TWI247199B - Cleaning solution for removing photoresist and method of forming photoresist patterns - Google Patents
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- TWI247199B TWI247199B TW091135939A TW91135939A TWI247199B TW I247199 B TWI247199 B TW I247199B TW 091135939 A TW091135939 A TW 091135939A TW 91135939 A TW91135939 A TW 91135939A TW I247199 B TWI247199 B TW I247199B
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 11
- -1 alcohol amine Chemical class 0.000 claims abstract description 107
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 87
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 86
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 55
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims abstract description 11
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 6
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 162
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 159
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 84
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 37
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 20
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 19
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 claims description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 8
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 8
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 7
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000005233 alkylalcohol group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical compound ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 5
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 5
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 claims description 5
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IAJILQKETJEXLJ-UHFFFAOYSA-N Galacturonsaeure Natural products O=CC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O IAJILQKETJEXLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 claims description 4
- GUBGYTABKSRVRQ-QKKXKWKRSA-N Lactose Natural products OC[C@H]1O[C@@H](O[C@H]2[C@H](O)[C@@H](O)C(O)O[C@@H]2CO)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O GUBGYTABKSRVRQ-QKKXKWKRSA-N 0.000 claims description 4
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IAJILQKETJEXLJ-QTBDOELSSA-N aldehydo-D-glucuronic acid Chemical compound O=C[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)C(O)=O IAJILQKETJEXLJ-QTBDOELSSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 4
- 239000008103 glucose Substances 0.000 claims description 4
- 229940097043 glucuronic acid Drugs 0.000 claims description 4
- VQHSOMBJVWLPSR-JVCRWLNRSA-N lactitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]([C@H](O)CO)O[C@@H]1O[C@H](CO)[C@H](O)[C@H](O)[C@H]1O VQHSOMBJVWLPSR-JVCRWLNRSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000832 lactitol Substances 0.000 claims description 4
- 229960003451 lactitol Drugs 0.000 claims description 4
- 235000010448 lactitol Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000008101 lactose Substances 0.000 claims description 4
- AQIXEPGDORPWBJ-UHFFFAOYSA-N pentan-3-ol Chemical compound CCC(O)CC AQIXEPGDORPWBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GUBGYTABKSRVRQ-XLOQQCSPSA-N Alpha-Lactose Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1O[C@@H]1[C@@H](CO)O[C@H](O)[C@H](O)[C@H]1O GUBGYTABKSRVRQ-XLOQQCSPSA-N 0.000 claims description 3
- 101100258315 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) crc-1 gene Proteins 0.000 claims description 3
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 3
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 3
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 claims description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N sulfamic acid Chemical compound NS(O)(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229950000244 sulfanilic acid Drugs 0.000 claims description 3
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 claims description 2
- 125000006230 (methoxyethoxy)ethanyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- RZEWIYUUNKCGKA-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethylamino)ethanol;octadecanoic acid Chemical compound OCCNCCO.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O RZEWIYUUNKCGKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WXXOHSFUHUTFKS-NBTZWHCOSA-N 2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethanol;(9z,12z)-octadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound OCCN(CCO)CCO.CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O WXXOHSFUHUTFKS-NBTZWHCOSA-N 0.000 claims description 2
- OUTDGOAVIJTVJZ-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethanol;tetracosanoic acid Chemical compound NCCO.CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O OUTDGOAVIJTVJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 claims description 2
- FOGYNLXERPKEGN-UHFFFAOYSA-N 3-(2-hydroxy-3-methoxyphenyl)-2-[2-methoxy-4-(3-sulfopropyl)phenoxy]propane-1-sulfonic acid Chemical compound COC1=CC=CC(CC(CS(O)(=O)=O)OC=2C(=CC(CCCS(O)(=O)=O)=CC=2)OC)=C1O FOGYNLXERPKEGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PSJBSUHYCGQTHZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methoxy-1,2-propanediol Chemical compound COCC(O)CO PSJBSUHYCGQTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NBPZRGJUSCQACJ-UHFFFAOYSA-N 4-methylbenzenesulfonate;tris(2-hydroxyethyl)azanium Chemical compound OCCN(CCO)CCO.CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 NBPZRGJUSCQACJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004166 Lanolin Substances 0.000 claims description 2
- CQXMAMUUWHYSIY-UHFFFAOYSA-N Lignoceric acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCC1=CC=C(O)C=C1 CQXMAMUUWHYSIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000021353 Lignoceric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 claims description 2
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 claims description 2
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N Tetraethylene glycol, Natural products OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 claims description 2
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 claims description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims description 2
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 2
- 229960001375 lactose Drugs 0.000 claims description 2
- 229940039717 lanolin Drugs 0.000 claims description 2
- 235000019388 lanolin Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 2
- KPSSIOMAKSHJJG-UHFFFAOYSA-N neopentyl alcohol Chemical compound CC(C)(C)CO KPSSIOMAKSHJJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002114 octoxynol-9 Polymers 0.000 claims description 2
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 claims description 2
- 229960004793 sucrose Drugs 0.000 claims description 2
- QZZGJDVWLFXDLK-UHFFFAOYSA-N tetracosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QZZGJDVWLFXDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UPCXAARSWVHVLY-UHFFFAOYSA-N tris(2-hydroxyethyl)azanium;acetate Chemical compound CC(O)=O.OCCN(CCO)CCO UPCXAARSWVHVLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 claims 4
- 125000005001 aminoaryl group Chemical group 0.000 claims 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 4
- BQJCRHHNABKAKU-KBQPJGBKSA-N morphine Chemical compound O([C@H]1[C@H](C=C[C@H]23)O)C4=C5[C@@]12CCN(C)[C@@H]3CC5=CC=C4O BQJCRHHNABKAKU-KBQPJGBKSA-N 0.000 claims 4
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims 3
- 229920001732 Lignosulfonate Polymers 0.000 claims 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 2
- 229960005181 morphine Drugs 0.000 claims 2
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 claims 2
- JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N pentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)O JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- FDDDEECHVMSUSB-UHFFFAOYSA-N sulfanilamide Chemical compound NC1=CC=C(S(N)(=O)=O)C=C1 FDDDEECHVMSUSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 1
- ICLYJLBTOGPLMC-KVVVOXFISA-N (z)-octadec-9-enoate;tris(2-hydroxyethyl)azanium Chemical compound OCCN(CCO)CCO.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ICLYJLBTOGPLMC-KVVVOXFISA-N 0.000 claims 1
- CMCBDXRRFKYBDG-UHFFFAOYSA-N 1-dodecoxydodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCC CMCBDXRRFKYBDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 108091079435 SIS family Proteins 0.000 claims 1
- NGFMICBWJRZIBI-JZRPKSSGSA-N Salicin Natural products O([C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](CO)O1)c1c(CO)cccc1 NGFMICBWJRZIBI-JZRPKSSGSA-N 0.000 claims 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 claims 1
- NGFMICBWJRZIBI-UHFFFAOYSA-N alpha-salicin Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1=CC=CC=C1CO NGFMICBWJRZIBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 claims 1
- DKSRNSSBMXOZAJ-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid;ethene Chemical compound C=C.CCCCCCCCCCCC(O)=O DKSRNSSBMXOZAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 125000002791 glucosyl group Chemical group C1([C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O1)CO)* 0.000 claims 1
- XJSJZUZNFSLTBZ-UHFFFAOYSA-N methanesulfonate;tris(2-hydroxyethyl)azanium Chemical compound CS([O-])(=O)=O.OCC[NH+](CCO)CCO XJSJZUZNFSLTBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 claims 1
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 claims 1
- 239000001397 quillaja saponaria molina bark Substances 0.000 claims 1
- NGFMICBWJRZIBI-UJPOAAIJSA-N salicin Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1OC1=CC=CC=C1CO NGFMICBWJRZIBI-UJPOAAIJSA-N 0.000 claims 1
- 229940120668 salicin Drugs 0.000 claims 1
- 229930182490 saponin Natural products 0.000 claims 1
- 150000007949 saponins Chemical class 0.000 claims 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims 1
- SEEPANYCNGTZFQ-UHFFFAOYSA-N sulfadiazine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)NC1=NC=CC=N1 SEEPANYCNGTZFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229960004306 sulfadiazine Drugs 0.000 claims 1
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 229940117013 triethanolamine oleate Drugs 0.000 claims 1
- 229960004418 trolamine Drugs 0.000 claims 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229910006069 SO3H Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 27
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 241000283153 Cetacea Species 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 description 2
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 2
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 230000007794 irritation Effects 0.000 description 2
- 231100000324 minimal toxicity Toxicity 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- HBXWUCXDUUJDRB-UHFFFAOYSA-N 1-octadecoxyoctadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCCCCCCCC HBXWUCXDUUJDRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAJAQTYSTDTMCU-UHFFFAOYSA-N 3-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1 ZAJAQTYSTDTMCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJIJTNCIZUNIND-UHFFFAOYSA-N CC1C(OC(C(O1)(N)C)(C)C)(C)C Chemical compound CC1C(OC(C(O1)(N)C)(C)C)(C)C IJIJTNCIZUNIND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 description 1
- 240000006394 Sorghum bicolor Species 0.000 description 1
- 235000011684 Sorghum saccharatum Nutrition 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003905 agrochemical Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- VJRITMATACIYAF-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonohydrazide Chemical compound NNS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 VJRITMATACIYAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZZBCNXVZFAIQX-UHFFFAOYSA-N bms-986260 Chemical compound ClC=1C=C(C=CC=1F)C=1N=CN(C=1C=1C=CC=2N(N=1)C(=CN=2)C#N)CCO VZZBCNXVZFAIQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000001804 emulsifying effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000002195 fatty ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-NJFSPNSNSA-N helium-6 atom Chemical compound [6He] SWQJXJOGLNCZEY-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- AYOOGWWGECJQPI-NSHDSACASA-N n-[(1s)-1-(5-fluoropyrimidin-2-yl)ethyl]-3-(3-propan-2-yloxy-1h-pyrazol-5-yl)imidazo[4,5-b]pyridin-5-amine Chemical compound N1C(OC(C)C)=CC(N2C3=NC(N[C@@H](C)C=4N=CC(F)=CN=4)=CC=C3N=C2)=N1 AYOOGWWGECJQPI-NSHDSACASA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003204 osmotic effect Effects 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N para-benzoquinone Natural products O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 description 1
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004072 triols Chemical class 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Description
!247199 a7 ___B7_ 五、發明說明(1 ) 發明背景 發明所屬之技術領域 所揭示者爲去除光阻劑樹脂之洗滌液’其係用以在顯 影後之最後程序期間淸洗半導體基材。更具體言之,所揭 示者爲一種去除光阻劑之洗滌液,其包含作爲主成分的水 (H20)、作爲添加劑之一或多種界面活性劑(其係選自 於聚氧化烯化合物、式1之醇胺與含羧酸(-COOH)基團 之碳氫化合物所成的鹽、式1之醇胺與含磺酸(-so3h) 基團之碳氫化合物所成的鹽、聚乙二醇化合物、式3之化 合物、包含式4之重複單元且分子量範圍從1〇〇〇至loooo 的化合物和經聚醚變性之矽化合物所組成的群組)及醇化 合物。 先前技術 隨著裝置日益縮小,光阻劑圖案也具有更高的長寬比 (光阻劑的厚度,所形成圖案的高/線寬)。 當所形成之光阻劑圖案高度超過臨界高度時,毛細力 便超過光阻劑的彈性,因而造成圖案在洗滌過程中的侵蝕 〇 爲解決這個問題,乃藉由增加光阻劑的內部彈性或降 低其表面張力來增強底層與光阻劑之間的黏合力。 一般而言’在半導體基材上形成光阻劑圖案的方法包 括下列步驟: 在半導體基材上形成一層底層; 度適用中 —(2W χ 2975^ --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1247199 , A7 ----B7_____ 五、發明說明(> ) 在該底層上形成光阻劑膜;及 利用曝光及顯影程序使一部份底層曝光而形成光阻劑 圖案。 因此,在正型光阻劑膜的情況中,曝光區域的光阻劑 膜藉顯影劑除去,然後形成光阻劑圖案。 如上所述,在光阻劑圖案顯影之後,則藉由自旋轉裝 置上方部分將水分散至半導體基材來去除殘留在半導體基 材上面的光阻劑膜。此時,圖案會因蒸餾水的高表面張力 而被侵鈾。 習知洗滌液包含陰離子型界面活性劑以避免高長寬比 光阻劑圖案的塌陷。舉例來說,US 6,451,565 ( 2002.09.17 )述及洗滌液含有含氟陰離子型界面活性劑與去離子水以 避免圖案的塌陷。 發明內容 發明摘述 所揭示者爲一種去除光阻物質之洗滌液,其降低表面 張力以避免光阻劑圖案的塌陷。 亦揭示者爲一種形成光阻劑圖案的方法,其係使用所 揭示之洗滌液來去除光阻物質。 亦揭示者爲利用上述方法所製得之半導體裝置。 圖式簡單說明 圖1至15是得自實施例32至46的光阻劑圖案照片。 _6__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 1247199 ____B7 __ 五、發明說明()〗) 圖16和Π是得自實施例47的光阻劑圖案照片。 圖18至24是得自實施例48至54的光阻劑圖案照片 〇 圖25和26是得自實施例55的光阻劑圖案照片。 圖27至33是得自實施例56至62的光阻劑圖案照片 〇 圖34是得自比較實施例1的光阻劑圖案照片。 實施方式 目前較佳具體實例之詳細說明 一種所揭示的去除光阻物質之洗滌液包含作爲主成分 的水(h2o)與作爲添加劑的一或多種界面活性劑’該界 面活性劑係選自於聚氧化烯化合物、式1之醇胺與含竣酸 (-COOH)基團之碳氫化合物所成的鹽、式1之醇胺與含 磺酸(-S03H)基圑之碳氫化合物所成的鹽、聚乙二醇化 合物、式3化合物、包含式4重複單元且具有分子量範圍 從1000至10000的化合物及經聚醚變性之矽化合物所組成 的群組。 [式1]
HO
__ 7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1247199 λ7 __Β7 五、發明說明($ ) ;-〇
此洗滌液進一步包含醇化合物。 在此,界面活性劑存在量範圍是整體洗滌液的約0.001 至約5重量%,較佳範圍是從0.3至5重量%。醇化合物 存在量範圍是整體洗滌液的0.01至1.0重量%,較佳範圍 是從1.7至10重量%。 當將低於0.001重量%的界面活性劑加入洗滌液時, 降低表面張力的效果會變差。當將超過5重量%的界面活 性劑加入洗滌液時,儘管用量增加,降低表面張力的效果 同樣會變差。此外,所使用之界面活性劑可能殘留而變成 晶圓上的沈積物。 當將低於0.01重量%的醇化合物加入洗滌液時,降低 表面張力的效果會變差。當將超過10重量%的醇化合物加 入洗滌液時,醇化合物本身會溶解光敏劑,因而使圖案塌 陷。 聚氧化烯化合物是不解離但溶於水的非離子型界面活 性劑,其在乳化、分散及滲透方面有優異的效果。此外, 聚氧化烯化合物因爲有較多的額外部分而具有較高的親水 性。然而,滲透作用、洗淨力、乳化分散力及發泡力等係 依用作底質的疏水部分種類而改變。 由於有優異的抗化學性,聚氧化烯化合物在酸性和鹼 9 __ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I I I I I I I 訂·11!! - *5^ · 1247199 A7 _ B7 _ 五、發明說明(b ) 性溶液中都很穩定,而且在由酸、鹼和鹽所組成的水丨谷g 中具有優異的界面活性。 聚氧化烯化合物由於與陽離子型、陰離子型及其他非 離子型界面活性劑有良好的相容性,而且即使僅使用少量 的此化合物仍具有優異的發泡力,故而具有效益。由於上 述優點,聚氧化烯化合物常在諸如織物、造紙、農用藥品 、醫療供應品、樹膠、塗料、樹脂和金屬加工廠等工業中 被用作洗滌劑、滲透劑、濕潤劑、乳化分散劑、發泡劑及 消泡劑。 聚氧化烯化合物係選自於下列各物所組成的群組_· 1) 聚氧乙烯烷基苯基醚; 2) 聚氧乙烯烷基醚; 3) 聚氧乙烯二醇脂肪酸酯; 4) 聚(氧丙烯-氧乙烯)嵌段共聚物; 5) 可用作消泡劑的聚氧化烯 6) 聚氧乙烯烷基胺醚;及 7) 聚氧化烯二醇單烷基醚·聚(氧丙烯-氧乙烯)二醇 的共聚物。 最好該聚氧乙烯烷基苯基醚係選自於聚氧乙烯壬基苯 基醚、聚氧乙烯辛基苯基醚及其組合所組成的群組。 最好該聚氧乙烯烷基醚係選自於聚氧乙烯月桂基醚' 聚氧乙烯油基醚、聚氧乙烯鯨蠘基醚、聚氧乙烯鯨躐基硬 脂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯辛基醚、聚氧乙嫌 十三基醚及其組合所組成的群組。 _ ίο ____ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
¥紙張尺度中關家標準(CNS)A4規格(21G χ 297公 1247199 A7 _____B7 ___ 五、發明說明(ί]) 最好該聚氧乙烯二醇脂肪酸酯係選自於聚氧乙烯單月 桂酸酯、聚氧乙烯單油酸酯、聚氧乙烯單硬脂酸酯、聚氧 乙烯羊毛脂、聚氧乙烯蓖麻油及其組合所組成的群組。 最好該可用作消泡劑的聚氧化烯化合物係選自於聚氧 乙烯二醇共聚物、聚(氧乙烯-氧丙烯)二醇共聚物、聚烷基 醚、聚氧化烯三醇及其組合所組成的群組。 最好該聚氧乙烯烷基胺醚係選自於聚氧乙烯月桂基胺 醚和聚氧乙烯硬脂基胺醚及其組合所組成的群組。 式1之醇胺與含羧酸基之碳氫化合物(如脂肪酸)所 成的鹽和式1之醇胺與含磺酸基之碳氫化合物所成的鹽具 有優異的界面活性、相較於由鹼金屬鹽以外之金屬鹽所成 不溶性金屬皂爲低的pH及在中性環境的洗淨力和穩定性 ,因此由於在水和有機溶劑中的高溶解度而被用作淸潔劑 或乳化劑。 式1之醇胺,即乙醇胺,係選自於單乙醇胺、二乙醇 胺和三乙醇胺所組成的群組。 含羧酸基之碳氫化合物是C2-C5〇〇的化合物。最好該含 羧酸基之碳氫化合物係選自於乙酸、二十四烷酸、亞油酸 、油酸、硬脂酸及其組合所組成的群組。 含磺酸基之碳氫化合物是C2_C5Q()的化合物。最好該含 磺酸基之碳氫化合物係選自於木質素磺酸、甲烷磺酸、對 甲苯磺酸及其組合所組成的群組。 式2之聚乙二醇化合物包含一個親脂基(如具有長鏈 形式的伸烷基)和一個親水基(如分子中的羥基)’因此 一_____11 ___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1247199 A7 ______ 五、發明說明(i:)) 可破壞表面張力。聚乙二醇對嘴唇或皮膚無害,因爲其具 有極小的毒性和刺激性。因此,聚乙二醇化合物適合作爲 界面活性劑。 此外,聚乙二醇化合物隨著平均分子量增加會從液態 轉換成固態,如糊狀物或蠟的形式。如果平均分子量再增 加,聚乙二醇化合物便會轉換成白色薄片相,其無論是液 態或固態皆可溶於水中。當以適當比例混合時,可製得具 有任意形式的聚乙二醇。 因此,聚乙二醇化合物可單獨使用或經由混合物使用 ,因爲這些化合物無論是具有低分子量的液態或具有高分 子量的固態都可溶於水中並相互混合。 式3之磺胺醯亞胺化合物對溶劑水的溶解度高於羧酸 基團,其係選自於磺醯胺、擴胺哺D定、對胺基苯擴醯胺、 胺基磺酸、對胺基苯磺酸及磺胺水楊畊所組成的群組。在 此,除對胺基苯磺酸以外,這些化合物爲其中η是0的式 1磺胺醯胺化合物。 包含式4重複單元且具有分子量範圍從1〇〇〇至10000 的化合物係選自於葡萄糖、葡糖醛醯胺、葡糖醛酸、蔗糖 、乳糖、乳糖醇及其組合所組成的群組。 包含式4重複單元的化合物可溶於水中,且顯著地降 低水溶液的表面張力。這些化合物對嘴唇或皮膚無害,因 爲其具有極小的毒性和刺激性。因此,這些化合物被用作 降低表面張力的添加劑。 較佳而言,經聚醚變性之矽化合物具有範圍從1000至 ___12_____ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1247199 五、發明說明(q ) 10000的分子量。最好該經聚醚變性之矽化合物包含式5 之重複單元:
Y , [式5] 其中: X是ch3、c2-c500聚醚、醇或銨鹽; Y是Η、CH3、C2-C5Q〇聚醚、醇或銨鹽;及0是範圍 從1至200的整數。 作爲實例而言,經聚醚變性之矽化合物係以式5a表示 [式 5a]
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ! —Si-Ο 其中: X是C2-C5()()聚醚、醇或銨鹽;及 Ρ和q個別是範圍從1至1〇〇的整數。 在此,最好該X係選自於式6之聚醚、式7之醇和式 8a與8b之銨鹽所組成的群組: [式6] .(CH20)a(C2H40)b(C3H60)cR ; [式7] 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 1247199 ____B7__ 五、發明說明(ί Ο -CH2(CR,2)OH ; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) [式 8a] -(CH2)dN+(R,,)2B ;及 [式 8b] -N+(R,,)3B, 其中: R、R’和R”個別是氫或CVCioo烷基;B是CH2COO 或鹵素; a、b和c個別是範圍從1至loo的整數;及 d是範圍從1至10的整數; 式8 a的一個典型例子是_{〇12)3矿(〇13)2〇12(:0(7,而式 8b的一個典型例子是-N+(CH3)3cr。 具有低分子量的經聚醚變性之砂化合物可顯著地降低 水溶液的表面張力且具有低的固化點。然而,因爲水溶液 的表面張力係受到pH影響,因此當超過降低表面張力的 最適pH値時,其活性可能降低。 醇化合物係選自於CrC1()烷基醇、烷氧基醇及 其組合所組成的群組。最好該CrC1()烷基醇係選自於甲醇 、乙醇、丙醇、異丙醇、正丁醇、第二丁醇、第三丁醇、 1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、2,2-二甲基-1-丙醇及其組合所組 成的群組。 ___14 _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 1247199 五、發明說明(U ) 最好該C^Cio烷氧基醇係選自於2-甲氧基乙醇、2-(2-甲氧基乙氧基)乙醇、1-甲氧基·2_丙醇、3-甲氧基-1,2-丙二 醇及其組合所組成的群組。 最好是使用蒸餾水作爲洗滌液的水。 本發明之洗滌液係藉由使醇化合物、水與界面活性劑 的混合溶液通過0·2μηι過濾器過濾而製得。 一種利用蝕刻與顯影程序來形成光阻劑圖案的方法包 括下列步驟: (a) 藉由將光阻劑塗覆於形成於半導體基材上之底層 上方部分來形成光阻劑膜; (b) 使該光阻劑膜曝光; (c) 利用顯影劑使該曝光的光阻劑膜顯影;及 (d) 使用本發明之洗滌液淸洗所得結構。 本方法進一步包括在(b)步驟之前進行軟烤(soft-bake )程序並在(b)步驟之後進行後烤(post-bake)的步驟。在 此,最好該烘烤程序係在範圍從70至200°C的溫度進行。 曝光程序(b)最好是使用選自於具有曝光能範圍從0.1 至 50 mJ/cm2 之 KrF ( 248nm)、ArF ( 193nm)、VUV ( 157nm)、EUV(13nm)、電子束、X射線及離子束所組 成群組之(b)步驟曝射光源來進行。 顯影程序(c)係使用鹼性顯影劑來進行’該顯影劑是範 圍從〇.〇1至5重量%之氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液。 洗滌液在整個淸洗程序(d)中具有降低的表面張力’藉 此避免圖案在顯影程序期間的侵蝕。 _15____ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公f ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
— — — — — — — « — — — — I. ——線J A7 1247199 _B7_ 五、發明說明(\> ) 亦揭示利用本發明方法所製得的半導體裝置。 所揭示的洗滌液將參考下述實施例做更詳細的說明, 這些實施例並無意作限制解。 I.洗滌液的製備 實施例1 :洗滌液Π)的製備 將聚氧乙烯壬基苯基醚(1克)、異丙醇(4克)與水 (95克)攪拌1分鐘。使所得混合物經0·2μιη過濾器過濾 而獲得本發明的洗滌液。 實施例2 __洗滌液(2)的製備 將聚氧乙烯月桂基醚(1克)、異丙醇(4克)與水( 95克)攪拌1分鐘。使所得混合物經0·2μπι過濾器過濾而 獲得本發明的洗滌液。 實施例3 :洗滌液〇)的製備 將聚氧乙烯單月桂酸酯(1克)、異丙醇(4克)與水 (95克)攪拌1分鐘。使所得混合物經0·2μπι過濾器過濾 而獲得本發明的洗滌液。 實施例4 :洗滌液(4)的製備 將聚氧乙烯三醇(1克)、異丙醇(4克)與水(95 克)攪拌1分鐘。使所得混合物經〇.2μιη過濾器過濾而獲 得本發明的洗滌液。 實施例5 :洗滌液(5)的製備 將聚氧乙烯三醇(1克)、甲醇(4克)與水(95克 )攪拌1分鐘。使所得混合物經〇.2μπι過濾器過濾而獲得 _ 16_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
I ^1 ϋ n ϋ n ·ϋ^OJ· ϋ ϋ ϋ I n I ft— I
A7 1247199 _____Β7 _ 五、發明說明(\,]) 本發明的洗滌液。 實施例_6 :洗滌液(6)的製龍__ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將單乙醇胺-二十四烷酸(1 : 1莫耳% )鹽(1克)、 異丙醇(4克)與水(95克)攪拌1分鐘。使所得混合物 經〇_2μηι過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 實施例7 :洗滌液(7)的_製備_ 將三乙醇胺-亞油酸(1 : 1莫耳% )鹽(1克)、乙醇 (4克)與水(95克)攪拌1分鐘。使所得混合物經 〇·2μιη過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 眚施例8 :洗滌液(8)的製備 將三乙醇胺-乙酸(1 : 1莫耳%)鹽(1克)、異丙醇 (4克)與水(95克)攪拌1分鐘。使所得混合物經 〇·2μιη過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 眚施例9 :冼滌液(9)的製備 將二乙醇胺-硬脂酸(1 : 1莫耳% )鹽(1克)、1-戊 醇(4克)與水(95克)攪拌1分鐘。使所得混合物經 0·2μηι過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 實施例10 :洗滌液il〇)的製備 將三乙醇胺·油酸(1 : 1莫耳% )鹽(1克)、甲醇( 4克)與水(95克)攪拌1分鐘。使所得混合物經〇.2gm 過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 實施例11 :洗滌液XII)的製俾 將單乙醇胺-木質素磺酸(1 : 1莫耳% )鹽(1克)、 異丙醇(4克)與水(95克)攪拌1分鐘。使所得混合物 ____17 本紙張尺度刺中關家標準(CNS)A4規格(21G x 297公f ) A7 1247199 ____B7__ 五、發明說明(A) 經0·2μπι過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 青硐柯丨1 2 :冼滌液Π2)的製備 將三乙醇胺-甲院石貝酸(1 ·· 1莫耳% )鹽(1克)、乙 醇(4克)與水(95克)攪拌1分鐘。使所得混合物經 0·2μιη過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 眚施例13 :洗滌液(13)的製備 將三乙醇胺-對甲苯磺酸(1 : 1莫耳% )鹽(1克)、 異丙醇(4克)與水(95克)攪拌i分鐘。使所得混合物 經0·2μιη過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 眚施例I4 :洗滌液(Η)的製備 將二乙醇胺-木質素磺酸(1 : 1莫耳% )鹽(1克)、 1 -戊醇(4克)與水(9 5克)擾梓1分鐘。使所得混合物 經0·2μιη過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 實施例1_5 :彳先、滌液(15)的製備 將三乙醇胺·木質素磺酸(1 : 1莫耳% )鹽(1克)、 甲醇(4克)與水(95克)攪拌1分鐘。使所得混合物經 0.2μηι過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 實施例丄6 :洗滌、液Π6)的製備 將數目平均分子量200之式2化合物(0.5克)、異丙 醇(4克)與水(95克)攪拌1分鐘。使所得混合物經 0.2μηι過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 實施例丄2 : 勺 數目平均分子量1000之式2化合物(〇·5克)、乙醇 (4克)與水(95克)攪拌1分鐘。使所得混合物經 is____ 本紙張尺度適用中ϋ家^準(CNS)A4規格(210 x 297公f (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-n H ϋ ϋ ϋ ϋ n^OJI I I ϋ ϋ I I ϋ •線 A7 1247199 _____B7_ —--- 五、發明說明((,) 〇.2μιη過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 實施例18 :冼滌液 將四乙二醇(〇·5克)、異丙醇(4克)與水(95克) 攪拌1分鐘。使所得混合物經〇·2μηι過濾器過濾而獲得本 發明的洗滌液。 實施例19 :冼滌液Π9)的製盤· 將數目平均分子量1450之式2化合物(〇·5克)、1-戊醇(4克)與水(95克)攪拌1分鐘。使所得混合物經 〇·2μιη過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 實施例20 :冼滌液(20)的製傲 將磺胺水楊啡(〇·5克)、異丙醇(4克)與水(95克 )攪拌1分鐘。使所得混合物經0·2μηι過濾器過濾而獲得 本發明的洗滌液。 實施例21 :冼藤液(21)的製篮 將對胺基苯磺酸(〇·5克)、乙醇(4克)與水(95克 )攪拌1分鐘。使所得混合物經〇·2μιη過濾器過濾而獲得 本發明的洗滌液。 實施例22 :冼滌液G2)的製備 將胺基磺酸(0.5克)、異丙醇(4克)與水(95克) 攪拌1分鐘。使所得混合物經〇·2μιη過濾器過濾而獲得本 發明的洗滌液。 亶施例23 :洗骼液(23)的製備 將對胺基苯磺醯胺(〇·5克)、1-戊醇(4克)與水( 95克)攪拌1分鐘。使所得混合物經0.2μηι過濾器過濾而 ___19_ — 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I ϋ ϋ I n n ff n ϋ ϋ I n ϋ n I 線e A7 1247199 、----B7___ 五、發明說明() 獲得本發明的洗滌液。 實施例24 :洗滌液(24)的製備 將葡萄糖(0.5克)、異丙醇(4克)與水(95克)攪 拌1分鐘。使所得混合物經〇·2μιη過濾器過濾而獲得本發 明的洗滌液。 實施例25 :冼滌液(25)的製備 將葡糖醛酸(〇·5克)、乙醇(4克)與水(95克)攪 拌1分鐘。使所得混合物經〇·2μπι過濾器過濾而獲得本發 明的洗滌液。 實施例26 :洗滌液(26)的製備 將乳糖(〇·5克)、異丙醇(4克)與水(95克)攪拌 1分鐘。使所得混合物經〇·2μιη過濾器過濾而獲得本發明 的洗滌液。 實施例27 :冼滌液(27)的製備 將乳糖醇(〇·5克)、1-戊醇(4克)與水(95克)攪 拌1分鐘。使所得混合物經〇.2μηι過濾器過濾而獲得本發 明的洗滌液。 實施例28 :洗滌液(28)的製備 將其中X是CH2CH2OCH2CH2OCH3之式5a化合物(1 克)、異丙醇(4克)與水(95克)攪拌1分鐘。使所得 混合物經〇.2μτη過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 實施例29 :洗滌液(29)的製備 將其中X是CH2CH2OH之式5a化合物(1克)、乙 醇(4克)與水(95克)攪拌1分鐘。使所得混合物經 ____20________— 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------II---------線! A7 1247199 ___B7__ 五、發明說明() 0.2μηι過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 實施例30 :洗滌液(30)的製備 將其中X是(CH2)3N+(CH3)2CH2COO·之式5a化合物( 1克)、異丙醇(4克)與水(95克)攪拌1分鐘。使所 得混合物經〇.2μπι過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 實施例31 :洗滌液(31)的製備 將其中X是(CH2)3N+(CH3)2CH2COO·之式5a化合物( 1克)、1-戊醇(4克)與水(95克)攪拌1分鐘。使所 得混合物經〇.2μιη過濾器過濾而獲得本發明的洗滌液。 Π.使用洗滌液形成圖案 實施例32 :光阻劑圖案(1)的形成 在經六甲基二矽烷基胺(HMDS)處理之矽晶圓上形 成底層之後,以3000 rpm將具有甲基丙烯酸酯型的光阻劑 AX1020P (由Clariant公司製造)旋塗於矽晶圓上以形成 光阻劑膜,並在約12VC軟烤約90秒。在軟烤之後,利用 AF雷射曝光器使光阻劑曝光,然後在約120°C後烤約90 秒。當後烤完成時,使其在2.38重量%之氫氧化四甲基銨 水溶液中顯影30秒。在使矽晶圓旋轉的同時,藉由自旋轉 裝置噴淋30毫升在實施例1中所製得的洗滌液來淸洗矽晶 圓,然後乾燥,得到83nm線條式樣(見圖1)。 實施例33 :光阳劑圖案m的形成 使用實施例2的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到90nm線條式樣的圖案(見圖2)。 ___21 ___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n ϋ I ϋ I n^tfJI I ϋ n ·1. I n · 線_· A7 1247199 _____^_ 五、發明說明(β ) 眚施例34 =光阻劑圖案(3)_成 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用實施例3的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到93nm線條式樣的圖案(見圖3)。 眚施例35 :光阻劑圖案(4)逍形成 使用實施例4的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到92nm線條式樣的圖案(見圖4)。 奮施例36 :光阻劑圖案(5)放形成 使用實施例5的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到87nm線條式樣的圖案(見圖5)。 奮施例37 :光阻劑圖案(6)政形成 使用實施例6的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到83nm線條式樣的圖案(見圖6)。 實施例38 :光阻劑圖案(7)的形成 使用實施例7的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到90nm線條式樣的圖案(見圖7)。 實施例39 :光阻劑圖案(8)的形成 使用實施例8的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到87nm線條式樣的圖案(見圖8)。 實施例40 :光阻劑圖案(9)的形成 使用實施例9的洗滌液代替實施例丨的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到92nm線條式樣的圖案(見圖9)。 實施例41 :光阻劑圖案(10)的形成 使用實施例10的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到87nm線條式樣的圖案(見圖1〇)。 __22_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 1247199 _B7_ 五、發明說明(4 ) 實施例42 :光阻劑圖案Π1)的形成 使用實施例11的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖11 ) 〇 實施例43 :光阻劑圖案(12)的形成 使用實施例12的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到98nm線條式樣的圖案(見圖12)。 實施例44 :光阻劑圖案(13)的形成 使用實施例13的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到105nm線條式樣的圖案(見圖13) 〇 實施例45 :光阻劑圖案(14)的形成 使用實施例14的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖14) 〇 實施例46 :光阻劑圖案(15)的形成 使用實施例15的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到99nm線條式樣的圖案(見圖15 )。 實施例47 :光阻劑圖案Π6)的形成 使用實施例16的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖16和 17) ° 實施例48 :光阻劑圖案(17)的形成 使用實施例17的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 _23_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 1247199 _B7_ 五、發明說明(,) 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖18) 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例49 :光阻劑圖案(18)的形成 使用實施例18的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖19) 〇 實施例50 :光阻劑圖案Π9)的形成 使用實施例19的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖20) 〇 實施例51 :光阻劑圖案(20)的形成 使用實施例20的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖21) 〇 實施例52 :光阻劑圖案(21)的形成 使用實施例21的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖22) 〇 實施例53 :光阻劑圖案(22)的形成 使用實施例22的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖23) 〇 實施例54 :光阻劑圖案(23)的形成 使用實施例23的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 _24_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 1247199 _B7___ 五、發明說明(—) 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖24) 〇 實施例55 :光阻劑圖案(24)的形成 使用實施例24的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖25和 26) ° 實施例56 :光阻劑圖案(25)的形成 使用實施例25的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖27) 〇 實施例57 =光阻劑圖案(26)的形成 使用實施例26的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖28) 〇 實施例58 :光阻劑圖案(27)的形成 使用實施例27的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖29) 〇 實施例59 :光阻劑圖案(28)的形成 使用實施例28的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖30) 〇 實施例60 :光阻劑圖案(29)的形成 使用實施例29的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 _25_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 1247199 五、發明說明(,) 施例32的步驟’得到100nm線條式樣的圖案(見圖31) 〇 眚施例61 :光阻劑圖案 使用實施例30 __代替實施例丨的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到K)〇nm線條式樣的圖案(見圖Μ) 〇 眚施例62 :光阻劑圖案 使用實施例31的洗滌液代替實施例1的洗滌液重複實 施例32的步驟,得到lOOnm線條式樣的圖案(見圖33) 〇 比較實施例1:光阻獨圖案ϋ形成 使用蒸餾水代替根據本發明之洗滌液重複實施例32的 步驟來獲得光阻劑圖案。光阻劑圖案係受到侵蝕(見圖34 如先前所討論者,根據本揭示內容的去除光阻物質之 洗滌液在淸洗半導體基材得到光阻劑圖案時,可避免圖案 的侵蝕,這是因爲本發明洗滌液具有比蒸餾水低的表面張 力。因此,本發明之洗滌液可穩定形成130nm以下超精細 光阻劑圖案的程序。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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Claims (1)
1247199 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1.一種去除光阻物質之洗滌液,其包含水(Η20)及界 面活性劑,該界面活性劑係選自於聚氧化烯化合物、式1 之醇胺與含羧酸(-COOH)基團之碳氫化合物所成的鹽、 式1之醇胺與含磺酸(-so3H)基團之碳氫化合物所成的 鹽、式2之聚乙二醇化合物、式3化合物、包含式4基團 且具有分子量範圍從1〇〇〇至10000之經取代或未經取代之 C】-1 0化合物、經聚酿變性之砂化合物及其組合所組成的群 組: [式1] HO (ch2), Λ Ri (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) :裝 · 其中 Ri和R2各自選自於氣、Ci-C1()院基和院基醇 所組成的群組;及 €是範圍從1至10的整數; [式2] HO Ο OH 線 其中: m是範圍從1至500的整數;及 數目平均分子量範圍從62至20000 ; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1247199 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 [式3] R3 R, 〇 ,N—fA-)—S—R5丨丨 〇 其中 R3和R4各自是氫、CVCw烷基、芳基、吖啡、CVCi0 胺基烷基、胺基芳基、羧酸基或磺酸基; r5是胺基、羥基、cvc1Q烷基、芳基、吖畊、胺基烷 基、胺基芳基、羧酸基或磺酸基; 八是C^-Cs伸烷基或C3-C1()芳族碳氫化合物;及 η是範圍從0至2的整數;以及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) [式4]
2·根據申請專利範圍第1項之洗滌液,其進一步包含 醇化合物。 3·根據申請專利範圍第2項之洗滌液,其中界面活性 劑存在量範圍是整體洗滌液的0.001至5重量%,而醇化 合物存在量範圍是整體洗滌液的0.01至10重量%。 4·根據申請專利範圍第3項之洗滌液,其中界面活性 劑存在量範圍是整體洗滌液的0.3至5重量%,而醇化合. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1247199 I D8 I :~ 六、申請專利範圍 物存在量範圍是整體洗滌液的1·7至10重量%。 5.根據申請專利範圍第1項之洗滌液,其中聚胃彳匕少希 化合物係選自於下列各物所組成的群組: 1) 聚氧乙烯烷基苯基醚; 2) 聚氧乙燦院基醚; 3) 聚氧乙烯二醇脂肪酸酯; 4) 聚(氧丙烯-氧乙烯)嵌段共聚物; 5) 聚氧乙烯烷基胺醚; 6) 聚氧化烯二醇單烷基醚·聚(氧丙烯-氧乙烯)二醇 的共聚物;及 7) 其組合。 6·根據申請專利範圍第5項之洗滌液,其中聚氧化嫌 化合物爲1)运自於聚氧乙丨布壬基本基醜、聚氧乙燦辛基苯 基醚及其組合所組成群組的聚氧乙烯烷基苯基醚; 2) 選自於聚氧乙嫌月桂基醚、聚氧乙烯油基|迷、聚氧 乙嫌飯纖基酸、聚氧乙細餘繼基-硬脂基酸、聚氧乙嫌硬脂 基醚、聚氧乙烯辛基醚、聚氧乙烯十三基酸及其,組合所組 成群組的聚氧乙烯烷基醚;或 3) 選自於聚氧乙烯單月桂酸酯、聚氧乙烯單油酸酯、 聚氧乙烯單硬脂酸酯、聚氧乙烯羊毛脂、聚氧乙儲蓖麻油 及其組合所組成群組的聚氧乙烯二醇脂肪酸酉旨。 7·根據申請專利範圍第1項之洗滌液,其中該聚氧化 烯化合物係選自於聚氧乙烯二醇共聚物、聚(氧乙丨希-^丙 嫌)二醇共聚物、聚院基醚、聚氧化烯三醇及其組合所組成 3 本纸張尺度適財SIS家群(CNS)Α4規格(210 X 297公爱) '"一 .........................裝·--------------訂;--------------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8B8C8D8 1247199 六、申請專利範圍 的群組。 8. 根據申請專利範圍第1 2項之洗滌液,其中(5)聚氧乙 烯烷基胺醚係選自於聚氧乙烯月桂基胺醚、聚氧乙烯硬脂 基胺醚及其組合所組成的群組。 9. 根據申請專利範圍第1項至第4項中任一項之洗滌 液,其中式1之醇胺係選自於單乙醇胺、二乙醇胺和三乙 醇胺所組成的群組。 10·根據申請專利範圍第1項之洗滌液,其中含羧酸基 之碳氫化合物與含磺酸基之碳氫化合物各自是C2-C5(H)的化 合物。 Π·根據申請專利範圍第10項之洗滌液,其中含羧酸 基之碳氫化合物係選自於乙酸、二十四烷酸、亞油酸、油 酸、硬脂酸及其組合所組成的群組;以及含磺酸基之碳氫 化合物係選自於木質素磺酸、甲烷磺酸、對甲苯磺酸及其 組合所組成的群組。 12. 根據申請專利範圍第1項之洗滌液,其中該界面活 性劑係選自於磺醯胺、磺胺嘧啶、對胺基苯磺醯胺、胺基 磺酸、對胺基苯磺酸和磺胺水楊啡所組成的群組。 13. 根據申請專利範圍第1項之洗滌液,其中該界面活 性劑係選自於葡萄糖、葡糖醛醯胺、葡糖醛酸、蔗糖、乳 糖、乳糖醇及其組合所組成的群組。 M·根據申請專利範圍第1項之洗滌液,其中該界面活 性劑是一種經聚醚變性之矽化合物且具有範圍從1000至 10000的分子量。 ......................!裝·..............-訂...............線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 2 本紙張尺度適用肀國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) ~ 1247199 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 15.根據申請專利範圍第14項之洗滌液,其中經聚醚 變性之矽化合物包含式5之重複單元: [式5] Y 其中 X係選自於ch3、c2-c5()()聚醚、醇和銨鹽所組成的群 組; Y是Η、CH3、C2,C500聚醚、醇或銨鹽;及 0是範圍從1至200的整數。 16·根據申請專利範圍第1項之洗滌液,其中該界面活 性劑是經聚醚變性之矽化合物且係以式5a表示: [式 5a] Si I ί -Ο-^Si—Ο 卜( Si-—S|— 其中: X是c2-c5(H)聚醚、醇或銨鹽;及 P和q個別是範圍從1至100的整數。 17·根據申請專利範圍第16項之洗滌液,其中X係選 自於式6、7、8a和8b所組成的群組: [式6] .(CH20)a(C2H40)b(C3H60)cR ; [式7] --------------------------裝..........!-訂................線 (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1247199 i cs D8 六、申請專利範圍 -CH2(CR,2)OH ; [式 8a] _(CH2)dN+(R,,)2B ;及 [式 8b] -N+(R,,)3B, 其中: R、R’和R”個別是氫或CVCioo烷基;B是CH2COO 或鹵素; a、b和c個別是範圍從1至100的整數;及 d是範圍從1至10的整數。 18·根據申請專利範圍第2項至第4項中任一項之洗滌 液,其中醇化合物係選自於烷基醇、C^-C^烷氧基 醇及其組合所組成的群組。 19·根據申請專利範圍第18項之洗滌液,其中CVCu 烷基醇係選自於甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、正丁醇、第 二丁醇、第三丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、2,2-二甲基 -1-丙醇及其組合所組成的群組;及Cl-ClQ烷氧基醇係選自 於2-甲氧基乙醇、2-(2-甲氧基乙氧基)乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、3-甲氧基-1,2-丙二醇及其組合所組成的群組。 20·根據申請專利範圍第1項之洗滌液,其中該洗滌液 係選自於下列各物所組成的群組: 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ........................裝 ..............訂·!.............線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1247199 i C8 D8 六、申請專利範圍 由聚氧乙烯壬基苯基醚、異丙醇與水所組成的溶液; 由聚氧乙烯月桂基醚、異丙醇與水所組成的溶液; 由聚氧乙烯單月桂酸酯、異丙醇與水所組成的溶液 由聚氧乙烯三醇、異丙醇與水所組成的溶液; 由聚氧乙烯三醇、甲醇與水所組成的溶液; 由單乙醇胺-二十四烷酸鹽、異丙醇與水所組成的溶液 由三乙醇胺-亞油酸鹽、乙醇與水所組成的溶液; 由三乙醇胺·乙酸鹽、異丙醇與水所組成的溶液; 由二乙醇胺-硬脂酸鹽、1-戊醇與水所組成的溶液; 由三乙醇胺-油酸鹽、甲醇與水所組成的溶液; 由單乙醇胺-木質素磺酸鹽、異丙醇與水所組成的溶液 y 由三乙醇胺-甲烷磺酸鹽、乙醇與水所組成的溶液; 由三乙醇胺-對甲苯磺酸鹽、異丙醇與水所組成的溶液 由二乙醇胺-木質素磺酸鹽、1-戊醇與水所組成的溶液 由三乙醇胺-木質素磺酸鹽、甲醇與水所組成的溶液; 由具有數目平均分子量200之式2化合物、異丙醇與 水所組成的溶液; 由具有數目平均分子量1000之式2化合物、乙醇與水 所組成的溶液; 由四乙二醇、異丙醇與水所組成的溶液; 7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ......................—裝·..............訂--------------線 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 398 8 99 ABCD 1247199 '申靖專利耗圍 由具有數目平均分子量1450之式2化合物、1-戊醇與 水所組成的溶液; 由磺胺水楊畊、異丙醇與水所組成的溶液; 由對胺基苯磺酸、乙醇與水所組成的溶液; 由胺基磺酸、異丙醇與水所組成的溶液; 由對胺基苯磺醯胺、1-戊醇與水所組成的溶液; 由葡萄糖、異丙醇與水所組成的溶液; 由葡糖醛酸、乙醇與水所組成的溶液; 由乳糖、異丙醇與水所組成的溶液; 由乳糖醇、1-戊醇與水所組成的溶液; 由其中X是CH2CH2OCH2CH2OCH3之式5a化合物、 異丙醇與水所組成的溶液; 由其中X是CH2CH2OH之式5a化合物、乙醇與水所 組成的溶液; 由其中X是(CH2)3N+(CH3)2CH2COO·之式5a化合物、 異丙醇與水所組成的溶液;及 由其中X是(CH2)3N+(CH3)2CH2COO·之式5a化合物、 1-戊醇與水所組成的溶液; [式 5a] X ..........................裝-..............訂...............線 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) Si Ο
Sl· °Vtsr °)rsr 其中: P和q個別是範圍從1至100的整數。 21·—種形成光阻劑圖案之方法,其包括下列步驟 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A8 B8 CS D8 1247199 、申謂'專利範圍 (a) 藉由將光阻劑塗覆於形成於半導體基材上之底層 上方部分來形成光阻劑膜; (b) 軟烤該光阻劑膜; (c) 使該光阻劑膜曝光; (d) 後烤產物; (e) 利用顯影劑使該曝光的光阻劑膜顯影;及 (f) 使用申請專利範圍第1項之洗滌液清洗所得的結 22_根據申請專利範圍第21項之方法,其中(b)步驟之 曝射光源係選自於KrF、ArF、VUV、EUV、電子束、X射 線和離子束所組成的群組。 23· —種去除光阻物質之洗滌液,其包含水(H20)和 聚氧化烯化合物。 24·—種去除光阻物質之洗滌液,其包含水(H20)和 一種式1之醇胺與含羧酸(-COOH)基團之碳氫化合物所 成的鹽: [式1] H0 (丫 H2), A R2 Ri · f 其中: ’ 心和R2各自選自於氫、CrC1()烷基和CVCh)烷基醇所 .....................!裝---------------訂 .............-線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公嫠) A8 B8 C8 D8 1247199 、申請專利範圍 組成的群組;及 ,是範圍從1至10的整數。 25.—種去除光阻物質之洗滌液,其包含水(h20)和 一種式1之醇胺與含磺酸(-S03H)基團之碳氫化合物所 成的鹽: [式1] HO (〒h2), A r2 r】 其中: 1和R2各自選自於氫、CVCh烷基和CVCn烷基醇所 組成的群組;及 /是範圍從1至10的整數。 26· —種去除光阻物質之洗滌液,其包含水(h20)和 式2之聚乙二醇化合物: [式2] .................!裝...............訂----------------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) HO Ο OH 其中: m是範圍從1至500的整數;及 數目平均分子量範圍從62至20000。 27.—種去除光阻物質之洗滌液,其包含水(H20)和 式3化合物: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1247199 A8 BS CS D8 六、申請專利範圍 [式3] R 〇 /N—tAVf—Rs ^ 0 ; 其中: R3和R4各自是氫、CVCh烷基、芳基、吖畊、cvcw 胺基烷基、胺基芳基、羧酸基或磺酸基; r5是胺基、羥基、q-CH烷基、芳基、吖啡、胺基烷 基、胺基芳基、羧酸基或磺酸基; 八是G-C5伸烷基或c3-c1()芳族碳氫化合物;及 η是範圍從0至2的整數。 28.—種去除光阻物質之洗滌液,其包含水(Η20)和 一種包含式4基團且具有分子量範圍從1〇〇〇至10000之經 取代或未經取代之Cho化合物: [式4]
29·—種去除光阻物質之洗滌液,其包含水(H20)和 經聚醚變性之矽化合物。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ..... ..............裝·.............··訂 .......-......線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020010078470A KR100610453B1 (ko) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 포토레지스트 세정액 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200410055A TW200410055A (en) | 2004-06-16 |
TWI247199B true TWI247199B (en) | 2006-01-11 |
Family
ID=29574427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091135939A TWI247199B (en) | 2001-12-12 | 2002-12-12 | Cleaning solution for removing photoresist and method of forming photoresist patterns |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100610453B1 (zh) |
TW (1) | TWI247199B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100469558B1 (ko) * | 2002-04-03 | 2005-02-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 알코올과 에테르를 포함하는 새로운 에지 비드 제거용세정 용액 및 이를 이용한 세정 방법 |
KR100682188B1 (ko) | 2003-11-25 | 2007-02-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법 |
JP5624753B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-11-12 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
KR101957876B1 (ko) * | 2018-06-14 | 2019-03-13 | 영창케미칼 주식회사 | 극자외선 리소그래피용 공정액 조성물 및 이를 이용하는 패턴 형성 방법 |
KR101957875B1 (ko) * | 2018-06-14 | 2019-03-13 | 영창케미칼 주식회사 | 극자외선 리소그래피용 공정액 조성물 및 이를 이용하는 패턴 형성 방법 |
KR102100432B1 (ko) * | 2019-09-26 | 2020-05-15 | 영창케미칼 주식회사 | 포토 리소그래피용 공정액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100429455B1 (ko) * | 2001-06-11 | 2004-05-04 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트의 에지 비드를 제거하는 세정용액 및 이를이용한 세정방법 |
-
2001
- 2001-12-12 KR KR1020010078470A patent/KR100610453B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-12-12 TW TW091135939A patent/TWI247199B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200410055A (en) | 2004-06-16 |
KR20030048545A (ko) | 2003-06-25 |
KR100610453B1 (ko) | 2006-08-09 |
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---|---|---|---|
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