TWI243070B - Oxygen enhanced CDA modification to a CDO integrated scrubber - Google Patents
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Description
1243070 五、發明說明(2) ^先;IV、杰之熱區段使用較高濃度氧也將 燃:值:混合物,而仍可達成高效能所需溫:有“ 及=、1則用於既有工廠之多種焚化爐或燃燒室依據其年舻 氣體Ϊ:$:未ΐ配備適當管路系統俾提供額外可燃燃料 燃焯—此種情況下,有數種選擇。增加管路改進既有 成、^至疋供經控制的焚化屬於其中一個選項,但此種改進 人:f於另一個選項,可燃氣體預先混合來自 、、曰人:衣王之氣悲流出流。但此種預先混合可能引進可燃 被义化爐火焰所點燃,點燃將火焰回傳入管路,因 =弓丨t爆炸可能之風險。可增加火焰致動器來防止此種回 、、β ^但火焰致動器裝置容易因此種排放氣體/可燃氣體 此口勿中典型存在的氧化物顆粒而被阻塞。 如此,好提供一種改善既有熱反應爐單元用以引進低成 可燋氣體之改良方法及系統,該項改進架設於既有單元 1^本不會高得驚人,該項修改也不會造成改善後熱反應 爐早兀操作時的爆炸可能。 發明概沭 本發明係有關一種提供氣態半導體廢料經控制之燃燒之 方法及系統’藉此方法及系統將廉價燃料導引入其中輔助< 將非可燃混合物轉成可燃混合物,而無需對熱/濕整合型 減除系統作成本高得驚人的改進。 於二=面’本發明係有關一種具較高能力可實質上氧化 全部氣態廢料流之可氧化組成分之燃燒室。 另 方面係有關經由利用既有管路並調整配合管路,供
1243070 五、發明說明(4) 在壓縮機下游而位在熱反應爐上游之氧分離裝置。壓縮機 用以輔助加壓被輸送至氧分離單元之氣流;或於低於大氣 壓之氧豐富系統’壓縮機用來提高氧分離單元下游位置之 富氧流壓力。 本發明之氧分離單元可包含任一種於進氣混合物可選擇 性分離一種主要氣態組成分與其它主要氣態組成分之裝 置。例如可設置單膜裝置或另外設置多膜裝置,操作該等 裝置而達成空:氣中氣態組成分的分離。典型地,將膜裝置 製成模組,各個模組有某個半透膜區用以通透。目前可取 得而可用於本方法之半透膜材料包括:聚砜、乙酸纖維 素、聚酿亞胺、聚酿胺、石夕膠、聚伸笨基氧化物、聚碳酸 酯、四-漠-雙,-A-聚碳酸醋、此等聚合物之齒化類似 物、陶瓷材料等。 本案中,使用由四-溴—雙酚一A—聚碳 維模組用來由壓縮空氣分離氯_ . ^ I成的中二、,戴 四-演-雙齡-六氣-聚:;::!1',但也可使…材料如 另外,對氧具高度選擇性之陶$ 有效由含氧進氣混合物採吸二氧分離裝置: 產物氣體純度。陶瓷材料可用7矛、氧軋,俾製造極咼 或用作為塗覆基材=】::::模組作為填充材料 性陶瓷材料塗覆。 刀膜或纖維表面以氧吸附 ,材料产含下列至少一種材料例如: 式、〇8之氧化物螢石氧離子導體; 式Ο?之燒綠石材料; — 1243070 五、發明說明(5) 式 B i2 〇3 (Α2 0β)材料, d-Bi2 03安定形式;
Bi24Pb5Ca3〇44 ; B丄14 V〗〇ιι, 式A B 03鈣鈦礦材料; 式A2 B2 05氧化物褐針鎳礦電解質; 式ΑΒ03ΑΒ 02 5混合褐針鎳礦電解質; Α4 06 abo2 5 組成物; 混合型超導(ΑΒ03Α0)電解質; 冰晶石(A3 B 03)電解質, 鈮鐵礦(AB2 06 )電解質; 及對應攙雜材料, 其中A及B分別為選自鑭、鋁、锶、鈦、鈣、锆、鐵、 鋇、I因、亂、紀、銅、飾、灶、錢、姑、鎳、鎮、猛、 釩、鉻、鈮、鈕、硼、铪、鈥、铽、镱、铒、鍤、錙、 彭、錯、錫、錄及錯組成的組群之金屬。 本發明之又一方面係有關形成陶瓷塗覆纖維之方法,其 中該陶瓷為金屬氧化物陶瓷,其包括至少一種於升溫具有 「高吸附能力」之金屬,該方法包含下列步驟: (a)硝酸與乙二醇反應獲得乙醇酸; (b )加熱乙醇酸形成草酸根離子; (c )草酸根離子與至少一種金屬反應形成包含對應金屬 草酸鹽的溶膠凝膠; (d )沉積該溶膠凝膠於纖維基材上;以及
C:\2D-CODE\91-06\91105164.ptd 第 10 頁 1243070 五、發明說明(6) (e )鍛燒纖維基材上之溶膠凝膠而形成對應陶 及獲得經陶究塗覆之纖維。 土層 用於此處「高吸附能力」一詞表示當陶究材料接觸溫度 、C之虱乳時,氧儲存至少為40毫莫耳氧/莫耳陶瓷材 料。 用於此處「升高溫度」表示5 0 0 °C至1 0 〇 〇。(:之溫度。 ”當金屬氧化物陶瓷於此處以符號標示形式表示而又人 學計量下標(例如aLaCaCoM0表示),需 == 係ΓΓ:”之化學計量適當比例存在素 進整合型洗梅器空氣用於隨後弓丨< 除來自半導體製程之氣態廢^二、,’匕3 一燃燒室用以減 驟: 枓產物。該方法包括下列步 設置一氧與氮分離系統俾 氮氣組成分及一種氧氣組成分了將二氣分離成為至少一種 導引壓縮空氣進入氧與氮:籬 由氧與氮分離系統撤取氣杈二、、’.、氣口; 由氧與氮分離系統撤取氣緩二: 導引氧組成分進入燃燒室 7 ,以及 料產物混合。 1人其中接受減除之氣態廢 、、本發明之又另一方面係有關_種 尸 減除糸統俾於其中導引入氧化t幽進處理氣態廢料流用 包含:" 乳豆富來源之方法,該方法 直其係連通式連接至
C:\2D-CODE\91-06\91105164.ptd 設置一氧及/或氮豐富裝置 1243070 _-… —_ 五、發明說明(8) 4盾環槽及/或直接排水。 伶:::4型經由埠口21“皮導引至除霧區段25,於該處水 、、主、切& 4 Α ώ Γ 務填枓26被去除,此除霧區段的 =冰係軋由連繽及/或間歇喷霧器2 7提供的液體達成。空 ;:由ί ζ 2卢8注入而提供直接冷卻,促使原有氣體濕度的 牛低。;:、、' 後處理後的氣體經由煙道2 9送出。 參照圖2,顯'示製程廢氣31被導引入其中之進氣口"。 η=例中有導引氫氣之分開進氣口33以及導引氧 ^二開進虱口 34,二者皆位於氮氣進氣口 35下游。進氣 之芎曲部3 6提供氣體之最理想混合。 ^,:而巧有筆直構型…管繼續:^以有 作非吉5進虱官之延伸部38。⑧合氣體由延伸部38送出, 物=反應器容積,反而送入同心管39。氣體混合 々及=k洫度選定讓同心管39内部完全產生火焰。毗鄰進 虱口及40之第二進氣口 41顯示用以引進空氣及額外 及/或氧氣介於反應室之各進氣管間。進…領外Μ 操作時,本發明包含空氣流,空氣流 二 PSlg,空氣輸送至壓縮機4進氣口,且被壓縮 廢縮態供連續有效操作氧分離單元8。 縮 究二ΐδΛ含之:模組如含陶綱於吸 金屬製成。另Ϊ ^,以可由任何適當材料如耐火 於六。。 令态可内襯絕緣材料,加熱元件可紝入 於各益内側俾維持吸附劑床於適當升高溫度。 了、、、。δ
C:\2D.CODE\91-Q6\91105164. ptd 第13頁 1243070 五、發明說明(9) 本發明使用陶瓷氧化物 曼氧化物材料。陶瓷氧化 缺存在於材料的組成物。 選擇性擴散通過材料。經 度,氧氣可選擇性擴散入 舉例言之,當跨膜設置 置於容納容器,該容器含 件陣列,含有陶瓷吸附粒 交替耦合至電壓源及接地 解除吸附乳氣之壤路配置 氧化物組成物可屬於任 徵為1)南〉辰度氧空缺,2 > 溫度操作,以及3 )熱力學 作。若干此種類型氧化^ 原因在於吸附單元較佳連 氧化物組成物由於其氧才廣 干可有利地用於廣義實施 B a I n0 67 Z r0 33 〇y B a I η。β7 C e0 33 〇y L a〇 5 B a〇 5 C o0 7 C u0 3 La0· 6 Sr0· 4 C〇〇 8 Cii0 2 L a〇 8 S r〇 2 C o 0y (Bi2 02 )(NaNb2 06 5 ) B i2 Sr2 Nb2 GaOn 5 材料’只有 物吸附材料 此等氧空缺 由跨過該膜 且通過該氧 電位差時, 有彼此隔開 子介於接續 ’俾提供可 〇 何適當類型 熱力學安定 女定因而可 具有水份敏 續於高溫操 散性較低故 本發明之範 氧氣可 組成物 輔助氧 設置電化物材陶瓷塗 的絲網一元件由含氧 擴散通過該陶 為有大量氧空 氣以相對高速 位差或壓力梯 料。 覆粒子床可設 或格栅電極元 間,電極元件 氣體吸附然後 。此等氧化物較佳特 因而可於高於6〇〇 t 於高度還原條件下操 感特性但不成問題, 作。具有空缺排序之 較不佳。下表列舉若 例組成: 橹
1243070 五、發明說明(10)
Bi2Sr2Nb2A101L5 Zr〇2-Y2〇3-Ce02 Zr〇2 —Υ2〇3 一Cr2〇3 Zr02-Y2〇3 一Mg〇 Y2〇3 -Ca〇-Ce〇2 Zr02 -Y2〇3 Ce02-Ca0-Y203 此等材料方便於技藝技巧 合成。 靶圍内使用習知陶瓷合成程序 特別本發明於一方面利用陶 動吸附劑(PS A)介質俾捕捉瓦離子輸运材料作為壓力擺 膜分離法其使用電力來輪送氧氣,。替代如習知陶竞 離子輸送陶瓷作為離子巧=虱的輸达,本發明單獨使用 组成物沉積於適當基=二f介質。用於此項目的,陶瓷 本發明之ps“統係基:用上二沉薄膜° 離子氧的原理運作。八工^ ;貝施本务明之陶瓷可輸送 結合入結晶曰曰“各―:::於氧化物陶究表面解離,然後 通過晶格。離子不=f f例如濃度梯度造成氧移動入且 此方式…輪:::::;致橫的電位梯度。藉 件。 “度)用來驅動離子氧進入陶究吸附齊 ,此方式’採用離子輪送材料,其為 擇性之有⑨「吸收劑」。例如經 究吸選 升问,皿度,氣可由流經此種粒子床之氣流= 第15頁 l243〇7〇 五、發明說明(11) 移除。然後經由降低壓力,可移除氧匱乏氣流,氧隨後由 ,究釋放出而獲得純氧來源。藉此種吸附劑配置,氧可由 氣流被選擇性有效移除。 、本發明可基於離子運送進行氧氣的分離及純化,其中吸 維持於高溫,俾暫時儲存氧,接觸陶瓷吸附劑表面之 t =該表面分解且結合入陶瓷材料晶格。雖然此種方法要 二高溫例如約6 0 0 — 9 0 0。(:高溫,但由含氧進氣混合物之其 ^ A ^ ^)氣體中分離氧之效率較高,出乎意外地優於習知 ^當氧氣接觸陶瓷吸附劑時,出現氧氣的吸附及解離, Ϊ:來讓氧物種的穿透通量進入吸附劑材料粒子,因 料+ €位驅動力用來執行氧物種離子輸送至吸附劑材 ,莞氧化物吸附劑粒子可由惰性基質經塗 式結合氧通透性薄而緻密的電解 ^ y、匕 質膜係由快速離子道_於成 貝潯膜忑成。此種電解 成。所得材料提供氧離子及電子的導體構 構。咼兩極傳導性可經由 :有均質微結 定劑且於晶袼形成電子及離子::雜;; 子空缺…卜,雜質物種可為1匕=離子而獲得氣離 ::由較高過渡價數陽離子替代,較:ί陽:此主晶格陽 之€子性f ’同時於低氧分麼形成氧改良材料 第〗6頁 C: \2D-OODE\9J -06\91105164.ptci !243070
五、發明說明(12) 此種電解質包括氧化物螢石氧離子導體(%其中A為 、Ce、、Th等)可採用其中陰離子空缺已經使用攙雜 劑物種例如M2〇3陽離子,例如其中Μ為Ca++、Sr++、Mg++、
Ba++、Sc+++、Yb+++、Y+“、Sm+++、La+++ 及Gd糾,而藉 A 1 i o v a 1 e n t攙雜引進。 ,解質另外可為燒綠石(A2B2〇7)材料,其中A為Ni、Gd、 d等+及B為Zr、Π、Ce、Nb等及攙雜劑物種例如γ+++、““ 及Ca“。其它可能有用的電解質物種包括以Bi以(a 的電解質’包括d_Bl2〇3之攙雜劑穩定形式例如 ‘、、、
h-"M’xMy〇3_d 此處x:〇 至〇·6,y = 〇.2 — 〇.4&d=± 〇·3, M’=Er、Y、Tm、Yb、Tb、Lu、NH q d n ·
Lu 、Sm、Pv、Zr、Hf、tu
Ta 、 Nb 、 Pb 、 Sn 、 In 、 Ca 、 ς T Y “ Hi 、 Th 、 y ” n La 、Sr 、Lr 以及M = C〇、Ni 、Cn 、
Mn、Fe。氧離子導體如Bi24p 施本發明。 5 3 44及Bi14 V20u也可用於實 多種鈣鈦礦材料也可用於告 組成物,此處A:La、Sl,、Ca^本發明。例如包括式AB〇3 Β = Α1、Μη、Ti、Zr、Fe、、’ 攙雜劑(施體)為Ba、Sr, 為Fe、Mg、Cu、Co。範例等以及攙雜劑(受體)例如
CaS:i03、LaN1〇3 及 LaA103。其、1鈦礦 ^括(Mg;/e)Si〇3、 礦(A2 B2 05 )電解質例如其中“ 電解貝包括氧化物褐針鎳
Gd、Fe,攙雜劑(受體)為Ti、Γ、Ba、Ca &B = Fe、In、 括AB〇3AB〇2.5電解質例如式La、 r ;混合褐針鎳礦電解質包 y = 〇· 2 至0· 8,A二Ba、Ca、SrKy yB卜xCxM〇3±x,其中x = 〇 至1,
Ni、Cu 及M = B、Cr、Fe、/及^^、Fe、Mn、Co 及C = Fe、 ' Co ’其特例包括
1243070 五、發明說明(13) 乙&〇.56 3〇.5?6〇3-及1^〇.3 381*〇6 7?6〇3-父’其中\=±〇.3,人4〇6八6〇2.5 組成物包括BiMeVO電解質如Bi 2V卜xMx05.5_d,其中X為0至0· 8 及 d 二土 0.3,式(B i 20 2) ( A m_ m0 3Cm+U)歐瑞維留司 (Aurivillius)電解質,此處 m為 0至 1,A = Ca、Sr、Ba、
Pb、K及 B = Fe、Cr、Ti、Nb、Ta;混合超導(AB03A0)電解 質如 K2NiF4, (LabySry) 2Cu04—及 BaY2Cu 30 7_x電解質,其中 x為 0至1及y為0· 2至0. 8 ;冰晶石(A3B〇3)電解質如Sr 2Nb201}^ Ba2Ta20 η電解質;及鈮鐵礦(ΑΒ 20 6)電解質如Ni (Nb hMJ 2〇6-x ,其中x為0至1及y為0. 2至0. 8。 範例之妈鈦礦化合物包括LaA 1 0 3、LaMnO 3、SrT i 0 3、
CaZr 0 3、Sr 2F e 20 5、Ba 2I n 20 5、Sr 2Gd 20 5、Ca 3F e 2T i 0 8、
Basin 2Ζγ〇8λ Y b a u 3〇 7λ L a 2-xS r XC u 0 4' B a C θ 〇. gG d 〇 i〇 2.95'
BaTh 〇. 9Gd 〇.丨0 2· 9幕。 特別實施本發明之特佳陶瓷吸附劑材料包括B i 20 3、
La 卜yCa yCo 卜XFe x0 3-d,其中 d = 0 · 1至 0 · 5,y = 0 . 2至 0 . 6,x = 0至 0. 8(以頭字語稱作為「LCCFO」)及其鎳類似物LCCNO含有 鎳替代鐵。 本發明之經陶瓷吸附劑塗覆物件可具有適合終端應用及 涉及材料之氧吸附使用之特定進氣混合物之適當尺寸、形 狀及構型。例如物件可呈細分形式如珠、球、環、複曲面 形、不規則形、桿、圓柱、薄片、箔、薄膜、立方體、多 角幾何形狀、片板、纖維、線圈、螺旋、網、燒結多孔物 質、顆粒、丸粒、錠、粉末、微粒、擠型、布或料片形式 材料、蜂窩基體單晶、複合形式(陶瓷吸附劑帶有其它組
\\312\2d-code\91-06\91105164.ptd 第18頁 1243070 五、發明說明(14) 成分)或前述構型之研細或軋碎形式。 多種離子輸送電解質材料列舉於下表1,其中陳述表面 交換率、擴散係數及最重要地最大儲存容量。如表所示 La 〇.4Ca 〇.4Co G.8Fe 〇.20 3_5帶有最高表面交換率,具有理論儲存 容量於8 0 0°C為1 5 0毫莫耳氧/莫耳。
\\312\2d-code\91-06\91105164.ptd 第19頁 1243070 五、發明說明(16) 、經由組成物的修改,増加UCaC〇Fe〇化合物之氧空缺無 ^ :功地改進其氧吸收能力。以鎳置換鐵出乎意外地發現 可#縱組成物及儲存容量。
LaCaCoNiO鈣鈦礦氧化物材料的合成可藉經修改之「普 =尼(Pechini)」方法進行,普契尼方法為液體混合技 =,使用乙二醇及硝酸鹽用以合成^以⑺…氧化物粉末。 j ,契尼方法涉及某些弱酸(α㈣酸)可與多種陽離子 形成多元酸螯合物〇藝人%认夕 反應,形成聚合物玻璃:Ϊ;化 /、/、有1¼離子均勻分布於全體材 料。 2陽離子來源如碳酸鹽、氫氧化物及烷氧化 t成:乙二醇反應類似第-級醇反應,但各個礙存在Ξ 二:”二:冷琐酸添加至乙二醇時,冷确酸氧化醇基之 :夂。加熱混合物獲得草酸,草酸為最簡單的-:=!二連接官能酸性敌基。各個幾基喪失-個夂 而形成卓駄根離子。草酸根離子si2與一個金屬原子护 一配位基螯合物’形成一個五員螯合環如下述〆' ^ 心表大部分元素皆可形成草酸鹽錯合物。由 基卓酸根離子的配位性質,大部分金哲:配位 外也形成複雜草酸鹽。於形成混合陽離子凝膠 升高溫度如108(TC鍛燒而形成結晶氧化物。^灸適&於 本發明之陶瓷吸附劑材料可使用 料之金屬組成分之適當前驅物,藉金屬;:Γ學:Γ (_而形成於適當樓體或基材上。使用M0C;D::=
1243070 五、發明說明(19) 有四極矩,故氬氣未由氧氣分離。因陶瓷吸附劑只能吸收 氧氣,惰性組成分如氮氣及氬氣將被留在氣體接觸陶瓷吸 附劑處理,不會污染產物氣體。 替代使用電位來驅動陶瓷材料膜,本發明之陶瓷吸附劑 可利用濃度梯度來儲存氧氣。經由於陶瓷塗層上有壓力或 濃度梯度,於薄膜出現濃度側繪。於高溫空氣存在下,氧 氣擴散入結構内部。然後經由減壓或使用真空,氧由表面 塗層擴散因而可供給純氧。 實施本發明之PSA方法可於各別吸附(陶瓷吸附劑「載 荷」)及脫附(氧由陶瓷吸附劑釋放)之任何適當壓力程度 進行,此種適當壓力可由熟諳技藝人士無需經由不當的實 驗即方便決定。吸附壓力例如約1. 2至約1 0大氣壓,對應 脫附壓力係於約-0. 2大氣壓至約0. 8大氣壓之範圍,使用 適合於製程、進氣混合物及氧氣產物特性之溫度。 於本發明之一較佳方面,PSA製程維持之溫度約為5 0 0 °C 至約9 0 0 °C。吸附劑床可藉任何適當加熱或熱能輸入手段 而維持加熱條件,該等手段例如電阻加熱元件設置於吸附 劑床,PSA系統之吸附劑容器之夾套帶有適當熱交換流體 流經夾套,俾維持容器及容器所含的吸附劑床於選定溫 度。其它加熱手段包括執行輻射加熱、超音波加熱、微波 加熱、對流加熱、傳導加熱(例如透過延伸表面元件如吸 附劑床内容積之散熱片以加熱關係耦合熱能來源)、熱交 換器等元件、總成及次總成。 PS.A製程系統之吸附劑床可對指定含氧進氣混合物(於氧
C:\2D-CODE\91-06\91105164.ptd 第24頁 1243070 五、發明說明(20) ' --- 分$裝置處理)之任何適當氧輸出以及相關週期時間決定 適當尺寸。例如系統尺寸可於2分鐘PSA週期期間,由氧— 氮混合物製造120標準立方呎/分鐘(8(:〇)氧,纯产 9 9.9 5%。 、’又 一本务明之P S A系統較佳用來製造產物氣體如氧氣、脫氧 氣體或氣體混合物(此處進氣混合物非期望地含氧)、氮氣 (作為來自氧-氮混合物之未經吸附氣體)等。一方面,本& 發,之PSA系統可用以形成r脫氧」氣體,其中98%含 ,藉,發明PSA方法處理而獲得含有低於丨〇〇 ppm容積比& 氣之氮產物流。 陶兗吸附劑材料可藉M〇CVD於惰性基材上塗覆一層薄 膜’惰,基材例如為粒狀基材、纖維狀基材、薄片或其它 由1性氧化鋁、r氧化鋁、扁平氧化鋁或融合氧化鋁等材 料製成的基材。另外基材的塗覆可藉喷霧、溶膠凝膠、浸 I包與烤乾、、洛液沉積、浸潰、輥塗或任何其它適當技術進 行此種塗覆後之基材本體可聚集成為床或質塊用於壓力 擺動分離含氧進氣混合物,進氣混合物於較高壓力接觸床 或質塊,隨後於較低壓力釋放出氧。 、圖3為根據本發明之一具體實施例,包括纖維基材52經 以陶竞吸附劑材料54塗覆之經塗覆的纖維物件5〇之透視 ,二此型塗,纖維可用於纖維床用於PSA方法而由含氧進 氣此σ物中卒取出氧。另外,此種纖維可被成形為編織或 非編織纖維網,同樣可用於psA方法而由含氧進氣混合物 攝取氧。
1243070 五、發明說明(23) ---------- 流入空氣流具有下访^ 莫耳%、氬1.0莫耳%及〃耳分量組成:氧20.9莫耳%、氮78
溫度及50 psia壓力。。氧化奴〇. 1 0莫耳%。此流係於25 °C 用約6 0 0 °C至約9 0 0 ^及附劑床溫度為8 〇 〇。〇(另外通常採 床上游之熱交換器力。^圍之數值)。進給空氣流於吸附劑 交換器上游之壓縮機= ^483°C溫度及10〇 Mia壓力。熱 孰旦。 」挺供溫熱進料流及吸附劑膜裝置的 流入空氣送至吸附匈 片 M%杂i ^ y床,氧氣藉床之吸附劑由其中分 算 床藉適S手段力u勒 , 气γ Α ^ ^ ^ 1 …、。农由接觸吸附劑的空氣主動去除 虱虱後,於減壓狀能,s ^ , 心 乳稭设置於吸附劑床下游的幫浦由 床果送’由糸統排放相^语口丨 _ 办b掛欲供導引入圖1所不之熱感應爐。 、田氮氣to係由進給空氣混合物吸附氧氣獲得,於8 0 ο π 二,及U 0 p s 1 a壓力由吸附劑床排放。富氮氣體通過逆流 煞交換器後,富氮氣體於5〇 psia壓力及2〇〇它溫度由處理 系統排放。 產物富氮氣體含有98· 35莫耳%氮、0· 27莫耳%氣、】 氮、0.13莫耳%二氧化碳。富氮氣體經管線9排放, 藉導引入蟑口 2 8用以降低排放氣體的露點。 於PSA方法之低壓步驟期間,由吸附劑床釋 &〆 體處於壓力0.5 psia及溫度8〇〇°c。由下游幫 _田氧氣 的富氧氣體為壓力1 psia。富氧氣體含有9β•苴、冬。排^放 3.63莫耳%氮、〇·〇5莫耳%氬及不含二氧化碳。舍二耳^氧、 由管線7被泵送至熱感應爐。 §氣氣體經
實施例I I
C:\2D-CODE\91-06\91105164.ptd 第28頁 1243070 五、發明說明' -- =用反泡興烤乾或嘴春技術將陶瓷吸附劑溶膠凝膠用於 =化紹纖維。使用固體纖維薦基材提供數種優勢,包 :^低,陶請劑介質利用率增至最高。經由塗覆 十;;吸附劑介質於多孔氧化1呂基材,可於800t達成80微
未的氧擴散距離。 咬取OUU -Ϊί t ^M㈣用作為分離裝i,製造高純度氧用以導入敎 祕、广除系統。此種富氧流係導引入整合型洗滌器之執區、、 ^頂部俾提高燃燒溫度及提升減除效 ”、、區 介ί ΐ日由由四-漠_雙齡+聚碳酸酷製成的中空纖唯之中 工緘維月吴系統用作為分離裳置取、准之中 /濕減除系統。此種富氧衣Ί純度乳用以導入熱 段底部俾於熱區段底部/;IL、 入2合型洗膝器之熱區 何殘餘可氧化氣體。如^ =區,用以氧化氣流中之任 氧氣操作因而維持還月^裱先、區段上部以低於化學計量之 之說明 原虱氛且減少氮氧化物的形成。 7 8 9 10 11 壓縮空氣供應源 Φ 支線 氧分離單元 支線 進氣口 熱/濕整合型洗 滌器
1243070
C:\2D-CODE\91-06\91105164.ptd 第31頁 1243070 圖式簡單說明 圖1為根據本發明之一具體實施例,氣態廢料流之經控 制之分解氧化用之改進減除系統之示意代表圖。 圖2為一具體實施例之說明圖,顯示導引氣態廢料流至 圖1減除系統之進氣導管。 圖3為根據本發明之一具體實施例,包括纖維基材塗覆 以陶瓷吸附材料之經塗覆之纖維物件之透視圖。 圖4為根據本發明之一具體實施例,使用陶瓷吸附件且 用作為氧分離裝置之壓力擺動吸附系統之示意代表圖。 0
C:\2D-CODE\91-06\91105164.ptcl 第32頁
Claims (1)
1243070 ------- 911051R4 六、申請專利範圍 1 · 一種減除氣流之污染物之系統,包八 燒室,且有至少一導管供導引“進 導吕係以連通方式連接壓縮空氣源;以及入% 二虱分離單元設置於其間俾提供 其中, 平^虱體療至 該氧分離單元包含由半透膜材 之群組中所選出之氧分離材料
捷室内, 橼燒室, 氧吸附陶瓷鉍α ^ t材料組成 ....... 1 » - N 竹組力 2·如巾請專利範圍第i項之系統, I含一膜裝置用以分離壓縮空氣 W乳分離單元 燃燒室。 乳乳一氮氣俾便導引入 其中,該氧吸附陶瓷 其中,該陶瓷材料係 3·如申請專利範圍第1項之系統 材料於升溫時對氧具有親和力。 4·如申請專利範圍第3項之系統 選自下列組成的組群: Bi2—yEry03_d, Bi2_yYy〇3 d, LawBayC〇1_xNix03_d L· a卜y S ry Co卜x N ix 03_d Laj_y Cay C〇j_x N ix03_d % Lai-y BayCoi-xF ex 03_d LawSryC〇i-xFex03_d ;以及 L 8] _y C ay C 〇!_χ F ex 03_d 其中x為0.2至0.8 y為0至1. 0以及 1243070 修正 曰 -i·赛 911〇5164^^ 六、申請專利範圍 ""^-- d 為 0· 1 至0· 9。 5·如申請專利範圍第3項 ,其中,該陶瓷材料係 選自下列組成的組群: 、 式MO8之氧化物螢石氧離子導體; 式Ag Bs Ο?之燒綠石材料. 式 B i2 〇3 (A2 〇6 )材料; d-Bi2 03安定形式; B “4 P b5 C a3 0“ ; Bi14V20n, 式A B 03 #5欽礦材料; 式A2 〇5乳化物褐針鎳礦雷解曾· 式綱风混合褐針錄、礦電電解夂. A4 06 AB02 5 組成物; 、’ 混合型超導(ABOgAO)電解質· 冰晶石(a3bo3 )電解質; 銳鐵擴(A B2 06 )電解質; 及對應攙雜材料, 其中A及B分別為選自鑭、雜、^ 〜、鈦、鈣、錯、鐵、 起 、a丄 銘、鎳、鎂、錳、 釤、錯、錫、錯及镨組成的纟且君 麵、斜、録、镏、 6·如申請專利範圍第1項之备2之金屬。 一步包含導引氣體流之進氣〇,該其^中,該減除系統進 導管部分位於反應爐内,凸起步=進氣〇包含一導管止於 4管狀界定可形成火焰乂 麵 鋇、銦、釓、紀、銅、鈽、赶 飢、鉻、鈮、组、删、鈴 \\八326\總檔\91 \91105164\91105164(替換 W.ptc 1243070 案號 91105164 Λ_ 修正 六、申請專利範圍 一區;以及導管進一步包含至少一個二次進氣口,該二次 進氣口係用以導引至少富氧氣體。 7. 如申請專利範圍第6項之系統,進一步包含一中央燃 燒室容納加熱元件;一液體漩渦其冷卻來自燃燒室通過其 中的氣體;一填塞床用以捕捉及冷凝通過液體漩渦後來自 氣流的粒子;以及一液體洗滌器用以去除化學污染物。 8. 如申請專利範圍第1項之系統,其中,該氧分離單元 包含一種聚合物膜其對氧具有比對氮氣更高的通透性。 9. 一種氧化處理氣體流之氣態污染物質減除系統,該系 統包含: 一熱反應爐及一導引氣體流入熱反應爐之氣體導管,該 氣體導管包含至少一個二次進氣口連通式連接至壓縮乾空 氣源;以及 一氧分離單元設置於其間,其中該氧分離單元包含氧吸 附陶瓷材料。 1 0.如申請專利範圍第9項之系統,其中,該壓縮乾空氣 來源為壓縮機,以及氧分離單元包含一膜裝置用以將壓縮 空氣連續分離成為富氧流及乏氧流;以及該系統進一步包 含熱交換器設置於壓縮機與膜裝置間用以由壓縮機傳熱給 膜裝置。 1 1.如申請專利範圍第9項之系統,其中,該氧吸附劑陶 瓷材料係選自下列組成的組群: 0. 33 Ba I n〇 67Zr B a I n〇. 67 ◦ eo. 33 〇y
\\八326\總檔\91\91105164\91105164(替換)-14匕 第35頁 1243070 案號91105164 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍 L a〇 5 B a〇 5 C 〇〇 7 Cu〇 3 〇y L a。6 S r。4 C 〇0 8 Cu0 2 0y La〇8Sr〇2CoOy (Bi2 02 )(NaNb2 06 5 ) B i2 S r2 Nb2 Ga0j j 5 B i2 S r2 Nb2 A 1 0jj 5 Z r 〇2 - Y〗〇3 - C e 〇2 Z r 〇2 _ Y〗O3 - C r2 03 Z r 〇2 - Y〗O3 - M g 0 Y2 03 - CaO - Ce02 Z r 〇2 - Y〗O3 C e 〇2 - C a 0 - Y2 O3 其中y係不大於2。 1 2.如申請專利範圍第11項之系統,其中,該陶瓷材料 係填裝於吸附劑床。 1 3.如申請專利範圍第1 2項之系統,其中,該氧分離單 元包含一種其内襯有絕緣材料以及加熱元件結合於容器俾 維持床溫度於適當升高溫度。 1 4.如申請專利範圍第1 3項之系統,其中,適當升高溫 度包含600至900 °C範圍之溫度。 1 5.如申請專利範圍第11項之系統,其中,該陶瓷材料 係沉積於惰性基材上作為可透氧之薄膜電解質。 1 6. —種改進處理氣體廢料流之減除系統用以將富氧源 導引入其中之方法,該方法包含:
\\八326\總檔\91\91105164\91105164(替換)-14匕 第36頁 1243070 案號91105164 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍 設置一富氧裝置其以連通方式連接至減除室,其中,該 富氧裝置包含由半透膜材料與氧吸附陶瓷材料組成之群組 中所選出之氧分離材料; 導引壓縮乾空氣至富氧裝置,其中該壓縮乾空氣被分離 成富氧氣態組成分及富氮氣態組成分;以及 導引富氧氣態組成分至減除室。 1 7.如申請專利範圍第1 6項之方法,其中,該氧分離單 元包含一膜裝置用以分離壓縮空氣之氧氣與氮氣俾便導引 入燃燒室。 1 8.如申請專利範圍第1 6項之方法,其中,該氧分離單 元包含一種氧吸附陶瓷材料,其當陶瓷材料於升溫時對氧 具有親和力。 1 9.如申請專利範圍第1 8項之方法,其中,該陶瓷材料 係選自下列組成的組群: B i2-y E ry 03_d > B i2-y Yy 〇3-d, L a卜y B ay C〇px N ix 03_d, La卜y SryCo卜xN ix03_d, L^i-y CayC〇!_xN ix〇3_d, L a卜y B ay C o卜x F ex 03_d, La卜ySryCc^_xFex〇3_d,以及 L· a卜y C ay C o卜x F ex 03_d, 其中x為0. 2至0. 8, y為0至1. 0以及
\\A326\總檔\91\91105164\91105164(替換)-14^ 第37頁 1243070
d 為 0· 1 至〇. 9。 2 0 ·如申請專利範圍第1 8項之方法,其中,該陶瓷#料 係選自下列組成的組群: 式乂〇8之氧化物螢石氧離子導體; 式A2 Β2 Ο?之燒綠石材料; 式 B i2 03 (A2 〇6 )材料; d-Bi2 03安定形式. Bi24Pb5Ca3〇44 ; Bi14V20n ,
式ABO3鈣鈦礦材料; 式A2 B2 〇5氧化物褐針鎳礦電解質; 式ABOJBO2 5混合褐針鎳礦電解質; A4 06 ΑΒ02 5 組成物; 混合型超導(ΑΒ03Α0)電解質; 冰晶石(A3 B 03)電解質; 鈮鐵礦(ΑΒ2 06 )電解質; 及對應攙雜材料, 其中A及B分別為選自鑭、鋁、勰、鈦、鈣、鍅、鐵、 鋇、銦、IL、紀、銅、飾、|土、絲、結、鎳、鎂、盆、
釩、鉻、鈮、鈕、硼、铪、鈥、铽、镱、餌、铥、镏、 釤、鉛、錫、蟧及镨組成的組群之金屬。 2 1 ·如申請專利範圍第1 6項之方法,其中,該減除系統 進一步包含導引氣體流之進氣口,該進氣口包含一導管止 於導管部分位於反應爐内,凸起形成管狀界定可形成火焰
\\八326\總檔\91\91105]64\91105164(替換)-1.1^ 第38頁 1243070 案號91105164 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍 之一區;以及導管進一步包含至少一個二次進氣口,該二 次進氣口係用以導引至少富氧氣體。 2 2.如申請專利範圍第1 8項之方法,其中,該陶瓷材料 係填裝於吸附劑床。 2 3.如申請專利範圍第2 2項之方法,其中,該氧分離單 元包含一種其内襯有絕緣材料以及加熱元件結合於容器俾 維持床溫度於選定升高溫度。 2 4.如申請專利範圍第2 3項之方法,其中,選定升高溫 度包含6 00至900 °C範圍之溫度。 2 5.如申請專利範圍第1 8項之方法,其中,該陶瓷材料 係沉積於惰性基材上作為可透氧之薄膜電解質。 2 6. —種產生富氧空氣用於隨後引進整合型洗滌器系統 之方法,該系統包含一燃燒室用以減除來自半導體製程之 氣態廢料產物,該方法包含: 設置一氧分離系統俾執行將空氣分離成為至少一種氮氣 組成分及一種氧氣組成分,其中,該氧分離系統包含由半 透膜材料與桌吸附陶瓷材料組成之群組中所選出之氧分離 材料, 導引壓縮空氣進入氧分離系統進氣口; 由氧分離系統撤取氮組成分; 由氧分離系統撤取氧組成分;以及 導引氧組成分進入燃燒室用以與其中接受減除之氣態廢 料產物混合。
\\八326\總檔\91\91105164\91105164(替換)-14“ 第39頁
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