TWI248559B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

1248559 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種微影投影裝置，其n. -一照射糸統，其用來供應一投影知私去· --支樓結構，其用來支撐圖案形=，，該圖案形成構 件用來使該投影束依據一所需圖案來形成圖汽· -一基板檯，其用來支承一基板； -一投影系統，其用以將該圖案光束投射在該基板之一目 標部分上；及 _一定位裝置，用以定位該支撐結構及該基板檯之至少其 中一者。 本說明書所述”圖案形成構件（patterning means)"應廣義 解釋為意指能用來使一入射輻射束具備一符合一欲產生於 一基板目標部分内之圖案之有圖案橫剖面的構件：就此而論 亦可使用"光閥（light valve)"一辭。整體而言’該圖案會 符合欲在該目標部分產生之一裝置之一特定功能層例如一 積體電路或其他裝置（參見下文）。此等圖案形成構件的實 例包含： • 一光罩。光罩的概念在微影範疇中為人所熟知，且其包 含如二元型、交替相移型、和衰減相移型光罩，以及各種混 合型光罩。將此一光罩置入輻射束内導致照到該光罩上之輻 射依據該光罩上的圖案選擇性透射（該光罩為一透射型光罩 的情況）或反射（該光罩為一反射型光罩的情況）。在具有 一光罩的情況中’支撐結構大致會是一光罩檯，此結構確保 85940 -6 - 1248559 能將光罩保持在人射輻射束内―期望位置，且其得視需要相 對於光束移動。 -可私式化反射鏡陣列。此一裝置之一實例為一具有一 黏彈性控制層和一反射層之可矩陣定址表面。此一裝置背後 的基本原理（舉例來說）是該反射表面之已定址區將入射光 反射成繞射A，而未定址區將入射光反射成未繞射光。利用 一適當濾光片，能將該未繞射光濾離反射光束，僅留下繞射 光依此方式，光束依據該可矩陣定址表面之定址圖案變得 圖案化。一可程式化反射鏡陣列之一替代實施例可運用一小 型反射鏡矩陣排列，每一小型反射鏡得藉由施予一適當局部 電場或藉由使用壓電致動構件的方式使其個別繞一軸線傾 斜。再次地，這些反射鏡是可矩陣定址的，使得已定址反射 鏡會以一不同於未定址反射鏡的方向反射一入射輻射束；依 此方式，反射光束依據該等可矩陣定址反射鏡之定址圖案變 知圖案化。所需矩陣定址作業得利用適當電子構件進行。在 以上所述兩種情況中，圖案形成構件得包含一或多個可程式 化反射鏡陣列。有關此處所述反射鏡陣列之更多資訊舉例來 說能從美國專利第5,296,891號和5,523，193號及PCT專利申 請案W0 98/38597號和W0 98/33096號中得知，該等專利案 以引用的方式併入本文中。在一可程式化反射鏡陣列的情況 中，該支撐結構舉例來說可為實施成一框架或一檯面，其可 視需要是固定的或可動的。 -一可程式化LCD陣列。此構造之一實例見於美國專利第 5,229,872號，該案以引用的方式併入本文中。如上所述，此 85940 1248559 情況中之支撐結構舉例來說可為實施成—框架或_檯面其 可視需要是固定的或可動的。 / X間化’本說明t其他部分可能在某些地方明顯指向涉及 應著罩檯之實例;然而在此等案例中論述的通用原則 ^ 以上所述圖案形成構件的較廣泛意涵。 【先前技術】 微影投影裝置舉例來說能用在積體電路（η)之製造中。 在=種案例t，圖案形成構件可產生―相當於積體電路一獨 立曰之電路圖案，且能將此圖案映照在基板（矽晶圓）上已 f佈夕層軲射敏感材料（抗蝕劑）之一目標部分（例如包括 ::個曰曰粒）上。一般而言，一單一晶圓會含有一次一個 :投影系統輕照之相鄰目標部分的-完整網絡。在當 把以運用一光罩檯上一光罩形成圖案的方式在兩 :不同機：之間做出區隔。在一類微影裝置中，每一目標部 二、☆在單人行^中將整個光罩圖案曝照在目標部分上的 式又輻照’此一裝置通常稱為晶圓步進器（wafer 卿㈣）°在/一類一般稱為步進掃描（step-and-scan )裝置 裝置=每一目標部分是藉由在投射光束下以一給定參考 ° 、帚描方向）逐漸掃過光罩圖案同時同步以平行或平行 一 口 I二方向的方向掃動基板的方式受輻照；因為一般而 ° :技影系統會有-放大因子Μ (通常Μ< "，基板檯之掃 &、、又㈢疋光罩檯掃描速度之Μ倍。更多關於此處所述微 、之貝βί1舉例來說能自美國專利第6,046,792號中得 知，該案以引用的方式併入本文中。 85940 1248559 在使用一微影裝置之製造程序中，將— 光罩的圖案）映，昭在—至少局邻為―^ 案（例如是一 劑）覆*的其士 。射敏感材料（抗蝕 種處二二”。在此映照步驟之前，該基板可能經過各 作業。X二t底漆（Μ—)、塗佈抗料和-軟性洪烤 (P剛\1可能經過其他處理，例如曝光後焕烤 广理二、;像、硬性洪烤及成像後圖案測量/檢驗。此系列 為對:裝置(如積體電路)之-獨立層形成圖 Μ 土 然後此等有圖案層可能經過各種處理，例如蝕 刻、離子植入（摻雜）、金屬化處理、氧化處理、化 研磨處理等’所有程序均要將—獨立層磨掉1要求有2 層’則必須將整個程序或其變異對每一新層重複。最後會在 基板：晶圓）上出現一系列元件。然後以切粒或分鋸方式使 該等70件各自分開，個別儀器自此可安裝到載體上或連 插腳等。更多關於此種程序之資訊舉例來說可參見—评 Hill 出版公司所出版之"Micr〇chip FabHcati〇n: Α

Guide t0 Semiconduct〇r Pr〇cessing"一書作者為 peter van

Zant ’ 1997年第三版，ISbn 0-07-067250-4。 為求簡化，投影系統在下文中可簡稱為”透鏡〇ens)，，； 但該辭應廣義解釋為包含各類投影系統，例如包括折射光學 件、反射光學件以及折射反射系統等。該輻射系統亦可包括 依據拍向、造型、或控制輻射投影束等任一設計類型運作之 組件或光學元件，且此等組件在下文中亦可集體或單獨稱為 "透鏡（lens) ”。此外，該微影裝置可為具有兩或多個基板 檯（及/或兩或多個光罩檯）之類型。在此種”多平台”裝置中， 85940 -9- 1248559 ΓΙ=聯使用，或者可在一或多個檯進行曝光之同時 個其他檯上進行準備步驟。雙平台微影裝置 說見於美國專利第5 96Q 441 % j m 忒4專利案以引用的方式併入本文中。 爲：：Γ 微影装置中之定位裝置係用以提供作用力以

移動該光罩檯MT及晶圓檯WT，該定位裝置通常包含複數個 致動斋。該致動器包含銅線圈連結至該裝置的—部件上，以 及一連結至該裝置另-部件之磁鐵總成。當-電流通過該線 圈時’通過線圈之電流會與由該磁鐵所產生之磁場相互作 用’而在該裝置之兩部分之間產生一作用力。習知致動哭之 線圈係由絕緣電線所構成，該電線係以正循環方式捲繞。附 圖中之圖2係描示此一線圈的截面視圖。線圈1〇係由銅導線 11捲繞於一繞軸12而形成。為了避免在銅導線u之各別匝圈 之間發生短路，導線在内封在一電絕緣材料丨2中。

在微影裝置甲之溫度變化及溫度梯度會降低其性能的精 確度，且熱應變會使裝置中之元件或由該裝置所處理之基板 文損。因此，吾人希望可以減少在裝置中所產生之熱量，或 者在此方式不可行的情況下，可以移除所產生的熱量。針對 由致動器產生一給定之作用力的情況下，在線圈中所產生之 熱量係可藉由使用一較大的線圈而減少之。然而，這會增加 致動器的質量，進而造成需要較大的作用力而產生更多的熱 量。因此，致動器之線圈10係具有冷卻元件14，其可以移除 由於電流通過該導線11所產生之熱量。 然而，針對由正循環捲繞之導線所組合成之習知線圈，通 85940 -10- 1248559 過該線圈之熱傳輸係相當低。導線之每一絕緣件僅與相鄰的 導線絕緣件形成線接觸，因而限制了可以傳熱的面積。再 者，用以將該導線與另一導線Π電絕緣之材料13通常係很差 的熱導體，這進一步地降低了通過線圈整體之熱傳特性。因 此’在線圈下方側邊1 〇b上所產生之熱的一大部分係會排散 至包圍泫線圈之環境1 5，而不是經由線圈被傳至該冷卻元件 14。 【發明内容】

本發明之一目的係要提供一種使用在一微影裝置中之致 動為或疋位裝置中之線圈’其具有增進的熱傳特性。 此一目的及其他目的係可依照在前述中所詳述之本發明 的微影裝置來達成，其特徵在於該定位裝置包含一扁平馬 達，該扁平馬達具有一定子及一平移器，該定子與該平移器 之其中一者包含一週期性磁鐵結構，而該定子與該平移器之

另一者則包含複數個可承載一電流之線圈，該線圈包含一導 電性片材之帶體。 這可提供一具有增進熱傳特性之線圈，因為熱可以 通過導電性片材之帶體的寬度。這是相當具有優點的，因為 相較於習知線圈設計中所使用之絕緣材料而言，該導電性材 料具有較高的熱傳導性。 最好，導電性片材本身即構成該承載電流之線圈。此一線 圈比習知線圈具有較佳的空間填充因數。舉例來說，依照此 一設計之線圈的空間填充因數係大約為〇 8，相較於習知正 循環捲繞之銅線則只有0.7。針對一給定之致動器條件而 85940 •11- 1248559 吕’這可以降低所需之尺寸及線圈的重量。 在一較佳實施例中，線圈係由鋁片材所製成。由链所製成 之另一優點在於，雖然導電性比傳統所用的銅線還低，但較 低的密度所帶來的優點將遠超過此，進而可以形成較輕的線 圈。在習知導電線圈中無法具有鋁所具有的此一優點，因為 鋁係極難被抽引成線狀。在線圈配置在扁平馬達之平移器且 該馬達係用以提供水平力及垂直力的例子中，此優點更為顯 著。在此一設計中，馬達可以很容易地應用在真空場合中， 口為了供應垂直力來將平移器由磁板上浮起，使其可以毫無 摩擦地在水平面上移動，而不需要譬如一空氣軸承。在馬達 用以產生一垂直力以使其飄浮於磁板表面的例子中，原動琴 之重量係儘可能保持愈低愈好，因為必須在操作期間於100% 的作用週期中提供該垂直力。使用輕重量的銘箔線圈頃發現 對於此類的應用相當具有優點。 /較佳地，該線圈之連續阻圈係由一非導電性氧化鋁層將其 彼此隔開，且該非導電性氧化鋁層係整合於該片材之表面。 舉例來說，當線圈由鋁所製成時，可以容易地在表面上形成 一非導電性氧化鋁層表面。相較於提供在導電材料之匝圈之 =提供-獨自的絕緣層而言，上述方式可以簡化線圈的製 私再者’產σσ亦較為可靠，因為就獨自的絕緣材料而言， 在生產生該絕緣體有可能會受損，而這將會導致在線圈之各 '匝圈之間發生電氣短路。最好，該氧化鋁層之厚度為至少 5微米’以確保即使該氧化鋁層有某些實體損壞時仍具有充 份的電氣絕緣性。 85940 -12- 1248559 該片材帶在大致垂直於該繞軸之厚度方向上相較於在大 致平行於該繞軸之寬度方向上係明顯較窄。這使得線圈可以 由較多數量的片材匝圈所製成，而不會使其體積過於龐大， 且同日τ可以在4頁越線圈的寬度上提供良好的熱傳導性。

在另一設計中，承載電流之線圈係由導線所形成，且該導 电性片材之帶體係欲設在導線線圈中。片材可以有效地將熱 傳導出線圈，而不會明顯地降低線圈之空間填充因數。該片 材可以配置成垂直於繞轴或者係平行於繞轴。如前所述，在 紹作為導電性片材的例子中，在片材表面上的氧化鋁層係形 成一整合性電氣絕緣層，以防止線圈短路。 一冷卻元件可以連結至該線圈之一側邊，以構成一垂直於 遠繞軸之平面，使得該片材之一邊緣與該冷卻元件形成熱接 觸。因此，由線圈中之電流所產生之熱將可經由一低熱傳導 路彼而被傳送至該冷卻元件，藉以減少被輻射或傳導至線圈 周圍環境中之熱量。

最好，一碰撞保護構件係連結至該線圈的一側邊而構成一 垂直於繞軸之平面，舉例來說，最好係連接至該線圈其相對 於連接有該冷卻元件之側邊上。在線圈使用於一扁平馬達的 例子中，上述的設計係特別有用，因為該碰撞保持構件將可 以減少由於該線圈基於任何理由與扁平馬達之定子相碰撞 時的任何損壞。該碰撞保護構件亦可將線圈與裝置之其餘部 位隔開。該致動器可以定位在一抽吸系統中。因此，若線圈 未與真空環境相隔離，則該氧化鋁層可將先前所吸附之氣體 加以排氣。 85940 -13- 1248559 在本發明之另一變化型式中，該線圈係捲繞於一鐵磁心體 上。攻使侍針對一給定作用力而言，一致動器之構造可具有 較低的體積，且因此可增進馬達的效率。 依照本發明另一態樣，其係提供一元件製造方法，其包含 以下之步驟： -提供一基板，該基板至少部分地由一輻射敏感材料層所 覆蓋； -利用一照射系統來提供一輻射投影光束； •利用圖案形成構件來使該投影光束在其截面上具有一圖 案； -將該具有圖案之輻射光束投影在該輻射敏感材料層之一 目標部分上； 其特徵在於藉由將一電流通過位在一致動器中之線圈，而在 該疋件製造裝置中之元件之間產生一作用力；其中該線圈係 包含一導電性片材之帶體。 儘官在本說明書中可能特別就依據本發明裝置在積體電 路製造當中之使用作參考，應明白瞭解到此一裝置有著許多 其他可行應用。舉例來說，其可用於積體光學系統、磁區記 憶體之導引和偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜式磁頭等的製 造。熟習此技藝者會理解到本說明書在有關此等可能應用的 論述中對’’主光罩（reticle )，，、，，晶圓（wafer )，，或，，晶粒（die ) "等辭的使用當分別視為以更一般性的用語”光罩（mask ) ” ’’基板（substrate)"和’’目標部分（target portion)，，取代。 在本說明書中，以’’輻射（radiation)，，和，，光束（beam)，， 85940 -14- 1248559 用辭涵蓋所有類型的電磁輻射 也… 平田耵包括紫外線輻射（例如波長 為 365、248、193、157或 126臺與伞 λα 土 土一 毛说未的輻射）和遠紫外線（EUV) 輻射（例如波長在5-2〇毫微米 1 符別疋大約13耄微米的輻 射），以及粒子束，例如離子束或電子束。

本發明之實施例將在下文φ 1I 隹卜又宁參考隨附之圖式來加以說明。 【實施方式】 實施你丨1 定實施例的微影投影裝 圖1簡略繪出一依據本發明之一特 置。該裝置包含： •一照射系統E X ’ 1L ’其用來供應一投影輻射束P B (例 如EUV輕射），在本特^例中其亦包括—韓射源比 _ 一第一物件檯（光罩檯）MT,其具備一用來支承一光 罩MA (例如-主光罩）之光罩支架，且連接至用來使該光 罩相對於單元PL精確定位的第一定位構件； -一第二物件檯（基板檯）WT，其具備一用來支承一基 板W(例如一塗佈抗蝕劑之矽晶圓）之基板支架，且連接至 用來使該基板相對於單元PL精確定位的第二定位構件； • 一投影系統（“透鏡”）pL (例如一面鏡群組），其用來將 該光罩MA之-輻照部分映照在該基板w之—目標部分c(例 如包括一或多個晶粒）上。 此處所述裝置為一反射型裝置（例如有一反射型光罩）。然 整體而言，舉例來說其亦可為一透射型裝置（具備一透射型 光罩）。或者，該裝置可使用其他類型的圖案形成構件，例 如前文提及之一可程式化反射鏡陣列類型。 85940 -15- 1248559 光源LA (例如一雷射發生源或放電電漿源）產生一輻射· 束。此光束直接地或在已橫越調節構件（例如一光束擴展器

Ex)之後送到一照明系統（照明器）江内。照明器比可包括 用來設定光束内強度分佈之外部及/或内部徑向範圍（通常 分別稱為外σ和内or )的調整構件AM。此外，其通常包括 多樣其他組件，例如一積分器IN和一聚光器c〇。依此方式， …射到光罩MA上之光束PB於其橫剖面有一所需的均勻性和 強度分佈。 就圖1來說，應注意到光源LA可為在微影投影裝置之殼體% 内（舉例來說，如常見情況之光源LA為一水銀燈的例子）， 然其亦可為遠離於微影裝置，其所產生的輻射束是經導引至 裝置内（例如藉助於適當的指向反射鏡）；後種情況通常是 在光源LA為一激光雷射的情況本發明及申請專利範圍涵2 這兩種架構。 光束PB隨後與光罩MA交會，該光罩支承在一光罩檯“丁 上。光束PB經光罩MA選擇性反射後通過投影系統pL，該投 影系統將光束PB聚焦在基板W之目標部分c上。藉由第二^ 1 位構件（及干涉測量構件IF)之協助，基板檯1丁得以精2 移動，例如藉此將不同目標部分C定位於光束PB之路徑内。 同樣地，第一定位構件例如能在光罩MA自一光罩庫機械性 - 回收後或在一次掃描期間將光罩MA相對於光束pB之路徑精 確疋位。整體來說，物件檯“丁和1丁之移動能以一長行程模 組（粗定位）和一短行程模組（細定位）來協助瞭解，此在 圖1中並未詳細繪出。然而，在一晶圓步進器（與步進掃描 85940 -16- 1248559 至一短行程致 裝置相反）之例子中’光罩檯财可為僅連接 動器，或者其可為固定的。 所述裝置能以兩種不同模式使用： 在步進模式中，光罩檯财保持為實質靜止，且整個光 罩影像-次（亦即單次”閃光，，）投射在_目標部分匚上。然 後基板檯WT以X及/或γ方向移位# 一 砂1便不同目標部分C能受光 束PB輻照； 2.在掃描模式I本質上運用相同方案q別在於一給定 目標部分cii非單次"閃光"曝光。取而代之為光罩檯mt可在 一給定方肖（習稱之"掃描方向”，例如γ方向）以一速度V 移動’使得投影束ΡΒ掃過—光罩影像；在此时，基板楼 WT同時沿相同或相反方向以速度ν=Μν移動，其中μ為透鏡 之放大率（通常]^=1/4或1/5)。依此方式讓較大目標部分 c能受到曝光而無須犧牲解析度。 /圖3以立體圖方式描示依照本發明之一線圈20。該線圈20 久由導電片材或箔片之長形帶21捲繞於一繞軸22而形成。 圖4係描示該線圈的平面圖。如圖所示，該線圈在形狀上 呈長形。或者’視其用途而定，其亦可以為長方形或正方形。 该片材之厚度D1係縮小以使可配置在線圈之最大外部寬度 D2中之匝圈數量最大化。這可以由配置在微影裝置中之致動 器可用空間來決定。形成該線圈20之長形帶21的寬度D3係由 f體所需之截面積然後再由線圈所需之電阻所決定。 、線圈最好由具有厚度D1之鋁帶所形成，其中該厚度D1之 摩巳圍較佳為50至15〇微米。在一較佳構型中，該帶體具有大 85940 -17- 1248559 約為60微米之厚度。材料帶之寬度出最好介於3毫米至姆 米之間。在-較佳構型中，铭帶之寬度約為1〇毫米。每一線 圈可包含介於100及纖圈數’且具有大約 部寬㈣及約⑽毫米之最大外部長度〇4。線圈亦可以由其 他導電性材料所形成，諸如銅，其可以形成所需之形狀。 為了防止在、線圈之各別E圈之間發生短路，在&圈之間必 須提供：導電性材料。這可以在導電性材料帶捲繞成線圈 形狀之前’將分隔之絕緣層黏附至帶體而達成。然:而，較佳 如圖4所示，導電材料帶21具有一整合表㈣，於該表面上% 形成有非導電性材料。當帶體21捲繞成線圈形狀時該非導 電性表面25便可防止在線圈匝圈之間發生短路。當線圈由鋁 所構成時，該整合表面25可以由氧化鋁（AUG3)所構成。此可 幸又佳藉由氧化鋁所構成，或者，藉由化學處理或藉由將該表 面曝露於^氣中而形成。^化處理可以相#具有優點地加以 控制，俾在鋁帶21之表面上形成一均勻厚度之氧化鋁。最 好，該氧化鋁層之厚度至少約為5微米。頃發現在線圈的製 造或機器加工期間，鋁箔線圈在線圈之不同匝圈之間的短路 ® 風險係遠小於譬如銅箔線圈。 圖5係描示標記在圖4上之截面AA。一冷卻元件3〇(未顯示 在圖3及圖4中）係連結至線圈2〇之上表面。一冷卻劑流係提 _ 供至一入口 31，並且由出口 32排出，以將冷卻元件3〇所吸收 之熱量移除。冷卻元件30係與構成該線圈材料之片材長形帶 21之頂部邊緣21 a直接熱接觸。因此，在線圈20中由於電流 流經所產生之熱量係可直接由片材帶轉移至冷卻元件3〇，而 85940 -18- 1248559 而要傳运通過-較大的絕緣材料部分（在片材帶之頂部邊 緣2la與冷卻元件3G之間需要—絕緣材料薄層，以防止在線 圈之各別匝圈之間發生短路）。 一不銹鋼板35可連結至片材帶21之下邊邊緣加，以防止 ^圈因任何撞擊而受損。當線圈用作為-爲平馬達之-部件 :’這將特別有用，在此例巾，線圈必須加以保護，以避免 譬如與扁平馬達之定子相碰撞而受損。較佳地，當致動器或 馬達包含-個以上之線圈時…板體35可覆蓋所有的線圈， 而非針對每一線圈來提供一分離的板體。舉例來說，扁平馬^ 達可包含一磁板及一包含有不同線圈單元之原動器，每一線 圈單元包含複數個線圈。圖6概要描示此一扁平馬達的可行 配置。馬達（40)之磁板係以構成一正方形圖案之對角線所表 示。扁平馬達之原動器或平移器係概要地描示為配置在四個 線圈單元（50, 60, 70, 80)中之十二個線圈，每一線圈單元 包含三個線圈（50」’ 50.2, 50.3)。此一扁平馬達配置相當適 合使用在真空應用中，因為馬達可以產生用以加速及減速之 水平力，且亦可以產生一垂直力以使原動器由磁板上浮起，胃 俾使其可以無摩擦地在水平面上移動。因此，便不需要一獨 立的軸承。在馬達用以產生一垂直力以飄浮在磁板表面上的 例子中，原動器之重量必須儘可能保持較低，因為在操作期 間必須在100%的作用周期中提供此一垂直力。頃發現使用輕 重量的鋁鎘線圈相當適合上述的應用場合。此一扁平馬達之 更多資訊可以在國際專利WO 01/18944A號中發現，該案内 容在此援引為參考。或者，該板體35亦可以由其他材料所製 85940 -19- 1248559 成。 為了增進由一致動器及或馬達所提供之作用力的效率，可 在線圈中增添—鐵磁性ϋ例來說，線圏可以捲繞在該 匕體上，且在此例中，該心體係對正於該線圈之繞轴。心體 可以由層壓、粉末或固體鐵塊或鐵磁性合金所製成。在提供 多於一個線圈的應用場合中（例如，若致動器具有一個以上 之相位時）’則每一線圈可具有一各自的心體或者諸心體可 以連接在一起。 在本發明之一變化型式中，可使用在習知線圈中所使用之 導線線圈，但具有片材嵌設於其中。該片材在定位裝置之空 間填充因數中具有相當小的體積，但可提供通過該線圈之直 接熱路徑，以將線圈中所產生熱移除。在一較佳實施例中， 所使用之片材為鋁，因為其具有良好的導熱特性，且在其表 面上易於形成一氧化層，以提供線圈之間的電氣絕緣。由氧 化銘所形成之機械強度相當強的絕緣層，係可降低絕緣損壞 的風險。片材亦可在捲繞導線以構成線圈的同時增添至線圈 中。一層或多層片材亦可以配置在線圈之匝圈層之間，使得 該片材垂直於該線圈之繞軸。或者及/或額外地，片材帶亦 可平行於該繞軸，使得每一帶體垂直於一本身垂直於該繞軸 之平面。舉例來說，此類帶體可以定位在線圈的某些較片材 還要靠近繞軸之匝圈（内部匝圈）以及某些較遠離該繞軸之阻 圈（外部匝圈）之間。帶體可包含大致呈長直狀的片材部分， 或者可包含隨線圈彎曲之部分。如前所述，片材帶可以連接 至一冷卻元件。在片材帶係平行於線圈之繞軸的例子中，針 85940 -20- 1248559 對渴流而言，这可本士、_ ^ 形成一更為增進的行為。在渦流中之變化 可以增進致動器或馬達之動態行為。 ^ ®以上已說明本發明之特定實施例，然應瞭解本發明能 以上述以外的方式來實施。以上之說明並非用以侷限本發 明0 又 【圖式簡單說明】

圖1係描示依照本發明之一實施例之微影投影裝置； 圖2係以截面圖描示一習知線圈； 圖3係以立體視圖描示一依照本發明之線圈； 圖4係以平面視圖描示依照本發明之線圈； 圖5係沿截面AA描示圖4所示之線圈；及 圖6係概要描示依照本發明之不同線圈單元。 在諸圖式中，相同的元件符號係標示相同的部件。 【圖式代表符號說明】

10 線圈 10 b 下方侧邊 11 銅導線 12 電氣絕緣材料 13 材料 14 冷卻元件 15 環境 20 線圈 21 帶體 21a 頂部邊緣 85940 -21- 1248559 21b 下方邊緣 22 繞軸 25 非導電性層 30 冷卻元件 31 入口 32 出口 35 板體 40 馬達 50 線圈單元 50.1-50.3 線圈 60,70,80 線圈單元 AM 調整裝置 C 目標部分 CO 聚光器 Ex 照射系統 IF 干涉測量構件 IL 照射系統 IN 積分器 LA 照射源 MA 光罩 MT 光罩檯 PB 投影光束 PL 一 早兀 W 基板 -22- 85940 1248559 WT 基板 D1 片 材 D2 線 圈 D3 帶 體 D4 線 圈 檯 之厚度 之最大外部寬度 之寬度 之最大外部長度 -23 - 85940

Claims (1)

1. 梦中請案 祕:.03.气. —-中文申·請_專利範圍^換本(94年3月） 拾、申請專利範圍： 1 · 一種微影投影裝置，包含： 一照射系統，其用來供應一投影輻射束； 支撐、、Ό構，其用來支撐圖案形成構件，該圖案形成構 件用來使該投影束依據一所需圖案來形成圖案； 一基板檯，其用來支承一基板； -投影系統，其用以將該圖案光束投射在該基板之一目 標部分上；及 一定位裝置’用以定位該切結構及該基板檯之至少其 中一者，其特徵在於該定位裝置包含一扁平馬達，該扁; 馬達具有一定子及一平移器，該定子與該平移器之其中— 者包含一週期性磁鐵結構，而該定子與該平移器之另—者 則包含複數個可承載-電流之線圈，該線圈包含 片材之帶體。 2.根據申請專利範圍第丨項之微影投影裝置，其中該導電性 片材之帶體係捲繞於一繞轴，以形成用以承载該電流 圈。 、、、瓦 3·根據申請專利範圍第丨或2項之微影投影裝置，其中該導 性片材為銘。 ’ 4·根據申請專利範圍第3項之微影投影裝置，其中該線圈之 連續E圈係由一非導電性氧化紹層將其彼此隔開，且該^ 導電性氧化鋁層係整合於該片材之表面。 5·根據申請專利範圍第4項之微影投影裝置，其中該氧化鋁 層之厚度為至少5微米。 85940-930329.doc 1248559 6·根據申請專利範圍第2項之微影投影裝置，其中該片材帶 在大致垂直於該繞軸之厚度方向上相較於在大致平行於 該繞軸之寬度方向上係明顯較窄。 7·根據申請專利範圍第2項之微影投影裝置，其中該片材在 大致垂直於繞軸之厚度方向上係具有介於5〇微米至15〇微 米之間的厚度。 8.根據申請專利範圍第2項之微影投影裝置，其中該片材在 大致垂直於繞軸之厚度方向上係具有6〇微米之厚度。 9·根據申請專利範圍第2項之微影投影裝置，其中該導電性 片材之帶體在大致平行於繞軸之方向上係具有介於3毫米 至20毫米之間的寬度。 1〇·根據申請專利範圍第1或2項之微影投影裝置，其中該扁 平馬達尚包含一冷卻元件連結至該導電性片材且與該導 電性片材形成熱接觸。 11 ·根據申請專利範圍第1或2項之微影投影裝置，其中該扁 平馬達尚包含一碰撞保護構件連結至該線圈的一側邊而 構成一垂直於繞軸之平面。 12.—種微影投影裝置，包含·· 一照射系統，其用來供應一投影輻射束； 一支撐結構，其用來支撐圖案形成構件，該圖案形成構 件用來使該投影束依據一所需圖案來形成圖案； 一基板檯，其用來支承一基板； 一投景夕系統，其用以將該圖案光束投射在該基板之一目 標部分上；及 85940-930329.doc 1248559 一致動器，用以當一電流通過該致動器之一線圈時，可 在該裝置中之兩元件之間提供一作用力； 其特徵在於該線圈係一捲繞於一繞軸之導線線圈，且 導電性片材之帶體係欲設在導線線圈中，使得直大致平/一 吞亥線圈之繞轴。 13·根據申請專利範圍第12項之微影投影裝置，其中該帶體 係由紹片材構成。 14·根據申請專利範圍第13項之微影投影裝置，其中一整人 在該鋁片材之表面上之非導電性氧化鋁層係形成在該^ 片材之表面上。 15. 根據申請專利範圍第14項之微影投影裝置，其中該氧化 鋁層之厚度為至少5微米。 16. 根據申請專利範圍第12項之微影投影裝置，其中該致動 器尚包含一冷卻元件連結至該導電性片材且與該導電性 片材形成熱接觸。 17·根據申請專利範圍第12項之微影投影裝置，其中該片材 具有介於50微米至150微米之間的厚度。 18.根據申請專利範圍第12項之微影投影裝置，其中該片材 具有60微米之厚度。 L置，其中該導電 上係具有介於3毫 19·根據申請專利範圍第12項之微影投影裝 性片材之帶體在大致平行於繞軸之方向 米至20毫米之間的寬度。 20.—種元件製造方法，其包含以下之步 一輻射敏感材料層所 提供一基板，該基板至少部分地由一 85940-930329.doc 1248559 覆蓋； 利用一照射系統來提供一輻射投影光束； 利用圖案形成構件來使該投影光束在其截面上具有一 圖案； 將該具有圖案之輻射光束投影在該輻射敏感材料層之 一目標部分上； 其特徵在於藉由將一電流通過位在一致動器中之線 圈，而在該元件製造裝置中之元件之間產生一作用力；其 中該線圈係包含一導電性片材之帶體。 85940-930329.doc