TWI227037B - Method of forming planar color filters in an image sensor - Google Patents

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Description

1227037 五、發明說明(1) 發明所屬之技術領域·· 本發明與一種影像感測器有關,特別是一種應用到一 影像感測器之彩色濾波器。 先前技術: 影像感測器可以被利用來產生靜物攝影照片或電視影 像之電子積體電路。固態的影像感測器可以是電荷耦合元 件(CCD)型態或互補式金氧半導體(CMOS)型態。在每一 φ 種型態之影像感測器中,一光聚集圖素(pixel)是形成 於一底材中,並且排列在一二維陣列中。目前典型的影像 感測器包括數百萬的圖素以提供一高的影像之解析度。上 述影像感測器之最重要的部份是形成於上述圖素上之彩色 濾波器與微透鏡結構。就其名稱所暗示的,上述彩色濾波 器伴是隨著訊號的產生而提供一彩色影像。上述微透鏡則 提供了聚焦上述入射光線到上述圖素之上,並且因此增進 了每一個圖素的填充因子(fi 1 1 factor)。 底下之彩色濾波器之形成技術是相當成熟的,不過仍 ❶ 有一些問題可能會引起,特別是在更高的聚集密度中。例 如美國第6,2 9 7,0 7 1號專利、美國第6,3 6 2,5 1 3號專利與美 國第6,2 7 1,9 0 0號專利顯示了上述彩色濾波器之目前狀 態。在大部分的彩色濾波器製程中,一個最重要的需求是
1227037 五、發明說明(2) 上述彩色濾波器層以一種平面的方式被應用。如果底下的 底材被應用於上述彩色濾波器之上,則開始平面的方式是 比較容易完成的。 下面的底材,在上述彩色濾波器之下面,由於許多原 因所以是相當凹凸不平的。在習知技術中,這個凹凸不平 將可以被簡單地藉由利用旋轉(sp i n on)技術第一沉積 一第一平面層到上述底材地形之低凹處來解決。然後,一 第二平面層將沉積到上述第一平面層之上。這二個平面層 典型地是聚合物,例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚縮 φ 水甘油丙烯酸甲酯(PGMA)。然而,這個方法仍然無法提 供理想的平坦度。 發明内容: 本發明揭露一種平面化一影像感測器底材之方法,包 括:沉積一第一聚合物層於上述影像感測器底材之上;然 後,圖案化上述第一聚合物層以形成柱狀之第一聚合物 層;最後,沉積一第二聚合物層於上述柱狀之第一聚合物 層之上。 ❼ 本發明亦揭露一種形成彩色濾波器於一影像感測器底 材上之方法,包括:沉積一第一聚合物層於上述影像感測 器底材之上;然後,圖案化上述第一聚合物層以形成柱狀
第6頁 1227037 五、發明說明(3) 之第一聚合物層,之後儿積一第一聚合物層於上述;J:主狀 之第一聚合物層之上;最後,形成一彩色濾波器層於上述 第二聚合物層之上。 ^ 實施方法: 本發明係有關於一種應用於一影像感測器之一彩色據 波器之形成之前形成一平面層之方法。在接下來的描述 中,提供了許多的具體的詳細說明以提供對於本發明之實 施例的一個完整的了解。然而,對於一個熟知習知技術的 人而言,沒有一個或更多個具體的詳細說明,或者是有其 他方法、構成要素等,本發明都可以被實施。在其它例^ 中,熟知的結構或運作不加以顯示或詳細描述以避免模糊 了本發明不同實施例的觀點。 整個說明書中所提及到的一 embodiment)丨丨或 丨丨一實施例(an embodiment)丨丨是意謂 著:關聯著一實施例中所描述的一個特殊的特徵、結構或 特性疋包括在至少一個本發明之實施例中。因此,在整個 說,,不同地方中所出現的"在一個實施例中(in 〇ne rTTm :V 在—實施例中an emb〇diment)-之句子不必然是指向相 特徵、結構或特性也可处p f ^例。此外,上述之特殊的 7固實施例中。 、任何的方式而結合在一個或多 !227〇37 五、發明說明(4) ---------- ^ ^ Ξ ; ?〇 ΤΛ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 感測器包括一複數個m去截面圖。如圖一所示,上述影像 中之光檢測元件1〇3,上述光上二圖素具有形成於上述底材 ;-,例如-光電二極體光以是許多型態 成於每一個圖素之上的是一 匕固恶光感兀件。形 ;入射光在上述光檢測元件;4鏡1(35值3微透鏡105聚 J由旋轉塗佈一層微透鏡材料在—上。傳統上,微透鏡是 卜圖素之上之其它形成;m中於上迷 “形成-料 考數字107來^先表檢測右\件/03與微透鏡m之間的區域= 彩色滹波@ >彳 5夕的中間層典型地應該包括上> 一的與不同的金屬導線。可以理解的是ΐ 的、、,。構僅僅是一影像感測器的— ^ η +圖 可以採取任何不同種類的。_ 、’發明是 ,以形成在上述微透鏡,上述彩色據坡層 上述彩色濾波器層1 〇 9典型地e〜 材料中形成,其將僅僅允許一窄的 < —被著色或染色之 例如紅色、藍色或綠色。在其它實=頻帶經由那裡通過, 器可以是青綠色、*色或洋紅色。::中’上述彩色濾坡 色渡波S 109之一些例子。被著 4所舉的顏色只是彩 用是最普遍的彩色遽波器之形式/ \色的顏色材料之使 異它反射型態的彩色、歲
1227037 五、發明說明(5) 波器也可以被使用,例如一堆疊層反射材料。上述彩色濾 波器1 0 9之形成是習知技術已知的,並且在此也不予以描 述以避免與本發明之敘述有任何不必要的模糊關係。 本發明直接朝向於形成上述彩色濾波器1 0 9之前預備 (藉由平面化)底材之製程。圖二顯示了具有圖素形成於 其上之一典型的晶圓底材201。上述圖素(pixels)包括 光檢測元件2 0 3,在這個例子中是光電二極體。然而,可 以理解的是,其它型態的光檢測元件,現在已知的(例如 光閘)或未來將開發的也可以被利用。再者,上述圖素典 _ 型地包括放大與/或讀出電路。為了簡化,這個電路就不 顯示於圖二中。在一實施例中,上述圖素可以是習知技術 中常用的主動圖素。詳細的形成上述光電二極體與其它相 關電路的方法已經是習知技術所知,因此在此就不重複以 免模糊的本發明。然而,習知技術的例子可以參考美國第 5,9 0 4,4 9 3號專利與美國第6,3 2 0,6 1 7號專利。 然而,其它結構是在目前的底材2 0 1之中。一個導電 結構2 0 5的例子是多晶矽或金屬内連線,那一些例如是用 來攜帶從上述光檢測元件2 0 3或圖素中的其它元件所傳來 〇 的信號。因為這一些導電結構2 0 5通常是形成於上述底材 201之上,這導致了一個不平坦的地形,這由低凹處20 7與 隆起處2 0 9表示。
1227037
五、發明說明(6) 上述低凹處2 0 7與隆起處2 0 9應該在上述彩念$ 1 〇 9形成之前平坦化。因此,回到第二圖,根樯 σ 像本發明夕 一實施例,一第一聚合物層3 0 1旋轉覆蓋於上诚 ‘ 4履材2 〇 1 $ 上。上述第一聚合物層3 0 1在一實施例中是聚縮水甘、、 烯酸曱酯(PGMA)或聚甲基丙烯酸甲酯(Ρμμα) 。^由丙 其它材料的型態也可以來取代,但是較佳的枒粗9f ’ A 何料疋旋轉塗 师(spun on)並進一步烘烤成一固體。例如包括不同的 旋轉塗佈玻璃上(spin on glass)之材料與光阻材料。 底下相關的第四圖可以看到,上述光阻型態的材料在⑩ 一實施例中是有優點的,因為它們可以直接藉由曝光與顯 影來圖案化。非光阻型態的材料也可以利用,但是需要一 個進一步的蝕刻步驟。特別地是,如圖四所示,上述第一 聚合物層3 0 1圖案化成為具有一分離距離d之柱狀物4 0 1。 上述柱狀物4 0 1不需要設定為一個規則的圖案,也不需要 任何特定的大小,但是在一實施例中,上述參數d是2微米 的級數。在一光阻型態材料的例子中,上述第一聚合物層 3 0 1之圖案化可以藉由從一例如步進機之一曝光輻射來曝 光上述第一聚合物層3 0 1來形成。然後,上述第一聚合物 層3 0 1可以被顯影而形成上述柱狀物4 0 1。在一非光阻型態. 材料的例子中,上述第一聚合物層3 0 1之圖案化需要利用 不同的罩幕與蝕刻技術。 回到第五圖,上述柱狀物4 〇 1形成之後,一第二聚合
第10頁 1227037 五、發明說明(7) 物層501沉積於上述柱狀物40 1之上。上述第二聚合物層 5 0 1在一實施例中是聚縮水甘油丙烯酸甲酯(PGMA)或聚 甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。然而,其它材料的型態也可以 來取代,但是較佳的材料是旋轉塗佈(spun on)並進一 步烘烤成一固體。例如包括不同的旋轉塗佈玻璃上(s p i η ο n g 1 a s s)之材料與光阻材料。可以發現上述柱狀物4 0 1 將導致上述第二聚合物層5 0 1變成大大地平坦了。 再者,為了控制平坦化上述第二聚合物層501之厚 度,一選擇性的後蝕刻步驟可以執行以降低上述第一與第 ♦ 二聚合物層之厚度到一個想要的與/或可控制厚度於上述 底材之上。 從以上可以瞭解,本發明以一些特定實施例闡明如 上,然在不脫離本發明之精神與範圍内所作之修改均可以 被實施。因此,除了下述之申請專利範圍之外本發明是不 受限定的。
1227037 圖式簡單說明 圖式簡單說明: 圖一所示為習知技術之一影像感測器之一部份之截面 圖0 圖二至圖五為本發明之一實施例之方法之截面圖 圖示符號對照表: 影像感測器 101 光檢測元件 103〜 203 微透鏡 105〜 205 區域 107 彩色濾波器層 109 晶圓底材 201 導電結構 205 低凹處 207 隆起處 209 第一聚合物層 301 柱狀物 401 第二聚合物層 501 313 Φ Φ
第12頁

Claims (1)

1227037 六、申請專利範圍 申請專利範圍: 1. 一種平面化一影像感測器底材之方法,包括: 沉積一第一聚合物層於該影像感測器底材之上; 圖案化該第一聚合物層以形成柱狀之該第一聚合物 層;以及 沉積一第二聚合物層於該柱狀之該第一聚合物層之 上。 2 .如申請專利範圍第1項之平面化一影像感測器底材之方 # 法,更包括後姓刻該第二聚合物層。 3. 如申請專利範圍第1項之平面化一影像感測器底材之方 法,更包括形成一彩色濾波器層於該第二聚合物層之上。 4. 如申請專利範圍第1項之平面化一影像感測器底材之方 法,其中該柱狀之該第一聚合物層具有大約2微米之間 距。 5. 如申請專利範圍第1項之平面化一影像感測器底材之方 ® 法,其中該第一聚合物層與該第二聚合物層是聚縮水甘油 丙烯酸甲酯(PGMA)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。 6. —種形成彩色濾波器於一影像感測器底材上之方法,包
第13頁 1227037 六、申請專利範圍 括: 沉積一第一聚合物層於該影像感測器底材之上; 圖案化該第一聚合物層以形成柱狀之該第一聚合物 層; 沉積一第二聚合物層於該柱狀之該第一聚合物層之 上;以及 形成一彩色濾波器層於該第二聚合物層之上。 7. 如申請專利範圍第6項之形成彩色濾波器於一影像感測 器底材上之方法,更包括後蝕刻該第二聚合物層。 8. 如申請專利範圍第6項之形成彩色濾波器於一影像感測 器底材上之方法,其中該柱狀之該第一聚合物層具有大約 2微米之間距。 9. 如申請專利範圍第6項之形成彩色濾波器於一影像感測 器底材上之方法,其中該第一聚合物層與該第二聚合物層 是聚縮水甘油丙烯酸甲酯(PGMA)或聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6800838B2 (en) * 2002-10-25 2004-10-05 Omnivision International Holding Ltd Image sensor having reduced stress color filters and method of making
CN100356205C (zh) * 2004-04-28 2007-12-19 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 彩色滤光片及其制造方法
KR100738257B1 (ko) * 2006-01-03 2007-07-12 (주)실리콘화일 컬러필터가 형성된 이미지센서 및 그 제조 방법
CN114846364A (zh) 2019-10-01 2022-08-02 上海显耀显示科技有限公司 具有集成微透镜阵列的显示面板系统及其制造方法
WO2021247887A1 (en) 2020-06-03 2021-12-09 Jade Bird Display (shanghai) Limited Systems and methods for multi-color led pixel unit with vertical light emission
WO2021247894A1 (en) 2020-06-03 2021-12-09 Jade Bird Display (shanghai) Limited Systems and methods for multi-color led pixel unit with horizontal light emission

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61290408A (ja) * 1985-06-18 1986-12-20 Fuji Xerox Co Ltd カラ−密着型イメ−ジセンサおよびその製造方法
JPH02244101A (ja) * 1989-03-17 1990-09-28 Matsushita Electron Corp カラー固体撮像装置の製造方法
US5292689A (en) 1992-09-04 1994-03-08 International Business Machines Corporation Method for planarizing semiconductor structure using subminimum features
JP3405620B2 (ja) * 1995-05-22 2003-05-12 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
JPH10100303A (ja) * 1996-06-07 1998-04-21 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明導電膜付き基板およびそれを用いた表示素子
JP3249077B2 (ja) * 1996-10-18 2002-01-21 キヤノン株式会社 マトリクス基板と液晶装置
JP3838393B2 (ja) * 1997-09-02 2006-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサを内蔵した表示装置
KR20010040506A (ko) * 1998-02-02 2001-05-15 유니액스 코포레이션 유기 반도체로부터 제조한 영상 센서
US6043001A (en) * 1998-02-20 2000-03-28 Eastman Kodak Company Dual mask pattern transfer techniques for fabrication of lenslet arrays
TW370727B (en) 1998-06-04 1999-09-21 United Microelectronics Corp Method for removing color filter films of CMOS sensor
JP3159171B2 (ja) * 1998-06-05 2001-04-23 日本電気株式会社 固体撮像装置
US6297071B1 (en) 1998-07-22 2001-10-02 Eastman Kodak Company Method of making planar image sensor color filter arrays
US6187248B1 (en) 1998-11-19 2001-02-13 Air Products And Chemicals, Inc. Nanoporous polymer films for extreme low and interlayer dielectrics
US6362513B2 (en) 1999-07-08 2002-03-26 Intel Corporation Conformal color filter layer above microlens structures in an image sensor die
US6171885B1 (en) 1999-10-12 2001-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High efficiency color filter process for semiconductor array imaging devices
KR100382723B1 (ko) 2000-11-13 2003-05-09 삼성전자주식회사 고체촬상소자 및 그 제조방법
US6436851B1 (en) 2001-01-05 2002-08-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for spin coating a high viscosity liquid on a wafer
JP2002244101A (ja) * 2001-02-19 2002-08-28 Sharp Corp 液晶表示ユニット
US6531266B1 (en) * 2001-03-16 2003-03-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Rework procedure for the microlens element of a CMOS image sensor
US20030048256A1 (en) * 2001-09-07 2003-03-13 Salmon Peter C. Computing device with roll up components

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Publication number Publication date
EP1414076A2 (en) 2004-04-28
US6699729B1 (en) 2004-03-02
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CN100587595C (zh) 2010-02-03
EP1414076B1 (en) 2015-03-25
EP1414076A3 (en) 2007-09-26

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