，也 [成份來添 :基或低級 原子數 每1單元 t。取代率 ί對經羥烷 當量以下 當量時， 合使用之 維素、經 丙甲基纖 素鄰苯二 酸纖維素 甲烷或二 可製得羥 壓下與氯 樣方法即 素與氧化 性鹼之存 ，「硫酸 進行反應 -20- 1260666 即可製得。其他之纖維素衍生物也以同樣方法即可合成。 而且，市面也有出售。 (丙烯酸系化合物）

「丙烯酸系」化合物係包括以下述通式（1 )所表示之（ 甲基）丙烯酸酯化合物（R1爲氫原子時之丙烯酸酯化合物 及R1爲甲基時之甲基丙烯酸酯之總稱）之「同元聚合物（ la)」，以下述通式（1)所表示之（甲基）丙烯酸酯化合 物之兩種以上的「共聚合物（lb)」，以及以下述通式（1 )所表示之（甲基）丙燃酸醋化合物與其他共聚合性單體 之「共聚合物（lc)」。 H2c = C ( R1 ) COOR2 ( 1 ) 〔式中R1係表示氫原子或甲基，R2係表示1價有機酸。有 機基係包括烷基、環烷基、羥烷基、烷氧基、芳氧基、聚 伸烷基二醇之半酯殘基、聚伸烷基二醇一醚之酯殘基等。

爲形成「同元聚合物（la)」及「共聚合物（lb)」所 使用之以上述通式（1)所示之（甲基）丙烯酸酯化合物之 具體實例係包括：（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸 乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸異丙酯、（ 甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙 烯酸三級-丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸戊 酯、（甲基）丙烯酸異戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲 基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸 異辛酯、（甲基）丙烯酸乙基己酯、（甲基）丙烯酸壬酯 -21 - 1260666

Φ 、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸異癸酯、（甲基 )丙稀酸十一醋、（甲基）丙;I：希酸十二醋、（甲基）丙烯 酉夕月桂酯、（甲基）丙烯酸硬脂酯、（甲基）丙烯酸異硬 脂醋等之（甲基）丙烯酸烷酯類；（甲基）丙烯酸經基乙 酯、（甲基）丙烯酸2 -羥基丙酯、（甲基）丙烯酸4 _經 基丁酯、（甲基）丙烯酸3 -羥基丙酯、（甲基）丙烯酸2 -經基丁酯、（甲基）丙烯酸3 —羥基丁酯等之（甲基）丙 燦酸羥烷酯；（甲基）丙烯酸苯氧基乙酯、（甲基）丙烯 酸2 -羥基-3 -苯氧基丙酯等之（甲基）丙烯酸苯氧基烷酯 ;(甲基）丙烯酸2-甲氧基乙酯、（甲基）丙烯酸2-乙 氧基乙酯、（甲基）丙烯酸2-丙氧基乙酯、（甲基）丙烯 酸2 -丁氧基乙酯、（甲基）丙烯酸2 -甲氧基丁酯等之（ 甲基）丙烯酸烷氧烷酯；聚乙二醇一（甲基）丙烯酸酯、 乙氧基二甘醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇（甲基 )丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、壬基苯 氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇一（甲基）丙 烯酸酯、甲氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、乙氧基聚丙 二醇（甲基）丙烯酸酯、壬基苯氧基聚丙二醇（甲基）丙 烯酸酯等之聚伸烷基二醇（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙 烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸4-丁基環己酯、（甲基）丙 烯酸二環戊烷酯、（甲基）丙烯酸二環戊烯酯、（甲基） 丙烯酸二環戊二烯酯、（甲基）丙烯酸（甲基）丙烯酸萡 酯、（甲基）丙烯酸異萡酯、（甲基）丙烯酸三環癸烷酯 等之（甲基）丙烯酸環烷酯；（甲基）丙烯酸苯甲酯、（ -22- 1260666 甲基）丙烯酸四氫呋喃甲酯等。該等中較佳爲在上述通式 (1)中以R2所表示之基爲含有烷基或氧化烯基之基，特 佳的（甲基）丙烯酸酯化合物係包括（甲基）丙烯酸甲酯 、（甲基）丙烯酸月桂酯、（甲基）丙烯酸異癸酯、及（ 甲基）丙烯酸2 -乙氧基乙酯。

可供與用以形成「共聚合物（1 c )」所使用之（甲基） 丙烯酸酯化合物作共聚合的其他共聚合性單體，只要是能 和上述（甲基）丙烯酸酯化合物作共聚合的化合物者，則 並無特殊的限制，例如可使用：（甲基）丙烯酸、乙烯基 苯甲酸、順丁烯二酸、乙烯基鄰苯二甲酸等之不飽和羧酸 類；乙烯基苯甲基甲基醚、乙烯基縮水甘油基醚、苯乙烯 ' α -甲基苯乙烯、丁二烯、異戊二烯等之含有乙烯基之 自由基聚合性化合物。在共聚合物（1 c )中，以上述通式 (1 )所表示之來自（甲基）丙烯酸酯化合物的共聚合成份 係通常爲40質量％以上，較佳爲50質量％以上。

同元聚合物（la)、共聚合物（lb)或（lc)的丙烯酸 化合物之分子量，較佳爲以根據GPC (凝膠滲透層析術） 之聚苯乙烯換算之質量平均分子量計，則爲1，〇〇〇〜 300,000，且更佳爲 2,000 〜200,000 ° 在膏中之「樹脂含有比率」，相對於1 00質量份之低熔 融玻璃粉末成份，較佳爲1〜20質量份，且更佳爲1 5〜1 8 質量份。樹脂比率若太小時，則不能確實地黏合保持低熔 融玻璃粉末成份，相對地該比率若太大時，則燒成過程需 要長時間，或往往會導致所形成之燒結物（無機質膜）不 -23- 1260666 能確保具有足夠的強度或膜厚者。 A-c.溶劑及塑化劑 用以構成本發明所使用之膏的溶劑，較佳爲與g彳幾$ $ 之親和性、樹脂之溶解性良好，且能對膏賦予適當的黏,丨生 ，同時施予乾燥即可容易蒸發脫除者。另外，特佳的、溶齊^ 係包括標準沸點（在1大氣壓下之沸點）爲60〜3 00t的 酮類、醇類及酯類等。

此種溶劑之具體實例可例示：二乙基酮、甲基丁基酮、 二丙基酮、庚酮、辛酮、環己酮、N -甲基吡咯啶酮等之酮 類；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇類、正-戊醇、4 —甲 基-2 -戊醇、環己醇、7 -溴-庚醇、辛醇、二丙酮醇、甘油 、苯甲醇、萜品醇等之醇類；乙二醇一甲基醚、乙二醇一 乙基醚、乙二醇一 丁基醚、丙二醇一甲基醚、丙二醇一乙 基醚、二甘醇一乙基醚、二甘醇一丁基醚等之醚系醇類； 乙酸正-丁酯、乙酸戊酯等之飽和脂肪族一元羧酸烷酯類； 乳酸正-丁酯等之乳酸酯類；甲基賽路蘇乙酸酯、乙基賽路 蘇乙酸酯、丙二醇一甲基醚乙酸酯、乙基-3 -乙氧基丙酸 酯、二甘醇一乙基醚乙酸酯、二甘醇一丁基醚乙酸酯等之 醚系酯類等。該等中較佳爲萜品醇、N -甲基吡咯啶酮、甲 基丁基酮、環己酮、二丙酮醇、乙二醇一丁基醚' 丙二醇 一乙基醚、乳酸乙酯、乙基-3 -乙氧基丙酸酯等。該等溶 劑可以單獨或組合兩種以上來使用。 此外，也可添加「塑化劑」以提高無機質膜之柔軟性， 或賦予自黏合性。塑化劑可將鄰苯二甲酸丁基苯甲酯、鄰 -24- 1260666 苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二丁酯 等以單獨或混合使用。 用以本發明之膏中的「溶劑含有比率」，若從將膏黏度 維持於較佳範圍之觀點來考量，則相對於無機粉末i 〇〇質 量份，較佳爲5〜50質量份，且更佳爲8.0〜40質量份。 另外’塑化劑之比率相對於無機粉末1 00質量份，則較佳 爲0〜20質量份。 A-d.膏之調製

用於本發明之膏，除上述必要成份之外，也可作爲任意 成份而使其含有分散劑、均塗劑、黏合性賦予劑、表面張 力調整劑、穩定劑、消泡劑等之各種添加劑。較佳的膏（ 層之形成前）之一實例係對1 〇〇質量份之無機粉末，含有 1〜20質量份之樹脂、10〜5〇質量份之溶劑、及2〜1〇質 量份之塑化劑的膏。用於本發明之膏係將上述成份用輥捏 合機、混合機、均質混合機、砂磨機等之捏合·分散機加 以捏合即可調製。供用於本發明之經如上所述方式所調製 得之膏，係一種具有適合於形成層的流動性之膏。 B .轉印膜之製造 用於轉印膜之可撓曲性臨時支撐體，係用作爲以塗佈法 供膏載置者。該經塗佈之膏層係受到「時效保存」，在使 用時則將轉印到玻璃基板等之基板上，同時予以剝除可撓 曲性臨時支撐體。 如此之可燒曲性臨時支撐體，只要能顯現出上述機能， 則其材質’、形態等並無特殊的限制。「可撓曲性臨時支撐 -25- 1260666 體」之材料通常使用樹脂膜，例如聚酯系（例如聚對苯二 甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等）、聚烯烴系（例如聚 乙烯、聚丙烯等）、聚醯胺系（例如耐綸' 芳香族聚醯胺 等）、聚醯亞胺、聚颯系、纖維素系等，其可按照使用目 的適當地選擇種類、物性（例如楊氏模數、熱膨脹係數、 表面粗糙度等）、厚度等。 並且，在可撓曲性臨時支撐體，除樹脂成份以外，也可 使其含有例如無機粉末、脫模劑等。另外，也可以物理方 式和/或化學方式將撓曲性臨時支撐體之供設置膏的一側之 面加以處理。例如，外塗層處理（係指設置上述脫模性層 ，例如塗蠟、聚矽氧塗層等之樹脂塗層等）、金屬蒸鍍處 理、濺鍍處理、電鍍處理、除塵處理、酸處理、熱處理、 電暈放電處理、電漿處理等。 供塗佈於可撓曲性臨時支撐體上的膏之黏度，較佳爲0.1 〜3 00 Pa · sec。塗佈機可使用輥塗機、刮片塗佈機、幕流 塗機、線棒塗機等，藉此即可在可撓曲性臨時支撐體上塗 上膏層，使膏層以纏繞成輥狀的狀態下保存、供應。可撓 曲性臨時支撐體之厚度可爲例如1 〇〜1 00微米。用以構成 轉印膜之膏層係將供用於本發明之膏塗佈於可撓曲性臨時 支撐體上，並將塗膜加以乾燥脫除部份或全部溶劑，即可 形成。在可撓曲性臨時支撐體上塗佈本發明所使用的膏之 方法，較佳爲能有效率地形成具有優越的膜厚均勻性且膜 厚爲厚（例如20微米以上）的塗膜者。 另外，較佳爲在供塗佈本發明所使用之膏的可撓曲性臨 -26- 1260666 時支撐體之表面，具有脫模性層。藉此即可在膏層對基板 上的轉印步驟中，容易實行可撓曲性臨時支撐體之剝離操 作。此外，在轉印膜也可在膏層表面設置保護膜層。如此 之保護膜層可使用聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚乙烯膜、聚 乙烯醇系膜等。

使用於本發明之膏，係如上述也可在製造轉印膜時使用 ，也可使用於以網簾印刷法在玻璃基板等之表面直接塗上 該膏，然後乾燥以形成阻絕層圖案的膏層之方法，另外， 也可採取以習知塗佈裝置形成膏層後，以噴砂法形成圖案 之方法。惟此時，供以網簾印刷法等對基板的塗佈步驟所 使用之膏的黏度，係以介於0.1〜300 Pa · sec爲佳。 C.PDP用構伴之製造方法

本發明PDP用構件之製造方法，較佳的是使用在如玻璃 板般之基板上由轉印膜形成膏層，然後在該膏層上積層感 光性乾膜，並在該感光性乾膜上依序施加圖案曝光、顯影 所形成之阻絕層圖案，以噴砂法在該基板上形成圖案，接 著予以燒成以形成之方法。 供積層於該膏表面之「感光性乾膜」，係在如PET膜般 之臨時支撐體上設置「感光性樹脂組成物層」（也稱爲「 阻絕層」）所構成者，其係雖然也可爲正型阻劑材料也可 爲負型阻劑材料，但是較佳爲負型。「正型」時，則特別 以由鹼可溶性酚遵樹脂與萘醌二疊氮之混合物所構成之正 型阻劑。其中，較佳爲由甲酚酚醛樹脂與鄰-萘醌二疊氮磺 酸酯衍生物所構成者。「負型」係包括組合具有脂環族環 -27- 1260666 的鏈狀聚合物等之環化橡膠與芳香族雙疊氮基化合物等雙 疊氮基化合物的環化橡膠-雙疊氮基系阻劑、在間-甲酚酚 醛樹脂組合1 -疊氮基芘的酚醛樹脂-疊氮基系阻劑、組合 丙烯基系單體與光聚合引發劑的丙烯基系阻劑液等。該等 可由市面取得。 供形成膏層之基板，係指玻璃等之單體的基板，或在上 述基板具有介電質層、電極、電路等中之至少一種以上者 等，供設置膏層之基板面是可爲基板之正面或背面。

本發明PDP用構件之製造方法，較佳爲採取在具有電極 之基板面設置介電質層用膏層，並在其上設置阻隔壁膏層 後，將上述阻劑材料設置於其阻隔壁膏層上之方法。 介電質層用膏層，其黏合劑若使用比阻隔壁用膏層者爲 高分子者時，藉此即可防止噴砂加工所引起對介電質層之 浸蝕，同時保護電極，且可容易以同樣的高度製得特定縱 橫比的阻隔壁。

但是所使用之介電質層用膏層，較佳爲經燒成後能和阻 隔壁用膏層成一體化，其各個之物性雖然可爲相同或不同 ，但是從良率、所製得阻隔壁的性能之觀點來考慮，則以 年目同爲佳 。 經燒成後之介電質層，其厚度通常較佳爲約5〜5 0微米 此外，若需要的話，也可在未設置介電質層下直接將阻 隔壁用膏層設在露出金等薄膜電極的基板面上。 PDP用構件係在阻隔壁圖案之凹部形成螢光體層，藉此 -28- 1260666 即可製得PDP背面板。 在膏層積層感光性乾膜後，則使用曝光裝置在感光性乾 膜上施加曝光。上述霄層之形成，及該積層可使用熱f昆。 膏層之轉印步驟，係將轉印膜之膏層與基板貼緊而通過熱 輥，其後則剝除臨時支撐體。感光性乾膜.之積層步驟係在 其膏層上使感光性乾膜貼緊，並與上述同樣地通過熱輥， 其後則剝除感光性乾膜之臨時支撐體。該感光性乾膜的臨 時支撐體之剝離，也可在曝光步驟之前或之後實施。

曝光步驟一般採取使用光罩來作光罩曝光之方法，以便 實施通常之光微影術。所使用之光罩則按照阻絕層的感光 性有機成份之種類來選擇負型或正型中任一者。另外，也 可採取不使用光罩而以紅色或藍色之可見光雷射光、Ar ( 氬）離子雷射、UV (紫外線）離子雷射等來直接描畫之方 法。

曝光裝置可使用步進曝光機、近接式曝光機等。另外， 如欲施加大面積的曝光，則將玻璃基板等之基板邊搬送邊 施予曝光，即可以小曝光面積之曝光機來達成大面積之曝 光。 此時，可使用之活性光源係包括例如可見光線、近紫外 線、紫外線、電子射線、X射線、雷射光等，其中較佳爲 紫外線，其光源可使用例如低壓水銀燈·高壓水銀燈、超 高壓水銀燈、鹵燈、殺菌燈等。該等中以超高壓水銀燈爲 適合使用。曝光條件係依塗佈厚度而不同，可使用輸出爲 1〜100 mW/cm2之超高壓水銀燈來作0.1〜30分鐘之曝光。 -29- 1260666

曝光後，則利用阻絕層之感光部份與非感光部份對顯影 液之溶解度差來進行顯影，此時可以浸漬法或噴洗法、刷 洗法實行。所使用之顯影液，雖然可用水顯影’但是也可 使用能將阻絕層中有機成份予以溶解的有機溶劑。在阻絕 層中若有具有羧酸基等之酸性基的化合物存在時，則也有 以鹼性水溶液來顯影會比起水爲適合之情形。鹼性水溶液 雖然可使用如同氫氧化鈉或碳酸鈉、氫氧化鈣水溶液等之 金屬鹼性水溶液，但是使用有機鹼性水溶液時，由於在進 行燒成時則比較容易脫除鹼成份，因此較爲理想。而且視 樹脂種類而定，也可用水來顯影。

有機鹼可使用一般性胺化合物。具體而言，可使用氫氧 化四甲基銨、氫氧化三甲基苯甲基銨、一乙醇胺、二乙醇 胺等。鹼性水溶液之濃度通常爲0.01〜10質量％，更佳爲 0.1〜5質量％。鹼濃度若太低時，則不能脫除可溶部，鹼 濃度若太高時，則將導致圖案部剝離，或有腐蝕到非可溶 部之顧慮，所以不佳。顯影時之顯影溫度，在製程管理上 較佳爲以20〜40°c實施。 其次，按照形成於阻絕層之圖案而移至脫除膏之步驟。 該步驟係以噴砂法爲佳。噴砂法就是一種以高速噴射與壓 縮氣體混合在一起的硏磨劑粒子以物理方式對膏層施加蝕 刻之加工方法。 此外，對於膏層之蝕刻也可使用在日本國專利特開第 2000- 1 6412號公報所記載之高壓噴霧顯影法。 經蝕刻膏層之後，也可設置用以脫除膏層上的阻絕層圖 >30- 1260666 案之步驟’也可直接移送至燒成步驟。在該脫除阻絕層圖 案之步驟’可使用浸漬剝離液法，或以噴霧式塗佈法來脫 除。 接著，在燒成爐進行燒成。燒成氣氛或溫度係因基板種 類而不同’通常在空氣中、氮氣、氫氣等氣氛中燒成。燒 成爐可使用分批式之燒成爐或帶式之連續型燒成爐。燒成 溫度則在400〜600 °C實施。燒成時間爲1〇〜60分鐘。燒 成溫度若採用較低溫方式時’則在能源經濟上是有利，但 是爲脫除有機成份與促進玻璃燒結，則仍需要4 0 0 °C之溫 度。惟並無提高至600 °C以上之必要。另外，在上述曝光 、顯影、燒成之各步驟中也可以乾燥及預反應爲目的而增 加50〜300 °C之加熱步驟。

本發明之PDP用構件製造方法，除使用感光·性乾膜之外 ，也可使用將經使用轉印膜或塗佈等所形成之膏層，不使 用感光性乾膜而以模壓法使圖案形成於基板上之方法來製 造之方法。該模壓法係包括將模具抵接於膏層，然後直接 將圖案壓印在膏層以形成之方法。其所使用之模具，係對 應於凸狀圖案之部份爲凹形狀，對應於凹狀圖案之部份爲 凸形狀之模具（回轉型、平面型等），將該模具在膏層壓 入至特定的深度，使膏層循模具形狀作塑性變形即可形成 圖案。 其他之模壓法，則有一種將具有對應於圖案之凸部的穴 之母模，抵接於膏層以僅取入該凸部，接著以對應於該穴 之公模或液壓或氣壓，將取入於母模的膏層擠壓出於基板 -31- 1260666 上以形成圖案之方法。 在該等模具之表面和/或膏層表面，較佳爲施加如同使用 於上述脫模性層般之脫模劑。另外，本發明可採用例如在 日本國專利特開平第10_3 265 62號公報、同特開第2002-93 3 1 3號公報所記載之方法。 此種情形下的膏層，則應以能實施上述模具成型之方式 ，選定其膏層之組成（特別是溶劑、塑化劑等之種類和數 量），以適當地調整其塑化性。 【實施方式】

茲就本發明使用實施例具體說明如下。但是本發明並不 受限於此等。另外，「份」係意謂「質量份」。 〔實施例1〜7、比較例1〜7〕 (1 ) 塗佈用膏之調製

將由70份之平均粒徑爲1.2微米之無機粉末甲（A )(記載於表1 )與30份之平均粒徑爲7微米之無 機粉末乙（氧化鋁、軟化點：1，200°C )所構成之無 機粉末成份，分散於在萜品醇與二甘醇一丁基醚乙 酸酯之混合溶劑，溶解2份樹脂（乙基纖維素）之 溶液，其後作爲塑化劑而加入鄰苯二甲酸二丁酯’ 予以捏合以製得塗佈用膏1。此時，無機粉末甲之 種類係加以設定組成成份之比率以製得特定之軟化點。 塗佈用膏2〜5之調製 在塗佈用膏1中，除了變更成如表2所記載之無機 粉末以外，同樣地製做以得到塗佈用膏2〜5。 (2 ) 膏層之形成 將上述塗佈用膏1〜5在玻璃基板（1公尺X 1公 -32- 1260666 尺）上，變更膜厚以刮片塗佈機塗佈，以製得實施 例1〜7、比較例1〜7之試料。 (3 ) 感光性乾膜之積層 接著，在膏層上，將具有保護層之負型乾膜阻絕層 (日本合成化學工業公司製，NCP225、25微米）以 lOOt之熱輥予以積層。 (4 ) 圖案之形成 在阻絕層上對準配置線寬爲220微米、間隙爲80微 米之線與間隙之圖案光罩，然後照射紫外線（3 64 奈米、強度爲20 mW/cm2、照射量爲120 mJ/cm2) ，曝光後剝離光阻層上之保護膜，然後使用30°C液 溫之1質量％之碳酸鈉水溶液施加噴霧顯影。結果 製得按照線圖案光罩之阻絕層圖案。 接著，以該阻絕層圖案作爲遮罩，並使用噴砂加工 裝置對阻絕層圖案開口部之膏層加以噴砂處理。 其後’將具有經圖案處理過之基板配置於燒成爐內 ，使爐內溫度自常溫以5 t /分鐘之升溫速度升溫至 570°C，並在570°C之溫度氣氛下進行30分鐘之燒 成處理，以在玻璃基板表面形成白色且不透明之阻 隔壁燒成圖案。 然後評估所形成之阻隔壁圖案之縱橫比、阻隔壁高 度、多孔性、耐收縮率、裂紋、面內均勻性介電常 數、解析度，其結果展示於表2。 多孔性：求出空隙面積率。 -33- 1260666 耐收縮率（):以（10〇 χ燒成後之膜厚/燒成前 之膜厚）求得。 裂紋：以目視仔細觀察。若觀察不到則爲「無」， 觀察得到時則爲「有」。 面內均勻性：以如下述方式求出形成在1公尺X i 公尺之基板的阻隔壁高度變化性。以由基板20處任 意位置的高度平均値之變動量作爲變化性所求得。 介電常數：以橫河電機製介電常數測定器（1 MHz

解析度：變更曝光量以改變線寬，然後調查燒成後 之圖案臨界解析力。該解析力就是燒成後之阻隔壁

表1 無機粉末之種類 組成成份 軟化點（。〇 A PbO - Si〇2 - B2O3 ~ AI2O3 BaO 560 B PbO - Si〇2 ** B2O3 - AI2O3 - ZnO 520 C PbO - Si〇2 - B2O3 - MgO 580 -34- 1260666 比較 例7 to < 卜 氧化鋁 (N S \D d m in <N VO 裢 寸 13.1 r-H 比較 例6 in < 氧化鋁 (N T—^ 00 un r-H q (N 〇〇 (N in r-H cn r—Η r—H 比較 例5 in < 卜 氧化鋁 (N r—4 τ—^ m o (N (N r~H (N r-H cn r-H y—( 比較 例4 < 氧化鋁 (N g OO d !S (N \〇 堞 cn 12.5 (N 比較 例3 寸 < CO 氧化鋁 m m 〇〇 (N \D 寸 12.5 (N 比較 例2 寸 < cn 氧化鋁 m s m 寸 (N <N 〇〇 r-H <N 12.5 CN 比較 例1 寸 < <N 氧化鋁 cn O r-H cn s r—H Ό 〇\ 璀 1—Η +1 cn 實施 例7 cn < (N 氧化鋁 卜 306 1—H cn On (M \D Os 凝 1—1 +1 (N 〇\ in 實施 例6 <N U <N 氧化銘/氧化欽 = 95/5 卜 s \〇 cn 293 \D ON 摧 +1 ^T) 〇\ 實施 例5 r-H PQ <N 氧化鋁 oq \〇 C\ 壊 +1 m oo 實施 例4 < <N 氧化鋁 220 Ό (N 211 VO C\ 壊 r—H +1 m ON 實施 例3 r-H < <N 氧化鋁 卜 307 卜 cn 295 σ\ 摧 τ-Η +1 實施 例2 C (N 氧化鋁 卜 430 413 VO 〇\ 壊 +1 m m 實施 例1 r-H < (N 氧化鋁 卜 712 00 m oo \D v〇 σ\ 壊 τ-Η +1 m 塗佈用膏 種類 平均粒徑（微米） 種類 平均粒徑（微米） (微米） 縱橫比 阻隔壁高度 耐收縮率（％) 裂紋 面內均勻性（％) 介電常數 多孔性（％) 解析性（微米） 無機粉末甲 無機粉末乙 塗佈厚度 評估

1260666 以目視觀察所形成之阻絕層圖案結果，並未看到從基板 的剝離。 並進一步以電子顯微鏡觀察阻隔壁剖面，結果在實施例 則可確認到具有〇 · 5〜1 0微米的許多空隙，因此確認其係 具多孔性。 由上表即可知，本發明之實施例係比比較例具有適度的 空隙’燒成時之裂紋少，即使變成厚膜也不致於產生裂紋 ’且面內均勻性也良好。

而且得知，本發明之實施例，由於具有適度的空隙，因 此可達成低介電常數。加上燒成後之線寬變化又少，所以 能獲得高解析性。 〔實施例8〜1 8〕 除取代在實施例5所使用之無機粉末甲，而使用由表3 所記載之組成成份所構成之無機玻璃粉末D至Μ以外，其 餘則與實施例5同樣條件製造塗佈用膏及阻隔壁燒成圖案 ，並同樣地加以評估。其結果展示於表4。 -36- 1260666 表3 :無機粉末之種類（單位：莫耳％) 組成成份 D E F G H I J K L M Si〇2 12 12 12 8 9 8 6 8 9 8 B2〇3 24 23 23 24 26 25 30 27 29 25 ZnO 43 42 42 50 52 47 45 48 47 49 BaO 2.3 2.3 2.3 12 9 13 15 12 8 12 MgO 4.4 4.3 4.3 - - - - - - - Na20 7 7.3 7.0 - - 1 2 2 3 3 K2〇 5.4 7.7 7.7 - 2 1 - - - - Li20 - - - 3 2 2 2 2 2 2 ai2o3 1.4 1.4 1.4 1 - 1 - - 1 1 Ti02 - - - 2 - 1 - *· 1 - Zr02 0.5 0.5 0.5 - - - - 1 - - Nb2〇5 - - - - - 1 - - - - Bi203 - - 0.3 - - - - - - - 軟化點（°c) 570 540 540 554 558 556 565 561 560 559 -37 > 1260666

1260666 上述實施例8〜1 8，如與比較例1〜7相較，即可知介電 常數會降得更低。藉此即可抑制PDP面板之發熱。而且有 可能是因使用本實施例8〜1 8的無機粉末之故而變得容易 捏合、提高塗佈性能，使得面內均勻性獲得改善。

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Claims (1)

1260666 第93125440號「無機質膜 '使用其之PDP用構件及其製造方法」專利案 (2005年10月24日修正） 十、申請專利範圍： 1，一種無機質膜，其特徵爲具有剖面之空隙尺寸爲〇」〜3〇 微米’空隙面積率爲5〜7 5 %、縱橫比爲〗〜丨〇且高度 爲100〜800微米的阻隔壁。 2 ·如申I靑專利範圍第1項之無機質膜，其中介電常數爲3 . 5 〜1 2 〇

3·—種PDP (電漿顯示面板）用構件，其特徵爲包括如申請 專利範圍第1或2項之無機質膜。 4 · 一種無機質膜之製造方法，其特徵爲在含有軟化點及粒 子尺寸互不相同的至少兩種無機粉末之膏層，以噴砂法 形成阻隔壁圖案後，予以燒成以形成如申請專利範圍第1 或2項之無機質膜。 5 · —種無機質膜之製造方法，其特徵爲使用含有軟化點及 粒子尺寸互不相同的至少兩種無機粉末之膏及模具以形 成阻隔壁圖案後，予以燒成以形成如申請專利範圍第1 Φ 或2項之無機質膜。 6·—種PDP用構件之製造方法，其特徵爲在含有軟化點及 粒子尺寸互不相同的至少兩種無機粉末之膏層，以噴砂 法形成阻隔壁圖案後，予以燒成以形成如申請專利範圍 第3項之PDP用構件。 7·—種PDP用構件之製造方法，其特徵爲使用含有軟化點 及粒子尺寸互不相同的至少兩種無機粉末之膏及模具以 1260666 形成阻隔壁圖案後，予以燒成以形成如申請專利範圍第3 項之PDP用構件。