TWI251326B - System and method for ESD protection on high voltage I/O circuits triggered by a diode string - Google Patents

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1251326 九、發明說明： 【考X明所屬之技術領域】 本發明係有關於積體電路設計，尤其是有關於靜電放電保護電路與消 政靜電電荷的方法，以保護積體電路中的核心電路系統不受靜電放電(ESD) 的傷害。 【先前技術】 在積體電路中任何金屬氧半導體電晶體中的閘氧化層是最容易受到傷 害的。閘氧化層接觸到比供應電壓稍高的電壓就會損壞。一般規格的電壓 為5.0 ’ 3.3 ’ 3.1伏特或更低。一般環境帶來的靜電電壓可輕易的高於數千 或數萬伏特。如此的電壓，即使造成的電流極小，電荷極微，都十分具有 术又傷力。因此在靜電電荷累積到產生危害之前就將之放電，是十分重要的 課題。 靜電放電不僅是積體電路安裝至大型組合電路（例如印刷電路板pCB) 之W，以及該PCB連接至操作電狀制其巾—項考量。較影響的時機 還匕3 了‘作、儲存、運送、操作及安裝等階段。在電源接通之後，該電 源供應ϋ與整個轉可能會㈣地雜或消散靜電電荷。 靜電放龟保遵電路系統（BSD protective circuitry)基本上是附加在積體 電路的接點（pad)上。該接點為電源（eiectr^c p〇wer suppiies)，地線（咖以也 grounds)以及電子訊號（electric啦她）等提供了對該碰電路與對外部 包路系統的連結。此附加電路系統必須使該積體電路維持正常運作，意即 雜遵電路系統與該正常運作的核心電路是等效地隔離開的㈤:_)， 並阻擒電流使之不會經由該賴電路纟統流人地線或其他電路及接點。在 一運作中的積體電路巾，電力經由端點vcc輸人，聽_連接到端點 VSS上，外邓電子汛號透過某些接點輸入，而由核心電路產生的電子訊號 則藉由另外的接點輸出至外部電路與裝置上。在—齡界隔離未連線的積

0503-A30565TWF 5 1251326 體電路上，所有接點可視為懸空（fl〇ating)的，不具有確定的電壓。在大 部份的情況下，這意謂著這些接點可能是接地的，或是具有零電壓。 >靜電放電可能發生在任何接點上。它可以發生在，舉例來說，當碰 到。亥積體電路上某個接點時。這種現象和日常的靜電經驗是相同的原理， 例如在乾燥的環境下走過一條地毯，隨後碰觸到接地的金屬物體。在一抑 獨未連接的積體電路中，靜電放電可視為對一或多個接點提供的短: 源，相對的其他接闕保觸空或接地。因為鱗其他接點已接地，1 為對隨機接點提供電源的靜電放電發生時，該倾電路系統的反應合2 體電路正常運作時不太相同。當一個靜電放電事件發 積 :必須快速地導通，以使得靜電荷被導_ vss或地線， 成之前消散掉。 虿η電壓形 因此靜電放電保護電路系統包含兩種狀態。在正常運 中，靜電放電保護電路系統阻播電流的通過，毫路的軍你 =對該漏電路而謂於是不存麵。在—單獨未積=路的=’ 靜電放電賴電路錢發揮保護積體電路的魏，在有路Γ 快速地將靜電荷導向端點VSS或地線。 D /之月ί， 因此靜電放祕«路的以—直有著存麵必要性。 【發明内容】 本發明提供一種靜電放電保護電路，用於 二護電路包含-二極體串，一靜電電荷消散模組，、體二靜電放電 控制模組。該二極體串的陽極_至-第-端m 以及一 等於-第-供應«，陰極係用 „ 正向電舞大於 有至少-N型金屬氧半導體場 ^^電電荷消散模組具 至-第—共用端，該第-共用端電荷從該二極體串 陽軸接至該第一共用端 :=電:。該第-二極體的 弟4點。該控制模組控制該靜

0503-A30565TWF 1251326 =“」物且^該控麻組使該第—端點上的電壓大於該正向電壓降 寸’該靜電電荷透過該第一共用端消散。 W垃― 法^下列步驟。首先，從-第-端點接收-靜電 I二2,當該靜電電荷造成該第-端點的電壓超過該正向電壓降時， 尸^曰'ί、且使靜电電何消散模組中所包含的至少一 N型金屬氧半導體 ^=控制該靜電電荷消散模組，將該靜電電荷從該二極 共用極導引而過。 【實施方式】 體技魏例中，第1A圖係為一靜電放電保護電路100，爐至一積 vsl，-接Γ 2 °在運作時，該接點102可麵接至一端點 VDD，一端點 駐他輸入訊號源’或一内部輸出訊號源。端點vdd在此例中表示 ;的電开77 Γ入至内部的電源，而端‘點vss代表從内部輸出至其他四個地 的電源。大部份的狀況下，端，點VSS係為接地。 一極體104 ’二極體1〇6和二極體·組成一二極體 接至接謂，陰爾至⑽⑽W ^ 106 同樣地，輕接於接點102的一㈣:極體串110的祕112即視為陰極。 陰極耦接至端點112而，” 體串110的陽極。二極體ι〇8的 m的納^ 端點⑴又祕至”金屬氧半導體場效電晶體 氧半=：===氧糊場效f至n型金屬 n型峨==㈣峨彻财細m和 於端點形成—反向器118,兩者之·共同輕接 、知2 120上。該端點12〇麵 耦接至端點VDD。舰携^ &，该電阻122的另一端 鸲”沾120亦耦接至1^型金屬氧半導體電容124的一端，

0503-A30565TWF 1251326 金屬辨導體電容124的另—端減至端點vss。該電阻122和 ，、’乳轉體電容124等效地形成_ RC触126 場效電晶體114的汲極她5㈣㈣ 蜀我千㈣ 妾至知^ 128，以做為反向器1〗8的輸出並耦接至 …’乳、’導體場效電晶體13〇。端點112亦麵接至㈣金屬氧半導體 场效電晶體130的汲極。兮n荆 νςς 0 ^ Λ " &金屬辨‘體場效電晶體⑽的源極耦接 ，·- ° “㉟金屬氧半導體場效電0%體116的源極絲接至端點 VSS。該N蝴氧轉體場效咖w驗触接至如烈。接點 102亦福接至—極體132的陰極’該二極體132的陽極麵接至 些端點VSS在實際上_接至一共用極。此外RC模組126和反向哭= 可視為-控制模組用以在靜電放電期間開啟或關閉 N型金屬氧轉體場效電晶體13()。 肖趣、、且如 在運作中，接點1〇2可以是用於端點伽，端點vss或一賴介 位VDD和電位VSS之間的輸入輪出端點。因接點脱 vss，=w叫二極體132不會_“二 在电路啟紐，端點12〇被充電至驗VDD，沒有電献輯阻12 =謝X彻的賴鱗施加於反向器118巾p型金 晶體m和N型金屬氧半導體場效電晶體116的祕。因此 = 2射no中的二極體數目餘過仔細推算使得正向電 好纽電位柳。因此，正常訊號不會從接點1〇2傳到端點ιΐ2。藉決^ -取少數目的二極體可在傷害發生之前發揮保護作^在正 型金屬氧半導體場效電晶體13G —直維持·l在正f操作下，n型金 乳半導體場效電晶體13G的_端為低電壓，使_金屬氧 晶體_持關閉，更可麵端黑占112上不具有任何電力。如^體 路的正常狀態下靜電放電保護電路是沒有任何運作的。 、^

0503-A30565TWF 8 1251326 二靜電放電不僅是繼電路安裝至大频合電路（例如印刷電路板刚 以及④PCB連接至操作電源之前的其中—項考量。易受影響的時機 3 了衣作齡運送、操作及安裝等階段。靜電放電保護電路係連 接至每一端點。 、田正向靜電電荷於任何一端點例如接點撤發生放電，該靜電電荷 可視為提供正電壓的電源供應器。該端點vss仍為電位yss。端點⑽ 的k電位VSS開始根據Rc常數漸漸增加，該Rc常數係由電阻 122和N型金屬乳半導體電容124決定。如果在第认圖中有個很大的電容， 如虛線所指之電容127，置於端點VDD和一耐高電壓輸入/輸出的接點ι〇2 之間貝m電阻122和N型金屬氧半導體電容m申聯形成的高RC常數 延遲端點12G的賴上升。如果電容127健小，則它只餘小電壓降， 且對端點120的相對影響較小。端點12〇的電壓基本上應維持在電位yss。 同理，如果有-個二極體存在於帛1A圖中，如虛線所指的二極體i29，位 於接點102和端點VDD之間，則賴上升根據該電阻122和n型金屬氧半 ‘體包谷124串聯的rC常數而延遲，從電位vss開始緩慢上升。 一隨著靜電放電在接點搬上發生，電壓突然上升，當電壓上升到高於 二極體串11㈣正向電壓降，電流流經二極體串110至端點112。電流開始 對N型金屬氧半導體場效電晶體13㈣汲極和p型金屬氧半導體場效電晶 體1M的源極充電。P型金屬氧半導體場效電晶體114的閘極和N型金屬 氧半導體場效電晶體116的閘極在未啟動時電位$vss，其驅動反向器ιΐ8 以從端點120傳送-相對域正電壓至前型金屬氧半導體場效電晶體13〇 的閘極4N型金屬氧半導體場效電晶體⑽在電力到達端點Η:時開啟， N型金屬氧半導體場效電晶體13〇的汲極傳導靜電電荷造成的電流從接點 =2經過二極體串11〇到端點，。藉此，接點1〇2的電壓被限制在猶高於 笔位VSS的值’專於_極體刚，二極體祕和二極體購的正向電壓降 加上N型金屬氧半導體場效電晶體13〇的電壓降總和。該N型金屬氧半導

0503-A30565TWF 9 * , 1 1251326 體場效電晶體_電餅轉通_、，接難2的糕維持稍高 ^極體串1K)正向電壓降的總和，對積體電路的核心電路系統而言是安 第m圖顯示本發明第一實施例中當正靜電電荷到達該接點ι〇2時，正 向静電放電的電流流向。同時參照第1A圖和第1B圖，第ib圖包括 靜電放電紐電路觸，其中上部電路受—正靜電電荷軸。下部電路的接 點則接地。如上上部電路的接點未接地，靜電電荷首如肖散至上部電路的 端點vss，如路徑134所示。因上部電路的端點vss係共用連結，如共用 連線136所示，接至下部電路的端點vss，即接地的接點138，則靜電電 將從上部電路的端點VSS導向下部電路的端點vss。該魏電荷接著夢二 極體132流經路徑140，最後消散至地線。 曰 當-負靜電電荷於任-端點如接點1〇2發生放電，該負電壓只會增加 二極體132❺正向電壓降。負靜電電荷以此低電壓經由二極體132消散至 接地的端點VSS。藉此積體電路的核心電路系統可輕易地被保護。 第2A圖係為本發明第二實施例的靜電放電保護電路2〇〇。該靜電放電 保濩電路200搞接至-接點202。在此例中端點VDD係用以從内部輸出電 流至其他兩個地方，而端點VSS制以由内部輸出電流至其他五點地方。 三個二極體204，二極體2G6和二極體細形成—二極體串21()，其陽極輕 接至接點202而陰極输至端點212。端點212係麵接至p型金屬氧半導體 場效電晶體214的本體和源極，以及p型金屬氧半導體場效電晶體216的 本體。P型金屬氧半導體場效電晶體叫的閘極，p型金屬氧半導體場效電 晶體216的閘極和N型金屬氧半導體場效電晶體218 _極皆減至端點 220。端點22_接至電阻222的一端，該電阻222的另一端接至端點乂加。 端點220亦耦接至N型金屬氧半導體電容224的一端，而該N型金屬氧半 導體電容224的另-端接至端點vss。該電阻222和該N型金 電容224組成RC模組226。 、一

0503-A30565TWF 10 1251326 p型金屬氧半導體場效電晶體214的汲極耦接至端點228，端點又 接至p型金屬氧半導體場效電晶體230的汲極和N型金屬氧半導體場效電 晶體232的閘極。該P型金屬氧半導體場效電晶體23〇的閘極麵接至端點 VSS。P型金屬氧半導體場效電晶體謂的本體和源極接至端點。端 點234麵接至P型金屬氧半導體場效電晶體216的汲極，n型金屬氧半導 體場效電晶體218的汲極和N型金屬氧半導體場效電晶體236的閘極。n 型金屬氧半導體場效電晶體218的源極麵接至端點vss。p型金屬氧半導體 場效電晶體216和N型金屬氧半導體場效電晶體218形成一反向器238， 用以切換N型金屬氧半導體場效電晶體a的開與關金屬氧半導體 場效電晶體232的沒極接至接點2〇2。該N型金屬氧半導體場效電晶體说 的源極祕至N型金屬氧半導體場效電晶體236的汲極。該N型金屬氧半 導體場效電晶體236的源極耦接至端點vss。N型金屬氧半導體場效電晶 體说和N型金屬氧半導體場效電晶體236形成靜電電荷消散模組⑽。 此外，接，點202麵接至二極體242的陰極，該二極體242的陽極雛至端 點vss°p型金屬氧半導體場效電晶體23〇可以用功能相近的模組置換，不 限定於此，例如電阻或任何可提供高於端點vss的電壓給端點228的切換 模組。事實上只要N型金屬氧半導體場效電晶體说的閘極不過度驅動 (overdrive)，P型金屬氧半導體場效電晶體23〇在本設計中為非必要的。 在某些情況下，在電壓轉換中接點2〇2從低電壓轉變為高電壓，N型金屬 氧半導體場效電晶體232無法抵抗過電壓，因此造成的傷害使裝置本身的 令命大大減少。為了保護N型金屬氧半導體場效電晶體232的閘極，p型 金屬氧半導體場效電晶體23〇被安排用來使N型金屬氧半導體場效電晶體 232的閘極維持在電位VDD。 此外該RC模組226 (或第ία圖中的RC模組126)亦可以被任何形成 RC延遲的裝置取代，以緩慢的將端點22〇 (或第1A圖中的端點12〇)充電 至電位VDD。在本實施例中，該N型金屬氧半導體場效電晶體232和n型

0503-A30565TWF 11 1251326 金屬氧半導體場效電晶體236串聯以做為靜電電荷消散模組以消散該靜電 電荷。而該RC模組226，反向器238和p型金屬氧半導體場效電晶體綱 =P型金屬氧半導體場效電晶體230皆可視為控制模組，用以開啟或關閉 該靜電電荷消散模組。 在正常運作下，因接點202並不會高於電位VDD或低於電位vss，該 S極體串210和二極龍2不導通。在積體電路啟動後，端‘點咖充電至 電位娜，沒有電流從電阻222流過。故p型金屬氧半導體場效電晶體^ 的閘極’ P型金屬氧半導體場效電晶體216的閘極和N型金屬氧半導體場 效電晶體218的閘極皆為電位VDD。於是此反向器238輸出一低電壓於: 點234上並間接傳至N型金屬氧半導體場效電晶體236的問極，使 屬氧半導體場效電晶體236關閉。 因p型金屬氧半導體場效電晶體230的源極和問極輕接至端點 端點VSS ’故型金屬氧半導體場效電晶體232的閘極和p型金屬口 乳半導體場效電晶體214的沒極的端點228的電位為VDD。端點卿在p 型金屬氧半導體場效電晶體214的閘極上使之維持關閉，而P型金屬氧 導體場效電晶體214的源極又因缺乏電力而更加強關閉。這使得該靜 電保護電路在顏電路正常運作_沒有任何動作。如果該接點&係耐 高壓輸出人接點，高於電位VDD的龍可能被強加其上1 p型金屬氧 導體場效電晶體23G下拉端點228至電位勸，跨接點2()2和端點2 間的電塵（或N型金屬氧半導體場效電晶體232的間極至沒極電麼 為低於電位VDD。藉此，端點22〇可在高電舰加於接點加時受到保護。

當-正靜電電荷於接點202發生放電，該靜電電荷可視為一提供 «的電源供應II。當賴升高到大於該二極體串21G的正向電=織 =電流經過該二鋪204，二靖2〇6 *二歸施争聯流至p型金 氧半導體場效電晶體2丨4的源極和本體，以及P型金魏半導體帝曰 體別的源極和本體。端點22〇根據電阻222和N型金屬氧半導體 0503-A30565TWF 12 1251326 Z，從電位vss開始緩慢上升。如果這時存在一個為高電壓輸出入接點 存在的大電容，如第2A圖的虛線所示，介於接點2〇2和端點vdd之間， =^阻222和N型金屬氧半導體電容224争聯的大rc常數延遲該端點 的電壓上升。如果接點2〇2只是正常輸出入接點，可以是二極體，如第 2A圖的虛線所示，介於接點撕和端點卿之間於是該電壓上升根據 “ “阻222和N型金屬氧半導體電容224的Rc常數而延遲，該電壓從電 位、vss緩匕上升至電位VDD減去跨該二極體電壓降的值。隨著p型金屬 氧半導體場效電晶體23〇維持開啟，該端點22〇的低電壓開啟p型金屬氧 $财效電晶體別以將端點228拉至電位vss，藉此開啟n型金屬氧 、體場效電晶體232。同樣地，端點22〇的低龍亦成為反向㈣8的輸 、一曾4成^點234的同電壓’該端點234於是施力口一高電壓於金屬氧 半導體場效電晶體236的閘極使之開啟。 此時所有電晶體皆開啟，N型金屬氧半導體場效電晶體说和N型金 屬氧半導體場效電晶體236導通。接點搬的靜電電荷產生—電流經過二 和體串210 ’ p型金屬氧半導體場效電晶體214㈣端點级，並更進一步流 、、工二型金屬氧半導體場效電晶體232和N型金屬氧半導體場效電晶體説 至端點vss。同樣地在第一實施例中，該接點2〇2被限制在稍高於電位卿 的電壓上，對積體電路的核㈣路⑽而言是安全值。於是靜電放電保護 的功能就此達成。 士第2B圖係為本發明第二實施例，當一正靜電放電發生於接點上 時」正向靜電放電的電流流向。圖中顯示兩個靜電放電保護電路細，其中 上部電路受-正靜電電荷推動。下部電路的接點係接地。如果上部電路的 接點未接地，該靜電電荷首先·至上部電路的-端點VSS，如路徑244 所示:因上部電路的端點vss共用連結在-起，如共同連線246所^接 ^下部電路的一接地端點VSS，故該靜電電荷將從上部電路的端點vss傳 導至下部電路的端點VSS。從路徑M8經過二極體2幻最後消散至地。

0503-A30565TWF 13 1251326 當一負靜電放電發生於任一端點如接點202，該負電壓只會增加二極體 242的正向電壓降。負靜電電荷以此低電壓經由二極體242消散至地端點 VSS。藉此積體電路的核心電路系統可輕易地被保護。靜電電荷從接點搬 經由二極體242至端點VSS，最後導至地。 第3圖係為本發明第一和第二實施例中正向靜電放電時靜電放電保護 電路中各端點的時序圖。在正靜電放電搬開始時，該接點撤或接點搬 的電壓上升，以曲線304表示。該電壓被限制在等於或稍高於電位乂〇〇。 曲線306表示端點112或端點212的電壓。該電壓係受二極體串21〇或二 極體串210限制在一低電壓值。端點12〇或端點22〇上的電壓根據此模組 126或RC拉組226的RC常數而緩慢上升。當該電麼低於臨界電壓3〇8， Φ 該反向器切換與控制N型金屬氧半導體場效電晶體13〇或n型金屬氧半導 體场效，晶體236。端點128或端點⑽的電壓曲線顯示反向器的輸出情 形。對第2A圖的電路而言，該端點228的電壓曲線升高以控制n型金屬 氧半導體場效電晶體232。這些N金屬氧半導體場效電晶體係設計來用以 ‘通和4政該靜電電荷至端點vss。該圖上的最後曲線顯示從接點脱或 接點=02机至端點Vss的電流。該曲線顯示，電流係開始於正靜電放電观 開始$凡成於N型金屬氧半導體場效電晶體13〇或^^型金屬氧半導體場 效電晶體236再度關閉前消散完電荷，最後回復正常運作。 孀 當端點120或端點220的電壓增加至高於臨界值，該反向器發生切換， 關閉靜電放制散N金屬氧轉體場效電晶體。該靜電放電事件就此結 束，而電荷皆已消散。 本發明雖讀佳實_揭露如上，然其並_以限定本發明的範圍， 任何热習此項技藝者，林麟本㈣之精神和細内，當可做各種的更 動與麟’因林發明之紐顧#視_之巾請翻範騎狀者為準。 【圖式簡單說明】

0503-A30565TWF 14 1251326 2 0係為本發明第一貫施例的靜電放電保護電路； f圖，，、、員示本發明第一實施例中正向靜電放電的電流流向； 第2A圖係為本發明第二實施例的靜電放電保護電路； ^ 2B圖係為本發明第二實施例正向靜電放電的電流流向；以及 第3圖係為本發明第一和第二實施例中正向靜電放電時靜電放電保護 電路中各端點的時序圖。 【主要元件符號說明】 100〜靜電放電保護電路；102〜接點； 104〜108〜二極體； 110〜二極體串； 112〜端點， 114〜P型金屬氧半導體場效電晶體； 116〜N型金屬氧半導體場效電晶體； 118〜反向器； 120〜端點； 122〜電阻， U4〜N型金屬氧半導體電容； 126〜RC模組； 127〜電容； 128〜端點； 129〜二極體； 130〜N型金屬氧半導體場效電晶體； 132〜一極體； 134〜路徑； 136〜共用連線； 138〜接點； 140〜路徑； 202〜接點； 210〜二極體串； 200〜靜電放電保護電路； 204〜208〜二極體； 212〜端點； 214〜P型金屬氧半導體場效電晶體； 216〜P型金屬氧半導體場效電晶體； 218〜N型金屬氧半導體場效電晶體； 220〜端點； 222〜電阻； 0503-A30565TWF 15 1251326 224〜N型金屬氧半導體電容；226〜RC模組； 228〜端點； 230〜P型金屬氧半導體場效電晶體; 232〜N型金屬氧半導體場效電晶體； 234〜端點； 236〜N型金屬氧半導體場效電晶體； 238〜反向器； 240〜靜電電荷消散模組； 242〜二極體； 246〜共同連線； 302〜正靜電放電； 306〜曲線； 244〜路徑； 248〜路徑； 304〜曲線； 308〜臨界電壓。 0503-A30565TWF 16

Claims (1)

1251326 十、申請專利範圍·· 1.-種靜電放電保護電路，用於一積體電路中，包含： 極體串，該二極體串的陽極祕至_第_端點，具有—正 P牛大於等於一第一供應電壓 °甩k 一靜電Wi，《rr 陰極係用以導通靜電電化 静電—，具有至少一 N型金屬氧半導 導通該靜電電荷從該二極體串第— 體用以 二供應電壓; 弟該弟一共用端输著一第 第-極體，該第-二極體的陽極搞接至該 極體的陰極_至料—端點；以及 /、料w - 端點組，用以控制該靜電電荷消散模組，當該控制模組使該第- ^上的，大於鼓向賴降時，該魏電荷透職第—制端消散。 進-步補第1項所述之靜f放魏_路，其巾該嫌莫組更 一反向賴組，_控繼金魏半導體場效電晶體關極；以及 -電阻電容，肋#靜電放電發生時，麵充鎌段提供一輸入 电駐該反向器模組，以使得該反向器模組的輸出開啟該金屬氧半導 效電晶體，以消散該靜電電荷。 3·如中轉利範圍第2項所述之靜電放電保護電路，其中該二極體串的 陰極提供—預設賴轉_反向器模組。 、一4·如申研專利乾圍第2項所述之靜電放電保護電路，其中該此模組更 進-步包含-電阻和電晶體，該電阻耦接至該N型電晶體的閘極。 * 5·如巾明專利關第丨項所述之靜電放電保護電路，其中當該第一共用 端…、接地％該第—端點的靜電電荷，透過該第—共用端，經由一第二二 極體連接至一第二端點而消散至地。 ^6·如^專利範’丨項所述之靜電放電保護電路，其巾該靜電電荷消 、、更進步包含一第一和第二汉型金屬氧半導體場效電晶體串聯，其 0503-A30565TWF 17 Ϊ251326 中該第- N型金屬氧半導體場效電晶體極_接至該第—端點，而該第 二N型金屬氧半導體場效電晶體的源極耦接至該第一共用端。 7.如申請專聰圍第6項所述之靜電放電保護電路，射該控制模組更 進一步包含： -開關模組’用以控制該第—N型金屬氧半導體場效電晶體的問極； -反向器模組，肋控制該第二N型金屬氧半導體場效電晶體的開 極；以及 - RC模組，當靜電放電發生時，在預充電階段提供—輪入電壓至該反 向器模組，其中在預充電階段時，該開關模組開啟該第- N型金屬氧半導 體場效電晶體，而該反向賴組開啟該第二N型金屬氧轉體場效電晶 體，以消散該靜電電荷。 、8.如巾請專利範關7項所述之靜電放電保護電路，其中該開關模組更 進步包S第一 P型金屬氧半導體場效電晶體，該第一 P型金屬氧半導 體場效電晶體的閘極受該RC模組提供的輸入電壓控制，而該第一 p型金屬 氧半導體場效電晶體岐極控制該第—N型金屬氧半導體場效電晶體的間 極。 9.如申請專利翻第8項所述之靜電放電保護電路，其巾該_模組更 進-步包含U型金職半導體場效電晶體，用以在預充電階段，將 該第一供應電壓導通至該第一N型金屬氧半導體場效電晶體的閘極。 10· —種靜電放電保護電路，用於一積體電路中，包含： 一二極體串，該二極體串的陽極耦接至一第一端點，具有一正向電壓 降大於等於一第一供應電壓，以及該二極體串的陰極係用以導通靜電電荷； 一靜電電荷消散模組，具有至少一 N型金屬氧半導體場效電晶體用7以 導通該靜電電荷從該二極體串至-第—共用端，該第—共用端減著一第 二供應電壓； 弟一極體，該弟一一極體的陽極搞接至該第一共用端，該第__ 0503-A30565TWF 18 2S1326 極體的陰極耦接至該第一端點；以及 η牛如勺帽專利範圍第1〇項所述之靜電放電保護電路，其中該控制模 反向广模組，用以控制該金屬氧半導體場效電晶體的閘極。 .Μ專她n第1〇項所叙靜電放電保魏路，該 串的陰極提供-預設龍以轉該控峨组。 更進=申ΓΓ圍一第12項所述之靜電放電保護電路，其中紙模組 141阻和Ν型電晶體’該電阻墟至該Ν型電晶體的閘極。 Η.如巾請補細第12項所述之靜電放龍護電路，其中當 :用端未接地時，該第一端點的靜電電荷，透過該第一共用端，經由—第 ――極體連接至一第二端點而消散至地。 〜15.如中請專利顧第12項所述之靜電放電傾電路，射該靜電雷 [步包含r第Γ和第二Ν型金屬氧半導體場效電晶體串 '二一一弟Ν型金屬氧半導體場效電晶體的汲極減至該第-端點， 而該第-Ν型金屬氧半導體場效電晶體的源極_至該第—共用端。 組更補侧第15躺述之靜敎«路，射該控制模 以及 開關模組，用以控制該第一 N型金屬氧半導 體場效電晶體的閘極； 0503-A30565TWF 19 1251326 電晶體，而該反向器模組開啟該第型金屬氧半導體場效電晶體，以消 散該靜電電荷。 17·如申請專利範圍第16項所述之靜電放電保護電路，其中該開關模 組更進一步包含一第一 P型金屬氧半導體場效電晶體，該第一 p型金屬氧 半導體場效電晶體的閘極受該RC模組提供的輸入電壓控制，而該第一 p 型金屬氧半導體場效電晶體的汲極控制該第一 N型金屬氧半導體場效電晶 體的閘極。

18·如申請專利範圍第17項所述之靜電放電保護電路，其中該開關模 組更進-步包含-第二p型金屬氧半導體場效電晶體，用以在預充電階段， 將該第-供應電壓導通至該第_N型金屬氧半導體場效電晶體的問極。 19·種消散靜電電荷的方法，用於一使用靜電放電保護電路的積體電 路上，該靜電放電保護電路包含—二極體串陽極純至—第—端點具有一 正向電[降大於等於_第_供應電壓，以及_第—二極體陽極_接至一第 -共用端’陰極雛至該第_端點，該方法包含下列步驟： 伙一苐一端點接收一靜電電荷；以及 當該靜電電荷造成該第一端點的電壓超過該正向電壓降時，以一控制 荷消賴財所包含的至少—N餐觀半⑽場效電晶 ，制5邊@電韻散模組，將該靜電電荷從該二極體串經該第—共用極 20.如請專利範圍第19項所述之消散靜電 該靜電電韻賴_步較進—步 當靜電放電在該第一端點發生，在預充電階段，將-RC模组充電如 制Γ，錢得綱_鱗_啟該N型_ 牛¥體％效電a日體，以消散該靜電電荷。 ^ r將該第-端點的靜電電荷，透過該第—共用端，經t 0503-A30565TWF 20 1251326 一第二二極體連接至—第二端點而消散至地。 模組包19酬㈣刪糊綠，其中該控制 型金屬氧半導體===的\魏半導體場效電晶體串聯，其中該第一 Ν 氧半導沖❹ 及絲接至該第—端點，而該第二Ν型金属 模組的體的源極触至該第—共用端，該控制該靜電電荷消散 組開啟進-步包含’#靜電放電發生時，在縣電階段以—開關模 雷二N型金屬氧半導體場效電晶體，並藉—Rc模組提供一輸入 反向器模組，使該第二N型金屬氧半導體場效電晶體開啟而消散 該W電電荷。 23·如申請專利範圍第22項所述之消散靜電電荷的方法，其中該開關 模組更進一步包含： ” 一第一 P型金屬氧半導體場效電晶體，該p型金屬氧半導體場效電晶 體的閘極受該RC模組提供的輸入電壓控制，該p型金屬氧半導體場效電晶 體的汲極控制該第一 N型金屬氧半導體場效電晶體的閘極；以及 弟一 P型金屬乳半導體％效電晶體’用以在預充電期間傳導該第一 供應電壓至該第一N型金屬氧半導體場效電晶體的閘極。 0503-A30565TWF 21