TWI229405B - Substrate alignment apparatus - Google Patents

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TWI229405B
TWI229405B TW092105037A TW92105037A TWI229405B TW I229405 B TWI229405 B TW I229405B TW 092105037 A TW092105037 A TW 092105037A TW 92105037 A TW92105037 A TW 92105037A TW I229405 B TWI229405 B TW I229405B
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Kyung-Tae Kim
Hung The Nguyen
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Applied Materials Inc
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Description

1229405 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明實施例大致係關於一基材校準設備。 【先前技術】 薄膜電晶體通常製成大型破璃基材或基板,用於勞幕、 平面顯示器、太陽能蓄電池、個人數位助理、行動電話等 等。薄膜電晶體藉由設置於中央傳送室周圍之一群組工具, 例如複數個真空製程室,進行連續多種類膜之沈積,其中 包含有非結晶矽、掺雜以及未掺雜之二氧化碎、氮化梦等 ♦ 這群組工具通常連結至製造界面上,此界面包含有複 數個基材儲放卡匣用以容納處理前後之基材。裝載閉鎖室 係位於製造界面與群組工具間,用以幫助基材於群組工具 之真空環境與製造界面之大氣環境間進行傳送。 如與較小之尺寸比較’例如·· 2〇〇mm甚至3〇〇mm的圓 形基材,用於顯示器之玻璃基板之裝載閉鎖室定位是比較 難的。舉例來說,玻璃基材尺寸通常超過55〇公董乘65〇 公釐,更有朝1.2平方公尺或更大的尺寸之趨勢邁進,定位 之小誤差可能會導致明顯之基材誤校準。誤校準之基材則 有較高機率受損並導致昂貴之基材耗損。此外,基材誤校 準必須由裝載閉鎖室手動移除,因此增加昂貴之生產時間 耗損與減少基材生產量。 一般而言,基材配置準確性是由位於製造界面的機器 手臂所控制,此手臂用以於基材儲放卡匠與裝載閉鎖室間 1229405 移動基材。w ’目前許多群組工具之直接用戶則提供了 製造界面與機器手臂於其m,如果由用戶提供之機 器手臂之基材配置之準確性與再現性,不在裝載閉鎖室的 設計規格内’則很可能會損害基材。_裝載閉鎖室而言, 對基材配置更有相容性是有需要的。 件(例如:用戶提供之製造界面)可 降低系統費用。 藉此,群組工具之元 以在增加設計彈性時 因此,裝載閉鎖室與基材支撐需要一 位於其上之基材之定向與定位。 裝置,用以校準
【發明内容】 基材支撐裝置通常可以校準位於其上之基材。在實施 例中,基材支撐裝置用以支撐基材,其包含有一支撐板、 第一校準構件、一第二校準構件以及一圓柱構件。第一 校準構件位於鄰近支撐板之第一邊緣,同時第二校準構件 位於鄰近支撐板之第二邊緣。圓柱構件位於第一與第二邊 緣間之第三邊緣附ϋ。第一校準構件位#支撐&上且:於 朝一第一方向驅策基材,同時第二校準構件則適於朝與第 一方向相反之第二方向驅策基材,從而在其中校準基材。 圓柱構件有一校準於第一方向之可旋轉軸,且適於驅策基 材於第三方向以繁助基材在第一與第二方向間之橫向移 動。 在本發明之另一態樣中提供了一裝載閉鎖室。在實施 例中’裝載閉鎖室具一本體且此本體含有一第一與一第 6 1229405 基材傳送埠。一支撐板係位於本體内且具有一第一表面, 此表面適於支撐基材通過第一或第二基材傳送埠。第一校 準構件位於支撐板之第一邊緣鄭近,且在支撐板之該第一 表面上的平面上,此校準構件適於朝一第一方向驅策基材。 第二校準構件位於支撐板之第二邊緣鄰近並與第一校準構 件相對,且適於朝與第一方向相反之方向驅策基材。第— 圓柱構件位於支撐板之第三邊緣鄰近,且具一校準於第— 方向之可旋轉軸。第二圓柱構件位於支撐板之相對第三邊 .緣的第四邊緣鄰近,且具一校準於第一方向之可旋轉轴。 弟一與第二校準構件根據第一座標轴將基材居中,同時第 一與第二圓柱構件根據與第一座標軸不同之第二座標軸將 基材居中,由此可相對於支撐板位置來聯合校準基材。 【實施方式】 此發明提供具有校準機構之基材支撐,其可校準或居 中位於其上之基材至預先設定之位置。此發明在下文中有 圖示說明如何利用雙基材裝載閉鎖室,如A Κ T (美商應 材股份有限公司(位於美國加州聖克拉拉之)之台灣子公司) 所提供之設備。然而在此需了解到此發明所包含之其他結 構有’例如:單基材裝載閉鎖室、多基材裝載閉鎖室、機 器手臂傳送底座、緩衝站以及其他用來支撐基材至所需正 確位置之裝置。 第1圖為製程系統1 5 0之一實施例之剖面示意圖。典 型之製程系統1 5 0包含有一傳送室1 0 8,係藉由一含有基材 1229405 校準設備1 62的裝載閉鎖室1 〇〇連結至製造界面丨丨2。此傳 送室108包含至少—真空機器手臂134於其中,且適於在 複數個週邊製程室1 32與裝載閉鎖室丨00間傳送基材。在 此實施例中,製程室132其中有一艙室為預熱室,決定基 材接受處理前之熱條件以提高製程系統丨5 〇之生產量。傳 送室1 0 8通常維持在真空狀態下,以降低每次基材傳送後 在傳送室1 0 8與個別製程室丨3 2間調整壓力之必要性。 製造界面1 1 2通常含有複數個基材儲放卡匣丨3 8以及 大氣機器手臂1 3 6。卡匣1 3 8通常係可拆除式地位於複數個 間隔140間,其中間隔ι4〇位於製造界面lu的其中一邊。 大氣機器手臂136於卡匣138與裝載閉鎖室1〇〇間用以傳 送基材。通常製造界面112的壓力會維持在大氣壓或略高 於大氣壓。 第2圖為裝載閉鎖室1 〇 〇之一實施例剖面示意圖。裝 載閉鎖室1 00包含有一主體i 02,此主體係由複數個牆 104A,1(MB、一底部206與一頂部208構成—可密閉之内部 控容1 10。裝載閉鎖室1〇〇通常藉由位於牆1〇4Α上之埠U4 來連結製造界面112 ^長條閥丨16選擇性地密閉埠丨14以使 裝載閉鎖室1〇〇之内部控容110得以隔絕大氣與製造界面 11 2 °長條閥丨丨6可被打開使得基材1 06得以通過位於製造 界面11 2與裝載閉鎖室丨00間之璋1 1 4。 裝載閉鎖室100通常藉由位於牆104B上之埠丨18來連 結傳送室1 08。長條閥120選擇性地密閉埠1 1 8以使裝載閉 鎖室1 00之内部控容11 〇得以隔絕大氣與傳送室1 〇8。長條 1229405 閥120可被打開使得基材i〇6得以通過傳送室108與裝載 閉鎖室1 0 0。本發明有關長條閥具效益之範例,則根據1 9 9 6 年12月3日授與preeeks之美國專利Νο·5,579,718與2000 年4月4日授與Tepman等人之美國專利ν〇·6,045,620中之 描述。 主體102另外還包含至少一開口(p〇rt),經由此開口可 加強内部控容1 1 0之壓力控制。第1圖所描述之實施例中, 主體102包含有一排氣口 122以及一真空棒124位於其上 並穿透主體102。閥126與閥128分別與排氣口 122與真空 埠124相連結,選擇性地防止流體通過。真空埠丨24連結 至真空幫浦1 30,利用幫浦選擇性地降低内部控容之壓力, 使其此與傳送至之壓力相配合。當傳送室與裝載 閉鎖室100間之壓力大略相等,長條閥12〇可被打開使得 處理過之基材得以被傳送至裝載閉鎖室i00,而即將被處理 之基材則藉由真空機器手臂134傳送至傳送室1〇8。 置放由傳送罜108返回之基材於裝載閉鎖室1〇〇後, 長條閥120被關閉,且閥126被打開使空氣得以進入裝載 閉鎖室100提高内部控容110之壓力。一般.來說,空氣經 由排氣口 122進入内部控容11〇,而排氣口則可過滤減少可 能之基材微粒污染。一旦裝載閉鎖室1〇〇與製造界面ιΐ2 内部之壓力大約相等時,長條閥116會被打開以使大氣機 器手臂U6可以於裝載閉鎖室1〇〇以及與製造界自ιΐ2連 結之卡匣1 3 8間傳送基材。 為了將大氣機器手臂 1 3 6所需之精確度與正確性降至 1229405 取低’一位於裝載閉鎖室100内之支撐板160適於接收由 大氣機器手臂136傳送過來的基材;其中支撐板上裝配有 至少一校準設備1 62,此設備可將基材1 06相對支撐板1 60 的位置做定位。舉例來說,校準設備1 62可以校正由大氣 機器手臂136傳送遞放於支撐板160上之基材106上之不 正確的沉積位置,以及相對於支撐板160之基材106的預 定位置。位於裝載閉鎖室1〇〇内之校準設備162係以有別 於傳統利用大氣機器手臂136來調整基材位置之校準方法 來對基材1 06之位置進行校準,使得校準更具彈性且系統 成本更低。例如,具校準設備162之支撐板160提供更大 相容性於裝載閉鎖室1〇〇與用戶提供之製造界面112間。 既然裝載閉鎖室100對於基材在支撐板16〇上之位置更具 有容忍度,因此可以降低機器手臂極度精密之需要或者由 製造界面供應者所生產之可校正機器手臂移動之演算法。 此外,隨著大氣機器手臂丨3 6之精確位置設計需求減少後, 較不昂貴之機器手臂也能夠被應用於此。 第2圖中所繪示之第一支撐板16〇 ,有一校準設備Μ? 係位於一雙基材處理裝置内之一第二支撐件2〇2上。此發 明之實施例,包含至少一具有校準機構之基材支撐板,可 使用零或複數個附加支撐板;這當中的部份單元、全數單 元或是無一單元皆可被包含在校準機構中。 第一支撐板160與第二支撐件2〇2分別支撐基材於一 相疊之平行方向於裝載閉鎖室1〇〇内,且其位置可使用大 氣機器手臂136與真空機器手t 134。—般而言,第1撐 10 Ϊ229405 板160用以支撐基材進入傳送室1〇8,同時第二支撐件2〇2 則用以支撐基材返回製造界面US。第一支撐板l6〇通常與 主體1〇2相連結至底部206。如第2圖與第3圖所繪示,柵 柱204連結第一支撐板160至底部2〇6。柵柱2〇4通常會被 安排有一相間隔之距離,以幫助基材於第二支撐件2〇2上 之疋位。此外,栅柱2 04擁有足夠大之空間使得冷卻板2丄4 在其中為可移動。 第二支撐件202支撐基材介於第一支撐板16〇至底部 206間。第二支撐件202可為一由栅柱2〇4或其他構件所支 撐之平面。如第2圖與第3圖所繪示之實施例,第二支撐 件202包含有複數個基材支撐柱230連接至底部206,每一 基材支撐柱230末梢有一末端232用以界定出一平面,用 來支撐基材之表面。在傳送基材時,基材支撐柱23〇 一般 的配置為’不妨害真空機器手臂134與大氣機器手臂136。 基材之溫度控制可以被附加於裝載閉鎖室i 〇 〇内。舉 例來說:本體102之頂部208包含有一透視窗210,其有一 輻射加熱器212鑲彼於其上。輻射加熱器212經由透視窗210 照射基材,以加熱位於第一支撐板160上之基材。此外, 有一冷卻板214位於第一支撐板160至本體102之底部206 間。冷卻板2 1 4含有複數個貫穿其中的孔隙228,因此基材 支撐柱23 0得以穿過冷卻板2 1 4。冷卻板2 1 4通常會連結至 一升高機制2 1 6,此機制係位於裝載閉鎖室1 〇〇外部。此升 高機制216可被啟動,用以使冷卻板214沿著基材支撐柱230 移動。升高機制216移動冷卻板214靠近保持位於第二支 1229405
撐件202末梢之末端232之基材,藉此可在大氣機器手臂 傳送基材前將之冷卻。冷卻板214可以將基材舉離第二支 撐件202,使其熱傳送達最大。冷卻板214藉由一動態之密 封墊,如:蛇腹218,連結至本體1〇2之底部206。一實施 例中,冷卻板214包含有一或複數個導管220,經由一軸224 連結至一熱傳送流體源222,此軸224係連接冷卻板214至 升高機制2 1 6。由熱傳送流體源222所提供之流體,流經導 管220以移除從基材傳送至第二支撐件202之熱。
第3圖所繪示為第一支撐板160與第二支撐件202之 立體圖。第一支撐板160包含複數個支撐元件302,其適於 維持基材與第一支撐板160有一相間隔之距離。支撐元件302 之高度,使基材間之大氣機器手臂136與真空機器手臂134 之把手,得以將基材置於支撐元件302與第一支撐板160 上。第一支撐板160上之支撐元件302間會形成通道,以 提供大氣機器手臂136與真空機器手臂134之把手空間。 同時支撐元件302可平行移動基材至第一支撐板160上之 平面’除不刮傷之外也不會損害到基材。支撐元件302可 以為低摩擦襯塾、滾球或是氣軸(air bearings)。第3圖所繪 示之實施例,支撐元件302由不鏽鋼或高分子所製造,例 如·氣鬲分子或PEEK(polyetherether ketone)。第二支標件 2 02末梢之末端232也包含有支撐元件302,以減少對基材 可能之損害。 第一支撐板160通常包含有複數個校準設備162。校準 設備162連結至第一支撐板16〇或至本體1〇2之一部份。 12 1229405 校準設備162 、 1 6 0之# 、以聯合確認基材是否已相對於第一支撐板 進抓供置而破置放於一預定位置上。一般來說,第一對校 +汉爾用以沿 奢—第一座標軸334校準基材,同時第二對 枚早吹備用以、、儿_ 將美鉍 /Q者—第二座標軸336校準基材,由此聯合 甲土何移至》 一 于應於第一支撐板160之預定位置。通常第 一厘 細 + 垂直於第二座標軸336。 1¾常第_ 校準設備330包含有至少一第一校準構件 3 0 4 A.與一> 裳一、 —校準構件304B,係位於第一支撐板16〇之相 上。校準構件304A-B分別位於一第一支撐板16〇之第 =邊緣340與第二邊緣342上,且沿著第一座標軸334聯 合校準基材。第二校準設餚332包含有一第一圓柱構件3〇6a 與一第二圓柱構件3〇6B,係分別位於第一支撐板“Ο上之 第三邊緣344以及與第三邊緣3料相對之第四邊緣346。第 一與第二圓柱構件306A_B,沿著不同於第一座標軸334之 第一座標軸336聯合校準基材。第一與第二校準設備33〇,332 聯合校準基材’使基材可相對於第一支撐板160之位置而 被置放於一預定位置上’藉此可避免在傳送及處理基材時 因誤校準所引起損害。 第3圖所繪示之實施例,第一校準設備3 3 0與第二校 準設備332位於第一支撐板160之四個邊緣34〇,342,344,346 上。每一校準設備330,332通常包含至少有二個校準構件 304A-D與至少二個圓柱構件306A-D。校準構件與圓柱構件 組合所構成之校準設備,會聯結至比鄰第一支撐板1 60邊 緣之第一表面308,且適於將位置錯誤之基材移動至其預定 13 1229405 位置上。校準構件與圓柱構件組合所構成之校準設備,通 常以垂直方向移動基材;然而,校準構件與圓柱構件也可 以其他方向來移動基材。 第4圖所繪示為第一支撐板16〇之剖面示意圖,其有 一第一校準設備330橫越第一支撐板16()之相對邊緣 340,342。第一校準設備330通常包含有第一校準構件3〇4a 與第二校準構件304B。第一校準構件3〇4A聯結至第一支 撐板160之第一邊緣340。第一校準構件3〇4A至少有部份 材料係由可減少基材之沾污、刮傷或污染的材料製成,或 是塗覆上可減少基材之沾污、刮傷或污染的材料組成。在 實施例中,第一杈準構件3 04A由不鏽鋼或高分子所構成, 例如:氟高分子或PEEK。 第一杈準構件304A包含有一第一部份4〇6與一第二部 份408。第一部份406通常聯結至第一支撐板16〇之第一表 面3 08。第一部份406包含有一底座41〇,其有一平行於第 一支撐板160之上表面412。上表面412位於第一支撐板160 之第一表面308的上方,且其高度為約等於或略高於支撐 元件302之高度。此上表面412朝向第一支撐板160中心414 的一頭逐漸變得尖細。 第二校準構件304A之第二部份408突出於第一支撐板 160之第一表面308及底座410之外。第二部份408包含有 一斜面416’其與第一支撐板16〇之第一表面3〇8決定了一 銳角。在一實施例中,斜面416之銳角約介於60至80度 間。斜面416通常適於向第一方向42 0移動與之接觸之基 14 1229405 材106 ’ 一般係朝向第一支撐板ι6〇之中心414。 第一校準構件304B係位於第一支撐板16〇上之第一校 準構件304A對面之第二邊緣342。第二校準構件3〇4B係 包含有一底座42 8、一上表面43〇與一斜面426,其中斜面 係位於第一支撐板160上,且其以第一支撐板160之中心414 …第一权準構件3〇4A成鏡像排列。因此第二校準構件 又斜面426適以移動與之接觸之基材往與第一方向42〇相 反之方向 工作距離434係位於相對面之第一與第二校準構件 3〇4A 、304B的底座與斜面間,通常的配置約略相當於為 基材位置設計參數所能容許的誤差範圍内,該基材位置 係相對於一位於構件3〇4A,304B方向間之第一支撐板16〇 〈位置。一校正區域436係為在斜面416、426上移動一不 在適當位置之基材的一段距離。舉例來說,一未校準之基 材藉由大氣機器手臂(未繪示於圖中)降至第一支撐板16〇 上,基材106接觸到第一校準構件之斜面416,例如:第一 校準構件304A。斜面416之角度418驅策基材1〇6往第一 万向420,以捕捉基材位於第一校準構件3〇4A與其所相對 <第二校準構件304B間。基材1〇6持續沿著斜面416移動, 直到基材106之底部432位於第一校準構件3〇4A與第二校 準構件304B之底座410,428上時,此時使基材不受損害地 安全傳送,基材106係位於工作距離434内移動且其被正 確地置於適當位置(根據第一方向所決定之個別座標軸)。 其他校準構件也依相似之方式配置。 15 !229405 第一圓柱構件306A通常聯結至第—支撐板16〇且其有 -校準於第-方向42〇之可旋轉軸44G(換言之,可旋轉轴 440與第一方向420只有數角度之相差)。在一實施例中, 可旋轉軸440平什於第一方肖42〇。或者可旋轉轴亦可 相對於第方向420而配置為一銳角。在此實施例中,可 旋轉軸440相對於第一支撐板16〇之第—表面3〇8之高度, 為約等於或略低於第一校準構件3〇4A之底座41〇之上表面 412之高度。第一圓柱構件3〇6A可由不鏽鋼或高分子所構 成,例如:氟高分子或PEEK。 一般而言,第一圓柱構件3〇6A位於第一支撐板16〇之 邊緣,係鄰近第一校準構件3〇4A所位之第一邊緣34〇。第 一圓柱構件306A通常位於使圓柱構件至少有一部份係位於 斜面416與上表面412相交處内部。第三圓柱構件3〇6C與 第一圓柱構件306A位於第一支撐板16〇上相同之邊緣。 第5圖為第一支撐板丨6〇之剖面示意圖,所输示之範 圍為基材106、第一圓柱構件306A與第二圓柱構件3〇6B 之間。第一與第二圓柱構件3〇6A與3〇6B位於第一支撐板 160之相對邊緣上。且沿著一不同於第一座標軸334之第二 座標轴336聯合校準基材。第一與第二圓柱構件3〇6A-3〇6b 可同時用以與第一與第二校準構件304 A-B可相對於第一支 撐板160來聯合校準基材至一預定位置,且此位置可免於 基材於傳送或處理過程因誤校準而受損害。 第一圓柱構件306A通常沿著一第三邊緣344聯結至第 支知板1 6 0 ’其第三邊緣3 4 4如第4圖所繪示為聯結至第 16 1229405 與第二邊緣340,342。第一圓柱構件3〇6A之可旋轉軸44〇 、’行於弟二邊緣;344。弟一圓柱構件3〇6A有一外圍半徑502 係為適於朝第二方向504移動與其接觸之基材,一般而言 但非絕對,第二方向504與第4圖所繪示之第一方向42〇 垂直。第一圓柱構件306A之外圍半徑502通常由一不刮傷、 不沾污或其他污染基材106之材質所構成或塗覆上一不刮 傷、不沾污或其他污染基材106之材質。第二圓柱構件3〇6B 通苇位於一與第一支撐板16〇上之第三邊緣344相對之第 四邊緣346。第三圓柱構件306D包含有一外圍半徑514。 外圍半徑514適以往與第二方向504相反之方向移動與之 接觸之基材。因此,第一與第二圓柱構件306A-b可以在 其中聯合移動基材至預定之位置。 一工作距離510由第一與第二圓柱構件3〇6a,3〇4B之 外圍半徑502,5 14來決定,通常的配置約略相當於一基材位 置設計參數所能容許的誤差範圍内,該基材位置係相對於 一位於構件304A,304 B所定義的第二座標軸336之第一支 樓板160之位置。一校正區域512係為在圓柱306A,306B 上移動一不在適當位置之基材進入工作距離51〇的一段距 離。校正區域512之半徑約等於或略小於圓柱3〇6A,306B 之半徑。圓柱306A,306B之半徑應選擇為,不高至於因突 出而損害由第1圖所繪示之機器手臂134,136所傳送之基 材。舉例來說,一未校準之基材106藉由大氣機器手臂(未 繪示於圖中)降至第一支撐板160上,基材1〇6接觸到圓 柱(,例如:第一圓柱構件306A )之外圍半徑502。基材106 17 1229405 與外圍半徑50·2之接觸點偏移以及藉由可旋轉軸440而旋 轉之第一圓柱構件306Α,由此可驅策基材朝第二方向 5 04且朝向第一支撐板160之中心以及第二圓柱構件306Β。 基材106朝第二方向5〇4持續移動,且圓柱構件306Α會轉 動直至基材106底部432接觸到第一與第二校準構件 3 04Α,3 04Β之底座才停止;在此基材1 06係位於工作距離5玉〇 内且根據第二座標軸336移動,同時將其正確置於適當位 置使其安全傳送不受損害。
以上所述僅為本發明之較佳實例而已,並非用以限定 本發明之申請專利範圍;凡其它未脫離本發明所揭示之精 神下所完成之其他或更進一步之實施例,均應包含在下、成 之申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 上述本發明之手法可被達成及詳細了解,且在上文中 有簡短摘要做更詳細之描述,其位於附加圖示之圖例則可 作為相關實施例之參考。然而在此需注意,附加圖示僅表 7JT出本發明之典型實施例,並非用以限制其範圍,因此本 發明同時也承認其他等效之實施例。 第1圖為群組工具之一實施例,其中包含有裝载閉鎖室連 接此群組工具至一製造界面; 第2圖為第1圖之裝載閉鎖室的剖面示意圖; 第3圖為校準設備之第一支撐板之一實施例的立體圖· 第4圖為第3圖之第一支撐板的側視圖;以及 18 1229405 第5圖為第一支撐板的剖面示意圖,其所取之剖面為第4 圖之線段5 - 5。 為了幫助理解,在任何情形下儘可能地使用完全相 同之參照號碼,來標明圖示中常見之相同元件。 102.主體 104B.牆 I 0 8 .傳送室 112.製造 II 6.長條閥 120.長條閥 124.真空埠 1 2 8 ·閥 1 3 2.製程室 1 3 6.大氣機器手臂 140.間隔 150.製程系統 162.校準設備 2 0 4.棚·柱 208.頂部 212.輻射加熱器 2 1 6.升高機制 220.導管
【元件代表符號簡單說明 100.裝載閉鎖室 104A.牆 106.基材 1 1 0.内部控容 1 14.埠 1 1 8 .埠 122.排氣口 126.閥 130.真空幫浦 134.真空機器手臂 138.卡匣 142.校準設備 160.第一支撐板 202.第二支撐件 206.底部 2 1 0.透視窗 2 1 4.冷卻板 2 1 8 .蛇腹 19 1229405 222.流體源 228.孔隙 232.末端 304.校準構件 308.第一表面 332.第二校準設備 336.第四校準設備 342.第二邊緣 346.第四邊緣 406.第一部份 410.底座 4 1 4 ·中心 418.角度 422.第二校準構件 428.底座 432.底部 436.校正區域 440.軸 444.軸 504.第二方向 5 1 2.校正區域 224·軸 230.柱 302.支撐元件 306.圓柱構件 330.第一校準設備 334.第三校準設備 340.第一邊緣 3 44.第三邊緣 402.第一校準構件 408.第二部分 412.上表面 416.斜面 4 2 0.第一方向 426.斜面 430.底座 434.工作距離 438.第一圓柱 442.第二圓柱 5 02.外圍半徑 5 1 0.工作距離 5 14.外圍半徑
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Claims (1)

1229405 面與該支撐板之該第一表面所界定出之角度約介於60至80 度。 5·如申請專利範圍第丨項所述之基材支撐裝置,其中該固 定基材支撐表面包含一上表面’其適以維持該基材與該第一 表面有一相間隔之距離。 6·如申請專利範圍第1項所述之基材支撐裝置,其中該固 定基材支撐表面包含: 一斜面,其係延伸於該第一表面之上,且朝向該支撐板 中心;以及 一底座’其係連接至該斜面且朝向該支撐板中心延伸。 7.如申請專利範圍第6項所述之基材支撐裝置,其中該底 座更包含一平行於該支擇板平面之一上表面,或是朝向該支 撐板中心的一頭逐漸變得尖細。 8·如申凊專利範圍第7項所述之基材支撲裝置,其中該第 一圓柱構件之該軸的位置,相對於該支撐板高度而言,係約 專於或略低於其上表面之高度。 9·如申請專利範圍第1項所述之基材支撐裝置,其中該 第一圓柱構件適用以驅策該基材之方向實質上垂直於該第 一方向。 22 1229405 10·如申請專利範圍第1項所述之基材支撐裝置,更包含 一第二圓柱構件,其係位於鄰近該支樓板第三邊緣對面的第 四邊緣上。 U·如申請專利範圍第1項所述之基材支撐裝置,更包 含: 複數個支撐元件,位於鄰近該支撐板之第一表面,其適 以維持該基材與該支撐板有一相間隔之距離。 12·如申請專利範圍第11項所述之基材支撐裝置,其中 該固定基材支撐表面更包含: —斜面’延伸於該第一表面之上且面向該支撐板之中 心;以及 一底座’其係連接至該斜面且朝向該支撐板中心延伸, 相對於該支撐板之該一表面而言,該底座之高度略高於或略 等於支撐元件之高度。 13 ·如申請專利範圍第11項所述之基材支撐裝置,其中 至少一支撐元件係為一低摩擦襯墊或滾球。 14·一種用以支禮之基材支擇裝置,該裝置至少包含 一表面適以支撐該基材; 第二校準構件,係位於鄰近該支撐 一支撐板,係有一第 一第一校準構件與一 23 1229405 板之相對立的邊緣上’該第一與 面位於該支撐板之該第—表面之校準構件各別有-斜 沿著由該第一與該第二校準構伴:面上,且適以驅策該基材 w择一 構件所定義之-第-路線,朝向 該支標板中心移動;以及 一第一圓柱構件與一第- 拓 一回柱構件,位於鄰近該支撐 ^ ^ ^ ^ 驅戒該基材沿著由該第一與該 私^ ^ 弟一路線,朝向該支撐板之中心移 動’其中該第一路線與該第-敗
弟一路線方向間夾著一個角度。 述之基材支撐裝置,其中 方向之可旋轉軸。 is·如申請專利範圍第14項所 該第一圓柱構件有一平行於該第一 _ I6·如申請專利範圍第14項所述之基材支撐裝置,其中 該一杈準構件之該些斜面與該支撐板之該第一平面界定出 一約介於60至80度之一角度。
1 7 ·如申請專利範圍第1 4項所述之基材支撐裝置,其中 該些校準構件更包含: 一上表面,係位於相對於該支撐板中心之斜面内部, 且適以維持該基材與該第一表面有一相間隔之荜離。 18·如申睛專利範圍第I?項所述之基材支撐裝置’其中 該上表面係平行於該支撐板平面或朝向該支撐板中心的一 頭逐漸變得尖細。 24 1229405 19·如申請專利範圍第18項所述之基材支撐裝置,其中該 第一圓柱構件之該轴的高度,相對於該支撐板高度而言係約 等於或略低於其上表面之高度。 2〇·如申請專利範圍第14項所述之基材支撐裝置,更包 含: 複數個支撐元件,係位於該支撐板的第一表面,其適以 維持該基材與該支撐板有一相間隔之距離,其中至少一支撐 元件為一低摩擦襯墊或滾球。 1·如申喷專利範圍第14項所述之基材支撐裝置,其中該 第路線與該第二路線係互相垂直。 22*種用以支撐之基材支撐裝置,該裝置至少包含: 支撐板’係含有一第一表面適以支撐該基材; 之第=第一校準構件與一第二校準構件,位於鄰近該支撐板 上邊、緣且適於朝一第一方向驅策該基材,該第一與該 :奴準構件各別有一斜面,係延伸於該支撐板第一表面平 方’且其朝向該支撐板中心; 一第三校準構件與一第四 之第二邊緣,且適於往與該第 材11亥第二與該第四校準構件 异板第一表面平面上方,且朝 校準構件,位於鄰近該支撐板 一方向相反之一方向驅策該基 各別有一斜面,係延伸於該支 向該支撐板中心; 25 1229405 第一圓柱構件盘—楚一 Γ-» 夕势〜弟二圓柱構件,位於鄰近該支撐板 <弟二邊緣,該第三邊 篦. 緣係位於該第一與該第二邊緣間,該 第一與該第二圓柱構件 赭虹 合別有一平行於該第一方向之可旋 轉軸;以及 一第三圓柱構件盘—结 /、 第四圓柱構件,位於鄰近該支撐板 第四邊緣,該第四邊矮么 透緣係位於該第三邊緣對面,該第三與 該第四圓柱構件各別有一 ^ 十仃於該第一方向之可旋轉軸。 23.如申請專利範圍第 些校準構件之該些斜面界 22項所述之基材支撐裝置,其 定出一介於60至80度之角度 中該
24·如申清專利範圍第23項所述之基材支撐裝置,其中每 一該些校準構件更包含:
一上表面,係位於相對於該支撐板中心之斜面内部並且 其適以維持該基材與該第一表面有一相間隔之距離。 25 ·如申請專利範圍第24項所述之基材支撐裝置,其中該 上表面係平行於該支撐板平面或朝向該支撐板中心的一頭 逐漸變得尖細。 2 6.如申請專利範圍第25項所述之基材支撐裝置,其中該 第一圓柱構件之該軸的高度,相對於該支撐板高度而言’係 約等於或略低於其上表面之高度。 26 1229405 27.如申請專利範圍帛22肖所述之基材支禮裝置更包 含: 複數個支撐元件,位於該支隸的第—表面,其適以維 持該基材與該支撐板有一相間隔之距離,其中至少一支撐元 件係為一低摩擦概塾或滾球。 28·-種用以在_第_環境與—第二環境間傳送基材之裝 載閉鎖室,該裝載閉鎖室包含: 一主體,其具有一第一基材傳送埠與一第二基材傳送埠; 一支撐板,係位於該主體内且含有一第一表面適以支撐 基材通過該第一或該第二基材傳送槔; 一第一校準構件,係位於鄰近該支撐板之第一邊緣且延 伸於該支撐板第一表面平面上方,具有一固定基材支撐表面 之該第一校準構件適於朝一第一方向驅策該基材; 一第二校準構件,係位於鄰近該支撐板之一第二邊緣且 延伸於該支撐板之該第一表面的平面之上,該第二校準構件 具有之設置方向係能相對於該支撐板中心與該第一校準構 件彼此成鏡像排列,以及具有一固定基材支撐表面,適以朝 向與該第一方向相反之方向驅策該基材; 一第一圓柱構件,係位於鄰近該支撐板上之一第三邊 緣,該第二邊緣係位於該第一邊緣與該第二邊緣間,該第一 圓柱構件含有一可旋轉基材支撐表面及一與該第一方向對 準之可旋轉轴;以及 27 1229405 一第二圓柱構件,位於鄰近該支撐板上之一第四邊緣, 該第四邊緣係位於第三邊緣對面,該第二圓柱構件含有一可 旋轉基材支撐表面及一與該第一方向對準之可旋轉軸。 29·如申凊專利範圍第28項所述之裝載閉鎖室,其中該固 定的基材支撐表面包含有一斜面,其係適以由該第一方向驅 策該基材。
3 0·如申請專利範圍第29項所述之裝載閉鎖室,其中該斜 面與該支撐板的該第一平面界定出一約介於6〇至8〇度之一 角度。 3 1 ·如申請專利範圍第28項所述之裝載閉鎖室,其中該 固定基材支撐表面包含: 一斜面,其係延伸於該第一表面之上方且朝向該支撐板 中心;以及
一底座,其係連接至該斜面且朝向該支撐板中心延伸。 32.如申請專利範圍第31項所述之裝載閉鎖室,其中該底 座更包含一平行於該支撐板平面之上表面,或朝向該支撐板 中心的一頭逐漸變得尖細。 33 ·如申請專利範圍第32項所述之裝載閉鎖室,其中該 第一圓柱構件之該軸的高度,相對於該支撐板高度而言,係 28 1229405 約等於或略低於其上表面之高度。 34·如申請專利範圍第28項所述之裝載閉鎖室,更包含: 複數個支撐元件,位於該支撐板之第一表面,係適以維 持該基材與該支樓板有一相間隔之距離。 Φ 35. 如申請專利範圍第34項所述之裝載閉鎖室,其中至少 一支撐元件係為一低摩擦襯墊或滾球。 36. —種用以在一第一環境與一第二環境間傳送基材之 裝載閉鎖室,該裝載閉鎖室包含有: 一主體,係有一第一基材傳送埠與一第二基材傳送琿; 一支撐板,係位於該主體内且含有一第一表面適以支撐 基材通過該第一或該第二基材傳送埠; -支撐板,係有一第一表面適以支撐基材; 第%L準構#與第二校準構件,係、位於鄰近該支撲板 之第:邊緣且適以朝一第一方向驅策該基材,每一該第一與 該第*一权準構件肖合古_ Aj! 有一斜面’係延伸於該支撐板第一表面 之上,且朝向該支撐板中心; 一第三校準構件與第 咕^ 仅+構件’係位於鄰近該支撐板 之第二邊緣且適以由與該第一 ^ ^ 、 第 方向相反之方向驅策該基 材,每一該第三與該第四校準 早構件包含一斜面,係延伸於該 支撐板第一表面之上日㊂ I上且朝向該支撐板中心; 一第一圓柱構件與第二圓柱 狂構件’係位於鄰近該支撐板 29 1229405 上之第:潘 η,诗Γ 、緣,該第三邊緣位於該第一邊緣與該第二邊緣 ”:-與第二圓柱構件含有一與該第一方向平行之可旋 支撐板上 該第三與 第一圓柱構件與一第四圓柱構件,係位於該 之第四邊緣’該第四邊緣係位於該第三邊緣對面, 第四圓柱構件含有—平行於該第一方向之可旋轉轴 如申4專利範圍第36項所述之裝載閉鎖室,1 校準構件之該些斜面與該支撐板之該第—表面界= 度’其約介於60至80度。 3 8 ·如申请專利範圍第36項所述之裝載閉鎖室,其中每一 校準構件更包含: ^ 一上表面,其係位於相對於該支撐板中心之斜面内部並 且其適以維持該基材與該第一表面有一相間隔之距離。 39·如申請專利範圍第38項所述之裝載閉鎖室,其中該上 表面平行於該支撐板平面或朝向該支撐板中心的一頭逐漸 變得尖細。 40.如申請專利範圍第3(5項所述之裝載閉鎖室,其中該第 一圓柱構件之該軸的高度,相對於該支撐板高度而言,係約 等於或略低於其上表面之高度。 30 1229405 41.如申請專利範圍第36項所述之裝載閉鎖室,其中還包 含有: 複數個支撐元件,係位於該支撐板之第一表面,適以維 持該基材與該支撐板有一相間隔之距離,其中至少一支撐元 件係為一低摩擦襯墊或滚球^
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