CN1475849A - 液晶装置、液晶装置的制造方法和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种可以简便地使基板间隔在基板面内均匀,并通过隔离物的配置在低温时不易在液晶层中发生真空区域的液晶装置。本发明的液晶装置是在将液晶50夹在中间的一对基板10、20间配置了隔离物25而构成,该液晶50和隔离物25被配置到在基板面内的区域中封闭的框状的密封材料内部,该密封材料内部的隔离物25的密度被设为100个/mm2~300个/mm2,同时,在将配置有隔离物25的区域的液晶层的层厚设为d时,将隔离物25的平均粒径D设定为0.96d~1.02d。

Description

液晶装置、液晶装置的制造方法和电子设备
技术领域
本发明涉及液晶装置、液晶装置的制造方法及具有该液晶装置的电子设备,特别涉及在基板间具有用于将液晶层厚保持均匀的隔离物(スペ一サ一)的液晶装置。
背景技术
作为以往的液晶装置,有下侧基板和上侧基板在各自的周边部通过密封材料粘接,并将液晶层封入这一对基板间的结构的液晶装置。这时,为了使基板间隔在基板面内均匀,在一对基板间配置隔离物的技术是众所周知的。
这样的液晶装置是通过以下的方法制造的。即,在下侧基板和上侧基板上分别层积形成电极和取向膜等之后,在例如下侧基板上,以在该基板周边部形成液晶注入口的形式印刷未固化的密封材料,在将隔离物散布到相同基板或另一个基板的表面上之后,通过未固化的密封材料将下侧基板与上侧基板贴合而得到液晶盒(ヤル)。然后,使该液晶盒的未固化的密封材料固化,进而在通过从密封材料上预先形成的液晶注入口将液晶封入到液晶盒内形成液晶层之后,由密封材料将注入口密封。最后,在下侧基板和上侧基板的外侧形成相位差板和偏振板等光学元件,就制造成了具有上述结构的液晶装置。
在如上述那样通过隔离物构成液晶层的液晶装置中,所使用的隔离物的粒径、面内的均匀性等对该液晶装置的特性影响很大。因此,例如在专利文献1中,记载了通过使用相对于液晶层的厚度,所使用的隔离物的粒径小0.2μm~0.6μm或4%~12%的隔离物,能够维持基板间的液晶层的厚度的均匀性,并可同时可靠地进行再定位时基板的移动的内容。专利文献1:特开平8-106101号公报
然而,在上述液晶装置的制造方法中,虽然在基板贴合之后注入液晶,但是液晶注入工序是很费事的工序,人们希望有更简便的制造方法。另外,为了将基板间隔保持均匀,在一对基板间设置隔离物是理所当然的,但是,基板表面在形成TFT元件等之后,就不完全平坦了,所以,尽管配置了隔离物,但有时基板间隔还会发生偏差。
另外,在上述专利文献1中,液晶层厚的不均匀相对于该液晶层厚5μm为±0.1μm,即,液晶层厚不均匀达到±2%。因此,将这样的液晶装置应用于例如STN型的液晶装置、使用有源元件的液晶装置等时,对比度将降低,从而导致显示特性降低。
此外,关于液晶装置中的隔离物的散布量,如果太多,在低温状态保存时液晶层中有时会发生真空区域,另外,如果太少,有时基板间隔发生偏差。
发明内容
本发明就是鉴于上述问题而提出的,其目的在于提供在可以简便地使基板间隔在基板面内更加均匀化的同时通过最佳的隔离物的配置在低温时或高温时都不易发生不良状况的液晶装置、该液晶装置的制造方法以及具有该液晶装置的电子设备。
为了解决上述问题,本发明的液晶装置是在将液晶层夹在中间的一对基板间配置有隔离物的液晶装置,其特征在于:上述液晶层和隔离物配置在由在上述基板面内形成的框状的密封材料包围的区域内,该区域内的上述隔离物的密度为100个/mm2~300个/mm2,同时,在将配置有上述隔离物的区域的液晶层的层厚设为d时,作为上述隔离物,使用其平均粒径D为0.96d~1.02d的隔离物。
按照这样的液晶装置,密封材料被构成为在基板面内的区域中封闭的框状,所以,在进行该液晶装置的制造时,可以采用在基板贴合之前将液晶滴到任意一个基板上再与另一个基板贴合的工序。这种情况下,因为即使不经过在基板贴合之后注入液晶的工序也可以,所以,制造工序简便。另一方面,在使用这样的密封材料的液晶装置中,使用平均粒径D为0.96d~1.02d的隔离物,并将密封材料内部的隔离物的密度设为100个/mm2~300个/mm2,所以,基板间隔更均匀,可以使例如基板间隔的偏差在±1%左右,从而可以消除在低温保存时发生真空区域(气泡)等不良状况。
即,本发明者经过认真的研究,发现在隔离物的密度小于100个/mm2、隔离物的平均粒径D不足0.96d时,基板间隔特别容易发生偏差,另外,在隔离物的密度超过300个/mm2、隔离物的平均粒径D超过1.02d时,特别容易在低温保存时发生真空区域。另外,在低温(例如-30℃)保存时真空区域的发生,是液晶中含有的微量的气体在低温下聚集而形成的,并且也有在恢复到室温之后仍不消失的情况。
在此,如上所述,在本发明中隔离物的密度可以采用比较小的100/mm2~300个/mm2的理由推想为密封材料的结构所致。即,由于本发明应用封闭的框状的不具有开口部(液晶注入口)的密封材料,所以,如上所述,可以将液晶滴到基板上进而在散布有隔离物的状态下将基板贴合。在这种情况下,不仅隔离物而且液晶也承受基板贴合时的压力,可以推断,与以往的设置注入口结构的液晶装置相比,能够相对地减少隔离物的数量。
这样,按照本发明的结构,在制造时可以省略液晶注入口工序和密封工序,进而可以减少隔离物的密度,所以,通过如上述那样地设定隔离物的密度和所使用的隔离物的平均粒径,可以提供基板间隔在基板面内均匀并且不易在液晶中产生气泡等的液晶装置。这里,本发明所说的配置了隔离物的区域的液晶层的层厚d,就是指对于控制基板间隔有效的部分的层厚,例如在半透过反射型的液晶装置等中,对有意识地分布在反射区域与透过区域之间的液晶层的层厚而言,就是指在配置完该隔离物时,对应能够有效地控制基板间隔的区域的液晶层的层厚。
另外,假如像以往那样使用有注入口的密封材料,在基板贴合之前进行液晶注入,在基板贴合时将会发生液晶漏出到外部等不良状况,所以,在形成具有注入口的密封材料的情况下在贴合前注入液晶事实上是不可能的。另一方面,使用本发明的没有注入口的密封材料,当然在基板贴合之后不再进行液晶注入,因此,按照本发明的结构,能够在基板贴合之前可靠地进行液晶注入,并可以减少隔离物密度。
另外,作为上述隔离物的密度,优选为150个/mm2~300个/mm2。这种情况下,在高温时基板间隔不容易发生不均匀等不良状况。即,液晶装置在处于高温(例如70℃或以上)的情况下,相对于隔离物的热膨胀,液晶的热膨胀非常大,结果,在隔离物的密度小的情况下,有时不能充分实现将液晶层厚保持为均匀的隔离物的本来的功能,如上所述,在使隔离物的密度大于150个/mm2时,就难以发生这样的高温时的不良现象。另外,这种高温时发生的不良现象,因为在使液晶装置恢复到室温时也恢复到原状,不一定说是不良,所以上述隔离物密度只不过是优选的范围。
其次,在本发明的液晶装置中,详细而言,密封材料可以形成为不露出基板的外缘的框状。另外,详细而言,密封材料可以形成为不具有朝向基板的外缘的开口的封闭框状。
此外,在本发明的液晶装置中,隔离物可以是其表面被粘着层或粘接层覆盖,由该粘着层或粘接层固定到基板上。这种情况下的隔离物相对于基板的固定更可靠,且隔离物在基板间不容易发生游离等不良状况。
其次,本发明的液晶装置的制造方法是在将液晶层夹在中间的一对基板间配置隔离物的液晶装置的制造方法,其特征在于:包括在上述一对基板中的任意一个基板上形成在该基板面内的区域中封闭的框状的密封材料的工序、将隔离物配设在上述一对基板中的任意一个基板上的工序、将液晶滴到上述一对基板中的任意一个基板上的工序和将这一对基板贴合的工序,在上述密封材料的内部区域中将上述隔离物的散布密度设为100个/mm2~300个/mm2,同时,在将配置有该隔离物的区域的液晶层的层厚为d时,将该隔离物的平均粒径D设置为0.96d~1.02d。
利用这样的方法,可以制造上述本发明的液晶装置,特别是在本发明中因为是在将液晶滴到基板上之后将基板贴合而形成的,所以可以省略基板贴合后的比较麻烦的液晶注入工序和密封工序。另外,由于是在将液晶和隔离物配置到任意一个基板上之后使各基板贴合,所以,如上所述,可以降低上述隔离物的散布密度,具体而言,因为可以设为100个/mm2~300个/mm2,并将该隔离物的平均粒径D设置为0.96d~1.02d,所以,可以提供基板间隔偏差小、低温保存时真空区域的发生少的液晶装置。此外,为了消除在这种情况下也会因在高温时产生的基板间隔不均匀的不良现象,最好将隔离物的密度设为150个/mm2~300个/mm2
另外,也包括在真空中进行上述基板的贴合并在该基板贴合之后释放大气使上述密封材料的固化(硬化)的工序。
其次,本发明的电子设备的特征在于:例如作为显示装置,具有上述液晶装置。这样,通过具有本发明的液晶装置,可以提供不良现象少、可靠性高的电子设备。
附图说明
图1是与各结构要件一起从对置基板侧观看本发明的液晶装置的1个实施方式的液晶显示装置的平面图。
图2是沿图1的H-H’线的剖面图。
图3是在上述液晶显示装置的图像显示区域中形成为矩阵状的多个像素的各种元件、配线等的等效电路图。
图4是上述液晶显示装置的局部放大剖面图。
图5是表示使用本发明的电光装置的电子设备的一例的透视图。
图6是表示上述电子设备的另一例子的透视图。
图7是表示上述电子设备的再另一例子的透视图。
符号说明
10    下侧基板(TFT阵列基板)
20    上侧基板(对置基板)
25    隔离物
27     粘着层
50     液晶层
52     密封材料
100    液晶显示装置(液晶装置)
具体实施方式
下面,参照附图说明本发明的实施方式。
图1是对作为本发明的液晶装置的1个实施方式的液晶显示装置与各结构要件一起表示的从对置基板侧看的平面图,图2是沿图1的H-H’线的剖面图。图3是在液晶显示装置的图像显示区域中形成为矩阵状的多个像素的各种元件、配线等的等效电路图,图4是上述液晶显示装置的局部放大剖面图。在以下的说明中所使用的各图中,为了将各层、各部件等设成在图面上可以识别的大小,所以,各层、各部件等的比例尺是不同的。
在图1和图2中,本实施方式的液晶显示装置100,通过密封材料52将TFT阵列基板10与对置基板20贴合,液晶50被封入并保持在由该密封材料52所划分的区域内。密封材料52在基板面内的区域形成为封闭的框状,并形成为不具备所谓的液晶注入口,没有用密封(封止)材料密封(封止)的痕迹的结构。在这样的液晶显示装置100中,在制造时的基板贴合之前,预先将液晶滴到任意一个基板上,然后,进行基板的贴合,进而在其后使密封材料固化。
其次,在密封材料52的形成区域的内侧的区域,形成有由遮光性材料构成的周边遮光层(見切り)53。在密封材料52的外侧的区域,沿TFT阵列基板10的一边形成数据线驱动电路201和安装端子202,沿与该一边相邻的2边形成扫描线驱动电路204。
在TFT阵列基板10的余下的一边,设置有用于将在图像显示区域的两侧设置的扫描线驱动电路204之间连接的多个配线205。另外,在对置基板20的角部的至少1个地方配置有用于使TFT阵列基板10与对置基板20之间电气导通的基板间导通材料206。
另外,例如也可以通过各向异性导电膜将装配有驱动用LSI的TAB(Tape Automated Bonding,带式自动键合)基板和在TFT阵列基板10的周边部形成的端子群电气地和机械地连接,取代在TFT阵列基板10上形成数据线驱动电路201和扫描线驱动电路204。在液晶显示装置100中,相位差板和偏振板等根据所使用的液晶50的种类即TN(Twisted Nematic,扭曲向列)模式、STN(Super Twisted Nematic,超扭曲向列)模式等的工作模式、常白模式/常黑模式的不同而配置在指定的方向上,但在此省略图示。
另外,在将液晶显示装置100作为彩色显示用而构成时,在对置基板20中,在与TFT阵列基板10的后述各像素电极相对的区域上,例如,将红(R)、绿(G)、蓝(B)的彩色滤光器与其保护膜一起形成。
在具有这种结构的液晶显示装置100的图像显示区域中,如图3所示,多个像素100a被构成为矩阵状,同时,在这些像素100a的各自上形成像素开关用的TFT30,供给像素信号S1、S2、...、Sn的数据线6a与TFT30的源极电气连接。写入数据线6a的像素信号S1、S2、...、Sn可以以该顺序顺次地供给给各数据线,也可以对于相邻的多个数据线6a群组每组地供给。另外,扫描线3a与TFT30的栅极电气连接,以规定的定时,脉冲式地将扫描信号G1、G2、...、Gm以该顺序按线顺序地施加到扫描线3a上。
像素电极9与TFT30的漏极电气连接,通过将作为开关元件的TFT30仅在一定期间设为ON(导通)状态,将从数据线6a供给的像素信号S1、S2、...、Sn以规定的定时写入各像素。这样,通过像素电极9写入液晶的指定电平的像素信号S1、S2、...、Sn,在与图2所示的对置基板20的对置电极21之间保持一定时间。为了防止保持的像素信号S1、S2、...、Sn泄漏,附加有与在像素电极9和对置电极之间形成的液晶电容并联的存储电容60。例如,像素电极9的电压由存储电容60保持得比源极电压被施加的时间长3个数量级的时间。
这样,就能够改善电荷的保持特性,并实现对比度高的液晶显示装置100。
图4是液晶显示装置100的局部放大剖面图,在以玻璃基板10’为主体构成的TFT阵列基板10上,由以ITO(铟锡氧化物)为主体的透明电极构成的像素电极9被形成为矩阵状(参见图3),像素开关用的TFT30(参见图3)分别与这些各像素电极9电气连接。另外,沿像素电极9所形成的区域的纵横边界形成数据线6a、扫描线3a和电容线3b,TFT30与数据线6a和扫描线3a相对地连接。即,数据线6a通过接触孔8与TFT30的高浓度源极区域1a电气连接,像素电极9通过接触孔15和漏电极6b,与TFT30的高浓度漏极区域电气连接。在像素电极9的表层,形成有对以聚酰亚胺为主体构成的膜进行摩擦处理的取向膜12。
另一方面,在对置基板20中,在对置基板侧的玻璃基板20’上,在与TFT阵列基板10上的像素电极9的纵横边界区域相对的区域,形成有称为黑底(黑矩阵)或黑色条纹的遮光膜23,在其上层侧,形成有由ITO膜构成的对置电极21。另外,在对置电极21的上层侧,形成有由聚酰亚胺膜构成的取向膜22。并且,在TFT阵列基板10与对置基板20之间,通过隔离物25将液晶50由密封材料52(参见图1)密入到基板内。
这里,设配有隔离物25的区域的液晶层的层厚为d的情况,将隔离物25的平均粒径D设定为0.96d~1.02d。另外,隔离物25的密度设置为100个/mm2~300个/mm2,在该隔离物25的表面,形成有由粘接性高的树脂构成的粘着层(粘接层)27,通过该粘着层27与TFT阵列基板10的表面粘接,该隔离物25被固定到TFT阵列基板10上。
在本实施方式的液晶显示装置100中,密封材料52(参见图1)在基板面内的区域中被构成为封闭的框状,所以,在制造该液晶显示装置时,可以在基板贴合之前将液晶滴到任意一个基板上,然后与另一个基板贴合。在这种情况下,因为可以不必经过在基板贴合之后注入液晶的工序,所以,制造工序简便。另一方面,在使用这样的密封材料的液晶装置中,使用平均粒径D为0.96d~1.02d的隔离物,并将密封材料内部的隔离物的密度设为100个/mm2~300个/mm2,所以,基板间隔更均匀,例如可以使基板间隔的偏差小到约±1%的程度,进而也可以消除在低温保存时发生真空区域(气泡)等的不良现象。另外,隔离物的密度优选设为150个/mm2~300个/mm2,在这种情况下,可以消除高温时因隔离物与液晶的热膨胀差而引起的基板间隔不均匀的不良状况。
下面,说明液晶显示装置100的制造方法。特别是对从制造工序中密封材料的形成到液晶滴下、基板贴合的工序进行说明。
首先,如图4所示,在玻璃基板10’上形成TFT30,进而形成像素电极9和取向膜12等,得到TFT阵列基板10,另一方面,在玻璃基板20’上形成遮光膜23、对置电极21和取向膜22等,得到对置基板20。然后,在TFT阵列基板10和对置基板20的至少一方的基板(例如TFT阵列基板10)上将粘接剂以不具备所谓的液晶注入口的形式形成为在基板面内封闭的框状。这时,通过使用分配器(デイスペンサ一)的描绘法形成指定形状。
其次,将隔离物25散布到该封闭的框状粘接剂的内侧,进而滴下液晶50。这时,隔离物25的散布密度在粘接剂的内部区域设置为100个/mm2~300个/mm2(优选为是150个/mm2~300个/mm2),同时,将隔离物25的平均粒径D设置为0.96d~1.02d(d:液晶层的层厚)。
然后,将TFT阵列基板10和对置基板20在真空中贴合,在该基板10、20贴合之后,释放大气使粘接剂固化,即可制造成具有图1所示的液晶显示装置100的液晶面板。这时,粘接剂具有通过光照射而固化的光固化成分(光固化性基团)和通过加热而固化的热固化性成分(热固化性基团),在由光照射而使其临时固化之后,通过加热而进行固化。在光照射时,光照射量设置为1000m J/cm2~6000m J/cm2(例如5000m J/cm2),另一方面,在加热时,加热温度设置为60℃~160℃(例如100℃),加热时间设为20分~300分(例如120分)。
如上所述,本实施例的液晶显示装置100,可以由在滴下液晶之后进行基板贴合的方法进行制造,这时,不仅隔离物25而且液晶50也承受基板贴合时的压力,与以往的设置有液晶注入口的制造方法,即在将基板贴合之后注入液晶的方法相比,可以相对地减少隔离物25的数量(散布密度)。因此,可以如上所述那样将隔离物的密度减少至比较少的100个/mm2~300个/mm2。此外,在这样的隔离物的密度下,将隔离物的平均粒径D设置为0.96d~1.02d(d:液晶层的层厚),所以,能够提供可使基板间隔更均匀,或即使在将该液晶装置设置于低温下时液晶中也不易发生气泡等现象的液晶装置。另外,将隔离物的密度设为150个/mm2~300个/mm2时,可以提供在置于高温下时也不易发生对比度降低等不良情况的液晶装置。结果,便可提供显示特性优异、不良现象发生少、可靠性高的液晶显示装置。
电子设备.
下面,说明具有上述实施方式所示的液晶显示装置的电子设备的具体例。
图5是表示便携电话的一例的透视图。在图5中,标号1000表示便携电话主体,标号1001表示具有上述实施方式的液晶装置的液晶显示部。
图6是表示手表型电子仪器的一例的透视图。在图6中,标号1100表示手表主体,标号1101表示具有上述实施方式的液晶装置的液晶显示部。
图7是表示文字处理机、个人计算机等便携式信息处理装置的一例的透视图。在图7中,标号1200表示信息处理装置,标号1202表示键盘等输入部,标号1204表示信息处理主体,标号1206表示具有上述实施例的液晶装置的液晶显示部。
这样,图5~图7所示的各个电子设备由于具有上述实施方式的液晶装置的任意一种,所以,成为显示品质优异、可靠性高的电子设备。
实施例.
下面,为了确认本发明的液晶装置的特性,实施了以下的实施例。
实施例1.
首先,实施例1的液晶显示装置使用了平均粒径D=3μm的树脂制的隔离物25。具体而言,在370mm×470mm的玻璃基板(下侧基板)上,在使用分配器将上述粘接剂描画成封闭框状后,如表1所示的那样以密度80~350个/mm2散布上述隔离物,通过在100℃下加热10分钟,使该隔离物粘着到基板表面,进而使用分配器将液晶(超扭曲向列型)滴下。
然后,在将滴有液晶的基板与另一个基板(上侧基板)贴合并释放大气后,对基板表面用输出100mW/cm2(365nm)的高压水银灯作为UV照射器进行UV照射。接着,在烘箱内进行加热,使粘接剂完全固化。经过这样的固化处理之后,对液晶面板进行切割,就得到了图1所示结构的液晶显示装置。另外,通过改变液晶的滴下量,准备了具有如表1所示的各种不同液晶层厚d的液晶显示装置。
然后,对得到的各液晶显示装置测定了盒间隙(ヤルギヤツプ)不良发生率(表1)、低温时真空区域发生率(表2)和高温时盒间隙不良发生率(表3)。
盒间隙不良发生率,是测定了面板面内的盒间隙的最大值和最小值,将最大值超过目标盒间隙的101%或最小值小于目标盒间隙的99%者视为不良,测定所制作的400枚液晶面板中的不良发生率(%),测定结果示于表1。所谓目标盒间隙,就是根据液晶的滴下量计算的理论值的盒间隙。
另外,低温时真空区域发生率,是在将所制作的200枚液晶面板在-30℃下放置10小时后,测定了由于液晶的收缩而发生真空区域的比例(%),测定结果示于表2。
另外,高温时盒间隙不良发生率,是在70℃下盒间隙的不良发生率(%),测定结果示于表3。
此外,针对这些盒间隙不良发生率、低温时真空区域发生率和高温时盒间隙不良发生率,对其理想条件进行了研究,测定结果示于表4。在表4中,空格表示发生了盒间隙不良或低温时真空区域的任一种情况;○表示未发生盒间隙不良和低温时真空区域,但是发生了高温时盒间隙不良;◎表示盒间隙不良、低温时真空区域和高温时盒间隙不良都未发生。表1表2表3
Figure A0315020000153
表4
如表1所示,可知隔离物的平均粒径D小于0.96d时,盒间隙的不良发生率高。另外,对于隔离物的密度,密度越小,特别是小于100个/mm2时,盒间隙的不良发生率越高。
另一方面,如表2所示,可以看出当隔离物的平均粒径D超过d时,真空区域的发生率高,但是,通过使隔离物的密度小于300个/mm2,可以降低该发生率。相反,当将隔离物的密度设为350个/mm2时,则可以看出不论隔离物的平均粒径D如何,都以很高的概率产生真空区域。另外,如表3所示,可以看出隔离物的密度小于150个/mm2时,高温时的不良发生率高。
根据上述结果可知,如表4所示,在使用封闭框状的密封材料的液晶装置中,通过将隔离物的密度设为100个/mm2~300个/mm2、同时将隔离物的平均粒径D设置为0.96d~1.02d,可以提供不易发生显示不良、可靠性高的液晶装置。此外,通过将隔离物的密度设为150个/mm2~300个/mm2,还可以抑制高温时的不良发生。另外,在本实施例中,液晶面板切割分离后的图案的偏移全部为1μm或以下。
实施例2.
将使用的隔离物的平均粒径设为6μm,制作与上述实施例1一样的液晶装置,并对其测定盒间隙不良发生率(表5)、低温时真空区域发生率(表6)和高温时盒间隙不良发生率(表7)。另外,和实施例1一样,也针对这些盒间隙不良发生率、低温时真空区域发生率和高温时盒间隙不良发生率,对理想的条件进行了研究,测定结果示于表8。表5表6
Figure A0315020000172
表7
Figure A0315020000181
表8
Figure A0315020000182
根据这些结果可知,不论隔离物的平均粒径D的固有值如何,在与液晶层的层厚d的关联中,通过设定平均粒径D、将隔离物的密度设为理想的条件,就可以防止乃至抑制盒间隙不良发生、低温时真空区域发生,进而高温时盒间隙不良发生。作为液晶装置,对于使用TFD(Thin FilmDiode)、TFT(Thin Film Transistor)等的有源元件型的液晶显示装置,使用本发明的隔离物时也可以获得同样的效果。
如上所述,按照本发明的液晶装置,密封材料在基板面内的区域中被构成为封闭的框状,所以,在制造该液晶装置时,可以在基板贴合之前将液晶滴到任意一个基板上,然后与另一个基板贴合。在这种情况下,可以不必经过在基板贴合之后注入液晶的工序,所以,制造工序简便。
另外,因为在使用这样的封闭框状的密封材料的液晶装置中,使用平均粒径D为0.96d~1.02d(d:配置隔离物的液晶层的层厚)的隔离物,并将在密封材料内部的隔离物的密度设为100个/mm2~300个/mm2,所以,基板间隔更均匀,例如可以使基板间隔的偏差成为±1%左右,进而也可以消除低温保存时发生真空区域(气泡)等不良现象。此外,将隔离物的密度设为150个/mm2~300个/mm2时,可以防止乃至抑制高温时基板间隔的偏差发生。

Claims (9)

1.一种液晶装置,是在将液晶层夹在中间的一对基板间配置隔离物的液晶装置,其特征在于:上述液晶层和隔离物被配置在由在上述基板面内形成的框状的密封材料包围的区域内,该区域中上述隔离物的密度为100个/mm2~300个/mm2,同时,在将配置有上述隔离物的区域的液晶层的层厚设为d时,作为上述隔离物,使用其平均粒径D为0.96d~1.02d的隔离物。
2.一种液晶装置,是在将液晶层夹在中间的一对基板间配置隔离物的液晶装置,其特征在于:上述液晶层和隔离物被配置在由在上述基板面内形成的框状的密封材料包围的区域内,该区域中上述隔离物的密度为150个/mm2~300个/mm2,同时,在将配置有上述隔离物的区域的液晶层的层厚设为d时,作为上述隔离物,使用其平均粒径D为0.96d~1.02d的隔离物。
3.根据权利要求1或2所述的液晶装置,其特征在于:上述密封材料被形成为不具备向上述基板的外边的开口的封闭框状。
4.根据权利要求1~3的任意一项所述的液晶装置,其特征在于:上述隔离物,其表面被粘着层或粘接层覆盖,由该粘着层或粘接层固定到上述基板上。
5.一种液晶装置的制造方法,是在将液晶层夹在中间的一对基板间配置隔离物的液晶装置的制造方法,其特征在于,包含:
在上述一对基板中的任意一个基板上,形成在该基板面内的区域中封闭的框状的密封材料的工序;
将隔离物配设在上述一对基板中的任意一个基板上的工序;
将液晶滴到上述一对基板中的任意一个基板上的工序;以及
将这一对基板贴合的工序;
其中,在上述密封材料的内部区域中将上述隔离物的散布密度设为100个/mm2~300个/mm2,同时,在将配置有该隔离物的区域的液晶层的层厚设为d时,将该隔离物的平均粒径D设置为0.96d~1.02d。
6.一种液晶装置的制造方法,是在将液晶层夹在中间的一对基板间配置隔离物的液晶装置的制造方法,其特征在于,包含:
在上述一对基板中的任意一个基板上,形成在该基板面内的区域中封闭的框状的密封材料的工序;
将隔离物配设在上述一对基板中的任意一个基板上的工序;
将液晶滴到上述一对基板中的任意一个基板上的工序;以及
将这一对基板贴合的工序;
其中,在上述密封材料的内部区域中将上述隔离物的散布密度设为150个/mm2~300个/mm2,同时,在将配置有该隔离物的区域的液晶层的层厚设为d时,将该隔离物的平均粒径D设置为0.96d~1.02d。
7.根据权利要求5或6所述的液晶装置的制造方法,其特征在于:包含在真空中进行上述基板的贴合,在该基板的贴合之后释放大气使上述密封材料固化的工序。
8.根据权利要求5~7的任意一项所述的液晶装置的制造方法,其特征在于:上述隔离物,使用其表面被粘着层或粘接层覆盖的隔离物。
9.一种电子设备,其特征在于:具备权利要求1~4的任意一项所述的液晶装置。
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