JP3484481B2 - ビームホモジナイザ及びそれを用いた半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
ビームホモジナイザ及びそれを用いた半導体薄膜の製造方法Info
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- JP3484481B2 JP3484481B2 JP16314797A JP16314797A JP3484481B2 JP 3484481 B2 JP3484481 B2 JP 3484481B2 JP 16314797 A JP16314797 A JP 16314797A JP 16314797 A JP16314797 A JP 16314797A JP 3484481 B2 JP3484481 B2 JP 3484481B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光線束の断面内強
度分布を制御するビームホモジナイザ、及びそれを用い
た半導体薄膜の製造方法に関する。
度分布を制御するビームホモジナイザ、及びそれを用い
た半導体薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリンダアレイ型のビームホモジナイザ
は、前段のシリンダアレイと後段のシリンダアレイ、及
びフォーカスレンズにより構成される。各シリンダアレ
イは、複数の等価な凸シリンドリカルレンズをその光軸
及び柱面の母線に垂直な方向に配列して構成される。前
段のシリンダアレイの各シリンドリカルレンズの光軸
が、後段のシリンダアレイの対応するシリンドリカルレ
ンズの光軸に一致するように配置される。本明細書にお
いて、シリンドリカルレンズの光軸とは、そのシリンド
リカルレンズの面対称な結像系の対称面に含まれ、かつ
柱面に直交する軸を意味するものとする。
は、前段のシリンダアレイと後段のシリンダアレイ、及
びフォーカスレンズにより構成される。各シリンダアレ
イは、複数の等価な凸シリンドリカルレンズをその光軸
及び柱面の母線に垂直な方向に配列して構成される。前
段のシリンダアレイの各シリンドリカルレンズの光軸
が、後段のシリンダアレイの対応するシリンドリカルレ
ンズの光軸に一致するように配置される。本明細書にお
いて、シリンドリカルレンズの光軸とは、そのシリンド
リカルレンズの面対称な結像系の対称面に含まれ、かつ
柱面に直交する軸を意味するものとする。
【０００３】前段のシリンダアレイにその光軸に平行な
光線束が入射すると、入射した光線束が各シリンドリカ
ルレンズにより収束される。収束された各光線束が、後
段のシリンダアレイの各シリンドリカルレンズにより再
度収束される。このようにして、２つのシリンダアレイ
により、入射光線束がシリンドリカルレンズの個数分の
小光線束に分割される。
光線束が入射すると、入射した光線束が各シリンドリカ
ルレンズにより収束される。収束された各光線束が、後
段のシリンダアレイの各シリンドリカルレンズにより再
度収束される。このようにして、２つのシリンダアレイ
により、入射光線束がシリンドリカルレンズの個数分の
小光線束に分割される。
【０００４】得られた小光線束は、２つのシリンダアレ
イの相対位置によって、発散光、平行光、または収束光
になる。各小光線束をフォーカスレンズ群を用いてある
面上に重ね合わせることにより、照射領域の光強度分布
を均一に近づける（ホモジナイズする）ことができる。
イの相対位置によって、発散光、平行光、または収束光
になる。各小光線束をフォーカスレンズ群を用いてある
面上に重ね合わせることにより、照射領域の光強度分布
を均一に近づける（ホモジナイズする）ことができる。
【０００５】このビームホモジナイザでホモジナイズさ
れたパルスレーザビームをアモルファスシリコン膜に照
射し、多結晶化する技術が知られている。以下、この多
結晶化技術について説明する。
れたパルスレーザビームをアモルファスシリコン膜に照
射し、多結晶化する技術が知られている。以下、この多
結晶化技術について説明する。
【０００６】この技術では、通常２対のシリンダアレイ
が用いられる。ホモジナイズ面内にＸＹ直交座標系を考
えたとき、１対のシリンダアレイにより、ホモジナイズ
面内のＸ軸方向に関してホモジナイズし、他の１対のシ
リンダアレイによりＹ軸方向に関してホモジナイズす
る。各対のシリンダアレイの間隔を変化させることによ
り、ホモジナイズ面上の照射領域の大きさを変化させる
ことができる。
が用いられる。ホモジナイズ面内にＸＹ直交座標系を考
えたとき、１対のシリンダアレイにより、ホモジナイズ
面内のＸ軸方向に関してホモジナイズし、他の１対のシ
リンダアレイによりＹ軸方向に関してホモジナイズす
る。各対のシリンダアレイの間隔を変化させることによ
り、ホモジナイズ面上の照射領域の大きさを変化させる
ことができる。
【０００７】各対のシリンダアレイの間隔を調節してホ
モジナイズ面上の照射領域がＸ軸方向に長い長尺ビーム
を形成する。この照射領域をレーザ光のパルス的な照射
ごとにＹ軸方向に移動させることによって、広い範囲に
レーザ光を照射し、アモルファスシリコン膜の所望の領
域を多結晶化することができる。
モジナイズ面上の照射領域がＸ軸方向に長い長尺ビーム
を形成する。この照射領域をレーザ光のパルス的な照射
ごとにＹ軸方向に移動させることによって、広い範囲に
レーザ光を照射し、アモルファスシリコン膜の所望の領
域を多結晶化することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法により、ア
モルファスシリコン膜の多結晶化を行うと、多結晶シリ
コン膜に照射領域の長軸方向に沿った直線状の痕跡が残
る場合がある。
モルファスシリコン膜の多結晶化を行うと、多結晶シリ
コン膜に照射領域の長軸方向に沿った直線状の痕跡が残
る場合がある。
【０００９】本発明の目的は、レーザ照射により多結晶
半導体薄膜を作製する際に、レーザ照射の痕跡を残しに
くいレーザビームを形成可能なビームホモジナイザ、及
びそれを用いた半導体薄膜の作製方法を提供することで
ある。
半導体薄膜を作製する際に、レーザ照射の痕跡を残しに
くいレーザビームを形成可能なビームホモジナイザ、及
びそれを用いた半導体薄膜の作製方法を提供することで
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、ｘｙｚ直交座標系を考えたとき、複数の第１のシリ
ンドリカルレンズが、各々の光軸をｚ軸に平行にし、柱
面の母線をｘ軸に平行にし、かつｘｙ平面に平行な仮想
平面に沿って配列し、前記第１のシリンドリカルレンズ
の各々の球面収差が正になるような第１のシリンダアレ
イと、複数の第２のシリンドリカルレンズが、各々の光
軸を、対応する前記第１のシリンドリカルレンズの光軸
と共通にし、かつｘｙ平面に平行な仮想平面に沿って配
列し、前記第１及び第２のシリンドリカルレンズを組み
合わせたレンズ系の球面収差が正になるような第２のシ
リンダアレイと、前記第１及び第２のシリンダアレイを
透過した光線束を収束する収束光学系とを有するビーム
ホモジナイザが提供される。
と、ｘｙｚ直交座標系を考えたとき、複数の第１のシリ
ンドリカルレンズが、各々の光軸をｚ軸に平行にし、柱
面の母線をｘ軸に平行にし、かつｘｙ平面に平行な仮想
平面に沿って配列し、前記第１のシリンドリカルレンズ
の各々の球面収差が正になるような第１のシリンダアレ
イと、複数の第２のシリンドリカルレンズが、各々の光
軸を、対応する前記第１のシリンドリカルレンズの光軸
と共通にし、かつｘｙ平面に平行な仮想平面に沿って配
列し、前記第１及び第２のシリンドリカルレンズを組み
合わせたレンズ系の球面収差が正になるような第２のシ
リンダアレイと、前記第１及び第２のシリンダアレイを
透過した光線束を収束する収束光学系とを有するビーム
ホモジナイザが提供される。
【００１１】球面収差が正になるようなシリンドリカル
レンズを用いると、ホモジナイズ面上における光強度分
布の中央部が盛り上がり、裾野部分の面積が小さくなる
傾向がある。
レンズを用いると、ホモジナイズ面上における光強度分
布の中央部が盛り上がり、裾野部分の面積が小さくなる
傾向がある。
【００１２】本発明の他の観点によると、表面に半導体
薄膜を有する処理対象物の表面が、上記ビームホモジナ
イザのホモジナイズ面に一致するように該処理対象物を
配置する工程と、上記ビームホモジナイザによりホモジ
ナイズされたレーザ光を、前記半導体薄膜に照射して結
晶性を変化させる工程とを有する半導体薄膜の製造方法
が提供される。
薄膜を有する処理対象物の表面が、上記ビームホモジナ
イザのホモジナイズ面に一致するように該処理対象物を
配置する工程と、上記ビームホモジナイザによりホモジ
ナイズされたレーザ光を、前記半導体薄膜に照射して結
晶性を変化させる工程とを有する半導体薄膜の製造方法
が提供される。
【００１３】ホモジナイズ面上における光強度分布の中
央部が盛り上がり、裾野部分の面積が小さいビームを照
射すると、半導体薄膜にビーム照射の痕跡が残りにくく
なる。
央部が盛り上がり、裾野部分の面積が小さいビームを照
射すると、半導体薄膜にビーム照射の痕跡が残りにくく
なる。
【００１４】
【発明の実施の形態】アモルファスシリコン膜を多結晶
化する場合には、パルスレーザビームをホモジナイズす
ると共に線状のビーム形状にしてアモルファスシリコン
膜に照射する。レーザ光のパルス的な照射ごとに、線状
の照射領域をその長軸方向と直交する方向に、前回の照
射した領域と一部重なるように移動させることにより、
広い領域にレーザビームを照射して、所望の領域を多結
晶化する。従来、良好な多結晶シリコン膜を得るために
は、照射領域の光強度分布のトップフラット率を大きく
することが好ましいと考えられていた。ここで、トップ
フラット率は、光強度分布の最高値の９０％以上の強度
を有する部分の幅をＷ0.9 、半値幅をＷ0.5 としたと
き、Ｗ0.9 ／Ｗ0.5 で定義される。
化する場合には、パルスレーザビームをホモジナイズす
ると共に線状のビーム形状にしてアモルファスシリコン
膜に照射する。レーザ光のパルス的な照射ごとに、線状
の照射領域をその長軸方向と直交する方向に、前回の照
射した領域と一部重なるように移動させることにより、
広い領域にレーザビームを照射して、所望の領域を多結
晶化する。従来、良好な多結晶シリコン膜を得るために
は、照射領域の光強度分布のトップフラット率を大きく
することが好ましいと考えられていた。ここで、トップ
フラット率は、光強度分布の最高値の９０％以上の強度
を有する部分の幅をＷ0.9 、半値幅をＷ0.5 としたと
き、Ｗ0.9 ／Ｗ0.5 で定義される。
【００１５】ところが、レーザビーム照射によって多結
晶化したシリコン膜の評価を行ったところ、トップフラ
ット率を大きくした場合、多結晶シリコン膜に、レーザ
照射領域の長軸方向に沿った痕跡が残ることが判明し
た。多結晶薄膜を詳細に分析したところ、パルス照射毎
の照射領域の移動距離に同期して、結晶粒サイズ、結晶
化度、及び表面平滑度が変動していることがわかった。
この痕跡は、レーザ照射領域の短軸方向の光強度分布の
影響と考えられる。
晶化したシリコン膜の評価を行ったところ、トップフラ
ット率を大きくした場合、多結晶シリコン膜に、レーザ
照射領域の長軸方向に沿った痕跡が残ることが判明し
た。多結晶薄膜を詳細に分析したところ、パルス照射毎
の照射領域の移動距離に同期して、結晶粒サイズ、結晶
化度、及び表面平滑度が変動していることがわかった。
この痕跡は、レーザ照射領域の短軸方向の光強度分布の
影響と考えられる。
【００１６】図５（Ａ）〜（Ｅ）は、レーザ照射領域の
短軸方向に関する光強度分布の例を示す。図中の横方向
の細線は、アモルファスシリコンを多結晶化するために
必要なレーザ光の強度のしきい値を示す。図５（Ａ）
は、トップフラット率の高い強度分布の例、図５（Ｂ）
は、中央部分が窪んでいる例、図５（Ｃ）は、中央部分
が盛り上がり、しきい値以下の部分において強度が急激
に低下している例、図５（Ｄ）は、図５（Ｃ）の裾野の
部分がなだらかな例、図５（Ｅ）は、ガウシアン分布の
例を示す。
短軸方向に関する光強度分布の例を示す。図中の横方向
の細線は、アモルファスシリコンを多結晶化するために
必要なレーザ光の強度のしきい値を示す。図５（Ａ）
は、トップフラット率の高い強度分布の例、図５（Ｂ）
は、中央部分が窪んでいる例、図５（Ｃ）は、中央部分
が盛り上がり、しきい値以下の部分において強度が急激
に低下している例、図５（Ｄ）は、図５（Ｃ）の裾野の
部分がなだらかな例、図５（Ｅ）は、ガウシアン分布の
例を示す。
【００１７】図５（Ａ）及び５（Ｂ）は、しきい値近傍
における光強度分布の傾斜が大きい。このため、レーザ
照射時のシリコン薄膜の面内に関する温度勾配が急峻に
なり、溶融固化の際に多結晶薄膜内にストレス等による
欠陥が導入されると考えられる。この欠陥が痕跡となっ
て現れると考えられる。
における光強度分布の傾斜が大きい。このため、レーザ
照射時のシリコン薄膜の面内に関する温度勾配が急峻に
なり、溶融固化の際に多結晶薄膜内にストレス等による
欠陥が導入されると考えられる。この欠陥が痕跡となっ
て現れると考えられる。
【００１８】図５（Ｃ）及び５（Ｄ）の場合には、しき
い値近傍における光強度分布の傾きが比較的緩やかであ
る。このため、レーザ光照射時のシリコン薄膜の面内に
関する温度勾配も緩やかであり、図５（Ａ）、５（Ｂ）
の場合に比べて欠陥の発生が少ないと考えられる。
い値近傍における光強度分布の傾きが比較的緩やかであ
る。このため、レーザ光照射時のシリコン薄膜の面内に
関する温度勾配も緩やかであり、図５（Ａ）、５（Ｂ）
の場合に比べて欠陥の発生が少ないと考えられる。
【００１９】図５（Ｃ）と５（Ｄ）との相違は、光強度
分布の裾野の部分の大きさにある。すなわち、図５
（Ｃ）の場合は、光強度がしきい値を下回ると勾配が急
峻になり、裾野の部分がほとんど形成されない。これに
対し、図５（Ｄ）の場合は、光強度がしきい値を下回っ
ても勾配は緩やかなままであり、大きな裾野が形成され
ている。
分布の裾野の部分の大きさにある。すなわち、図５
（Ｃ）の場合は、光強度がしきい値を下回ると勾配が急
峻になり、裾野の部分がほとんど形成されない。これに
対し、図５（Ｄ）の場合は、光強度がしきい値を下回っ
ても勾配は緩やかなままであり、大きな裾野が形成され
ている。
【００２０】光強度がしきい値よりも小さい部分は、シ
リコン薄膜の多結晶化にほとんど寄与しない。このた
め、図５（Ｄ）の場合は、エネルギロスが多くなる。レ
ーザ光を有効利用するためには、図５（Ｃ）のように裾
野の部分の面積を小さくすることが好ましい。
リコン薄膜の多結晶化にほとんど寄与しない。このた
め、図５（Ｄ）の場合は、エネルギロスが多くなる。レ
ーザ光を有効利用するためには、図５（Ｃ）のように裾
野の部分の面積を小さくすることが好ましい。
【００２１】図５（Ｅ）の場合は、しきい値近傍におけ
る光強度分布の傾きが比較的急峻であり、かつ裾野部分
の面積も大きい。このため、シリコン薄膜の多結晶化の
ための光強度分布として好ましいものではない。
る光強度分布の傾きが比較的急峻であり、かつ裾野部分
の面積も大きい。このため、シリコン薄膜の多結晶化の
ための光強度分布として好ましいものではない。
【００２２】実施例によるビームホモジナイザは、図５
（Ｃ）のような光強度分布を得ることが可能なものであ
る。以下、実施例によるビームホモジナイザについて説
明する。
（Ｃ）のような光強度分布を得ることが可能なものであ
る。以下、実施例によるビームホモジナイザについて説
明する。
【００２３】図１は、本発明の実施例によるビームホモ
ジナイザの概略断面図を示す。ビームホモジナイザに入
射する光線束の光軸に平行な方向をｚ軸とするｘｙｚ直
交座標系を考える。図１（Ａ）は、ｘｚ面に平行な断面
図、図１（Ｂ）は、ｙｚ面に平行な断面図を示す。実施
例によるビームホモジナイザは、シリンダアレイ１Ａ、
１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、収束レンズ３、及び相対位置調節機
構２０を含んで構成される。
ジナイザの概略断面図を示す。ビームホモジナイザに入
射する光線束の光軸に平行な方向をｚ軸とするｘｙｚ直
交座標系を考える。図１（Ａ）は、ｘｚ面に平行な断面
図、図１（Ｂ）は、ｙｚ面に平行な断面図を示す。実施
例によるビームホモジナイザは、シリンダアレイ１Ａ、
１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、収束レンズ３、及び相対位置調節機
構２０を含んで構成される。
【００２４】図１（Ａ）に示すように、シリンダアレイ
２Ａ及び２Ｂの各々は、等価な７本の凸シリンドリカル
レンズにより構成される。各シリンドリカルレンズの光
軸はｚ軸に平行であり、柱面の母線はｙ軸に平行であ
る。このように配置されたシリンドリカルレンズが、コ
バ面同士を密着させ、ｘｙ面に平行な仮想平面に沿って
配列している。シリンダアレイ２Ａは光の入射側（図の
左方）に配置され、シリンダアレイ２Ｂは出射側（図の
右方）に配置されている。また、シリンダアレイ２Ａの
各シリンドリカルレンズは、シリンダアレイ２Ｂの対応
するシリンドリカルレンズと光軸を共有するように配置
されている。
２Ａ及び２Ｂの各々は、等価な７本の凸シリンドリカル
レンズにより構成される。各シリンドリカルレンズの光
軸はｚ軸に平行であり、柱面の母線はｙ軸に平行であ
る。このように配置されたシリンドリカルレンズが、コ
バ面同士を密着させ、ｘｙ面に平行な仮想平面に沿って
配列している。シリンダアレイ２Ａは光の入射側（図の
左方）に配置され、シリンダアレイ２Ｂは出射側（図の
右方）に配置されている。また、シリンダアレイ２Ａの
各シリンドリカルレンズは、シリンダアレイ２Ｂの対応
するシリンドリカルレンズと光軸を共有するように配置
されている。
【００２５】図１（Ｂ）に示すように、シリンダアレイ
１Ａは、等価な７本の凸シリンドリカルレンズにより構
成され、シリンダアレイ１Ｂは、等価な７本の凹シリン
ドリカルレンズにより構成される。各シリンドリカルレ
ンズの光軸はｚ軸に平行であり、柱面の母線はｘ軸に平
行である。このように配置されたシリンドリカルレンズ
が、コバ面同士を密着させ、ｘｙ面に平行な仮想平面に
沿って配列している。シリンダアレイ１Ａはシリンダア
レイ１Ｂの入射側に配置され、シリンダアレイ１Ｂはシ
リンダアレイ２Ａの入射側に配置されている。また、シ
リンダアレイ１Ａの各シリンドリカルレンズは、シリン
ダアレイ１Ｂの対応するシリンドリカルレンズと光軸を
共有するように配置されている。
１Ａは、等価な７本の凸シリンドリカルレンズにより構
成され、シリンダアレイ１Ｂは、等価な７本の凹シリン
ドリカルレンズにより構成される。各シリンドリカルレ
ンズの光軸はｚ軸に平行であり、柱面の母線はｘ軸に平
行である。このように配置されたシリンドリカルレンズ
が、コバ面同士を密着させ、ｘｙ面に平行な仮想平面に
沿って配列している。シリンダアレイ１Ａはシリンダア
レイ１Ｂの入射側に配置され、シリンダアレイ１Ｂはシ
リンダアレイ２Ａの入射側に配置されている。また、シ
リンダアレイ１Ａの各シリンドリカルレンズは、シリン
ダアレイ１Ｂの対応するシリンドリカルレンズと光軸を
共有するように配置されている。
【００２６】シリンダアレイ１Ａと１Ｂとの間隔、及び
シリンダアレイ２Ａと２Ｂとの間隔は、相対位置調節機
構２０により変えることができる。
シリンダアレイ２Ａと２Ｂとの間隔は、相対位置調節機
構２０により変えることができる。
【００２７】シリンダアレイ２Ｂの出射側に、収束レン
ズ３が配置されている。収束レンズ３の光軸も、ｚ軸に
平行である。
ズ３が配置されている。収束レンズ３の光軸も、ｚ軸に
平行である。
【００２８】図１（Ａ）を参照して、ｘｚ面内に関する
光線束の伝搬の様子を説明する。ｘｚ面内においては、
シリンドリカルレンズ１Ａ及び１Ｂは単なる平板と等価
であるため、光線束の収束、発散に影響を与えない。ｚ
軸に平行な光軸を有する平行光線束１０がシリンダアレ
イ１Ａに入射する。シリンダアレイ１Ａ及び１Ｂを透過
した光線束１２がシリンダアレイ２Ａに入射する。入射
光線束は、シリンダアレイ２Ａにより各シリンドリカル
レンズに対応した７つの光線束１３に分割される。図１
（Ａ）では、中央と両端の光線束のみを代表して示して
いる。シリンダアレイ２Ａによって収束された各光線束
１３は、シリンダアレイ２Ｂによりさらに収束され、光
線束１４となる。
光線束の伝搬の様子を説明する。ｘｚ面内においては、
シリンドリカルレンズ１Ａ及び１Ｂは単なる平板と等価
であるため、光線束の収束、発散に影響を与えない。ｚ
軸に平行な光軸を有する平行光線束１０がシリンダアレ
イ１Ａに入射する。シリンダアレイ１Ａ及び１Ｂを透過
した光線束１２がシリンダアレイ２Ａに入射する。入射
光線束は、シリンダアレイ２Ａにより各シリンドリカル
レンズに対応した７つの光線束１３に分割される。図１
（Ａ）では、中央と両端の光線束のみを代表して示して
いる。シリンダアレイ２Ａによって収束された各光線束
１３は、シリンダアレイ２Ｂによりさらに収束され、光
線束１４となる。
【００２９】シリンダアレイ２Ｂにより収束された各光
線束１４は、それぞれ収束レンズ３の前方で集光する。
この集光位置は、収束レンズ３の入射側焦点よりもレン
ズに近い。このため、収束レンズ３を透過した各光線束
１５はそれぞれ発散光線束となり、ホモジナイズ面４
（収束レンズ３の焦平面）上において重なる。
線束１４は、それぞれ収束レンズ３の前方で集光する。
この集光位置は、収束レンズ３の入射側焦点よりもレン
ズに近い。このため、収束レンズ３を透過した各光線束
１５はそれぞれ発散光線束となり、ホモジナイズ面４
（収束レンズ３の焦平面）上において重なる。
【００３０】ホモジナイズ面４を照射する各光線束１５
のｘ軸方向の光強度分布は、それぞれ光線束１０の対応
する部分の光強度分布と相似の関係にある。光線束１０
の光強度は、通常、中心近傍において強く、周辺近傍に
おいて弱いが、この光線束１０を小光線束１５に分割
し、各光線束を重ね合わせることにより、照射領域の光
強度分布を均一に近づける（ホモジナイズする）ことが
できる。
のｘ軸方向の光強度分布は、それぞれ光線束１０の対応
する部分の光強度分布と相似の関係にある。光線束１０
の光強度は、通常、中心近傍において強く、周辺近傍に
おいて弱いが、この光線束１０を小光線束１５に分割
し、各光線束を重ね合わせることにより、照射領域の光
強度分布を均一に近づける（ホモジナイズする）ことが
できる。
【００３１】図１（Ｂ）を参照して、ｙｚ面内に関する
光線束の伝搬の様子を説明する。入射光線束１０がシリ
ンダアレイ１Ａに入射する。平行光線束１０がシリンダ
アレイ１Ａにより各シリンドリカルレンズに対応した７
つの光線束１１に分割される。各光線束１１は、シリン
ダアレイ１Ｂに入射する。シリンダアレイ１Ｂに入射し
た各光線束は、それぞれ相互に等しいある出射角を持っ
た発散光線束１２となり、収束レンズ３に入射する。ｙ
ｚ面内においては、シリンダアレイ２Ａ及び２Ｂは単な
る平板と等価であるため、光線束の収束、発散に影響を
与えない。
光線束の伝搬の様子を説明する。入射光線束１０がシリ
ンダアレイ１Ａに入射する。平行光線束１０がシリンダ
アレイ１Ａにより各シリンドリカルレンズに対応した７
つの光線束１１に分割される。各光線束１１は、シリン
ダアレイ１Ｂに入射する。シリンダアレイ１Ｂに入射し
た各光線束は、それぞれ相互に等しいある出射角を持っ
た発散光線束１２となり、収束レンズ３に入射する。ｙ
ｚ面内においては、シリンダアレイ２Ａ及び２Ｂは単な
る平板と等価であるため、光線束の収束、発散に影響を
与えない。
【００３２】収束レンズ３を透過した各光線束１５はそ
れぞれ収束光線束となり、ホモジナイズ面４上において
重なる。ホモジナイズ面４を照射する各光線束のｙ軸方
向の光強度分布は、図１（Ａ）の場合と同様に均一に近
づく。ｙｚ面内に関して各光線束１５は収束光線束とな
るため、ホモジナイズ面４上における照射領域のｙ軸方
向の長さは、ｘ軸方向の長さよりも短くなる。このた
め、ホモジナイズ面４上の光照射領域は、ｘ軸方向に長
く、ｙ軸方向に短い線状の形状を有することになる。
れぞれ収束光線束となり、ホモジナイズ面４上において
重なる。ホモジナイズ面４を照射する各光線束のｙ軸方
向の光強度分布は、図１（Ａ）の場合と同様に均一に近
づく。ｙｚ面内に関して各光線束１５は収束光線束とな
るため、ホモジナイズ面４上における照射領域のｙ軸方
向の長さは、ｘ軸方向の長さよりも短くなる。このた
め、ホモジナイズ面４上の光照射領域は、ｘ軸方向に長
く、ｙ軸方向に短い線状の形状を有することになる。
【００３３】ホモジナイズ面におけるビーム幅、すなわ
ち光照射領域の幅Ｗは、収束レンズ３の焦点距離を
ｆF 、シリンダアレイを構成するシリンドリカルレンズ
の合成焦点距離をｆC 、シリンダアレイを構成する各シ
リンドリカルレンズのレンズ幅をｄとして、Ｗ＝（ｆF
／ｆC ）ｄとなる。対応するシリンダアレイの間隔を調
節してシリンダアレイの合成焦点距離ｆC を変化させる
ことにより、光照射領域の幅を変化させることができ
る。
ち光照射領域の幅Ｗは、収束レンズ３の焦点距離を
ｆF 、シリンダアレイを構成するシリンドリカルレンズ
の合成焦点距離をｆC 、シリンダアレイを構成する各シ
リンドリカルレンズのレンズ幅をｄとして、Ｗ＝（ｆF
／ｆC ）ｄとなる。対応するシリンダアレイの間隔を調
節してシリンダアレイの合成焦点距離ｆC を変化させる
ことにより、光照射領域の幅を変化させることができ
る。
【００３４】図１（Ａ）及び１（Ｂ）に示すビームホモ
ジナイザの場合には、シリンダアレイ１Ａと１Ｂとの間
隔を変えることにより、光照射領域の短軸方向の幅を変
化させ、シリンダアレイ２Ａと２Ｂとの間隔を変えるこ
とにより、長軸方向の長さを変化させることができる。
ジナイザの場合には、シリンダアレイ１Ａと１Ｂとの間
隔を変えることにより、光照射領域の短軸方向の幅を変
化させ、シリンダアレイ２Ａと２Ｂとの間隔を変えるこ
とにより、長軸方向の長さを変化させることができる。
【００３５】次に、シリンドリカルレンズ系の球面収差
を考慮した場合の光強度分布について考察する。
を考慮した場合の光強度分布について考察する。
【００３６】図２（Ａ）は、図１（Ｂ）のシリンダアレ
イ１Ａと１Ｂの対応する１組のシリンドリカルレンズの
断面及び、それを透過する光線束を示す。シリンダアレ
イ１Ａを構成するシリンドリカルレンズ１Ａａの入射側
の面は、曲率半径４８．５６ｍｍの凸円柱面であり、出
射側の面は平面である。シリンダアレイ１Ｂを構成する
シリンドリカルレンズ１Ｂａの入射側の面は、曲率半径
５８．２８ｍｍの凹円柱面であり、出射側の面は平面で
ある。
イ１Ａと１Ｂの対応する１組のシリンドリカルレンズの
断面及び、それを透過する光線束を示す。シリンダアレ
イ１Ａを構成するシリンドリカルレンズ１Ａａの入射側
の面は、曲率半径４８．５６ｍｍの凸円柱面であり、出
射側の面は平面である。シリンダアレイ１Ｂを構成する
シリンドリカルレンズ１Ｂａの入射側の面は、曲率半径
５８．２８ｍｍの凹円柱面であり、出射側の面は平面で
ある。
【００３７】図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のレンズ系の球
面収差を表す。横軸は、球面収差を単位ｍｍで表し、縦
軸は最大の光線高に対する相対光線高を表す。図２
（Ｂ）に示すように、正の球面収差を示している。
面収差を表す。横軸は、球面収差を単位ｍｍで表し、縦
軸は最大の光線高に対する相対光線高を表す。図２
（Ｂ）に示すように、正の球面収差を示している。
【００３８】図２（Ｃ）は、図２（Ａ）のレンズ系を用
いた場合のホモジナイズ面上の光強度分布のシミュレー
ション結果を示す。横軸は、ホモジナイズ面上における
光照射領域の中心からの距離を単位ｍｍで表し、縦軸は
レーザ光の強度を相対目盛で表す。なお、レンズ１Ａａ
と１Ｂａとの間隔を１２．５ｍｍとした。照射領域の中
央部が盛り上がり、裾野部分の少ない図５（Ｃ）と近似
した好適な分布が得られている。
いた場合のホモジナイズ面上の光強度分布のシミュレー
ション結果を示す。横軸は、ホモジナイズ面上における
光照射領域の中心からの距離を単位ｍｍで表し、縦軸は
レーザ光の強度を相対目盛で表す。なお、レンズ１Ａａ
と１Ｂａとの間隔を１２．５ｍｍとした。照射領域の中
央部が盛り上がり、裾野部分の少ない図５（Ｃ）と近似
した好適な分布が得られている。
【００３９】図２（Ａ）に示すレンズ系と比較するため
に、球面収差のほとんどない場合、及び負の球面収差を
有する場合について、光強度分布を求めた。
に、球面収差のほとんどない場合、及び負の球面収差を
有する場合について、光強度分布を求めた。
【００４０】図３（Ａ）は、球面収差がほとんどないレ
ンズ系の例を示す。入射側の凸シリンドリカルレンズ１
Ａｂは、図２（Ａ）に示す凸シリンドリカルレンズ１Ａ
ａと同じものであり、出射側の凹シリンドリカルレンズ
１Ｂｂは、図２（Ａ）に示す凹シリンドリカルレンズ１
Ｂａの向きを逆にしたものである。
ンズ系の例を示す。入射側の凸シリンドリカルレンズ１
Ａｂは、図２（Ａ）に示す凸シリンドリカルレンズ１Ａ
ａと同じものであり、出射側の凹シリンドリカルレンズ
１Ｂｂは、図２（Ａ）に示す凹シリンドリカルレンズ１
Ｂａの向きを逆にしたものである。
【００４１】図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のレンズ系の球
面収差を示す。この場合の球面収差は、図２（Ｂ）の場
合の約１／１００である。従来は、トップフラット率を
高くするために、レンズ系の球面収差が０になるように
設計されていた。
面収差を示す。この場合の球面収差は、図２（Ｂ）の場
合の約１／１００である。従来は、トップフラット率を
高くするために、レンズ系の球面収差が０になるように
設計されていた。
【００４２】図３（Ｃ）は、図３（Ａ）のレンズ系を用
いた場合のホモジナイズ面上の光強度分布を示す。横軸
及び縦軸は、図２（Ｃ）のそれと同様である。球面収差
がほとんどない場合には、図５（Ａ）に示すようなトッ
プフラット率の高い光強度分布が得られる。
いた場合のホモジナイズ面上の光強度分布を示す。横軸
及び縦軸は、図２（Ｃ）のそれと同様である。球面収差
がほとんどない場合には、図５（Ａ）に示すようなトッ
プフラット率の高い光強度分布が得られる。
【００４３】図４（Ａ）は、負の球面収差を有するレン
ズ系の例を示す。入射側のシリンドリカルレンズ１Ａｃ
及び出射側のシリンドリカルレンズ１Ｂｃは、共に凸シ
リンドリカルレンズである。シリンドリカルレンズ１Ａ
ｃと１Ｂｃの相互に対向する面は平面であり、その反対
側の面は、共に曲率半径３７．５ｍｍの凸円柱面であ
る。
ズ系の例を示す。入射側のシリンドリカルレンズ１Ａｃ
及び出射側のシリンドリカルレンズ１Ｂｃは、共に凸シ
リンドリカルレンズである。シリンドリカルレンズ１Ａ
ｃと１Ｂｃの相互に対向する面は平面であり、その反対
側の面は、共に曲率半径３７．５ｍｍの凸円柱面であ
る。
【００４４】図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のレンズ系の球
面収差を示す。このレンズ系は、負の球面収差を有する
ことがわかる。
面収差を示す。このレンズ系は、負の球面収差を有する
ことがわかる。
【００４５】図４（Ｃ）は、図４（Ａ）のレンズ系を用
いた場合のホモジナイズ面上の光強度分布を示す。横軸
及び縦軸は、図２（Ｃ）のそれと同様である。レンズ系
が負の球面収差を有する場合には、図５（Ｂ）に示すよ
うな中央部の窪んだ光強度分布が得られる。
いた場合のホモジナイズ面上の光強度分布を示す。横軸
及び縦軸は、図２（Ｃ）のそれと同様である。レンズ系
が負の球面収差を有する場合には、図５（Ｂ）に示すよ
うな中央部の窪んだ光強度分布が得られる。
【００４６】図２〜図４の比較から、好適な光強度分布
を得るためには、正の球面収差を有するレンズ系を用い
ればよいと考えられる。なお、より好適な光強度分布を
得るためには、最大光線高における球面収差が０．０１
以上となる構成とすることが好ましい。図１及び図２で
は、凸シリンドリカルレンズと凹シリンドリカルレンズ
を組み合わせて正の球面収差を有するレンズ系を構成し
たが、他の構成としてもよい。例えば、１つの凹シリン
ドリカルレンズのみで構成してもよいし、少なくとも１
つの凹シリンドリカルレンズを含む３種以上のシリンド
リカルレンズを用い、３種以上のシリンダアレイで構成
してもよい。なお、光照射領域の幅を可変とするために
は、２種以上のシリンドリカルレンズで構成することが
望ましい。
を得るためには、正の球面収差を有するレンズ系を用い
ればよいと考えられる。なお、より好適な光強度分布を
得るためには、最大光線高における球面収差が０．０１
以上となる構成とすることが好ましい。図１及び図２で
は、凸シリンドリカルレンズと凹シリンドリカルレンズ
を組み合わせて正の球面収差を有するレンズ系を構成し
たが、他の構成としてもよい。例えば、１つの凹シリン
ドリカルレンズのみで構成してもよいし、少なくとも１
つの凹シリンドリカルレンズを含む３種以上のシリンド
リカルレンズを用い、３種以上のシリンダアレイで構成
してもよい。なお、光照射領域の幅を可変とするために
は、２種以上のシリンドリカルレンズで構成することが
望ましい。
【００４７】本発明の実施例によるビームホモジナイザ
を用いることにより、図５（Ｃ）に示すように、中央部
が盛り上がり、裾の部分の少ない強度分布を得ることが
できる。ただし、シリンドリカルレンズの球面収差を変
化させると強度分布の形状も変化し、図５（Ｄ）もしく
は図５（Ｅ）のような強度分布となり得るであろう。そ
こで、より好ましい強度分布の形状を規定することとす
る。
を用いることにより、図５（Ｃ）に示すように、中央部
が盛り上がり、裾の部分の少ない強度分布を得ることが
できる。ただし、シリンドリカルレンズの球面収差を変
化させると強度分布の形状も変化し、図５（Ｄ）もしく
は図５（Ｅ）のような強度分布となり得るであろう。そ
こで、より好ましい強度分布の形状を規定することとす
る。
【００４８】図５（Ｃ）の分布を図５（Ｄ）及び５
（Ｅ）の分布と比較したときの特徴的な点は、裾の部分
における幅と半値幅との比である。強度分布の半値幅Ｗ
0.5 とピーク高さの１／ｅ2 となる幅Ｗ1/e2との比Ｗ
0.5 ／Ｗ1/e2は、ガウシアン分布の場合に約０．６未満
である。従って、図５（Ｃ）の分布を、中央部が盛り上
がり、かつＷ0.5 ／Ｗ1/e2が０．７以上であると規定す
ることができるであろう。
（Ｅ）の分布と比較したときの特徴的な点は、裾の部分
における幅と半値幅との比である。強度分布の半値幅Ｗ
0.5 とピーク高さの１／ｅ2 となる幅Ｗ1/e2との比Ｗ
0.5 ／Ｗ1/e2は、ガウシアン分布の場合に約０．６未満
である。従って、図５（Ｃ）の分布を、中央部が盛り上
がり、かつＷ0.5 ／Ｗ1/e2が０．７以上であると規定す
ることができるであろう。
【００４９】なお、アモルファス半導体薄膜を従来のホ
モジナイザのホモジナイズ面（収束レンズの焦平面）か
らずらして配置することにより、照射領域の光強度分布
を図５（Ｃ）の分布とすることも可能であろう。ただ
し、この場合には照射領域の幅が広くなってしまう。す
なわち、半導体薄膜表面におけるレーザ光のエネルギ密
度が低下してしまう。
モジナイザのホモジナイズ面（収束レンズの焦平面）か
らずらして配置することにより、照射領域の光強度分布
を図５（Ｃ）の分布とすることも可能であろう。ただ
し、この場合には照射領域の幅が広くなってしまう。す
なわち、半導体薄膜表面におけるレーザ光のエネルギ密
度が低下してしまう。
【００５０】本実施例によるビームホモジナイザを用い
る場合には、照射領域の幅を広くすることなく、光強度
分布を図５（Ｃ）に示す好適な分布とすることが可能に
なる。この場合には、半導体薄膜表面におけるエネルギ
密度が低下しないため、効果的にアモルファス半導体薄
膜を多結晶化することができる。なお、照射領域の幅を
狭く維持した状態でレーザ光の照射を行うためには、半
導体薄膜表面をホモジナイザの収束レンズの焦点を中心
とした焦点深度の範囲内に配置することが好ましい。
る場合には、照射領域の幅を広くすることなく、光強度
分布を図５（Ｃ）に示す好適な分布とすることが可能に
なる。この場合には、半導体薄膜表面におけるエネルギ
密度が低下しないため、効果的にアモルファス半導体薄
膜を多結晶化することができる。なお、照射領域の幅を
狭く維持した状態でレーザ光の照射を行うためには、半
導体薄膜表面をホモジナイザの収束レンズの焦点を中心
とした焦点深度の範囲内に配置することが好ましい。
【００５１】なお、本願発明者の実験によると、波長λ
が３０８ｎｍのＸｅＣｌレーザ光、焦点距離が２００ｍ
ｍ、開口数ＮＡが０．０３２のホモジナイザを用いたと
き、収束レンズの焦点から光軸方向に±１ｍｍ程度ずれ
ても良好な多結晶化を行うことができた。このとき、レ
ーザ光照射領域の線幅、及びエネルギ密度の変化量は±
２％以下であった。
が３０８ｎｍのＸｅＣｌレーザ光、焦点距離が２００ｍ
ｍ、開口数ＮＡが０．０３２のホモジナイザを用いたと
き、収束レンズの焦点から光軸方向に±１ｍｍ程度ずれ
ても良好な多結晶化を行うことができた。このとき、レ
ーザ光照射領域の線幅、及びエネルギ密度の変化量は±
２％以下であった。
【００５２】一般に、焦点深度は、±κ×λ／ＮＡ2 で
表される。この式に、λ＝３０８ｎｍ、ＮＡ＝０．０３
２を代入した結果が、実験により好適な範囲と考えられ
る±１ｍｍとなるようにするためには、κ＝３．３とす
ればよい。すなわち、半導体薄膜表面をホモジナイザの
収束レンズの焦点を中心として、光軸方向に関し±３．
３×λ／ＮＡ2 の範囲内に配置することが好ましい。
表される。この式に、λ＝３０８ｎｍ、ＮＡ＝０．０３
２を代入した結果が、実験により好適な範囲と考えられ
る±１ｍｍとなるようにするためには、κ＝３．３とす
ればよい。すなわち、半導体薄膜表面をホモジナイザの
収束レンズの焦点を中心として、光軸方向に関し±３．
３×λ／ＮＡ2 の範囲内に配置することが好ましい。
【００５３】以上、アモルファスシリコン膜を多結晶化
する場合を例に説明したが、上記実施例によるビームホ
モジナイザは、その他のアモルファス半導体薄膜を多結
晶化する場合、または多結晶半導体薄膜の結晶性を改善
する場合にも適用可能である。
する場合を例に説明したが、上記実施例によるビームホ
モジナイザは、その他のアモルファス半導体薄膜を多結
晶化する場合、または多結晶半導体薄膜の結晶性を改善
する場合にも適用可能である。
【００５４】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ホモジナイズ面上における光照射領域の光強度分布の中
央部が盛り上がり、裾野部分の面積の小さいレーザビー
ムを得ることができる。このレーザビームを半導体薄膜
に照射して結晶性を変化させると、半導体薄膜にレーザ
ビーム照射の痕跡が残りにくい。
ホモジナイズ面上における光照射領域の光強度分布の中
央部が盛り上がり、裾野部分の面積の小さいレーザビー
ムを得ることができる。このレーザビームを半導体薄膜
に照射して結晶性を変化させると、半導体薄膜にレーザ
ビーム照射の痕跡が残りにくい。
【図１】本発明の実施例によるビームホモジナイザの概
略断面図である。
略断面図である。
【図２】図１に示すビームホモジナイザの１組のシリン
ダアレイの断面図、球面収差を示すグラフ、ホモジナイ
ズ面上における光強度分布を示すグラフである。
ダアレイの断面図、球面収差を示すグラフ、ホモジナイ
ズ面上における光強度分布を示すグラフである。
【図３】球面収差のほとんどないレンズ系の一例を示す
断面図、球面収差を示すグラフ、ホモジナイズ面上にお
ける光強度分布を示すグラフである。
断面図、球面収差を示すグラフ、ホモジナイズ面上にお
ける光強度分布を示すグラフである。
【図４】負の球面収差を有するレンズ系の一例を示す断
面図、球面収差を示すグラフ、ホモジナイズ面上におけ
る光強度分布を示すグラフである。
面図、球面収差を示すグラフ、ホモジナイズ面上におけ
る光強度分布を示すグラフである。
【図５】ホモジナイズ面上における光強度分布の例を示
すグラフである。
すグラフである。
１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ シリンダアレイ
１Ａａ、１Ｂａ、１Ａｂ、１Ｂｂ、１Ａｃ、１Ｂｃ シ
リンドリカルレンズ ３ 収束レンズ ４ ホモジナイズ面 １０、１１、１２、１３、１４、１５ 光線束 ２０ 相対位置調節機構
リンドリカルレンズ ３ 収束レンズ ４ ホモジナイズ面 １０、１１、１２、１３、１４、１５ 光線束 ２０ 相対位置調節機構
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−124776（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−80617（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−129573（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−327942（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−312963（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−61172（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−105936（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−6501（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−153327（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/26 - 21/268
H01L 21/18 - 21/20
G02B 3/00 - 3/14
Claims (8)
- 【請求項１】 ｘｙｚ直交座標系を考えたとき、複数の
第１のシリンドリカルレンズが、各々の光軸をｚ軸に平
行にし、柱面の母線をｘ軸に平行にし、かつｘｙ平面に
平行な仮想平面に沿って配列し、前記第１のシリンドリ
カルレンズの各々の球面収差が正になるような第１のシ
リンダアレイと、複数の第２のシリンドリカルレンズが、各々の光軸を、
対応する前記第１のシリンドリカルレンズの光軸と共通
にし、かつｘｙ平面に平行な仮想平面に沿って配列し、
前記第１及び第２のシリンドリカルレンズを組み合わせ
たレンズ系の球面収差が正になるような第２のシリンダ
アレイと、 前記第１及び第２のシリンダアレイを透過した光線束を
収束する収束光学系とを有するビームホモジナイザ。 - 【請求項２】 前記第１のシリンドリカルレンズが凹シ
リンドリカルレンズであり、前記第２のシリンドリカル
レンズが凸シリンドリカルレンズである請求項１に記載
のビームホモジナイザ。 - 【請求項３】 さらに、前記第１のシリンダアレイと第
２のシリンダアレイとの間隔が変化するように、前記第
１及び第２のシリンダアレイの相対位置を変化させる相
対位置調節機構を有する請求項１または２に記載のビー
ムホモジナイザ。 - 【請求項４】 ホモジナイズ面におけるｙ軸方向におけ
る光強度分布が、中央部が盛り上がり、かつ半値幅Ｗ
0.5 とピーク高さの１／ｅ2 をとる幅Ｗ1/e2との比Ｗ
0.5 ／Ｗ1/e2が０．７以上となるように、前記第１及び
第２のシリンドリカルレンズを組み合わせたレンズ系の
球面収差が決められている請求項１〜３のいずれかに記
載のビームホモジナイザ。 - 【請求項５】 ｘｙｚ直交座標系を考えたとき、複数の
第１のシリンドリカルレンズが、各々の光軸をｚ軸に平
行にし、柱面の母線をｘ軸に平行にし、かつｘｙ平面に
平行な仮想平面に沿って配列し、前記第１のシリンドリ
カルレンズの各々の球面収差が正になるような第１のシ
リンダアレイと、 前記第１のシリンダアレイを透過した光線束をホモジナ
イズ面上にホモジナイズさせる収束光学系と を有し ホモジナイズ面におけるｙ軸方向における光強度分布
が、中央部が盛り上がり、かつ半値幅Ｗ0.5 とピーク高
さの１／ｅ 2をとる幅Ｗ1/e2との比Ｗ0.5 ／Ｗ1/e2が
０．７以上となるように、前記第１のシリンドリカルレ
ンズの各々の球面収差が決められているビームホモジナ
イザ。 - 【請求項６】 表面に半導体薄膜を有する処理対象物の
表面が、請求項１〜５のいずれかに記載のビームホモジ
ナイザのホモジナイズ面に一致するように該処理対象物
を配置する工程と、 請求項１〜５のいずれかに記載のビームホモジナイザに
よりホモジナイズされたレーザ光を、前記半導体薄膜に
照射して結晶性を変化させる工程とを有する半導体薄膜
の製造方法。 - 【請求項７】 前記結晶性を変化させる工程において、
前記半導体薄膜の表面が、前記収束光学系の焦点位置を
中心とした焦点深度内に位置するように前記半導体薄膜
を配置してレーザ光を照射する請求項６に記載の半導体
薄膜の製造方法。 - 【請求項８】 前記結晶性を変化させる工程において、
前記半導体薄膜の表面が、前記収束光学系の焦点位置を
中心とし、光軸方向に関して±３．３×λ／ＮＡ2 （こ
こでλはレーザ光の波長、ＮＡはホモジナイザの開口数
である。）の範囲内に位置するように前記半導体薄膜を
配置してレーザ光を照射する請求項６に記載の半導体薄
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16314797A JP3484481B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | ビームホモジナイザ及びそれを用いた半導体薄膜の製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP16314797A JP3484481B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | ビームホモジナイザ及びそれを用いた半導体薄膜の製造方法 |
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|---|---|
| JPH1116851A JPH1116851A (ja) | 1999-01-22 |
| JP3484481B2 true JP3484481B2 (ja) | 2004-01-06 |
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ID=15768121
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|---|---|---|---|
| JP16314797A Expired - Fee Related JP3484481B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | ビームホモジナイザ及びそれを用いた半導体薄膜の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| DE10327733C5 (de) * | 2003-06-18 | 2012-04-19 | Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Formung eines Lichtstrahls |
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| JPH1116851A (ja) | 1999-01-22 |
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