TWI250360B - Method of producing polycrystalline silicon - Google Patents
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Description
1250360 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(1 ) 發明背景 本發明係例如關於液晶顯示器的像素開關或驅動電路 所使用的薄膜電晶體的製造方法,特別是關於構成薄膜電 晶體的多結晶矽的製造方法。 現在,把使用非結晶矽的絕緣閘極型薄膜電晶體適用 於像素開關的液晶顯不器已被量產。但是,這種液晶顯示 器’因爲非結晶矽的場效移動度在1 C m 2 / v s以下的緣 故,很難高速輸出高精度影像。 因此,把使用場效移動度高的多結晶矽的薄膜電晶體 適用於像素開關的液晶顯示器開始被實用化。此多結晶矽 係藉由對非結晶矽照射準分子雷射使其結晶化的雷射退火 方式製造的,其場效移動度,在實驗階段可達1 〇 〇 c m 2 / V s〜2 0 0 c m 2/ V s程度。如此,在使用場效移動 度高的多結晶矽於薄膜電晶體的液晶顯示器,可以高速輸 出高精度影像。 然而,多結晶矽的場效移動度,隨著多結晶矽的粒徑 變大也跟著越高的情形係屬已知。此外,此種多結晶矽的 粒徑,藉由雷射退火而依存於被照射在非結晶矽的雷射光 束的能量密度(通量:fluence )的情形亦屬已知。總之, 藉由提高雷射光束的通量可以增大多結晶矽的粒徑,可以 提高場效移動度。 但是,雷射光束的通量超過某個値後,多結晶矽的粒 徑成爲微結晶粒,而無法得到所要的場效移動度。因此, 雷射光束的通量,必須要調整於可以達成所要的場效移動 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝-
、1T .噃 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) -4 - 1250360 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(2 ) 度的範圍內。總之,雷射光束的通量,可以從可以得到使 高精度影像高速輸出所必要的最小限度的場效移動度的通 量F 1 ’調整直到多結晶矽的粒徑成爲微結晶粒之前的通 量F 2爲止的範圍。 然而,現狀由該F 1至F 2之間的通量界限非常狹窄 ’雷射的振盪強度只要有些許變動就會超出通量界限,而 很難得到所要的粒徑,亦即很難達到所要的場效移動度。 因此’製造如該般的高性能多結晶矽時,有著製品的生產 率很差,製造成本增大的問題。 發明槪要 本發明係有鑑於該問題而發明者,其目的在於提供一 種多結晶矽的製造方法,可以充分擴張讓非結晶矽結晶化 的雷射退火之雷射光束的通量界限,可達成高場效移動度 同時可以提高生產率。 本發明的發明人,爲了達成該目的,調查了照射於非 結晶矽的雷射光束的掃描方向上之光束強度分布(beam prof lie)與該通量界限的關係,而了解到使用具有如下述的 光束強度分布的雷射光束的場合可以充分擴張通量界限。 亦即,根據本發明的多結晶矽的製造方法的話,特徵 係具有:在基版上堆積非單晶矽的堆積步驟,及把具有沿 著第1方向的寬度、及沿著與此第1方向直交的第2方向 的長度之光束點形成於該非單晶矽的表面的雷射光束,對 該非單晶矽沿著該第1方向相對掃描照射於該非單晶矽的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 、11 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -5- 1250360 A7 B7 五、發明説明(3 ) 表面’使該非單晶矽結晶化的結晶化步驟;該雷射光束, 其顯示沿著該第1方像的該雷射光束的強度分布的特性線 ’形成包含顯示最高強度的1個頂點之凸狀曲線,該頂點 的雷射強度在規格化爲1 m時,該曲線的曲率半徑爲0 . 2 以上,4//m以下。 此外,根據本發明的多結晶矽之製造方法,特徵爲: 該顯示雷射光束的寬度方向的強度分布之特性線的頂點位 置’係較沿著該寬度方向的中央偏向一端側。 此外,根據本發明的多結晶矽之製造方法,特徵爲: 該顯示雷射光束的寬度方向的強度分布之特性線的頂點位 置’係較沿著該寬度方向的中央更沿著該第1方向偏向上 游側。 此外,根據本發明的多結晶矽之製造方法,特徵爲: 進而具有關於該非單晶矽的表面上的該雷射光束照射的區 域’沿著該第2方向在鄰接的其他區域上照射該雷射光束 的步驟,於此步驟,也沿著該第1方向掃描該雷射光束。 此外,根據本發明的多結晶矽之製造方法,特徵爲: 顯示該雷射光束的寬度方向的強度分布的特性線的形狀, 於該結晶化步驟以對該非單晶矽的表面照射的雷射光束的 能量密度前後徐徐使其改變之能量密度之雷射光束,分別 以指定脈衝照.射被照射物的不同區域,由各雷射光束的照 射區域形狀分割出分別對應的雷射光束的能量密度分布, 而合成分割出來的各照射區域的能量密度的分布而定量化 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.
、1T 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 1250360 A7 ___ ___B7 五、發明説明(4 ) 發明之詳細說明 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下參照圖面詳細說明本發明的實施形態。 方令第1圖,係模式顯示關於本發明的多結晶矽之製造 方法’於雷射退火步驟沿著對非結晶矽層3 /照射的雷射 光束的掃描方向(圖中箭頭a的方向)的光束強度分布。 此顯示光束強度分布的特性線,被形成爲接近長方形的梯 形形狀,此處,梯形的上底稱爲梯形上底區域(plateau),梯 开夕的斜邊部份稱爲梯形斜邊區域(steepness)。關於此光束強 度分布,在稍後詳細說明。
製造多結晶矽的場合,首先在未圖示的X Y台座上安 設玻璃基板1 ,於此玻璃基板1的表面上藉由電漿C v D 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .法形成由氮化矽與氧化矽所構成的底塗層2。進而,於底 塗層2之上藉由電漿C V D法形成膜厚5 0 n m的非結晶 矽層,使玻璃基板1於途中箭頭a方向以一定速度移 動。接著,把具有如第1圖所示的光束能量分布的 X e C 1準分子雷射以3 0 0 Η z的脈衝幅照射於非結晶 矽層3 >上。如此藉由雷射退火使非結晶矽層3 >結晶化 ,形成多結晶矽層3。 此時,雷射光束,將延伸於與其掃描方向直交的方向 上(紙面方向)之細長線狀的光束點形成於非結晶砂層 3 /上。此光點的形狀,例如,沿紙面方向的長度爲 2 0 0 m m,沿著掃描方向a的寬度爲4 0 0 // m的約略 長方形。而此線狀的光點以在掃描方向、亦即光點的寬度 $紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) Γ7Ί ~ ' 一~" 1250360 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(5 ) 方向上重疊9 5%的方式,設定玻璃基板1的移動速度爲 6 m m / s e c。 以該的雷射退火條件製造多結晶矽層3時,關於雷射 光束的能量密度的通量設定於3 2 0 m J / c m 2至 3 8 0 m J / c m 2之間時,可以得到可提高場效移動度的 所要的結晶粒徑。亦即,與從前的技術相比,雷射光束的 通量界限可以更爲擴張。 以下,詳細說明該之雷射光束的光束能量分布。 如第1圖所示的.光束能量分布的特性線的形狀,可以 藉由對非結晶矽層3 >的分別不同的區域分別照射1脈衝 之雷射光束,以顯微鏡觀察分別的雷射光束的光點狀態而 藉此定量化,藉由調整構成傳達雷射光束的光學系的光學 構件可以調整特性線的形狀,亦即可以調整光束能量分布 〇 定量化特性線的形狀的其他方法,還有使用C C D光 束強度分布儀的方法係屬已知。但是,C C D光束強度分 布儀只有5 %程度的強度分解能,不滿5 %的強度分布則 無法檢測出強弱,無法高精度地定量化雷射光束的光束強 度分布。 因此,在本實施形態,爲了產生具有如第1圖所示的 光束強度分布的雷射光束,以如下說明的方式定量話光束 強度分布特性線的形狀,調整光束強度分布。 定量化特性線的場合,首先,於試驗用的玻璃基板上 形成底塗層,於其上形成非結晶矽層。而藉由能量計或者 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 項再填· 裝- 、νά. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) - 8- 1250360 A7 B7 五、發明説明(6 ) 功率計監視雷射光束的通量,在實際的雷射退火時的設定 値前後徐徐使雷射光束的通量改變,對非結晶矽上的不同 區域分別照射1脈衝通量不同的雷射光束。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 第2圖A〜C矽例如以顯微鏡觀察使通量不同的3個 雷射光束的非結晶矽上之光束點的結果。第2圖A係將照 射能量密度的通量設定於3 0 〇 m J / c m 2的雷射光束的 光點狀態,第2圖B係將通量設定於3 2 0 m J / c m 2的 雷射光束的光點狀態,第2圖C係將通量設定於3 4 0 m J / c m2的雷射光束的光點狀態。第2圖A的光束點, 具有全體爲黃色的區域3 1 ,其中具有紅色的區域3 2, 進而其中具有綠色的區域3 3。第2圖C的光束點全體具 有綠色區域3 3。 總之,在帶有黃色的區域被照射能量密度低的雷射光 束,隨著照射的雷射光束的能量密度變高,成爲帶有紅色 的領域、帶有綠色的黃色或帶有黃色的綠色領域。進而能 量密度越高的話,雷射光束的照射區域全體變成帶有綠色 的黃色。 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 而將這些顏色不同的區域的邊界線作爲等高線而合成 各光束點的資料,可以藉此定量化光束能量分布的特性線 。在此場合,各等高線的高度,可以根據以能量計監視的 雷射光束的通量來規定。於第3圖,3次元地顯示藉由該 方法定量化的光束強度分布的特性線。 根據此圖,約略平坦的梯形上底區域(plateau) 3 4之中 於偏心的中心部被形成能量密度最高的區域3 5 ,於此區 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)-9- 1250360 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(7 ) 域3 5的周圍依序被形成能量密度中等的區域3 6、能量 密度低的區域3 7,於區域3 7的進而周圍被形成能量密 度急速降低的梯形斜邊區域(steepness)3 8。 而根據如該般定量化的光束能量分布,調整構成傳達 雷射光束的光學系的光學構件,產生具有第1圖所示的光 束能量分布的雷射光束。 於具有如此調整的光束能量分布的本實施形態的雷射 光束’其上底區域僅被彎曲爲具有顯示最高強度的1個頂 點t (參照第1圖)的凸起形狀。上底區域的曲率,在將 頂點t的能量密度規格化爲1 m時被設定於接近0 . 2〜4 // m的曲率半徑的程度之値。在本實施形態,使用具有使 頂點t的能量密度規格化爲1 m時曲率半徑成爲0 . 7 // m 的光束強度分布的雷射光束,來雷射退火處理非結晶矽。 如此,藉由將上底區域的特性線形成爲凸起形狀,可 以使照射於非結晶矽層3 >的雷射光束的沿著光點寬度方 向的能量密度具有特定分布。藉此,移動於箭頭a方向的 玻璃基板1上之非結晶矽層3 /的液化過程中可以使結晶 核維持溫度,於其後之固化過程使其於沿著寬度方向的固 化速度具有時間差,可以促進沿著寬度方向的結晶成長。 對此,將上底區域的曲率半徑設定爲4 // m以上’亦 即約略設定爲直線狀的話,沿著寬度方向的能量密度成爲 約略相同,於非結晶矽層3 V的溶融過程中結晶核的消滅 機率變高,其後的固化過程中也同時被促進固化。 此外,把上底區域的曲率半徑設定爲〇 · 2 # m以下的 I V (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
、1T 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -10- 1250360 A7 ____ B7 五、發明説明(8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 話’於非結晶矽層3 /的固化過程中相鄰的區域的固化時 刻變成不重疊,不會受到鄰接的區域間的影響而會被固化 ,所以通量界限變窄。 因此,於本實施形態,於該之上底區域藉由使用具有 〇 · 2〜4 // m的曲率的光束能量分布的雷射光束,可以儘 可能地提高矽的結晶粒徑,同時也成功地拓展通量界限。 特別是如本實施形態這般,藉由把曲率半徑設定爲 0 · 7//m,可以使通量界限擴展到320m:i/cm2〜 38〇mJ/cm2。 此外,根據本發明的較佳的實施形態,使該之上底區 域之頂點t的位置移位至較上底區域的中央更偏向玻璃基 板1的移動方向上游側。總之,掃描雷射光束時,能量密 .度最高的頂點t之雷射光束的部位在開始時被照射於非結 晶矽層3 /,使通過此頂點t的部位的能量密度低的部位 於其後被照射。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更詳細地說,照射於非結晶砂層3 /的雷射光束,係 以3 0 0 Η z的脈衝幅重疊9 5 %而掃描的緣故,於非結 晶矽層3 >上的某個任意部份被照射2 0次雷射光束。亦 即,如本實施形態這般將能量密度最高的頂點t移位於掃 描方向上游側的話,第2 0次被照射的區域優先被固化。 藉此,即使產生超過通量界限的具有非預期的高能量 密度的雷射振盪的場合,在通過頂點t後藉由能量密度比 較低的雷射光束的照射可以防止砂的微粒徑化,可以擴展 通量界限。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格( 210X297公釐) -1 1 .~~" 1250360 Α7 Β7 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 五、發明説明(9 ) 又,與具有如該般的光束強度分布的本發明的雷射光 束相比較,從前的具有接近正規分布(常態分布)的光束 能量分布的高斯光束係屬已知,但沿著此高斯光束的寬度 方向上的特性線接近於直角等邊三角形,與具有接近於長 方形的梯形光束能量分布的本發明的特性現在本質上是不 同的。例如,將正規分布的標準差的2倍視爲光束寬度, 而以與該的實施形態相同的條件算出曲率半徑的話,約爲 〇.0 5 8 /z m,大幅偏離了本發明所規定的曲率半徑的 範圍。 於第4圖,顯示包含藉由該方法製造的多結晶矽的薄 膜電晶體,以及搭載此薄膜電晶體的液晶顯示器的剖面圖 〇 製造此液晶顯示器的場合,首先於基板尺寸4 〇 0 mmX5 0 〇mm的玻璃基板1上藉由電漿CVD形成由 氮化矽與氧化矽所構成的底塗層2,於其上藉由電漿 C V D法形成膜厚5 0 n m的非結晶矽層3 —。而將堆積 了非結晶矽層3 /的玻璃基板1在5 〇 〇 °C的氮氣環境下 加熱處理1個小時’使矽膜中的氫含量降低。其後,藉由 偏振光分析測定法測定非結晶矽層3 —的膜厚,得知實際 膜厚爲50 . 5nm。 接著’使用具有該之本發明的光束強度分布的雷射光 束,雷射退火處理非結晶矽層3 >。此時,使玻璃基板1 沿著箭頭a方向(參照第1圖)以6 m m / s的速度移動 ,以3 0 0 Η z振盪非結晶矽層3 —上的通量成爲3 5 0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨0X 297公釐) -12- 1250360 Α7 Β7 五、發明説明(1〇 ) m J / c m 2的2 0 0 m m X 〇 · 4 m m的線狀的雷射光, & 9 5 %重疊的方式照射於非結晶矽層3 /。 接著,如此雷射退火之後,將鄰接於此區域的其他區 Μ ’亦即與掃描方向直交的方向上鄰接的其他區域也同樣 霄射退火處理。此時,使玻璃基板1再度移動於該之箭頭 a的方向,由相同方向照射具有該之光束能量分布的雷射 %束。總之,對於其他區域,也以從能量密度最高的頂點 t側照抵雷射光的方式使雷射光束掃描。如此,使玻璃基 1上的非結晶矽層3 /結晶化而製造多結晶矽層3。 而由如此製造的多結晶矽層3使用習知的光鈾刻技術 製作薄膜電晶體,而製造使用此薄膜電晶體的主動矩陣型 液晶顯示器。在此,省略薄膜電晶體以及液晶顯示器的詳 .細製造方法的說明,但薄膜電晶體,除了多結晶矽層3以 .外,具有閘極氧化膜4、閘極電極5、層間絕緣膜6、源 極/汲極電極7、像素電極8以及保護膜9,進而配合液 晶1 1、對向電極1 2以及對向基板1 3而形成液晶顯示 器。 如以上所述,根據本實施形態,因爲藉由使用沿著掃 描方向具有第1圖所示之光束能量分布的雷射光束之雷射 退火技術來製造多結晶矽的緣故,所以照射於非結晶矽層 的雷射光束的通量界限可以擴展,可以高生產率製造場效 移動度高的多結晶矽。藉此,可以量產具有優異特性的薄 膜電晶體,可以製造高品質的液晶顯示器。 又,本發明並不以該實施形態爲限定,在本發明的範 $張尺度&中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -13: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1250360 A7 B7 五、發明説明(11 ) 圍內可以進行種種變更。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖面之簡單說明 第1圖係模式顯示照射於被堆積在玻璃基板上的非結 晶矽的雷射光束的沿著掃描方向的光束強度分布之圖。 第2圖A、B、C係供說明定量化雷射光束的光束強 度分布的方法之圖。 第3圖係3次元顯示定量化的光束強度分布之圖。 第4圖係顯示搭載了具有使用由第1圖所示的光束強 度分布的雷射光束藉由雷射退火所製造的多結晶矽層之薄 膜電晶體的液晶顯示器。 符號說明: 1 玻璃基板 2 底塗層(undercoat) 3 非結晶矽層 4 閘極氧化膜 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 閘極電極 6 層間絕緣膜 7 源極/汲極電極 8 像素.電極 9 保護膜 1 1液晶 1 2對向電極 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 1250360 A7 _ B7 五、發明説明(12 ) 13對向基板 31黃色區域 3 2紅色區域 3 3綠色區域 3 4梯形上底區域(ρ 1 a t e a u) 3 5能量密度高的區域 3 6能量密度中等的區域 3 7能量密度低的區域 3 8梯形斜邊區域(steepness) ~ 裝' Ί ^4T. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標华(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -15-
Claims (1)
1250360 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 狀,於該結晶化步驟以對該非單晶矽的表面照射的雷射光 束的能量密度前後徐徐使其改變之能量密度之雷射光束, 分別以指定脈衝照射被照射物的不同區域,由各雷射光束 的照射區域形狀分割出分別對應的雷射光束的能量密度分 布,而合成分割出來的各照射區域的能量密度的分布而定 量化。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Φ, •項再填· 裝· 、tr 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規袼(210X297公釐)
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