1243260 玖、發明說明： (一） 發明所屬之技術領域： 本發明有關於光通信系統等所利用之使用塑膠光纖之傳 送裝置。 (二） 先前技術： 一般光通信中之光之傳輸路徑使用以石英玻璃作爲主材 料之單模型或多模光纖。該等之光纖直徑爲3 00 μπι以下， 在調正時要求具有以微米爲單位之高精確度之位置調正。 因此’在工事現場等之一般環境下，光纖敷設作業變爲不 容易，此點是妨礙普及之一大原因。 另外一方面，爲著使敷設作業變爲比較容易，開發有大 直徑之塑膠光纖，但是該等由於製造上之問題，主要的具 有階躍折射型之構造，不能將高位元率之信號傳送到遠距 離。亦即，在將光脈波輸入到階躍折射型之光纖之情況時 ，在長距離之傳輸後，在射出端會有光脈波之波型破壞和 擴大之現象。因此，當傳送連續之脈波時，在時間軸上前 後之脈波會重疊，在光纖之射出端面，即使是0位準亦不 能成爲完全無光之狀態。換言之，在短脈波幅度之信號列 之傳送後，難以判定信號之〇、1，不適合於大容量之光通 信（參照「塑膠光纖之基礎和實際」小池康博，宮田淸藏監 修，NTS股份有限公司’ ΡΡ.84〜8 7 (2000))。 (三） 發明內容： 爲著消除上述之問題，提案有漸變折射率（分布折射率） 型之光纖，具有大直徑而且傳送後不會使脈波幅度擴大 -6- 1243260 ，可以期待其實用化，但是在另外一方面該種光纖會有以 下之問題。 使用氟化物之塑膠光纖（商品名路其那，旭硝子股份有限 公司）已實用化，但是因爲氟化物是高價格之原材料，所以 要降低成本會有困難，另外當使芯子直徑變大時，所使用 之氟化物之量會增加，所以成本會更上升，因此不能發揮 以低成本使大口徑芯子之敷設作業變爲容易之塑膠光纖之 優點。 另外一方面，以廉價容易使芯子大口徑化之材料習知者 有聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)，可以製作以其作爲主要之芯 子材料之漸變折射率型之光纖。但是，在具有以ρ Μ Μ A作 爲主成分之芯子之光纖中，低傳輸損失之波長區域如第6 圖所不（引用文獻：’’POF-polymer optical fibers for data communication n Springe r-Verlag(2002)，存在於可視區域 中之極有限之範圍（5 20nm、5 70nm、65 0nm之附近）。 其中，可高速調變之半導體雷射或LED可製成之波長區 域’在現在只有6 5 0 n m附近之區域。其他更短波長之區域 正進行使用Π - VI族化合物半導體雷射之硏究，但是目前 尙未獲得可耐實用之可靠度。在65 Onm附近之低損失之波 長區域，於630〜680nm之區域，可以獲得大致300dB/km 以下之低損失特性，特別是在640〜66 Onm之窄區域可以獲 得大致2 00 dB/km以下之更低損失之特性。在使用該窄區域 外之例如660nm之稍長波長之光之情況時，因爲傳輸損失 隨著波長進行大的變化，所以當光源之波長有變化時，會 1243260 造成傳送裝置之特性進行變化。使用新材料可以改善此種 大分散之傳送特性，但是光纖之成本會比使用通常PMMA 之情況高。 另外一方面，發出該6 5 0 n m附近波長之光，可以獲得通 信所必要之1 m W程度的光量，另外從4 0 0 Μ Η z到1 G Η z以 上之可高速調變光源，可以利用D V D等所使用之端面發光 型之半導體雷射，具有最優良之高溫下之振盪穩定性和可 靠度。但是，當將此種半導體雷射組合到塑膠光纖用來進 行光傳送之情況時，會有法布里佩波（Fabry-perot)共振器 型雷射之問題，會有振盪波長隨著溫度偏移之問題。其由 來是本質上半導體之能量間隙具有溫度相關性，振盪波長 之變化以 A ^\2AdEg
瓦=W 表示。在此處，λ〇爲振盪波長，Tj爲半導體雷射之接面溫 度，Eg爲能量間隙。 6 5 Onm頻帶之半導體雷射之實質波長之溫度相關性大約 爲0.2nm/deg。因此，當環境溫度上升100°C時，振盪波長 向長波長側偏移大約20nm。因爲製作半導體雷射時之絕對 波長之誤差變化在±5 nm之程度，所以配合該移位需要涵蓋 3 0 n m之範圍，但是在具有第6圖所示之傳輸特性之塑膠光 纖，會有損失增大之可能性，所以例如可使用之距離受到 限制。 在此種情況，利用幹線系之光通信所採用之珀耳帖 各 1243260 (pel tier)元件，經由加熱·冷卻用來保持一定之潘 解決上述之問題，但是在此種情況，因爲珀耳帖 格高，所以會造成傳送裝置之成本上升。 本發明針對上述之問題，其目的是提供傳送裝 有可以形成大口徑芯子之塑膠光纖，和具有射出 度相關性之半導體發光元件，其中不會造成大幅 升，和可以實現低損失穩定之傳送特性。 本發明之使用塑膠光纖之傳送裝置具有： 塑膠光纖，具有上述方式之以PMMA作爲主成 ;和 半導體發光元件，用來發出在該塑膠光纖傳輸 其特徵是= 該半導體發光元件使用發出波長爲630〜680nm 者；和 設有溫度調節機構，其構成包含有：加熱裝置 該半導體發光元件進行加熱；溫度檢測裝置，用 半導體發光元件之溫度；和控制電路，根據該溫 置所輸出之溫度檢測信號，用來控制該加熱裝置 藉以將該半導體發光元件之溫度設定在比其配置 想最高溫度低之指定目標値。 另外，該半導體發光元件最好使用發光波長爲 660nm範圍之光者。 另外，該半導體發光元件最好使用端面發光型 射。另外，從別的觀點來看，最好使用面發光型 .度，可以 元件之價 置，組合 光波長溫 之成本上 分之芯子 之光； 範圍之光 ，用來對 來檢測該 度檢測裝 之驅動， 環境之假 640〜 半導體雷 半導體雷 -9- 1243260 射或面發光型LED。 另外一方面，該塑膠光纖最好使用分布折射率型者。 在本發明之使用塑膠光纖之傳送裝置中，在具有以 PMM A作爲主成分之芯子之塑膠光纖，經由使用半導體發 光元件使其發出之光在波長6 3 0 nm〜68 Onm之範圍可以獲得 大致3 00dB/km以下之低損失特性，用來抑制傳輸損失使其 變低。特別是當使用出640〜660nm範圍之光之半導體發光 元件情況時，因爲可以獲得更低之大致2 0 0dB/km以下之低 損失特性，所以更好。 另外，在本發明之使用塑膠光纖之傳送裝置中，因爲利 用如前所述之加熱裝置，溫度檢測裝置和控制電路所構成 之溫度調節機構，將半導體發光元件之溫度設定在指定之 目標値，所以可以將半導體發光元件所發出之光之波長變 動抑制在狹窄之範圍，可以防止光波長離開可以獲得塑膠 光纖之低損失特性之區域，可以實現低損失穩定之傳送特 性。因此依照本發明時，可以大幅的延伸能夠進行高速、 大容量之光通信之距離。 另外，在該溫度調節機構，因爲不使用具有冷卻作用之 珀耳帖元件等之高價格元件，而是使用加熱裝置用來將半 導體發光元件之溫度設定在指定之目標値，所以本發明之 使用塑膠光纖之傳送裝置，不會造成大幅之成本上升，可 以實現穩定之傳送特性。 另外，該溫度調節機構因爲構建成將半導體發光元件之 溫度設定在比其配置環境之假想最高溫度低之溫度，所以 1243260 當與使用加熱裝置將半導體發光元件之溫度設定在該最高 溫度或比其高之目標値之情況比較時’可以使溫度調節機 構簡化，對於抑制裝置成本之上升具有顯著之效果。另外 ，不會有因高溫而加速光源之劣化，和模組零件之可靠度 降低之問題。 另外，在本發明之使用塑膠光纖之傳送裝置中’經由以 上述之方式設定溫度調節之目標値’在環境溫度相當程度 之上升時，會發生半導體發光元件不能溫度調節之問題。 但是，因爲使用發光波長範圍如上所述的被限制之半導體 發光元件，所以可以確保實用上足夠之低損失特性。對於 此點將於後面所述之實施例，以具體之數値進行詳細說 明。 (四）實施方式： 下面將參照圖面用來詳細的說明本發明之實施例。 第1圖是本發明之第1實施例之使用塑膠光纖之傳送裝 置之部份剖斷側面圖。此處所示之部份是構成光發訊模組 部者’具有：如圖所示之基板1 ;帽蓋型封裝2，組裝在該 基板1 ;塑膠光纖3 ’其一端部插穿該封裝2之中；熱阻器 4，被設置在穿通基板1孔洞之中；端面發光型之半導體雷 射5，被收納在封裝2之中，管座之部份被安裝在該基板1 ;和球透鏡6，被收納在該封裝2之中。另外，在基板1 設有溫度控制電路8，內藏有電熱器7，根據該熱阻器4之 輸出信號用來驅動該電熱器7。 該半導體雷射5被組裝在直徑5 . 6腦之帽蓋型封裝2，在 1243260 溫度25°C，輸出3mW時之振盪波長爲64 8nm，振盪波長之 溫度相關性大約爲〇.2nm/deg。塑膠光纖3具有由PMMA 構成之芯子’其芯子直徑爲700μΐΏ，包含包蓋之直徑爲 90 0 μηι。從半導體雷射5發出之雷射光9，經由球透鏡6在 塑膠光纖3之芯子3a之端面進行收敛，以此方式聚光後射 入到芯子3 a內，在該處以多工模態進行導波和傳輸。 半導體雷射5之溫度被溫度調節機構設定在指定之目標 値’該溫度調節機構由作爲加熱裝置之電熱器7，作爲溫 度檢測裝置之熱阻器4，和溫度控制電路8構成。亦即， 溫度控制電路8根據從熱阻器4輸出之溫度檢測信號S， 控制電熱器7之驅動電流，用來使基板〗之溫度，亦即半 導體雷射5之溫度維持在目標値。 另外’該溫度調節之目標値是低於使用環境之假想最高 溫度之値。在此處假想環境溫度爲例如-4 5〜8 5 °C間之値時 ，溫度調節之目標値成爲3 5 t。 電熱器7對半導體雷射5只能加熱，不能冷卻。在使用 此種簡便之溫度調節機構之情況，當設定上述方式之溫度 調節條件時，在環境溫度爲-4 5〜35 °C之範圍，半導體雷射5 之溫度被控制在3 5 °C，但是在超過3 5 °C至8 5 °C之環境溫 度範圍，就直接變動爲環境溫度。 但是，未進行溫度調節之情況之半導體雷射5溫度變 化範圍爲1 3 0 °C，當此相對的，經由進行該溫度調節’可 以使溫度變化範圍大幅的減小至5 0 °C。半導體雷射5之振 盪波長之變動範圍亦可以抑制到從大約26nm至l〇nm程度 1243260 。實質上，在環境溫度爲-4 5〜35 °C之範圍，該振盪波長被 控制在大約6 5 0 nm ;另外在3 5〜8 5 °C之範圍，則在大約 650〜660nm之範圍進行變動。 依照上述之方式，經由將雷射光9之波長變動範圍抑制 成很小，可以有效的使用第6圖所示之PMMA塑膠光纖之 低損失區域，可以實現低損失之穩定之傳送特性。依照此 種傳送裝置時，可以大幅的延伸能夠進行高速大容量之光 通信之距離。 另外溫度調節機構因爲又在-4 5〜35 °C之環境溫度範圍， 將半導體雷射5之溫度控制在目標値，在35〜85 °C之環境 溫度範圍不進行溫度調節，所以可以比較廉價的形成。利 用此種構成，本實施例之傳送裝置可以避免進行溫度調節 造成大幅之成本上升。 另外，端面發光型之半導體雷射5易於獲得3 mW以上之 高輸出，和可以高輸出化，所以經由提高輸出可以補償包 含光纖光學系之各種耦合部損失之傳送損失，和要使高溫 下之動作穩定性變爲優良時，利用加熱之溫度調節，成爲 在動作溫度較高溫時亦可以穩定的動作，從這2點來看， 特別適合於使用本發明。 例如，使振盪波長成爲64 5±5nm(35°C )，製作半導體雷 射時，如該實施例之方式，當將動作範圍設定在3 5〜8 5 °C 之間時，考慮到元件之誤差變化和元件之溫度變化，可以 將振盪波長限制在6 4 0〜6 6 0 n m之範圍。在使用有第6圖所 示之傳輸損失特性之PMMA塑膠光纖之情況時，可以有效 -13- 1243260 的利用大致200dB/km以下之低損失區域。實質上，使用分 布折射率型之PMMA塑膠光纖，可以進行；ighz· l〇〇m之 高速，長距離傳送。 另外，在該實施例中是使用以球透鏡6聚光之聚光方式 ’但是亦可以使用球透鏡以外之透鏡作爲聚光用。另外， 聚光透鏡亦可以預先安裝在帽蓋型封裝2之窗部。另外塑 膠光纖之光芯子直徑並不只限於7 0 0 μηι，亦可以成爲其以 外之900 μπι等。本發明所使用之塑膠光纖因爲可以使芯子 直徑形成較大，所以經由將其光纖端配置成接近半導體發 光元件，不需要使用透鏡就可以使雷射光直接耦合到光纖。 另外，經由將溫度調節之目標値設定成高於常溫，可以 獲得防止各個光學元件結露之效果。 另外，在該實施例中是使用端面發光型半導體雷射，但 是在本發明中亦可以使用面發光雷射。在面發光雷射，振 盪波長和溫度之相關性，利用D B R (D i s t r i b u t e d B r a g g Reflector)鏡之效應，一般可以減小成爲端面發光型半導體 雷射之1 /3程度，即使不進行溫度調節亦可將振盪波長收 斂在與該實施例同樣之範圍。但是要有效使用第6圖所示 之PMMA塑膠光纖之特別是低損失之區域時，溫度調節最 好使用更窄之範圍，從此觀點看來時，本發明最好使用面 發光雷射。同樣的在本發明中適於使用具有DBR鏡之LED 之 RC(Resonant Cavity)-LED 〇 下面將說明本發明之另一實施例。第2圖表示本發明 第2實施例之使用塑膠光纖之傳送裝置之側面形狀，另外 1243260 第3圖和第4圖表示從該傳送裝置之副裝置者上部份之平 面形狀和正面形狀。本實施例之傳送裝置用來構成後面所 述第5圖之發訊/收訊模組3 0之發訊/收訊副模組，具有： 端面發光型之半導體雷射晶片；PMMA塑膠光纖12 ;用來 固定該等之S i製之副裝置1 3 ;和基板1 4，兼作爲散熱板。 半導體雷射晶片1 1在溫度25 °C，輸出3mW時之振盪波 長爲6 5 0 n m，振盪波長之溫度相關性大約爲0.2 n m / d e g，經 由對其接合面，亦即對接近活性層1 5側之面進行焊接，用 來將其固定在Si副裝置13上。PMMA塑膠光纖12其芯子 12a之直徑爲500μιη，包含包蓋之直徑爲700μιη，被配置成 使從半導體雷射晶片1 1發出之雷射光1 6直接照射在其芯 子1 2 a之端面。利用此種構成，雷射光1 6射入到芯子1 2 a 內，在其中以多工模態進行導波，傳輸。 在Si副裝置13之上面，固定有熱阻器17使其接近半導 體雷射晶片1 1，和作爲溫度檢測裝置。另外，在S i副裝置 1 3之上面設有分離溝丨8用來使半導體雷射晶片n和 PMMA塑膠光纖12進行分離，和設有剖面爲v字形之溝 19’用來對PMM A塑膠光纖進行定位。PMMA塑膠光纖12 在利用該V溝1 9規定位置之後，經由uv硬化型接著劑被 固疋在Si副裝置13。 從半導體雷射晶片丨丨射出之雷射光1 6之擴展角度其半 値全角爲3 0度程度，假如使該分離溝1 8之幅度成爲 5 0〜100 μιη程度時’即使不使用透鏡亦可以使雷射光16 1243260 以7 0%以上之效率，耦合到pmMA塑膠光纖。另外，經由 在半導體雷射晶片1 1和S i副裝置1 3設置調正標記2 0，可 以使規定PMMA塑膠光纖12位置之V溝19和半導體雷射 晶片1 1之發光位置，形成位置對準，利用簡單之組建可以 進行高精確度之調正。 在本實施例中，與第1實施例同樣的，半導體雷射晶片 1 1之溫度被溫度調節機構設定在指定之目標値，該溫度調 節機構之構成包含有：電熱器22，作爲被內藏在基板1 4 之加熱裝置；熱阻器1 7，作爲溫度檢測裝置；和溫度控制 電路2 1。亦即溫度控制電路2 1根據從熱阻器1 7輸出之溫 度檢測信號S，控制電熱器22之驅動電流，用來使基板1 4 之溫度，亦即半導體雷射晶片1 1之溫度維持在目標値。 另外該溫度調節之目標値是低於使用環境之假想最高溫 度値。在此處亦是環境溫度假如假想爲-4 5〜85 °C時，溫度 調節之目標値成爲3 5 °C。當設定此種溫度調節之條件時， 半導體雷射晶片1 1之溫度，在環境溫度爲-4 5〜3 5 °C之範 圍時，被控制成爲3 5 °C，但是在超過3 5 °C至8 5。(：之環境 溫度範圍時，變動成爲環境溫度。 但是，在不進行溫度調節之情況，半導體雷射晶片1 1之 溫度變化範圍爲1 3 (TC，與此相對的，經由進該溫度調節 ’可以使溫度變化範圍大幅的減小至5 01。因此，半導體 雷射晶片1 1振盪波長之變動範圍亦可以抑制成從大約 26 nm降至l〇nm之程度。實質上，該振盪波長在環境溫度 爲-45〜3 5°C之範圍，被控制成爲大約6 5 2nm，另外，在35〜 -16- 1243260 件耦合，但是本發明是使傳送用之Ρ Μ Μ A塑膠光纖之低損 ‘ 失特性有效的活用，用來獲得高性能之傳送裝置，因此， 在模組內部不需要使用與傳送用同樣之光纖，可以使用玻 璃光纖’或使用可以與外部光纖適當耦合之透鏡，導波路 徑等之光學系。 另外’在該實施例中是在副模組內設置加熱裝置和溫度 、 檢測裝置’但是亦可以依照使用副模組裝置之不同，在副 模組外設置加熱裝置和溫度檢測裝置。另外，爲著與其他 0 之目的共用，或是對多個副模組同時進行溫度控制，亦可 以在外部設置加熱裝置或溫度檢測裝置。 另外，在本發明中並不只限於只利用Ρ Μ Μ A形成芯子之 塑膠光纖’亦可以使用在PMMA添加其他物質之材料用以 · 形成芯子之塑膠光纖，在此種情況，塑膠光纖之損失特性 ’即使損失之値本身有變化時基本上亦形成第6圖所示之 型樣’所以可以獲得與先前說明者同樣之效果。另外，在 本發明中，對於以PMMA以外之材料形成芯子之塑膠光纖 鲁 ’基本上只要具有第6圖所示之損失特性者，亦同樣的可 以適用。 另外’本發明之使用塑膠光纖之傳送裝置並只限於一般之 光通信’亦可適用於利用光信號傳送資訊全部之系統。此 種光通信以外之系統例如數位工作系統爲其實例。第7圖中 表示數位工作系統3 1 0之一實例之槪略構造，第8圖表示數 位工作系統3 1 0之外觀。如第7圖所示，該工作系統3 1 〇之 構成包含有線CCD掃瞄器3 1 4，圖像處理部3 1 6，雷射印刷 -18- 1243260 機部，和處理機部3 20，線CCD掃瞄器3 1 4和圖像處理部 3 1 6被設在第8圖所示之輸入部3 2 6，雷射印刷機部3 1 8和 處理機部3 2 0被設在第8圖所示之輸出部3 2 8。 線C C D掃瞄器3 1 4用來讀取被記錄在負底片或逆底片等 照相底片之底片圖像，例如可以以1 3 5尺寸之照相底片， 1 〇〇尺寸之照相底片，和形成有透明磁性層之照相底片（240 尺寸之照相底片··所謂之APS底片），120尺寸和22 0尺寸 (布朗尼（brownie))照相底片之底片圖像作爲讀取對象。線 CCD掃瞄器314以線CCD讀取該讀取對象之底片圖像，用 來輸出圖像資料。另外，代替上述之線C C D掃瞄器3 1 4者 ，亦可以設置區域CCD掃瞄器，利用區域CCD用來讀取 底片圖像。 圖像處理部3 1 6構建成被輸入有從線CCD掃描器3 1 4輸 出之圖像資料（掃瞄圖像資料），和可以從外部輸入利用數 位照相機之攝影所獲得之圖像資料，掃瞄底片圖像以外之 原稿（例如反射原稿等）所讀取得到之圖像資料，或利用電 腦產生之圖像資料等（以下將該等總稱爲檔案圖像資料）（例 如’經由記憶器卡等之記憶媒體輸入，或經由通信線路從 其他之資訊處理機器輸入等）。 圖像處理部3 1 6對被輸入之圖像資料進行各種校正等之 圖像處理，作爲記錄用圖像資料的輸出到雷射印刷機部3 ：[ 8 。另外’圖像處理部3 1 6將處理過圖像處理之圖像資料， 作爲圖像檔案的輸出到外部（例如輸出到記憶器卡等之記 憶媒體’或經由通信線路發訊到其他之資訊處理機器等）。 1243260 雷射印刷機邰3 1 8具備有雷射光源用來振盪出r、〇、b 之雷射光’使依照從圖像處理部3 1 6輸入之記錄用圖像資 料調變之雷射光，照射在印刷紙，利用掃瞄曝光用來將圖 像記錄在印刷紙。另外，處理機部3 2 0對在雷射印刷機部 3 1 8利用掃瞄曝光記錄有圖像之印刷紙，施加發色顯像， 漂白定像，水洗，乾燥之各種處理。利用此種方式在印刷 紙上形成圖像。 (線CCD掃瞄器之構造） 下面將說明線CCD掃瞄器3 1 4之構造。第9圖表示線 CCD掃猫器314光學系之槪略構造。該光學系具備有光源 3 3 0由鹵素燈或金屬鹵化物燈等構成，用來將光照射在底 片3 2 2，在光源3 3 0之光射出側配置有光擴散盒3 3 6，用來 使照射在照相底片3 2 2之光成爲擴散光。 照相底片3 22經由被配置在光擴散盒3 3 6光射出側之底片 載體3 3 8 (參照第1 1圖，在第9圖中被省略），依照與光軸正 交之方向被搬運。另外，在第9圖中顯示長方形之照相底片 ，但是在每1個圖框，對於被保持在幻燈片用之保持器之幻 燈片底片（逆底片）或APS底片，準備有各個專用之底片載體 (APS底片用之底片載體具有磁頭用來讀取被磁性記錄在磁 性層之資訊），用來搬運該等之照相底片。 另外，在光源3 3 0和光擴散盒3 3 6之間，沿著射出光之 光軸，順序的設置C(青綠）、Μ(紫紅）、Y(黃）之調光過濾器 114C、114Μ、114Υ，在包夾照相底片322之光源330之相 反側，沿著光軸順序的配置使透過底片圖像光成像之透 -20- 1243260 鏡單位3 4 0，線C C D 1 1 6。在第9圖中顯示只以單一個之透 鏡作爲鏡透單位3 4 0，但是透鏡單位3 4 0實際上是由多個 透鏡構成之變焦透鏡。 線C C D 1 1 6被構建成（所謂之3線彩色C C D )將多個由C C D 單元構成之光電變換元件配置成一列，和將具有電子快門 機構之感測部設置成爲隔開間隔之互相平行之3線，在各 個感測部之光入射側分別安裝R、G、B之色分解過濾器之 任何一個。線C CD 1 1 6被配置成使各個感測部之受光面成 爲與透鏡單位3 4 0之成像位置一致。另外，在各個感測部 之附近，設有轉送部分別對應到各個感測部，被儲存在各 個感測部之各個CCD單元之電荷，經由對應之轉送部被順 序的轉送。另外，圖中未顯示者，在線C C D 1 1 6和透鏡單 位3 4 0之間設有快門。 第1 0圖表示線C C D掃瞄器3 1 4電系之槪略構造。線C C D 掃瞄器314具備有微處理機46用來進行線CCD掃瞄器314 全體之控制。在微處理機46經由匯流排62連接有RAM64( 例如SRAM)和ROM66(例如記憶內容可重寫之ROM)，和連 接有馬達驅動器4 8，在馬達驅動器4 8連接有過濾器驅動 馬達54。過濾器驅動馬達54可以使調光過濾器1 14C、1 14M 、1 1 4 Y互相獨立的進行滑動移動。 微處理機46形成與圖中未顯示之電源開關ON/OFF連動 ，用來使光源3 3 0閃亮。另外，微處理機46在利用線CCD1 16 進行底片圖像之讀取（測光）時，經由過濾器驅動馬達5 4使 調光過濾器1 14C、1 14M、1 14Y互相獨立的滑動移動，用 -21- 1243260 各個像素之濃度誤差變化，引起各個單元之光電變 之誤差變化）’決定各個單元之增益，依照各個單元 之增益’對從線C C D掃瞄器3 1 4輸入讀取對象之底 之圖像資料，進行各個像素之校正。 另外一方面，在調整用底片圖像之圖像資料，當 素之濃度和其他像素之濃度成爲很大不同之情況時 CCD1 16之該特定像素對應之單元會有稍微之異常， 斷該特定之像素爲缺陷像素。缺陷像素校正部1 2 8 整用底片圖像之圖像資料，記憶缺陷像素之位址， CCD掃瞄器314輸入讀取對象之底片圖像之圖像資 對於缺陷像素之資料，從周圍像素之資料進行內插 產生新的資料。 另外，在線CCD1 16，因爲將依照照相底片3 22之 向之正交方向延伸之3根線（C C D單元列），沿著照； 3 2 2之搬運方向，以隔開指定之間隔順序的配置，戶 線CCD掃瞄器314開始輸出R、G、B之各成分色I 料之時序會有時間差。在線掃瞄器校正部1 22設有 顯示之延遲電路，以底片圖像上同一像素之R、G、 像資料同時輸出之方式，以最慢輸出圖像資料之輸 作爲基準，對於其餘之2色，以不同延遲時間進行 料之輸出時序之延遲。 線掃瞄校正部1 22之輸出端連接到選擇器1 32之 ，從校正部1 22輸出之圖像資料被輸入到選擇器1 3 外，選擇器1 3 2之輸入端亦連接到輸入/輸出控制器 換特性 被決定 片圖像 特定像 ，與線 可以判 根據調 在從線 料中， ，用來 搬運力 泪底片 斤以從 B像資 圖中未 B之圖 出時序 圖像資 輸入端 2。另 134之 -24· 1243260 另外，圖像處理之最佳處理條件，依照圖像處理後之圖 像資料是用在雷射印刷機部3 1 8之將圖像記錄到印刷紙， 或是輸出到外部等而變化。因爲在圖像處理部3 1 6設有2 個影像處理機部1 3 6 A、1 3 6B，所以例如當使用在將圖像資 料記錄到印刷紙和輸出到外部等之情況時，自動設立引擎 1 44演算各種用途之最佳處理條件，將其輸出到影像處理 機部136A、136B。利用此種方式，在影像處理機部136A 、1 3 6B，以互異之處理條件對同一最後掃描圖像資料進行 圖像處理。 另外，自動設立引擎144根據從該輸入/輸出控制器134 輸入底片圖像之預掃描圖像資料，算出當利用雷射印刷機 部3 1 8將圖像記錄在印刷紙時之用以規定灰度平衡等之圖 像記錄用參數，在將記錄用圖像資料（如後面所述）輸出雷 射印刷機部3 1 8時同時輸出。另外，自動設立引擎1 44對 於從外部輸入之檔案圖像資料，亦與上述者同樣的進行圖 像處理之處理條件之演算。 輸入/輸出控制器1 3 4經由I/F電路1 5 6連接到雷射印刷 機部3 1 8。當將圖像處理後之圖像資料使用在將圖像記錄 到印刷紙之情況時，在影像處理機部1 3 6進行過圖像處理 之圖像資料，從輸入/輸出控制器134經由I/F電路156，作 爲記錄用圖像資料的輸出到雷射印刷機部3 1 8。另外，自 動設立引擎1 44連接到個人電腦1 5 8。當將圖像處理後之 圖像資料作爲圖像檔案的輸出到外部之情況時，在影像處 理機部1 3 6進行過圖像處理之圖像資料，從輸入/輸出控制 1243260 器1 3 4經由自動設入引擎1 4 4輸出到個人電腦1 5 8。 個人電腦158被構建成具備有CPU 160、記憶器162、顯 示器164和鍵盤16 6(參照第8圖）、硬碟168、CD-ROM驅 動器1 70、搬運控制部1 72、擴充槽1 74、和圖像壓縮/擴伸 部1 76，該等經由匯流排1 78互相連接。搬運控制部1 72 連接到底片載體3 3 8，用來控制利用底片載體3 3 8之對照 相底片3 2 2之搬運。另外，當將APS底片設定在底片載體 3 3 8之情況時，底片載體3 3 8就被輸入有從AP S底片之磁 性層讀取到之資訊（例如圖像記錄尺寸等）。 另外，用以對記憶器卡等之記憶媒體進行資料之讀出/寫 入之驅動器（圖中未顯示），和用來進行與其他之資訊處理 機器進行通信之通信控制裝置，經由擴充槽1 74連接到個 人電腦1 5 8。當從輸入/輸出控制器1 3 4朝向外部輸入該輸 出用圖像資料之情況時，該圖像資料經由擴充槽1 7 4作爲 圖像檔案的被輸出到外部（該驅動器和通信控制裝置等）。 另外，當經由擴充槽1 74從外部輸入檔案圖像資料之情況 時，被輸入之檔案圖像資料，經由自動設立引擎1 44，被 輸出到該輸入/輸出控制器1 3 4。在此種情況，該輸入/輸出 控制器1 3 4將被輸入之檔案圖像資料輸出到選擇器丨3 2。 另外’圖像處理部3 1 6將預掃描圖像資料等輸出到個人 電腦1 5 8，將利用線C C D掃描器3 1 4讀取到之底片圖像顯 不在顯示器1 6 4，推定記錄在印刷紙之圖像，將其顯示在 顯示器1 64，當經由鍵盤1 66對操作員指示進行圖像之修 -28- 1243260 正等時’可以使其反應在圖像處理之處理條件。 第1 2圖表示雷射印刷機部3 i 8和處理機部3 2 0電氣之槪 略構造。雷射印刷機部3 1 8具備有用以記憶圖像資料之框 架記憶器2 3 0。框架記憶器2 3 0經由I / F電路2 3 2連接到圖 像處理部3 1 6，從圖像處理部3 1 6輸入之記錄用圖像資料（ 用來表示欲被記錄在印刷紙224圖像之各個像素之R、G、 B濃度之圖像資料），經由i/f電路2 3 2被暫時的記憶在框 架記憶器2 3 0。框架記憶器2 3 0經由D/A變換器234連接 到曝光部2 3 6，和連接印刷機部控制電路2 3 8。 上述方式之數位工作系統中之進行資訊授受之任何一個 部份’均可使用本發明之裝置。本發明之裝置特別適合於 用來傳送光信號，所包含之處理情況有：從線C C D掃描器 將資料轉送到圖像處理部（第1 〇圖之放大器7 6 - A / D變換器 82 間、A/D 變換器 82-CDS88 間、CDS88 - I/F 電路 90 間） ;從圖像處理部將資料轉送到雷射印刷機部（第1 2圖之A/D 變換器234-曝光部2 3 6間，框架記憶器23 0-A/D變換器234 間）；從圖像處理部將資料轉送到主控制部（個人電腦）（第 1 1圖之輸入/輸出埠口 1 5 2-匯流排1 7 8間）；從主控制部（ 個人電腦）將資料轉送到外部裝置（第7圖之圖像處理部 3 1 6-「記錄媒體或其他之資訊處理機器等」間）；和將資料 從輸入機轉送到輸出機（第1 1圖之圖像處理部3 1 6-雷射印 刷機部3 1 8間）。 另外’本發明之裝置亦可以使用在印刷製版工程之輸入一 編輯（DTP)-輸出各個工程間之資訊傳送。另外，本發明之 -29- 1243260 裝置亦可以使用在醫療領域之資訊傳送（例如，醫院內LAN ，醫院間LAN，亦即儲存有病人之病歷和醫療診斷圖像之中 央服務部和各個診察室之終端機間之資訊傳送等。 (五）圖式簡單說明： 第1圖是部份剖示側視圖，用來表示本發明之第1實施 例之使用塑膠光纖之傳送裝置。 第2圖是側視圖，用來表示本發明之第2實施例之使用 塑膠光纖之傳送裝置。 第3圖是俯視圖，用來表示第2圖之傳送裝置之一部份。 第4圖是前視圖，用來表示第3圖之傳送裝置之一部份。 第5圖是槪略圖，用來表示使用有第3圖之傳送裝置之 雙向光通信系統。 第6圖之圖形表示本發明所使用之PMMA塑膠光纖之傳 輸損失特性。 第7圖是使用有本發明之傳送裝置之數位工作系統之槪 略方塊圖。 第8圖是該數位工作系統之外觀圖。 第9圖是該數位工作系統之線c c D掃描器之光學系統之 槪略構造圖。 第10圖是方塊圖’用來表示該線CCD掃描器之電系之 槪略構造。 第1 1圖是方塊圖’用來表示該數位工作系統之圖像處理 部之槪略構造。 第1 2圖是方塊圖，用來表示該數位工作系統之雷射印刷 -30-