TWI227063B - Light emitting diode and fabrication method thereof - Google Patents
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Description
1227063 ------ 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 且特 以提 本發明係有關於一種發光二極體及其製造方法 古關於一種特殊結構之發光二極體及其製造方法 N其發光效率。 【先前技術】 發光二極體（llght emittlng dl〇de， 一種固態元件，可產生在光磁中特宗、ά且門枏)為 來作盔此 座生在允°日中特疋波長區域的光，常用 乍為拍不燈、照明設備與顯示器。 用 光-圖為一常見之發光二極體結構，包括基材1〇、笋 ^:=-〇極二歐姆接觸電極30與p型歐姆接觸電極 觸電極40分別與n型半導ϋ接^極3◦與？型歐姆接 接，而ά Ρ半導體層23電性連 而出先面為發光二極體晶粒2〇之上表面，彳曰如 所不，η型歐姆接觸雷η的 丨 弟固 光二極體晶粒2。之上表極:，= 2〇所$ Λ 0 / 、、、口構b使侍發光二極體晶粒 遮：姆接觸電極3咖歐姆接觸電極4〇 2HV使仔發先二極體之整體發光效率下降。料，如第 2圖所不，n型歐姆接觸 如弟 時之基材10必須為導電材:於基材10之下表面，此 姆接觸電極30電性接觸，二1使η型半導體層21與η型歐 二極遮住，同樣地也會使使發光 而上述之問題可葬由承日 9 设日日（f 1 ip chip )技術解決，
〇338-A20289rrWF(N1); 08 -920110 ； i ce. ptd 第6頁 1227063 五、發明說明（2) " --------一 如第3圖所不，就是將第1圖中之發光二極體之結構上卞顛 倒^n、、姆接觸電極30與P型歐姆接觸電極40位於最下 3方，:為發光面的基材1〇位於最上方，由於基材本身為透 明材貝且其上表面並無遮光物質存在，並且有p型反射層 可將往下的光反射向上，故可提高發光二極體之整體 七k 农 η 化 ^ 此外’由於發光二極體的折射率通常大於外界（如空 氣）的折射率’且習知發光二極體的形狀主要為立方體， 因此’當發光二極體所產生的光到達與空氣之界面時，大 於臨界角的光就會全反射到發光二極體内部，且發光二極 體又為界面皆相互平行的立方體，使得大於臨界角的光線 只能一直在内部全反射而無法向外發射出，導致發光二極 體之整體發光效率下降。 為解決上述問題，惠普（HP )公司發展出一種截頭倒 置 i合型發光一極體（truncated inverted .pyramid LED， 簡稱T I P LED )，利用直接切割的方式將發光二極體晶粒 側面加工成倒金字塔型，使其側面不再是相互平行的面， 以使光線可有效地引出晶粒外進而以提高發光效率。此 T I P L E D之相關文獻及專利如下：μ · R. Krames et a 1.， Appli· Phys· Lett· 75(16)，23 6 5， 1 9 9 9、美國專利第 6, 2 2 9，1 6 0號與美國專利第6，3 2 3，0 6 3號。但此方式只能用在 容易加工（如切割）的材料上，如A 1 G a I η P / G a P，但常見 之白光發光二極體通常為氮化鎵發光二極體，其基板大多 為藍寶石（sapphire)基板，而藍寳石基板相當堅硬不易
03 38-A20289TWF(N1);08-920110;ic e.p t d 第7頁 1227063 五、發明說明（3) ------ 加工’故無法利用此方式來改善發光效率。 此外，CREE利用較易加工的碳化矽（s i c )基板取代 氮化鎵發光二極體的藍寳石基板，也成功地將氮化鎵發光 二極體做成TIP形狀（Compound Semiconductor, 7(1)， 7，200 1 )，但氮化鎵與碳化矽之晶格並不匹配且碳化矽 在短波長範圍其對光的吸收係數會增大，反而會使發光效 率減低。 除利用倒金字塔型之發光二極體外，還有利用表面紋 理（surface texture)結構的設計來改變出光角度以提 高發光效率。 美國專利第6, 133, 589號提出在藍寶石基板或氮化鋁 録銦層上形成表面紋理後再繼續成長蟲晶，當光到達此表 面紋理時，此表面紋理可改變光的方向使出光率增加。但 藍寶石基板的硬度相當高，要形成表面紋理相當困難；而 鼠化铭嫁姻層上雖可形成表面紋理，但卻會導致蠢晶品質 不佳的問題。 另外，在美國專利第6, 2 58, 6 1 8號中是直接將表面紋 理做在p型半導體層上，但這會使得p型半導體層不再是一 平坦表面而導致電阻升高，而且因為P型半導體層並不 厚，所以在P型半導體層上製作表面紋理時常會挖穿P型半 導體層’造成發光層發光區域減少或電子電動表面結合 (surface recombination)的現象，影響整體發光二極體 的效能。 J：匕夕卜在Compound Semi conductor January 2 0 0 2.
0338-A20289TWF(N1);08-920110;i ce.p t d 第 8 頁 1227063 五、發明說明（4) ---- (Schnud et ai·， Wlndlsch et al.)中也曾報導藉由晶 片接合（wafer bonding)的方式將電極放在承載層 (carrier layer)與半導體層間，並藉由剝落法曰 (lift-off )形成無電極出光面，再於此出光面上形成 面紋理以增加出光效率。但此方式雖可以解決口型半導體 層不再是一平坦表面而導致電阻升高的問題，但在製 面紋理還是會有挖穿至下一層的可能性’而影響整體發光 二極體的效能，此外，由於此技術還需要多製作—層承 層’所以也會使製程更加複雜。 所以業界亟需提出一種可以解決上述問 體與其製法來提高發光效率。 …七先—極 【發明内容】 有鑑於此，本發明的目的之一就是提供一種發光二極 體’以提局其發光效率。 為達上述目的，本發明提供一種發光二極體，包括： 二，光二極體晶粒包括—n型半導體層、一活化層與一 P型 半導體層；一η型歐姆接觸電極與上述11型半導體層電性連 接，一Ρ型歐姆接觸電極與上述口型半導體層電性連接；以 及一氮化鋁銦鎵厚膜位於上述發光二極體晶粒上，且此氮 化鋁銦鎵厚膜具有一斜側面與一紋理化的上表面。 本發明之發光二極體具有下列優點： —1胃由於本發明之發光二極體為覆晶結構，且以氮化鋁 钢叙厚膜為出光面，故在氮化鋁銦鎵厚膜上方並無歐姆接 觸電極等其它非透光物將光遮住，故可提高發光二極體的
1227063 五、發明說明（5) 整體發光效率。 2 ·由於作為出光面的氮化鋁銦鎵厚膜的側面具有斜 度’可降低全反射而使發光二極體的整體發光效率提高。 3.由於作為出光面的氮化鋁銦鎵厚膜其上表面具有表 面紋理（surface texture)，以提高發光二極體的整體 發光致率。 4 ·由於氮化铭_鎵厚膜的厚度遠大於一般氮化鎵層的 厚度’故可減低製作表面紋理時表面紋理深過此層的機 率 〇 此外’本發明的另一目的就是提供一種發光二極體的 製造方法，以更容易製造出高發光效率的發光二極體。 為達上述目的，本發明尚提供一種發光二極體的製造 方法，包括·提供一基板，形成一第一圖案於上述基板 上，利用磊晶法形成一具有斜側面的氮化鋁銦鎵厚膜於上 述第一圖案上，且此氮化鋁銦鎵厚膜具有一第一平台表 面；形成一發光二極體晶粒於上述氮化鋁銦鎵厚膜的^一 平口表面上，且此發光二極體晶粒包括—n型半導體芦 二活化層與一 P型半導體層；形成一 n型歐姆接觸電極9與 述Γ1型半導體層電性連接；形成一 p型歐姆接觸電極與 P型半導體層電性連接；將上述結構上下錯置；移除上述1· 基板以露出上述氮化鋁銦鎵厚膜之一第二平台表面· 、 紋理化（texture )上述第二平台表面以形成一紋理化以及 表面。 勺 本發明之發光二極體具有下列優點：
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切I L之11化鎵發光二極體基板硬度高，要利用切割方 側面相當不易；而由於本發明之氮化链銦鎵厚膜 /成，自然就具有斜側面，並不需額外加工（如切割），、 故可簡化製程、提升良率與降低製作成本。 【實施方式】 “為使本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易l'董’下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細 σ兒月ί下。此外，本實施方式會在許多例子中重複使用相 同的符號與/或名稱，這是為了簡化與清楚描述，並不是 表示這些組成之間有關係。 本發明之發光二極體的結構 第4圖為本發明發光二極體1 〇 〇之結構剖面圖，包括氮 化铭銦鎵厚膜11 〇與發光二極體晶粒丨2 0。其中發光二極體 晶粒120包括η型半導體層121、活化層122與Ρ型半導體層 123，且η型歐姆接觸電極丨3〇與η型半導體層12ι電性連 接，Ρ型歐姆接觸電極1 4 〇與ρ型半導體層電性連接丨2 3，此 外’位於發光二極體晶粒1 2 〇上的氮化铭銦鎵厚膜1 1 〇具有 斜側面111與紋理化的上表面丨丨2。其中具有斜側面丨丨1與 紋理化的上表面11 2的氮化鋁銦鎵厚膜11 〇為本發明最重要 的特徵。 氮化鋁銦鎵厚膜11 〇所具之斜側面1 1 1有下列特徵：說 化紹銦鎵厚膜1 1 0的成分為氮化紹銦鎵（A lxGa U_X_Y ) I ηγ Ν， 0SX ’Υ<1 ’〇$Χ + Υ<ΐ) ’其中氣化爹呂铜蘇之銘、姻、 鎵各金屬比例並非固定值，所以此層非由單一化合物所組
03 38-A202S9TWF(Ν1);08- 920110;ic e.p t d 第 11 頁 1227063 五、發明說明（7) 成，故稱為氮化鋁銦鎵厚膜。氮化鋁銦鎵厚膜11〇的产 大於20 νπι，且較佳為20 #m_100 ’比—般發光二:ς ，二化鎵層來得厚’故稱為厚膜，此較厚之厚χ度 體 止表面紋理過深而穿過此層，並增加出光視窗大小。= 銘銦鎵厚膜11G的内徑大於15卜，且較佳為2 = ，底部的形狀為多邊形（如四邊形或六邊形 。⑽ 或橢圓形，底部與斜側面lu之失角為43〜62。。圓形 此外，氮化油鎵厚膜11G所具有的紋理 U2有下列特徵：紋理化的上表表面 士技 。， “钓凸狀結構或凹狀έ士 構，且此凸狀結構或凹狀結構的形 Μ / 圓形，如第5A〜5D圖所示之： = 邊形、®形或擴 <亂化銘銦叙厚膜1 1 0之紋理化 η表面112依序為三角形凸狀結構、三角形凹狀、 圓”狀結構與圓形凹狀結構，1此形狀的尺寸小於發光 體晶粒120的尺寸且約為_〜5〇〇⑽。此外，凸狀结 3或凹：結構的側面與底部呈垂直或傾斜，如第6A〜6H圖 =中第6A圖為氣化銘銦鎵厚膜UQ之紋理化的上表 η如之凸狀結構與底部垂直之剖面®、第6B〜6D圖為氮 ::銦：厚膜u。之紋理化的上表面112之凸狀結構與底部 傾斜之剖面圖、第6 E圖兔& ,. 乐 α马氣化鋁銦鎵厚膜1 1 0之紋理化的 :面112之凹狀結構與底部垂直之剖面圖、第〜6η圖 马氮化鋁銦鎵厚膜Π 〇之妗 危 、、、理化的上表面1 1 2之凹狀結構與 現。’、* ί剖面圖。此外’ &凸狀結構或凹狀結構重覆出 之週期小於該發光二極體晶粒的尺寸，此 月為，、句lnm〜 5 0 0，。此外，此凸狀結構或凹狀結構之
()3HA2〇289TWF(N1);〇8_L)2〇n〇;ice ptd 第12頁 1227063 五、發明說明（8) 高度差小於氮化鋁銦鎵厚膜1 1 〇之厚声， 紹銦鎵厚膜U0使此元件受a，且此：狀：：：挖穿氮化 之高度差為lnm至氮化銘銦鎵厚膜之厚=了構或凹狀結構 本發明之發光二極體的製造方法 第7A〜7F圖為一系列剖 '面圖’用以說 極體的製造方法。首先提供基板1〇5，接 成第一圖案，如第7A圖所示，再利用蠢曰 & y 订〜用從日日法形成呈有斜側 面m的氮化銘銦鎵厚膜11G於第—圖案上，且此氮化㈣ 鎵厚膜11 〇具有第一平台表面113，如第7B圖所示。接著形 成發光二極體晶粒1 2 0於氮化鋁銦鎵厚膜1丨〇之第一平△表 面1 1 3上，此發光一極體晶粒1 2 〇包括n型半導體層1 2 1、活 化層122與p型半導體層123，再形成歐姆接觸電極wo 與η型半導體層1 2 1電性連接以及形成p型歐姆接觸電極1 4 〇 與P型半導體層123電性連接，如第7C圖所示。接著提供下 底板（submount ) 150，在下底板15〇上具有第一凸塊 (bump) 151與第二凸塊丨52，再將上述本發明之發光二極 體結構上下錯置，將η型歐姆接觸電極丨3 〇與第一凸塊 (bump ) 151電性連接且將ρ型歐姆接觸電極與第二凸 塊（bump ) 152電性連接，如第7D圖所示。接著將基板丨〇5 移除’以露出氮化鋁銦鎵厚膜之第二平台表面114，如 第7E圖所示。再紋理化（texture )所露出的氮化鋁銦鎵 厚膜11 0之第二平台表面11 4，以形成一紋理化的表面 112，如第7F圖所示。 如上所述’其中之基板1〇5可為藍寶石（sapphire )
1227063 五、發明說明（9) 基板、故化石夕（S i C )基板、；ε夕（S i )基板、碎化鎵 (GaAs)基板或氮化|呂（ain)基板等。而在基板1〇5上所 形成的第一圖案可為多邊形、圓形或橢圓形等圖形，且其 中之夕邊开》可為四邊形或六邊形，且圖案的内徑大於15〇 //m，且較佳為20()/^-1〇〇〇 ，此圖案將決定之後形成 之氮化鋁銦鎵厚膜11 〇的底部圖案。 此外，此氮化鋁銦鎵厚膜11 〇為氮化鋁銦鎵厚膜 (A lxGa (1|Υ + ，是由遙晶 法所形成的，如氫化物氣相磊晶法（hydride vapor
Phase epitaxy，簡稱HVPE)等，藉由控制HVPE磊晶成長 的各式參數來.形成斜側面ln，使此氮化鎵混成厚膜11〇在 形成後自然具有斜側面1 1 1。由於此氮化銘銦鎵厚膜1 1 〇是 形成於基板105之第一圖案上，所以若此第一圖案為四邊 幵〆所$成的氮化銘鋼録厚膜1 1 0就如倒金字塔型；若此 第一圖案為六邊形，所形成的氮化鋁銦鎵厚膜11〇就如第8 圖所不之圖形。由於氮化鋁銦鎵厚膜110的厚度大於20// m，且較佳為20 # m-1 00 // m，比一般氮化鎵發光二極體之 厚度還厚’利於之後之表面紋理化（surface texture) 步驟。而此氮化铭銦鎵厚膜丨丨〇的内徑大於丨5 〇 # ^，且較 佳為20 0 /zm_l〇〇〇 ，且其底部與斜側面j n之夾角為43 〜6 2 ° ’此爽角是在磊晶時所自然形成的，且此夾角與氮 化铭銦鎵厚膜11 〇晶格排列相關。 此外’發光二極體晶粒1 2 〇是利用習知的發光二極體 晶粒形成方法所形成，如金屬有機化學氣相沉積法
0338-A20289TWF(Nl)；08-920110;ice.ptd 第14頁 1227063 五、發明說明（10) (metal organic chemical vapor deposition ，簡稱 MOCVD)等。接下來，為要將氮化鋁銦鎵厚膜之表面紋 理化’故必須將基板1 〇5移除以使被紋理化的表面露出， 此移除基板1 0 5的步驟可利用雷射剝離法、乾式蝕刻法或 濕式蝕刻法等方式進行，以將氮化鋁銦鎵厚膜丨丨〇之第二 平台表面114露出，以進行之後的表面紋理化（s u r f a c e texture )步驟 〇 最後對所路出的氮化紹姻嫁厚膜110之第二平台表面 114進行表面紋理化（surface texture)步驟，此步驟包 括先在此第二平台表面114形成第二圖案（未顯示），如 利用光罩製程、電子束微影術、干涉式微影術等，此第二 圖案為多邊形、圓形或橢圓形，且圖案的尺寸小於該發光 一極體晶粒的尺寸’如約為1 nm〜5 〇 〇 v ^ ;接著再立體化 上述第二圖案’如利用蝕刻或切割的方式立體化上述第二 圖案’使氮化餘銦鎵厚膜110的第二平台表面114形成一紋 理化的表面112，此紋理化的表面為凸狀結構或凹狀結 構’如第5A〜5D圖所示，且此凸狀結構或凹狀結構的側面 與底部呈垂直或傾斜狀，如第6A〜6H圖所示，且其古产差 小於氣化銘銦鎵厚膜110之厚度’否則會挖穿氮化嫁Y成 厚膜110，此兩度差約為lnm〜氮化鋁銦鎵厚獏之厚度。此 外，此凸狀結構或該凹狀結構重覆出現，且重覆出ς之週 期小於該發光二極體晶粒的尺寸’其中此週期約為inm〜 500 /z m 〇 而第9圖所示即為在氮化鎵膜上製作凹凸狀結構的電
1227063
子顯微鏡照片，此一試片是先以干涉式微影技術在光阻上 形成週期為約33 0 nm，尺寸為約3〇〇nm的凹凸狀圖案，再 ，由反應式離子蝕刻等相關製程所得到之凹凸狀結構，其 :低差為約20〇nm左右。由此結果可知，在氮化鎵系列材 料上製作凹凸狀結構是實際可行的。 而第1 0圖為藉由上述之雷射剝離法，將氮化鋁銦鎵厚 f 110之第二平台表面114露出，所得到之τιρ型晶粒的SEM ^ ，此圖顯不藉由雷射剝離法的確可將氮化鋁銦鎵厚膜 與氧化鋁基板分開，露出氮化鋁銦鎵厚膜丨丨0之第二平台、 表面114，以進行之後的表面紋理化（surface 最後再經過切割上底板（subm〇unt)之步驟（未顯示 )即可直接彳于到在上底板（subm〇unt )上封裝好之分離 一顆顆表面紋理化之出光面之T丨p型覆晶晶粒，這樣不但 I簡化晶粒切割步驟、增加良率與降低生產成本的效益一， 還可直接得到覆晶型式晶粒，使得晶粒散熱及出光等 獲付更佳的改善效果，提升發光二極體整體的發光效率。 雖然本發明已揭露較佳實施例如上，然其並非用以 ^本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1227063 圖式簡單說明 第1圖為一剖面圖，用以說明習知發光 構 極體之結 結構 結構 第2圖為一剖面圖，用以說明習知另— 〇 第3圖為一剖面圖，用以說明習知發光 發光二極體之 極體之覆 曰曰 構0 第4圖為-剖面圖’用以說明本發明發光二極體之結 第5A〜5D圖為—系列側視圖，用以說 極體之氣化銘銦鎵厚膜之紋理化的上表面月毛光' 辦第6圖為—系列剖面圖，用以說明本發明發光 極體之…銅鎵厚膜之紋理化的上表面特徵 第7A〜7F圖為-系列剖面圖 _ 極體的製造方法。 兄β尽I明發光- 第8圖為-上視圖，用以說明本發明發 體 邊形氮化鋁銦鎵厚膜結構。 πι〃 第9圖為一電子顯微鏡照片，用以說明本發明發光二 極體之凹凸狀結構的氮化鎵膜。 第10圖為-SEM照片，用以說明本發明發光 Τ IΡ型晶粒結構。 【符號說明】 1 0、11 0〜基材 2 0、1 2 0〜發光二極體晶粒 21、121〜η型半導體層 第17頁 0338-A20289TWF(Nl);08-920110；ice.ptd 1227063 圖式簡單說明
、 122 - 、活 化層 23 ^ 123 - …P型半導體層 30 > 130 - 型歐姆接觸電極 40、 140 - 型歐姆接觸電極 100 〜發， 匕二 極體 105 〜基板 111 〜斜側面 112 〜紋理化 的上表面 113 〜第- -平 台表面 114 〜第二 :平 台表面 150 〜下底板 (submount ) 151 〜第- -凸 塊（bump) 152 〜第二 二凸 塊（b u m p ) 0338-A20289TWF(Nl);08-920110;ice.ptd 第18頁
Claims (1)
1227063 六、申請專利範圍 1· 一種發光二極體，包括： lx光一極體晶粒包括一 n型半導體声 一p型半導體層； 曰 一 姆接觸電極與上述n型半導體層電性連接； 及一 Ρ ,歐姆接觸電極與上述ρ型半導體層電性連接，·以 且i卜《 5 H，紹銦鎵厚膜位於上述發光二極體晶粒上’ :^ =鎵厚膜具有一斜側面與一紋理化的上表面。 # · 明專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該 γ ν ^ η予膜為虱化鋁銦鎵厚膜（AIxGa (η_υ) ΙηγΝ，〇 $ 3.如申請專利範圍第1項所述之 氮化銘銦鎵厚膜之厚度大於20 /zm。 4·如申請專利範圍第3項所述之 氮化铭鋼嫁厚膜之厚度較佳為20 ________ ^ 5 ·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體 氮化鋁銦鎵厚膜的内徑大於1 5 0 # m。 ^ 6 ·如申請專利範圍第5項所述之發光二極體 氮化铭銦鎵厚膜的内徑較佳為2 0 〇 # m〜1 0 0 0 // m 卜7 ·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體穴，& 氮化鋁銦鎵厚膜之底部的形狀為多邊形、圓形或橢圓形 8 ·如申清專利範圍第γ項戶斤述之發光二極體，其中該 多邊形為四邊形或六邊形。' 9 ·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中·該 光二極體光二極體 100 n 活化層與 其中該 其中該 其中該 ；ice.ptd ^ \9ί % 1227063 ------------ 六、申請專纖圍 " ----- 氮化鋁銦鎵厚膜的底部與斜側面之夾角為43〜62。。 I 0 ·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該 氮化铭銦鎵厚膜的紋理化的上表面為一凸狀結構或一凹狀 結構。 II ·如申請專利範圍第1 〇項所述之發光二極體，其中 該凸狀結構或該凹狀結構的形狀為多邊形、圓形或橢圓 形。 1 2 ·如申請專利範圍第丨〇項所述之發光二極體，其中 該凸狀結構或該凹狀結構的形狀的尺寸小於該發光二極體 晶粒的尺寸。 1 3 ·如申請專利範圍第丨2項所述之發光二極體，其中 該形狀的尺寸為Inm〜50 0 //m。 14·如申請專利範圍第1〇項所述之發光二極體，其中 該凸狀結構或該凹狀結構的側面與底部呈垂直或傾斜。 1 5 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之發光二極體，其中 該凸狀結構或該凹狀結構為一陣列。 1 6·如申請專利範圍第丨5項所述之發光二極體，其中 該陣列之週期小於該發光二極體晶粒的尺寸。 1 7·如申請專利範圍第丨6項所述之發光二極體，其中 吕亥週期為Inin〜500 Am。 1 8·如申請專利範圍第丨〇項所述之發光二極體，其中 該凸狀結構或該凹狀結構之高度差小於氮化鋁銦鎵厚膜之 厚度。 1 9·如申請專利範圍第丨8項所述之發光二極體，其中
1227063
該凸狀結構或該 膜之厚度。 凹狀結構之高度差為1 nm至氮化鋁銦鎵 厚 20· 一種發光二極體的製造方法，包括·· 提供一基板； 形成一第一圖案於上述基板上； 述第:U晶法形成一具有斜側面的氮化鋁銦鎵厚膜於上 述弟圖案上，且此氮化鋁銦鎵厚膜具有一第一平台表 ,二形成一發光二極體晶粒於上述氮化鎵混成厚膜的第一 平台表面上，且此發光二極體晶粒包括型半導體層、 一活化層與一 P型半導體層； 曰 形成一η型歐姆接觸電極與上述11型半導體層電性連 接， 形成一ρ型歐姆接觸電極與上述ρ型半導體層電性 接； 將上述結構上下錯置； 移除上述基板以露出上述氮化鋁銦鎵厚膜之一第二平 台表面；以及 紋理化（texture )上述第二平台表面以形成一紋理 化的表面。 2 1 ·如申請專利範圍第2 〇項所述之發光二極體的製造 方法，其中該基板為藍寶石基板、碳化矽基板、矽基板、 珅化鎵基板或氮化絲基板。 2 2 ·如申請專利範圍第2 〇項所述之發光二極體的製造
0338-A20289TWF(Nl);08-920il0;ice.ptd 1227063 六、申請專利範圍 方法，其中該第一圖案為多邊形、圓形或橢圓形。 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項所述之發光二極體的製造 方法，其中該多邊形為四邊形或六邊形。 24·如申請專利範圍第2〇項所述之發光二極體的製造 方法，其中該第一圖案的内徑大於150//Π1。 2 5·如申請專利範圍第24項所述之發光二極體的製造 方法，其中該第一圖案的内徑較佳為200/zm〜l〇〇〇//m。 26·如申請專利範圍第2〇項所述之發光二極體的製造 方法’其中該蠢晶法為氫化物氣相蟲晶法（h y d r i d e vapor phase epitaxy ，簡稱HVPE ) 0 2 7 ·如申請專利範圍第2 〇項所述之發光二極體的製造 方法，其中該氮化鋁銦鎵厚膜為氮化鋁銦鎵厚膜（AlxGa (Η_γ)ΙηγΝ，0$Χ，Υ<ΐ，〇$χ + γ<1)。 2 8 ·如申請專利範圍第2 〇項所述之發光二極體的製造 方法，其中該氮化鋁銦鎵厚膜之厚度大於20/zm。 2 9 ·如申請專利範圍第2 8項所述之發光二極體的製造 方法，其中該氮化鋁銦鎵厚膜之厚度較佳為2 0 // m〜1 0 0 // 3 〇 ·如申請專利範圍第2 〇項所述之發光二極體的製造 方法，其中該氮化鋁銦鎵厚膜的内徑大於1 5 0 // m。 3 1 ·如申請專利範圍第2 〇項所述之發光二極體的製造 方法，其中該氮化鋁銦鎵厚膜的内徑較佳為2 0 0 // m〜1 0 0 0 β m 〇 3 2 ·如申請專利範圍第2 〇項所述之發光二極體的製造
0338-A20289TWF(Nl);08-92011〇；ice.ptd 第22頁 1227063 六、申請專利範圍 方法，其中該氮化鋁銦鎵厚膜的底部與斜側面之夾角為4 3 〜62。。 3 3.如申請專利範圍第2 0項所述之發光二極體的製造 方法，其中該形成發光二極體晶粒的方法為金屬有機化學 氣相沉積法（metal organic chemical vapor deposition ，簡稱MOCVD )。 34·如申請專利範圍第20項所述之發光二極體的製造 方法，其中該移除基板的方法為雷射剝離法、乾式蝕刻法 或濕式蝕刻法。 3 5.如申請專利範圍第2 〇項所述之發光二極體的製造 方法，其中該紋理化（texture )第二平台表面的步驟包 括： 定義出一第二圖案於該第二平台表面上；以及 立體化上述第二圖案。 3 6·如申請專利範圍第35項所述之發光二極體的製造 方法，其中該在第二平台表面上定義出第二圖案的方法為 光罩製程、電子束微影術或干涉式微影術。 3 7 _如申請專利範圍第3 5項所述之發光二極體的製造 方法，其中該立體化第二圖案的方法為蝕刻或切割。 3 8 ·如申請專利範圍第3 5項所述之發光二極體的製造 方法，其中該第二圖案為多邊形、圓形或橢圓形。 3 9 ·如申請專利範圍第3 5項所述之發光二極體的製造 方法，其中該第二圖案的尺寸小於該發光二極體晶粒的尺 寸0
0338-A20289TWF(Nl)；〇8-92011〇；ice.ptd 第23頁 1227063 六、申請專利範圍 、4 〇 ·如申請專利範圍第3 9項所述之發光二極體的製造 方去/、中δ玄弟一圖案的尺寸為ΐηπι〜500//m。 、4 1 ·如申請專利範圍第2 0項所述之發光二極體的製造 方法’其中該紋理化的表面為一凸狀結構或一凹狀結構。 方法4,2 J如申^請專利範圍第41項所述之發光二極體的製造 々π ^ ”中δ亥凸狀結構或該凹狀結構的側面與底部呈垂直 或傾斜。 4,3 ·如申請專利範圍第4 1項所述之發光二極體的製造 /、中忒凸狀結構或該凹狀結構為一陣列。 、44·如申請專利範圍第43項所述之發光二極體的製造 方法其中該陣列之週期小於該發光二極體晶粒的尺寸。 4 5 ·如申凊專利範圍第& 4項所述之發光二極體的製造 方法，其中該陣列之週期為丨nm〜5 〇 〇 μ m。 46·如申請專利範圍第41項所述之發光二極體的製造 方法’其中該凸狀結構或該凹狀結構之高度差小於氮化鋁 銦鎵厚膜之厚度。 47·如申請專利範圍第46項所述之發光二極體的製造 方法’其中該凸狀結構或談凹狀結構之尚度差為1 n m至氮 化鋁銦鎵厚膜之厚度。—〇
0338-A20289TWF(Nl);08-920110；i ce.ptd 第24貢
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