KR20060109293A - 수광회로, 반도체 레이저 장치, 및 광픽업 장치 - Google Patents

수광회로, 반도체 레이저 장치, 및 광픽업 장치 Download PDF

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KR20060109293A
KR20060109293A KR1020060009374A KR20060009374A KR20060109293A KR 20060109293 A KR20060109293 A KR 20060109293A KR 1020060009374 A KR1020060009374 A KR 1020060009374A KR 20060009374 A KR20060009374 A KR 20060009374A KR 20060109293 A KR20060109293 A KR 20060109293A
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light
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receiving circuit
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유조 시미즈
히사타다 야스카와
신이치 하마구치
켄지 이마이즈미
신이치 미야모토
요스케 쿠로이와
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마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
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Abstract

환경온도의 변화에 의한 수광회로의 출력변동을 간편한 구성으로 방지할 수 있는 수광회로를 제공하는 것을 목적으로 하며, 이것을 위해, LD 파워 모니터용 포토다이오드(4)와, 귀환저항(13)이 접속된 I-V앰프(5)를 구비하고, 포토다이오드(4)의 수광부(16)는 보호막(19)으로 덮어져 있다. 레이저 광의 파장이 환경온도의 변화에 의해 시프트됨에 따른 보호막(19)의 광 투과율의 온도 의존성과, 귀환저항(13)의 저항치의 온도 의존성이 서로 보상되어, 수광회로의 출력전압이 온도 변화에 대하여 일정하게 되도록 설정되어 있다.
수광회로, 반도체 레이저 장치, 광픽업 장치

Description

수광회로, 반도체 레이저 장치, 및 광픽업 장치{LIGHT RECEIVING CIRCUIT, SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, AND OPTICAL PICKUP DEVICE}
도1은 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 수광회로의 구성을 나타낸 도면이다.
도2a는 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성의 경향으로서, 수광부상의 보호막의 투과율의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도2b는 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성의 경향으로서, 상기 투과율의 보호막 두께에 의한 변화를 나타낸 도면이다.
도2c는 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성의 경향으로서, 수광회로의 출력전압의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도2d는 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성의 경향으로서, 보호막 두께 조정 후의 투과율의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도2e는 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성의 경향으로서, 보호막 두께 조정 후의 출력전압의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도3a는 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성으로서, 귀환저항의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도3b는 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성으로 서, 보호막의 투과율의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도3c는 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성으로서, 수광회로의 출력전압의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도3d는 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성으로서, 보호막 두께 조정 후의 투과율의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도3e는 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성으로서, 보호막 두께 조정 후의 출력전압의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도4a는 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 수광회로의 구성을 나타내는 구성도이며, 수광부상에 보호막을 갖지 않는 경우의 도면이다.
도4b는 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 수광회로의 구성을 나타내는 구성도이며, 수광부상에 보호막을 갖는 경우의 도면이다.
도4c는 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 수광회로의 구성을 나타내는 구성도이며, 광투과성 부재가 유리판에 코팅되었을 경우의 도면이다.
도5a는 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성으로서, 귀환저항의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도5b는 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성으로서, 보호막의 투과율의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도5c는 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성으로서, 수광회로의 출력전압의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도5d는 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성으로 서, 코팅막 두께 조정 후의 투과율의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도5e는 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성으로서, 코팅막 두께 조정 후의 출력전압의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도6은 본 발명의 제 3 실시형태에 있어서의 수광회로의 구성을 나타낸 도면이다.
도7a는 종래기술에 있어서의 광픽업 장치의 구성을 나타내는 전체 구성도이다.
도7b는 LD 파워 모니터용 수광회로의 구성도이다.
도8a는 종래기술에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성으로서, 수광회로의 출력전압의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도8b는 종래기술에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성으로서, 귀환저항의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도8c는 종래기술에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성으로서, 조정 후의 수광회로의 출력전압의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
도8d는 종래기술에 있어서의 각 파라미터의 온도 의존성으로서, 조정 후의 귀환저항의 온도 의존성을 나타낸 도면이다.
본 발명은 광정보처리, 광계측, 광통신, 광기록디스크 등에 사용하는 수광회 로, 반도체 레이저 장치 및 광픽업 장치에 관한 것이다.
최근, 퍼스널 컴퓨터, 텔레비전 방송녹화 등의 대용량정보 기록매체로서, 광디스크 미디어에 직접 정보를 기록할 수 있는, 소위, 기록형 광디스크 미디어의 보급이 진행되고 있고, 대표적인 기록형 광디스크로서, 한번만의 기록이 가능한 CD-R, DVD-R, 또는 반복적으로 소거/기록할 수 있는 CD-RW, DVD-RW, DVD-RAM 등이 있다.
도7은 종래기술에 있어서의 광픽업 장치의 개략도이며, 도7a는 전체의 구성, 도7b는 LD 파워 모니터용 포토다이오드(4), 및 LD 파워 모니터용 광전류-전압 변환 앰프(5)를 포함하는 LD 파워 모니터용 수광회로(100)의 구성을 나타낸 도면이다(예컨대, 일본 특허공개 평11-41036호 공보 참조).
도7에 있어서, 1은 반도체 레이저 다이오드(이하, LD라 함), 2a, 2b, 2c 및 2d는 렌즈, 3a 및 3b는 빔 스프리터, 4는 LD 파워 모니터용 포토다이오드, 5는 LD 파워 모니터용 광전류-전압 변환 앰프(이하, I-V앰프라 함), 6은 엑츄에이터, 7은 광디스크, 8은 트래킹 서보 제어용 포토다이오드(PD), 9는 포커싱 서보 제어용 포토다이오드(PD), 1O은 트래킹 서보 제어용 광전류-전압 변환 앰프, 11은 포커싱 서보 제어용 광전류-전압 변환 앰프, 12는 레이저 구동회로, 13은 귀환저항이다.
또한, 도7에 있어서, I-V앰프(5, 10, 11)는 일단 앰프 구성이 되어 있지만, I-V앰프의 뒤에 추가적인 앰프가 복수단 임의로 연결되어 있어도 좋다.
도7에 도시된 바와 같은 광픽업 장치에 있어서, 광디스크(7)의 재생/기록/소거에 이용되는 반도체 레이저 다이오드(1)의 발광파워로서, 재생/기록/소거 각각의 모드에 따른 소정의 발광파워로 안정하게 발광하도록 정확하게 발광파워를 컨트롤할 필요가 있다.
도7에 도시된 광픽업 장치에 있어서, LD(1)로부터 출사된 광을 빔 스프리터(3a)로 분기하여, LD 파워 모니터용 포토다이오드(4)로 수신하고, 그 LD 파워 모니터용 포토다이오드(4)의 출력으로서의 광전류를 LD 파워 모니터용 광전류-전압 변환 앰프(5)에서 전압출력으로 변환하고, 그 전압출력이 일정하게 되도록, APC(automatic power control)회로를 통해, 레이저 구동회로(12)로 피드백 제어를 함으로써, LD(1)의 발광파워가 일정하게 되도록 컨트롤하고 있다.
또한, 이 구성에서는, LD 파워를 검출하기 위한 전용의 LD 파워 모니터용 포토다이오드(이하, 포토다이오드를 PD로 표기함)(4)가 구비되어 있지만, LD 파워를 모니터하기 위한 역할과, 포커싱 서보 제어용 PD(9), 또는 트래킹 서보 제어용PD(8)의 역할을 겸비하고 있는 광픽업 장치도 있다.
그러나, 상기 종래 구성에서는 다음과 같은 과제가 있다.
LD(1)로부터 실제로는 소망하는 일정한 발광파워가 출력되고 있었다고 해도, 수광회로(100)가 온도계수를 가지고 있는 경우, 앰프(5)의 출력전압이 외부 등의 온도 변화에 의해 변화되고, 그 변화에 따라 APC회로에 의해 LD구동회로(12)에 피드백 제어가 일어나기 때문에, 실질적으로 LD(1)의 발광파워가 변화되게 된다.
이와 같이, 실제 LD(1)의 발광파워가 확실히 소망하는 일정 파워로 발광되고 있음에도 불구하고, 수광회로(100)의 출력특성에 온도 의존성이 있기 때문에, 소망하는 파워와 다른 파워로 발광하도록 피드백이 걸리게 되버리는 경우가 있다.
이렇게 소망하는 파워와 다른 파워로 발광하도록 피드백이 걸리면, 예컨대, 재생하고 있는데도 불구하고, 수광회로(100)의 출력이 음의 온도계수를 가진다고 하면, 온도가 상승했을 경우 APC회로에는 LD(1)의 발광파워를 올리도록 피드백이 걸리고, 실질적으로 LD(1)의 발광파워가 상승하고, 실수로 광디스크에 정보를 기록하거나 혹은 반복기록에 대응하는 디스크 등에서는 정보를 소거해 버린다고 하는 문제가 발생한다.
또한, 반대의 경우, 기록하고 있음에도 불구하고, 수광회로(100)의 출력이 양의 온도계수를 가진다고 하면, 온도가 상승했을 경우, APC회로에는 LD(1)의 발광파워를 내리도록 피드백이 걸리고, 실질적으로, LD(1)의 발광파워가 저하하고, 본래, 광디스크에 정보를 기록함에 필요한 발광파워를 얻지 못하여, 기록을 할 수 없다고 하는 문제가 발생한다.
이러한 문제를 일으키지 않도록, 수광회로(100)의 출력전압은 온도에 대하여 변화되지 않는, 즉, 온도에 대하여 플랫(flat)인 특성인 것이 바람직하다.
이렇게 최근에 있어서의 기록형 광디스크 미디어의 보급과 함께, 수광회로(100)의 출력전압의 온도 의존성을 없애는 것이 광픽업 장치에 있어서 필요 불가결한 기술로 되어 있다.
따라서, 종래기술에 있어서의 과제에 대하여 더 상세히 설명한다.
종래기술에서는 수광회로(100)의 온도계수를 플랫하게 하기 위해 I-V앰프(5)의 출력전압 온도계수를 조정했다.
여기서, I-V앰프(5)의 출력전압 온도계수에 대해서는, I-V앰프(5)의 이득을 결정하는 귀환저항(13)의 온도계수로 거의 결정되기 때문에, I-V앰프(5)의 출력전압 온도계수를 조정하기 위해서는, 귀환저항(13)의 온도계수를 변경하는 것 등이 필요하다.
통상, I-V앰프(5)의 귀환저항(13)의 온도계수를 바꾸기 위해서는 귀환저항(13)을 형성하기 위한 재질을 바꿀 필요가 있다. 여기서, 귀환저항(13)의 종류로서는, 예컨대, 반도체 칩 내에 저항을 형성할 경우, 반도체기판에 불순물을 확산시킴으로써 형성되는 확산저항, 또는 반도체기판 표면에 폴리실리콘을 형성함으로써 형성되는 폴리실리콘저항 등이 있다.
이들 귀환저항의 온도계수를 바꾸기 위해서는, 확산하는 불순물의 재질, 폴리실리콘 등의 재질을 바꿀 필요가 있다. 또한, 온도계수가 다른 재질로 형성된 저항을 2종류 이상 조합시켜, 저항으로서 조합시킴으로써 온도계수를 조정할 수도 있다.
이와 같이, 귀환저항(13)의 온도계수를 조정함으로써, 수광회로(100)의 출력전압(Vo)의 온도계수를 조정하는 상태에 대해서 도8을 이용하여 개략적으로 설명한다.
도8a는 수광회로(100)의 출력전압(Vo)에 대해서, 조정 전의 온도계수를 나타낸 것이며, 도시된 온도계수는 하나의 예이다.
또한, 도8a에서는 온도가 -10℃일 때의 출력전압으로 규격화한 각 온도에 있어서의 출력전압(Vo)의 변화율을 세로축으로 취하고 있다.
도8a에 도시된 예에서는, 출력전압(Vo)의 온도계수는 온도가 높아지면 출력전압이 작아져, 소위 음의 온도계수를 가지고 있고, 온도범위가 -10℃∼70℃의 범위에서 출력전압(Vo)은 약 -3% 변화하고 있다.
또한, 출력전압(Vo)이 도8a에 도시된 바와 같은 온도계수를 가지고 있고, 이 때의 귀환저항(13)의 저항치에 대한 온도계수가, 예컨대, 도8b에 도시된 바와 같은 특성이었다고 한다.
여기서, 도8b에서는 온도가 -10℃일 때의 저항치로 규격화한 각 온도에 있어서의 저항치의 변화율을 세로축으로 취하고 있다.
통상, 도8b에 도시된 바와 같이, 귀환저항(13)의 온도계수는 온도에 대하여 직선적으로 변화되고, 온도 변화에 대한 기울기는 그 저항을 형성하는 재질에 의해 일반적으로 결정된다. 이 예의 경우, 귀환저항(13)은 온도범위가 -1O℃∼70℃의 범위에서 저항치로서 약 -2% 변화하는 바와 같은 온도계수를 가지고 있다.
LD의 출력을 모니터 하고 모니터 출력을 결정하는 시스템이 상기와 같은 구성일 때, 수광회로(100)의 출력전압(Vo)의 온도계수를 온도 변화에 대하여 플랫하게 되도록 조정한다고 한다.
온도계수를 조정한 후의 출력전압(Vo)의 온도 의존성을 도8c에 나타낸다. 도8c에서는, 수광회로(100)의 출력전압(Vo)의 온도계수를 조정 전(점선)에 대하여, 외관상, 온도가 -10℃의 출력을 기점으로 하여 온도계수의 기울기를 반시계 방향으로 각도 θ°회전하여 조정한 모양(실선)을 나타내고 있다.
이 경우, 조정 후에 있어서 온도범위가 -10℃∼70℃의 범위에서 출력전압(Vo)은 약 1% 이하의 변동으로 억제되고 있다. 통상, 도8c에 도시된 바와 같이, 외관상 출력전압(Vo)의 온도계수를 각도 θ° 회전시킨 경우, 귀환저항(13)의 온도계수를 도8d에 도시된 바와 같이, 외관상 조정 전(점선)에 대하여, 각도 θ°회전시킴으로써 실현시킬 수 있다.
출력전압의 온도계수를 1% 이내로 억제하기 위해서는, 도8d에 도시된 바와 같이, 귀환저항(13)의 온도계수의 기울기로서, 온도범위가 -10℃∼70℃의 범위에서 저항치가 약 +1% 변화하는 정도로 할 필요가 있다.
그러나, 상기한 바와 같이, 귀환저항(13)의 온도계수의 기울기를 바꾸기 위해서는 귀환저항(13)을 형성하는 재질, 그 자체를 다시 볼 필요가 있어서 조정 전과 조정 후에 저항을 형성하는 재질을 바꾸지 않으면 실현되지 않고, 용이하게 귀환저항의 온도계수를 바꿀 수가 없었다.
이렇게 귀환저항(13)의 온도계수를 바꾸기 위해서, 귀환저항(13)의 재질 그 자체를 그때마다 선정, 다시 볼 필요가 있기 때문에 I-V앰프(5)의 온도계수를 조정, 제어하는 것은 용이하지 않고, 곤란하였다.
또한, 반도체 칩 내에 귀환저항(13)을 형성할 경우, 재질의 변경에 따라 반도체를 제작하기 위한 프로세스 조건도 다시 볼 필요가 있어, 용이하게 귀환저항(13)을 바꿀 수는 없고, I-V앰프의 온도계수를 조정하는 것이 곤란했다.
본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하는 것으로, 환경온도의 변화에 의한 수광회로의 출력변동을 간편한 구성으로 방지할 수 있는 수광회로, 반도체 레이저 장치, 및 광픽업 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 개요는, 귀환저항의 재질은 종래의 것인 채로 , PD상에 형성된 보호막의 두께를 제어함으로써 수광회로의 온도계수를 플랫으로 하는 것이 가능하여, 종래와 같이 귀환저항을 형성하는 재질을 다시 보아서 온도계수를 개선하는 것 보다도 용이하게 온도계수를 개선할 수 있고, 또한, 보호막 두께의 설계를 행하는 것만으로, 임의로 시스템으로서의 온도계수를 제어할 수 있는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 수광회로는 수광부와, 상기 수광부에서 광전변환된 광전류를 증폭하는 광전류-전압 변환 앰프를 구비하고,
수광부상에는 보호막이 형성되어, 보호막이 투과하는 광의 파장 변화에 따른 보호막의 투과율의 온도계수를 갖고,
광전류-전압 변환 앰프에는 이득에 관계되는 귀환저항이 접속되며, 귀환저항은 온도 변화에 대한 저항의 온도계수를 갖는 것이며,
광전류-전압 변환 앰프의 출력전압이 온도 변화에 대하여 거의 일정해지도록 투과율의 온도계수와 저항의 온도계수를 설정한 것이다.
본 발명의 수광회로에 의하면, 수광소자상의 보호막 등의 두께를 변경하는 것만으로 출력전압의 온도계수가 용이하게 조정, 변경될 수 있기 때문에 귀환저항 의 저항치의 온도 의존성을 광의 파장이 환경온도의 변화에 의해 시프트됨에 따른 보호막 등의 광 투과율의 온도 의존성으로 보상함으로써, 간편하게 온도 변화에 의한 출력변동을 방지할 수 있는 고성능의 수광증폭 회로를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 수광회로는 수광부와, 수광부에서 광전변환된 광전류를 증폭하는 광전류-전압 변환 앰프를 구비하고,
수광부상에는 광투과성 부재가 형성되며, 광투과성 부재가 투과하는 광의 파장 변화에 따른 광투과성 부재의 투과율의 온도계수를 갖는 것이며,
광전류-전압 변환 앰프에는 이득에 관계되는 귀환저항이 접속되며, 귀환저항은 온도 변화에 대한 저항의 온도계수를 갖는 것이며,
광전류-전압 변환 앰프의 출력전압이 온도 변화에 대하여 거의 일정해지도록 투과율의 온도계수와 저항의 온도계수를 설정한 것이다.
수광부와 광전류-전압 변환 앰프가 동일한 반도체기판상에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
수광부와 광전류-전압 변환 앰프가 동일한 패키지내에 수납되어 있는 것이 바람직하다.
패키지에 있어서, 적어도 광이 입사되는 부분에는 광투과성 부재가 배치되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 수광회로는 수광부와, 상기 수광부에서 광전변환된 광전류를 증폭하는 광전류-전압 변환 앰프를 구비하고,
상기 수광부상에는 보호막이 형성됨과 아울러 광투과성 부재가 배치되고, 상 기 보호막 및 상기 광투과성 부재가 각각 투과하는 광의 파장 변화에 따른 투과율의 온도계수를 갖는 것이며,
상기 광전류-전압 변환 앰프에는 이득에 관계하는 귀환저항이 접속되며 상기 귀환저항은 온도 변화에 대한 저항의 온도계수를 갖는 것이며,
상기 광전류-전압 변환 앰프의 출력전압이 온도 변화에 대하여 거의 일정해지도록 상기 보호막 및 상기 광투과성 부재의 상기 투과율의 온도계수와 상기 저항의 온도계수를 설정한 것이다.
본 발명의 반도체 레이저 장치는 반도체 레이저 다이오드와, 상기 수광회로를 구비한 반도체 레이저 장치로서, 수광회로는 반도체레이저 다이오드의 출력을 모니터하는 것이다.
본 발명의 광픽업 장치는 본 발명의 반도체 레이저 장치와, 반도체 레이저 장치로부터 출사된 광이 기록매체에 있어서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비한다.
이하, 본 발명에 의한 실시형태에 대하여 도면을 이용해서 설명한다.
(제 1 실시형태)
도1은 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 수광회로의 구성을 나타낸 도면이다.
도1에 있어서, 4는 LD 파워 모니터용 포토다이오드, 5는 LD 파워 모니터용 광전류-전압 변환 앰프(I-V앰프), 13은 귀환저항, 14는 p형 반도체기판, 15는 n형확산영역, 16은 수광부, 17a 및 17b는 기판보호막, 18은 LD 파워 모니터용 포토다 이오드(4)로의 입사광, 19는 수광부 보호막이다.
또한, p형 반도체기판(14) 및 n형 확산영역(15)에 대해서는, 예컨대, n형기판과 p형 확산영역의 조합이라도 좋고, 수광부(16)의 구조에 대해서도, 특히, 본 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
LD 파워 모니터용 포토다이오드(4)로의 입사광(18)은 반도체 레이저 다이오드(LD)(도시되지 않음)로부터 출사된 것이다. 통상, LD는 LD 파워 모니터용 포토다이오드(4) 등과 같은 케이싱(casing)에 수납되어 있어, 주위온도 변화에 대하여 마찬가지로 영향이 미치게 된다.
주위온도가 변화되면 LD로부터 출사되는 광은 통상, 파장 변화를 일으킨다.
일례로서, 청자색의 광을 출사하는 LD에서는 주위온도가 -10℃로부터 75℃까지 변화되면, 파장이 400nm로부터 415nm까지 변화되는 일도 있다.
이 때, 도1에 도시된 바와 같이, 수광부(16)상에 보호막(19)이 형성되어 있을 경우, 온도 변화에 의한 파장 변화에 따라 외관상의 광 투과율이 변화된다.
본 발명은 이 현상을 이용하여 수광회로의 출력의 온도 의존성을 플랫하게 하는 것이며, 이하, 도2a∼도2e를 이용하여 본 발명의 기본원리에 대해 설명한다.
도2a는 보호막(19)의 투과율의 온도 의존성을 나타낸 도면이며, 이 경우, 청자색 LD를 이용한 예를 나타내고 있다. 또한, 도2a의 횡축에는 온도와 병기하여 그 온도에 있어서의 LD의 파장을 나타내고 있다. 또한, 광 투과율은 온도가 -10℃일 때의 투과율로 규격화하고 있다. 따라서, 도2a, 도2b, 도2d에 있어서의 투과율은 상기 조건으로 규격화된 투과율이다. 또한, 후술하는 도3b, 도3d 및 도5a, 도5b, 도5d에 있어서의 투과율도 도2a, 도2b, 도2d의 투과율과 마찬가지이다.
이와 같이, 광픽업 시스템내에 있어서는, 온도 변화에 의해 파장이 변화되기 때문에 보호막(19)을 통과하는 광 투과율이 온도에 의해 변화되는 현상이 일어나고 있다.
또한, 보호막(19)의 두께를 두껍게 하거나, 얇게 하거나 하면 광 투과율이 변화되는 것을 알 수 있고, 두께의 차이에 의해 파장 변화에 따라 광 투과율이 변화되는 모양을 도2b에 예로서 나타낸다. 일반적으로, 여기에서 도시한 바와 같이, 보호막(19)의 두께가 두꺼운 쪽이 파장 변화에 대하여 투과율이 민감하게 변동된다.
본 발명은 상기 현상을 이용하여 수광회로의 응답에 관한 온도 의존성을 플랫하게 하고 있다.
즉, 상기한 바와 같이, 환경온도의 변화에 대하여 보호막(19)의 외관상의 투과율이 변화되므로 입사광(18)이 수광부(16)로 입사하는 광량이 변화되고, 결국은 I-V앰프(5)에 입력으로서 들어가는 광전류가 변화되고, 따라서, I-V앰프(5)의 출력전압(Vo)도 온도에 대하여 외관상 변화되는 것이 된다.
따라서, I-V앰프(5)의 출력전압(Vo)의 온도계수를 변화시키기 위해서, 보호막(19)의 두께를 조정함으로써 그 두께에 따라 투과율의 온도 변화가 달라지므로, 외관상 I-V앰프(5)로서의 출력전압 온도계수를 임의로 조정할 수 있다.
도1에 도시한 수광회로의 조정 전의 출력전압(Vo)의 온도 의존성을 도2c에 나타낸다. 여기서, 출력전압은 온도가 -10℃에 있어서의 출력전압으로 규격화되어 있다.
도2c에 도시된 바와 같이, 온도범위가 -10℃∼70℃의 범위에서 출력전압은 약 -3% 변화하고 있다. 따라서, 도2d에 도시된 바와 같이, 투과율의 온도 변화가 외관상 각도θ 회전하도록 보호막의 두께를 조정 전의 두께보다도 두껍게 설정한다. 이 때의 I-V앰프(5)의 온도계수를 도2e에 나타낸다.
본 실시형태에 따르면, 도2b에 도시된 바와 같이, 두께에 따라 투과율의 온도 변화의 기울기가 변화되는 것을 이용하고, 도2d에 도시된 바와 같이, 보호막의 두께를 바꾸고, 투과율의 온도 변화가 외관상 각도θ 회전하도록 하면 I-V앰프(5)로서의 온도계수도 또한 각도θ 변화하게 되고, I-V앰프(5)로서의 온도계수를 플랫하게 할 수 있다.
도2e에는 조정 전의 출력전압(Vo)의 온도 변화가 약 -3%인 것에 대하여, 조정 후에는 약 -0.5%로 개선된 예를 나타낸다.
이와 같이, 수광부(16)상의 보호막(19)의 광 투과율에 관하여 그 온도 의존성을 미리 파악하여, I-V앰프(5) 출력의 온도 의존성과 서로 캔슬(cancel)하도록 보호막(19)의 두께를 설정하면 수광회로의 출력에 대한 환경온도의 영향을 제외할 수 있고, 나아가서는, 반도체 레이저 다이오드(LD)의 출력을 안정시키는 것이 가능해진다. 그 결과, 이것들을 이용한 광픽업 장치의 기록ㆍ재생 등으로 오동작을 일으킴이 없이, 높은 신뢰성이 얻어진다.
또한, 수광부 보호막(19)의 구성에 대해서, 상술하지 않고 있지만, 단층 또는 복수의 층이 적층된 적층구조이어도 좋고, 적층구조의 경우, 각 층의 두께를 적절하게 조합시킴으로써 I-V앰프(5)로서의 온도계수를 임의로 조정하는 것이 가능해진다.
도3에 본 실시형태에 있어서의 구체적 예에 대하여 나타낸다.
본 구체적 예에 있어서, 온도 변화의 범위는 -10℃∼70℃이며, 입사광으로서 소위 청자색 레이저를 사용하고, 상기 변화의 범위에서 레이저 파장이 400nm∼415nm로 변화된다.
도3a는 도1에 도시된 귀환저항(13)으로서, 온도계수가 약 -250ppm/℃인 폴리실리콘저항을 이용했을 경우의 저항치의 온도 의존성을 나타낸 도면이다. 또한, 저항치는 온도가 -10℃일 때의 저항치로 규격화되어 있다.
도3a에 도시된 경우에, 귀환저항(13)은 환경온도가 -10℃∼70℃의 범위에서 저항치가 약 -2% 변화했다.
한편, 도3b은 수광부(16)상의 보호막(19)의 투과율의 온도 의존성을 나타낸다. 여기서, 보호막(19)의 구성은 p형 반도체기판(14), 예컨대, p형 실리콘 기판의 표면에 실리콘 산화막(SiO2)이 두께 약 6nm, 더욱이 그 위에, 실리콘 질화막(SiN)이 두께 약 36nm의 두께로 형성된 2층구조이다. 또한, 투과율은 온도가 -10℃일 때의 투과율로 규격화되어 있다.
도3b의 경우, 환경온도가 -10℃∼70℃의 범위에서, 보호막(19)의 투과율은 약 -1% 변화했다.
도3a 및 도3b에 도시된 특성을 갖는 귀환저항(13)과 보호막(19)을 구비한 수광회로의 출력전압(Vo)의 온도 의존성을 도3c에 나타낸다. 또한, 출력전압은 온도가 -10℃일 때의 출력으로 규격화되어 있다.
도3c에 도시된 바와 같이, 환경온도가 -10℃∼70℃의 범위에서 출력전압(Vo)은 약 -3% 변화하고 있어, 도3a 및 도3b에 도시된 저항치, 및 투과율의 온도 변화의 합으로 되어 있는 것을 알 수 있다.
여기서, 수광부 보호막(19)의 구성을, SiO2의 두께는 고정하고, SiN의 막 두께만을 약 44nm로 하여 투과율의 조정을 꾀했다. 이러한 경우, 보호막(19)의 투과율의 온도 의존성을 도3d에 나타낸다. 이것으로부터 알 수 있는 바와 같이, 조정 전의 보호막 투과율이 -10℃∼70℃의 범위에서 약 -1% 변화하고 있었던 것이, 조정 후, 약 +1.5%의 변화로 할 수가 있었다.
이와 같이, 보호막(19)의 두께를 조정한 후의 출력전압(Vo)의 온도 의존성을 도3e에 나타낸다. 이것으로부터 알 수 있는 바와 같이, 조정 전에 출력전압이 -10℃∼70℃의 범위에서 약 -3% 변동하고 있었던 것을, 조정 후, 약 -0.5%의 변동으로 억제하는 것이 가능해졌다.
이상, 본 실시형태에 따르면, 환경온도의 변화에 의해, LD 파워 모니터용 수광회로의 출력이 변동하는 것을, 간편한 구성으로 억제할 수 있고, 그것에 의해 LD의 출력을 안정화할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 수광회로를 LD와 함께 사용하면, 환경온도의 변화에 의한 출력변동이 억제된 고성능의 반도체 레이저 장치를 실현할 수 있다. 또한, 도7에 도시된 바와 같은 광픽업 장치에 적용하면, 환경온도의 변화에 의한 오동작을 방지할 수 있고, 신뢰성을 대폭 향상하는 것이 가능해진다. 또한, 도7에서는 광전류-전압 변환 앰프(5, 10, 11)로서 I-V앰프로 이루어지는 일단의 앰프 구성이 되어 있지만, 본 발명은 특히 이러한 앰프 구성에 한정되는 것이 아니라 이들 I-V앰프의 뒤에 추가로 앰프가 복수단 임의로 연결되어도 본 발명은 마찬가지의 효과가 있다.
(실시형태2)
도4a∼도4c는 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 수광회로의 구성을 나타낸 도면이며, 도4a는 수광부상에 보호막을 갖지 않는 경우이며, 도4b는 수광부상에 보호막을 갖는 경우이며, 도4c는 도4a의 구성에 대하여 광투과성 부재가 유리판에 코팅되었을 경우이다.
도4a∼도4c에 있어서, 20은 광투과성 물질로 형성된 광투과성 부재, 21은 유리 기판이며, 기타, 도1과 공통인 요소에 대해서는 도1과 동일한 번호를 부여하고 설명을 생략한다.
본 실시형태에서는, 수광부(16)의 상부에 광투과성 부재(20)를 배치한 것을 특징으로 한다. 이 광투과성 부재(20)를 통해 입사광(18)은 수광부(16)에 입사된다. 광투과성 부재(20)로서, 예컨대, 광투과필터나, 수광부(16)에 입사광(18)이 입사할때 까지 통과하는 광축상에 배치되어 있는 렌즈 등의 표면에 형성되어 있는 바와 같은 반사 방지막용 코팅막 등이 있다.
광투과성 부재(20)는 제 1 실시형태에 표시된 보호막(19)과 동일한 기능을 하는 것이다. 즉 온도 변화에 대하여 광투과성 부재(20)를 통과하는 입사광(18)의 파장이 변화되고, 또한, 이 광투과성 부재(20)의 두께와 파장 변화에 따라, 광투과성 부재(20)의 투과율이 도2a와 같이 변화됨으로써 수광부(16)에 입사되는 입사광(18)의 광량이 변화되고, 외관상 I-V앰프(5)의 입력이 변화되고, 온도 변화에 대하여 출력전압(Vo)이 변화되는 것이다.
제 1 실시형태와 마찬가지로, 이 광투과성 부재(20)의 막 두께를 적절하게 설계함으로써 출력전압(Vo)을 원하는 온도로 변화시킬 수 있는 것이다. 출력전압(Vo)의 온도 변화를 임의로 조정하는 원리에 대해서는 제 1 실시형태와 완전히 동일하므로 여기서는 상세한 설명을 생략한다.
또한, 도4b에 도시된 바와 같이, 보호막(19)과, 광을 투과시키는 광투과성 부재(20)가 양쪽 모두 겸비하고 있는 바와 같은 경우에도, 보호막(19) 또는 광투과성 부재(20) 서로의 막 두께를 적절하게 조합시켜서 설계함으로써, 출력전압(Vo)의 온도계수를 조정할 수 있다. 여기서, 보호막(19)의 재질과 광투과성 부재(20)의 재질에 대해서는 특히 동일할 필요성도 없고 양자의 재질에 의해 본 발명이 특히 한정되는 것은 아니다.
이와 같이, 본 실시형태에서는 입사광(18)이 온도 변화에 의해 파장 변화되고, 그 결과, 물질로의 투과율이 변화되는 바와 같은 재질로 형성되어 있는 바와 같은 광투과성 부재(20)가, 입사광(18)이 통과하는 광축상에 적어도 하나 이상 배 치되어 있으면, 지금까지 말하고 있는 출력전압의 온도계수를 조정하는 효과가 얻어지는 것이다.
여기서, 도4c 및 도5a∼도5e를 이용하여, 출력전압(Vo) 등의 온도 의존성을 조정하는 구체적 예에 대하여 설명한다. 또한, 본 구체적 예에 있어서는, 제 1 실시형태의 구체적 예와, 온도 변화의 범위, 사용하는 LD, 및 그 파장 변화량은 동일하다.
도4c에 있어서, 광투과성 부재(20)로서 불화 마그네슘을 사용하고 있고, 이것이 붕규산유리(borosilicate glass)로 이루어지는 유리판(21)의 표면(광이 입사 하는 쪽)에 코팅되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 불화 마그네슘의 두께는 약 190nm이다.
또한, 귀환저항(13)의 재질 및 저항 변화의 온도 의존성은 제 1 실시형태의 경우와 마찬가지이다.
도5a는 본 실시형태에 있어서의 귀환저항의 저항치의 온도 의존성을 나타낸 도면이다. 또한, 저항치는 온도가 -10℃일 때의 저항치로 규격화되어 있다.
도5a에 도시된 경우에는, 귀환저항(13)은 환경온도가 -10℃∼70℃의 범위에서 저항치가 약 -2% 변화했다.
도5b는 광투과성 부재를 코팅한 유리판(21)의 투과율의 온도 의존성을 나타낸다. 또한, 투과율은 온도가 -10℃일 때의 투과율로 규격화되어 있다. 도5b로부터 알 수 있는 바와 같이, 환경온도가 -10℃∼70℃의 범위에서, 투과율은 약 -1% 변화 했다.
도5a~도5b에 도시된 특성을 갖는 귀환저항(13)과 유리판(21)을 구비한 수광회로의 출력전압(Vo)의 온도 의존성을 도5c에 나타낸다. 또한, 출력전압은 온도가 -10℃일 때의 출력으로 규격화되어 있다.
도5c에 도시된 바와 같이, 환경온도가 -10℃∼70℃의 범위에서 출력전압(Vo)은 약 -3% 변화하고 있어, 도5a 및 도5b에 도시된 저항치, 및 투과율의 온도 변화의 합으로 되어 있는 것을 알 수 있다.
여기서, 불화 마그네슘의 막 두께를 약 190nm로부터 약 405nm로 하여 투과율의 조정을 꾀했다. 이 경우, 유리판의 투과율의 온도 의존성을 도5d에 나타낸다. 이것으로부터 알 수 있는 바와 같이, 조정 전의 보호막 투과율이 -10℃∼70℃의 범위에서 약 -1% 변화하고 있었던 것이, 조정 후, 약 +1%의 변화로 할 수 있었다.
이와 같이, 광투과성 부재(20)의 막 두께를 조정한 후의 출력전압(Vo)의 온도 의존성을 도5e에 나타낸다. 이것으로부터 알 수 있는 바와 같이, 조정 전에 출력전압이 -10℃∼70℃의 범위에서 약 -3% 변동하고 있었던 것을, 조정 후, 약 -1%의 변동으로 억제하는 것이 가능해졌다.
(실시형태3)
도6은 본 발명의 제 3 실시형태에 있어서의 수광회로의 구성을 나타낸 도면이다.
도6에 있어서, 22는 I-V앰프 형성영역, 23은 패키지이고, 기타, 도1 및 도4 에 공통인 요소에 대해서는 도1 및 도4a∼도4c와 동일한 번호를 부여하고 설명을 생략한다.
I-V앰프 형성영역(22)은 LD 파워 모니터용 광전류-전압 변환 앰프(I-V앰프)(5)를 p형 반도체기판(14)상에 형성하기 위한 영역이며, 동 반도체기판(14)상에 수광부(16)와 I-V앰프(5)가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 패키지(23)는 p형 반도체기판(14)을 기계적 손상 등으로부터 보호하기 위해서 형성되어지고 있고, 패키지(23)의 상부에 광투과성 부재(20)를 배치하여 패키지(23)의 뚜껑으로서 이용하고 있다.
입사광(18)은 패키지(23)의 윗쪽으로부터 광투과성 부재(20)를 투과해서 수광부(16)에 입사된다.
본 실시형태에 따르면, 제 1 실시형태, 및 제 2 실시형태에 나타낸 바와 같은 효과를 나타냄과 아울러 수광부(16)와 I-V앰프(5)를 동일한 p형 반도체기판(14)에 형성하고 있기 때문에 장치의 소형화를 꾀할 수 있고, 거기에 따른 수광부에서 I-V앰프로의 전류전달 손실이 저감되기 때문에 고감도의 수광회로를 구성할 수 있다.
또한, p형 반도체기판(14)은 이것에 한정되지 않고 다른 반도체기판으로 해도 좋다.
또한, 도6에서는 광투과성 부재(20)가 패키지(23)의 뚜껑으로서 패키지(23)의 전면을 덮고 있지만, 반드시 뚜껑 전체를 광투과성 부재로 할 필요는 없고, 적어도 입사광(18)이 통과하는 일부분이 광투과성 부재로 구성되어 있으면 좋다.
이 때, 광투과성 부재(20)로서 제 2 실시형태에 나타낸 바와 같이, 표면에 코팅이 된 유리 등을 사용해도 좋고, 수광부상에 보호막이 형성되어 있어도 상관없다.
또한, 지금까지의 설명에 있어서 LD 파워 모니터용의 수광회로의 출력의 온도 의존성을 플랫하게 하는 사례에 대해서 설명했지만, 본 발명은 LD 파워 모니터용에 한정되는 것은 아니고, 일반적인 광정보처리, 광계측, 광통신 등에 이용되는 수광회로에 적용해도 같은 효과를 나타낸다.
본 발명에 의한 수광회로, 반도체 레이저 장치 및 광픽업 장치는 환경온도의 변화에 대한 출력변동을 억제할 수 있고, DVD 또는 CD 등의 기록ㆍ재생 등에 사용되는 수광회로, 반도체 레이저 장치 및 광픽업 장치 등에 적용하는데 있어서 유용하다.

Claims (39)

  1. 수광부와, 상기 수광부에서 광전변환된 광전류를 증폭하는 광전류-전압 변환 앰프를 구비하고:
    상기 수광부상에는 보호막이 형성되고, 상기 보호막이 투과하는 광의 파장 변화에 따른 상기 보호막의 투과율의 온도계수를 갖는 것이며,
    상기 광전류-전압 변환 앰프에는 이득에 관계되는 귀환저항이 접속되고, 상기 귀환저항이 온도 변화에 대한 저항의 온도계수를 갖는 것이며,
    상기 광전류-전압 변환 앰프의 출력전압이 온도 변화에 대하여 거의 일정하게 되도록 상기 투과율의 온도계수와 상기 저항의 온도계수를 설정한 것을 특징으로 하는 수광회로.
  2. 수광부와, 상기 수광부에서 광전변환된 광전류를 증폭하는 광전류-전압 변환 앰프를 구비하고:
    상기 수광부상에는 광투과성 부재가 배치되고, 상기 광투과성 부재가 투과하는 광의 파장 변화에 따른 상기 광투과성 부재의 투과율의 온도계수를 갖는 것이며,
    상기 광전류-전압 변환 앰프에는 이득에 관계되는 귀환저항이 접속되고, 상기 귀환저항은 온도 변화에 대한 저항의 온도계수를 갖는 것이며,
    상기 광전류-전압 변환 앰프의 출력전압이 온도 변화에 대하여 거의 일정하 게 되도록 상기 투과율의 온도계수와 상기 저항의 온도계수를 설정한 것을 특징으로 하는 수광회로.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 수광부와 상기 광전류-전압 변환 앰프가 동일한 반도체기판상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수광회로.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 수광부와 상기 광전류-전압 변환 앰프가 동일한 반도체기판상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수광회로.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 수광부와 상기 광전류-전압 변환 앰프가 동일한 패키지내에 수납되어 있는 것을 특징으로 하는 수광회로.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 수광부와 상기 광전류-전압 변환 앰프가 동일한 패키지내에 수납되어 있는 것을 특징으로 하는 수광회로.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 수광부와 상기 광전류-전압 변환 앰프가 동일한 패키지내에 수납되어 있는 것을 특징으로 하는 수광회로.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 수광부와 상기 광전류-전압 변환 앰프가 동일한 패키지내에 수납되어 있는 것을 특징으로 하는 수광회로.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 패키지의 적어도 광이 입사되는 부분에는 광투과성 부재가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수광회로.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 패키지의 적어도 광이 입사되는 부분에는 광투과성 부재가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수광회로.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 패키지의 적어도 광이 입사되는 부분에는 광투과성 부재가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수광회로.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 패키지의 적어도 광이 입사되는 부분에는 광투과성 부재가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수광회로.
  13. 수광부와, 상기 수광부에서 광전변환된 광전류를 증폭하는 광전류-전압 변환 앰프를 구비하고:
    상기 수광부상에는 보호막이 형성됨과 아울러 광투과성 부재가 배치되고, 상기 보호막 및 상기 광투과성 부재가 각각 투과하는 광의 파장 변화에 따른 투과율의 온도계수를 갖는 것이며,
    상기 광전류-전압 변환 앰프에는 이득에 관계하는 귀환저항이 접속되고, 상기 귀환저항은 온도 변화에 대한 저항의 온도계수를 갖는 것이며,
    상기 광전류-전압 변환 앰프의 출력전압이 온도 변화에 대하여 거의 일정하게 되도록 상기 보호막 및 상기 광투과성 부재의 상기 투과율의 온도계수와 상기 저항의 온도계수를 설정한 것을 특징으로 하는 수광회로.
  14. 반도체 레이저 다이오드와, 제 1 항에 기재된 수광회로를 구비한 반도체 레이저 장치로서:
    상기 수광회로는 상기 반도체 레이저 다이오드의 출력을 모니터하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  15. 반도체 레이저 다이오드와, 제 2 항에 기재된 수광회로를 구비한 반도체 레 이저 장치로서:
    상기 수광회로는 상기 반도체 레이저 다이오드의 출력을 모니터하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  16. 반도체 레이저 다이오드와, 제 3 항에 기재된 수광회로를 구비한 반도체 레이저 장치로서:
    상기 수광회로는 상기 반도체 레이저 다이오드의 출력을 모니터하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  17. 반도체 레이저 다이오드와, 제 4 항에 기재된 수광회로를 구비한 반도체 레이저 장치로서:
    상기 수광회로는 상기 반도체 레이저 다이오드의 출력을 모니터하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  18. 반도체 레이저 다이오드와, 제 5 항에 기재된 수광회로를 구비한 반도체 레이저 장치로서:
    상기 수광회로는 상기 반도체 레이저 다이오드의 출력을 모니터하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  19. 반도체 레이저 다이오드와, 제 6 항에 기재된 수광회로를 구비한 반도체 레 이저 장치로서:
    상기 수광회로는 상기 반도체 레이저 다이오드의 출력을 모니터하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  20. 반도체 레이저 다이오드와, 제 7 항에 기재된 수광회로를 구비한 반도체 레이저 장치로서:
    상기 수광회로는 상기 반도체 레이저 다이오드의 출력을 모니터하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  21. 반도체 레이저 다이오드와, 제 8 항에 기재된 수광회로를 구비한 반도체 레이저 장치로서:
    상기 수광회로는 상기 반도체 레이저 다이오드의 출력을 모니터하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  22. 반도체 레이저 다이오드와, 제 9 항에 기재된 수광회로를 구비한 반도체 레이저 장치로서:
    상기 수광회로는 상기 반도체 레이저 다이오드의 출력을 모니터하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  23. 반도체 레이저 다이오드와, 제 10 항에 기재된 수광회로를 구비한 반도체 레 이저 장치로서:
    상기 수광회로는 상기 반도체 레이저 다이오드의 출력을 모니터하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  24. 반도체 레이저 다이오드와, 제 11 항에 기재된 수광회로를 구비한 반도체 레이저 장치로서:
    상기 수광회로는 상기 반도체 레이저 다이오드의 출력을 모니터하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  25. 반도체 레이저 다이오드와, 제 12 항에 기재된 수광회로를 구비한 반도체 레이저 장치로서:
    상기 수광회로는 상기 반도체 레이저 다이오드의 출력을 모니터하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  26. 반도체 레이저 다이오드와, 제 13 항에 기재된 수광회로를 구비한 반도체 레이저 장치로서:
    상기 수광회로는 상기 반도체 레이저 다이오드의 출력을 모니터하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  27. 제 14 항에 기재된 반도체 레이저 장치와, 상기 반도체 레이저 장치에서 출 사된 광이 기록매체에 있어서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광픽업 장치.
  28. 제 15 항에 기재된 반도체 레이저 장치와, 상기 반도체 레이저 장치에서 출사된 광이 기록매체에 있어서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광픽업 장치.
  29. 제 16 항에 기재된 반도체 레이저 장치와, 상기 반도체 레이저 장치에서 출사된 광이 기록매체에 있어서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광픽업 장치.
  30. 제 17 항에 기재된 반도체 레이저 장치와, 상기 반도체 레이저 장치에서 출사된 광이 기록매체에 있어서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광픽업 장치.
  31. 제 18 항에 기재된 반도체 레이저 장치와, 상기 반도체 레이저 장치에서 출사된 광이 기록매체에 있어서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광픽업 장치.
  32. 제 19 항에 기재된 반도체 레이저 장치와, 상기 반도체 레이저 장치에서 출 사된 광이 기록매체에 있어서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광픽업 장치.
  33. 제 20 항에 기재된 반도체 레이저 장치와, 상기 반도체 레이저 장치에서 출사된 광이 기록매체에 있어서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광픽업 장치.
  34. 제 21 항에 기재된 반도체 레이저 장치와, 상기 반도체 레이저 장치에서 출사된 광이 기록매체에 있어서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광픽업 장치.
  35. 제 22 항에 기재된 반도체 레이저 장치와, 상기 반도체 레이저 장치에서 출사된 광이 기록매체에 있어서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광픽업 장치.
  36. 제 23 항에 기재된 반도체 레이저 장치와, 상기 반도체 레이저 장치에서 출사된 광이 기록매체에 있어서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광픽업 장치.
  37. 제 24 항에 기재된 반도체 레이저 장치와, 상기 반도체 레이저 장치에서 출 사된 광이 기록매체에 있어서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광픽업 장치.
  38. 제 25 항에 기재된 반도체 레이저 장치와, 상기 반도체 레이저 장치에서 출사된 광이 기록매체에 있어서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광픽업 장치.
  39. 제 26 항에 기재된 반도체 레이저 장치와, 상기 반도체 레이저 장치에서 출사된 광이 기록매체에 있어서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광픽업 장치.
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