TWI240481B - High frequency power amplifier, wireless communication apparatus and wireless communication system - Google Patents
High frequency power amplifier, wireless communication apparatus and wireless communication system Download PDFInfo
- Publication number
- TWI240481B TWI240481B TW090128354A TW90128354A TWI240481B TW I240481 B TWI240481 B TW I240481B TW 090128354 A TW090128354 A TW 090128354A TW 90128354 A TW90128354 A TW 90128354A TW I240481 B TWI240481 B TW I240481B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- voltage
- power
- terminal
- Prior art date
Links
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 68
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 67
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 238000005034 decoration Methods 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
- H03F1/0272—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A by using a signal derived from the output signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
- H03F1/0216—Continuous control
- H03F1/0233—Continuous control by using a signal derived from the output signal, e.g. bootstrapping the voltage supply
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0017—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
1240481 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明之技術領域 本發明係關於高頻電力放大電路（高頻電路模組）、裝設 有'^南頻電路模組之供線通机機及無線通訊系統。特別係 關於有效適用於可高精度地控制高頻電力放大器（功率放 大态）之輸出而以安定之輸出進行通訊之無線通訊技術之 技術。 先前技術 車用電話機、行動電話機等無線通訊機（移動式通訊機） 之發射機之發射側輸出段通常都需使用多段設有 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧 化物半導體場效電晶體）或坤化鎵金屬半導體場效電晶體 GaAs-MES (Metal Semiconductor)FET 等之放大器（功率放大器）。 一般而言，行動電話機（攜帶式終端機）所構築之系統係 配合使用環境’利用來自基地台之功率控制訊號改變輸 出，以適應周圍環境進行通話，避免與其他行動電話機產 生訊號干擾。 日經B P社發行之日經電子雜誌「日經Eiectronics」1997年 1月27日號、P115〜P126曾經記載有關高頻電力放大器（高 頻功率放大器）之技術，該文獻記載著有關北美9〇〇 MHz頻 帶之蜂窩（Cellular·)式行動電話機之標準方式及歐洲之 GSM(Global System for Mobile Communications，全球行動通訊系 統）方式之内容。 另外，日立評論社發行之「日立評論」Vol.79， No.l 1(1997)、P63〜P68 也有有關「數位蜂窩式（Digital Cellula〇 74722-940817.doc . 5 - 木紙張尺度適用中國國家檩準(CNS) A4規格(210X297公釐） 裝 玎 線 1240481 A7
規格GSM/EGSM用南頻部類比訊號處理i c」之記載。 在該文獻中揭示著有關利用方向性耦合器之功率檢出訊號 控制功率放大器模組之方塊圖。 0 ;b 發明所欲解決之課題 數位式行動電話系統（蜂窩（Cdlular)式電話系統）中，如 圖1 7所不，為了避免與其他訊號產生干擾，必須由基地台 天線2向移動式終端機（行動電話機）3之天線4發射功率 控制訊號，使發射功率成為訊號交換所需之最小限度之輸 出此功率控制訊號係由高階功率訊號5及低階功率訊號6 所構成。 f移動式終端機方面則利用藉上述控制訊號起作用之自 動輻出乙制（APC · Automatic P〇wer c：ontr〇i)電路改變施加至發 射側輸出段之高頻功率放大器之控制端子之功率控制訊號 Vapc以調整輸出（功率）。 行動電話機除了希望有高輸出增益、高效率外，也同時 =望能降低低輸出時之耗電量。但要在所有的輸出位階之 範圍内都此滿足此等條件確屬困難，因此，目前係利用外 邵控制部將高頻功率放大器之特性以輸出位階29dBm附近 為|刀換為低功率模態與高功率模態，以實現降低低輸出 時之耗電量，並提高效率之目的。 圖1 8及圖1 9係表示將3個電晶體（MOSFET : Metal Oxide Semi⑽duCt〇r Fleid Effect Transist〇r)依次以從屬方式連接所構成 ，3 nt構造〈鬲頻功率放大器之電路圖。構成各放大 ' 即初段電晶體（lstT0、2段電晶體（2ndTr)及3 74722-940817.doc -6 - 本纸狀歧财目® ---- 1240481 A7 B7 五、發明説明（3 ) 段電晶體（3rdTr)均由N溝道電晶體（NMOS )所構成。 被供給高頻輸入訊號RFin之輸入端子1 0係經耦合電容 (電容元件）C10連接至IstTr之閘極端子，構成IstTr之輸出 端子之汲極端子經耦合電容（電容元件）C 1 1連接至2ndTr之 閘極端子，構成2ndTr*之輸出端子之汲極端子經耦合電容 (電容元件）C12連接至3rdTr (最終端電晶體）之閘極端子， 3rdTr之汲極端子連接至輸出端子1 1，而呈現由輸出端子 11輸出高頻輸出訊號RFout之構成方式。 功率控制訊號Vapc由控制端子1 2供給至構成各段電晶體 (lstTr、2ndIY、3rdTr)之控制端子之閘極端子。施加至各電晶 體之閘極端子之偏壓電壓為：對IstTr施加用電阻（電阻元 件）R 1與電阻（電阻元件）R2之分壓比分壓功率控制訊號電 壓Vapc所得之分壓電壓，對2ndTr施加用電阻（電阻元件）R 3 與電阻（電阻元件）R4之分壓比分壓功率控制訊號電壓Vapc 所得之分壓電壓。 對3rdTr施加用電阻（電阻元件）R5(例如10kQ)與電阻（電 阻元件）R6(例如30kQ)之分壓比分壓功率控制訊號電壓 Vapc所得之分壓電壓。但加入二個電晶體Q 1 1、Q 1 2時又 構成一個控制之電路，構成開關電晶體之電晶體Q 1 1之源 極連接於接地端子，汲極端子連接於上述電阻R6。電晶體 Q 1 2之閘極端子連接至電晶體Q 1 1之汲極端子，汲極端子 連接至3i*dTi*之閘極端子，源極端子則連接至接地端子 (GND)。 各段電晶體（IstTr、2ndTr、3rdTr)之汲極端子連接至第一基 74722-940817.doc - 7 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1240481 A7
準電壓端子（電源電壓端子）j 可被供給電源電壓Vdd。 面基地台！送來高階功率訊號（H位階）時，電晶體叫藉 此南階功率訊號起作用’使電晶體qu之閘極端子變成接 地電位’並如圖3所示，呈現非線性特性之vg3high.d^ 性。 相對地，當基地台！送來低階功率訊號（：位階）時，此低 階功率訊號不會使電晶體QU起作用，故電晶體Qi2之問 極端子變成電阻R5與電阻R6之分壓點之電位而使電晶體 Q12成為ON，其結果，3rdTr之閘極電位如圖3所示，呈現 飽和型之特性（非線性特性）之Vg31〇w-m〇de特性。 在圖3之特性圖中，區域a為依據低階功率訊號6之低功 率杈態時之電位區域，區域B為依據高階功率訊號5之高功 率模態時之電位區域。 因此，本發明人企劃利用偏壓電路形成在高頻功率位階 為29dBm之部分（即功率控制訊號Vapc為丨·25γ程度之部分） 使3rdTr之閘極電壓可由vg31ow-mode (低功率模態）轉移成 Vg3high-mode (高功率模態）之特性，其結果終於完成本發 明。 本發明之目的在於提供不必使用來自基地台之功率控制 訊號，即可自動施行高功率模態與低功率模態之控制之高 頻電力放大電路及無線通訊機。 本發明之另一目的在於提供可高精度地控制輸出特性之 高頻電力放大電路。 本發明之另一目的在於提供可高精度地控制輸出特性， -8- 74722-940817.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1240481 五、發明説明（5 ) 以施行安定之通訊之無線通訊機。 本發明之前述及其他目的與新穎之特徵將可由本專利說 明書 < 記述及附圖中獲得更明確之瞭解。 課題之解決手段 下本案所揭示之發明中較具代表性者之梭要可簡單說明如 (1)屬於一種無線通訊機，係具有發射用之高頻電力放 大電路、&出上述高頻電力放大電路之輸出之檢出裝置、 利用由上述檢出裝置所得之資訊控制上述高頻電力放大電 路之輸出之輸出控制電路（自動輸出控制電路）， 、上述高頻電力放大電路具有連接讀人端子與輸出端子 〈間《夕數個放大段《放大㈣與將偏壓供給至上述各放 大段之電晶體之偏壓電路， 將偏壓供給至上述多數個放大段中不含耦合於上述輸出 端子之第-放大段（最終放大段）之其他放大段之偏壓電路 係由多數電阻元件所構成，利用多數電阻元件將輸入之功 率控制訊號分壓，並將分壓所形成之分壓電壓供給至放大 段^控制端子，其偏壓電壓顯示低功率模態用之線性特 性， 將偏壓供給至上述第一放大段（最終放大段）之偏壓電路 則成為偏壓電壓顯示高電力模態用之非線性特性之偏壓電 路。 上述最終放大段之偏壓電路係由將上述功率控制訊號之 電壓分壓所形成之分壓電壓供給至上述最終放大段之控制 74722-940817.doc - 9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1240481 A7 -----——_____B7 五、發明説明（6 ) 端子j分壓電路、及控制端子連接於上述分壓電路之分壓 點，第一端予連接於接地端子，第一端子連接於設在電位 比上述分壓點低之側之上述電阻元件之控制電晶體所構 成。 会屬於一種經由基地台在無線通訊機間施行無線通訊之無 線通訊系統，其上述基地台不具有將功率控制訊號發射至 上述各無線通訊機之設備，而上述無線通訊機具有不必依 賴上述功率控制訊號即可控制功率模態之功率模態控制裝 置。功率模態控制裝置係由供給偏壓至上述高頻電力放大 電路之上述最終放大段之偏壓電路所構成。 即上述無線通訊機具有：發射用之高頻電力放大電路、 檢出上述高頻電力放大電路之輸出之檢出裝置、 利用由上述檢出裝置所得之資訊控制上述高頻電力放大 電路之輸出之自動輸出控制電路， 上述鬲頻電力放大電路具有： 輸入端子、 輸出端子、 接受功率控制訊號之控制端子、 具有連接於上述輸入端子與上述輸出端子間之多數個放 大段之放大系統、 連接於上述控制端子，且將對供給至上述控制端子之功 率控制訊號顯示非線性特性之偏壓供給至上述最終放大段 之偏壓電路， 利用將偏壓供給至上述最終放大段之偏壓電路構成上述 74722-940817.doc - 10 _ 义纸張尺度適用中—國國家標準(CNS) A4規格(210X297公I) ~ '""""' --— 1240481 A7 B7 五、發明説明（ 功率模態控制裝置。 (2 )在上述（1)之構成中，最終放大段之偏壓電路係由： 利用夕數電阻元件將上述功率控制訊號電壓分壓，並將分 壓所形成之分壓電壓供給至上述最終放大段之控制端子之 分壓電路、 控制端子連接於上述分壓電路之分壓點，第二端子連接 於接地線’第一端子連接於設在電位比上述分壓點低之側 之上述電阻元件之控制電晶體、 控制端子連接於上述最終放大段之電晶體之控制端子， 由第一端子輸出電流傳感電壓之電流傳感用電晶體所構 成。 依據前述（1)之手段，（a)在高頻電力放大電路中，最終 放大段之偏壓電路對功率控制訊號Vapc之3rdTr之閘極電壓 在1.25V附近會由非線特性變成線性特性。此情形宛如與由 基地台接受到功率控制訊號而將輸出由低功率模態切換成 高功率模態同樣之作用。 (b) 由上述（a)可知：已不需要設置處理接受自基地台之 功率控制訊號之處理部，故可減少無線通訊機之零件數。 (c) 以往之高頻電力放大電路之情形，在構成高頻電力 放大私路之半導體晶片中，功率模態切換開關部係以單塊 形悲形成在構成高頻電力放大電路之半導體晶片上，但在 本發明之高頻電力放大電路中，由於不需要接收功率控制 訊號（功率模態控制訊號），因此也就不需要半導體晶片上 <開關電晶體與其輸入訊號用端子（墊部），故可削減半導 74722-940817.doc 適用中 公釐） ------ 1240481 A7
骨豆晶片之晶片面積。 (d)由上述(c) ’因可削減半導體晶片之晶 達成半導體晶片之小型化。 、故可 -(二由上述⑷’因可達成構成高頻電力放大電路之半導 ^ 小型化，故可增加由—塊半導體基板（晶圓）所取 仵<半導體晶片數之數量，提高 體晶片之低成本化。 達成+導 ⑺由於不需要切換功率模態，在無線通訊系統中，可將 全邵之行動電話機都變成不需要切換功率模態之型式，基 地台也就不需要發射功率控制訊號之設備，故可減輕基i 台方面之負擔。 發明之實施形態 以下參照圖式’將本發明之實施形態予以詳細說明之。 在獍月毛明之見她形態之所有圖式中，具有同一機能之部 分附以同-號碼予以表#，而省略其重複之說明。 (實施形態一） 不圖1至圖7係有關本發明之實施形態（實施形態一）之高頻 電力放大電路（高頻電路模組）及無線通訊機之圖。所謂高 颅私路模組，在本專利說明書中，係指至少含有高頻電力 放大器（高頻功率放大器：pA)之模組而言。 咼頻電路模組（高頻電力放大電路）（未予圖示）之外蓋疊 在配線基板之上面，外觀上呈現扁平之矩形體構造。在配 線基板（下面到侧面分別設有外部電極端子，形成表面安 裝型。外邵電極端子由輸入端子、幸俞出端子、控制端子、 -12- 74722-940817.doc 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇χ297公釐) 1240481 A7 B7 五、發明説明（ 第一基準電壓端子（電源電壓端子）、第二基準電壓端子（接 地端子：GND )等所構成。上述配線基板上搭載著形成電 晶體等之半導體晶片、片狀電阻（電阻元件）及片狀電容（電 容元件）等，特定之電極與配線係被焊錫或導線所連接。 裝 另外，高頻電路模組係呈現具有單一放大系統之構成或 裝入多數放大系統以便因應多數通訊系統需要之構成。採 行具有多數放大系統之構成或追加機能之構成方式時，外 部電極端子之種類當然會增多。此種高頻電路模組通常被 裝入無線通訊機，例如行動式電話機（攜帶式終端機：移 動式終端機）而使用於蜂窩（Cellula〇式電話系統中。 圖1係有關本發明之南頻電力放大電路之寺效電路圖。 本貫施形* 一之南頻電力放大電路2 0係形成將3個電晶體 (MOSFET)依次以從屬方式連接之3段放大構造之高頻功率 放大器。構成各放大段之電晶體，即初段電晶體（lstTr)、 2段電晶體（2ndTr)及3段電晶體（3πΠΥ)均由N溝道電晶體 (NMOS)所構成。 線 被供給高頻輸入訊號RFin之輸入端子1 0係經耦合電容 (電容元件）C10連接至lstTr之閘極端子，構成IstTr之輸出 端子之汲極端子經耦合電容（電容元件）C 1 1連接至2ndTr之 閘極端子，構成2ndTY之輸出端子之汲極端子經耦合電容 (電容元件）C12連接至3κΠΥ(最終段電晶體）之閘極端子， 3rdTr之汲極端子連接至輸出端子1 1，而呈現由輸出端子 11輸出高頻輸出訊號RFout之構成方式。 功率控制訊號Vapc由控制端子1 2供給至構成各段電晶體 74722-940817.doc - 13 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 1240481 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) (IstTr、2ndTi*、3rdTr)之控制端子之閘極端子。施加至各電晶 體之閘極端子之偏壓電壓為：對IstTr施加用電阻（電阻元 件）R 1與電阻（電阻元件）R2之分壓比分壓功率控制訊號電 壓Vapc所得之分壓電壓，對2ndTr施加用電阻（電阻元件）R 3 與電阻（電阻元件）R4之分壓比分壓功率控制訊號電壓Vapc 所得之分壓電壓。 對3rdTr施加用電阻（電阻元件）R 7 (例如8kQ)與電阻（電阻 元件）R 8 (例如15kQ)之分壓比分壓功率控制訊號電壓V ap c 所得之分壓電壓。但加入電晶體Q 1 5時又構成一個控制之 電路，電晶體Q 1 5之閘極端子（控制端子）連接於電阻R 7與 之電阻R 8之分壓點，汲極端子（第一端子）連接於電阻 R 8，源極端子（第二端子）連接於接地端子（GND)。 各段電晶體（lstTi*、2ndTr、3i*dT〇之汲極端子連接至第一基 準電壓端子（電源電壓端子）13，可被供給電源電壓Vdd。 此種高頻電力放大電路2 0如圖2之圖表所示，功率控制 訊號Vapc在1.IV程度以下時，3ιχΠΥ之閘極電壓呈現與 Vg31ow-mode特性相同之特性，但由1.1V程度開始，3rdTr之 閘極電壓之增加傾向逐漸變大，由1.25V之程度起，閘極電 壓雖低於特定電壓，但卻呈現類似於Vg3high-mode特性之特 性。 圖2之區域A係表示由基地台向移動式終端機傳送之功率 控制訊號所選擇之低功率模態之閘極電壓狀態之情形，在 本貫施形態一之南頻電力放大電路2 0中’即使沒有由基地 台向移動式終端機傳送之功率控制訊號，亦可利用偏壓電 74722-940817.doc - 14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 1240481 A7 B7 五、發明説明（11 ) 路輸出低功率模態時之輸出。此在區域B之高功率模態區 域之情形亦同，即使沒有由基地台向移動式終端機傳送之 功率控制訊號，亦可利用偏壓電路輸出高功率模態時之輸 出。 圖3係表示3rdTr之電流[A ]與功率控制訊號Vapc[ V ]之相 關之圖表，圖4係表示功率控制訊號Vapc[ V ]與高頻電力放 大電路2 0之輸出[dBm ]之相關之圖表，圖5係表示高頻電 力放大電路20之輸出[Pout : dBm]與效率[%]之相關之圖 表。 如圖4所示，OdBm之輸出時之Vapc為1 V之程度，Vapc為 1 V時之高模態之3rdTr電流如圖3所示，為250mA之程度， 但在本發明之高頻電力放大電路中，則大幅下降至100mA 之程度，故可謀求消耗電流之降低。 在圖2之圖表中，A區域之特性（3rdTr電流）在本發明之情 形雖比Vg3high-mode低，但如圖4所示，對功率無不良影 響，其功率呈現略同於High-mode(Vg3high-mode)之程度，而 效率則如圖5所示，比High-mode還高。 圖6係表示裝入具有本實施形態一之功率模態控制裝置 且具有二個放大系統之雙頻帶用高頻電力放大電路2 0 a之 行動電話機（移動式終端機）之一部分之方塊圖，圖6之方 塊圖為表示由基本頻帶訊號處理部至天線為止之部分之 圖。 在圖6中，雙頻帶用高頻電力放大電路2 0 a之外部電極端 子（未予圖式）具有供給功率控制訊號Vapc之控制端子，以 74722-940817.doc - 15 - ——____________________________________________——___—_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 12 1240481 五、發明説明（ 便施行發射系統d之輸入端子、輸出端子及放大系統」·之3 ί又放大段j 1、j 2、j 3之輸出控制。又，作為外部電極端 子具有供給功率控制訊號Vapc之控制端子，以便施行發 射系統e之幸則入端子、輸出端子及放大系統k之3段放大段 k 1、k2、k3之輸出控制。另外，具有電源電壓端子與接 地子以作為兩放大系統j、k之共通外部電極端子。 放大段jl、j2、j3與放大段]^、k2、k3分別由電晶體
OstTr、2ndTr、3錢）所構成，而放大系統j、k分別呈現圖！ 所示之電路構造。 二行動電話機3如圖6所示，具有基本頻帶訊號處理部25。 南頻訊號處理部26連接於基本頻帶訊號處理部25，天線4 連接於雙工器（duplexer)35，而基本頻帶訊號處理部。與雙 工务3 5之間則有2組通訊系統（發射系統d與接收系統f、發 射系統e與接收I统g)，可供二個通訊i统（雙頻帶通訊方 式）使用。 一方通訊系統由發射系統d與接收系統f所構成，發射系 統d具有連接於高頻訊號處理部26之雙頻帶用高頻電力放 大電路20a之放大系統』（放大糾、j2、切、連接於放大 系統J芡滤波器28d、連接配置於濾波器28d與雙工器35之 間之開關29d。另外，為檢出放大系統』之輸出，在放大系 統J之輸出側之線路設有韓合器27d，以作為檢出裝置。此 耦合器27d之輸出被輸入至自動輸出控制電路(Apc_， 另外，基準訊號也由基本頻帶訊號處理㈣被輸入至此 APC3〇d ’然後將比較所得之輸出供給至放大系統j之各放大 16- 74722-940817.doc 本紙張禮適财目目家標準 1240481 A7 B7 五、發明説明（I3 ) 段J· 1、j 2、j 3之電晶體（IstTr、2ndTr、3rdTr)之閘極端子（控 制端子）。 接收系統f具有連接於開關2 9 d之滤波器3 1 f、連接於該 遽波器3 1 f而輸出於高頻訊號處理部2 6之低雜音放大器 (LNA)32f。 另一方通訊系統由發射系統e與接收系統g所構成，發射 系統e具有連接於高頻訊號處理部2 6之雙頻帶用高頻電力 放大電路20a之放大系統k(放大段kl、k2、k3)、連接於 放大系統k之濾波器28e、連接配置於濾波器28e與雙工器 35之間之開關29e。另外，為檢出放大系統k之輸出，在 放大系統k之輸出側之線路設有耦合器27e，以作為檢出裝 置。此耦合器27e之輸出被輸入至自動輸出控制電路 (APC)30e，另外，基準訊號也由基本頻帶訊號處理部25被 輸入至此APC30e，然後將比較所得之輸出供給至放大系 統k之各放大段kl、k2、k3之電晶體（臟、2抓、遙） 之閘極端子（控制端子）。 接收系統g具有連接於開關29e之滤波器3ig、連接於該 濾波器3lg而輸出於高頻訊號處理部^之低雜音哭/ (LNA)32g。 时 利用雙工器35之切換，可選擇二個通訊系統中之一 另-万之通訊系統進行通訊。另外，在各通訊系統中 利^發純收切換開關訊號使開關…或開關仏起 而遠擇發射或接收。 在此種行動電話機中， 吏用來自基地台之功率控 74722-940817.doc 17- 297公釐） 本紙張尺度適用中國國家標準 1240481
制訊號，亦可利用偏壓電路，例如&29dBm附近為界，名 大於此界足區域（區域B )使輸出功率成為高功率模態，名 小於此界4區域（區域A)使輸出功率成為低功率模態。 因此有一點雖未特別以圖示加以說明，但亦可瞭解：名 透過基地台在無線通訊機間施行無線通訊之無線通訊系胡 中，只要事先在各行動電話機設置上述控制功率模態之攻 率模態控制裝置，基地台也就不必設置對無線通㈣發勒 功率控制訊號之設備，故可減輕基地台之設備成本。 本實施形態一具有以下之效果·· (1)在高頻電力放大電路20中，構成最終放大段之電晶 體之偏壓電路對功率控制訊號Vapc之3册之問極電= 1.25V附近會由非綠特性變成線性特性。此情形宛如且^ 由基地台接受到功㈣職號而將輸“低功率模態切換 成高功率模態同樣之作用。 ()由^ ( 1 )可知·在行動電話機（無線通訊機）方面， 已不需要設置處理接受自基地台之功率控制訊號之處理 部’可減少行動電話機之零件數，因此可謀求行動電 之小型化，達成降低成本之目的。 β幾 、（3)以往之高頻電力放大電路之情形，在構成高 放：私路《半導體晶片巾’功率模態切換開關部係以單塊 形態形成在構成高頻電力放大電路之半導鹘曰片上 Α 本發明之高頻電力放大電路中，由於不需；：受功率= 訊號（功率模態控龍號），因此也要半導體晶= 之開關電晶體與其輸入訊號用端子（墊部），故可削減半 -18- 裝 η 線 74722-940817.doc 本紙張尺度適用中ϋ ®家鮮 X 297公釐,
1240481 A7 B7 五、發明説明（I5 ) 體晶片之晶片面積。 (4) 由上述（3)，因可削減半導體晶片之晶片面積，故可 達成半導體晶片之小型化。 (5) 由上述（4)，因可達成構成高頻電力放大電路之半導 體晶片之小型化，故可增加由一塊半導體基板（晶圓）所取 得之半導體晶片數之數量，提高產品之製成率，達成半導 體晶片之低成本化。 (6 )由於不需要切換功率模態，在無線通訊系統中，可 將全部之行動電話機都變成不需要切換功率模態之型式， 基地台也就不需要發射功率控制訊號之設備，故可減輕基 地台方面之負擔。 (實施形態二） 圖7及圖8係有關本發明之另一實施形態（實施形態二）之 圖。本實施形態二與實施形態一不同之處在於檢出高頻電 力放大電路之輸出之檢出裝置為異於耦合器之檢出裝置， 即在本實施形態二中，與實施形態一不同之處在於高頻電 力放大電路（向頻電路模組）係在與實施形態一同樣之電路 構成所構成之檢出高頻電力放大電路2 0 b加設有電流傳感 電路4 0。 電流傳感電路4 0係由最終段電晶體（3rdTY)、與以單塊方 式形成在形成該3rdTr之半導體晶片之電流傳感用電晶體 Q 1 7所構成。即電流傳感用電晶體Q 1 7之閘極端子連接於 3rdTr之閘極端子，源極端子連接於接地端子，汲極端子則 構成將檢出電流輸出至高頻電力放大電路之外部電極端 74722-940817.doc - 19 - 本紙張尺度適用中國國家標苹(CNS) A4規格(210><297公鳘） 裝 玎 線 1240481 A7 B7 五、發明説明（％ ) 子。又，電流傳感用電晶體Q 1 7呈現3rdTr之1 /N之大小， 可使與3rdTr取得相關之汲極電流流至電流傳感用電晶體 Q 1 7。。 在行動電話機中，如圖7所示，設有自動輸出控制電路 (APC) 30。在本實施形態二中，設有將電流變換成電壓之I —V變換電路4 5，將此I — V變換電路4 5之輸出訊號輸入於 APC30，然後輸出其與輸入APC30之功率指定訊號相差之部 分以作為功率控制訊號Vapc。 I — V變換電路45係由汲極端子均連接至電源電壓Vdd而 閘極端子彼此互相連接之電流反射鏡（current mirror)構成之 二個PMOS所構成之電晶體Q 2 1、Q 2 2、與電阻（電阻元 件）R 1 5所構成。電晶體Q 2 2之汲極端子連接於電流傳感用 電晶體Q 1 7之汲極端子，電晶體Q 2 1之汲極端子連接於電 晶體Q2 1之閘極端子，同時連接於APC30。另外，電晶體 Q 2 1之汲極端子並藉著電阻R 1 5連接於接地端子。 其結果，當D C訊號（偏壓電壓）與A C訊號施加至3rdTr 時，電壓也會施加至電流傳感用電晶體Q 1 7之閘極端子， 對應於3πΠΥ之汲極電流會流入電流傳感用電晶體Q 1 7，此 汲極電流被I — V變換電路4 5之電阻R 1 5變換成電壓後反饋 至 APC30。 因此，對應於3rdTr之電流變化之功率控制訊號Vapc由 APC30被輸出，以控制構成高頻電力放大電路之各放大段 之電晶體，並與實施形態一之情形一樣，獲得圖2所示之 本發明的特性。 74722-940817.doc - 20 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 1240481 A7 B7 五、發明説明（Π ) 圖8係表示本實施形態二之雙頻帶用行動電話機之一部 分之方塊圖。圖8之方塊圖與圖6之方塊圖不同之處在於： 不需要摘合為’且高頻電力放大電路2 〇 b之各放大系統j、 k採行直接連接於濾波器2 8 d、2 8 e之構成，同時閘極端子 連接於放大系統j、k之最終放大段j 3、k 3之電晶體3rdTr之 閘極端子之電流傳感用電晶體Q17j，Ql7k之汲極電流被 變換成電壓後反饋至APC30d、30e。 採用此種行動電話機3時，即使不使用由基地台送來之 功率控制訊號，亦可自動施行功率控制，可一面節省耗電 量，一面施行良好的通話。 茲就探討電流傳感方式之結果，參照圖9〜圖丨5予以說 明之。圖9(a)、（b)係表示不同檢波器數目下之3rdTr之輸 出（功率）與檢波電流之相關之特性圖。圖9 (a)為準備二個 檢波器而依功率選擇使用檢波器之例。相對地，圖9(b)則 為利用一個檢波器檢出3rdTr之功率之例。 準備二個檢波器，對應功率之需要選用檢波器之構造由 於電流變化△ I之變化率較大，因此可高精度地檢出檢波 電流。 採用具有本發明之功率模態控制裝置之行動電話機如圖 1 〇所示，呈現符合使用二個檢波器時之特性，從檢波靈敏 度上而言，雖不及小功率時使用二個檢波器之情形，但检 波靈敏度不會急遽下降而處於可實用之範圍，因此無需因 功率之大小而切換檢波器。 就電流差異加以探討時，與電流差異有關係的是有高功 74722-940817.doc _ 本I張尺度適用中國國g^(CNS) A4規格?公釐）— —一~~^—— 1240481
五、發明説明（) 率模態及低功率模態之情形與比較本發明之自動切換時之 情形兩種情形。高功率模態時，如圖u所示，閉極電位因 有加上電阻分割Vapc電位之部分’故當臨限值vth受溫度 等影響而變化時’ m會直接成為汲極電流1(1之變化， 使檢波電流亦同樣發生變化。功率大時，電晶體（3rdTr)處 於飽和狀態，故如圖12所示，檢波電流變動會變小，低功 率模態時’如圖13所示’由於3πΠ>、電晶體Qi5及電流傳 感用電晶體q!7構成電流反射鏡電路，3册之沒極電流id 及電流傳感用電晶體Q17之汲極電流We因溫度變化而對 V t h差異之影響如圖1 4所示均很小。 圖1 4係表示低功率模態時之功率與檢波電流之相關之 圖。特性曲線以平行之2條線表示，這是由於其變動並非 為零’故以微小間隔之2條線表示。 本發明之自動切換之情形之檢波電流變動呈現圖15所示 之特性，由於其變動並非為零，故在此特性圖中也以2條 線表示。 ‘、 根據以上所述，在檢波靈敏度方面，如本發明所述採行 自動切換 < 構成方式時，由於檢波靈敏度不會急遽降低， 顯然也可採用不切換檢波器之構成方式。另外，在檢波電 流差異方面，採行本發明之自動切換之構成方式時，由2 3i:dTr之汲極電流1(1之變動小，故電流傳感用電晶體之 汲極電流Isence之變動亦小。 圖16係表示本實施形態二之變形例之包含I — v變換電 路义電路圖之情形。I 一 V變換電路4 5 a係由差動放大器4 6 -22- 74722-940817.doc 本紙張尺度適用中國國^^^ A4規格（2 i〇X297公釐） 1240481
與將電阻（電阻元件）R25連接於該差動放大器46之差動2 輸入端子間所構成。差動2輸入端子中之高電位側之端子 連接於電源電壓Vdd，低電位側之端子連接㈣流傳感用 電晶體Q 17之汲極端子。反饋電壓被輸出至差動放大器46 之輸出端’此反饋電壓並被輸人於未予圖示之自動輸出控 制電路APC。 在此變形例中亦與前述實施㈣二同樣，在功率控制訊 號，變動的同時’宛如由基地台接受到功率控制訊號一 般而同樣地施行將輸出由低功率模態切換成高功率模態之 自動切換動作。 以上依據實施形態將本發明人所創見之發明予以具體說 明’唯本發明之内容並不僅限定於上述之實施形態，在不 超越其要旨之範圍，當然可作種種變更，例如在實施例 中’係就使用場效電晶體作為構成放大段之電晶體之例子 予以說明’但此電晶體亦可同樣使用矽雙極電晶體、 SiGeFET電晶體、GaAs _舰贿、高電子移動度電晶體 (HEMT) *雙極電晶體（HBT)等其他電晶體，並獲得同樣 之效果。 發明效果 本案所揭示之發明中較具代表性之發明所能獲得之效果 可簡單說明如下： ⑴提供不必使用由基地台送來之功率控制訊號而可自動 地施行高功率模與低功率模態之控制之高頻電力放大電路 及無線通訊機。即在行動電話機中，不需設置處理接受自 23- 74722-940817.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 X29_公釐） 1240481 A7
ΐ地:::::::號”理部，減少行動電話機之零件 ⑵”：機之小型化’達成降低成本之目的。 力放疋大電Γ:精度地控制輸出特性之小μ低廉之高頻電 (3)提供可高精度地控制輸 線通訊機。 出特性並施行安定之通訊之無 (:)"因不需切換功率模態’故在無線通訊系統中，可將所 订動電話機都變成不需切換功率模態之型式，基地台方 面不需設置發射功率控制訊號之設備’可減輕基地台方面 圖式之簡要說明 圖1係表示本發明之一實施形態（實施形態一）之高頻電 力放大電路之等效電路圖。 圖2係表示功率控制訊號Vapc與3rdTr之閘極電壓之相關 之圖表。 圖3係表示功率控制訊號Vapc與3rdTr之電流之相關之圖 表0 圖4係表示功率控制訊號Vapc與高頻電力放大電路2 〇之 輸出之相關之圖表。 圖5係表示高頻電力放大電路之輸出（p〇ut)與效率之相關 之圖表。 圖6係表示具有實施形態一之功率模態控制裝置，且裝 設含有二個放大系統之高頻電力放大電路之行動電話機 (移動式終端機）之一部分之方塊圖。
L 74722-940817.doc 24- 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS) A4規格(210X297公釐 1240481 A7
圖7係表示本發明之另一能 > / μ 電力放大電路之等效電路圖。u施形態二)之高頻 圖圖8係表示本實施形態二之行動電話機之—部分之方塊 产：二表：在不同數之檢波器下之3·之輸出(功率)盘 ^波电机〈相關之特性圖。 ^ / ^ Ur、表7^ ^含具有依本發明之功率模置之例 β 4 ί率與檢波電流之相關之特性圖。 圖 圖係表不3阿功率模態時3rdTr之偏壓部分之等效電路 圖12係表示高功率模態時Vth差異所引起之檢波電 動之圖表。 圖1 3係表示含低功率模態時3rdTr2偏壓部分之等 流變 圖。 效電路 圖14係表示低功率模態時Vth差異所引起之檢波電流變 動圖表。 圖1 5係表示低功率模態時Vth差異所引起之檢波電流變 動之圖表。 圖16係表示本實施形態二之變形例之含ι — ν變換電路 之電路圖。 圖1 7係表示含基地台與移動式終端機之無線通訊系統之 模式圖。 圖1 8係表示高階功率訊號供給至開關電晶體之狀態之以 往之高頻電力放大電路之等效電路圖。 74722-940817.doc ..----- •25 本紙張尺度適用中國國家標準(€讨3) A4規格(210X297公釐） 1240481 A7 B7 五、發明説明（22 ) 圖1 9係表示低階功率訊號供給至開關電晶體之狀態之以 往之高頻電力放大電路之等效電路圖。 元件符號之說明 1…·基地台、2….天線、3….移動式終端機（行動電話 機）、4 ... ·天線、5…·高階功率訊號、6 ....低階功率訊 號、1 〇.·· ·輸入端子、1 1…·輸出端子、12....控制端子、 13··..第一基準電壓端子（電源電壓端子）、2〇·...高頻電 力放大電路、20a，20b.···雙頻帶用高頻電力放大電路、 2 5…·基本頻帶訊號處理部、2 6…·高頻訊號處理部、 27d 2 7 q.....搞合益、28d，28e····〉慮波器、29d， 裝 2 9e··.·開關、3〇d，3〇e…自動輸出控制電路（Apc)、 3 1 g . ·. ·滤波器、3 2 f ’ 3 2 g · · · ·低雜音放大器 η (LNA) 35····雙工器、40····電流傳感電路、45， 45a··· ·Ι〜ν變換電路、46....差動放大器。 74722-940817.doc -26- 線
Claims (1)
1240481 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種高頻電力放大電路，其特徵在於具有： 輸入端子； 輸出端子； 接受功率控制訊號之控制端子； 具有連接於上述輸入端子與上述輸出端子間之多數個 放大段之放大系統；及 連接於上述控制端子，且將對供給至上述控制端子之 功率控制訊號顯示非線性特性之偏壓供給至上述多數個 放大段中耦合於上述輸出端子之第一放大段之偏壓電路 者；且 上述偏壓電路係含有： 將上述功率控制訊號之電壓分壓，並將分壓所形成之 分壓電壓供給至上述第一放大段之控制端子之分壓電 路； 控制端子連接於上述分壓電路之分壓點，第二端子連 接於接地端子，第一端子連接於設在電位比上述分壓點 低之側之電阻元件之控制電晶體；及 其控制端子連接於上述第一放大段之電晶體之控制端 子，由其第一端子輸出電流傳感電壓之電流傳感用電晶 體者。 2. —種無線通訊機，其特徵在於具有：發射用之高頻電力 放大電路； 檢出上述高頻電力放大電路之輸出之檢出裝置；及 用上述檢出裝置所得之資訊控制上述高頻電力放大電 74722-940817.doc - 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1240481 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 路之輸出之輸出控制電路； 上述南頻電力放大電路具有. 輸入端子； 輸出端子； 接受功率控制訊號之控制端子； 具有連接於上述輸入端子與上述輸出端子間之多數個 放大段之放大系統；及 連接於上述控制端子，且將對供給至上述控制端子之 功率控制訊號顯示非線性特性之偏壓供給至上述多數個 放大段中耦合於上述輸出段之第一放大段之偏壓電路 者，且 上述高頻電力放大電路之上述第一放大段之偏壓電路 含有： 利用多數電阻元件將上述功率控制訊號之電壓分壓， 並將分壓所形成之分壓電壓供給至上述第一放大段之控 制端子之分壓電路； 其控制端子連接於上述分壓電路之分壓點，其第二端 子連接於接地端子，其第一端子連接於設在電位比上述 分壓點低之側之電阻元件之控制電晶體；及 其控制端子連接於上述第一放大段之電晶體之控制端 子，由其第一端子輸出電流傳感電流之電流傳感用電晶 體者。 3. —種無線通訊系統，其特徵在於可透過基地台在無線通 訊機間施行無線通訊，且上述基地台不具有將功率控制 74722-940817.doc - 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 玎 線 1240481 、申請專利範園 a號舍射至上述各無線通訊機之設備，上述各無線通訊 機具有不必依賴上述功率控制訊號即可控制功率模態之 功率模態控制裝置者； 上述無線通訊機具有·· 發射用之高頻電力放大電路； 檢出上述高頻電力放大電路之輸出之檢出裝置；及 用上述檢出裝置所得之資訊控制上述高頻電力放大電 路之輸出之輸出控制電路；且 上述鬲頻電力放大電路具有·· 輸入端子； 輸出端子； 接受功率控制訊號之控制端子； 具有連接於上述輸入端子與上述輸出端子間之多數個 放大段之放大系統；及 連接於上述控制端子，且將對供給至上述控制端子之 功率控制訊號顯示非線性特性之偏壓供給至上述多數個 放大段中耦合於上述輸出端子之第一放大段之偏壓電 路；且 利用供給至上述第一放大段之偏壓電路構成上述功率 模態控制裝置者。 4. 如申請專利範圍第3項之無線通訊系統，其中上逑檢出 裝置具有檢出上述高頻電力放大電路之輸出之耦合器， 且私忒挺合益之輸出訊號輸入於上述輸出控制電路者。 5. 如申請專利範圍第3項之無線通訊系統’其中上述檢出 3- 74722-940817.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇x 297公釐) 1240481 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 裝置含有其控制端子連接於上述高頻電力放大電路之上 述第一放大段所含之電晶體之控制端子之電流傳感用電 晶體5該電流傳感用電晶體之輸出電流被變換成電壓後 供給至上述輸出控制電路者。 6. —種高頻電力放大電路，其包括： 一輸入端子； 一輸出端子； 一接收一功率控制訊號之控制端子； 一放大系統，其具有多數個放大電路且係被耦合於該 輸入端子與該輸出端子之間；及 一被耦合於該控制端子與該放大系統之偏壓電路，其 包括一第一電阻元件，其具有一第一節點與一第二節 點；一第二電阻元件，其具有一被耦合至該第一電阻元 件之第二節點的第一節點，以及一第二節點；以及一第 一電晶體，其具有一被耦合至該第一電阻元件之第二節 點的閘極，一透過該第一電阻元件與該第二電阻元件被 耦合至該控制端子的第一電極，以及用以接收一預設電 壓之第二電極，其中可根據該功率控制訊號由該第一電 阻元件之第二節點產生一電壓，以及其中該偏壓電路會 根據該所產生之電壓提供一電壓給該放大系統作為一偏 壓電壓，而不必接收一模態訊號用以表示究竟是該高頻 電力放大電路能夠輸出一低於一預設值之功率電位的低 功率模態，抑或是該高頻電力放大電路能夠輸出一高於 該預設值之功率電位的高功率模態。 74722-940817.doc - 4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1240481 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 7. 如申請專利範圍第6項之高頻電力放大電路，其中該等 多數個放大電路包括一第一放大電路，其具有一被耦合 至該輸出端子的輸出節點，以及一輸入節點；以及一被 耦合於該第一放大電路之輸入節點與該輸入端子之間的 第二放大電路，其中該偏壓電壓係被施加於該第一放大 電路。 8. 如申請專利範圍第7項之南頻電力放大電路’其中該第 一放大電路包括一第二電晶體，其具有一被耦合至該輸 入節點的閘極，並且會從該偏壓電路施加該偏壓電壓給 該閘極；以及該第二電晶體亦具有一被耦合至該輸出節 點的電極。 9. 如申請專利範圍第8項之高頻電力放大電路，其中該偏 壓電路包括一分壓電路，用以接收該功率控制訊號且提 供該分割後之功率控制訊號給該第二放大電路作為一偏 壓電壓。 10. 如申請專利範圍第9項之高頻電力放大電路，其中該第 一電晶體之第一電極係被耦合至該第二電阻元件之第二 節點，以及其中該第一電晶體與該第二電晶體都係 MOSFET。 11·如申請專利範圍第1 0項之高頻電力放大電路，其中該所 產生的電壓會被施加至該弟二電晶體的閘極作為偏壓電 壓。 12.如申請專利範圍第8項之高頻電力放大電路，進一步包 括： 74722-940817.doc - 5 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1240481 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一第三電晶體，其具有一被耦合至該第二電晶體之閘 極的閘極；及 一功率控制訊號產生電路，用以從該第三電晶體接收 一輸出訊號，以及一功率表示訊號，並且可根據該第三 電晶體之輸出訊號與該功率表示訊號之間的差異以產生 該功率控制訊號。 13. 如申請專利範圍第1 2項之高頻電力放大電路，其中該第 一電晶體、該第二電晶體與該第二電晶體都係 MOSFET，以及其中該第三MOSFET之輸出對應的係流 經該第一 MOSFET之汲極與源極之間的一電流。 14. 一種高頻電力放大電路，其包括： 一輸入端子； 一輸出端子； 一接收功率控制訊號之控制端子； 一放大系統，其具有多數個放大電路且係被耦合於該 輸入端子與該輸出端子之間；及 一被耦合於該控制端子與該放大系統之偏壓電路，其 包括一具有一閘極之電晶體、一第一電極以及一用以接 收一預設電壓之第二電極；以及一電阻元件，其具有一 被耦合至該電晶體閘極的第一節點與一被耦合至該電晶 體第一電極的第二節點，其中可響應施加該功率控制訊 號給該電晶體的閘極，根據該功率控制訊號由該電阻元 件之第一節點產生一電壓，以及其中該偏壓電路會根據 該所產生之電壓提供一電壓給該放大系統作為一偏壓電 74722-940817.doc - 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1240481 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 壓，而不必接收一模態訊號用以表示究竟是該高頻電力 放大電路能夠輸出一低於一預設值之功率電位的低功率 模態，抑或是該高頻電力放大電路能夠輸出一高於該預 設值之功率電位的高功率模態。 15. 如申請專利範圍第1 4項之高頻電力放大電路，其中該等 多數個放大電路包括一第一放大電路，其具有一被耦合 至該輸出端子的輸出節點，以及一輸入節點；以及一被 耦合於該第一放大電路之輸入節點與該輸入端子之間的 第二放大電路，其中該偏壓電壓係被施加於該第一放大 電路。 16. 如申請專利範圍第1 5項之高頻電力放大電路，其中該第 一放大電路包括一第二電晶體，其具有一被耦合至該輸 入節點的閘極，並且會從該偏壓電路施加該偏壓電壓給 該閘極；以及該第二電晶體亦具有一被耦合至該輸出節 點的電極。 17. 如申請專利範圍第1 6項之高頻電力放大電路，其中該偏 壓電路包括一分壓電路，用以接收該功率控制訊號且提 供該分割後之功率控制訊號給該第二放大電路作為一偏 壓電壓。 18. 如申請專利範圍第1 7項之高頻電力放大電路，其中該第 一電晶體之第一電極係被耦合至該第二電阻元件之第二 節點，以及其中該第一電晶體與該第二電晶體都係 MOSFET。 19. 如申請專利範圍第1 8項之高頻電力放大電路，其中該所 74722-940817.doc - 7 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1240481 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 產生的電壓會被施加至該第二電晶體的閘極作為偏壓電 壓。 20. —種無線通訊機，其包括： 一南頻電力放大電路， 用以測量該高頻電力放大電路之輸出功率的檢出裝 置；及 一功率控制電路，其可以該檢出裝置之輸出為基礎來 控制該高頻電力放大電路之輸出功率， 其中該高頻電力放大電路包括： 一輸入端子； 一輸出端子； 一從該功率控制電路接收一功率控制訊號之控制端 子； 一放大系統，其具有多數個放大電路且係被耦合於該 輸入端子與該輸出端子之間；及 一被耦合於該控制端子與該放大系統之偏壓電路，其 包括一第一電阻元件，其具有一第一節點與一第二節 點；一第二電阻元件，其具有一被耦合至該第一電阻元 件之第二節點的第一節點，以及一第二節點；以及一第 一電晶體，其具有一被耦合至該第一電阻元件之第二節 點的閘極，一透過該第一電阻元件與該第二電阻元件被 耦合至該控制端子的第一電極，以及用以接收一預設電 壓之第二電極，其中可根據該功率控制訊號由該第一電 阻元件之第二節點產生一電壓，以及其中該偏壓電路會 74722-940817.doc - 8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1240481 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 根據該所產生之電壓提供一電壓給該放大系統作為偏壓 電壓，而不必接收一模態訊號用以表示究竟是該高頻電 力放大電路能夠輸出一低於一預設值之功率電位的低功 率模態’抑或是該南頻電力放大電路能夠輸出一兩於該 預設值之功率電位的高功率模態。 21. 如申請專利範圍第2 0項之無線通訊機，其中該等多數個 放大電路包括一第一放大電路，其具有一被耦合至該輸 出端子的輸出節點，以及一輸入節點；以及一被耦合於 該第一放大電路之輸入節點與該輸入端子之間的第二放 大電路，其中該偏壓電壓係被施加於該第一放大電路。 22. 如申請專利範圍第2 1項之無線通訊機，其中該第一放大 電路包括一第二電晶體，其具有一被耦合至該輸入節點 的閘極，並且會從該偏壓電路施加該偏壓電壓給該閘 極；以及該第二電晶體亦具有一被耦合至該輸出節點的 電極。 23. 如申請專利範圍第22項之無線通訊機，其中該偏壓電路 包括一分壓電路，用以接收該功率控制訊號且提供該分 割後之功率控制訊號給該第二放大電路作為一偏壓電 壓。 24. 如申請專利範圍第2 3項之無線通訊機，其中該第一電晶 體之第一電極係被耦合至該第二電阻元件之第二節點， 以及其中該第一電晶體與該第二電晶體都係MOSFET。 25. 如申請專利範圍第24項之無線通訊機，其中該所產生的 電壓會被施加至該第二電晶體的閘極作為一偏壓電壓。 74722-940817.doc - 9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1240481 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 26. —種無線通訊機，其包括： 一南頻電力放大電路， 用以測量該高頻電力放大電路之輸出功率的檢出裝 置；及 一功率控制電路，其可以該檢出裝置之輸出為基礎來 控制該高頻電力放大電路之輸出功率， 其中該南頻電力放大電路包括· 一輸入端子； 一輸出端子； 一從該功率控制電路接收一功率控制訊號之控制端 子； 一放大系統，其具有多數個放大電路且係被耦合於該 輸入端子與該輸出端子之間；及 一被耦合於該控制端子與該放大系統之偏壓電路，其 包括一具有一閘極之電晶體、一第一電極以及一用以接 收一預設電壓之第二電極；以及一電阻元件，其具有一 被耦合至該電晶體閘極的第一節點與一被耦合至該電晶 體第一電極的第二節點，其中可響應施加該功率控制訊 號給該電晶體的閘極，根據該功率控制訊號由該電阻元 件之第一節點產生一電壓，以及其中該偏壓電路會根據 該所產生之電壓提供一電壓給該放大系統作為一偏壓電 壓，而不必接收一模態訊號用以表示究竟是該高頻電力 放大電路能夠輸出一低於一預設值之功率電位的低功率 模態，抑或是該高頻電力放大電路能夠輸出一高於該預 74722-940817.doc - 10 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1240481 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 設值之功率電位的高功率模態。 27. 如申請專利範圍第26項之無線通訊機，其中該等多數個 放大電路包括一第一放大電路，其具有一被耦合至該輸 出端子的輸出節點，以及一輸入節點；以及一被搞合於 該第一放大電路之輸入節點與該輸入端子之間的第二放 大電路，其中該偏壓電壓係被施加於該第一放大電路。 28. 如申請專利範圍第2 7項之無線通訊機，其中該第一放大 電路包括一第二電晶體，其具有一被耦合至該輸入節點 的閘極，並且會從該偏壓電路施加該偏壓電壓給該閘 極；以及該第二電晶體亦具有一被耦合至該輸出節點的 電極。 29. 如申請專利範圍第2 8項之無線通訊機，其中該偏壓電路 包括一分壓電路，用以接收該功率控制訊號且提供該分 割後之功率控制訊號給該第二放大電路作為一偏I電 壓。 30. 如申請專利範圍第2 9項之無線通訊機，其中該第一電晶 體之第一電極係被耦合至該第二電阻元件之第二節點， 以及其中該第一電晶體與該第二電晶體都係MOSFET。 31. 如申請專利範圍第3 0項之無線通訊機，其中該所產生的 電壓會被施加至該弟二電晶體的閘極作為該偏壓電壓。 32 —種無線通訊系統，其包括： 一基地台，其不具輸出一模態訊號的功能，該模態訊 號係用以表示究竟是該無線通訊機能夠輸出一低於一預 設值之功率電位的低功率模態，抑或是該無線通訊機能 74722-940817.doc -11- 本紙張尺度適用中國國家標準、CNS) A4規格(210X 297公釐) 1240481 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 夠輸出一南於該預設值之功率電位的南功率模態，及 該無線通訊機可與該基地台進行無線通訊，並且包 括： 一功率控制電路，用以提供一功率控制訊號； 一輸入端子； 一輸出端子； 一用以接收該功率控制訊號之控制端子； 一放大系統，其具有多數個放大電路且係被耦合於該 輸入端子與該輸出端子之間；及 一被耦合於該控制端子與該放大系統之偏壓電路，其 包括一第一電阻元件，其具有一第一節點與一第二節 點；一第二電阻元件，其具有一被耦合至該第一電阻元 件之第二節點的第一節點，以及一第二節點；以及一第 一電晶體，其具有一被耦合至該第一電阻元件之第二節 點的閘極，一透過該第一電阻元件與該第二電阻元件被 耦合至該控制端子的第一電極，以及用以接收一預設電 壓之第二電極，其中可根據該功率控制訊號由該第一電 阻元件之第二節點產生一電壓，以及其中該偏壓電路會 根據該所產生之電壓提供一電壓給該放大系統作為一偏 壓電壓。 33.如申請專利範圍第3 2項之無線通訊系統，其中該等多數 個放大電路包括一第一放大電路，其具有一被耦合至該 輸出端子的輸出節點，以及一輸入節點；以及一被耦合 於該第一放大電路之輸入節點與該輸入端子之間的第二 74722-940817.doc - 12 - 本紙張反度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1240481 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 放大電路9其中該偏壓電壓係被施加於該第一放大電 路。 34. 如申請專利範圍第3 3項之無線通訊系統，其中該第一放 大電路包括一第二電晶體，其具有一被耦合至該輸入節 點的閘極，並且會從該偏壓電路施加該偏壓電壓給該閘 極；以及該第二電晶體亦具有一被耦合至該輸出節點的 電極。 35. 如申請專利範圍第3 4項之無線通訊系統，其中該偏壓電 路包括一分壓電路，用以接收該功率控制訊號且提供該 分割後之功率控制訊號給該第二放大電路作為一偏壓電 壓。 36. 如申請專利範圍第3 5項之無線通訊系統，其中該第一電 晶體之第一電極係被耦合至該第二電阻元件之第二節 點，以及其中該第一電晶體與該第二電晶體都係 MOSFET 〇 37. 如申請專利範圍第3 6項之無線通訊系統，其中該所產生 的電壓會被施加至該弟二電晶體的閘極作為該偏壓電 壓。 38. 如申請專利範圍第3 7項之無線通訊系統，其中該功率控 制電路包括根據一功率表示訊號與該放大系統之一輸出 功率電位之間的差異產生該功率控制訊號之裝置者。 39. 如申請專利範圍第3 7項之無線通訊系統，其中該功率控 制電路包括根據一功率表示訊號與流經該第二電晶體之 第一電極與第二電極間的電流之間的差異產生該功率控 74722-940817.doc - 13 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 裝 ΤΓ 線 1240481 Ae Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 制訊號之裝置者。 40. —種無線通訊系統，其包括： 一基地台，其不具輸出模態訊號的功能，該模態訊號 係用以表示究竟是該無線通訊機能夠輸出一低於一預設 值之功率電位的低功率模態，抑或是該無線通訊機能夠 輸出一高於該預設值之功率電位的高功率模態；及 該無線通訊機可與該基地台進行無線通訊，並且包 括： 一功率控制電路，用以提供一功率控制訊號； 一輸入端子； 一輸出端子； 一用以從該功率控制電路接收一功率控制訊號之控制 端子； 一放大系統，其具有多數個放大電路且係被耦合於該 輸入端子與該輸出端子之間；及 一被耦合於該控制端子與該放大系統之偏壓電路，其 包括一具有一閘極之電晶體、一第一電極以及一用以接 收一預設電壓之第二電極；以及一電阻元件，其具有一 被耦合至該電晶體閘極的第一節點與一被耦合至該電晶 體第一電極的第二節點，其中可響應施加該功率控制訊 號給該電晶體的閘極，根據該功率控制訊號由該電阻元 件之第一節點產生一電壓，以及其中該偏壓電路會根據 該所產生之電壓提供一電壓給該放大系統作為一偏壓電 壓。 74722-9408l7.doc - 14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1240481 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 41. 如申請專利範圍第40項之無線通訊系統，其中該等多數 個放大電路包括一第一放大電路，其具有一被耦合至該 輸出端子的輸出節點，以及一輸入節點；以及一被耦合 於該第一放大電路之輸入節點與該輸入端子之間的第二 放大電路，其中該偏壓電壓係被施加於該第一放大電 路。 42. 如申請專利範圍第4 1項之無線通訊系統，其中該第一放 大電路包括一第二電晶體，其具有一被耦合至該輸入節 點的閘極，並且會從該偏壓電路施加該偏壓電壓給該閘 極；以及該第二電晶體亦具有一被耦合至該輸出節點的 電極。 43. 如申請專利範圍第42項之無線通訊系統，其中該偏壓電 路包括一分壓電路，用以接收該功率控制訊號且提供該 分割後之功率控制訊號給該第二放大電路作為一偏壓電 壓。 44. 如申請專利範圍第43項之無線通訊系統，其中該第一電 晶體之第一電極係被耦合至該第二電阻元件之第二節 點，以及其中該第一電晶體與該第二電晶體都係 MOSFET。 45. 如申請專利範圍第44項之無線通訊系統，其中該所產生 的電壓會被施加至該弟二電晶體的閘極作為該偏壓電 壓。 46. 如申請專利範圍第4 5項之無線通訊系統，其中該功率控 制電路包括根據一功率表示訊號與該放大系統之輸出功 74722-940817.doc - 15 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1240481 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 率電位之間的差異產生該功率控制訊號之裝置者。 47.如申請專利範圍第46項之無線通訊系統，其中該功率控 制電路包括根據一功率表示訊號與流經該第二電晶體之 第一電極與第二電極間的電流之間的差異產生該功率控 制訊號之裝置者。 74722-940817.doc - 16 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000347853A JP2002151982A (ja) | 2000-11-15 | 2000-11-15 | 高周波電力増幅回路及び無線通信機並びに無線通信システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI240481B true TWI240481B (en) | 2005-09-21 |
Family
ID=18821524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW090128354A TWI240481B (en) | 2000-11-15 | 2001-11-15 | High frequency power amplifier, wireless communication apparatus and wireless communication system |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6605999B2 (zh) |
| JP (1) | JP2002151982A (zh) |
| KR (1) | KR20020038498A (zh) |
| TW (1) | TWI240481B (zh) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002111415A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Hitachi Ltd | 高周波電力増幅装置及び無線通信機 |
| GB0028689D0 (en) * | 2000-11-24 | 2001-01-10 | Qualcomm Uk Ltd | Amplifier circuit |
| JP2003037454A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Hitachi Ltd | 高周波電力増幅回路 |
| KR20040022254A (ko) * | 2002-09-03 | 2004-03-12 | (주)나리지 온 | 전력 제어 수단을 포함한 전력 증폭 장치 |
| US7139538B2 (en) | 2002-09-05 | 2006-11-21 | Renesas Technology Corp. | Electronic component for amplifying high frequency power and radio communication system |
| JP2004140518A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Renesas Technology Corp | 高周波電力増幅用電子部品および無線通信システム |
| JP2004140633A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Hitachi Ltd | 高周波電力増幅用電子部品および無線通信システム |
| JP2004319550A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2004328107A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Renesas Technology Corp | 高周波電力増幅用半導体集積回路および高周波電力増幅用電子部品並びに無線通信システム |
| DE10339055B4 (de) * | 2003-08-25 | 2012-10-31 | Infineon Technologies Ag | Regelkreis mit einer Verstärkeranordnung |
| JP2005184409A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Renesas Technology Corp | 通信用半導体集積回路およびそれを搭載した電子部品 |
| US7502601B2 (en) * | 2003-12-22 | 2009-03-10 | Black Sand Technologies, Inc. | Power amplifier with digital power control and associated methods |
| US7522892B2 (en) * | 2003-12-22 | 2009-04-21 | Black Sand Technologies, Inc. | Power amplifier with serial interface and associated methods |
| US7803158B2 (en) * | 2004-03-26 | 2010-09-28 | Depuy Products, Inc. | Navigated pin placement for orthopaedic procedures |
| DE102004017528A1 (de) * | 2004-04-08 | 2005-11-03 | Infineon Technologies Ag | Sendeanordnung und Verfahren zum Betreiben eines Verstärkers in einer Sendeanordnung |
| US7268626B2 (en) * | 2004-04-30 | 2007-09-11 | Broadcom Corporation | Compensating a power amplifier based on operational-based changes |
| GB0418991D0 (en) * | 2004-08-25 | 2004-09-29 | Nujira Ltd | High efficiency variable voltage supply |
| US7180367B2 (en) * | 2005-01-07 | 2007-02-20 | U.S. Monolithics, L.L.C. | Systems, methods and devices for differential active bias of multi-stage amplifiers |
| US7940833B2 (en) * | 2006-06-21 | 2011-05-10 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Transmitter with intelligent preconditioning of amplifier signal |
| TWI332749B (en) * | 2006-08-14 | 2010-11-01 | Realtek Semiconductor Corp | Power amplifier circuit having a bias signal inputted into an input terminal and method thereof |
| JP4689591B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2011-05-25 | 三菱電機株式会社 | 検波回路 |
| JP2008161453A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Aruze Corp | シンボルのコンビネーションで賞を付与するゲームマシン |
| US7643800B2 (en) * | 2007-01-30 | 2010-01-05 | Broadcom Corporation | Transmit power management for a communication device and method for use therewith |
| US8890616B2 (en) * | 2010-12-05 | 2014-11-18 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | Power amplifier system with a current bias signal path |
| JP5328975B2 (ja) * | 2012-12-19 | 2013-10-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Ｒｆパワーモジュール |
| KR101653903B1 (ko) * | 2015-01-12 | 2016-09-02 | 숭실대학교산학협력단 | 비선형 증폭단을 이용한 선형 증폭기 |
| JP2016208305A (ja) * | 2015-04-23 | 2016-12-08 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅モジュール |
| JP2016213547A (ja) | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅モジュール |
| TWI639299B (zh) * | 2017-08-02 | 2018-10-21 | 立積電子股份有限公司 | 電流補償電路 |
| US10411661B1 (en) * | 2018-06-01 | 2019-09-10 | Beijing Huntersun Electronic Co., Ltd. | Apparatus, system and method for power amplifier control |
| US10985712B2 (en) | 2019-03-13 | 2021-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplification module |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3508401B2 (ja) | 1996-07-12 | 2004-03-22 | 富士通株式会社 | 増幅回路および多段増幅回路 |
| US6259901B1 (en) * | 1998-07-03 | 2001-07-10 | Mobile Communications Tokyo Inc. | Radio-frequency power amplifier of mobile communication equipment |
| US6172567B1 (en) * | 1998-08-31 | 2001-01-09 | Hitachi, Ltd. | Radio communication apparatus and radio frequency power amplifier |
-
2000
- 2000-11-15 JP JP2000347853A patent/JP2002151982A/ja active Pending
-
2001
- 2001-10-31 US US09/984,800 patent/US6605999B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-14 KR KR1020010070641A patent/KR20020038498A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-11-15 TW TW090128354A patent/TWI240481B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020057131A1 (en) | 2002-05-16 |
| JP2002151982A (ja) | 2002-05-24 |
| KR20020038498A (ko) | 2002-05-23 |
| US6605999B2 (en) | 2003-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI240481B (en) | High frequency power amplifier, wireless communication apparatus and wireless communication system | |
| CN1838530B (zh) | 高频功率放大器电路 | |
| JP3904817B2 (ja) | 電力増幅器モジュール | |
| JP3895532B2 (ja) | 高周波電力増幅装置及び無線通信機 | |
| US7595694B2 (en) | Electronics parts for high frequency power amplifier | |
| US6972626B2 (en) | High frequency power amplification electric part and wireless communication system | |
| TWI378638B (en) | Amplifier, attenuating module and method for attenuating an rf signal | |
| US7078974B2 (en) | High frequency power amplifier circuit | |
| TW548894B (en) | High frequency power amplifying method and wireless communication apparatus | |
| US7333564B2 (en) | High frequency power amplifier circuit | |
| JP3977339B2 (ja) | 高周波電力増幅回路および通信用電子部品 | |
| US6236266B1 (en) | Bias circuit and bias supply method for a multistage power amplifier | |
| WO2004023649A1 (ja) | 高周波電力増幅用電子部品および無線通信システム | |
| Ho et al. | A 1-V CMOS power amplifier for Bluetooth applications | |
| JP2006013753A (ja) | 無線通信システムおよび半導体集積回路 | |
| WO2004049555B1 (en) | Radio frequency power amplifier active self-bias compensation circuit | |
| JP2007019585A (ja) | 高周波電力増幅器および無線通信装置 | |
| JP2005027130A (ja) | 高周波電力増幅回路のバイアス制御回路および高周波電力増幅用電子部品 | |
| JP3158776B2 (ja) | 通信機 | |
| JP2006303850A (ja) | 高周波電力増幅回路および無線通信端末 | |
| JP2005020383A (ja) | 高周波電力増幅回路および無線通信システム | |
| JP2005197860A (ja) | 高周波電力増幅回路 | |
| JP2005217558A (ja) | 高周波電力増幅回路 | |
| TW557627B (en) | High-frequency power amplifier circuit | |
| TWI292658B (en) | A current-sensing integrated power control method and power control integrated circuit for gsm handset |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |