TWI227511B

TWI227511B - Substrate processing device and cleaning method thereof

Info

Publication number: TWI227511B
Application number: TW92124043A
Authority: TW
Inventors: Yasuhiro Oshima; Hiroshi Kannan
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2002-08-30
Filing date: 2003-08-29
Publication date: 2005-02-01
Also published as: TW200411719A; WO2004020694A1; AU2003261791A1

Description

1227511 五、發明說明（1) 一、【發明所屬之技術領域】本發明係關於基板處理裝置及基板處理裝置的洗淨方法0 二、【先前技術】以前，用在半導體晶圓（以下，稱「晶圓」）上形成薄膜之成膜裝置，有化學成膜之成膜裝置為人所知。如此成膜裝置係由電漿等處理氣體令其產生自由基，在晶圓上形成薄膜。可是，在晶圓上形成薄膜後之處理室内壁及配置於處理室内之晶座等會附著反應生成物。若在此處理室内壁等附著反應生成物之狀態下，在晶圓上形成薄膜，反應生成物會由處理室内壁等剝離，有污染晶圓的情形。用以抑制如此情況，大多定期的洗淨處理室内部，清除附著於處理室内壁等之反應生成物。現今，處理室内之洗淨係以種種方式進行著，但其中有一種令其在配置於處理室外部之外部室内產生自由基，將該自由基供給處理室進行處理室内之洗淨的方式。然而，此方式有在配置於外部室與處理室間，用以輸送自由基之輸送配管容易失去自由基之活性（鈍化）的問題。自由基若鈍化，洗淨效率會降低，所以還是以令其提高洗淨效率，抑制自由基鈍化之方式較佳。三、【發明内容】

1227511 --〜---- 五、發明說明（2) ^發明係以提供可抑制輸送、处衣置以及基板處理裝置的洗爭g内活性種鈍化之基板立^發明之基板處理裝置具備平方法為目的。，部容器，配置於處理容器之外*處理容器，收容基板；發供12洗淨氣體源至外部容器内.t f氣體源供給系 ;;外部容器内之洗淨氣體源，產：性種產生機構，激產生：：容器内之活性種；輸生二以由洗淨氣體源砍又，舌性種至處理容器内：以人輪送在外部容器内笞之内壁面。本發明之「活性種令卟機構，冷卻輸送配 =本發:月之基板處理裝置具備如:j有自由基、離子。由輸运配言内活性種的鈍化。 7 σ卩機構，故可抑制在 =發明之其他基板處理裝置具板，外部容器，配置於處理容器甭:處理容器，收容基、、充仏給洗淨氣體源至外部容Ρ內。·、洗淨氣體源供給系發供給外部容器内之洗淨氣體;，丄活性種產生機構，激洗淨處理容器内之活性種；以及、钤、、，生：以由洗淨氣體源由難以與活性種反應之物質：廷：管’至少内壁面係生之活性種至處理容器内：所:於成太，送在外部容器内產具備如此輪送配管，故可抑：明之基板處理裝置化。 ρ制在輪运配管内活性種的鈍該輪送配管亦可至少以2 配官至少以2種類物即、來形成。由輪送以外之物質係易於與活性構種成反岸即之物γ輪送配管内壁面配管内活性種的鈍化。種反應之物f，亦可抑制在輸送

第10頁 1227511 五、發明說明（3) 該輸送配管亦可以1種類之物質來形成。由輸送配管以1種類之物質構成，確實可抑制在輸送配管内活性種的鈍化。該洗淨氣體源係含氟氣體，且輸送配管之内壁面亦可由含A 1、F、及C r之任一物質所構成。作為含氟氣體可列舉如NF3、SF6、CF4、C2F6、CHF3、HF、F2、及CF3COOH 等。又，作為含A 1物質，可列舉如無垢A 1、已陽極氧化處理之 A1、及Al2〇3等。作為含F物質，可列舉如聚四氟乙烯 (PTFE )的氟碳樹脂等。作為含Cr物質，可列舉如Cr203 等。作為洗淨氣體源使用含氟氣體時，由此等含任一物質來構成輸送配管之内壁面，自含氟氣體產生之活性種在輸送配管内不易鈍化。該洗淨氣體源係含氯氣體，且輸送配管之内壁面亦可由含Si及C之任一物質構成。作為含氯氣體可列舉如HC1、 Cl2、及BC13等。又，作為含Si物質，可列舉如Si02等。作為含C物質，可列舉如DLC (Diamond Like carbon)等。使用含氯氣體作為洗淨氣體源時，用含此等任一物質來構成輸送配管之内壁面，由含氯氣體產生之活性種在輸送配管内不易純化。本發明之基板處理裝置的洗淨方法具備：輸送配管冷卻製程，冷卻配置於基板處理裝置之處理室與外部容器間之輸送配管的内壁面；洗淨氣體源供給製程，供給洗淨氣體源至外部容器内；活性種產生製程，令其激發供給至外部容器内之洗淨氣體源，產生用以由洗淨氣體源洗淨處理

第11頁 1227511 五、發明說明（4) 容器内之活性種；以及活性種輸送製程，藉由輸送配管，將產生於外部容器内之活性種輸送至處理容器内。由於本發明之基板處理裝置的洗淨方法具備如此輸送配管冷卻製程，故可抑制在輸送配管内活性種之鈍化。本發明之其他基板處理裝置的洗淨方法，具備：洗淨氣體源供給製程，供給洗淨氣體源至外部容器内；活性種產生製程，令其激發供給至外部容器内之洗淨氣體源，令其由洗淨氣體源產生用以洗淨基板處理裝置處理容器内之活性種；以及活性種輸送製程，藉由至少内壁面係由與活性種難以反應之物質所形成的輸送配管，將產生於外部容器内之活性種輸送至處理容器内。由於本發明之基板處理裝置的洗淨方法具備如此活性種輸送製程，故可抑制在輸送配管内活性種之鈍化。四、【實施方式】 [實施發明之最佳形態] (第1實施形態）以下說明關於本發明之第1實施形態。圖1係本實施形態中成膜裝置示意構成圖。如圖1所示，成膜裝置1具有由例如紹或不銹鋼所形成之處理室2。而處理室2亦可施以表面滲鋁處理等表面處理。在處理室2之側部形成開口 2 A，開口 2 A附近安裝有將晶圓W搬入處理室2内時或將晶圓W由處理室2内搬出時開關之閘閥3。

第12頁 1227511 五、發明說明（5) 曰"在Λ理室2内配置有裝載晶圓W之略圓板狀之晶座4。日日座4係由例如A1N或Al2〇3等之陶置有當作下部電極作用之電極5…電成極5::二内配在晶座4内配置有將晶座4加熱至規定溫度之加埶哭 V:曰電流流至加熱器6使日曰日座4加熱至規定溫度，來、將震載於日日座4之晶圓f加熱至規定溫度。 ^曰曰座4之3處形成上下方向之令晶圓^降之孔4a。在孔4A之下方各配置有可插入於孔以之圓升降銷:係令晶圓升降銷7直立地固定於晶圓丄 8上。氣Μ固定在晶圓升降銷支架8 = 缸9之活塞桿9Α之縮退，使晶圓升㈣動由乳置於晶座4上。又，以氣…動，由『二曰曰二則载使晶圓升降銷7上升，晶圓？則自晶座4分離。、缩嚢it處：ΪΠ’ I置有包覆活塞桿9Α伸縮自如之伸伸縮囊1〇包覆活塞桿9Α可保持處理室2内之在處理室2之外侧，繞組將處理室2加由電流流至加熱器u可令…2力=定之

Sl (T室(2Λ上部：成開口。在開口向著晶座4供給〇 itm k e rae 〇xysilane 四乙氧基梦：teos )及〇上並插入“乍上部電極作用之蓮蓬頭12。纟蓮蓬頭【 ===_8及〇2於處理室2内後之狀態下，由 rj '、"、作動可加強蓮蓬頭1 2與電極5間之高頻電第13頁 1227511 五、發明說明（6) 壓，在蓮蓬頭1 2與晶座4間產生電漿。蓮蓬頭1 2分成供給TEOS之TEOS供給部12A與供給02之02 供給部1 2B的構造。由將蓮蓬頭丨2做成如此之構造，可使 T E 0 S與％在蓮蓬頭1 2之外部混合。在TEOS供給部12A形成供給TEOS之多數TEOS供給孔。又’同樣地，在〇2供給部丨2B形成供給〇2之多數〇2供給孔。在TEOS供給部12A連接供給TEOS於TEOS供給部1 2A之 TEOS供給系統20。又，〇2供給部丨2B連接供給〇2於％供給部 12B之02供給系統3〇。丁E0S供給系統20具備已收容TEOS之TEOS供給源21。在 TEOS供給源21之一端連接著已連接TE〇s供給部丨2A iTE〇s 供給配管22。在TEOS供給配管22有調節閥23及TEOS流量之質量流$控制器（MFC) 24介於其間。在質量流量控制器 24已調節之狀態下，由打開閥23使規定之流量由^⑽供給源21供給TEOS於TEOS供給部12A。〇2供給系統30具備收容A之％供給源31。在〇2供給源31 之一端連接著已連接％供給部12B之％供給配管32。在％供々配苢3 2有凋節閥3 3及〇2流量之質量流量控制器3 4介於其間在貝昼里控制姦3 4已調節之狀態下，由打開閥3 3使規定流量由〇2供給源3 1供給〇2於〇2供給部1 2 b。在$理室2之底部連接將處理室2内排氣之排氣系統 40。排氣系統40之一端具備已連接無圖示減壓泵之排氣配管41。由無圖示減壓泵之作動，可藉由排氣配處室2内排氣。 &

1227511

五、發明說明（7) 處理室2與排氣配管41間有控制處理室2内壓力之自動麼力控制器（APC) 42介於其間。由在自動壓力控制器“ 調節電導可控制處理室2内之壓力成規定壓力。在處理室2之外部配置由Al2〇3所形成之外部室51，在外部室51連接將評3供給外部室51之NFS供給系統52。評3供給系統52具備已收容NFS之NF3供給源53。在NF供终源心夕' 二端連接已連接外部室51之NFS供給配管54。供給配管54有調節閥55及NFS流量之質量流量控制器（MFC ) 56介於其間。在質量流量控制器56已調節之狀態下，由打開閥 5 5使NFs供給源5 3供給規定流量之nF3於外部室5 1内。在外部室5 1之外部，令其激發供給於外部室5丨内之評 {，配置令其由NFS產生F自由基之自由基產生機構57。自由基產生機構5 7主要包含：銅線5 8，繞組外部室5 1 ;高頻電源59，已連接於銅線58。以高頻電源59之作動，由高頻電流流向銅線5 8激發供給於外部室5丨内之，產生F自由基。而除F自由基外亦產生f離子等。在外部室5 1與處理室2之間配置用以運輸在外部室5 i 内產士之F自由基至處理室2内的輸送配管6〇。本實施形態，輸送配管6 0係由Si〇2所形成。在輸送配管6〇之外壁面安裝有冷卻輸送配管60内壁面之帕耳帖元件61。由電流流至帕耳帖元件61可降低帕耳帖元件61之溫度，且輸送配管6〇之内壁面可冷卻至規定溫度。八在輪送配管60有成膜時關閉，且洗淨時打開之閘閥62 介於其間。在輸送配管60之處理室2側的前端形成凸緣6〇

1227511

A。由將凸緣6〇 A以螺栓6 理室2，可使輸送配管6〇固狀之介裝構件64固定於處在凸緣60 A與介裝構件6 至2。之間各有環狀熱絕緣性構件6 凸緣―與處理室2 性構件65、66各介於豆間 66 "於其間。由令熱絕緣配管6 〇。 j使處理室2難以傳熱至輸送緣性生構件66之間及處理室2與熱絕構件^ 、68介於其間。… ^ 、八a〗了使處理室2内保持氣密性。上下依照圖2說明關於在成膜裝置1進行之成膜。程圖本實施形態中以成膜裝置1進行之成膜的流首先，在閘閥6 2關閉狀態下，無圖示之減壓泵作動，進：處理室2内之抽真$ (1〇1步驟）。其次，t流流至加熱器6、11，加熱晶座4及處理室2 (丨〇 2步驟）。在處理室2内之壓力降低至規定壓力，且晶座4之溫度約在3 5 0〜4 0 0 °C以及處理室2之溫度約穩定在1〇〇 °c後，打開閘閥3，保持於晶圓w之無圖示搬運手臂會伸長，晶圓w 即搬入處理室2内（1〇3步驟）。其後，搬運手臂縮退，晶圓W則載置於晶圓升降銷7。晶圓W載置於晶圓升降銷7後，由氣缸9之驅動使晶圓升降銷7下降，晶圓W則載置於晶座4 ( 104步驟）。晶圓W在規定溫度穩定後，處理室2内之壓力維持在約 7 0Pa之狀態下，打開閥23、33，TEOS以約lOOsccm之流量

1227511 五、發明說明（9) 供給至處理室2内，同時02以約1 〇〇〜2 〇〇 s c c m之流量供給至處理室2内（1〇5步驟）。隨後，在T E 0 S及02供給至處理室2内之狀態下，由高頻電源1 3加強1 3 · 5 6 Μ Η z之高頻電壓至蓮蓬頭1 2與電極5之間 (106步驟）。在TEOS及A供給至處理室2内之狀態下，由加強高頻電壓至蓮蓬頭12與電極5之間，蓮蓬頭12與晶座4 之間產生電漿，在晶圓W上形成S i 02膜。士經過規定時間後，閥23、33關閉，TE0S及ο?停止供給同日守如止加強高頻電壓，終止S i 〇2膜之形成（丨〇 7步驟）。 S i 〇2膜之形成終止後’由氣缸9之驅動，晶圓升降銷7 上升’晶圓W自晶座4分離（108步驟）。其後，打開閘閥3後，無圖示搬運手臂伸長，晶圓w保持於搬運手臂。最後搬運手臂縮退，晶Kw自處 (1 0 9步驟）。

^以下依照圖3及圖4說明關於在成膜裝置丨進行之洗淨。圖3係顯示在本實施形態中用成膜裝置進行洗的 =圖。圖4A〜圖4D係顯示在本實施形態中洗淨示意製程L 百先丄在閘閥62打開之狀態下，無圖示之減壓果作動，進行處理室2内之抽真空（201A步驟）。隨流至加熱器6、11，加熱晶座4及處理室2，同時如圖^ 帕耳帖元件61來冷卻輸送帽之内壁面處理室2内之壓力維持在約1()()pa，且晶座*之溫度約

第17頁 1227511 五、發明說明（ίο) 2 0 0 °C，處理室2之溫度約1 0 0 °C，以及於、* π — η Λ 久翰迗配管60之内壁面溫度穩定在室溫程度後’打開閥5 5，如圖4Β所示，約 5〇Osccm流量之NFS供給於外部室5 1内（2〇3Α步驟^、。且， NF3係與載體氣體同時供給的。夕' 接著，在評3供給至外部室51内之狀態下，高頻電源59 作動’如圖4C所示在銅線58有約13·56ΜΗΖ2高頻電流流動 ( 204Α步驟）。由肝3供給至外部室51内之狀態下，由銅線 5 8有南頻電流流動’激發外部室5 1内之ν f?3，產生ρ自由基。 3

產生之F自由基被處理室2内之排氣及所供給之NF3推出’如圖4D所不’措由輸送配管60輸送至處理室2内 (205A步驟）°F自由基若被輸送至處理室2内，與附著在 F自由基與處理室2内壁面等之Si 〇2反應，產生siF4。因所產生之S i F4氣化，可由排氣自處理室2内迅速地排出。而， NF3在進行洗淨期間始終供給著經過規定時間後，關閉閥5 5，同時停止供給高頻電壓，終止處理室2内之洗淨（2 0 6 A步驟）。

因本實施形態係冷卻輸送配管6 0之内壁面同時輸送自由基，故可抑制輸送配管6 〇内之F自由基的鈍化。亦即’ 輸送配管内F自由基純化的原因之一在於F自由基與輸送配管衝突，F自由基與輸送配管反應。在此，因一般來說’ 溫度降越低，超活化能之物質數越降低，故頗難反應。因此，由冷卻輸送配管6〇之内壁面，使F自由基與輸送配管 6 〇之反應困難，可抑制輸送配管6 〇内之F自由基鈍化。

第18頁 1227511 五、發明說明（11) 又，F自由基對S i 02之餘刻率的溫度相依性係由下式 (1)表示為人所知。 ER =10AnFT1/2exp (-隱）——式（1) (ER :蝕刻率（nm/m in ) 、A :頻率因數、nF : F 原子百分數、T :絕對溫度（K ) 、Ea :活化能（KJ/mol )、 R :氣體常數（8· 31 J/mol · K )) 將A、nF及Ea —定，使用式（1 )，若比較在溫度120 °C 時及溫度0 °C時之蝕刻率，溫度0 °C時之蝕刻率為溫度1 2 0 °C時之蝕刻率的約1 / 1 0。由此結果，可說因冷卻輸送配管 60之内壁面，可抑制F自由基之鈍化。而，式（1)亦可適用於使用其他物質。由於本實施形態之輸送配管6 0使用S i 02，所以可令其減低晶圓W之金屬污染。在此，s i 02容易與F自由基反應。因此’以S i 〇2形成輸送配管時，輸送配管容易劣化。然而，因本實施形態之輸送配管6 0的内壁面有冷卻，故可抑制S i 02與F自由基之反應。因此，即使以s i 02形成輸送配管時’輸送配管不谷易劣化，即可能當作輸送配管6 〇使用。 (第2實施形態）以下說明關於本發明之第2實施形態。而，以下本實施形態以後之實施形態中有關與在先實施形態重複内容亦有省略說明。在本實施形態說明有關用冷卻水冷卻輸送配管之例。圖5係顯示在本實施形態中成膜裝置的示意構成

第19頁 1227511 五、發明說明（12) 圖。如圖5所不，在輪送配管6 〇，有用以冷卻輸送配管6 〇之内壁面而繞組之冷卻配管71。冷卻配管7丨之兩端連接保留冷卻水之冷卻槽72。在冷卻配管71有自冷卻槽72抽出冷卻水之泵7 3介於其間。由泵7 3之作動，抽出冷卻槽7 2内之冷卻水，冷卻水在冷卻配管71内循環。而，在本實施形態，帕耳帖元件6 1並未安裝於輸送配管6 〇之外壁面。以下依照圖6及圖7說明關於在成膜裝置1進行之洗淨。圖6係顯示在本實施形態中用成膜裝置進行洗淨的流程圖。圖7係顯不在本實施形癌中洗淨示意製程圖。首先，在閘閥6 2打開之狀態下，無圖示之減壓泵作動，進行處理室2内之抽真空（2 0 1 B步驟）。隨後，電流流至加熱器6、1 1，加熱處理室2等，同時如圖7所示，由泵7 3之作動，供給冷卻水至冷卻配管7 1内，冷卻冷卻配管 7 1 ( 2 0 2 B 步驟）。其後，打開閥5 5，N Fs供給至外部室5 1内（2 〇 3 B步驟 )。接著，在NF3供給至外部室51内之狀態下，高頻電源59 作動，高頻電流流至銅線5 8 ( 2 0 4 B步驟）。產生之F自由基被處理室2内之排氣及所供給之推出，藉由輸送配管60輸送至處理室2内（2〇5b步驟）。經過規定時間後，關閉閥55，同時停止供給高頻電流，終止處理室2内之洗淨（2 0 6 B步驟）。 (第3實施形態）

第20頁 1227511 五、發明說明（13) 以下說明關於第3實施形態。在本實施形態，說明有關將輸送配管由S i 〇2與聚四氟乙烯（PTFE )形成之例。圖8 係顯示在本實施形態中輸送配管示意垂直剖面圖。如圖8所示，輸送配管60包含3丨02管6〇8，由3丨02所形成；PTFE層60C，由難以反應F自由基之ptfe所形成。 PTFE層6 0C係塗裝於Si02管6(^之内壁面。由於在本實施形態之Si02管60B的内壁面係由與f自由基難以反應之PT FE層6 0C所形成，故可抑制輸送配管6 〇内F自由基鈍化。 (第4實施形態）以下說明關於第4實施形態。在本實施形態，說明有 =ϋ輸运配管由A1形成之例。圖9係顯示在本實施形態中運輸配管示意垂直剖面圖。由1圖9所示，輸送配管6 0由A1所形成。本實施形態係可2成輪送配管60，但即使由A1形成輸送配管6〇時，亦由^备在輪运配管6〇RF自由基之鈍化。亦即，△丨與1^自此，i ^應’但若A 1與F自由基反應會產生鋁氟化物。在基反應氟2物與F自由基之反應性低。由此，A 1與F自由 F自^美右在輸送配管60之内壁面形成銘氟化物之薄膜，配管60二之，舌性化便很難消失。因此，即使由A1形成輪送 :’亦可抑制在輪送配管6 〇内F自由基之鈍化。材質，久Μ、不限定於上述實施形態之記載内容，構造或件之配置等，只要不偏離本發明之要旨範圍可

1227511 五、發明說明（14) 適當變更。在第1〜第4實施形態，用以令其產生F自由基而令其產生電漿，但亦可由光照射令其產生F自由基。在第1〜第4實施形態中，去除附著於處理室内壁面等之Si02，亦可去除TiN。在此情況下，令其產生C1自由基來去除TiN。在此，C1自由基可由如HC1、Cl2及队13等之任一來令其產生。在第1〜第4實施形態中使用晶圓W，但亦可用玻璃基板。又，說明有關成膜裝置，但不限成膜裝置，亦可能適用於蝕刻裝置。 [產業上之利用可能性] 本發明中之基板處理裝置及基板處理裝置的洗淨方法可利用於半導體製造業。

第22頁 1227511 圖式簡單說明五、【圖式簡單說明】圖1係顯示在第1實施形態中成膜裝置之示意構成圖。圖2係顯示在第1實施形態中以成膜裝置進行之成膜的流程圖。圖3係顯示在第1實施形態中以成膜裝置進行洗淨的流程圖。圖4A〜圖4D係顯示在第1實施形態中洗淨示意製程圖。圖5係顯示在第2實施形態中成膜裝置之示意構成圖。圖6係顯示在2實施形態中以成膜裝置進行洗淨的流程圖。圖7係顯示在第2實施形態中洗淨示意製程圖。圖8係顯示在第3實施形態中運輸配管示意垂直剖面圖。圖9係顯示在第4實施形態中運輸配管示意垂直剖面圖。符號說明 1〜成膜裝置 2〜處理室 2A〜開口

3〜閘閥 4〜晶座 4A〜子L

第23頁 1227511 圖式簡單說明 5〜電極 6〜加熱器 7〜晶圓升降銷 8〜晶圓升降銷支架 9〜氣缸 9A〜活塞桿 1 0〜伸縮囊 11〜加熱器 1 2〜蓮蓬頭 12A〜TEOS供給部 12B〜02供給部 1 3〜高頻電源 20〜TEOS供給系統 21〜TEOS供給源 22〜TEOS供給配管 23〜閥 24〜質量流量控制器 3 0〜02供給系統 3 1〜〇2供給源 3 2〜02供給配管 3 3〜閥 34〜質量流量控制器 4 0〜排氣系統 4 1〜排氣配管

第24頁 1227511 圖式簡單說明 4 2〜自動壓力控制器 5 1〜外部室 52〜NF3供給系統 5 3〜N F3供給源 5 4〜N F3供給配管 5 5〜閥 5 6〜質量流量控制器 57〜自由基產生機構 5 8〜銅線 5 9〜南頻電源 6 0〜輸送配管 60A〜凸緣 60B〜Si02 管 60C〜PTFE 層 6 1〜帕耳帖元件 6 2〜閘閥 6 3〜螺栓 64〜介裝構件 6 5〜熱絕緣性構件 6 6〜熱絕緣性構件 6 7〜密封構件 68〜密封構件 7 1〜冷卻配管 7 2〜冷卻槽

第25頁 1227511 圖式簡單說明 73〜泵

Hill 第26頁

Claims

1227511 六、申請專利範圍 1. 一種基板處理裝置，包含： a) 處理容器，用以收容基板； b) 外部容器，配置於該處理容器外部； c) 洗淨氣體源供給系統，用以供給洗淨氣體源至該外部容器内； d) 活性種產生機構，激發供給該外部容器内之洗淨氣體源，產生用以由該洗淨氣體源洗淨該處理容器内之活性種； e) 輸送配管，用以輸送在該外部容器内產生之該活性種至該處理容器内；以及 f) 冷卻機構，用以冷卻該輸送配管之内壁面。 2. —種基板處理裝置，包含： a) 處理容器，用以收容基板； b) 外部容器，配置於該處理容器外部； c) 洗淨氣體源供給系統，用以供給洗淨氣體源至該外部容器内； d) 活性種產生機構，激發供給該外部容器内之洗淨氣體源，產生用以由該洗淨氣體源洗淨該處理容器内之活性種；以及 e) 輸送配管，至少其内壁面係由難以與該活性種反應之物質所形成，用以輸送在該外部容器内產生之該活性種至該處理容器内。

第27頁 1227511 六、申請專利範圍 3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中該輸送配管至少以2種類之物質所形成。 4. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中該輸送配管以1種類之物質所形成。 5. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中該洗淨氣體源係含氟之氣體，且該輸送配管之内壁面係由含A 1、 F、及C r之任一物質所形成。 6. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中該洗淨氣體源係含氯之氣體，且該輸送配管之内壁面係由含S i及C 之任一物質所形成。 7. 一種基板處理裝置之洗淨方法，包含： a) 輸送配管冷卻製程，用以冷卻配置於基板處理裝置之處理室與外部容器間之輸送配管的内壁面； b) 洗淨氣體源供給製程，用以供給洗淨氣體源至該外部容器内； c) 活性種產生製程，令其激發供給至該外部容器内之該洗淨氣體源，用以產生由該洗淨氣體源洗淨該處理容器之活性種；以及 d) 活性種輸送製程，藉由該輸送配管，將產生於該外部容器内之活性種輸送至該處理容器内。

第28頁 1227511 六、申請專利範圍 8. 一種基板處理裝置之洗淨方法，包含： a) 洗淨氣體源供給製程，用以供給洗淨氣體源至外部容器内； b) 活性種產生製程，用以激發供給至該外部容器内之該洗淨氣體源，俾由該洗淨氣體源產生洗淨基板處理裝置之處理容器内之活性種；以及 c) 活性種輸送製程，藉由至少内壁面係由與該活性種難以反應之物質所形成的輸送配管，將產生於該外部容器内之活性種輸送至該處理容器内。 9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置的洗淨方法，其中該洗淨氣體源係含氟之氣體，且該輸送配管之内壁面係由含A1、F、及Cr之任一物質所形成。 10.如申請專利範圍第8項之基板處理裝置的洗淨方法，其中該洗淨氣體源係含氯之氣體，且該輸送配管之内壁面係由含S i及C之任一物質所形成。

第29頁