TWI223461B - Optoelectronic component and component-module - Google Patents
Optoelectronic component and component-module Download PDFInfo
- Publication number
- TWI223461B TWI223461B TW092126620A TW92126620A TWI223461B TW I223461 B TWI223461 B TW I223461B TW 092126620 A TW092126620 A TW 092126620A TW 92126620 A TW92126620 A TW 92126620A TW I223461 B TWI223461 B TW I223461B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- photovoltaic module
- patent application
- semiconductor
- item
- module according
- Prior art date
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229940090961 chromium dioxide Drugs 0.000 description 1
- IAQWMWUKBQPOIY-UHFFFAOYSA-N chromium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Cr+4] IAQWMWUKBQPOIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N chromium(IV) oxide Inorganic materials O=[Cr]=O AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
1223461 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種依據申請專利範圍第1項前言之光電組 件和申請專利範圍第1 7項前言之組件-模組。 發出輻射之半導體組件可配置成矩陣形式以達成一種光 線強的總模組。 【先前技術】 此種稱爲LED-模組之配置由DE 1 005 1 1 59 A1中已爲人所 知。多個光電半導體配置或半導體晶片安裝在一載體上, 該載體又配置在一冷卻體上。雖然半導體元件之封裝密度 已提高,仍可使所產生之熱量排出。但所產生之熱量應不 會-或只稍微影響該半導體元件之電性。此種方式由於相鄰 半導體兀件之輪射之吸收而使總模組之效率下降。 藉由各別之發出輻射之半導體元件置放在一種反射器 中,則可使該模組之發射特性和方向性獲得改良,此乃因 側面中由各別之半導體組件所發出之輻射之至少一部份可 轉向至主輻射方向中。 一種具有局效率和良好方向性之模組可由各別之半導體 組件組合而成,各半導體組件分別位於各別之反射器中。 但困難的是:使各別之半導體組件連同其反射器在一種總 模組中達成高的封裝密度。各別之半導體組件之接觸區會 妨礙一種可撓性之連接和一種高的封裝密度。 【發明內容】 本發明之目的是提供一種光電組件和組件-模組,其可使 1223461 相鄰之半導體組件或光電半導體配置達成一種狹窄之配置 方式。 本發明之目的特別是提供一種具有接觸配置之半導體組 件,其可使導熱線和導電線互相隔開。 上述目的以申請專利範圍第1項和第17項之特徵來達 成。本發明光電組件之有利之其它形式之特徵描述在申請 專利範圍第2項和第1 6項以及第1 8項中。 本發明之光電組件具有一種發出·及/或接收電磁輻射之 半導體配置,其配置在一載體上,該載體導熱性地與一種 冷卻體相連。各連結線使外部之電性終端可與半導體配置 之各終端相連。各外部之電性終端以電性絕緣之方式配置 在該冷卻體上且與該載體相隔一段距離。 上述方式所具有之優點是:導電線和導熱線可廣泛地不 相耦合。由於半導體配置-或晶片之熱終端藉由載體而位於 該冷卻體上,則多個晶片可密集.地配置在該冷卻體上且可 使熱量排出。該晶片之電性接觸區能可撓性地經由該冷卻 體所絕緣之終端而延伸。又,在外部之電性終端上可施加 緊密之反射器外殼,其可降低該組件之空間需求且使光效 益提高。 上述方式之優點是:電流未流經該冷卻體,該冷卻體可 使半導體組件操作時所產生之熱被排出。 當該載體包含一載體基板及至少一配置於其上之電性絕 緣層時是有利的。另一方式是該載體材料本身是電性絕緣 的。該半導體配置不必針對該載體而各別地絕緣且可配置 1223461 在一導電基板上而不會互相短路或與該冷卻體形成短路。 在該半導體配置和電性絕緣層之間可配置一種導電層, 其是與外部之電性終端相連。這對一導電基板上之半導體 配置而言特別適當,此乃因該半導體配置之一終端可藉由 一連結線經由該導電層而延伸。 特別有利的是:該外部之電性終端包含一電路板之導電 軌時。該電路板含有一種具備一導電軌之絕緣基板且因此 可直接施加在該冷卻體上。多個電路板亦可重疊地配置著 且隨後互相絕緣。 各導電軌(其可在重疊配置之不同之各電路板上藉由穿孔 而互相連接)可使多個光電組件相連時之可撓性更加提高。 有利之設計方式是:該載體基板具有由矽,以鑽石塗層 之矽,鑽石,SiC,A1N和BN所構成之組中之至少一導熱 性良好之材料。 有利的是:當該電性絕緣層具有Si02時。特別有利的是: 當該載體層具有矽時。 半導體技術中所用之上述材料在多種組件中使其相互間 之電壓和至該半導體晶片本身之電壓下降。 在一種有利之形式中,該半導體配置藉助於金屬焊劑或 導熱性-及/或導電性之黏合劑而施加在該載體上。 該載體藉助於金屬焊劑或導熱性之黏合劑而施加在該冷 卻體上時,則可達成良好之導熱作用或使熱量排出。 當該半導體配置和該載體是配置在一基殻(其具有反射性) 中時,員ij可達成一種良好之光輻射。 1223461 當該基殼恰巧含有一個半導體裝置時,則光輻射可最佳 化且可各別地依據該晶片來調整。該半導體組件之外部效 率不會由於空腔內部一種相鄰之半導體配置之吸收性而下 降。 本發明之光電組件在該基殼中具有一種空腔或凹入區, 其中配置著可發射-及/或接收電磁輻射之半導體配置。與傳 統之光電組件中不同之處是:反射器至少並非只是由基殼 本身之空腔之反射性側面所形成,而是至少一部份由一種 塡入至該空腔中之反射性塡料所形成。須選取該材料和該 塡料之數量,使得在塡入時及/或塡入後由於該塡料之材料 和該空腔之側面之材料之間之附著力而使該塡料在該側面 上拉高且形成一種拋物線形式之表面。該塡料之面向該基 殼前側之表面作爲該半導體配置所發出及/或接收之電磁輻 射用之反射面。 換言之,該空腔中之一部份以該塡料塡入且由於該塡料 和該基殼之間之附著力,使得由該半導體裝置觀看時該塡 料之凹形之內面可自動地在該空腔中調整,此乃因該塡料 在該基殻之空腔之側向之內面上會往高處爬。該塡料之以 上述方式所形成之拋物面形式之內面形成該空腔中所使用 之半導體配置用之反射器。 反射器各面亦可在各空腔之很小之開口中簡單地藉由該 塡料之適當之摻雜而在該空腔中產生。該基殼之側壁和塡 料因此在功能上類似於各別之反射器,這樣可使光輻射效 率進一步改良。此外,空腔中已存在之導電軌,各接線和 1223461 類似物可藉由該塡料來包封而不會影響其作用方式。 因此,利用本發明之措施本身,則在光電組件(其在空腔 中具有該空腔之狹窄之開口及/或複雜之半導體裝置-和接 線配置)中可在空腔內部設有反射器且因此使各組件之外部 效率提高。 特別有利的是:當該基殼傾斜地形成在面向該半導體配 置之內面上,使該基殼具有該半導體配置所發出之輻射之 一部份所用之反射面時。 較佳是以Ti〇2或一以Ti〇2-微粒所塡入之環氧樹脂或矽作 爲塡料。 其它設計方式是:該基殻之空腔中至少一部份以可透過 輻射之包封材料塡入。因此,一方面可保護該晶片及其終 端。另一方面,在適當地選取該晶片和該包封材料時可製 成不同彩色之組件。例如,發出白色光之組件由以GaN-爲 主之晶片和含有YAG:Ce-微粒之包封材料所形成。 該包封材料可有利地具有環氧樹脂或矽。在使用矽時, 可使半導體組件中或由各別之半導體組件所形成之模組中 之機械應力良好地下降。 較佳是各外部終端之至少一部份是配置在該基殼和冷卻 體之間。這樣可使該光電組件達成一種特別省空間之連接 方式。 特別有利的是使各別之光電組件以矩陣形式配置成一種 模組。多個光電組件因此分別設有一基殼。 在本發明之特別有利之實施形式中,該載體之面向該半 -10- 1223461 種 1 有 具 是 佳 較 層 電 導 該 〇 的 性 ί ΙΙΙϊΠΓ 導 是 層 上 最 之 置 配。 體屬 導金 省經 很線 能結 件連 組無 電並 光上 該緣 許邊 允之 軌殼 電基 導該 之。 用連 所 相 片件 晶組 體之 導鄰 半相 該與 接地 連間 空 過。各導電軌允許各組件可複雜地相連。各導電軌可存在 於一電路板(例如,FR4,可撓性電路板)中,其具有相對應 之凹入區。該電路板能以多層方式構成,使除了各導電軌 之外在該多層結構中另有其它之功能兀件。 本發明之光電組件之其它有利之形式描述在圖式中之實 施例中。 【實施方式】 在第1圖所示之光電組件1中,一種發出-及/或接收電磁 輻射之半導體配置4係配置在一載體22上。該載體22是導 熱地與例如由銅,鋁或鉬所構成之冷卻體1 2相連。外部電 性終端9經由連結線7而導電性地與該半導體配置4相連 或與該導電層13相連。該導電層13是與該半導體配置4 之下側相接觸,須構成該半導體配置4,使電流可垂直地流 經該配置,此時該基板對該產生光之活性層而言是可導電 的。 在具有該活性層用之絕緣基板之另一實施形式中,第二 連結線同樣直接延伸至半導體晶片。 第1圖中,該導電層13藉由電性絕緣層14而與該載體 22之載體基板2相隔開。該電性絕緣層1 4較佳是雙層的且 由氧化矽和其上所施加之鈍化層(其例如由氮化矽所構成) 1223461 所形成,其使較佳是由矽或砷化鎵所構成之導熱良好之載 體基板在電性上與該導電層1 3相隔開。導熱良好之陶瓷形 式之材料(例如,氮化鋁或氮化硼或碳化物)亦可用作載體基 板。該載體22藉由焊劑連接或黏合而直接施加在由鋁,銅 或鉬所構成之冷卻體1 2。 同樣可直接在該冷卻體1 2上以電性絕緣之方式配置外部 電性終端且與該載體22相隔一段距離。該外部電性終端9 較佳是重疊配置之電路板10之各導電軌,其形成該終端配 置8。至少對二個晶片終端而言需要一種電路板。一種模組 中之多個晶片較佳是藉由多層之電路板而互相連接,這樣 可達成一可撓性之連接。不同電路板之不同導電軌之連接 是經由光電組件之基殼20和冷卻體1 2之間之各別之穿孔來 達成。 具有該載體22之半導體組件4係位於一種具有凹入區或 空腔3之基殼20中。該基殼是一種框架,其施加在該具有 電性終端9之電路板8上。這樣可使本發明之組件1之構 造形式很緊密。這樣又可使該基殼20之內側1 7形成一種反 射器30,以使儘可能多之已對準之光由該組件中發出。 在半導體晶片4和該空腔3之側壁1 7之間以可反射之塡 料16塡入,該塡料16例如由以Ti02-微粒塡入之環氧樹脂 構成,其中該塡料16中之Ti02成份須足夠,以大大地提高 該塡料之反射性。該塡料在晶片側延伸至該載體22之上邊 緣。該塡料16中之以02成份較佳是介於10和50V〇1·-%之 間。由二氧化鉻,氧化鋅,鋇硫酸鹽,氮化鎵,氧化鋁或 -12- 1223461 至少二種上述材料所構成之混合物等所形成之微粒亦適合 與環氧樹脂一起用在該塡料16中。重要的是:環氧樹脂和 微粒之間之折射率之差須足夠大,使該塡料之反射性增 大。 該塡料之面向該基殼20之前側21之該表面由該半導體晶 片4觀看時彎曲成凹形且至少對該側向發出-及/或接收之 輻射之一部份而言形成一種反射面。 該半導體晶片4之位於該塡料上方之空著的表面區是由 可透過輻射之包封材料6所覆蓋且例如又由環氧樹脂或其 它適當之反應樹脂所構成。 由第1圖中之切面圖可知,鄰接於該半導體晶片4(即, 鄰接於該載體22)之塡料16之塡入高度較小。以此種方式 可使該塡料1 6之表面形成一種面向前側之敞開之拋物線形 式且與該基殻20之側壁之表面30相連。此種形式在適當地 選取該材料且對該塡料進行摻雜時由於該塡料和該基殼20 之材料之間之附著力而會自動地形成。該塡料1 6之由半導 體晶片4觀看時彎曲成凹形之內面係作爲該半導體晶片4 之側面所發出-及/或接收之輻射用之反射器。 該塡料16(其中含有Ti02成份)之反射度可達80%。在與 一種光電組件(其中只有空腔中以透明之塡料塡入)比較 時’則利用本發明之光電組件1可使外部效率大大地提高。 爲了保護該半導體晶片4,則空腔3中須完全以可透過輻 射(例如’透明)之包封材料6塡入,該包封材料6包封該半 導體晶片4且可透過該半導體晶片4之即將發出-或接收之 輻射。就像傳統之組件一樣,由透明之合成樹脂(例如,環 -13· 1223461 氧樹脂)或聚碳酸鹽所構成之適當之塡料都可用作該包封材 料6,其較佳是特別須以該塡料之特性來調整。 本發明以上依據各實施例所作之描述當然不是對本發明 之一種限制。反之,申請專利範圍第1至1 7項中所述之本 發明之構想可用在許多不同之構造形式中。 【圖式簡單說明】 第1圖 本發明之實施例之切面圖。 主要元件之符號表: 1 本發明之組件 2 載體基板 3 空腔 4 半導體組件 6 包封材料 7 連結線 8 終端配置 9 外部電性終端 10 電路板 12 冷卻體 13 導電層 14 電性絕緣層 16 塡料 17 側壁 20 基殻 21 前側 22 載體 30 反射器
-14-
Claims (1)
1223461 %年7月%曰 拾、申請專利範圍: 废正主 第92 1 26620號「光電組件及組件-模組」專利案 (93年7月修正) 1. 一種光電組件(1),其具有:——發出-及/或接收電磁輻射 之半導體配置(4),該半導體配置(4)配置在載體(22)上, 該載體(22)可導熱地與冷卻體(12)相連;另有多個外部 電性終端(9),其是與該半導體配置(4)相連,其特徵爲: 各外部電性終端(9)電性絕緣地配置在該與載體(22)相隔 一段距離之冷卻體(12)上。 2. 如申請專利範圍第1項之光電組件,其中該載體含有一 載體基板(2)和至少一配置於該載體基板(2)上之電性絕 .緣層(1 4)。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之光電組件,其中在該半導 體配置(4)和該電性絕緣層(14)之間配置一導電層(13), 其是與該外部電性終端(9)相連。 4.如申請專利範圍第1項之光電組件,其中該半導體配置 含有一種半導體晶片。 5 ·如申請專利範圍第1項之光電組件,其中各外部電性終 端(9)含有電路板之導電軌。 6.如申請專利範圍第5項之光電組件,其中各導電軌可藉 由各穿孔而在重疊配置之不同之電路板上互相連接。 7 ·如申請專利範圍第2項之光電組件,其中該載體基板(2) 具有由矽,以鑽石塗層之矽,鑽石,SiC,A1N和BN所 構成之組中之至少一導熱性良好之材料。 1223461 8.如申請專利範圍第2項之光電組件,其中該電性絕緣層 (14)具有Si〇2。 9 ·如申請專利範圍第1項之光電組件,其中該半導體配置 (4)藉助於金屬焊劑或導熱性-及/或導電性之黏合劑而施 加在該載體(22)上。 10·如申請專利範圍第丨或9項之光電組件,其中該載體(22) 藉助於金屬焊劑或導熱性之黏合劑而施加在該冷卻體(1 2) 上。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之光電組件,其中該光電組件 之基殼(20)具有一種空腔(3)且該半導體配置(22)和該載 體配置在該基殼(20)之空腔(3)中。 12.如申請專利範圍第11項之光電組件,其中該基殼(20) 之空腔(3)中恰巧配置一個半導體配置(4)。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1或1 2項之光電組件,其中該基殼 (20)傾斜地形成在面向該半導體配置(4)之內側(17)上, 使該基殼(20)具有該半導體配置所發出之輻射之一部份 所需之反射面。 14·如申請專利範圍第1 1或12項之光電組件,其中在該空 腔<3)中在該半導體配置(4)和該空腔之側壁(17)之間配置 一種反射性塡料(6),其由該半導體配置至該基殼(20)之 前側(21)觀看時具有一種彎曲成凹形之表面(30),其形 成該輻射之一部份所用之反射面。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之光電組件,其中該塡料含有 Ti〇2或以Ti02-微粒塡入之環氧樹脂。 1223461 16.如申請專利範圍第14項之光電組件,其中該半導體配 置(4)至少一部份是以可透過輻射之包封材料(6)來包 封。 1 7 .如申請專利範圍第1或1 1項之光電組件,其中各外部 終端(9)至少一部份是配置在該基殼(2〇)和該冷卻體(12) 之間。 18·—種組件-模組,其具有如申請專利範圍第i至17項中 任一項所述之多個光電組件,其特徵爲:各別之光電組 件配置成矩陣形式且至少一部份互相串聯。 19·如申請專利範圍第18項之組件-模組,其中多個光電組 件分別具有一個基殼。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10245930A DE10245930A1 (de) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200405593A TW200405593A (en) | 2004-04-01 |
TWI223461B true TWI223461B (en) | 2004-11-01 |
Family
ID=31984354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092126620A TWI223461B (en) | 2002-09-30 | 2003-09-26 | Optoelectronic component and component-module |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7586190B2 (zh) |
EP (1) | EP1547163B1 (zh) |
JP (1) | JP4388894B2 (zh) |
CN (1) | CN100420043C (zh) |
DE (2) | DE10245930A1 (zh) |
TW (1) | TWI223461B (zh) |
WO (1) | WO2004032249A2 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI456811B (zh) * | 2011-01-09 | 2014-10-11 | Bridgelux Inc | 在一互連結構中具有僅上側連接之封裝光子建置組塊 |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10229067B4 (de) * | 2002-06-28 | 2007-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
KR100623024B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2006-09-19 | 엘지전자 주식회사 | 고출력 led 패키지 |
EP2426743B1 (en) * | 2004-10-22 | 2019-02-20 | Seoul Viosys Co., Ltd | GaN compound semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same |
US7285802B2 (en) * | 2004-12-21 | 2007-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Illumination assembly and method of making same |
US7296916B2 (en) * | 2004-12-21 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Illumination assembly and method of making same |
US20060131601A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Ouderkirk Andrew J | Illumination assembly and method of making same |
JP2006310783A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-11-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
US7956372B2 (en) * | 2005-09-20 | 2011-06-07 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Light emitting device |
DE102006000476A1 (de) * | 2005-09-22 | 2007-05-24 | Lexedis Lighting Gesmbh | Lichtemissionsvorrichtung |
KR101240650B1 (ko) * | 2006-01-18 | 2013-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 모듈, 이를 구비한 백라이트 어셈블리 및이를 구비한 표시 장치 |
US9713258B2 (en) * | 2006-04-27 | 2017-07-18 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit chip packaging |
DE102007012504B4 (de) | 2007-01-25 | 2022-02-10 | Osram Oled Gmbh | Elektronische Vorrichtung |
US10008637B2 (en) | 2011-12-06 | 2018-06-26 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output |
DE102008021622A1 (de) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Trägereinheit für ein elektronisches Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102008030815A1 (de) * | 2008-06-30 | 2009-12-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen |
DE102009036621B4 (de) | 2009-08-07 | 2023-12-21 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
US8101962B2 (en) * | 2009-10-06 | 2012-01-24 | Kuang Hong Precision Co., Ltd. | Carrying structure of semiconductor |
TW201115652A (en) * | 2009-10-16 | 2011-05-01 | Solapoint Corp | Package structure of photodiode and forming method thereof |
US20130016494A1 (en) * | 2010-01-11 | 2013-01-17 | Ingo Speier | Package for light emitting and receiving devices |
JP2011205068A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-10-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US20110254030A1 (en) * | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Perkinelmer Elcos Gmbh | Liquid reflector |
DE102010021011A1 (de) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung einer Abdeckschicht |
DE102010021791A1 (de) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Verbunds |
DE102010024864B4 (de) * | 2010-06-24 | 2021-01-21 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102010026343A1 (de) * | 2010-07-07 | 2012-03-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
EP2448028B1 (en) | 2010-10-29 | 2017-05-31 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and production method thereof |
KR101049698B1 (ko) * | 2010-11-02 | 2011-07-15 | 한국세라믹기술원 | Led 어레이 모듈 및 이의 제조방법 |
DE102010061801A1 (de) * | 2010-11-23 | 2012-05-24 | Tridonic Jennersdorf Gmbh | LED-Modul mit gemeinsamem Farbumwandlungsmodul für wenigstens zwei LED-Chips |
CN102479906A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
US8652860B2 (en) | 2011-01-09 | 2014-02-18 | Bridgelux, Inc. | Packaging photon building blocks having only top side connections in a molded interconnect structure |
TWI446495B (zh) * | 2011-01-19 | 2014-07-21 | Subtron Technology Co Ltd | 封裝載板及其製作方法 |
DE102011105010A1 (de) * | 2011-06-20 | 2012-12-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US10686107B2 (en) | 2011-07-21 | 2020-06-16 | Cree, Inc. | Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods |
US10211380B2 (en) | 2011-07-21 | 2019-02-19 | Cree, Inc. | Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods |
KR20140038553A (ko) * | 2011-07-21 | 2014-03-28 | 크리,인코포레이티드 | 향상된 화학적 내성을 위한 발광 장치 패키지들, 부품들 및 방법들 그리고 관련된 방법들 |
DE102011080458A1 (de) * | 2011-08-04 | 2013-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung |
DE102011083669B4 (de) * | 2011-09-29 | 2019-10-10 | Osram Gmbh | Halbleiter-Leuchtvorrichtung mit Reflexions-Oberflächenbereich und Verfahren zur Herstellung |
KR101891211B1 (ko) * | 2011-10-14 | 2018-08-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 고출력 엘이디 광원모듈과 이를 구비한 백라이트 유닛 및 조명 장치 |
CN103123949A (zh) * | 2011-11-21 | 2013-05-29 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 可挠式发光二极管封装结构及其制造方法 |
US9496466B2 (en) | 2011-12-06 | 2016-11-15 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction |
JP5994472B2 (ja) * | 2012-08-09 | 2016-09-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
DE102012109028A1 (de) * | 2012-09-25 | 2014-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
DE102013201775A1 (de) * | 2013-02-04 | 2014-08-07 | Osram Gmbh | Beleuchtungsmodul und Verfahren zur Herstellung eines Beleuchtungsmoduls |
JP2014241341A (ja) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
DE102013111503B4 (de) | 2013-10-18 | 2021-08-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Vereinzelung von Halbleiterchips |
JP6303949B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2018-04-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び照明器具 |
US9812375B2 (en) * | 2015-02-05 | 2017-11-07 | Ii-Vi Incorporated | Composite substrate with alternating pattern of diamond and metal or metal alloy |
DE102015112042B4 (de) * | 2015-07-23 | 2021-07-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische Leuchtvorrichtung |
US20180203194A1 (en) * | 2015-08-03 | 2018-07-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical modules |
CN105336831A (zh) * | 2015-09-24 | 2016-02-17 | 李峰 | 一种液体填充式led灯 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5994361A (ja) | 1982-11-19 | 1984-05-31 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ランプ |
US5245620A (en) * | 1990-04-28 | 1993-09-14 | Rohm Co., Ltd. | Laser diode system for reflecting and maintaining laser light within the system |
CN2074504U (zh) | 1990-10-08 | 1991-04-03 | 吕金杰 | 一种半导体彩色条状发光管 |
JP3729001B2 (ja) | 1996-12-27 | 2005-12-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、砲弾型発光ダイオード、チップタイプled |
US6340824B1 (en) * | 1997-09-01 | 2002-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device including a fluorescent material |
GB2329238A (en) * | 1997-09-12 | 1999-03-17 | Hassan Paddy Abdel Salam | LED light source |
JP3704941B2 (ja) | 1998-03-30 | 2005-10-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
EP0969521A1 (de) * | 1998-07-03 | 2000-01-05 | ISOVOLTAÖsterreichische IsolierstoffwerkeAktiengesellschaft | Fotovoltaischer Modul sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2000029347A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Canon Inc | 画像形成装置 |
JP2000233517A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Funai Electric Co Ltd | インクジェットプリンタのメンテナンス装置 |
JP4125848B2 (ja) | 1999-12-17 | 2008-07-30 | ローム株式会社 | ケース付チップ型発光装置 |
US6318886B1 (en) * | 2000-02-11 | 2001-11-20 | Whelen Engineering Company | High flux led assembly |
US6517218B2 (en) * | 2000-03-31 | 2003-02-11 | Relume Corporation | LED integrated heat sink |
US6428189B1 (en) | 2000-03-31 | 2002-08-06 | Relume Corporation | L.E.D. thermal management |
JP3685018B2 (ja) | 2000-05-09 | 2005-08-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子とその製造方法 |
JP4601128B2 (ja) | 2000-06-26 | 2010-12-22 | 株式会社光波 | Led光源およびその製造方法 |
DE10033502A1 (de) * | 2000-07-10 | 2002-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Modul, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung |
DE10036283A1 (de) * | 2000-07-26 | 2002-02-07 | Bosch Gmbh Robert | Laserdiodenanordnung |
DE10051159C2 (de) * | 2000-10-16 | 2002-09-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle |
JP2002270901A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードとその製造方法 |
US6498355B1 (en) * | 2001-10-09 | 2002-12-24 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High flux LED array |
DE10229067B4 (de) * | 2002-06-28 | 2007-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6800930B2 (en) * | 2002-07-31 | 2004-10-05 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor dice having back side redistribution layer accessed using through-silicon vias, and assemblies |
-
2002
- 2002-09-30 DE DE10245930A patent/DE10245930A1/de not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-09-26 TW TW092126620A patent/TWI223461B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-09-29 DE DE50307780T patent/DE50307780D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-29 JP JP2004540521A patent/JP4388894B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-29 EP EP03753330A patent/EP1547163B1/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-29 US US10/529,626 patent/US7586190B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-29 CN CNB038233932A patent/CN100420043C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-29 WO PCT/DE2003/003240 patent/WO2004032249A2/de active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI456811B (zh) * | 2011-01-09 | 2014-10-11 | Bridgelux Inc | 在一互連結構中具有僅上側連接之封裝光子建置組塊 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4388894B2 (ja) | 2009-12-24 |
CN1685530A (zh) | 2005-10-19 |
JP2006501658A (ja) | 2006-01-12 |
DE50307780D1 (de) | 2007-09-06 |
CN100420043C (zh) | 2008-09-17 |
WO2004032249A2 (de) | 2004-04-15 |
EP1547163B1 (de) | 2007-07-25 |
TW200405593A (en) | 2004-04-01 |
US20060138621A1 (en) | 2006-06-29 |
WO2004032249A3 (de) | 2004-12-23 |
DE10245930A1 (de) | 2004-04-08 |
US7586190B2 (en) | 2009-09-08 |
EP1547163A2 (de) | 2005-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI223461B (en) | Optoelectronic component and component-module | |
US10811583B2 (en) | Light emitting device package and ultraviolet lamp having the same | |
US8735930B2 (en) | Optoelectronic component with multi-part housing body | |
US9882104B2 (en) | Light emitting device package having LED disposed in lead frame cavities | |
KR100620844B1 (ko) | 발광장치 및 조명장치 | |
US7863639B2 (en) | Light-emitting diode lamp with low thermal resistance | |
TWI487148B (zh) | 發光裝置封裝件 | |
TWI384647B (zh) | 光電組件 | |
KR101360732B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
TWI389268B (zh) | 半導體組件用之載體、半導體組件及載體之製造方法 | |
US10217918B2 (en) | Light-emitting element package | |
KR101742615B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 발광 모듈 | |
TW200933927A (en) | Light emitting diode package | |
TW200926445A (en) | Fabricating method of photoelectric device and packaging structure thereof | |
US8373195B2 (en) | Light-emitting diode lamp with low thermal resistance | |
TW201205771A (en) | Light-emitting diode | |
US10522718B2 (en) | Light-emitting semiconductor chip and optoelectronic component | |
CN102194964A (zh) | 化合物半导体封装结构及其制造方法 | |
TWI385824B (zh) | 光源裝置 | |
KR102380582B1 (ko) | 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조 방법 및 광원 장치 | |
KR20090103292A (ko) | Led 패키지 | |
KR101896683B1 (ko) | 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템 | |
KR101507132B1 (ko) | 발광 소자 | |
TW201225361A (en) | Light-emitting diode lamp with low thermal resistance |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |