TWI253190B - Light-emitting device and manufacturing process of the light-emitting device - Google Patents

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TWI253190B
TWI253190B TW093138400A TW93138400A TWI253190B TW I253190 B TWI253190 B TW I253190B TW 093138400 A TW093138400 A TW 093138400A TW 93138400 A TW93138400 A TW 93138400A TW I253190 B TWI253190 B TW I253190B
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Chia-Ming Lee
I-Ling Chen
Jen-Inn Chyi
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Description

1253190 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光元件，特別是關於一種發光 元件的製程方法。 【先前技術】 白光發光一極體通常是混合疊加不同顏色的光以形 成白光。白光發光^一極體一般包含兩層螢光層，若將電 流施加在第一螢光層上，第一螢光層會發出第一光輻 射。至於第二螢光層在接收到第一光輻射後會被激發， 並發出第二光輻射，並使得第一光輻射與第二光輻射之 混合疊加成為白光。 圖1是習知技術之白光發光元件的示意圖。白光發-光元件10包含一個植基於硒化鋅（ZnSe)基材14之發 光一極體12。傳統上，發光二極體係在硒化鋅基材14 上運用磊晶（epitaxy)技術形成複數層結構（未顯示在 圖上）。發光二極體12及硒化鋅基材14被固定於支撐框 架16中。發光二極體12的電極18經由引線2〇連接至 接觸導線（contact leads) 22。一層反射層24位於础化 鋅基材14之下方，以將發光二極體12所發出的光線反 射往觀看者的眼中。-旦施加電流，發光二極體12會發 出藍光(B)，而硒化鋅基材14會被藍光激發而發出^ (丫）。藍光與黃光的混合疊加會使得觀看者所見為白 然而在實務運作上，上述先前技術的生命週^ 因而不符業界之需求。造成生命週期很短的原因在 I:\Patent\Tekcore 泰谷\2009(004TW)\Official\01 發明申請書.doc 1253190 光二極體12與硒化鋅基材14之晶格大小未能匹配，導 致磊晶成長過程產生許多結晶之瑕疵。因此，設計並製 造生命週期夠長的白光發光元件，便成為業界一項非常 重要且緊迫的課題。 【發明内容】 本發明的主要目的在於提供一種發光元件。 本發明的另一目的在於提供一種發光元件的製程方 _ 法。 本發明揭露一種發光元件，其包含一個發光單元、 一個底板、以及複數個導電突塊。其中發光單元包含複、 數個第一連接墊，底板包含複數個第二連接墊。導電突· 塊係用以連接發光單元之第一連接墊以及底板之第二連-接墊。在製程過程中，係將發光單元之第一連接墊與底 板之第二連接墊透過導電突塊，利用回流製程固接在一 起。發光單元在施加電流下會發出第一光輻射，底板在 φ 被第一光輻射所激發後，會發出第二光輻射。 在本發明的一個實施例中，發光單元係包含一個第 一基底、一層第一包覆層、一層反應層、一層第二包覆 層、一層第一歐姆接觸層與一層第二歐姆接觸層。其中 第一連接墊係連接至第一歐姆接觸層與第二歐姆接觸 〇 本發明更揭露一種形成發光元件之方法。首先形成 I:\Patent\Tekcore 泰谷\2009(004TW)\Qfficial\01 發明申請書.doc 6 1253190 一個具有複數個第一連接墊之發光單元，其中發光單元 係用以發出第一光輻射。其次形成一個具有複數個第二 連接墊之底板，其中底板在被第一光輻射激發時會發出 第二光輻射。接下來在發光單元之第一連接墊上或底板 之第二連接墊上形成導電突塊，最後將發光單元之第一 連接墊與底板之第二連接墊透過導電突塊固接在一起。 【實施方式】 圖2A顯示本發明其中一個較佳實施例所揭露之發_ 光元件的示意圖。所述發光元件包含一個發光單元 (light-emitting unit) 100，其透過導電突塊（conductjve bumps)118 固定在一個底板（base substrate) 200 上。\ 其中發光單元100係用以發射第一光輻射（first light radiation)，底板200則是在被第一光輻射激發時，發射 出第二光輻射。第一光輻射與第二光輻射的混合疊加在 觀看者的眼中會呈現特定之顏色。在本說明書中係以發⑩ 光二極體（light-emitting diode)做為發光單元的最佳範 例，但必須強調的是，本發明的技術特徵係可使用於任 何結構之發光源。 發光單元100包含一個發光區域122與一個毗連區 域124。在發光區域122中，發光單元100包含一個基 底 102、一層第一包覆層（first cladding layer) 104、 一層反應層（active layer) 106、一層第二包覆層108、 以友一層第一歐姆接觸層（first ohmic contact layer) 7 IWatentYTekcore 泰谷\2009(004TW)\Official\01 發明申請書.doc 1253190 110。此外在邮b連區域124中，第一包覆層1 〇4的一部 份被一層第二歐姆接觸層112所覆蓋。此外，一層保護 層114覆蓋發光單元1〇〇的一部份，並分別在第一歐姆 接觸層110與第二歐姆接觸層112之處裸露出接觸墊區 域（connecting pad areas) 110a、112a ° 連接墊 則分別與第一歐姆接觸層110及第二歐姆接觸層112之 接觸墊區域110a、112a相連接。 底板200係一堆疊結構，其包含一個基底2〇2、一 層螢光層（丨uminescent layer) 204、一層保護層206、 Φ 以及連接墊208。前揭導電突塊118則用以連接發光單 元100之連接墊116與底板200之連接墊208。一旦在 底板200之連接墊208之間施加電流，發光單元1〇〇會’ 發出第一光輻射。在本發明的一個較佳實施例中，第一 光幸S射係包含藍光的波長範圍。在被第一光輕射激發之 下’底板200之螢光層204發出第二光輻射，其波長有 別於第一光輪射。在本發明的一個較佳實施例中，第二 光輻射係包含貫光的波長範圍。藉由第一光輻射與第二 光輻射之混合疊加，發光元件在觀看者的眼中$會發出特 定顏色之光線一白光。 上述技術特徵可使用於許多不同之實施例。例如在 圖2B所揭露之發光元件的實施例中，底板2〇〇之基底 202與螢光層204之間可增置一層反射層21〇，用以將 光線反射至觀看者。另外在圖2C所揭露之發光元件的實 施例中，可以將基底202省略。除此之外，本發明之技 I:\Patent\Tekcore 泰谷\2009(004TW)\Official\01 發明申請書.d〇c 8 1253190 術特徵還可使用於諸多不同之實施例。 接下來請一併參照圖3A至圖3H，其為本發明之_ 個實施例中形成發光單元300之製程的剖面示意圖。首 先圖3A係顯示在一個基底302上形成一層第一包覆層 304的剖面示意圖。其中基底302係由透明材質所構成， 例如藍寶石（sapphire)、碳化矽（SiC)或其他類似材 質。第一包覆層304係由第三族元素之說化物所構成， 例如 AIN、氮化鎵（GaN)、InN、AIGaN、InAIGaN、或 其他類似材質。在本發明的一個較佳實施例中，第一包鲁 覆層304係利用有機金屬氣相磊晶製程（metal organic vapor phase epitaxy process )所形成，在製程中係使 用氫氣或氮氣做為載體氣體（carrier gas)來混合下列. 氣體·· trimethylgallium (Ga(CH3)3, "TMG")、trimethylaluminum (AI(CH3)3, "TMA")、trimethylindium (ln(CH3)3, "TMI")、silane (SihU)、以及 cyclopentadienylmagnesium (Mg(CsH5)2)。第一 包覆層304並掺雜N型雜質，例如硫（sulfur，S )、石西 φ (selenium，Se)、錄（tellurium, Te)等等。 接下來請參見圖3B，其為在第一包覆層304之上形 成一層反應層（active layer) 306之製程的剖面示意圖。 反應層306可以是一個單井結構（single well structure )，亦可以是多層量子井結構（multi_quantum well structure)。其中所述多層量子井結構係由井層（well layer)與阻障層（barrier layer)相互交疊之結構，其中 至少包含一層由第三族元素之說化物所形成之化合物半 I:\Patent\Tekcore 泰谷\2009(004TW)\Official\01 發明申請書.doc 9 1253190 導體。 接下來請參見圖3C，其為在反應層306之上形成一 層第二包覆層308之製程的剖面示意圖。第二包覆層308 係選自下列之第三族元素的氮化物：AIN、氮化鎵 (GaN)、InN、AIGaN、InAIGaN、以及其他類似材質， 其所摻雜之半導體類型（亦即N型或P型）係與第一包 覆層304相反。因此，假使第一包覆層304是N型換雜， 則第二包覆層308為P型摻雜。 接下來請參見圖3D，其為在第二包覆層308之上形 成一層第一歐姆接觸層310之製程的剖面示意圖。第一 歐姆接觸層310係可選自下列金屬合金：Ni/Au、Ni/Pt、 Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、 TiN、TiWNx、WSix、以及其他類似材質。此外，第一歐姆 接觸層310亦可使用透明之導電氧化物，其可選自下列 材質··銦錫氧化物（indium tin oxide )、錫錫氧化物 (cadmium tin oxide )、ZnO:AI、ZnGa2〇4、Sn〇2:Sb、 Ga2〇3:Sn、Agln〇2:Sn、lri2〇3:Zn、NiO、MnO、FeO、Fe203、
CoO、Cr〇、Cr2〇3、Cr〇2、CuO、SnO、Ag2〇、CuAI〇2、SrCu2〇2、
LaMn〇3、PdO、以及其他類似材質。 接下來請參見圖3E，其為在第一歐姆接觸層310之 上形成一層圖案護罩（pattern mask) 370之製程的剖面 示意圖。在本發明的一個實施例中，圖案護罩370係一 層光阻（photoresist)的圖案，利用習知的微影製程 (photolithography process)所形成。後續利用圖案護 IWatentYTekcore 泰谷\2009(004TW)\Official\01 發明申請書.doc 10 1253190 罩370做為保漠罩，藉由I虫刻製程（etChjng pr〇cess) 疋義出一個發光區域382與一個毗連區域384，其中發 光區域382係位於圖案護罩370下方之區域，而毗連區 域384則是相鄰於發光區域382，且裸露出部分之第一 包覆層304的區域。 接下來請參見圖3F，其為將圖案護罩370去除且形 成第二歐姆接觸層312之製程的剖面示意圖。第二歐姆 接觸層312係形成於毗連區域384中，裸露之第一包覆 層304的上方。第二歐姆接觸層312的材質係選自下列 金屬合金·· Ti/Ah Ti/AI/Ti/Au、Ti/AI/Pt/Au、Ti/AI/Ni/Au、 Ti/AI/Pd/Au、Ti/AI/Cr/Au、Ti/AI/Co/Au、Cr/AI/Cr/Au、 Cr/AI/Pt/Au、Cr/AI/Pd/Au、Cr/AI/Ti/Au、Cr/AI/Co/Au、 Cr/AI/Ni/Au、Pd/AI/Ti/Au、Pd/AI/Pt/Au、Pd/AI/Ni/Au、 Pd/AI/Pd/Au、Pd/AI/Cr/Au、Pd/AI/Co/Au、Nd/AI/Pt/Au、 Nd/AI/Ti/Au、Nd/AI/Ni/Au、Nd/AI/Cr/Au、Nd/AI/Co/A、 Hf/AI/Ti/Au、Hf/AI/Pt/Au、Hf/AI/Ni/Au、Hf/AI/Pd/Au、 Hf/AI/Cr/Au、Hf/AI/Co/Au、Zr/AI/Ti/Au、Zr/AI/Pt/Au、 Zr/AI/Ni/Au、Zr/AI/Pd/Au, Zr/AI/Cr/Au，Zr/AI/Co/Au、 TiNx/Ti/Au > ΤΐΝχ/Pt/Au ^ TiNx/Ni/Au ^ TiNx/Pd/Au ^ TiNx/Cr/Au > TiNx/Co/Au TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、 TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、NiAI/Pt/Au、 NiAI/Cr/Au、NiAI/Ni/Au、NiAI/Ti/Au、Ti/NiAI/Pt/Au、 Ti/NiAI/Ti/Au、Ti/NiAI/Ni/Au、Ti/NiAI/Cr/Au、以及其他類似材
11 I:\Patent\Tekcore 泰谷\2009(004TW)\Qfficial\01 發明申請書.doc 1253190 接下來請參見圖3G，其為形成一層保護層314之制 程的剖面示意圖。保護層314之形成係先沈積—層介= 材質例如二氧化碎’再湘微影及㈣技術在第= 接觸層31G與第二歐姆接觸層312上分別開啟第舖 窗310a與第二接觸窗312a。 接下來請參見圖3H，其為在第一歐姆接觸層31〇 之第一接觸窗310a與在第二歐姆接觸層312之第二接 觸窗312a上分別形成連接墊316之製程的剖面示= 圖。連接墊316係由金屬或金屬合金等導電材質所構成& 接下來請一併參照圖4A至圖4E，其為本發明之」 個實施例中形成底板之製程的剖面示意圖。首先請表見 圖4A，其為在一個基底402上形成一層螢光層404之穿j 程的剖面示意圖。基底402係由矽所構成。在本發明的 一個實施例中，螢光層404係以同質磊晶法所形成，以 石西化辞（ZnSe )為基材’再換雜峨（j〇cjjne )、氯 (chlorine)、溴（bromine)、銦（indium)或類似材質 以形成N型半導體。 在本發明的另一個實施例中，螢光層404的形成亦 可先將磷光體粉末與Benzocyclobutene (BCB)相混合， 再將該混合物以液體型態旋轉塗佈至所述基底4〇2上， 再實施一道加熱製程將其固化。 接下來請茶見圖4B，其為在螢光層4〇4的表面上形 成一層保護層406之製程的剖面示意圖。保護層4〇6係 由二氧化矽等介電材質所構成。 I:\Patent\Tekcore 泰谷\2009(004TW)\Official\01 發明申請書.d〇c 12 1253190 接下來請參見圖4C，其為在保護層406的表面上形 成一層連接墊408之製程的剖面示意圖。連接墊408的 製程係先形成一層導電材質，再利用微影及钱刻技術形 成之。 接下來請參見圖4D，其為在本發明的另一實施例 中’在基底402與螢光層404之間加入一層反射層41 〇 之製程的剖面示意圖。反射層410係為金屬材料或介電 材料。 接下來請參見圖4E，其為在本發明的另一實施例 _ 中’直接以硒化辞（ZnSe)為基材420而在其上形成保 護層406與連接墊408之製程的剖面示意圖。 圖5A與圖5B係為本發明的一個實施例中，將發光 單元與底板固接之製程的剖面示意圖。其中圖5A係為本— 發明的一個實施例中，在發光單元300之連接墊316上 形成導電突塊518之製程的剖面示意圖。在本發明的一 個貫施例中’導電突塊518係由焊錫（solder material) 所構成。 接下來請參見圖5B，其為本發明的一個實施例中， 將發光單元與底板固接之製程的剖面示意圖。在固接的 製程中，係將發光單元300之導電突塊518與底板400 之連接墊408相接觸，並執行一道回流製程（ref|〇w process)以將發光單元3〇〇與底板400固接在一起。 接下來請參見圖5C，其為本發明的一個實施例中形 成發光元件之製程的流程圖。首先形成一個具有複數個 13 I:\Patent\Tekcore 泰谷\2009(004TW)\Official\01 發明申請書 d〇c 1253190 第-，接塾之發光單元（步驟5Q2)，再形成—個具有複 數個第二連接墊之底板（步驟5〇4)。之後在發光單元之 第-連接塾上或底板之第二連接塾上形成導電突塊（步 驟506)，再將發光單元之第一連接墊與底板之第二連接 墊透過導電突塊組裝在一起（步驟5〇8)。最後執行一道 回流製程以將所述發光單元與底板固 5⑻，所述發光元件於焉完成。 …驟
雖然本發明係已參照較佳實施例來加以描述，將為 吾人所瞭解的是，本發明並未受限於其詳細描述内容。 替換方式及修改樣式係已於先前描述中所建議，並且並 他替換方式及修改樣式將為熟習此項技藝之人士所思 及。特別是，根據本發明之裝置結構，所有具有實質^ 相同於本發明之組件結合而達成與本發明實質上相同結 果者皆不脫離本創作之精神㈣。目此，所有此等替換 方式及修改樣式係意欲落在本發明於隨附申請專利範圍 及其均專物所界定的範缚之中。
【圖式簡單說明】 圖1是習知技術之白光發光元件的示意圖。
圖2A顯示本發明其中一個較佳實施例所揭露之發 光元件的示意圖。 X
圖2B顯示本發明另外—個較佳實施例所揭露之發 光元件的示意圖。 X 圖2C顯示本發明另外一個較佳實施例所揭露之發 I:\Patent\Tekcore 泰谷\2009(004TW)\Official\01 發明申請書.d〇c 14 1253190 光元件的示意圖。 圖3A係顯示在本發明的一個實施例中，在一個基底 上形成一個第一包覆層的剖面示意圖。 圖3B係顯示在本發明的一個實施例中，在第一包覆 層之上形成一層反應層之製程的的剖面示意圖。 圖3C係顯示在本發明的一個實施例中，在反應層 之上形成一層第二包覆層之製程的剖面示意圖的剖面示 意圖。 圖3D係顯示在本發明的一個實施例中，其為在第 _ 二包覆層之上形成一層歐姆接觸層之製程的剖面示意 圖。 圖3E係顯示在本發明的一個實施例中，其為在歐姆 接觸層之上形成一層圖案護罩之製程的剖面示意圖。 圖3F係顯示在本發明的一個實施例中，將圖案護罩 去除且形成第二歐姆接觸層之製程的剖面示意圖。 圖3G係顯示在本發明的一個實施例中，形成一層 0 保護層之製程的剖面示意圖。 圖3H係顯示在本發明的一個實施例中，在第一歐 姆接觸層之第一接觸窗與在第二歐姆接觸層之第二接觸 窗上分別形成連接墊之製程的剖面示意圖。 圖4A係顯示在本發明的一個實施例中，在一個基底 上形成一個螢光層之製程的剖面示意圖。 圖4B係顯示在本發明的一個實施例中，在螢光層的 表面上形成一層保護層之製程的剖面示意圖。 I:\Patent\Tekcore 泰谷\2009(004TW)\Official\01 發明申請書.doc 15 1253190 圖4C係顯示在本發明的一個實施例中，在保護層 的表面上形成一層連接墊之製程的剖面示意圖。 圖4D係顯示在本發明的另一個實施例中，在基底 與螢光層之間加入一層反射層之製程的剖面示意圖。 圖4E係顯示在本發明的另一個實施例中，直接以硒 化鋅（ZnSe)為基材而在其上形成保護層與連接墊之製 程的剖面示意圖。 圖5A係為本發明的一個實施例中，在發光單元之連 接墊上形成導電突塊之製程的剖面示意圖。 圖5B為本發明的一個實施例中，將發光單元與底板 固接之製程的剖面示意圖。 圖5C為本發明的一個實施例中，形成發光元件之 製程的流程圖。 【主要元件符號說明】 100 發光單元 104 第一包覆層 106 反應層 108 第二包覆層 110 第一歐姆接觸層 110a 接觸墊區域 112 第二歐姆接觸層 112a 接觸墊區域 114 保護層 I:\Patent\Tekcore 泰谷\2009(004TW)\Official\01 發明申請書.doc 16 1253190 116 連接墊 118 導電突塊 122 發光區域 124 田比連區域 200 底板 202 基底 204 螢光層 206 保護層 208 連接墊 210 反射層 300 發光單元 302 基底 304 第一包覆層 306 反應層 308 第二包覆層 310 第一歐姆接觸層 310a 第一接觸窗 312 第二歐姆接觸層 312a 第二接觸窗 316 連接墊 370 圖案護罩 382 發光區域 384 田比連區域 400 底板 I:\Patent\Tekcore 泰谷\2009(004TW)\Official\01 發明申請書.doc 1253190 402 基底 404 螢光層 406 保護層 408 連接墊 410 反射層 518 導電突塊 I.-VPatentYTekcore 泰谷\2009(004TW)\Qfficial\01 發明申請書.doc

Claims (1)

1253190 十、申請專利範圍： L 一種發光元件，其包含： —個用以發出第一光輻射之發光單元， 第一連接墊； >、L含複數個 個底板’其包含複數個第 被第—光輕射所激發後，會發出第m射、;中該底板在 锼數個導電突塊，用以連接該發光單 从及 以及該底板之第二連接墊。 之弟—連接墊 2.=:::=:=元件，該發先 3.如申請專利範圍第1項所述之發光元件 在被第一光輻射激發後，會發出黃光。 其中該底板 4·如申請專利範圍第1 單元係包含： 項所述之發光元件，其中該發光 一個第一基底； 一層第一包覆層； 一層反應層； 一層弟二包覆層；以及 一層第一歐姆接觸層與-層第二歐姆接觸層； 其中该些弟-連接墊係連接至該第一歐姆接觸層與 弟二歐姆接觸層。 I:\Patem\Tekcore 泰谷\2_(004TW)\〇ffici_ 翻申請書如 1253190 5·如申請專利範圍第4項所述之發光元件，其中第一基 底係由碳化矽所構成。 6.如申請專利範圍第4項所述之發光元件，其中第一包 覆層係由Ν型氮化鎵所構成。 7·如申請專利範圍第4項所述之發光元件，其中該反應 層係為多層量子井結構或單井結構。 8. 如申請專利範圍第4項所述之發光元件，其中第二包 覆層係由Ρ型氮化鎵所構成。 9. 如申請專利範圍第4項所述之發光元件，其中第一歐 姆接觸層係選自下列金屬合金：Ti/A卜Ti/Al/Ti/Au、 Ti/Al/Pt/Au > Ti/Al/Ni/Au > Ti/Al/Pd/Au > Ti/Al/Cr/Au > Ti/Al/Co/Au ^ Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Pd/Au、Cr/Al/Ti/Au、 Cr/Al/Co/Au、Cr/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au、Pd/Al/Pt/Au、 Pd/Al/Ni/Au、Pd/Al/Pd/Au、Pd/Al/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、 Nd/Al/Pt/Au > Nd/Al/Ti/Au ^ Nd/Al/Ni/Au > Nd/Al/Cr/Au > Nd/Al/Co/A、Hf/Al/Ti/Au、Hf/Al/Pt/Au、Hf/Al/Ni/Au、 Hf/Al/Pd/Au、Hf/Al/Cr/Au、Hf/Al/Co/Au、Zr/Al/Ti/Au、 Zr/Al/Pt/Au 、 Zr/Al/Ni/Au 、 Zr/Al/Pd/Au， Zr/Al/Cr/Au， Zr/Al/Co/Au > TiNx/Ti/Au > TiNx/Pt/Au ^ TiNx/Ni/Au > TiNx/Pd/Au ^ TiNx/Cr/Au 、TiNx/Co/Au TiWNx/Ti/Au 、TiWNx/Pt/Au 、 I:\Patent\Tekcore 泰谷\2009(004TW)\Qfficial\01 發明申請書.doc 20 1253190 TiWNx/Ni/Au、TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、 NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、 Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au、Ti/NiAl/Cr/Au 〇 10·如申請專利範圍第4項所述之發光元件，其中第二歐 姆接觸層係選自下列金屬合金：Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、 Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、 TiN、TiWNx、WSix。 11·如申請專利範圍第4項所述之發光元件，其中第二歐 姆接觸層係選自下列金屬合金：銦錫氧化物（indium tin oxide )、錫錫氧化物（cadmium tin oxide )、ΖηΟ:Α1、ZnGa2〇4、 Sn02:Sb、Ga203:Sn、AgIn02:Sn、In203:Zn、NiO、MnO、FeO、 Fe203、CoO、CrO、Cr203、Cr02、CuO、SnO、Ag20、CuA102、 SrCu2〇2、LaMn03、PdO。 12·如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該底板 包含一層螢光層、一層保護層、以及第二連接墊，其 中第二連接墊係形成於該保護層之上。 13·如申請專利範圍第12項所述之發光元件，其中該螢光 層係以砸化鋅（ZnSe)為基材。 14·如申請專利範圍第12項所述之發光元件，其中該螢光 I:\Patent\Tekcore 泰谷\2009(004TW)\Official\01 發明申請書.doc 21 1253190 ene所形成。 層係由磷光體粉末與Benzocycl〇but 專：圍第12項所述之發光元件，其中該保護 智你由一氧化石夕所構成。 其中該底板 專利範圍第12項所述之發光元件， 一個第二基底；以及 一層反射層，該反射層係形成於第二基底之上； 其中該榮光層係位於該反射層之表面上:， 第二基 Π.如申請專利範圍第16項所述之發光元件， 底係由矽所構成。 18·如申請專利範圍第μ項所述 層係由金屬材料所構成 ，其中該反射 申請專利範圍第16項所述之發光元件，其中該反射 層係由介電材料所構成。 2〇·—種形成發光元件之方法，其包含·· 形成一個具有複數個第一連接墊之 恭也留-✓么ca v, 今只光早7〇’其中奋袭 务先早7G係用以發出第一光輻射； I.-VPatenATekcore 泰谷\2009(004TW)\〇fflc祕〇1 發明申請書如 1253190 在被:成：t有複數個第二連接塾之底板，其中該底板 在被弟—先輻射激發時會發出第二光輻射； 在發光單元之第_速姑 形成導電突塊；以及 塾上或底板之第二連接塾上 將該發光單元之第一鱼 透過導電突_接在—起錢塾與該純之第二連接塾 21tt =專·圍第2G項所述之形成發光元件之方法， 墊中=亥發光單元之第一連接塾與該底板 墊透過導電突塊固接在一起的步驟包含： 運接 透過=:::第:Γ墊與 執行一道回流製程。 =申:專：範圍第2。項所述之形成發光元件之方法， ，、中V電突塊係由焊錫所構成。 利範圍第2G項所述之形成發光元件之方法， ”中所述形成-個具有複數個第 … 的步驟係包含： 妾墊之叙先早兀 形成一個多層結構，其包含—屏 包覆層、一層反應層：弟-基底、-層第-姆接觸層； 包覆層、以及-層第二歐 \Tekc〇re 泰谷\2_(〇〇4TW)\〇ffici_i 發明申請書如 23 1253190 將該多層結構圖案化，以裸露出第一包覆層的一部 份； 在第一包覆層之裸露部分形成一層第一歐姆接觸層； 在該多層結構上形成一層保護層，並在第一歐姆接觸 層與第二歐姆接觸層上方分別開啟接觸窗，以裸露出部分 之第一歐姆接觸層與第二歐姆接觸層；以及 在裸露之第一歐姆接觸層與第二歐姆接觸層上形成 該第一連接墊。 24. 如申請專利範圍第23項所述之形成發光元件之方法， 其中第一基底係由碳化矽所構成。 25. 如申請專利範圍第23項所述之形成發光元件之方法， 其中第一包覆層係由N型氮化鎵所構成。 26. 如申請專利範圍第23項所述之形成發光元件之方法， 其中該反應層係為多層量子井結構或單井結構。 27. 如申請專利範圍第23項所述之形成發光元件之方法， 其中第二包覆層係由P型氮化鎵所構成。 28. 如申請專利範圍第23項所述之形成發光元件之方法， 其中第一歐姆接觸層係選自下列金屬合金：Ti/Al、 Ti/Al/Ti/Au > Ti/Al/Pt/Au > Ti/Al/Ni/Au > Ti/Al/Pd/Au ^ Ti/Al/Cr/Au > I:\Patent\Tekcore 泰谷\2009(004TW)\Qfficial\01 發明申請書.doc 24 1253190 Ti/Al/Co/Au、 Cr/Al/Cr/Au 、Cr/Al/Pt/Au 、Cr/Al/Pd/Au、 Cr/Al/Ti/Au、 Cr/Al/Co/Au 、Cr/Al/Ni/Au 、Pd/Al/Ti/Au、 Pd/Al/Pt/Au、 Pd/Al/Ni/Au 、Pd/Al/Pd/Au 、Pd/Al/Cr/Au、 Pd/Al/Co/Au、 Nd/Al/Pt/Au 、Nd/Al/Ti/Au 、Nd/Al/Ni/Au、 Nd/Al/Cr/Au、 Nd/Al/Co/A 、Hf/Al/Ti/Au 、Hf/Al/Pt/Au、 Hf/Al/Ni/Au 、 Hf/Al/Pd/Au 、Hf/Al/Cr/Au 、Hf/Al/Co/Au 、 Zr/Al/Ti/Au ^ Zr/Al/Pt/Au ^ Zr/Al/Ni/Au > Zr/Al/Pd/Au, Zr/Al/Cr/Au, Zr/Al/Co/Au > TiNx/Ti/Au ^ TiNx/Pt/Au > TiNx/Ni/Au > TiNx/Pd/Au > TiNx/Cr/Au 、TiNx/Co/Au TiWNx/Ti/Au 、TiWNx/Pt/Au 、 TiWNx/Ni/Au、TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、 NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、 Ti/NiAl/Ti/Au ^ Ti/NiAl/Ni/Au > Ti/NiAl/Cr/Au 〇 29.如申請專利範圍第23項所述之形成發光元件之方法， 其中第二歐姆接觸層係選自下列金屬合金：Ni/Au、 Ni/Pt > Ni/Pd > Ni/Co ^ Pd/Au > Pt/Au ^ Ti/Au > Cr/Au > Sn/Au > Ta/Au ^ TiN、TTiWNx、WSix。 30.如申請專利範圍第23項所述之形成發光元件之方法， 其中第二歐姆接觸層係選自下列金屬合金：銦錫氧化 物（indium tin oxide )、編錫氧 4匕物（cadmium tin oxide )、 ΖηΟ:Α1、ZnGa2〇4、Sn〇2:Sb、Ga203:Sn、AgIn〇2:Sn、Ιη203:Ζη、 NiO、MnO、FeO、Fe203、CoO、CrO、Cr203、Cr02、CuO、SnO、 Ag20、CuA1〇2、SrCu202、LaMn03、PdO o IMatenATekcore 泰谷\2009(004TW)\Official\01 發明申請書.doc 25 1253190 31·如申請專利範圍第20項所述之形成發光元件之方法， =中所述形成-個具有複數個第二連接墊之底板的步 &包含： 形成一層螢光層； 在該螢光層上形成一層保護層；以及 在該保護層上形成第二連接墊。 32=申請專利範圍第31項所述之形成發光元件之方法， ，、中該螢光層係以硒化鋅（ZnSe)為基材。 # 33.=請專利範圍第31項所述之形成發光元件之方法， :中該螢光層係由鱗光體粉末與Benz〇cyci〇butene所― 形成。 ~ 34·如申請專利範圍第 其中該保護層係由 31項所述之形成發光元件之方法， 二氧化矽所構成。 35.如申請專利範圍 其中所述形成一 驟更包含： 第31項所述之形成發光元件之方法， 個具有複數個第二祕μ底板的步
並在第二基底上形成一層反射 形成一個第二基底 層；以及 在該反射層之表面上形成該螢光層。 I:\Patent\Tekcore 泰谷\2009(004TW)\〇fflciai\01 發明申請塞如 26 1253190 36.如申請專利範圍第35 其中第二基底係由矽所構：之形成發光元件之方法， 37·如申請專利範圍第35 其中該反射層係由金屬材^所構^成發光元件之方法， 38·如申請專利範圍第35 法，其中該反射層係由 項所述之形成發光元件之方 介電材料所構成。 39.:中= 範圍，23項所述之形 將多層結構圖案化以裸露出第-3: 的一部份的步驟係包含： 匕復層 形成光阻圖案； 直到裸露出第一包 以該光阻圖案做為護罩進行蝕刻 覆層的一部份；以及 x 將該光阻圖案去除。
I:\Patent\Tekcore 泰谷\2_(004TW)\〇ffic祕〇1 發明申請書— 27
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