TWI238545B - Active matrix type organic light emitting diode device and thin film transistor thereof - Google Patents

Description

1238545 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有機發光二極體（organ i c 1 i ght emitting diode, OLED)，特別是關於一種主動矩陣式有 機發光二極體（active matrix type organic light emitting diode，AMOLED)裝置及其薄膜電晶體。 【先前技術】 liquid crystal 重量輕與能源消耗低，而被廣 由於液晶顯示裝置 devices，LCD devices)之一 ，"…… 入,只 泛地使用於平面顯示裝置之領域。然而，液晶顯示裝置不 是一種發光元件（light emitting element)，而是一種 光接收元件（light receiving element)，需要額外的 光源以顯示影像。因此於增進亮度、對比度（contrast ratio )、視角、與擴大液晶顯示面板尺寸方面存在一些 技術上的限制。因為這些原因，此領域已有許多研究致力 於主動製程，以發展可以克服前述問題的新的平面顯示元 件。有機發光二極體（organic light emitting diode OLED )裝置即為新的平面顯示元件之一。由於有機發光一 極體裝置不需要額外的光源就能發光，其視角與對^度I 優於液晶顯示裝置。此外，由於它並不需要來用來作=二 源之背光源（back 1 i ght )，因此具有如重量輕、尺寸”、。 小、能源消耗低等優點。而且’有機發光二極體裝置可、 以低直流電（direct current，DC)驅動並具有快速的 應時間（r e s ρ ο n s e t i m e )。與液晶顯示裝置相較，有、“反 發光二極體裝置係以固體材料代替流體材料（例如液機

第8頁 1238545 五、發明說明（2) 晶），因此在外部的衝擊下，有機發光二極體裝置合較 穩定，並且其可運作的溫度範圍較廣。特別是有機發光二 極體於低生產成本方面具有優勢。具體而言， ^ 顯示裝置或電漿顯示面板（plasma diSpiay PDPs )需要許多其他的設備，製造有機發光二極體： 設備只需要沉積設備與封裝設備，因此有機發光二極體 置的製程變得非常簡易。若此有機發光二極體 ^ 矩陣式有機發光二極體（active matrix type 動 light enntting diode，AMOLED)裝置，並具有可 個晝素之開關元件的薄膜電晶體，則可使用低電流來達到 所期望的明亮度（luminance)。因此，此有機發光二極 體裝置具有低能源消耗、高解析力（res〇luti〇n)、及大 =寸的優點。請參照第1目，主動矩陣式有機發光二極體 I置之基本結構與運作特徵將描述於下。 第1圖說明先前技術之一種典型的主動矩陣式有機發 光二極體裝置之畫素結構。 、、參照第1圖，掃描線1形成於第一方位，訊號線2與電 源供，線3形成於第二方位，且第二方位垂直於第一方 位。f由掃描線1、訊號線2與電源供應線3彼此交叉以定 義出一晝素區域。而作為定位元件之切換薄膜電晶體4則 =成於掃描線丨與訊號線2交叉區域之鄰近部位。電容儲存 ;6以電陡連接於切換薄膜電晶體4與電源供應線3。作為 電源儿件（current s〇urce element)之驅動薄膜電晶體 5則以電性連接於電容儲存器6與電源供應線3。此外，電

第9頁 1238545______ 五、發明說明（3) 致發光二極體（electro luminescent diode) 7則電性連 接於驅動薄膜電晶體5。具體而言，主動矩陣式有機發光 二極體裝置中，一個晝素具有一個切換薄膜電晶體4與一 個驅動薄膜電晶體5。其中，切換薄膜電晶體4是用以定位 晝素電壓（pixel voltage)，晝素電壓即是閘極驅動電 壓（gate driving voltage)，而驅動薄膜電晶體5是用 以控制主動矩陣式有機發光二極體裝置的驅動電流。另 外，主動矩陣式有機發光二極體裝置需以電容儲存器6來 維持晝素電壓的穩定。 第2 A圖說明先前技術 裡兴型的逆向交錯式 (inverted staggered type)的主動矩陣式有機發光二《 極體裝置之薄膜電晶體之平面圖。 筝照第2 A圖，閘極電極1 2形成於某一個方位上，而島 型圖案的半導體層1 4形成並覆蓋於閘極電極丨2上。源極電 極1 6與汲，電極1 8形成於半導體層丨4上並分別與閘極電極 1山2邛为重豐。其巾’源極電極1 6是由電源供應線20延伸而 出亚形成於閘極電極i 2的相同方位。雖未顯示於 ，極18以電性連接於主動矩陣式有機發光二極體：第 一電極（圖中未示），而閑極電極12則以電性 薄膜電晶體之汲極電極（圄φ去-a ^ 逆接於切換 圖，主動矩陣式有。雖然未顯示於第2“ :主動”式有機發光二極體裝置具有電容儲存 中未不），用以電性連接電源供雁綠、，输址 〇 素驅動電壓的穩定。 .....。亚、准持一段時間的晝 先前技術之主動矩陣式有機發光二極體裝置中，閘極

第10頁 1238545 五、發明說明（4) 電極1 2和源極電極1 6、汲極電極1 8部分重疊，並於源極電 極1 6與汲極電極1 8之間保有一間距^ 1。閘極電極丨2與源極 電極1 6間的第一重疊部分a和閘極電極丨2與汲極電極丨8間 的第二重疊部分b相對於閘極電極丨2之中線而互相對稱。

第2B圖說明沿著第2A圖之剖面線I IB-I IB之剖面圖。 參照第2B圖，閘極電極丨2形成於基板1〇上，而閘極絕 、、彖層1 3形成於已經开> 成閘極電極1 2的整個基板1 q上。半導 體層1 4形成於絕緣層1 3上而覆蓋住閘極電極丨2。然後源極 電極16與汲極電極18形成於半導體層14上且彼此分隔。而 寄生電容（parasitic capacitances ) Cgs與寄生電容 刀別產生於第一重疊部分a與第二重疊部分b，寄生電容C 生電容c-具有相同的電容值。於先前技術之主動矩； 式有機發光二極體裝置中，會將第一重 疊部分b最小」匕以縮小寄生電容Cgs與寄生電容Cgd:i:: ^ : ^於先刖技術之液晶顯示裝置之薄膜電晶體只作為開 電晶體會產生寄生電容，而寄生電容會引續刀換心 lilicker) 現象鱼串去广 ,,,x 影像的品質。’ (cr〇sS-talk)現象而降低顯示 ，而，於主動矩陣式有機發光二極體裝置中，必 由控制驅動薄膜電晶體之帝 肩精 給姓γ A干— 卜 之弘流流1來顯示灰階影像，所以 、、隹持穩疋電流以獲得良奸0 _ η λ 具體而言，若無法以子=二t顯不影像是非常重要的。 9 jp ^ J, ^ , 谷儲存為維持穩定的電壓，電流奋 王現極大的波動’因而無法顯示良好晝質的料。心：

第11頁 1238545 五、發明說明（5) 於主動矩陣式有機發光二 常重要的角色。主動矩陣 流調制（c u r r e η ΐ m 〇 d u 1 a 電極方位與汲極電極方位 顯示裝置發生由正極轉為 reversi〇n )(反之亦然） 無論前述主動矩陣式 t置之差異，如同閘極電 於驅動薄膜電晶體中，閘 形成於切換薄膜電晶體中 各儲存器的尺寸有關。於 使郴近金屬圖案發生絕緣 【發明内容】 因此，本發明係提供 裝置，藉以解決並排除先 失。 本發明之另—個目的 —極體裝置之驅動薄膜電 二極體裝置之結構中，'閘 於閘極電極與汲極電極的 電極的重疊區域形成— 本發明之其他ί性： 透過實施例來學習。本發 容、專利範圍與附圖來； 極體裝置中， 式有機發光二 t i on )元件， 已被決定，而 負極之極性反 〇 有機發光二極 極與沒極電極 極電極與源極 。因此，晝素 是，在電容儲 現象，然後導 一種主動矩陣 前技術所呈現 係提供一種主 晶體，於此主 極電極與源極 重疊區域，以 以驅動晝素的 優點將於以下 明之目的與優 解與獲得。 電谷儲存器扮演非 極體裝置是一種電 其晝素電壓之源極 且並不會如同液晶 轉（polarity 體裝置與液晶顯示 之重®區域會形成 電極之重疊區域會 電壓值與額外的電 存為、的區域可能會 致產品的失效。 式有機發光二極體 之眾多限制與缺 動矩陣式有機發光 動矩陣式有機發光 電極的重疊區域大 致閘極電極與源極 電谷儲存器。 内谷中提及，並可 點將可透過專利内

第12頁 1238545 五、發明說明（6) 為了達 主動矩陣式 動矩陣式有 第一電極與 電極舆第二 於基板上； 極於半導體 別與閘極電 區域大於閘 此絕緣 極與源極電 儲存器。且 層由非晶矽 姆接觸層並 本發明 薄膜電晶體 置具有第一 隔，且有機 造方法包含 半導體層於 導體層上， 極電極部分 於閘極電極 本發明 點，簡單 之驅動薄 有第一電 且有機發 膜電晶體 上；及源 與〉及極電 電極與源 之重疊區 半導體層 成一用以 與歐姆接 由摻質非 性層之部 機發光二 矩陣式有 一電極與 到本發 有機發 機發光 第二電 電極之 半導體 層上， 極部分 極電極 層沉積 極間之 半導體 形成， 具有一 之一種 之製造 電極與 發光層 :首先 閉極電 其中源 重疊， 與 >及極 也提供 明的目 光二極 二極體 極彼此 間，此 層於閘 其中源 重疊， 與汲極 於閘極 重疊區 層具有 而歐姆 暴露出 主動矩 方法， 第二電 沉積於 ’形成 極上； 極電極 且閘極 電極間 一種主 的與優 體装置 裝置具 分隔， 驅動薄 極電極 極電極 且閘極 電極間 電極與 域會形 活性層 接觸層 部分活 陣式有 此主動 極，第 第一電 閘極電 及形成 與〉及極 電極與 之重疊 動矩陣 描述於 膜電晶 極與第 光層沉 包含： 極電極 極彼此 極電極 域。 之間， 驅動晝 觸層， 晶碎形 位。 極體裝 機發光 第二電 電極之 上；然 與汲極 分隔並 間之重 下’一種 徵，該主 s電極， 積於第一 閘極電極 與沒極電 分隔並分 間之重疊 而閘極電 素的電容 其中活性 成，此歐 置之驅動 —極體袭 極彼此分 間，此製 後，形成 電極於半 分別與閘 疊區域大 極與第二 極於基板 源極電極 電極彼此 源極電極 區域。 式有機發光二極體裝置

第13頁 12^8545 五、發明說明（7) 閘極笔極於基板上；閘極絕緣芦於勺人pq k + 基板上；半導體層於閘極絕；朽：3 “電極之 於半導體層上’豆中源極原極電極與汲極電極 與閑極電極部分重極；此分隔並分別 極之-部分.m 接觸孔而暴露出汲極電 口丨刀，弟一電極於鈍化層卜，钕 至r:電極；有機㈡==極 極間之重Α ε域2 二層上’其中閘極電極與源極電 m 電極與汲極電極間之重疊區域。 極電極與源極電極間之重疊區 二的=儲存器。此主動矩陣式有= 有機發光二極體裝置為向極電極。此主動矩陣式 二極體妒w g ^ f白毛先式之主動矩陣式有機發光 裝置 置或疋向下發光式之主動矩陣式有機發光二極體 制、皮月f提供一種主動矩陣式有機發光二極體裝置之 層：包含間：ί:形成閑極電極於基板上；形成間極絕緣 層上·‘： :基板上；並形成半導體層於閘極絕緣 ，再心成源極電極與汲極電極於半導鈐厗 甘办溏 極彼此分隔並分別與問極電“分重憂「讀 化声呈右、私枚冰 並復|源極電極與汲極電極，鈍 電而暴露出部分沒極電極；形成第〆 至、、及桎雷：i，第一鈍化層透過汲極接觸孔而電性連接 極電極；再形成有機發光層於第-電極上；及形成第 第14頁 1238545 丨_ 五、發明說明（8) 二電極於有機發光層上，其 疊區域大於閘極電極與汲極=門電極與源極電極間之重 於閑極電極與該源極電疊區域。 動畫素的電容儲存器。此主 =$域形成一用以驅 之製造方法樹形成一切•薄光二極體裝置 J極。而此主動矩陣式有機發】接至閑極 矩陣式有機發光二極體裝置。衣置或疋向下發光式之主動 在具體實施例中將詳盡的描 利範圍内容之更進一步的說明。 以緹彳，、如本發明中專 【實施方式】 《 亍作ΪΪ:出具體實施例來對本發明作詳細說明，並以Q -作為辅助。言兒明中提到之編號係 乂圖 陳=圖說明本發明之-種典型的逆向交錯；動矩 ::有機發光二極體裝置之驅動薄臈電晶體之 ::也：，第3A圖說明了間極電極、半導體層、： 及極電極。 -、 參照第3A圖，閘極電極112形成於某一個方位上，而 島型圖案的半導體層1 1 4形成於閘極電極丨丨2上並覆蓋住閘 極電極1 1 2。然後，源極電極1 1 6與汲極電極1 1 8形成於半· 導體層114上並彼此分隔。電源供應線12〇與閘極電極n2 形成於同個方位上。而源極電極1 1 6乃由電源供應線1 2 〇延 伸出來而形成。因此閘極電極Π 2、半導體層丨丨4、源極電 極1 1 6舆沒極電極1 1 8形成了主動矩陣式有機發光二極體裝

第15頁 1238545 ~""""' -------- — ____—____ 五、發明說明（10) "~ " ' 間距dl，而且第一重疊部位a的區域大於第二重疊部位b的 區域。如第3B圖所示，閘極電極丨丨2之一端會延伸至源極 電極11 6而形成第一重疊部位&使其大於第二重疊部位b。 本發明中，.藉由形成第一重疊部位a使其大於第二重疊部 位13 ’於閘極電極11 2與源極電極11 6之間會產生寄生電容 亚作為電容儲存器Cst。另一方面，如同先前技術之主動矩 陣式有機發光二極體裝置，會將於閘極電極丨丨2與汲極電 極11 8之間產生之寄生電容c以最小化處理。因此，若第一 重疊部位a與第二重疊部位b呈現不對稱的構造，則由電容 儲存為所佔據的區域可能會被縮小，或者是額外的電容儲 存^被排除掉。因此可提高開口率_ ratio )’另外，並可避免電容儲存器區域的金屬導線之 絕緣（d i s c ο η n e c t i ο η )現象。 第4圖說明本發明之一種主動矩陣式有機發光二極體 裝置與驅動薄膜電晶體之剖面圖。 參照第4圖，閘極電極2 1 2形成於基板2 1 〇上，而閘極 絕緣層2 1 3形成於已形成閘極電極2 1 2的整個基板2 1 〇上， 並覆盍住閘極電極2 1 2。然後，半導體層2 1 4形成於閘極絕 緣層213上，並對應於閘極電極212。然後，形成源極電極 2 1 6舆没極電極2 1 8於半導體層2 1 4上並彼此分隔。且閘極鲁 笔極2 1 2、半導體層2 1 4、源極電極2 1 6與沒極電極2 1 8形成 了驅動薄膜電晶體Τ。而第一鈍化層22 2形成於已形成驅動 薄膜電晶體Τ的整個基板2 1 0上，及形成汲極接觸孔2 2 〇穿 過第一鈍化層222，此汲極接觸孔2 20可暴露出部分汲極電

第17頁 1238545_ 五、發明說明（12) 產生於閘極電極2 1 2與源極電極2 1 6之間的寄生電容是用來 作為驅動晝素的電容儲存器。此外，本發明之一個晝素的 薄膜電晶體的數量為二個，但一個晝素的薄膜電晶體的數 量可以改變，如三個或三個以上。 本發明具有下述優點：可以藉由增加晝素的電容儲存 器來改善顯示影像的品質，而且可以藉由減少額外的電容 器之尺寸或藉由排除額外的電容儲存器來增加開口率，另 夕卜，金屬導線的絕緣現象，如同於電容儲存器區域的短路 (short-circuit)，可以被最小化處理。 雖然本發明之較佳實施例揭露如上所述，然其並非用φ 以限定本發明，任何熟習相關技藝者，在不脫離本發明之 精神和範圍内，當可做些許之更動與潤飾，因此本發明之 專利保護範圍需視本說明書之申請專利範圍所界定為準。

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第1圖說明先前技術之一種典型的主動矩陣式有機發光二 極體裝置之晝素結構； x 第2 A圖說明先前技術之一種典型的逆向交錯式的主動矩陣 式有機發光二極體裝置之薄膜電晶體之平面圖； 第2 B圖說明沿著第2 A圖之I I B - I I B剖面線之剖面圖； 第3A圖說明本發明之一種逆向交錯式（inverte(i staggered type )的主動矩陣式有機發光二極體裝置之驅 動薄膜電晶體之平面圖； 圖說明沿著第3A圖之ιιιβ_ΙΠβ剖面線之剖面圖；及

ί 圖#明f發明之一種主動矩陣式有機發光二極體裝置 與驅動溥膜電晶體之剖面圖。 【圖式符號說明】 掃描線 訊號線 電源供應線 切換薄膜電晶體 驅動薄膜電晶體 電容儲存器 電致發光二極體 12 13 14 16

閘極電極 閘極絕緣層 半導體層 源極電極

第20頁 1238545 第21頁 圖式簡單說明 18 汲 極 電 極 110 基 板 112 閘 極 電 極 113 閘 極 絕 緣 層 114 半 導 體 層 114a 活 性 層 114b 歐 姆 接 觸 層 116 源 極 電 極 118 汲 極 電 極 120 電 源 供 應 線 210 基 板 212 閘 極 電 極 213 閘 極 絕 緣 層 214 半 導 體 層 216 源 極 電 極 218 汲 極 電 極 220 汲 極 接 觸 孔 222 第 一 鈍 化 層 224 第 一 電 極 226 開 V 部 位 228 第 二 鈍 化 層 230 有 機 發 光 層 232 第 二 電 極 dl 間 距

1238545 圖式簡單說明 d2 間距 a 第一重疊部分 b 第二重疊部分 Cgs 寄生電容 Cgd 寄生電容 Cs t 電容儲存器 T 驅動薄膜電晶體 ch 通道區域 I IB-I IB 剖面線 I I IB-I I IB 剖面線 _

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Claims (1)

1238545___ 六、申請專利範圍 1 · 一種驅動薄膜電晶體’用於主動矩陣式有機發光二極體 (active matrix type organic light emitting diode, AMOLED)裝置，該主動矩陣式有機發光二極體裝置具有一 第一電極與一第二電極，該第一電極與該第二電極彼此分 隔，一有機發光層（organic light emitting layer)沉 積於該第一電極與該第二電極之間，該驅動薄膜電晶體包 含： 一閘極電極於一基板上； 一半導體層於該閘極電極上；及 一源極電極與一汲極電極於該半導體層上，其中該· 源極電極與該汲極電極彼此分隔，並分別與該閘極電極部 为重® ’且該閘極電極與該源極電極間之重疊區域大於該 閘極電極與該汲極電極間之重疊區域。 2.如申請專利範圍第1項所述之驅動薄膜電晶體，更包含 一絕緣層，該絕緣層係位於該閘極電極與該半導體層之 間。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之驅動薄膜電晶體，其中該 問極電極與該源極電極間之重疊區域形成一用以驅動晝素 的電容儲存器。 4:如申清專利範圍第1項所述之驅動薄膜電晶體，其中該_ 半導體層具有一活性層與/歐姆接觸層。 5.如申請專利範圍第4項所述之驅動薄膜電晶體，其中該 活性層係由非晶矽形成，而該歐姆接觸層係由摻質非晶矽 形成。

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I238545_ 六、申請專利範圍 6·如申請專利範圍第4項所述之驅動薄膜電晶體，其中該 歐姆接觸層具有一可暴露出部分該活性層之部位。 ~ 7· 一種驅動薄膜電晶體之製造方法，用於主動矩陣式有機 發光二極體裝置，該主動矩陣式有機發光二極體裝置美有 一第一電極與一第二電極，該第一電極與該第二電極彼此 分隔，一有機發光層沉積於該第一電極與該第二電極之 間’該製造方法包含： 形成一閘極電極於/基板上； 形成一半導體層於該閘極電極上；及 形成一源極電極與/汲極電極於該半導體層上，其 中该源極電極與該汲極電極彼此分隔，並分別與該閘極電鲁 極部分重疊，且該閘極電極與該源極電極間之重疊區域大 於該閘極電極與該汲極電極間之重疊區域。 8 ·如申睛專利範圍第7項所述之驅動薄膜電晶體之製造方 法’更包含一形成一絕緣層於該閘極電極與該半導體層間 之步驟。. 9 ·如申請專利範圍第7項所述之驅動薄膜電晶體之製造方 法’其中該閘極電極與該源極電極間之重疊區域形成一用 以驅動晝素的電容儲存器。 I ◦·如申睛專利範圍第7項所述之驅動薄膜電晶體之製造方馨 法，其中該半導體層具有/活性層與一歐姆接觸層。 II ·如申凊專利範圍第1 〇項所述之驅動薄膜電晶體之製造 方法，其中該活性層係由#晶矽形成，而該歐姆接觸層係 由摻質非晶矽形成。

1238545 " ------------------- 六、申請專利範圍 1 2 ·如申請專利範圍第丨〇項所述之驅動薄膜電晶體之製造 方法 其中該區人姆接觸層具有一可暴露出部分該活性層之 部位。 1 3 · —種主動矩陣式有機發光二極體裝置，包含： 一閘極電極於一基板上； 一閘極絕緣層於包含該閘極電極之該基板上； 一半導體層於該閘極絕緣層上； 一源極電極與一汲極電極於該半導體層上，其中 該源極電極與該汲極電極彼此分隔，並分別與該閘極電極 部分重疊； 一鈍化層於該基板上而覆蓋住該源極電極與該汲 極電極’且该鈍化層具有一沒極接觸孔（d r a丨^ c ο n t a c t h〇 1 e )以暴露出部分的該汲極電極； 一第一電極於該鈍化層上，該第一電極透過該沒 極接觸孔以電性連接該汲極電極； 一有機發光層於該第一電極上；及 一第二電極於該有機發光層上，其中該閘極電極 與該源極電極間之重疊區域大於該閘極電極與該汲極 間之重疊區域。 14·如申請專利範圍第13項所述之主動矩陣式有機發光二 極體裝置’其中該閘極電極與該源極電極間之重疊x區域形 成一用以驅動晝素的電容儲存器。 且 ^ 1 5.如申請專利範圍第丨3項所述之主動矩陣式 極體裝置，更包含一切換薄膜電晶體以電性連接該%極一電

1238545 六、申請專利範圍 極0 1 6·如申請專利範圍第i 3項所述之主動矩陣式有機發光二 極體t置’其中該主動矩陣式有機發光二極體裝置係一向 上發光式（upward emitting type)之主動矩陣式有機發 光二極體裝置。 1 7·如申請專利範圍第丨3項所述之主動矩陣式有機發光二 極體裝置，其中該主動矩陣式有機發光二極體裝置係一向 下發光式（downward emitting type)之主動矩陣式有機 發光二極體裝置。 18· 種主動矩陣式有機發光二極體裝置之製造方法，包 含： 形成一閘極電極於一基板上； 形成一閘極絕緣層於包含該閘極電極之該基板 上； 形成一半導體層於該閘極絕緣層上； 形成一源極電極與一汲極電極於該半導體層上， 與該汲極電極彼此分隔…別與亀 1 Κ 形成一鈍化層於該基板上而覆蓋該源極電極盥該 該純化層具有…接觸孔以暴露出部位的 該波極接升觸成孔一以第電^電連極接於'該^化/上，該第一電極透過 电1王埂接该汲極電極； 形成一有機發光層於該第一電極上；及

第26頁 1238545 -------- --- 六、申請專利範圍 "'一'" '' ----- 電 a形成一第二電極於該有機發光層上，其中該閘極 ° Η該源極電極間之重疊區域大於該閘極電極與該汲極 電極間之重疊區域。 ^•^如#申請專利範圍第1 8項所述之主動矩陣式有機發光二 ^脰^置之製造方法，其中該閘極電極與該源極電極間之 该重4區域形成一用以驅動畫素的電容儲存器。 2〇.如+申請專利範圍第18項所述之主動矩陣式有機發光二 極體裝置之製造方法，更包含一切換薄膜電晶體以電性連 接該閑極電極。 2 1 ·如申請專利範圍第1 8項所述之主動矩陣式有機發光二 極體裝置之製造方法，其中該主動矩陣式有機發光二極體 裝置係一向上發光式（upward emitting type)之主動矩 陣式有機發光二極體裝置。 2 2 ·如申請專利範圍第1 8項所述之主動矩陣式有機發光二 極體裝置之製造方法，其中該主動矩陣式有機發光二極體 裴置係一向下發光式（downward emitting type)之主動 矩陣式有機發光二極體裝置。

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