TWI229581B - Method and apparatus for configuring an aperture edge - Google Patents

Description

1229581 玖、發明說明： 【發明·技術領域】 本發明大體有關一種具有一輻射傳輸窗之蓋子，更明 確言之，有關在該窗鄰近具有一以一孔隙將其穿通之不透 明層之此種蓋子。 【發明背景】 現有之裝設包括一內有一開口之以一蓋子封閉之罩殼 ，該蓋子具有一框架並具有一氣密式密封於該框架之窗， 該窗對一關切波帶內之輻射爲傳輸性◦一鉻層提供於該窗 之一側，並具有一將其穿通之具有直邊及稍圓角隅之大體 長方形孔隙〇該裝設在該罩殼內包括一已知類型之數位式 微鏡裝設（DMD) 〇 一輻射束經由該在蓋子上之窗進入罩殼內，並以DMD 處理以形成多個次射束〇然後，一些次射束經由該孔隙及 窗離開罩殼，俾便利產生影像投射於例如電視機或電影院 之螢幕上。雖然已知之此類型蓋子大體適合其等意圖之用 途，但其等並非全面令人滿意〇 就此而言，當經由窗及孔隙離開罩殼之次射束在螢幕 上形成一投射影像時，此影像典型上被一故意爲較暗之周 界區域圍繞。然而，一明亮光線之顯眼線條或區位有時出 現於該暗周界區域內〇在一些情況下同時出現一或更多之 此等不合宜之光線線條或區位。一般相信此等不合宜之光 線線條係由該已知之蓋子以一些方式所致，雖然並不確實 了解該蓋子究竟如何會導致此一問題。 【本發明綜述】 1229581 由上，可認知已出現對一種涉及一在所投射影像四周 之周界內避免不合宜照射區域之方法及裝置0依據本發明 之一第一形式，一種方法及裝置予提供以致力於此種需求 ，而涉及：提供一對於預定波長之輻射爲傳輸性且其上有 一表面之窗；在鄰近該窗表面處提供一對於該預定波長之 輻射不傳輸且具有一將其穿通之孔隙之層；以及將該層之 一延伸於該孔隙四周之緣配置成具有一相對於該窗表面以 約大於15°之銳角延伸之斜坡〇 依據本發明之一不同形式，一種方法涉及：提供一對 於預定波長之輻射爲傳輸性且其上有一具有第一及第二部 份之表面之窗；在該表面之第一及第二部份上形成一正性 光阻材料層；將該表面第一部份上正性光阻材料之一選定 部份移除以便在該表面第二部份上留下該光阻材料之其餘 部份；在該光阻材料之其餘部份及該表面之第一部份上塗 敷一層對該預定波長之輻射不傳輸之進一步材料，包括以 非垂直於該表面之方向塗敷該進一步材料以使該表面第一 部份上之進一步材料具有一鄰近且延伸於該光阻材料其餘 部份四周之緣部，後者予傾斜以一相對於該表面約大於15 °之銳角延伸；以及接著將該光阻材料其餘部份及其上之 進一步層部份移除，以便穿過該進一步材料留下一孔隙， 後者具有沿其四周延伸之該進一步層之緣部〇 【簡要圖說】 對本發明之較佳了解將經由以下詳述併同所附各圖式 予以獲得，圖中： 1229581 圖1爲一體現本發明各方面之裝置之概示性斷面側視 ΠΒ3 · 圖， 圖2爲一蓋子之概示性俯視圖，其乃圖1裝置之一組 件； 圖3爲一沿圖2中切線3 — 3所取之概示性斷面側視圖 ，且顯示圖2蓋子之一選定部份；而 圖4爲一類似圖3之概示性斷面側視圖，但顯示該蓋 子之選定部份在其製作期間之一中間階段0 【本發明詳述】 圖1爲一體現本發明各方面之裝置10之概示性斷面側 視圖〇在包括圖1之各圖式中，某些結構非依照比例顯示 ，以便提供清晰度以及傳達對本發明之確實了解〇舉例言 之，由下列討論將明白在圖式中有些層之厚度相較於其他 層之厚度係予誇大。舉另例言之，且基於類似之理由，有 些角度係以誇大之尺寸繪製。 在圖1中，裝置1〇包括一罩殼11，其內部具有一空室 12,且其具有一以一垂直開口 13穿通之頂壁〇 —已知類型 之數位式微鏡裝設（DMD)係在罩殼12之底壁之頂表面上中 央位置支承於空室12內。 DMD 16列入一常稱爲微機電系統（MEMS)裝設之裝設類 別內〇 DMD 16在其上側具有一個二維之微小反射鏡陣列， 後者在圖式中看不到〇該等鏡面各自對應一影像之一個別 像素，且可各自回應電控制信號而實體上獨立被DMD 16移 1229581 一蓋子17提供於該罩殼之頂部。蓋子17之邊緣係以已 知方式予縫熔接於罩殼11之頂表面，方式爲於罩殼11之內 部與外部間完成氣密式密封。將一氣體提供於空室12內之 區域18內，而蓋子17確保此氣體不逸離空室12。該氣體作 用以潤滑DMD 16上二維陣列內之各鏡面，俾便利其等移動 ，以及確保其等有較萇之操作壽命。然而，此氣體亦多少 爲腐蝕性，而所掲示具體形式之罩殼11及蓋子17因此配置 成耐氣體腐蝕性損壞〇 現詳述蓋子17;圖2爲蓋子17之概略俯視圖，而將一 抗反射塗面省略以求清晰。參考圖1及圖2 ;蓋子17包括 一板狀金屬框架21，此在所揭示具體形式中係由一市售之 鋼材譬如ASTM-F1 5製成。框架21大約爲方形，並具有一斷 面爲長方形之環形凹陷22,沿該框架上側之整個邊緣延伸 ，俾界定一向外突出之環狀凸緣24〇如圖1中所示，凸緣 24銜接一提供於罩殼11頂部且延伸於開口 13四周之環形表 面0 框架21具有一垂直延伸過該框架中心之開口 23 〇在所 揭示具體形式中，開口 2 3約爲長方形，唯各角隅經修圓〇 一板狀窗41具有具有一形狀及尺寸與開口 23相同之邊緣， 且牢固於開口 23內。更明確言之，窗41爲一具有平行之頂 與底表面之板狀玻璃元件〇在所揭示具體形式中，玻璃元 件41係由硼矽酸鹽玻璃材料製成，譬如由維州Danvi 1 le市 之Corning公司以型號7056銷售者。此特殊玻璃材料在集 中於約545奈米波長附近之由約420奈米至700奈米範圍 1229581 內對輻射爲傳輸性〇然而，有可能替換使用一對不同波長 範圍內之輻射爲傳輸性之不同材料〇在蓋子17裝配期間， 將框架21及玻璃元件41加熱至玻璃元件41之邊緣軟化之溫 度，然後將蓋子17冷卻回溫度以便以已知之方式將該玻璃 元件之邊緣融合於開口 23之邊緣〇 玻璃元件41在其下側有一薄鉻層42 〇薄鉻層42之厚度 約爲1,500埃，且對所關切範圍內波長（由約42 0奈米至 7〇〇奈米）之輻射爲不傳輸。如圖2中所清楚看出，鉻層 42具有一將其垂直伸穿之孔隙43〇在所掲示具體形式中， 鉻層42包括三個未分別繪出之次層，明確言之，爲二分隔 之鉻層及一夾於其間氧化鉻層。然而，層42可替換以其他 合宜之材料製法，或者可具有一些其他合宜之配置。 玻璃元件41及鉻層42係夾於一抗反射材料之二塗面56 及57間〇在所揭示具體形式中，塗面56及5 7各爲業界已知 類型之多層式塗面〇因此，本文中不予例示及說明該各層 及其等所由製成之材料〇本文中提及蓋子17底上塗面之最 外層57係由耐罩殼11之區域18內所提供氣體之腐鈾性質之 材料製成爲已足〇在所揭示具體形式中，此材料爲氟化鎂 ，但其可替換成一些其他合宜之材料，譬如二氧化矽〇塗 面56及57各厚約2,600埃。塗面56及57對所關切範圍內之 輻射（如上述包括波長由約420奈米至700奈米）爲傳輸 性〇 在所掲示具體形式之一變化形式（未單另例示）中， 抗反射塗面57可在鉻層42之前敷加於玻璃元件41〇然後， 1229581 可在抗反射塗面57上形成鉻層42〇 圖3爲一沿圖2中切線3 — 3所取之概示性斷面片段側 視圖，且以放大之比例繪出圖1蓋子17之一部份〇如圖3 所示，鉻層42具有一鄰近其界定孔隙53之最內緣延伸之緣 部61，後者以一相對於玻璃元件41底表面64之銳角62傾斜 或漸縮。在所揭示具體形式中，角62約爲22.5° 〇在先前 存在之蓋子上，漸縮或傾斜之角度大致較小，例如4 °至 6 ° 〇 現將簡述圖1至3中具體形式之操作。一於圖1中二 箭頭71所繪示之進入輻射束通過玻璃元件41及抗反射層56 一 57，並行進至DMD 16〇DMD 16之各鏡於該鏡之目前實體 位置所決定之個別方向反射該射束之個別部份〇原始射束 之此等各個獨立反射部份在本文中各稱爲次射束〇此等次 射束於是於各不同方向行離DMD 16,而其中至少有些將經 過玻璃元件41及抗反射塗面56至57折返而出，如二箭頭72 所繪示。爲求簡化，代表進入輻射71及向外輻射72之箭頭 在圖1以垂直線顯示，但一般將知各種不同之射束及次射 束典型上將於各種不同之方向行進〇 一般而言，當DMD之任一鏡面在其a開啓〃狀態時， 到達該鏡面之進入輻射71將被反射以經過玻璃元件41及塗 面5 6至5 7折返而出。反之，當一鏡面在其a關閉〃狀態時 ，到達該鏡面之進入輻射71將被反射，以便其在一非朝向 玻璃元件41之方向行進，而此輻射一般而言將耗散於罩殼 11內。在所揭示具體形式中，若干排位於該二維鏡陣列邊 1229581 界四周之鏡面全保持連續處於〜關〃狀態，以便界定一圏 恆爲關閉之鏡面，故而提供一包圍其餘鏡面所產生影像之 清晰界定之長方形緣或周界〇當每一剩餘鏡面均在其vv開 啓〃狀態時，其將反射以經過玻璃元件41及塗面56至57折 返而出之個別次射束形式之輻射〇所有此等離開vv開啓" 狀態鏡面之次射束以由鉻層42之緣43向內分隔之位置通過 鉻層42之孔隙43 〇 參考圖3 ; —些通過抗反射塗面56及玻璃元件41之輻 射71將衝撞鉻層42〇如上述，鉻層42包括三個次射束，而 以一中央氧化鉻層夾於二鉻層間。氧化鉻傾向吸收所關切 範圍內之輻射。因此，在鉻層42具有其全厚度時，衝撞鉻 層42之輻射71傾向被吸收〇然而，在鉻層42之漸縮緣部61 處，氧化鉻次層亦漸縮〇氧化鉻次層因此在邊緣部61處不 與層4 2上之他處一般厚，故而較不能吸收輻射71 〇結果， 緣部61可反射一些輻射71，如於81所繪示。 如上闡釋，所揭示具體形式之緣部61以22.5°之銳角 6 2傾斜，而此爲足夠大之角度以使反射輻射81在顯著不同 於形成所關切影像之反射次射束72 (圖1)之方向行進。 依據本發明，爲避免非所需之光學效應，角62應約大於15 ° ，且較佳爲約大於20° 〇反之，如下所論述，先前存在 之蓋子上緣61之角度遠較小，例如4 β至6 ° 〇 在此一先前存在之蓋子上，鉻層之緣部僅可在稍與次 射束72之方向不同之方向反射輻射，如於82所繪示〇於方 向82之反射亦可具有較反射81高之强度，例如因吸收能量 1229581 之氧化鉻在產生此等反射之個別緣部之厚度所致0結果， 在一使用該先前存在蓋子之系統中，非所要之反射82會在 包圍所投射影像之周邊內產生不合宜之光線線條或區位。 但由於所揭示具體形式中之緣部61具有顯著較先前存在之 蓋子爲大之角62，故任何非所要之反射譬如於81者，均以 顯著與該影像行進之方向不同之方向行進，從而避免在包 圍所投射影像之周邊內之不合宜光線線條或區位。 現將說明一種鉻層4 2之緣部61以一使其具有約22.5° 之有利角62之方式製作之技術。由於合宜之製作技術就蓋 子17之大多數方面而言已然爲業界知嘵，故以下論述不及 於整個製作蓋子17之步驟，而係聚焦於有關鉻層42以一使 其緣部61具有合宜傾斜或漸縮之方式製作之步驟部份。 就此而言，圖4爲一類似圖3之概示性斷面側視圖， 但顯示於抗反射塗面5 6至5 7敷加前之蓋子17製作程序內之 一早期階段。在鉻層42形成前，一正性光阻材料層101形 成於玻璃元件41之表面64上。在所揭示具體形式中，光阻 101爲一種由麻州Marlborough市Shipley有限責任公司 以型號S1818銷售之材料。等似之光阻材料可購自其他製 造商，且其亦有可能替換使用一些其他之合宜正性光阻材 料〇 光阻材料101之敷加爲使橫過表面64具有大致均匀之 厚度，後者爲鉻層42意圖厚度之若干倍。此大致均匀之厚 度係以虛線102繪示於圖4 〇在所揭示具體形式中，光阻 材料101之厚度約爲2.4微米至2.7微米，換言之，約爲 1229581 鉻層42意圖厚度16. 3倍之厚度。 一將光阻材料101敷加成合宜厚度之合宜技術爲將預 定量之光阻材料101置於表面64之中央，然後以一合宜之 速度將含有玻璃元件41之蓋子17旋轉一段合宜之時間，俾 離心力完成該光阻材料之均匀分布於表面64上〇然而，有 可能替換使用任何其他合宜之技術敷加所需厚度之光阻材 料101 〇舉例言之，適當選擇光阻材料時有可能將其噴灑 於旋轉中之蓋子上〇 其次，將一未予例示之已知類型玻璃原始圖案緊鄰光 阻材料101置放。該圖案在將有孔隙43 (圖2)存在之區 域內具有一大約長方形之遮蔽〇經由該玻璃原始圖案將光 阻材料101暴露於光線，然後移除該圖案。之後，將帶有 光阻材料101之蓋子17置於已知類型之化學浴內，將光阻 材料1〇1暴露於光線之部份移除，從而留下圖4中以實線 所顯示以該遮蔽阻斷光線之光阻材料層101部份〇 其次，形成鉻層42〇在所揭示具體形式中，此工作之 實施方法爲於一含有與玻璃板41分隔且用作鉻源之一定量 鉻之未予例示之眞空室內完成玻璃板41之平面旋轉〇因眞 空所致，鉻自該源蒸發，並沉積於空室內他處，包括玻璃 板41之表面64以及光阻材料層101之外表面。雖然該空室 於此步驟整體內均在眞空下，但一定量之氧氣係在該步驟 進行約三分之一時引進該空室，以使接續沉積之材料爲氧 化鉻而非鉻〇然後，在該步驟進行約三分之二時將空室停 泵以移除氧氣，俾便鉻再度沉積〇結果，鉻層42實際上具 1229581 有三個未予單另例示之次層，包括二個絡次層與一個夾於 其間之氧化鉻次層〇雖然所揭示具體形式使用眞空自一來 源將鉻材料蒸發，然後將此材料沉積於玻璃板41上，但任 何其他合宜之技術均可替換使用以形成鉻層42,譬如鉻材 料噴濺法〇 由於各種因素譬如上述玻璃板41之平面運動，鉻及/ 氧化鉻材料將以不同方向（大部份不垂直於表面64)接近 玻璃板41及光阻材料101 〇結果，由於光阻101較鉻層42 意圖厚度約厚16倍，故光阻層101將傾向蔭蔽〃玻璃元 件41之表面64上一區域，後者緊鄰光阻層101並於其四周 延伸。因此，舉例言之，沿路徑116行進之鉻或氧化鉻材 料將穿過光阻1〇1並沉積於接近光阻層1〇1之表面64上〇 另一方面，沿一鄰近路徑117行進之鉻或氧化鉻材料在一 將其帶至極接近光阻材料1〇1邊緣之表面64之部份之方向 移動〇然而，此材料在其到達表面64之前衝撞光阻材料層 1〇1 ，並沉積於該處。爲求明晰，沉積於光阻材料層101 之鉻及氧化鉻材料不繪於圖式中〇 作爲此蔭蔽效應之結果，沉積於表面64上緊鄰光阻材 料層101區域內之鉻及氧化鉻材料量小於沉積於表面64上 其他區域之量。此產生鉻層42之漸縮或傾斜緣部61，後者 相對於表面64形成銳角62〇 在鉻層42形成後，將包括框架21、玻璃板41、光阻材 料層1〇1及鉻層42之總成置於已知類型之化學浴內，俾便 溶解光阻材料層1〇1 ，從而將所有剩餘之光阻材料101移 1229581 離玻璃元件41之表面64〇已沉積於光阻材料層101上之鉻 及氧化鉻材料過薄，致無光阻材料層101之支承則不能保 留於定位，故而在光阻材料層101溶解時成片剝落。已直 接沉積於玻璃板41之表面64上之鉻層42保留於定位，而爲 圖1至3所繪之鉻層42〇 製作蓋子之先前存在技術使用負性光阻材料而非正性 光阻材料（譬如101所示者）〇如業界所知，負性光阻材 料乃一種其中依照圖案暴露於光線而化學溶解之部份爲未 暴露於光線之部份而非已暴露於光線之部份之光阻材料〇 在此化學程序終了時，負性光阻材料傾向具有一相對於表 面64形成遠較陡之角度之緣，如圖4中以虛線131所繪示 〇將予注意到，沿路徑11 6行進之鉻或氧化鉻材料在使用 正性光阻材料101時將到達玻璃板41之表面64。反之，當 使用負性光阻材料131時，沿路徑116行進之鉻或氧化鉻 衝撞光阻材料層131 ，且沉積於該處而絕不到達表面64〇 結果，使用負性光阻材料131將造成鉻層42之一緣部 ，後者在圖4中以虛線136繪示，並相對於表面64形成約 4 °至6 °之極小銳角137 〇如上併同圖3之討論，具有 此一小銳角137之緣部136可在譬如圖3中以82所示之方 向產生反射，轉而導致不合宜之光學效應。反之，緣部61 具有顯著較大之銳角62,導致反射線在譬如圖3中以81所 示之方向行進，從而避免不想要之光學效應〇 本發明提供若干技術上利益〇 —此種技術上利益爲於 所投射影像四周之邊界內可靠避免不合宜之光學效應0此 1229581 係藉由增加鉻層緣部之斜度將某些不想要之反射之行進强 度及/或方向改變予以獲致0 —相關之利益因提供一種用 以形成具有所需斜度之緣部之鉻層而獲得0又有另一相關 之利益在此製程涉及使用正性光阻材料而非負性光阻材料 ，從而避免相較於先前存在製程之額外程序步驟或額外成 本時予以實現〇 雖然已詳細例示及說明一具體形式，一般將了解有可 能作成各種替代及更改形式而不背離以下申請專利範圍所 界定之本發明精神及範疇〇 -12-

Claims (1)

1229581 在所述窗上所述表面鄰近提供一對於該預定波長之 輻射爲不傳輸且具有一將其穿通之孔隙之層；以及 將所述層之一延伸於所述孔隙四周之緣配置成具有 一相對於所述表面以約大於15°之銳角延伸之斜坡。 8. 如申請專利範圍第7項之方法•其中所述配置步驟 包括選擇所述銳角爲約大於20°之步驟〇 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中所述配置步驟 包括選擇所述銳角爲約22.5°之步驟〇 1 〇 . —種孔緣配置方法，包含下列步驟： 提供一對於預定波長之輻射爲傳輸性且其上有一具 有第一及第二部份之表面之窗； 在所述表面之第一及第二部份上形成一正性光阻材 料層； 將所述表面之所述第一部份上所述正性光阻材料之 一選定部份移除，以便在所述表面之所述第二部份上留下 所述光阻材料之其餘部份； 在所述光阻材料之所述其餘部份及所述表面之所述 第一部份上塗敷一層對所述預定波長之輻射爲不傳輸之進 一步材料，包括以非垂直於所述表面之方向塗敷所述進一 步材料，以使所述表面之所述第一部份上所述進一步材料 具有一鄰近且延伸於所述光阻材料之所述其餘部份四周之 緣部，並將後者傾斜以一相對於所述表面約大於15°之銳 角延伸；以及 接著將所述光阻材料之所述其餘部份及其上之所述 1229581 進一步層部份移除，以便穿過所述進一步材料之所述層留 下一孔隙，後者具有沿其四周延伸之所述進一步層之所述 緣部〇 - 11 ·如申請專利範圍第1 0項之方法，包括使所述緣部之 所述斜度約大於20°之步驟〇 12 .如申請專利範圍第11項之方法，包括使所述緣部之 所述斜度爲22.5°之步驟〇 13.如申請專利範圍第10項之方法，其中所述移除步驟 包括下列步驟：將所述光阻材料層圖案化以使所述選定部 份與所述剩餘部份分化，然後以化學方式將所述光阻材料 之所述選定部份移除〇 1 4 .如申請專利範圍第1 〇項,之方法，其中所述形成所述 光阻材料層及塗敷所述進一步材料層之步驟之實施爲使所 述光阻材料層較所述進一步材料層厚若干倍0 15.如申請專利範圍第I4項之方法，其中所述形成所述 光阻材料層及塗敷所述進一步材料層之步驟之實施爲使所 述光阻材料層較所述進一步材料層約厚16倍0