TWI222063B - Method for modifying switching field characteristics of magnetic tunnel junctions - Google Patents

Description

1222063 A7 B7 五、發明説明（1 ) 背景 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明是有關於資訊儲存裝置。更特別地，本發明是 有關包括有磁性隧道接面之記憶體裝置。 一種典型的磁性隨機存取記憶體（Magnetic Random Access Memory，“MRAM”）裝置包括有一陣列的記憶體細 胞，字元線沿著該等記憶體細胞的列延伸，及位元線沿著 該等記憶體細胞的行延伸。每一記憶體細胞位在一字元線 及一位元線之一交叉點。 該磁性隨機存取記憶體的記憶體細胞可以基於磁性隧 道接面·，像是旋轉相依隧道（spin dependent tunneling，’’SDT”）接面。一種典型的SDT接面包括有一定 向（pinned)層，一感測層及夾層於該定向層及感測層之間的 一隔離隧道障礙層。該定向層具有一磁性向量，該磁性向 量被固定使其不會在施加所要的一被使用的磁場時產生旋 轉。該感測層具有一磁性向量，該磁性向量可以被導引於 二個方向中的任一方向：與該定向層磁性向量相同的方向 或與該定向層磁性向量相反的方向。如果該定向及感測層 的磁性向量是在相同方向，則該SDT接面之方向被稱為” 平行”。如果該定向及感測層的磁性向量是在相反方向，則 該SDT接面之方向被稱為”抗平行（anti-parallel)”。 此二穩態的方向，平行及抗平行，代表邏輯值”0” 及”1”。該磁性方向緊接著影響該SDT接面的電阻。該SDT 接面的的電阻在當該磁性方向是平行時為第一數值，及當 該磁性方向是抗平行時為第二數值。該SDT接面的磁性方 4¼紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -4 - 1222063 A7 B7 五、發明説明（2 向及因此其邏輯值可以藉由感測它們的電阻狀態來被加以 讀取。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該記憶體矩陣可以藉由沉澱一疊的磁性記憶體元件 層，及佈圖該疊層成為記憶體元件來被加以製造。該等記 憶體元件理想的尺寸，形狀及厚度是一致的。 .、?τ— 然而，實際上該厚度，尺寸及形狀並不是一致。尺寸， 形狀及層厚度的改變產生在該磁性隨機存取記憶體矩陣中 的記憶體元件的磁性特性上的變化。特別地，此等參數的 變化可以在晶圓之中發生，但它們也可以發生在壓模與壓 模（die-to-die)及陣列至陣列之間。此等改變可以強低資料 寫入的整合性及可能也會有未被選擇的位元消除的不想要 的負面作用。當記憶體位元在尺寸上被降低時，此等變化 及它們不需要的效應變得更明顯，特別是在出現在切換該 荨感應層的矯頑磁力（coercivity)時更為明顯。 然而，記憶體製造上的一個目標是要降低該等記憶體 元件的尺寸。降低尺寸會增加儲存密度，接著可以降低儲 存成本。降低尺寸也降低電源消耗，其是有利於行動產品 的製造。 摘要 根據本發明之一特徵，一磁性隧道接面藉由形成定向 及感/則層來被加以製造；及重新設定至少一層的磁向量。 本务明之其他特彳玫及優點將由以下詳細的描述，及一併來 考的相關圖式，藉由舉例說明本發明之原理而被加以瞭解。 圖式之簡要描沭

1222063 A7 B7 五、發明説明（ 第1圖是一包括一陣列的SDT接面之MRAM裝置之說 明圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2圖是一 SDT接面的基本結構之說明圖。 第3圖是製造一 SDT接面之一方法的說明圖。 第4a，4b，及4c圖是該SDT接面之範例感測層磁向量 之說明圖。 第5a，5b，及5c圖是不同SDT接面切換曲線的說明圖。 第6aa，6ab，6ac，0b及6c圖是該SDT接面的其他範例 感測層磁向量的說明圖。 詳細說明 、可| 現請參考第1圖，其說明一磁性隨機存取記憶體 (‘MRAM’）裝置1〇包括有電阻交叉點陣列12的旋轉相依隧 道（SDT )接面14。該SDT接面14被以行列的方式配置，該 等列沿著X方向延伸及該等行沿著7方向延伸。只有相當小 數目的SDT接面I4被顯示來簡化說明該mraM裝置1〇。實 際上，任何規格的陣列都可以被使用。 追縱功能像是字元線16沿著在該陣列12之一侧上的平 面的X方向延伸。追蹤功能像是位元線18沿著在該陣列12 之一相鄰侧上的平面的y方向延伸。其可能在該陣列12的每 一列有一字元線16及在該陣列12的每一行有一位元線16。 每一 SDT接面14是位在一字元線16與一位元線丨8的交叉點 上。该MRAM裝置1〇包括有一讀取/寫入電路（圖中未示）， 其在讀取操作期間感測被選取8〇丁接面14之電阻狀態，及 在寫入操作期間提供寫入電流至被選擇的字元及位元線16

1222063 • A7 B7 五、發明説明（4 ) 及18。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 現請參考第2圖，其更詳細地顯示一 SDT接面14。該 SDT接面14包括有一定向鐵磁（ferromagnetic : FM)層52， 在該定向FM層上的一隔離隧道阻隔層56，及在該隧道阻隔 層56上的一感測鐵磁（FM)層54。該定向FM層52具有一磁性 向量M0，·其是指向該定向層52之平面的方向。該定向FM 層52可以是由FM材質所製成，像是鎳化鐵（NiFe)，氧化鐵 (Fe304)，二氧化鉻（Cr02)，鈷，或鈷合金（例如，CoFe， NiFeCo)。 該定向層5 2的磁性相量可以一結構來被固定，該結構 包括有第一及第二種子層46及48，及一抗鐵磁 (anti-ferromagnetic : AF)定向層50。該第一種子層46允許 該第二層48由一（111)結晶結構方向來被成長，及該第二種 子層48建立一（111)結晶結構方向給該AF定向層50。該AF 定向層50提供一大交換磁場，其保持該定向FM層52的磁性 向量M0於一方向上，即使一施加電場出現在所要的範圍之 内。此使得該定向FM層54成為一”硬性” FM層，其很難被 加以轉動。該第一種子層46可以是由鈦（Ti)或鈕（Ta)製成， 及該第二種子層48可以是由鎳化鐵（NiFe)或NiFeCo所製 成。其他的種子層材料包括有Ru，TaN，TiN，Al2〇3，Si02。 該AF定向層50可以由合成FM材質（例如，CoFe/Ru/CoFe多 重層）或一·抗FM材質（例如，IrMn，FeMn，PtMn)所製成。 該感應層5 4具有一未被定向的磁性向量Μ1。反之，該 感應層磁性向量Ml可以被導向於一被施加電場於所需範 34¼紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Μ規格（210X297公釐） 1222063 A7 . B7 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圍時出現的其中的一方向。此使得該感應層54層為一 ’’軟 式’’FM層。該SDT接面54的磁性方向在當該感測層磁性方 向Ml是被指向於與該定向層磁性向量M0相同方向時是平 行的，及在當該感測層磁性方向Ml是被指向於與該定向層 磁性向量M0相反方向時，其是為抗平行的。感測FM層材 質包括有但不受限於NiFe，NiFeCo，及CoFe。 該隔離隧道阻隔層56允許量子機械性隧道形成產生在 該等定向及感測層52及54之間。此隧道形成現像是因電子 旋轉而發生的，使該SDT接面14之電阻成為該等定向及感 測層52及54之磁性為相對方相對方向函數。例如，如果該 SDT接面14的磁性方向是平行的，則該SDT接面14的電阻 是第一數值（R)，如果該磁性方向是抗平行的，則為第二數 值（R +△ R)。該隔離隨道阻隔層56可比是由氧化铭 (Al2〇3)，二氧化矽（Si02)，氧化钽（Ta205)或氮化矽（SiN4) 所製成。其他的介電質及特定半導體材質也可以被使用在 該隔離隧道阻隔層56。 磁場（Hx，Hy)可以藉由提供電流（Ix，Iy)至與該SDT接 面14接觸的該字元及位元線16及18來被施加在該SDT接面 14。如果該等字元線及位元線16及18是垂直的，該被施加 的磁場（Hx，Hy)將也是垂直的。 尼耳（Neel) “剝橘子（orange-peel)”||合（HN)也被稱為 FM耦合被認為是因為在該定向與感測52及54之間的界面 粗糙所引起的。該FM耦合的量值是 紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1222063 A7 B7 五、發明説明（6

Hn ^—Mse~2^u (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中h及λ疋该界面粗彳造的波幅及波長’ M s是該感應 層54的保合磁場。該等項次tF及ts分別是該感測層54及該隔 離隧道阻隔層56的厚度。 靜磁耦合（Hd)也被稱為抗FM(AF)耦合結被認為是因 為在該定尚層52與該第二種子層48之邊緣上的未補償磁性 電洞所引起。該平均AF耦合是 wa

L Ηλ.= 其中W及L是該接面寬度及長度，A是常數，及α是該 SDT接面14之維度的相依變數。在當該定向及感測層52及 54之間的間隔是遠大於它們的寬度時，α的數值應該接近 1。在當該定向及感測層5 2及5 4之間的間隔是遠小於它們的 寬度時，α的數值應該接近0。 該FM耦合在通過該SDT接面14之區域是維持一定，及 其與該SDT接面14的尺寸無關。相對地，該AF連結在通過 該SDT接面之區域及在該SDT接面14之體積内是相當的不 平均的。該AF連結也依據接面尺寸及形狀：其在當接面維 度接近於次微米時變得非常強固。 該FM耦合傾向於將該感測層54之磁性向量Ml平行對 齊於該定向層5 2的磁性向量M0。因而，在製造期間，該感 測層磁性尚量Ml將對齊於FM耦合及AF耦合的淨結果。該 感應層54的結晶各向異性（anisotropy)及磁致伸縮 j本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1222063 A7 B7 五、發明説明（7 ) (magnetostriction)也將影響該感測層磁性向量Ml的方向及 旋轉。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 現請參考第3圖，其顯示製造一 SDT接面14的一種方 法。字元線被形成在一晶圓（200)上及第一及第二種子層是 置放在該字元線（202)上。一 AF定向層被設置在該第二種子 層（204)上，及一定向FM層被設置在該AF定向層（206)上。 該等FM層通常是在一被施加磁場出現時被設置以建立一 同軸磁各向異性（anisotropy)。 一隔離隧道阻隔層被設置在該定向FM層（208)的上 面。選擇界面層等可以夾置該隔離隧道阻隔層。 一感測FM層被設置在該隔離隧道阻隔層（210)之頂 端，該等層被佈圖至一陣列的SDT接面（212)，及位元線被 形成在該SDT接面（214)之上。該感測層的硬轴及軟軸分別 以HA及EA來加以定義。在此製造步驟中，該感測層磁性 向量Μ1與該軟軸E A對齊，該軟軸E A則與該感測層5 4之X-軸一致（參考第4b)圖。該感測層磁性向量Ml的夾角（0 〇是 0 1 =〇度。再者，該定向及感測層磁性向量M0及Μ1的夾角 (0 〇及0 1)並不需要是相同的。特別地，該定向層5 2的磁性 可以藉由在位元佈圖時曝露在相當高溫度來被加以改變。 該定向FM層是在此點（組塊216)上被後退火。該定向 FM層是以高於它的隔離溫度（ΤΒ)被加熱，及該定向層磁向 量相對於該定向層52之X-軸的一所需夾角（0 〇)(參考第4a 圖）可以藉由在一段時間内施加一磁場來被設定。例如，該 定向層（52)的磁性向量角（0 〇)可以視材質而定藉由施加平 ¥本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） _ 10 - 1222063 A7 ___B7 ___ 五、發明説明（8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 行於該磁向量M0之所需角度（0 G)的一 2000厄斯特的電場 及以180°C〜300°C的溫度對該SDT接面加溫15分鐘到數小 時。該SDT接面而以該磁場出現的溫度來被加以冷卻，以 固定該定向層磁場於所需要的角度在該AF層及該定 向層之間磁交換耦合保持該磁向量M0於固定的方向。 該等SDT接面被測試來決定AF耦合是否大於FM耦 合，或者反之亦然（218)。此可以藉由測量該Sdt接面的切 換特性來加以完成。材質缺陷及尺寸與形狀上的改變可以 導致不同的SDT接面會有不同的切換曲線。測試可以在許 多接面上執行以獲得在適當磁向量角度（6>。及0 〇時後退 火的統計方法。 改變也可以只在該感測層磁向量角，只在該定向層磁 向里角，或者该感測層及該定向層磁向量角二者（220)。該 感測層是依軟軸轉動在超過臨界溫度下被加熱（但是低於 該定向層的隔離溫度），及一磁場以對於該軟軸所需要的角 度被加以施加。該再退火不換改變該SFM層的磁角，但它 可以重新設定該感測層軟軸沿著該外部施加磁場。例如， 一鎳化鐵（NiFe)感測FM層的磁角可以藉由對該SDT接面在 180°C〜250°C下予以退火15〜30分鐘來被加以改變，在此同 時施加1000厄斯特的一外部磁場。該真正的溫度，持續時 @及磁場^依據材質及層級結構而定的。其結果，該感測 層磁角被改變成為一新的角度，如第4cK[所示。 在只有該定向層的磁向量角（〜）時可以被加以改變 如後。該SDT接面以該定向層材制阻隔溫㈣高於該阻 紙張尺度適用中國國家標準（CNS) ⑵0X297公爱) ------~-_ 1222063 A7 B7 五、發明説明（· 9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 隔溫度來被加以退火。該溫度視材質而定通常是在200〜 280°C的範圍知内。在該退火的加熱或冷卻階段，該SDT 接面疋曝露在一磁場中’該磁場設定該磁向量的方向。該 磁感測層的磁向量將也被設定在與該定向層的磁向量的相 同方向上。因此，一緊接的低溫退火步驟被執行來回復該 感測層的磁向量。 現請參考第5 a圖，其顯示相應於X及y軸之第一，第二， 及第三對SDT接面切換曲線110a及110b，112a及112b，及 114a及114b。在此特別的範例中，該AF連結相對於鐵磁（FM) 耦合是小的，因為該資料由一大的裝置被收集。如果該定 向及感測層磁向量（M0及Ml)都是指向沿著該X軸時，該第 一對切換曲線110a及110b可以在退火之前即被產生，藉此 在該感測及定向層磁向量（M0及Ml)之間的角度是0度或者 180度（如第6aa圖所示）。 為了由一低電阻狀態切換到高電阻狀態，該組合磁場 +Hx及+Hy(或一Hy)被施加在該接面上。該+Hy及一Hy使該 感測層磁向量（Μ 1)移離它的軟軸EA，但來自該定向層的該 FM連結場將會拉引該感測層磁向量（Ml)去與該定向層磁 向量（M0)對齊，使得在該等向量（M0及Ml)之間的角度分開 只是緩慢地改變。因為在該感測磁向量（Ml)及該+Hx之間 的低力矩角，一較大量的+Hx磁場被需求用於該SDT接面 來切換狀態（如曲線ll〇b所示者）。在另一方面，為了由高 電阻狀態切換至低電組狀態，該FM連結磁場協助該一 Hx 磁場，使得一較小的一Hx被需要（如曲線110a所示）。因此， 紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -12 - Ϊ222063 A7 '________________Β7 五、發明説明（10 ) ^ 一較高的.組合磁場被需求來寫人-邏輯，Γ，而不是邏 輯，〇，（如向量A，B，C1D之相對量所示）。 該FM耗合的影響可以藉由對該接面再退火將該定向 磁向量（M0)設定於與該x.軸具有_爽角（例如，〜=+2〇度） 來被降低（參考第6ab圖）。該感應層磁向量（議)的方向沒有 被改灸其結果，當一 +Hy磁場被施加時，該感測層磁場 向量（Ml)被更推遠離該定向磁場。該結果是該 曲線112b的 上右半部。該曲線的下右是—Hy磁場的結果，其推著該感 測層磁向量Μ1向著該定向層磁向量M〇。因此該FM連結是 較強的且它變得更不容易轉動。該曲線i 12a的左手側不會 有像上述如此大的改變。因為該二磁向量大體上是相互反 平行的’該FM耦合對於該感測層54的轉動具有較小的影 響。 該等切換曲線112a及112b的上半部的對稱允許該SDT 接面的操作。一個+Hy磁場可與一個+Hx磁場組合使用來產 生一磁場向量A’，其將該SDT接面由邏輯，0,切換至，1，。類 似地，一個+Hy磁場可以與一個一 Hx磁場組合使用產生一 磁保持向量B，其將該SDT接面由邏輯，1，切換至，〇,。因為 此對稱，該等向量A，及B大約是相同的量級，及其等量級 小於向量A的量級。因此，該退火步驟幫助降低該寫入磁 場的量級及因此降低需要用來產生該寫入磁場的電流。 如果一相反角度（例如，0G=-2O度）被重新設定時，一 較小的曲線114產生（請參考第6ac圖）。該曲線114的下半部 是沿著y-軸對稱的。該SDT接面是被製造來操作在該切換 Λ Λ ---—-—------------- 一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（2〗0X297公釐） -13 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .、?· -# 1222063 A7 ____—_B7_ 五、發明説明（11 ) 曲線的下半部。 現請參考第5b圖所示，其顯示相對應於該X及y軸的第 一及第二SDT接面切換曲線210及212a/b/c/d。在此特別的 範例中’该接面尺寸是一微米或更小。因此該af|馬合磁場 疋相當大的’及該感測層的矯頑磁力（C〇erCiVity)HC也明顯 的增加。該切換曲線210產生是因為該接面被退火而對齊於 該緩軸EA及沿著該X-軸的該感射測層磁向量M1。一較大量 級的Hx及Hy磁場在寫入邏輯，1，及邏輯，〇,是被需要的。該 組合磁場Hx及Hy是以向量E及F來代表。 該AF耦合的影響可以藉由退或該SDT接面來被降 低’像是定向及感測層磁向量二者在相對於X-軸是為相同 角度（例如，0 〇= 0 i =+20度）。該定向層磁向量M0被固定在 一角度；該感測層磁向量（Ml)可以是大體上平行或抗平行 於該定向層磁向量（M0)。該FM耦合磁場及該AF耦合磁場 也沿著此新的EA指向及它們是相互相反方向的。該切換曲 線212具有四截段212a，212b，212c，及212d，每一個截段 相應於在該X及y軸上的一個象限。該截段212a是在該第一 象限，其具有推動該感測層磁向量（Μ 1)向著該X軸的磁場 +Hy，因此變得更對齊於該+Hx磁場。此使得該感測層磁向 量由平行至抗平行的切換由於低力矩效應而變得對該被施 加的+Hx磁場較不敏感。在當該一 Hy及+Hy磁場被施加至 該SDT接面時，在該第四象限中的該截段212b相應於將該 感測層向量（Ml)由平行切換至抗平行狀態。在此範例中， 該一 Hy磁場推動該感應層磁向量（Ml)更遠離於該水平的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -14 - i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、τ· 1222063 A7 __ B7_ 五、發明説明（12 ) X-軸’因此’ g亥力矩角對較大量級的一 Hy是較大的，及該 感測層磁向量（Ml)對於該+Hx磁場是更敏感的。 類似的結果發生在為於X_y軸之第三及第四象限中的 該切換曲線截段212c及212d。該+Hy磁場推著該感測層磁 向量更遠離於X-軸，及一Hx推動該感測層磁向量由抗平行 至平行狀態。因此該感測層磁向量（M1)之切換對該—^乂磁 場是敏感的。另一方面，該一 Hy磁場推動該感測層磁向量 (Ml)向該X-軸推進，及該一 HX磁場切換該感測層磁向量 (Ml)由抗平行至平行。其結果，該感測層磁向量的切換對 於5玄一Hx磁％是較不敏感的。其產生，在該等曲線 212&/212(：及21213/212(1之間相對於乂5平面空間的中心是相 當好的對稱。向量E，及F，代表將該SDT接面由抗平行切換 到平行（亦即，在寫入一邏輯’〇’時）及由平行切換到抗平行 (亦極，在寫入一邏輯，丨，時）的該組合臨界磁場。該等向量 E及F的里級疋小於該等向量e及F的量級。 現請參考第5c圖，其顯示退火期間，在當一負角度（例 如，产20度）被設定時，該切換曲線的四個截段 2Ha，2Mb，21物，及以牦（也請參考第6(：圖）。該等四截 段214a，g 14b，214c，及214d是為鏡影式映對著該等四截 段212a，212b，212c，及 212d如第 5b 圖所示。 如果該SDT接面是被製造在一晶圓上，一陣列的sdt 接面的角度可以被同時改變。該磁向量角度的重置降低了 通過該晶圓的界面之特性的改變，特別是對於具有相同尺 寸及形狀的SDT接面。因此較佳的程序控制是在製造時被 。r 1 丨丨 ** ^本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） …彳……：釋…- (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) -、可| 15 1222063 A7 B7 五、發明説明（13 ) 達成的。 不同的角度可以藉由在再退火期間來被重新設定。該 等角度將依據所需要的切換特性而定。此彈性使得該記憶 體製造商可以彌補製造時的變化。 再者，臨界切換磁場被降低及變得更對稱。改善該等 切換磁場的對稱將低了控制電路的複雜度及改善了半選擇 差度（half-select margin)。降低該切換磁場也就是降低了電 源損耗，此對於攜帶型裝置特別重要。 重新設定該磁向量角改善寫入效能及降低了因為半選 擇所產生的錯誤率，其可以具有較佳的良率，及具有較低 的成本。 根據本發明的該MRAM裝置可以使用在廣泛多樣的應 用上。例如，其可以取代在電腦中的DRAM，SDRAM，快 閃記憶體，及其他快速，短時間使用的記憶體。像這樣的 裝置提供了優於硬碟及其他傳統長時間使用的資料儲存裝 置的許多優點（例如，快速，小體積）。根據本發明的MRAM 可以被使用在數位相機中作為數位影像的長時間儲存存。 該SDT接面並不受限於方形或矩形幾何。例如，該SDT 接免可以具有橢圓形幾何。 該MRAM裝置並不受限於SDT接面。其他型式的磁性 通道接面，像是超大磁控電阻性（colossal magnetoresistive :CMR) 或巨大磁控電阻性 （giant magneto-resistive ·· GMR)接面也可以被使用。 本發明更不受限於包括有電阻交點陣列的MRAM裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 16 ---------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、可I 1222063 A7 B7 五、發明説明（l4 置：其也可以被應用在任何記憶體裝置，包括有磁性記憶 體元件，其需要將它們的磁方向固^在特定方向上^ 本發明並不受限於以上所描述及說明的特定實施 例。然而’本發明是根據後述的中請專利範圍所構成。 元件標號對照 10…磁性隨機存取記憶體 (MRAM) 12…電阻交叉點陣列 14…旋轉相依隨道接面 16…字元線 18…位元線 46,48···種子層 5 0…抗鐵磁定向層 52…定向鐵磁（FM)層 54…感測鐵磁（FM)層 56…隧道阻隔層 110a，110b，112a，112b，114a ，114b···切換曲線 200…晶圓 202…字元線 204…種子層 206…抗鐵磁定向層 208…定向鐵磁層 210…隧道阻隔層 212,212a 〜212d，214,214a 〜 214d…旋轉相依隧道接面 220···定向層磁向量角 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱）

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Claims (1)

1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 第91119863號申請案申請專利範圍修正本 93.1.14. 1. 一種用於產生磁性隧道接面之方法，其特徵在於包括有 下列步驟： 形成一包括有固定及感測層之磁性隧道接面； 5 重新設定該等層體中的至少一層體的磁化向量。 2·如申请專利範圍第1項所述之方法，其中一磁化向量藉 由施加一磁場於所需要的方向上及同時退火該接面來 被重新設定。 3.如申請專利範圍第i項所述之方法，其中該固定層磁化 1〇 向量藉由以高於該固定層的阻隔溫度（baking temperature)之溫度被退火及同時以該固定層所需要的 方向施加一磁場來被重新設定。 4·如申请專利範圍第1項所述之方法，其中該感測層磁化 角是藉由將該接面加熱至該感測層的易轴轉動臨界溫 15 度以上，同時施加該感測層所要的-方向上之-磁場， 來重新設定。 5·如申請專利範圍第i項所述之方法，其更包括有測試該 接面的切換特性；及根據測試結果來重新設定至少-個 磁化向量。 20 6.如申請專利範圍第1項所述之 之方法’其中該感測層磁化 向量及該固定層磁化向量-去 1—者稭由再退火而被重新設 定。 7·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該固定層磁化 向量被重新設定以補償強鐵磁叙合及弱反鐵磁麵合。 __________ 本紙張尺度遶周中_家標準________ I 1 r----丨丨裝--------訂--------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 18 1222063 > J A8 93. 1-14 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中至少一磁化向 量被重新設定來改善切換曲線對稱。 9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中至少一磁化向 量被重新設定來降低臨界切換磁場。 5 10.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中至少一磁化向 量被重定設定指向相同方向。 11 „ --------^--------· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格（2]0 X 297公g )