TWI233600B - Rewritable optical data storage medium and use of such a medium - Google Patents

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TWI233600B
TWI233600B TW091106830A TW91106830A TWI233600B TW I233600 B TWI233600 B TW I233600B TW 091106830 A TW091106830 A TW 091106830A TW 91106830 A TW91106830 A TW 91106830A TW I233600 B TWI233600 B TW I233600B
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storage medium
optical data
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Martijn Henri Richar Lankhorst
Johannes Cornelis Norb Rijpers
Hermanus Johannes Borg
Johannes Hericus Joseph Roosen
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Koninkl Philips Electronics Nv
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Description

1233600 A7 __B7 五、發明説明（1 ) 本發明係有關於利用雷射光束來高速記錄的可重寫光 學資料儲存媒體，該媒體包含一載有薄層疊層的基板，該 ®層包含一第一介電層、一第二介電層及一含有鎵（Ga)、 銦（I η)及綈（Sb)合金之相位變更材料的記錄層，該記錄層 係介於該第一與該第二介電層之間。 本發明同時有關於高資料率與高資料穩定性應用之此 類光學資料儲存媒體的使用。 在序s中所提及的一種光學資料儲存媒體類型之具體 實施例係參考歐洲專利卟0387898 μ。 一種以相位變更原理為主的光學資料儲存媒體之所以 引人注目，乃是因其結合下直接覆寫（D〇w)與高儲存密度的 可能性，而且便於與唯讀光學資料儲存系統相容。相位變 更光學記錄涉及利用一道聚焦相當高功率的雷射光束，在 一結晶記錄層形成次微米（submicr〇meter)—尺寸的非晶性 記錄標記。在記錄資訊期間，此媒體係隨著根據記錄=訊 調變的聚焦雷射光束來移動。當高功率雷射光束熔解結晶 ^己錄層時，便會形成標記。當雷射光束關閉及/或接著就記 綠層相對移動時，熔解的標記便會在記錄層中冷卻，並在 記綠層曝光區域中留下非晶性的資訊標記，而記綠層的未 暴光區域則維持結晶型態。按較低功率位準，利用不合户 :騎層的相同雷射，藉由透過加熱來重新結晶化，即可 =成抹除寫入的非晶性標記。非晶性標記代表資料位元， ::用相當低功率的聚焦雷射光束經由基板來讀取。隨著 結晶兄綠層的非晶性標記反射差異所產生的調變雷射光束 -4 - 1233600 A7 B7 五、發明説明（2 ) ，接下來可藉由偵測器根據所記錄的資訊轉換為調變光電 流。 在相位變更光學記錄中，最重要的一個條件就是高資料 率，亦即資料可按每秒至少30 Mb的使用者資料率寫入或重 新寫入媒體中。在DOW期間，此類高資料率需要具有高結晶 化速度的記錄層，也就是說結晶化的時間要很短。為了確 保先前記錄的非晶性標記可在DOW期間重新結晶化，記錄層 的結晶化速度必須適當，俾能符合媒體相對雷射光束的速 度。如果結晶化速度不夠高，在DOW期間，便無法完全抹除 ，亦即無法重新結晶化先前記錄代表舊資料的非晶性標記 。結果造成高度雜訊位準。在高密度記錄與高資料率光學 記錄媒體中，尤其需要高結晶化速度；此類媒體諸如碟片 型高速 CD-RW、DVD-RW、DVD + RW、DVD-RAM、DVR-紅光與 -藍光，這些縮寫字都是新一代高密度數位影碟與RW，其中 RW係指此類碟片與數位影像記錄光學儲存碟片的可重寫功 能，而其中的紅光與藍光係指使用的雷射波長。對這些碟 片而言，其完全抹除時間（complete erasure time，CET) 必須低於30 ns。CET可定義為結晶環境中，完全結晶化寫 入之非晶性標記的最低抹除脈衝持續期間.，且其係為靜態 測量。以4, 7 GB記錄密度每120 mm碟片的DVD + RW而言，便 需要每秒26 Mb的使用者資料位元率；而就DVR-藍光而言， 該位元率則為每秒35 Mb。至於DVD + RW與DVR-藍光的高速版 ，便需要每秒50 Mb以上的資料率。相位變更光學記錄中另 一個非常重要的條件是高資料穩定性，亦即所記錄的資料 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1233600 A7 B7 五、發明説明（3 ) 可長時間保持不變。高資料穩定性需要記錄層在溫度 10 0 C以下，具有低結晶化速率，也就是說結晶化的時間很 長。資料穩定性可按溫度，如30°C來認定。在光學資料儲 存媒體的檔案儲存期間，寫入的非晶性標記會以一定的速 率來結晶化’至於速率則依記錄層的性質而決定。在標記 重新結晶化以後，便與結晶化環境不再有所區別，換句話 过’標1己已遭抹除。就實際用途而言，重新結晶化時間需 要室溫30°C至少10年。 在歐洲專利EP 0387898 B1中，相位變更類型的媒體包 含丙烯酸樹脂的碟片型基板，其上有1〇〇 nm厚的Si〇2第一 介電層、100 nm厚的相位變更合金記錄材料層、以及1〇〇 nm 厚的第一介電層。此類薄層的疊層可算是一種I p卜結構， 其中I代表介電層，而P則代表相位變更記錄層。該份專利 發表一種（InSb)8〇(GaSb)2〇成份的記錄層，其結晶化時間小 於100 ns及結晶化溫度大於12(rc。申請人的模莖顯示其相 當於30°C之0· 6年的結晶化時間（詳見表2範例。按照目前 的枯卞來看，右要在穩定媒體中便於記錄層使用，此結晶 化時間顯然不夠長。就非晶性標記的完全抹除而言，已知 有兩種方式，亦即利用成核現象的結晶化以及利用晶粒微 晶生長的結晶化。微晶成核現象是一種微晶晶核自發且隨 機开/成万；非曰曰性材料中的過程。成核現象的機率因此取決 T記錄材料層的大小，例如厚度。晶粒生長結晶化可於微 日曰已存在時發生’例如非晶性標記或微晶的結晶環境已由 成核現象形成。晶粒生長涉及藉由結晶化鄰接已存在之微
1233600 A7 ----__B7_ 五、發明説明（4 j ' ----- 阳9非日日性材料以生長這些微晶。這兩種機制實際上可並 仃不悖，但就效率或速度而言，通常是一種機制主導另一 種機制。完全抹除時間是最常用來定義結晶化時間的術注 。冗全抹曰除時間（CET)可定義為結晶環境中，完全結晶化寫口 入足非晶性標記的最低抹除脈衝持續期間，且其係為靜能 測f。該份專利所提的時間即為CET。該份專利發表 (InSb)8Q(GaSb)2。成份的CET小於1〇〇 ns。本發明申請i的 實驗顯示該化合物的CET-值為25 ns。在圖丨的Ga_丨^北三 元成份圖中，該成份係以j代表。 本發明目的在於提供序言中所述的該種光學資料儲存 媒體，其適於高資料率的光學記錄，例如DVR—藍光，且其 環境資料穩定性在溫度3〇°c超過1〇年以上。 本目標的達成方式是，合金中Ga、I n及Sb的比例以 Ga-In_Sb二元成份圖中按原子百分比的區域來代表，該區 域形狀係為具有以下頂點T、U、V及W的四邊形：
Gaas I m〇Sbs4 (T)
Gaio I Il36Sb54 (U)
Ga26ln36Sb38 (V) G3.521ni〇Sb38 (W) o 令人驚訝的是，在這三角形的三元Ga-In —Sb成份圖（詳 見圖1)中，在四邊形形狀的TUVW區域内，此合金包含成份 所顯示的檔案穩定性，比包含成份在TUVW區域以外的合金 好很多。數項實驗已顯示，位於通過頂點V與W直線右邊以 及通過頂點U與V直線上方的這些合金中的成份，其穩定值 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1233600 A7 B7 五、發明説明（5 ) 比這些直線另一邊的穩定值差很多。另外還發現，位於通 過頂點τ與u假想直線左邊的這些合金中的成份非常穩定， 但其CET卻在50 ns以上，就光學資料儲存媒體可達成的檔 案DOW資料率觀點來看很不理想。在通過τ與w直線以下的這 些合金中的其他成份顯示對雷射功率相當不敏感。這意謂 著若要在光學資料儲存媒體成功寫入或重寫資料，便需要 相當大量的雷射光功率，尤其是在相對雷射光束而需要更 大媒體速度的高資料率更是如此。寫入與重寫速度越大， 所需要的雷射光功率也就越大。在大部份的情形中，多半 使用半導體雷射來產生雷射光束。尤其是較短的雷射光波 長，例如700 nm以下，這些雷射的最大雷射功率便會受到 限制並且造成高記錄功率的障礙。 尤其實用的合金之特徵為，合金中Ga、1〇及讥的比例以 Ga-1 n-Sb二元成份圖中按原子百分比的區域來代表，該區 域形狀係為具有以下頂點Τ、X、γ及z的四邊形：
Ga361 m〇Sb54 (Τ)
Gai4ln32Sb54 (X)
Ga*251 n32Sb43 (Y)
Ge.47 I Ill〇Sb43 (Z) o 這些合金所附帶的好處是，其穩定性甚至比仍然低於25 ns的最大CET還好。該區域中的成份在3〇t至少可移定5〇 在根據本發明之進一步細部改良的媒體中，第一介電層 包含化合物SlHy並且鄰接記綠層，其中y可解為〇iyy.5: _8- 本紙張尺度適用中@國家標準(CNS) A4規格 121GX 297公4了 1233600 A7 ______B7 五、發明説明（6 ) '一 使用泛種材料做為第一介電層的好處是，可增進記錄層的 光學對比。光學對比Mq可定義為|Rc — Ra|/Rh，其中^與^分 別是記錄層材料在結晶與非晶性狀態中的反射，而心則是 最大的Re與Ra。光學對比係重要的可靠讀取參數，因其可 拓加凟取訊號的訊號強度，因而也增加了訊號與雜訊比。 解踺項改進的事實是，化合物s i Hy實數部份的折射率幾 乎符合記錄層在非晶性與結晶狀態中實數部份的折射率數 值。因而提鬲非晶性與結晶狀態之虛數部份的折射率的相 對差異。 使用SiHy層還有一個好處是，最佳光學對比需要厚度至 少30 rim的記錄層。此一使用較厚記錄層的可能性所帶來的 效用是，可因薄層尺寸變大而增加成核率。亦即增加了成 核的機率。更高的成核率增加了材料的結晶化速度，甚至 例如在DOW期間，達到更高的資料率。一般而言，使用較厚 的記錄層如果沒有鄰接SiHy層，將會減少最佳光學對比。 當記錄層與至少一額外的碳化物層接觸，且厚度在2與 8 nm之間時，結晶化速度尚可進一步增加。上述材料係使 用於II ΡΓΙ或Π+ΡΙ疊層中，其中1+為一碳化物。另外也可 以使用氮化物或氧化物。在Π+Ρίΐ疊層中，記錄層p夾在 第一與第二碳化物層丨+之間。第一與第二碳化物層的碳化 物最好是SiC、ZrC、TaC、TiC及WC群組中的一種，以便與 短CET組合極佳的可覆寫性。Si C之所以成為較佳材料，乃 是因其光學、機械及熱特性，此外，其價格也相當低。實 驗顯示II+PI + 丨疊層的CET值比IPI疊層的低60%。額外碳化 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準((：]^8) A4規格(210 X 297公釐) 1233600 A7 B7 五、發明説明（7 ) 物層的厚度最好介於2與8 rrn之間。當厚度為小時，碳化物 頗高的熱傳導性對疊層只有很小的影響，因此有助於叠層 的熱工設計。使用SiHy層當作第—介電層時，由於其厚^ 相當薄，因此第一介電層與記錄層之間的碳化物層對光= 對比幾乎沒有什麼影響。 在另-具體實施例中，金屬反射層在離第一介電層最遠 的一側，與第二介電層鄰接。如此，即可形成所謂的MM 結構，或是與額外的1 +層組合形成ΙΓΡΓΙΜ結構。額外的金 屬層可用來增加疊層及/或光學對比的總反射。此外，還可 用來s作散熱槽，以便在形成非晶性標記期間增加記錄層 的冷卻速率。金屬反射層包含至少選自由八丨、Ti、“、蛇 、Cu、Pt、Pd、Ni、Cr、Mo、W及^所組成群組的金屬之一 ’這些金屬的合金也包括在内。 第一介電層，亦即介於金屬反射層與相位變更記錄層之 間的薄層，可以保護記錄層免於，例如，金屬反射層胃及/ 或其他層的影響，並可發揮光學對比與熱行為的最大效用 。對最佳的光學對比與熱行為而言，第二介電層的厚度最 好在10-30 nm的範圍之内。為了顧及光學對比，此薄層厚 度也可以另外選足為稍厚的λ/(2η)ηιη，其中λ為以⑽為單 位的雷射光束波長，而η則為第二介電層的折射率。但是， 選擇比較厚的厚度卻會減少金屬反射或記錄層上其他層的 冷卻作用。 第一介電層，亦即雷射光束首先進入通過的薄層，其最 理想的厚度範圍係由雷射光束波長λ來決定。當λ = 67〇 μ -10- i紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) ^ ---
裝 訂
1233600 A7 __— B7 五、發明説明（8 ) 時，所發現的取理想厚度係為12〇 _。在使用時，該 薄層在λ = 670 _的最佳厚度係為“⑽。同樣地，此薄層厚 度另外遂可選疋為多出λ/(2η)=67〇/2*3· 85 = 87 厚度，例 如65 + 87=152 nm的厚度。 第一與第二介電層可由ZnS與Si〇2的混合物組成，例如 (ZnS)8(J(Si〇2)2〇。另外也可由，例如，Si〇2、Ti〇2、ZnS、 AIN、Si3N4及Ta2〇5組成。最好則是使用竣化物，如Sic、耽 、TaC、ZrC或TiC。這些材料的結晶化速度比ZnS — Si〇2混合 物的還快，而且可覆寫性也比較好。 反射層與介電層都可利用氣相沉積或噴濺來形成。 貝料儲存媒體的基板係由，例如，聚碳酸酯（PC)、聚甲 基丙烯酸甲酯（PMMA)、非晶性聚烯烴或玻璃組成。在一般 的範例中，基板屬於碟片型，直徑12〇 mm，厚度為〇· i、〇· 6 或1· 2 mm。使用〇· 6或1· 2 mm的基板時，此基板上的薄層設 置可從第一介電層開始。如果雷射光經由基板進入疊層， 則該基板必須至少可讓雷射光波長穿透。基板上疊層的薄 層也可以按照相反的順序來設置，亦即從第二介電層或金 屬反射層開始，情況若是如此，雷射光束便不會從基板進 入叠層。在疊層的最外層上可視需要設置透明層，用來當 作保護底層免於環境影響的覆蓋層。此覆蓋層可由上述基 板材料的其中之一或透明樹脂來組成，例如，厚度1 〇〇 μπί 之紫外光（UV)-固化的聚（甲基）丙烯酸。此一相當薄的覆蓋 層容許聚焦雷射光束的高數值孔徑（ΝΑ)，例如να = 0· 85。 1 0 0 μιη的覆蓋薄層係例如使用於DVR碟片。如果雷射光束 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1233600 A7 B7 五、發明説明（9 經由此透明層的進入面進入疊層，則基板可為不透明。 此光學資料儲存媒體基板在記錄層側面上的表面最好 具有可利用雷射光束光學掃描的伺服磁軌（serv〇track)。 此伺服磁軌通^由螺旋形溝紋組成，並於射出成型或壓模 期間藉由模型形成於基板中。此溝紋另外也可以在合成樹 脂層中形成於複製過程中，該合成樹脂層係例如丙晞酸的 UV光-固化層，且係個別設置於基板上。在高密度記錄中， 此一溝紋的間隔為例如〇· 5-0· 8 μιη ,及其寬度約為間隔的 -— jjl. 〇 欲達成高密度記錄與抹除，可藉由使用短波長雷射，例 如67 0 nm或更短的波長（紅光到藍光）。 利用氣相沉積或嘴濺合適的目標，可將相位變更記錄層 設置在基板上。因此而沉積的薄層係為非晶性。為了組成 合適的記錄層，此薄層首先必須完全結晶化，㈣一般所 稱的初始化。4 了達成這個㈣，可於炫爐内，以高於 Ga-In-Sb合金結晶化溫度的溫度，例如【峨，將記錄層加 熱。諸如聚碳酸醋之類的合成樹脂基板1外可利用充足 功率的雷射光束來加敖。而這可在 ”，、向^ 了在，例如，燒錄器内完成 實現，在此情況中，雷射光束會掃插移動中的記錄廣。然 後，非晶性層會局部加熱到薄層結晶化所需要的溫度，同 時避免基板受到熱度導入的不利影響。 以下將參考示範的且體實放你| # 7，、t貫她例與附圖來詳細解說本發 明，圖式中： 圖 U安原子百分比顯示Ga_in，的三角形三元成份圖 -12- 1233600
其中標示兩個四邊形區域TUVW與TXYZ以及A到J各點， 圖2為根據本發明之光學資料儲存媒體的架構橫剖面圖， 圖3為根據本發明之光學資料儲存媒體的另一個架構橫 圖4曲線圖顯示圖1所示A 相位標記的資料穩定性或結 單位為。C )。 、B、C、G、fi、I及j點非晶性 晶化時間（t〇與溫度的函數（τ 根攄太發明、 圖2中，利用雷射光束ι〇之用於高速記錄的可重寫光學 貝料儲存媒體2 〇具有基板i及設置於其上的薄層疊層2。疊 層2具有由（hs^oCSiO2)2。組成的第一介電層3，其厚度為 120 nm,由（ZnS)8〇(Si〇2)2。組成的第二介電層5，其厚度為 20 nm，以及由包含Ga、In、及Sb合金之相位變更材料組成 的記錄層4。厚度為25 nm的記錄層4係介於第一介電層3與 第二介電層5之間。合金中Ga、In及Sb的比例在圖1的三元 成份圖中，係以C、D、G及Η各點代表。其精確成份如表格 1所示。 Α1的具有厚度1〇〇 nm的金屬反射層6在離第一介電層3最 遠的一側，與第二介電層5鄰接。 由例如雷射光可穿透UV的可固化樹脂組成的保護層7厚 度為100 μπι並與第一介電層3鄰接。旋塗與之後的UV固化 可設置薄層7 〇 噴濺可設置薄層3、4、5及6。在燒錄器中，利用連續的 雷射光束’以南於其結晶化的溫度來加熱沉積過的非晶性 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) 1233600 A7
占己妾求層4 ， ρ B7 卬可獲得記錄層4的初始結晶狀態。 "1砰納根據本發明的範例結果，其中Ga- I n-Sb合金 的成份各 -----—. 有不同。 ^__ 表格1 Ga In Sb CET 以30°C (年）所 乾例 (百分比） (百分比） (百分比） (ns) 推斷的資料穩 —---—. —-——___ 定性（t。） C ——~~~— 25 50 25 >1000 D _37. 5 12. 5 50 11 >>1000 G 27. 5 27· 5 45 8 65 Η 48 12 40 7 26 所有範例C、D、G及Η在λ = 670 nm的Ra與Re分別為μ%與6〇/〇 。在圖1的Ga-ln-Sb三元成份圖中，範例C、D、G及Η係位於 四邊形的區域之内。此區域具有以下頂點Τ、U、V及W :
Ga36lm〇Sb54 ⑺
Gai〇In36sb54 (U)
Ga26ln3eSb38 (V) G8,5 2llll〇Sb38 (W)。 在範例D時，鄰接記錄層4之第一介電層3的材料以化合 物SiH。· i取代，其厚度減為65 nm，以及記錄層厚度增加為 3 1 nm，非晶性反射Ra增加為21 %。這樣所具有的額外好處 是光學對比比較高。此外，由於記錄層4的厚度比較大，因 此，CET從11 ns縮短為7 ns。在此情況中，非晶性反射大 於結晶反射。此即一般所謂的由低至高的調變。 也有可能達到由高至低的調變，其中寫入#晶性標記所 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 1233600 A7 B7 五、發明説明（12 ) 具有的反射比其結晶環境還低。具有SiΗ〇·!組成的30 nm (或117 nm)厚的第一介電層3、成份D組成的3 1 nm厚的記錄 層4、（ZnS) 8〇 (S i 〇2) 2〇組成的20 nm厚的第二介電層5以及Ag 組成的100 nm厚的金屬反射層6之疊層2，其匕為6%，及其 Rc為21%，與前文所述的疊層相比，正好是相反的對比。 圖3中，利用雷射光束10之用於高速記錄的可重寫光學 資料儲存媒體20具有基板1及設置於其上的薄層疊層2。疊 層2具有由（ZnS)s〇(Si〇2)2〇組成的第一介電層3，其厚度為 117_;由（2113)8。（3丨〇2)2()組成的第二介電層5，其厚度為 17 nm ;以及由包含Ga、In、及Sb合金之相位變更材料組成 的記錄層4。厚度為25 nm的記錄層4係介於第一介電層3與 第二介電層5之間。記錄層4與厚度各為3nm的兩個額外SiC 層3'與5'接觸。合金中Ga、In及Sb的比例在圖1的三元成份 圖中’係以C、D、G及Η各點代表。其精確成份如表格1所示 。對於具有如範例C成份之記綠層4的此一疊層而言，CET 的測量為12 ns，比圖2可重寫光學資料儲存媒體之25 ns 的CET短很多，而圖2中並未設置額外的SiC層3,與5,。介電 層3與5的厚度減少3 nm，以維持SiC層3'與5,及介電層3或 5固定的總厚度。 圖4顯示在相當高的溫度（單位為。c)之下，合金a、b、c 、G、Η、I與J所測量的資料穩定性或結晶化時間（te)曲線 。D、E與F在30°C的資料穩定性超過1〇〇〇年，並未在圖4中 顯示出來。根據推斷，所估計的是較低溫度的穩定性。推 斷曲線係根據結晶化時間與絕對溫度（單位為κ)倒數的對 ' 15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公爱) ' -----
裝 訂
線 1233600 A7 — —_____B7__ 五、發明説明（13 ) 數相關假設。結晶化行為係於寫入標記上測量。穩定性一 般係根據沉積過的非晶性狀態，但這通常也導致過高的穩 足性數值。這是因為窝入的非晶性標記比沉積的非晶性狀 態層，含有較多的成核現象的地方，結果增加結晶化速度 。對寫入的標記結晶化行為測量而言，使用程序如下。疊 層係噴濺於玻璃基板上，並利用雷射來初始化碟片的平坦 部份。DVD密度載體以螺旋方式連續寫入初始化的部份。將 從碟片所切割的部份放置於熔爐中，然後以特定溫度連續 結晶化非晶性標記，同時利用大的雷射光點監控反射 (λ=670 nm)。 iLMJL例A、j—_、E、F、I輿J (非根據本發明） 表格2歸納非根據本發明的範例結果。 表格2 範例 Ga (百分比） In (百分比） Sb (百分比） CET (ns) 以30°C (年）所推 斷的資料穩定性 (to) —A 0 50 50 65 0. 02 B ------------- 12. 5 37. 5 50 17 3 _E 50 0 50 7 >>1000 F 22· 5 22. 5 55 73 >1000 I 56 10 34 7 0. 07 J 10 40 50 25 0. 6 範例A、B、I及J顯示在30°C的穩定性少於1 〇年。範例E 與F在3 0 °C的確具有高於10年的穩定性，但卻分別具有低雷 射光寫入靈敏度與高CET的缺點。表格2的成份係位於四邊 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1233600 A7 B7 五、發明説明（14 ) ~--------- 形T U V W的區域之外。 Μ,思α上所述具體實施例係在說明而非限制本發明 ，且戒知本技蟄人士只要不偏離隨附申請專利範圍的範疇 ’便可設計出許多其他可行的具體實施例。在中請專利範 圍中，括弧中的任何參考符m不應視為申請專利範圍的限 制。包含一罕並未排除申請專利範圍所列舉之外的元件 或步驟。在元件前所出現的”一，，字並未排除此類元件的複 數形。申請專利範圍中彼此不同的附屬項所陳述之特定方 法的單純事實，並不代表這些方法的組合不能用來獲得好 處。 根據本發明，可重窝之相位變更光學資料儲存媒體在 30°C具有10年以上的資料穩定性，且其適合用來直接覆寫 與高速記錄，例如高速CD_RW、DVD+RW、DVD-RW、DVD-RAM 、DVD-紅光與-藍光。 、 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. I233_ 第091106830號專利申請案 _±文申請專利範圍替換太Γ93 六、申請專利範園 1 · 一種利用一雷射光束（1 0)來高速記錄的可重寫光學資 料儲存媒體（20)，該媒體（20)包含一載有薄層疊層（2) 的基板（1)’該疊層（2)包含一第一介電層（3)、一第二介 電層（5)及一含有Ga、In及Sb合金之相位變更材料的記 錄層（4) ’該記錄層（4)係介於該第一介電層（3)與該第二 電層（5)之間’其特徵在於該合金中〇&、“及的比 例以Ga-In-Sb三元成份圖（30)中按原子百分比的區域 來代表’該區域形狀係為具有以下頂點T、u、v及W的 四邊形·· Ga36In10Sb54 (T) Ga10In36sb54 (U) Ga26In36Sb38 (V) Ga52In10Sb38 (W)。 如申請專利範圍第1項之光學資料儲存媒體（2〇)，其 徵在於該合金中Ga 、In及Sb的比例係以Ga-In-Sb三元成 份圖（30)中按原子百分比的區域來代表，該區域形狀係 為具有以下頂點丁、 X、Y及Z的四邊形： Ga36In10Sb54 (T) Ga"In32Sb54 (X) Ga25In32Sb43 (Υ) Ga，47lni〇Sb43 (ζ)。 3.如申請專利範圍第1或2項任一項之光學資料儲存媒體 (20)，其特徵在於該第一介電層（3)包含化合物SiHy，並 且鄰接該記錄層（4)，且其中y為〇<y£〇.5。
    1233600
    4. 如申請專利m圍第3項之光學資料儲存媒體(2〇)，其特 徵在於該記錄層（4)的厚度至少為3〇 nm。 5. 如中請專利範圍第！或2項任—項之光學資料儲存媒體 (20)，其特徵在於該記錄層⑷係與至少一額外的碳化物 層（3’，5f)接觸，且其厚度在於2與81^扭之間。 6. 如申請專利範圍第5項之光學資料儲存媒體⑽， 徵在於該碳化物層（3，，5，）包含Sic。 、 7. 如申請專利範圍第15戈2項任—項之光學資料儲存媒體 (20)，其特徵在於一金屬反射層⑷在離該第一声 (3)最遠的一側，與該第二介電層（5)鄰接。 " 8. 如申請專利範圍第7項之光學資料儲存媒 徵在於該金屬反射層（6)包含至少 、付 夕适自由Α卜Ti、Au 、Ag、Cu、Pt、Pd、Ni、Cr、Mo、w& Ta 所组 組的金屬之一，包括這些金屬的合金。 砰 9. 一種用於高資料率及高資料穩定性記 用如申請專利範圍第1或2項之光學 錄之方法，其係使 資料儲存媒體（2〇) -2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
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