TWI247820B - Method to manufacture substrate, magnetron source and sputter coating room - Google Patents

Description

1247820 A7 ___B7___ 五、發明說明（1 ) 本發明是有關於 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} •一種方法以製造根據申請專利範圍第1項序言之基 板， •一種方法以產生根據申請專利範圍第1 4項之磁控管 靶上基本上中央浸蝕輪廓， •一種根據申請專利範圍第1 5項之磁控管源， •一種根據申請專利範圍第1 7或1 8項前言之濺鍍塗層 室，以及 •根據申請專利範圍第25或26項之應用。 本發明是由此問題而產生，其本身是用於磁性及/或 磁性光學記憶板的基板濺鍍塗層中產生，其特別平坦， 並且是圓環形。因此使用同樣特殊之圓形或圓環形新狀 態中平坦的靶。此塗層以合金實施，其靶由塗層合金所 構成。 因此其本身顯示，在具有像是例如鈷（Co)或鉑（Pt)具 有不同重的金屬的合金靶的濺鍍中，獲得在基板平面中 的分解（de-m1X)。其結果踏化學計量之不均勻的分佈， 其爲在基板上半徑座標的函數。其結果是在磁性或磁性 ^光學記憶體晶圓中抗磁力之不均勻的分佈。 ί 本發明首先的目的是特別將此問題解決。因此非常一 ί 般性地將此問題解決。在基板上，其可以相當平坦並且 ί 是圓環形或圓盤形，然而並非必須如此（在由靶製造塗 ί 層之中，此靶由不同重的元素所製的化合物所構成）， [並且此靶雖然在基本上可以是圓環形或圓盤形或平坦， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1247820 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 _ 五、發明說明（2 ) 但是並非必須如此（在此塗層上達成較重元素成份與較 輕元素成份之間之比例之所欲位置之分佈。這應該因此 通常還用於非圓盤形或圓環形的基板及/板非平坦的基 板而獲得，或在新使用狀態中的非圓環形或圓盤形或不 平坦的靶的任何組合中獲得。此外，此分解（de-nux)問 題，雖然是由金屬產生，通常應該是以不同重的元素而 解決。 此外，其目的位置主要是由於靶化合物之層（因此尤 其是合金層）的沈積。然而於此所提到的分解現象在 反應過程中可以以非所欲的方式作用，關於本發明，此 反應性之濺鍍塗層，是由所考慮之化合物的靶（尤其是 合金靶）所製成。 因此其再度特別有關於在塗層中的層，其包括此靶的 合金金屬，其本身依照重量比例，在基本上如金屬Pt 與Co所表現，（因此尤其是用於具有Pt、Co或Tb、

Fe、Co或Tb、Gd、Fe、Co之層的沈積），而將所提到 的問題解決。 此根據本發明所設置的目的通常是根據申請專利範圍 第1項的特徵而達成。因此，由此理解而得知，此等較 重的金屬較佳並且是對於其在濺鍍區域中之垂直平面， 在統計上是較比較輕的金屬以較大的角度釋出。此時根 據本發明而因此算出，此在基板的層上靶合金金屬之比 例之局部分佈，其藉由對於形成電子捕捉（trap)之磁控 管磁場與基板之幾何配置之互相選擇，而至少可以近似 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂----— In 1247820 A7 ___B7___ 五、發明說明（3 ) 此比例之上述局部分佈。 因此針對根據申請專利範圍第3或4項的本文而建議 措施，將此所提到的在基板上較佳是金屬的重元素對輕 元素的比例局部地增加或減少。緊接著是申請專利範圍 第5項之本文，較佳是以增加與減少兩個所提到的措 施，而力求所欲的分佈。因此還同時達成在基板上層厚 度的分佈，由於使用所存在的位置自由度還可以被調 整，尤其是可以均勻化。 根據本發明方法的較佳實施形式是在申請專利範圍第 6至1 3項中詳細說明。 因此顯示根據本發明之最大目的，尤其是在上述平坦 圓環形或圓盤形基板的特殊塗層，是由在新狀態中之平 坦的，同軸、圓盤形或圓環形的靶所構成。在靶的中央 設有靶的侵蝕區。對此在此較佳的情況而取消使用此圓 環形的靶。根據申請專利範圍第1 4項本文的方法詳細 說明，如在基本上在靶上如何製成中央侵蝕區。 在申請專利範圍第1 5與1 6項中再度詳細說明根據本 發明的磁控管源，其磁鐵配置是設計用於實現在靶上之 中央侵蝕輪廓。 申請專利範圍第1 7或1 8項詳細說明濺鍍塗層室，其 用於圓盤形或圓環形平坦的基板，而由在新狀態中的圓 盤形或圓環形同軸的靶所產生，在其中詳細說明在基板 上的幾何比例以獲得在基板上所提到比例之有關均勻形 狀的較佳分佈。此濺鍍塗層室的較佳實施例是在申請專 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂---------線1 1247820 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ B7 _ 五、發明說明（4 ) 利範圍附屬項第1 9至24項中詳細說明。 本發明在其所有的觀點下’即製造方法、濺鍍方法、 磁控管源與濺鍍塗層室的觀點下，此緊接著的申請專利 範圍第2 5項之本文尤其適合用於在磁性或磁性光學記 憶體基板上之記憶體層之沈積，或者用於具有至少包括 PtCo、TbFeCo或GdFeCo合金層之基板塗層。 在以下的說明中，依據將所使用的觀念定義而說明根 據本發明所熟知的現象，將根據本發明有關的措施作詳 細說明。 圖式之簡單說明 第1圖是不同重的金屬之濺鍍發射品質特性曲線，用 於界定所使用的觀念。 第2圖根據槪要圖式說明的基板/磁控管源配置或濺 鍍塗層室，以在基板上產生金屬比例不均勻的分佈。 第3圖爲類似於第2圖的說明中，根據本發明之第一 措施之在靶上侵蝕與待塗層之基板表面之有關的幾何配 置。 第4圖在類似於第2或第3圖的說明中，根據本發明 之其他措施，以影響所提到的比例分配。 第5圖根據類似於第2至4圖之說明，一方面根據第 3與4圖將根據本發明措施組合而實現，而用於將放大 的基板塗層。 第6圖是在將根據第3與4圖的措施的組合中，在 Co/pt靶上根據本發明所實現之濺鍍侵蝕輪廓。 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂--------·線 1247820 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 因此產生在基板7上V之曲線或分佈，如同樣在第2 圖中純粹以數量方式所產生。這在基本上是由以下所造 成，此在相對於侵蝕輪廓9的基板區域中有相當多的輕 的元素或金屬L沈積’其較較重的元素或金屬s沈積爲 多，此侵蝕輪廓是與基板區域對照，此基板區域是相對 於侵蝕溝渠9或通常的侵餽區域徑向地向內或向外移 動。 因此此時根據本發明是明顯，在基本上藉由改變或固 定基板7與在靶6上侵蝕區9的相對幾何配置在考慮到 元素重量或金屬重量具有不同的發射分佈或發射角度α 的情況下，此沿著基板而沈積的層上之元素或金屬比例 V之位置分佈是可以調整的。 當考慮到彎曲的基板表面及/或彎曲的靶表面，以及 不同成形的基板，如圓盤形、矩形、橢圓形等，或是同 樣成形的靶表面或在以上所實現的侵蝕輪廓時，則對以 上所提到的相對之幾何配置可以首先作全面之一般性的 瞭解。 在此現存的較佳是令人注意的情形中的圓盤形基板， 更較佳是平坦，以及在塗層中借助於對此同軸配置之圓 環形或圓盤形之靶，其同樣較佳是在新的狀態中之平 坦，藉由上述的尺寸r、d、Re或Rh而產生所提到之幾 何相對配置。 此外必須強調，此所說明的分解現象還有然後發生並 且本身產生影響，當由此所提到的特性的靶（其由元素 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1247820 A7 ___ Β7 五、發明說明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 化合物或金屬合金所構成），藉由反應性濺鍍而在基板 上沈積一層，其此時不再是化合物，而是在一個藉由反 應性製程所本身產生的化合物中，其包括靶之元素或合 金金屬。因此在此情況下V稱爲元素或金屬比例，並且 不稱爲合金比例。 本發明如一開始所提到的是由需求所產生圓盤形平坦 的基板，如同特別用於磁性或是磁性光學記憶體應用， 其具有合金層被濺鍍塗層，並且更確切的說不但具有V 均勻的分佈，而且還具有相同形狀的層厚度分佈。然後 說明根據本發明以上的描述以達成此目的，其中對於有 關的專家設有其他的可能，其相對應於以上對於反應性 製程或對於塗層之描述所不一樣所形成的基板及/或從 不一樣所形成的磁控管靶而配置。 此在第3圖中對於根據第2圖已經標示的位置使用相 同的參考符號。若相較於第2圖，在根據本發明的配置 中根據第3圖，此靶侵鈾區或此圍繞的侵蝕溝渠9相對 於基板7的邊緣區域對於軸A徑向的向外移動。其產生 RE>r 或 Ror (1) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此尤其是

ReDi:或 Rn>i.2r 因此參考第2圖，根據本發明使用區域E!用於基板塗 層，而將Re或Rh與d視爲恆定。 基本上藉由磁控管侵蝕區9對於基板邊緣區域的向外 移動，此在邊緣區域中之基板塗層上的比例V提高：此 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ~ 1247820 A7 _____B7_ 五、發明說明（9 ) 沈積的重元素或金屬S的成份，相對於所沈積的輕元素 或金屬L的成份而增加。 在第4圖中是以類似描述第2與3圖的方式說明另一 個用於根據本發明的措施。因此靶6是在中央區域中 (如同以侵蝕輪廓9 ’說明）被侵鈾。依據對於軸A的角 度α，比例V朝向基板中央（因此在減少的基板半徑 中）減少，而愈來愈少的重元素或金屬S沈積。 因此根據第3與4圖特別有兩個措施供使用。若其如 根據本發明尤其較佳將其組合，因此藉由上述根據第3 圖對於朝向基板7的邊緣區域比例V增加，並且藉由上 述根據第4圖朝向基板中央比例V減少。而且經由此組 合在基板上產生層厚度的均勻分佈。 以上根據第4圖是取決於沒有中央洞孔之靶的設計， 並且借助於一爲此設計的磁控管磁場，而在靶的中央區 域中實現電子捕捉，這無論如何是不尋常的。關於此以 下會再述及。 對於平坦圓盤形的基板，以及對此同軸配置之此靶， 爲了比例V之均勻（尤其是對於元素，因此特別是金 I 屬，其重量本身至少近似如Co與Pt所表現者），它尤 f 其是用於具有CoPt或TbFeCo合金的塗層，尤其是用於 I 磁性或磁性光學記憶體的應用，而建議以下的尺寸： | · 1.2r ^ Re ^ 5r

L | 較佳是 · 1.2d RES 21· r ^ 或 者 · 1.2r^ RhS 5r (la) P -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .f. -------訂—-------線邊 1247820 A7 __B7___ 五、發明說明（12 ) 其產生另外在第7圖中所說明的V-輪廓（a)。在第7 圖中是另外一個在基板半徑r上中所產生虛線的V輪 廓’這是當在相同的配置上沒有中央侵蝕輪廓9，根據第 4圖而實現時而產生。因此在此時輕易地明顯，一方面 應用此根據本發明之上述依據第4圖之非常大的效果， 以及參考第2圖，使用對於基板7塗層之本質，此基板 具有r<RE或r<RH的範圍。 在第8圖中是說明所產生的塗層率分佈。 如所提到的這是不尋常，在磁控管源的靶的中央中形 成電子捕捉。在第9圖的俯視圖中說明根據本發明磁控 管源的磁鐵配置。它包括在承載盤1 〇上一外部磁環1 2 與一內部磁環1 4。此外部磁環1 2是在軸A的方向中極 化，而內部磁環1 4與此有關的是在相反的方向中極 化’如在弟8圖中所顯不者。迨在根據第8圖的俯視圖 中在靶上產生隧道形狀延伸的磁場Η 9，此經由承載盤 1 〇的作用（其由可磁化材料製成而作爲磁性短路）而增 強。 爲了實現在靶中央之電子捕捉，以產生此同樣在第6 圖中所顯示的侵蝕輪廓9 ’，此內部磁環1 4，其本身圍繞 著軸Α延伸，因此彎曲成腎形，使得軸Α的外部存在著 此被磁環1 4包圍的表面。而一方面，外部磁環1 2具有 一個一直向軸A區域中延伸的輪輻1 6。此所造成的磁 場Η 9 ’同樣地在中央區域中產生。 在此時可進一步的考慮，此在第8圖中所描述的磁鐵 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--I I I ! % 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1247820 A7 ___B7 五、發明說明（13 ) 配置，較佳是以永久磁鐵實現，如同以W說明，其在固 定的靶下圍繞著軸A而傳動，因此是明顯，一方面在介 於基本上同軸圍繞的兩個磁環1 2與1 4之間區域產生電 子捕捉隧道（tunnel)場，其造成侵蝕溝渠9。並且在內部 磁環1 4之被彎曲成腎形的區域與輪輻1 6上產生一中央 場，其造成在基本上呈鐘形的中央侵蝕輪廓9 ’。 因此補充說明，因此輪輻1 6不是經由軸A而通向外 面，此在第9圖中以Μ所標示之輪輻之最內磁極，是對 於軸Α稍微的偏心而圍繞著軸A，其有利地導致，此靶 的中央決定性地被侵鈾。如同在第1 0圖中所槪要圖式 說明，是絕對的可能，根據本發明以第一與第二磁環 12’與14’，以實現用於侵蝕溝渠9的磁場，藉由磁環 14”與中央磁鐵配置以實現磁場以產生中央侵蝕輪廓 9’。在此情況中此中央磁鐵12"是對於A軸稍微偏W地 配置。 以此根據本發明之以上說明，而根據本發明的方法及 /或使用根據本發明的磁控管源，或是根據本發明的磁 控管濺鍍室，是可能由此靶（其由兩種或多種不同的重 金屬所製成的合金所構成）須將基板塗層，使得所沈積 之合金金屬的表面分佈達成所欲的分佈，尤其是恆定的 分佈。這不但是在反應性的製程中，而且尤其在非反應 性的製程中，在其中沈積金屬合金層。這在製造磁性或 磁性光學記憶體晶圓中特別有利，其中此所沈積的合金 屬的抗磁力是依據合金的成份V而變化。 -15 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，裝--------訂---------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1247820 A7 _B7 14 五、發明說明（) 符號說明 3…濺鍍表面 5…表面 6…靶 7…基板 9…侵蝕溝渠 1 0…承載板 11…磁性隧道場 1 2…磁環 1 4…磁環 1 6…輪輻 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂---------線逢 堅齊srfeo曰慧讨菱荀員31肖費&口阼fi印製 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1247820 — 氣束贺At -—___ !___ 六、申請專利範圍 第90 1 02 1 7 5號「製造基板所用之方法，磁控管源，與濺 鍍塗層室」專利案 (94年4月修正） 六申請專利範圍 1. 一種製造環形或圓形平面式基板所用之方法，其具有 外徑且塗佈一種由至少兩個不同重量之元素所構成的 材料之層，該基板具有定値之厚度且該材料中較重元 素對較輕元素之比（rat io)沿著基板表面成定値之分 配，其特徵爲， 由靶表面以磁控管濺鍍一種具有至少該二種元素 之材料，因此在靶表面上產生至少一種侵鈾輪廓，其 沿著圓形之軌跡對該靶表面之中央具有最大之深度且 具有一種輪廓半徑以及在該中央中另產生第二侵蝕輪 廓； 置放該基板使其待塗層之一表面位於該相面對且 相平行之靶表面之某一距離處且以該中央作爲中心； 選取至少一侵蝕輪廓之輪廓半徑使大於該基板之 外徑； 以包含該材料之該層來塗佈該基板之表面。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該至少二種元素 是金屬。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該材料之層之材 料是金屬合金。 1247820 六、申請專利範圍 4.如申請專利範圍第1項之方法，其中另包含產生多於 1個之侵蝕輪廓所需之步驟，各侵蝕輪廓沿著圓形軌 跡對該中央具有最大之深度。 5·如申請專利範圍第 1項之方法，其中包含選取該輪 廓半徑（RE)所需之步驟，該外徑（r)適用： 1 .2rS(RE)S5r。 6·如申請專利範圍第1項之方法，其中在未濺鍍之情 況下另包含置放該基板所需之步驟，使基板位於距該 靶表面某一距離d處且相對於基板之外徑（r )選擇該 距離d使符合如下之關係： r/2SdS3r。 7·如申請專利範圍第1項之方法，其中在新條件下另包 含置放該基板所需之步驟，使基板位於距該靶表面 某一距離d處，且選取該輪廓半徑使較該外徑還大八 RE，因此 0 · 33dSARE。 8·如申請專利範圍第1項之方法，其中另包含產生至少 兩個侵蝕輪廓所需之步驟，其沿著圓形之軌跡對該 靶表面之中央具有最大之深度，該靶表面之半徑是 依序之各軌跡之半徑之差ΛρΕ，且在新條件下使基板 置於距該靶面某一距離d處，且選取： △ pES2d 。 9·如申請專利範圍第1項之方法，其中施加隧道形之磁 1247820 六、申請專利範 圍 場 而 在 中 央 產 生該侵蝕輪廓，各磁場線在中央之二 側 存在 於 靶 表 面 上且分別穿過靶表面且以離心方式對 該 中 央 沿 著 靶 表 面另使該磁場旋轉。 10. 如 串 Ξ主 5円 專 利 範 圍第1項之方法，其中在靶表面下方 另 設 有 磁 鐵 配 置 ，該配置包含：第一磁鐵回路（loop) 其 垂 直 於 該 濺 鍍表面而圍繞該中央軸且經由中央； 第 二 磁 鐵 回 路 ， 其是腎形的且未圍繞該軸，且各磁鐵 設 置 成 由 第 一 回 路在徑向中朝向第二回路外部之軸以 及 相 對 於 該 靶 表 面對該軸相對地旋轉該磁鐵配置。 11. 如 串 請 專 利 範 圍第1項之方法，其中該至少二種元 素 選 白 Pt，Tb ，F( 3，Gd，Co 〇 12. — 種 磁 控 管 源 ，其具有一靶（6 )與一在此靶反面所 設 之 圍 繞 著 垂 直 於靶之新表面之軸（A )而傳動之移動 式 磁 鐵 配 置 其特徵爲 此 磁 鐵 配 置 至少包括一個至少在一區段中圍繞該 軸 而延伸 之 磁 環 (1 4，1 4 ”），以及包括一在旋轉軸區域 (Α) 中 ( 與 其 相 關 的徑向偏移）的磁鐵（Μ，1 2 ”）。 13. 如 串 請 專 利 範 圍第1 2項之磁控管源，其中此磁環 14 本 身 以 腎 形 方 式圍繞著旋轉軸（Α)而延伸，其未包 圔 該 旋 轉 軸 (Α) ，且對於此磁環（1 4)在徑向外部設有至 少 另 外 — 個 磁 環（12)，其圍繞著旋轉軸（Α)，其中 此 磁 鐵 (M :，1 2 π )藉由一另一磁環（12)在第一次所提到 之 fe 環 (14)之 腎 形凹處中徑向凹進之輪輻形的磁鐡配 -3- 置 1247820 六、申請專利範圍 (1 6 )之位於末端的磁鐵（Μ )所形成。 14. 一種具有磁控管源之濺鍍塗層室，此磁控管源具有圓 盤形或圓環形之平面靶（6 )與基板托座以容納圓環形 或圓盤形基板（7 )，其是與靶（6 )同軸（A )且與其相隔 開，此磁控管源產生至少一同軸之圍繞此軸的磁控管 場（H9)，其特徵爲 對與靶之新表面平行之最大場強度（Hmax)之圓形位 置之徑向距離RH與基板半徑r而言適用： 1 . 2r 5r 或 1 · 2r SRH$2r。 15. —種具有磁控管源之濺鍍塗層室，此磁控管源具有圓 盤形或圓環形之平坦之靶（6 )與基板托座以容納圓環 形或圓盤形基板（7)，其是與靶（6)同軸（A)且與其相 隔開，此磁控管源產生至少一同軸之圍繞此軸的磁控 管場（H9)，其特徵爲， 對共軸的侵蝕溝渠（9)之最大侵蝕深度（Emax)之位 置之半徑re與基板之半徑1而言適用： 1 . 2r 5r 或 1 .2rSRES2r。 16. 如申請專利範圍第1 4項之濺鍍塗層室，其中對於基 板半徑r與待塗層之基板表面與靶之新表面之間的距 離d適用： r / 2 ^ d ^ 3 r -4- 1247820 六、申請專利範圍 或 r/2Sd^2r。 17.如申請專利範圍第1 5項之濺鍍塗層室，其中對於基 板半徑r與待塗層之基板表面與靶之新表面之間的 距離d適用： r / 2 ^ d ^ 3 r 或 r / 2 S d S 2 r。 18·如申請專利範圍第1 3項之磁控管源，其中就靶上最 大侵蝕深度（Emax)之以同軸方式圍繞該軸（Α)之位置 之半徑RE之在基板半徑r上之突出距離ARE和由靶 之新表面至待塗層之基板表面之距離d而言適用： 0. 33d^ARE^4d 或 0· 33dSARES2d。 1¾如申請專利範圍第1 4項之磁控管源，其中就最大侵 蝕深度（Emax)靶上之以同軸方式圍繞該軸（A)之位置 之半徑RE之在基板半徑r上之突出距離ARE和由靶 之新表面至待塗層之基板表面之距離d而言適用： 0. 33d^ARE^4d 較佳是 0. 33dSARES2d。 20.如申請專利範圍第1 5項之磁控管源，其中就靶上最 大侵蝕深度（Emax)之以同軸方式圍繞該軸（A)之位置 之半徑RE之在基板半徑r上之突出距離ARE和由靶 之新表面至待塗層之基板表面之距離d而言適用： 0. 33d^ARE^4d 1247820 六、申請專利範圍 或 0. 33dSARE€2d。 21. 如申請專利範圍第1 3項之磁控管源’其中就平行於 靶之新表面之最大磁場強度（Hmax)以同軸方式圍繞該 軸（A )之位置之半徑RH在基板半徑r上之突出距離△ RH和在此待塗層之基板表面與靶之新表面之間之距 離d而言適用： 0.33d^ARH^4d 或 0.33dSARH$2d。 22. 如申請專利範圍第1 4項之磁控管源，其中最大之平 行於靶之新表面之磁場強度（Η^χ)以同軸方式圍繞該 軸（A )之位置之半徑RH在基板半徑r上之突出距離△ RH和在此待塗層之基板表面與靶之新表面之間之距離 d而言適用： 0 . 33d^ARH^4d 或 0.33dSARH$2d。 23. 如申請專利範圍第1 5項之磁控管源，其中就平行於 靶之新表面之最大磁場強度（Hmax)以同軸方式圍繞該 軸（A )之位置之半徑RH在基板半徑^•上之突出距離△ RH和在此待塗層之基板表面與靶之新表面之間之距離 d而言適用： 0.33d^ARH^4d ' 或 0.33dSARHS2d。 24. 如申請專利範圍第1 3項之磁控管源，其中在靶上對 1247820 六、申請專利範圍 軸成共軸而設有至少兩個侵蝕區（9, 9a，9’），且對於 最大侵触（Emax)之位置之徑向距離ΔρΕ和此待塗層之 基板表面與靶之新表面之間的距離d而言用： △ PES2d 或適用 dSApES2d。 25.如申請專利範圍第 1 4項之磁控管源，其中在靶上對 軸成共軸而設有至少兩個侵蝕區（9，9 a，9 ’），且對於 最大侵蝕（Emax)之位置之徑向距離ΔρΕ和此待塗層之 基板表面與靶之新表面之間的距離d而言用： △ pES2d 或適用 d$ApES2d。 26如申請專利範圍第 1 5項之磁控管源，其中在靶上對 軸成共軸而設有至少兩個侵蝕區（9，9 a，9 ’），且對於 最大侵蝕（Emax)之位置之徑向距離ΔρΕ和此待塗層之 基板表面與靶之新表面之間的距離d而言適用： △ pE$2d 較佳是適用 d$ApES2d。 27.如申請專利範圍第 1 3項之磁控管源，其中此磁控管 源在靶上產生至少兩個同軸之徑向相隔開的隧道場， 且對於平行於靶之新表面之最大場強度位置與在待塗 層之基板表面與靶之新表面之間的距離d而言適用： ΔρΗ^ 2d 或 (^△pHS2d。 1247820 六、申請專利範圍 28. 如申請專利範圍第 1 4項之磁控管源，其中此磁控管 源在靶上產生至少兩個同軸之徑向相隔開的隧道場， 且對於平行於靶之新表面之最大場強度位置與在待塗 層之基板表面與靶之新表面之間的距離d而言適用： ΔΡη ^ 2d 或 dSApHS2d 〇 29. 如申請專利範圍第 1 5項之磁控管源，其中此磁控管 源在靶上產生至少兩個同軸之徑向相隔開的隧道場， 且對於平行於靶之新表面之最大場強度位置與在待塗 層之基板表面與靶之新表面之間的距離d而言適用： △ pHS2d 或 d S △ pH S 2d 〇 30. 如申請專利範圍第 1 4項之鍍塗層室，其中具有如 申請專利範圍第1 2或1 3項之磁控管源。 31. 如申請專利範圍第1 5項之濺鍍塗層室，其中具有如 申請專利範圍第1 2或1 3項之磁控管源。 32如申請專利範圍第1至1 1項中任一項之方法，其中 製成磁性光學記憶體基板且此層是記憶體層。 33. 如申請專利範圍第9項之方法，其中以磁控管靶在磁 性光學記憶體基板上沈積至少一記憶體層。 34. 如申請專利範圍第 1 2或1 3項之磁控管源’其係用在 磁性光學記憶體基板上沈積至少一記憶體層。 35如申請專利範圍第 14至 20項中任一項之濺鍍塗層 1247820 六、申請專利範圍 室，其係用在磁性光學記憶體基板上沈積至少一記憶 體層。 36.如申請專利範圍第 32項之方法，其中沈積一種合金 層，其至少包含PtCo、TbFeCo或GdFeCo。 1247820 ί

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第1圖

第2圖