TWI235264B - Liquid crystal device, method of manufacturing liquid crystal device, and electronic equipment - Google Patents

Description

1235264 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明，爲關於液晶裝置，液晶裝置之製造方法，及 具備此液晶裝置之電子機器尤其是，關於爲了保持液晶層 厚均勻性，而於基板間設置間隔物之液晶裝置。 【先前技術】 眾爲所知係以下側基板，和上側基板於各基板之周緣 部中，藉由密封材貼著來做爲傳統之液晶顯示裝置，係於 於此等一對之基板間，有注入液晶層之構造之物。此時， 爲了將基板間隔於基板面內做爲均勻，故於一對之基板間 ，設置間隔物之技術。 如此之液晶裝置，係藉由如下之方法所製造而成。換 言之，於各下側基板及上側基板，堆積形成電極及配向膜 等後，譬如於下側基板上，於其之基板周緣部，以形成液 晶注入口之形狀，印刷未硬化之密封材，相同之基板或者 另一方之基板之表面上，散佈間隔物之後藉由未硬化之密 封材，貼著下側基板和另一方上側基板使得取得晶胞。而 且，硬化該晶胞之未硬化之密封材，再於密封材從預先已 形成之液晶注入口，藉由於晶胞內，注入液晶使得形成液 晶層後，將注入口以密封材密封。最後，於下側基板及上 側基板之外側，形成相位差板及偏光板等之光學元件，而 製造出具備上述構造之液晶裝置。 如同上述，於液晶層藉由間隔物所構成之液晶裝置中 -4- 1235264 (2) ，使用之間隔物之粒徑，或面內均勻性對於該液晶裝置之 特性，將會帶來很大之影響。故，於例子之專利文獻1， 已記載著使用之間隔物之粒徑，對液晶層之厚度，係藉由 使用0.2 // m〜0.6 μ m或是4%〜12%較小之物，使得維持基 板間之液晶層之厚度的均勻性，且可確實進行再定位時之 基板之移動。 [專利文獻1] 特開平第8_106101號公報 然而，於上述之液晶裝置之製造方法下，於基板貼合 後注入液晶，但是此液晶注入工程係極爲費時之工程，故 期望著更簡便之製造方法。同時，之所以爲了保持基板間 隔均勻，故當然於一對基板間設置間隔物，但是基板表面 形成TFT元件等後，由於不完全平坦，故即使配設間隔 物，於基板間隔也會產生偏差程度之情況。 同時，於上述專利文獻1下，液晶層厚之斑點對該液 晶層厚5μιη爲±0.1//m，換言之，液晶層厚斑點爲已達 到±2%。於此，將如此之液晶裝置適用使用例子STN型 之液晶裝置，或主動元件時，有產生降低對比，降低顯示 特性之情況。 再者，關於液晶裝置之間隔物之散佈量，於過量和低 溫狀態保存時，於液晶層有產生真空領域之可能，同時， 一但少量於基板間隔，也有產生偏差程度之可能。 本發明由於有鑒於上述之問題所發明之物，故於基板 -5- 1235264 (3) 面內可將基板間隔做爲一層均勻化之同時，藉由適當之間 隔物之配設，使得於低溫時，或是高溫時，不易產生瑕疵 之液晶裝置，和其之液晶裝置之製造方法，更將提供具備 此液晶裝置之電子機器做爲目的。 【發明內容】 爲了解決上述課題，本發明之液晶裝置，係於挾持液 晶層之一對之基板間，配置間隔物所形成之液晶裝置，而 前述液晶層及間隔物，係配置於前述基板面內，以形成框 狀之密封材，於包圍之領域，於該領域之前述間隔物之密 度設爲100個/mm2〜3 00個/mm2之同時，於配設前述間隔物 之領域之液晶層的厚度設爲d時，係以使用其平均粒徑D 爲0.96d〜1.02d之物，來做爲前述間隔物之特徵。 一但藉由如此之液晶裝置，密封材由於在基板面內之 領域中，構成封閉之框狀，故於該液晶裝置之製造中，可 採用於基板貼合前，於任一之基板上滴下液晶，而貼合另 一片基板之工程。此時，於貼合基板後，由於即時不經過 注入液晶之工程亦可，故製造工程變得簡單。另一方，於 使用如此之密封材之液晶裝置中，使用平均粒徑D爲 0.96d〜1 .02d之間隔物，而由於在密封材內部之間隔物之 密度設爲1 〇〇個/mm2〜3 00個/mm2，故基板間隔形成一層均 勻，譬如可以做成基板間隔之偏差程度爲± ；[ %，也更可消 除於低溫保存時’產生真空領域（氣泡）等之瑕疵問題。 換言之，本發明者精心檢討後得知，於間隔物之密度 -6- 1235264 (4) 未滿1 00個/mm2，而間隔物之平均粒徑D未滿〇.96d時， 尤其是於基板間隔間，易於產生偏差程度，同時，間隔物 之密度超過3 00個/mm2，而間隔物之平均粒徑D超過l.〇2d 時’尤其是於低溫保存時》易於產生真空領域。同時，於 此低溫（譬如-30 ° )保存時所產生之真空領域，於液晶 中所包含微量之氣體，係集結於低溫下所生成之，故返回 室溫後亦有不會消失之情況。 於此，於如同上述之本發明中，可將間隔物之密度做 爲較少之100個/mm2〜300個/mm2之理由，係藉由密封材之 構造所推論得之。換言之，本發明由於適用以封閉之框狀 不具有開口部之密封材，故如同上述於基板上滴下液晶， 更可於散佈間隔物之狀態下做爲貼合基板之物。此時可得 知，間隔物不僅需承受基板貼合之壓力，連液晶也需承受 此壓力，相較於設有傳統之注入口之構造之液晶裝置，可 形成相對減少間隔物之數目。 藉由本發明之如此構造爲可提供，於製造中，省略液 晶注入口工程及密封工程，由於更可減少間隔物之密度， 故將間隔物設定於如同上述，且將使用之間隔物之平均粒 徑設定於如同上述，基板間隔於基板面內由於爲均勻，故 更不易於液晶中產生氣泡等之液晶裝置。於此，論及所謂 本發明之間隔物所配置之領域之液晶層的層厚d ，對於控 制基板間隔爲有效之部分的層厚，譬如於半透過反射型之 液晶裝置等中，做爲說明關於將液晶層之厚度於反射領域 ，和透過領域之間，依照索期望之分布，及於配置該間隔 -7- 1235264 (5) 物時，關於可有效控制基板間隔之領域的液晶層之厚度° 同時，假時，使用如同傳.統具有注入口之密封材’做 爲進行貼合基板前之液晶注入時，於貼合基板時，由於易 於產生液晶漏出於外部等之瑕疵狀況，故於形成具有注入 口之密封材時，貼合前之液晶注入，事實上爲不可能。另 一方面，使用不具有本發明之注入口之密封材，當然，於 基板貼合後則不需進行液晶注入，因此，藉由本發明之構 造，可確實做爲貼合基板前之液晶注入，亦可減少間隔物 密度。 同時，理想係以150個/mm2〜3 00個/mm2做爲上述間隔 物之密度。此時，於高溫時，於基板間隔既不易產生斑點 等瑕疵之狀況。換言之，液晶裝置（譬如70 ° C以上）達 到高溫時，對間隔物之熱膨脹而言，液晶之熱膨脹較非常 大，其結果，間隔物之密度較小時，保持液晶層厚均勻間 隔物之原本功能有無法充分發現情況，但是將如同上述間 隔物之密度做爲比150個/mm2較大時，既不易產生如此之 高溫時之瑕疵。同時，於高溫時之瑕疵，將液晶裝置回復 於室溫亦可回復，故難稱未必爲不良，因此上述間隔物密 度始終爲理想之範圍。 其次，於本發明之液晶裝置中，密封材其實爲無須露 出於基板之外緣，既可做爲形成於框狀。同時，密封材亦 可做爲形成不具備開口朝基板之外緣之封口框形狀。 再者’於本發明之液晶裝置中 > 間隔物’其表面係被 覆蓋於固定層，或是黏接層，而於該固定層，或是黏接層 -8- 1235264 (6) 可做成固定於基板上。對此時之間隔物之基板的固定，形 成一層確實之物，而於基板間不易產生間隔物浮游等之瑕 疵情肜。 其次，本發明之液晶裝置之製造方法，包含於挾持液 晶層之一對的基板間，配置間隔物所形成之液晶裝置之製 造方法，於前述一對的基板之中任一之基板間上，該基板 面內之領域之中，形成封閉之框狀之密封材之工程，和於 前述一對之基板之中任一之基板上，配設間隔物之工程， 和於前述一對之基板之中任一之基板上，滴下液晶之工程 ，和貼合此等一對之基板之工程；於前述密封材之內部領 域中，將前述間隔物之散佈密度做成100個/mm2〜3 00個 /mm2之同時，於配設該間隔物之領域之液晶層的層厚設爲 d時，該間隔物之平均粒徑設爲〇.96d〜1.02d做爲其特徵 〇 藉由如此之方法，使得可做成上述之本發明之液晶裝 置，尤其是，於本發明之中，由於於基板上’滴下液晶之 後，做爲貼合基板，故可省略貼合基板後之較爲麻煩之液 晶注入工程，及密封工程。同時，於任一之基板上，配設 液晶及間隔物之後，由於已做成貼合各基板之物’故可減 少如上述間隔物之散佈密度，具體而言，由於設爲 100mm2〜300個/mm2，再將其設間隔物之平均粒徑D設爲 0.9 6d〜1 .02d，故於基板間隔，偏差程度較少，同時，還 可提供低溫保持時之，真空領域之產生較少之液晶裝置。 且，此時也於高溫時，爲了消除於基板間隔間’所產生斑 -9- 1235264 (7) 點之瑕疵，故間隔物之密度理想係設爲1 50個/mm2〜3 0 0個 /mm2 〇 同時，於真空中，進行貼合前述基板，貼合該基板之 後，可形成包含硬化大氣釋放之前述密封材之工程。 其次，本發明之電子機器，其特徵係以具備將如上述 之液晶裝置，做爲例子顯示裝置。藉由具備如此本發明之 液晶裝置，使得可提供不良產生率較少，且信賴性高之電 子機器。 【實施方式】 以下，兹參考圖面，說明關於本發明之實施形態。 圖1，係關於以液晶顯示裝置，做爲本發明之液晶裝 置之一的實施形態，從所示於各構成要素之對向基板視之 平面圖，圖2，係沿著圖1之H-H’線之剖面圖。圖3，係於 液晶顯示裝置之畫像顯示領域中，形成矩陣狀之複數的畫 素之各種元件，配線等之等價電路圖，圖4，係液晶顯示 裝置之部分擴大剖面圖。同時，於使用以下說明之各圖中 ，由於將各層，或各構件於圖面上，做爲可辨識之程度較 大，故於每各層，或各構件，將縮小比例不相同。 於圖1及圖2之中，本實施形態之液晶顯示裝置1 〇〇， TFT陣列基板10和對向基板20，係藉由密封材52來貼合， 藉由此密封材52使得於分割之領域內，注入液晶來保持。 密封材5 2，於基板面內之領域中，形成封閉之框狀，而不 具備所謂之液晶注入口，形成無以密封材密封之痕跡之構 -10- 1235264 (8) 造。如此之液晶顯示裝置下1 〇〇，於製造時之基板貼合工 程前，事先於任一基板上滴下液晶’而後’進fr基板貼合 ，最後，再進行硬化密封材之工作。 其次，對於密封材5 2之形成領域之內側的領域，係由 遮光材料所組成之週邊分型53所形成。對於密封材52之外 側之領域，資料線驅動電路20 1，及實裝端子202，係沿著 TFT陣列基板1 0之一邊所形成之，沿著鄰接於此一邊之2 邊，形成掃描線驅動電路204。 對於TFT陣列基板10剩餘之一邊，設有爲了連接設 置於畫像顯示領域之兩側之，掃描線驅動電路204之間之 配線2 0 5。同時，於對向基板2 0之角落一部分之至少1處中 ，於TFT陣列基板10，和對向基板20之間，設有以便取 得電氣性導通之基板間導通材20。 且，將資料線驅動電路201，及掃描線驅動電路204， 取代形成於TFT陣列基板10之上，譬如，驅動用 LSI係 將實裝之TAB (自動膠捲裝訂）基板，和形成於TFT陣 列基板1 0之週邊部之端子群，藉由異方性導電膜，形成連 接於電氣性及機械性亦可。同時，於液晶顯示裝置1 00中 ，使用之液晶5 0之種類，換言之，因應於各TN (扭轉向 列）模式，STN (超扭轉向列）模式等之動作模式，或正 常白模式/正常黑模式，相爲差板，偏光板等係配置於所 定方向，但是於此省略其圖示。 同時，將液晶顯示裝置1 00，以構成做爲彩色顯示時 ，於對向基板20之中，對向於TFT陣列基板10，之後述 1235264 (9) 之各畫素電極之領域，譬如，紅（R )，綠（G )，藍（B )之彩色濾光片，同時形成其之保護膜。 於具有如此構造之液晶顯示裝置i 〇〇畫像顯示領域中 ，如圖3之所示，複數之畫素100係構成矩陣狀之同時，於 此等之各畫素l〇〇a’形成畫素開關用之TFT30，供給畫冑 信號S 1 ’ S 2 ’ ..........S η之資料線6 a，係電氣性連接方々 TFT30之源極。 寫入資料線6a之畫素信號SI，S2，..........Sn，即使 依此線之順序供給亦可，對相鄰接之複數資料線6 a，將供 給於每群組亦可。同時，對於TFT30之閘極，掃描線3a 係電氣性連接，以所定之時序於掃描線3 a將G1，G2， ..........Gn依此線之順序施加脈衝所構成。 畫素電極9，係電氣性連接於TFT30之汲極，開關元 件之TFT30藉由做成於唯有一定期間導通，使得從資料線 6 a供給之畫素信號S 1，S 2，..........S η，以所定之時序寫 入於各畫素。同時，保持之畫素信號SI，S2，..........Sn 爲了防止漏電，故附加形成於畫素電極9，與對向電極之 間之液晶容量，和並列之積蓄容量60。譬如，畫素電極9 之電壓，相較於施加源極電壓之時間，藉由僅有3數字長 之時間保持積蓄容量。 藉此，改善電荷之保持特性，進而可實現對比高之液 晶顯示裝置1 0 0。

圖4爲液晶顯示裝置100之部分放大剖面圖，將玻璃基 板1〇’以構成之TFT陣列基板上10，做爲主體，於將ITO 1235264 do) (銦錫氧化物）做爲主體之透明電極，所構成之畫素電極 9，係形成於矩陣狀（參考圖3 )，對此等之各畫素電極， 係電氣性連接於各畫素開關用之TFT30 (參考圖3 )。同 時，沿著所形成畫素電極9之領域的長寬之境界，形成資 料線6a，掃描線3a，及容量線3b，TFT30對資料線6a及掃 描線3 a爲連接的。換言之，資料線6a係藉由接觸孔8，電 氣性連接於TFT30之高濃度源極領域la，而畫素電極9係 藉由接觸孔15及汲極電極6b，電氣性連接於TFT30之高濃 度汲極領域。且，於畫素電極9之表面，將聚烯亞銨以對 構成之膜做爲主體，形成進行硏磨處理之配向膜1 2。 另一方面，於對向基板20之中，於對向基板側之玻璃 基板20’上，在TFT陣列基板10上之畫素電極9之長寬之境 界領域，和對向之領域，形成所謂之區域矩陣，或是黑條 文之遮光膜，於其上層側，形成由ITO膜所組成之對向電 極。同時，於對向電極2 1之上層側，形成由聚烯亞銨膜所 組成之配向膜22。且，於TFT陣列基板1〇和對向基板20 之間，藉由間隔物2 5使得液晶5 0，經由密封材5 2注入於基 板內。 於此，間隔物2 5將設置之領域之液晶層的層厚設爲d 時，間隔物25之平均密度D能設定於〇.96d〜1.02d。同時 ，間隔物25之密度爲100個/mm2〜3 00個/mm2，於該間隔物 2 5之表面，形成由著性強之樹脂所組成之固定層（黏接層 )，該固疋層27藉由黏者於TFT陣列基板1〇之表面，使 得該間隔物25固定於TFT陣列基板。 1235264 (11) 於本實施形態之液晶顯示裝置1 Ο 0中，密封材5 2 (參 考圖1 )由於於基板面內之領域中，構成封閉之框狀’故 於該液晶裝置製造時，於基板貼合前，可將液晶滴下於任 一之基板上，而貼合另一面之基板。此時，於貼合基板後 ，由於不經過注入液晶之工程亦可，故製造工程變得簡便 。另一方，於使用如此之密封材之液晶裝置中’使用平均 粒徑D爲〇 . 9 6 d〜1.0 2 d之間隔物，由於於密封材內部之間 隔物之密度設爲1 0 0個/ m m 2〜3 0 0個/ m m 2，故基板間隔形成 一層均勻，譬如可將基板間隔之偏差程度設爲± 1 %程度’ 更可消除於低溫保存時，所產生真空領域等之瑕疵。同時 ，間隔物之密度最理想設爲1〇〇個/mm2〜3 00個/mm2，此時 ，起因於高溫時之間隔物，和液晶之熱膨脹差，可消除基 板間隔產生不均勻之瑕疵。 其次，說明有關液晶顯示裝置1〇〇之製造方法。尤其 是，說明關於從於製造工程之密封材之形成，滴下液晶’ 進而到貼合基板之工程。 首先，如圖4所示，於玻璃基板10’上形成TFT30，其 次，形成畫素電極9，及配向膜12等，然後完成TFT陣列 基板之一方，於玻璃基板2 0，上，形成遮光膜2 3，對向電 極21，配向膜22等，而完成對向基板20。此後，於TFT 陣列基板1 0，及對向基板2 0之至少一方之基板上（譬如 TFT陣列基板1〇 )，將黏著劑於基板面內之封閉之框狀’ 形成不具有所謂液晶注入口之形狀。此時，藉由使用分離 劑之描繪法，使得形成所定形狀者。 1235264 (12) 其次，於其封閉框狀黏著劑之內側，散佈間隔物2 5 ’ 再滴下液晶5 0。此時，間隔物2 5之散佈密度，於黏著劑之 內部領域中，設爲1 00個/mm2〜3 00個/mm2 (理想爲1 50個 /mm2〜3 0 0個/mm2)之同時，間隔物25之平均粒徑D設爲 0.96〇1〜1.02〇1((1:液晶層之層厚）。 此後，TFT陣列基板10和對向基板20，於真空中進行 貼合，貼合該基板1 0，20後，釋放大氣硬化黏著劑，製造 如圖1所示之液晶顯示裝置1 00之液晶面板。此時，黏著劑 具有藉由光照射所產生硬化之光硬化性成分（光硬化性基 )，和藉由加熱所產生硬化之熱硬化性成分（熱硬化性基 )，藉由光照射使得暫時硬化後，做爲進行藉由加熱使得 本硬化。於光照射時，將光照射量設成 1 000mJ/cm2 〜6000jM/cm2 (譬如 5 00 0Mj/cm2 )，另外，於 加熱時，加熱溫度，及加熱時間分別設爲60 ° C〜1 60 ° C ( 譬如100°C) ，20分〜3 00分（譬如120分）。 如以上所述，本實施形態之液晶顯示裝置1 0 0，於滴 下液晶後，可藉由進行基板貼合之方法來製造，此時，不 僅間隔物2 5需承受基板貼合時之壓力，連液晶亦需承受此 壓力，設有傳統液晶注入口時之製造方法，換言之，於貼 合基板後，相較於注入液晶之方法，可相對減少間隔物2 5 之數目（散佈密度）。因此，如同上述，間隔物之密度可 相對減少爲1 00個/mm2〜3 00個/mm2。再者，爲了將如此之 間隔物之密度，和間隔物之平均粒徑D設爲〇.96d〜1.02d (d :液晶層之層厚），故可將基板間隔做成一層均勻化 -15- 1235264 (13) ，同時，也提供該液晶裝置設置於低溫下時，也不易於液 晶中產生氣泡之液晶裝置。同時，間隔物之密度設爲1 5 0 個/mm2〜3 0 0個/mm2時，也提供設置於高溫下時，不易產 生對比降低等之瑕疵情形。結果，爲可提供顯示特性佳， 不良發生率少，信賴性高之液晶顯示裝置。 [電子機器] 其次，說明關於具備於上述實施形態所示之液晶顯示 裝置之電子機器之具體例。 圖5爲表示攜帶電話之例子之斜視圖。於圖5之中，符 號1000爲表示攜帶電話主體，符號1001爲表示具備上述實 施形態之液晶裝置的液晶顯示部。 圖6爲表示手腕手錶型電子機器之例子之斜視圖。於 圖6之中，符號1100爲表示手錶主體，符號1101爲表示具 備上述實施形態之液晶裝置的液晶顯示部。 圖7爲表示文書處理機，個人電腦等之攜帶型資訊處 理裝置之例子的斜視圖。於圖7之中，符號1 2 0 0爲資訊處 理裝置，符號1 202爲鍵盤輸入等之輸入部，符號1 204爲資 訊處理主體，符號1 206爲表示具備上述實施形態之液晶裝 置的顯示部。 如此地，所示於圖5至圖7之各電子機器，由於具備上 述實施形態之液晶裝置之任一項之者’故爲信賴性高之電 子機器。 -16- 1235264 (14) [實施例] 其次，爲了確認本發明之液晶裝置的特性，故進行以 下之實施例子。 (實施例1 ) 首先，實施例1之液晶顯示裝置，其爲使用平均粒徑 D = 3 μ m之樹脂製之間隔物25時之物。具體而言，3 70mm x 4 7 〇mm之玻璃基板（下側基板）上，上述黏著劑，於分 離器描繪成封口框狀後，上述間隔物如表1所示，散佈以 密度80〜3 5 0個/mm2，藉由以100 ° C加熱10分鐘，使得該 間隔物固定於基板表面上，再使用分離器滴下液晶（超扭 轉向列型）。 此後，貼合滴下液晶之基板，和另一方之基板（上側 基板），對大氣釋放後基板 表面，以使用輸出l〇〇Mw/cm2 ( 365nm)之高壓水銀 燈，做爲UV照射器進行UV照射。其次，於烤爐內進行 加熱，使黏著劑完全硬化。如此之硬化處理後，取出面板 ，完成如圖1所示之如此構造之液晶顯示裝置。且，使其 變化液晶之滴下量，其液晶層厚d如表1準備各式之不同 之物。 且，關於完成各液晶顯示裝置’係測定晶胞不良產生 率（表1 )，低溫時真空領域產生率（表2 )，高溫時晶胞 不良產生率（表3 )。 晶胞不良產生率，係測定面板內之晶胞之最大値，和 -17- 1235264 (15) 最小値，而將最大値爲超過期望之晶胞之1 Ο 1者，或是做 小値爲未滿期望之晶胞之99%者，以測定製作面板400片 之中之不良產生率（％ )做爲不良判定。其結果如表1所 示。而，所謂期望之晶胞，係從液晶滴下量算出之理論値 的晶胞。 同時，低溫時真空領域產生率，係將製作之面板200 片放置於-3 0 ° C 1 0分鐘後，測定關於產生基於液晶之收縮 的真空領域之比例（％ )。其結果如表2所示。 同時，高溫時晶胞不良產生率，係於70 ° C之晶胞之 不良產生率（％ )。其結果如表3所示。 再者，係檢討關於此等晶胞不良產生率，低溫時真空 領域產生率，及高溫時晶胞 不良產生率，最理想條件。其結果如表4所示。於表4 中，空欄係已產生晶胞不良，及低溫時真空領域之任一項 ，〇係未產生晶胞不良，及低溫時真空領域，但是已產生 高溫時晶胞不良，◎爲表示已產生晶胞不良，低溫時真空 領域，及高溫時晶胞不良之任一項。 -18- 1235264 (16) 【表1】 d ( μ m ) (D/d) 2.83 2.88 2.94 3.00 3.06 3.13 3.19 3.26 (1.06) (1.04) (1.02) (1.00) (0.98) (0.96) (0.94) (0.92) 80 0 0 0 1 3 6 12 23 100 0 0 0 0 0 0 8 17 密 1 50 0 0 0 0 0 0 4 9 度 200 0 0 0 0 0 0 2 5 300 0 0 0 0 0 0 2 3 350 0 0 0 0 0 0 1 2

【表2】 (1(μιη) (D/d) 2.83 2.88 2.94 3.00 3.06 3.13 3.19 3.26 (1 .06) (1.04) (1.02) (1.00) (0.98) (0.96) (0.94) (0.92) 80 2 0 0 0 0 0 0 0 100 6 0 0 0 0 0 0 0 密 150 8 0 0 0 0 0 0 0 度 200 12 4 0 0 0 0 0 0 300 2 1 14 0 0 0 0 0 0 350 47 27 14 1 0 〇 0 0

-19- 1235264 (17) 【表3】 d ( μ m ) (D/d) 2.83 2.88 2.94 3.00 3.06 3.13 3.19 3.26 (1.06) (1.04) (1.02) (1.00) (0.98) (0.96) (0.94) (0.92) 80 4 5 8 11 17 32 43 50 1 00 0 0 0 2 5 13 20 33 密 150 0 0 0 0 0 0 1 15 度 200 0 0 0 0 0 0 0 4 300 0 0 0 0 0 0 0 0 350 0 0 0 0 0 0 0 0

【表4】 d (μιη) (D/d) 2.83 2.88 2.94 3 . 00 3.06 3.13 3.19 3.26 (1.06) (1.04) (1.02) (1 • 00) (0.98) (0.96) (0.94) (0.92) 80 〇 〇 100 ◎ ◎ 〇 〇 〇 密 150 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 度 200 ◎ ◎ ◎ ◎ 300 ◎ ◎ ◎ ◎ 350 ◎

-20- 1235264 (18) 如表1所示，間隔物之平均粒徑D爲0.96d時’既可 知道關於晶胞不良產生率爲高。同時’關於間隔物之密度 ，亦可知道程度較小時，尤其是於未滿1 0 0個/m m2時’晶 胞之不良產生率爲較高。 另外，如表2所示，可得之，間隔物之平均粒徑D超 過d時，真空領域之產生率爲高，但是間隔物之密度設爲 未滿3 0 0個/mm2，可降低該產生率。反之，間隔物之密度 設爲3 5 0個/mm2時，不藉由間隔物之平均粒徑D，既可以 較高之準確率，產生真空領域。同時，如表3所示可得之 ，間隔物之密度未滿150個/mm2時，高溫時之不良產生率 較高。 由以上之結果得之，如表4所示，於使用封口框狀之 密封材之液晶顯示裝置中，將間隔物之密度設爲1 00個 /mm2〜3 00個/mm2之同時，間隔物之平均粒徑D亦將設爲 0.96d〜1.02d，可提供不易產生顯示不良，信賴性高之液 晶裝置。再者，間隔物之密度設爲150個/mm2〜3 00個/mm2 ，形成可仰制高溫時之不良產生。且，於本實施例中，面 板分割後之圖案之偏移皆於1 μ m以下。 (實施例2 ) 使用之間隔物之平均粒徑設爲6 // m，製作和上述實 施例1相同之液晶裝置，關於此，已測定晶胞不良產生率 (表5 )，低溫時真空領域產生率（表6 )，及高溫時晶胞 不良產生率（表7 )。同時，和實施例1相同，關於此等晶 -21 - 1235264 (19) 胞不良產生率，低溫時真空領域產生率，及高溫時晶胞不 良產生率，討論最理想之條件，其結果顯示於表8。

【表5】 d (μηι) (D/d) 5.66 5.77 5.88 6.00 6.12 6.25 6.38 6.52 (1.06) (1.04) (1.02) (1.00) (0.98) (0.96) (0.94) (0.92) 80 0 0 0 0 1 2 6 14 100 0 0 0 0 0 0 4 8 密 150 0 0 0 0 0 0 2 6 度 200 0 0 0 0 0 0 1 4 300 0 0 0 0 0 0 0 3 350 0 0 0 0 0 0 0 1

-22- 1235264(20) 【表6】 d (μΐΉ) (D/d) 5.66 5.77 5.88 6.00 6.12 6.25 6.38 6.52 (1 .06) (1.04) (1.02) (1 .00) (0.98) (0.96) (0.94) (0.92) 80 2 1 0 0 0 0 0 0 密 1 00 3 1 0 0 0 0 0 0 度 1 50 5 2 0 0 0 0 0 0 200 8 3 0 0 0 0 0 0 3 00 17 10 0 0 0 0 0 0 350 37 14 5 2 2 1 0 0

【表7】 d (μηι) (D/d) 5.66 5.77 5.88 6.00 6.12 6.25 6.38 6.52 (1.06) (1.04) (1.02) (1.00) (0.98) (0.96) (0.94) (0.92) 80 0 0 0 2 5 14 29 32 100 0 0 0 0 0 9 15 19 密 150 0 0 0 0 0 0 0 12 度 200 0 0 0 0 0 0 0 0 300 0 0 0 0 0 0 0 0 350 0 0 0 0 0 0 0 0

-23- 1235264 (21) 【表8】 d ( μ m) (D/d) __- 5.66 5.77 5.88 6.00 6.12 6.25 6.38 6.52 (1 .06) (1.04) (1.02) (1.00) (0.98) (0.96) (0.94) (0.92) 80 ◎ 〇 100 ◎ ◎ 〇 〇 密 150 ◎ ◎ ◎ ◎ 度 200 ◎ ◎ ◎ ◎ 300 ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 350 〇

由此結果得之，不依據間隔物之平均粒徑D之固定 値，和液晶層之層厚d之關係，設定平均粒徑D，將間隔 物密度做爲最理想之條件，可仰制不防止晶胞不良產生， 低溫時真空領域產生，及高溫時晶胞不良產生。同時，以 使用TFD (薄膜二極體）或，TFT (薄膜電晶體）之主動 元件式做爲液晶裝置，於使用本發明之間隔物時，亦可得 到相同之效果。 藉由如以上說明本發明之液晶裝置，密封材由於在基 板面內之領域中’構成封閉之框狀（封口框形狀），故於 該液晶裝置之製造時，基板貼合前，將液晶滴下任一之基 板上，可和另一方之基板進行貼合。此時，基板貼合後， 由於無需經過注入液晶之工程亦可，故製造工程簡便。 -24- 1235264 (22) 且，於使用如此封口框形狀之密封材之液晶裝置中，

由於平均粒徑D爲使用〇 · 9 6 d〜1 · 0 2 d ( d :配置間隔物之液 晶層之層厚）之間隔物，而於密封材內部之間隔物之密度 V 設爲100個/mm2〜3 00個&m2，故基板間隔爲一層均勻，譬 ‘ < 如可將基板間隔之偏差程度設爲± 1 %，同時，亦可消除於 低溫保存時所產生之真空領域等之瑕疵現象。再者，於間 隔物之密度設爲150個/mm2〜3 00個/mm2時，可仰制不防止 高溫時之基板間隔之偏差程度產生。 φ 【圖式簡單說明】 圖1爲表示將本發明之實施形態之液晶顯示裝置和各 構成要素同時，從對向基板之側視之平面圖。 圖2爲表示沿著圖1之Η - Η ’線之剖面圖。 圖3爲表示於液晶顯示裝置之畫像顯示領域中，形成 矩陣狀之複數之畫素之各種元件，配線等之等價電路圖。 圖4爲表示液晶顯示裝置之部分放大剖面圖。 φ 圖5爲表示使用本發明之光電裝置之電子機器之例子 之斜視圖。 圖6爲表示電子機器之其他之斜視圖。 圖7爲表示電子機器之較詳細之其他例子斜視圖。 [圖號說明] 3a..................掃描線 6a..................資料線 -25- 1235264 (23) 8 ...................接觸孔 9 .....<..............畫素電極 10 .................下側基板（TFT陣列基板） 10’.................玻璃基板（下） 20..................上側基板（對向基板） 2 0’.................玻璃基板（上） 2 1...................對向電極

2 2..................配向膜 23...................遮光膜 25..................間隔物 27...................固定層

30...................TFT 50...................液晶層 52 ...................密封材 53 ..................分型

60..................積蓄電容 100.................液晶顯示裝置（液晶裝置） l〇〇a...............畫素 2 0 1.................資料驅動電路 202 .................實裝端子 204 .................掃描線驅動電路 205 .................配線 206 .................基板間導通材 1〇〇〇...............攜帶式電話 -26- 1235264 (24) 1001...............液晶顯示部 1 100...............手錶 1101...............液晶顯示部 1 200 ...............資訊處理裝置 1 202 ...............鍵盤輸入部 1 204 ................資訊處理主體

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Claims (1)

1. 1235264 (1) 拾、申請專利範圍 第92 1 1 8760號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國94年2月3日修正 1 . 一種液晶裝置，係於挾持液晶層的一對基板間中， 配置間隔物形成的液晶裝置，其特徵是前述液晶層和間隔 物’配置以形成於前述基板面內的框狀的密封材所包圍的 區域’該區域之前述間隔物的密度爲1〇〇個/mm2〜3〇〇個 /mm2的同時’令前述間隔物所配置的領域液晶層之厚度爲 d之時，作爲前述間隔物，其平均粒徑D使用爲0.9 6 d 〜1 . 0 2 d者° 2 · —種液晶裝置，係於挾持液晶層的一對基板間中， 配置間隔物形成的液晶裝置，其特徵是前述液晶層和間隔 物’配置形成於前述基板面內的框狀的密封材所包圍的區 域，在該區域前述間隔物的密度爲150個/mm2〜3 00個/mm2 的同時，令前述間隔物配置的區域液晶層之厚度爲d之時 ’作爲前述間隔物，其平均粒徑D使用爲0.96 d〜1.02 d者 〇 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項所記載的液晶裝置， 其中，前述密封材係形成成爲不具備朝向前述基板之外緣 開口的封口框形狀。 4.如申請專利範圍第1項或第2項所記載的液晶裝置， 其中，前述間隔物其表面爲固著層，或者黏著層所被覆， 於該固著層或黏著層，固定於前述基板。 1235264 (2) 5 _ —種液晶裝置的製造方法，屬於挾持液晶層的一對 基板間中’配置間隔物形成的液晶裝置的製造方法，其特 徵是包含於前述一對基板中之任一基板上，於該基板面內 的區域，形成封閉的框狀的密封材之工程，和於前述一對 的基板中之任一基板上，配設間隔物之工程，和於前述一 對的基板中之任一基板上，滴入液晶的工程，和貼合此等 一對基板的工程；令前述間隔物的散布密度，於前述密封 材的內部區域，成爲100個/mm2〜3 00個/mm2的同時，令配 設該間隔物區域之液晶層之厚度爲d之時，令該間隔物的 平均粒徑D爲〇.96d〜1.02d。 6 . —種液晶裝置的製造方法，屬於挾持液晶層的一對 基板間中，配置間隔物形成的液晶裝置的製造方法，其特 徵是包含於前述一對基板中之任一基板上，於該基板面內 的區域’形成封閉的框狀的密封材之工程，和於前述一對 的基板中之任一基板上，配設間隔物之工程，和於前述一 對的基板中之任一基板上，滴入液晶的工程，和貼合此等 一對基板的工程；令前述間隔物的散布密度，於前述密封 材的內部區域，成爲150個/mm2〜3 00個/mm2的同時，令將 配設該間隔物領域之液晶層之厚度爲d之時，令間隔物的 平均粒徑D爲〇.96d〜1 .02d。 7.如申請專利範圍第5項或第6項所記載的液晶裝置之 製造方法，其中，包含於真空中進行前述基板的貼合，貼 合該基板後，釋放大氣，硬化前述密封材的工程。 8·如申請專利範圍第5項或第6項所記載的液晶裝置之 -2- 1235264 (3) 製造方法，其中，前述間隔物，係採用其表面爲固著層或 是黏著層所被覆者。 9. 一種電子機器，其特徵爲具備如申請專利範圍第1 項至第4項之任一項所記載的液晶裝置。