CN1412863A - 修改磁性隧道结转换场特性的方法 - Google Patents
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Abstract
通过形成钉扎层和传感层(206和210);并重新设置至少一层的磁化向量(220),来制造磁性隧道结。
Description
技术领域
本发明涉及信息存储设备,更具体地说,是涉及包含磁性隧道结的存储设备。
背景技术
典型的磁随机存取存储器(“MRAM”)包含了一个存储单元阵列,沿着存储单元的行延伸的字线,沿着存储单元的列延伸的位线。每个存储单元位于字线和位线的交点上。
MRAM的存储单元可基于磁性隧道结(“MTJs”),例如与自旋相关的隧道(“SDT”)结。典型的SDT结包含一个钉扎层、一个传感层以及夹在中间的绝缘隧道阻挡层。钉扎层有一个固定的磁化向量,可以在关注范围内的外加磁场存在时防止发生旋转。传感层有一个磁化向量,可以有以下两个取向:与钉扎层磁化向量相同,或与钉扎层磁化向量相反。如果钉扎层与感应层磁化向量方向相同,SDT结的取向就称做“平行”;如果钉扎层与感应层磁化向量方向相反,SDT结的取向就称做“反向平行”。
这两种稳定的取向,平行和反向平行,代表逻辑值“0”和“1”。该磁化取向又影响SDT结的电阻。SDT结的电阻在磁化取向为平行时为第一值,在磁化取向为反向平行时为第二值。因此,通过检测SDT结的电阻状态,可读出SDT结的磁化取向以及逻辑值。
通过将磁性存储单元层堆积成堆栈,然后将堆栈组合成存储部件,来制备存储单元阵列。该存储部件的理想尺寸、形状、厚度是统一的。
然而事实上,厚度、尺寸及形状并不统一。尺寸、形状和层厚度的变化,将导致MRAM阵列中存储部件的磁属性变化。特别是,这些参数的变化可以出现在晶片与晶片之间,但是它们也可以出现在模与模之间,阵列与阵列之间。这些变化会降低数据写的完整性,而且可能产生不希望的副作用:将来选定的位删除。当存储部件尺寸减小时,这些变化和不希望的影响更为显著,尤其是在对于传感层矫顽(磁)力的调节时。
然而,减小存储部件的尺寸是存储器制造厂商的目标,减小尺寸可增加存储密度,进而降低存储器成本。减小尺寸也能降低功率消耗,这是移动产品的优点。
发明内容
根据本发明的一方面,通过形成钉扎层和传感层,并重新设置至少一层的磁化向量,来制备磁性隧道结。通过结合用实例来表示发明原理的附图的详述,将使本发明的其它方面及其优点变得更加清楚。
附图简述
图1是包含了一种SDT结阵列的MRAM设备图释。
图2是一种SDT结的基本结构图释。
图3是一种制造SDT结的方法图释。
图4a,4b,4c是一种示例的SDT结传感层磁化向量图释。
图5a,5b,5c是不同的SDT结转换曲线图释。
图6aa,6ab,6ac,6b和6c是其它示例SDT结传感层磁化向量的图释。
具体实施方式
现在参照图1。该图表示包含SDT结14的电阻性交叉点阵列12的MRAM设备10。将SDT结14排列成行和列,其行沿着x方向延伸,而列沿着y方向延伸。为了简化对MRAM设备10的说明,这里只展示了比较少量的SDT结14,实际上任何尺寸的阵列都可能使用。
起字线16作用的轨迹沿着阵列12一侧的平面的x方向延伸;起位线18作用的轨迹沿着阵列12的相邻一侧的平面的y方向延伸。阵列12中每一行有一条字线16,阵列12中每一列有一条位线18。每个SDT结14位于字线16和位线18的交点上。MRAM设备10包含一种读/写电路(未展示),在读取操作时,用于检测所选SDT结14的电阻状态;在写操作中,用于向所选字线16和位线18提供写电流。
参照图2。该图更详细地展示了SDT结14。该SDT结14包含了一个钉扎铁磁(FM)层52,在钉扎铁磁层52上的一个绝缘隧道阻挡层56,和在该隧道阻挡层56上的一个传感FM层54。钉扎FM层52有一种磁化向量M0,其取向在钉扎层52的平面内。钉扎FM层52可以由铁磁材料制成,例如NiFe,氧化铁(Fe3O4),氧化铬(CrO2),钴,或者钴合金(例如CoFe,NiFeCo)。
钉扎层52的磁化向量(M0)可由包含第一种子层46、第二种子层48和AF钉扎层50的结构所钉扎。第一种子层46允许第二层48以(111)晶体结构取向生长,第二种子层48为AF钉扎层50建立(111)晶体结构取向。AF钉扎层50提供一种巨大的转换场,该转换场使钉扎铁磁层52的磁化向量M0保持在一个方向,甚至在所关注范围内的外加磁场存在时也是如此。这就使钉扎铁磁层52成为一个不能轻易转动的“硬”铁磁层。第一种子层46可以由钛(Ti)或钽(Ta)制成;第二种子层48可以由镍-铁(NiFe)或NiFeCo制成。其它的种子层材料包括Ru,TaN,TiN,Al2O3,和SiO2。AF钉扎层50可以由合成铁磁材料(例如CoFe/Ru/CoFe多层)或反铁磁材料(例如IrMn,FeMn,PtMn)制成。
传感层54有一个未钉扎的磁化向量M1。相反,在关注范围内的外加磁场存在时,传感层磁化向量M1可以在两个方向中任意取一个取向。这就使传感层54成为一个“软”铁磁层。当传感层磁化向量M1的取向与钉扎层的磁化向量M0相同时,SDT结14的磁化取向为平行;当传感层磁化向量M1的取向与钉扎层的磁化向量M0相反时,SDT结14的磁化取向为反向平行。传感铁磁层材料包括,但不限于NiFe,NiFeCo,CoFe。
绝缘隧道阻挡层56允许量子机械隧道现象(quantum mechanicaltunneling)在钉扎层52与传感层54之间发生。这种隧道现象是依赖电子自旋的,它使得SDT结14的电阻成为钉扎层52、传感层54的相关磁化取向的函数。例如:如果SDT结14的磁化取向是平行,SDT结14的阻值为第一值(R),如果磁化取向是反向平行,SDT结14的阻值为第二值(R+ΔR)。绝缘隧道阻挡层56可以由氧化铝(Al2O3),二氧化硅(SiO2),氧化钽(Ta2O5)或氮化硅(SiN4)制成。其它绝缘和某些半导体材料也可以用于绝缘隧道阻挡层56。
通过对连结SDT结14的字线16和位线18提供电流(1y,1x),可将磁场(Hx,Hy)加到SDT结14。若字线16和位线18是直交的,外加的磁场(Hx,Hy)也将是直交的。
Neel“桔皮(orange-peel)”耦合(HN),也称作FM耦合,被认为是由于钉扎层52和传感层54之间接触面的粗糙造成的。该FM耦合的大小是: 其中h和λ表示接触面粗糙的振幅和波长,Ms表示传感层54的饱和磁化。tF,tS分别表示传感层54和绝缘隧道阻挡层56的厚度。
静磁耦合(Hd),也称作反铁磁(AF)耦合,被认为是由钉扎层52和第二种子层48边缘上的未补偿磁极造成的。反铁磁(AF)耦合的平均值为: 其中W、L分别表示结的宽和长,A是一个常数,α与SDT结14的大小有关,当钉扎层52与传感层54之间的距离远远大于它们的宽度时,α值接近1;当钉扎层52与传感层54之间的距离远远小于它们的宽度时,α值接近0。
FM耦合在横跨SDT结14的区域时保持稳定,且与SDT结14的尺寸无关。相反,AF耦合在横跨SDT结14的区域和在SDT结14的体积之内时,都是高度不一致的。AF耦合还与结的尺寸和形状有关:在结的大小接近亚微米时,AF耦合会明显变强。
FM耦合趋向于将传感层54的磁化向量M1和钉扎层52的磁化向量M0对准在平行取向。AF耦合趋向于使传感层54的磁化向量M1远离钉扎层52的磁化向量M0。因此,在制造过程中,传感层磁化向量M1的取向,纯粹是由FM耦合和AF耦合决定的。晶体的各向异性和传感层54的磁致伸缩,也会影响传感层的磁化向量M1的取向和旋转。
参照图3。该图展示了制造SDT结14的一种方法。将字线形成在晶片上(200),第一、第二种子层放置在字线上(202)。AF钉扎层放置在第二种子层上(204),钉扎FM层放置在AF钉扎层上(206)。为了建立一个单轴的磁化各向异性,一般在所外加磁场存在的情况下放置FM层。
绝缘隧道阻挡层放置在钉扎FM层的顶上(208)。任选的分界层可夹住绝缘隧道阻挡层。
传感FM层放置在绝缘隧道阻挡层的顶上(210),将这些层组合成SDT结的阵列(212),在SDT结上形成位线(214)。传感层54的难轴(hard axes)、易轴(easy axes)分别用HA、EA表示。在制造的这一阶段,将传感层的磁化向量M1与易轴EA对准,而易轴EA与传感层54的x轴对准(参照图4b)。传感层54的磁化向量M1的角度θ1=0度。并且,钉扎层的磁化向量M0与传感层的磁化向量M1的角度(θ0和θ1)不必须相等。特别是在对位进行组合时,通过将其暴露于较高温度,可能会改变钉扎层52的磁化。
钉扎FM层在这一点上是经过退火的(框216)。钉扎FM层被加热超过其阻塞温度(blocking temperature,TB)时,可通过在一段时间外加磁场,来设置钉扎层的磁化向量M0相对于钉扎层52的x轴的理想角度(θ0)(参照图4a)。例如:通过在平行于磁化向量M0的理想角度θ0的方向外加一个2000奥斯特(Oersteds)的强大磁场,且将SDT结加热到180℃-300℃持续15分钟到几小时,来设置钉扎层52的磁化向量角度(θ0),具体时间、温度由所用材料决定。然后在磁场存在时冷却该SDT结,将钉扎层磁化固定在理想的角度(θ0)。在AF层和钉扎层之间的磁性转换耦合保持了钉扎的磁化向量(M0)。
对SDT结进行测试,以判定AF耦合比FM耦合强还是弱(218)。测量SDT结的转换特性可以达到这种效果。材料缺陷以及尺寸、形状的变化可能使不同SDT结拥有不同的转换曲线。我们可以通过测试很多结,来获得其退火后处于适当磁化向量角度(θ0和θ1)的统计平均值。
可以只改变传感层的磁化向量角度,也可以只改变钉扎层磁化向量角度,或者传感层与钉扎层磁化向量角度同时改变(220)。传感层的磁化角度只能按以下方法改变:将传感层加热超过易轴发生旋转的阈值温度(但要低于钉扎层的阻塞温度),并加上一个与易轴成理想角度的磁场。重新退火并不会改变钉扎FM层的磁化角度,但是重新设置了传感层的易轴,使之沿着外加场方向。例如:通过将SDT结在180℃-250℃经过15-30分钟的退火,同时加入一个外部的1000奥斯特(Oersteds)的磁场,来改变NiFe的传感FM层的磁化角度。实际中的温度、持续时间和磁场由材料和层结构来决定。结果是传感层的磁化角度(θ1)改变为一个新的角度,正如图4c所示。
钉扎层的磁化向量角度(θ0)只能按以下方法改变:在不低于钉扎层材料的阻塞温度下将SDT结进行退火,这个温度根据材料不同通常在200℃-280℃之间。在退火的加热和冷却过程中,将SDT结暴露于一个设置磁化向量方向的磁场中。传感层的磁化向量也会被设置为与钉扎层的磁化向量方向相同。因此,为了恢复传感层的磁化向量,此后还要进行一次低温退火。
参照图5a,该图在x,y坐标系里展示了SDT结的第一、二、三对转换曲线:110a与110b,112a与112b,114a与114b。在这个特殊的例子里,由于数据采集于大型设备,所以AF耦合比FM耦合小。如果钉扎层和传感层的磁化向量(M0和M1)都沿着x轴,即传感层和钉扎层的磁化向量(M0和M1)之间角度为0度或180度时(参照图6aa),第一对转换曲线110a和110b能够在退火之前得到。
为了从低电阻状态改变为高电阻状态,需向该结加上一个+Hx和+Hy(或-Hy)的组合场。该+Hy或-Hy场使传感层磁化向量(M1)远离它的易轴EA,但是来自钉扎层的FM耦合场会尽力将传感层磁化向量(M1)拉回,使之与钉扎层磁化向量(M0)对准,这样向量(M0与M1)之间的角度分离只能逐渐变化。由于传感层磁化向量(M1)与+Hx场之间的低转矩角度,SDT结改变状态需要一个更大的+Hx场(正如曲线110b所示)。另一方面,要从高电阻状态变为低电阻状态,需通过FM耦合场辅助-Hx场,这样只需要较小的-Hx场(正如曲线110a所示)。因此,写逻辑“1”比写逻辑“0”需要一个更大的组合场(正如向量A、B、C、D的相对幅度所示)。
通过将SDT结重新退火,来降低FM耦合的影响,从而设置钉扎层磁化向量(M0)与x轴的角度(例如θ0=+20)(参照图6ab)。传感层磁化向量(M1)的取向没有改变。作为结果,当外加+Hy场时,传感层磁化向量(M1)被进一步推离钉扎磁化。结果是曲线112b的右上部分。而曲线112b的右下部分是-Hy场造成的,该-Hy场将传感层磁化向量M1推向钉扎层磁化向量M0。这样,FM耦合变得更强大,更抵制旋转。曲线112a的左侧部分没有如此多的改变。由于两个磁化向量基本上是反向平行的,所以FM耦合对传感层54旋转的影响较小。
转换曲线112a和112b的上半部分的对称性允许SDT结的工作。一个+Hy磁场可以与一个+Hx磁场组合使用以生成一个磁场向量A’,该磁场向量A’可以使该SDT结由逻辑“0”转变为逻辑“1”。同样,一个+Hy磁场可以与一个-Hx磁场组合使用来生成一个磁场向量B,该磁场向量B可以使该SDT结由逻辑“1”转变为逻辑“ 0”。由于这种对称性,向量A’与B大小几乎相同,且都小于向量A。因此,退火有助于减小写场的大小,从而降低了生成该写场所需的电流。
如果重新设置了一个负角度(例如θ0=-20度),就会生成相似的曲线114(参照图6ac)。曲线114的下半部分对于y轴对称。SDT结在该转换曲线下半部工作。一个-Hy磁场可以与一个+Hx磁场组合以生成使SDT结由逻辑“0”转变为逻辑“1”的向量D’。同样,一个-Hx磁场可以与一个-Hy磁场组合以生成使SDT结由逻辑“1”转变为逻辑“0”的向量C。再有,由于通过将钉扎层在一个角度下进行退火得到的这种对称,所以向量D’和C大小几乎相同,且都小于向量D。
参照图5b,该图在x,y坐标系里展示了SDT结的第一、第二转换曲线210和212a/b/c/d。在这个特殊的例子里,结的尺寸为一微米或者更小。因此AF耦合场是显著的,而且传感层的矫顽(磁)力Hc也有显著的提升。因为将该结退火,以便使易轴EA和传感层磁化向量M1沿x轴对准,产生了转换曲线210。写逻辑“ 1”和“0”需要大的Hx、Hy磁场。组合的磁场Hx、Hy用向量E、F表示。
通过将SDT结重新退火可减少AF耦合的影响,从而使钉扎层和传感层磁化向量与x轴所成角度相同(例如,θ0=θ1=+20度)。将钉扎层磁化向量M0固定在一个角度,传感层磁化向量(M1)可以与钉扎层磁化向量(M0)基本平行或反向平行,正如图6b所示。FM耦合场和AF耦合场也沿着新易轴互相指向对方。转换曲线212有四个部分:212a,212b,212c,212d,分别对应x,y坐标系的一个象限。212a部分在第一象限,第一象限中有将传感层磁化向量(M1)推向x轴的+Hy场,使之与+Hx场更趋于对准。由于低转矩影响,这就使传感层磁化向量(M1)由平行到反向平行的转换过程对外加+Hx场更不敏感。在第四象限的212b部分,对应于当在SDT结外加-Hy和+Hx场时,传感层磁化向量(M1)由平行到反向平行的转换过程。在这里,-Hy场将传感层磁化向量(M1)进一步推离水平的x轴,因此,对于较强的-Hy场,该转矩角度更大,传感层磁化向量(M1)对+Hx磁场更敏感。
在x,y坐标系第三、第二象限的212c、212d部分也有相似结果。+Hy磁场将传感层磁化向量(M1)进一步推离x轴,-Hx磁场将传感层磁化向量由反向平行翻转为平行。因此,传感层磁化向量(M1)的转换对-Hx磁场很敏感。另一方面,-Hy磁场将传感层磁化向量(M1)推向x轴,-Hx磁场将传感层磁化向量(M1)由反向平行翻转为平行。因此,传感层磁化向量(M1)的转换对-Hx磁场不甚敏感。结果是在曲线212a/212c和212b/212d之间对于x、y座标原点有良好的对称性。向量E’、F’代表将SDT结由反向平行到平行(即:写逻辑“0”),和由平行到反向平行(即:写逻辑“1”)的转换组合临界磁场。E’、F’向量的幅度比E、F向量小,因此SDT结的转换需要更低的写电流。
参照图5c,该图展示了在退火中设置负角度(例如θ0=θ1=-20度)时,转换曲线的四个部分214 a,214b,214c,214d(也可参照图6c)。这四个部分214a,214b,214c,214d与图5b中的212a,212b,212c,212d似为镜像关系。
如果在晶片上制造SDT结,SDT结阵列的角度可同时变化。重新设置磁化向量角度减少了横跨晶片的结特性的变化,特别是对于拥有相同尺寸和形状的SDT结。因此在生产可达到更好的过程控制。
在重新退火中可以设置不同角度。这些角度将依赖于期望的转换特性。这种灵活性使生产厂家可以对生产的变化进行补偿。
而且,减小临界转换场了,并且更为变对称。改善转换场的对称性降低了控制电路的复杂度,并改善了半选择界限(half-selectmargin)。减小转换场可降低功率消耗,这对便携设备来说很重要。
重新设置磁化向量角度可以改善写性能,降低由于半选择(half-select)造成的错误率。因此MRAM设备可以更可靠地工作,产量更高,成本更低。
根据本发明的MRAM设备可以应用于许多领域。例如:它可以替代DRAM、SDRAM、闪存以及其它快速、短期的计算机存储器。它可以用于计算机的长期数据存储。这种设备相对驱动和其它传统的长期数据存储设备有很多优点(例如速度更快、体积更小)。根据本发明的MRAM设备可用于数码相机,作为数字图像的长期存储设备。
SDT结不限于正方或长方的几何图形。例如:SDT结可以是椭圆形。
MRAM不限于SDT结,其它种类的磁性隧道结,例如大磁阻(CMR)和巨磁阻(GMR),也可以使用。
本发明甚至不限于包含电阻性交叉点阵列的MRAM设备。它可以应用于任何包含磁性存储单元的存储设备,这些磁性存储单元需要将其磁性取向固定于某个方向。
本发明不限于上述的特定实施方案,而根据下面的权利要求书实施本发明。
Claims (10)
1.一种方法包括:
形成一种包含钉扎层和传感层(206和210)的磁性隧道结;和
重新设置至少一层的磁化向量(220)。
2.如权利要求1的方法,其中通过在对结进行退火时,在一个关注的方向加一个磁场,来重新设置磁化向量。
3.如权利要求1的方法,其中通过在高于钉扎层的阻塞温度进行退火时,同时在钉扎层关注方向外加磁场,来重新设置钉扎层的磁化向量。
4.如权利要求1的方法,其中通过将结加热高于使传感层易轴旋转的阈值温度,同时在传感层关注方向外加磁场,来重新设置传感层磁化角度。
5.如权利要求1的方法,其中还包括测试结的转换特性(220);根据测试结果重新设置至少一个磁化向量(220)。
6.如权利要求1的方法,其中通过重新退火来重新设置传感层和钉扎层的磁化向量。
7.如权利要求1的方法,其中重新设置钉扎层的磁化向量,对强铁磁耦合和弱反铁磁耦合进行补偿。
8.如权利要求1的方法,其中重新设置至少一个磁化向量以改善转换曲线的对称性。
9.如权利要求1的方法,其中重新设置至少一个磁化向量以减小临界转换场。
10.如权利要求1的方法,其中重新设置至少一个磁化向量以指向相同方向。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104766924A (zh) * | 2014-01-08 | 2015-07-08 | 上海矽睿科技有限公司 | 一种磁性材料退火工艺 |
CN105280214A (zh) * | 2015-09-10 | 2016-01-27 | 中国科学院物理研究所 | 电流驱动型磁随机存取存储器和自旋逻辑器件 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100407907B1 (ko) * | 2001-05-15 | 2003-12-03 | 한국과학기술연구원 | 자기 터널 접합 소자의 열처리 방법과 그 방법으로 제조된자기 터널 접합 소자 |
US6717194B2 (en) * | 2001-10-30 | 2004-04-06 | Micron Technology, Inc. | Magneto-resistive bit structure and method of manufacture therefor |
FR2832542B1 (fr) * | 2001-11-16 | 2005-05-06 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif magnetique a jonction tunnel magnetique, memoire et procedes d'ecriture et de lecture utilisant ce dispositif |
US6744651B2 (en) * | 2002-09-20 | 2004-06-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Local thermal enhancement of magnetic memory cell during programming |
US20040085463A1 (en) * | 2002-11-06 | 2004-05-06 | Manish Sharma | Imaging system with non-volatile memory |
US7189583B2 (en) * | 2003-07-02 | 2007-03-13 | Micron Technology, Inc. | Method for production of MRAM elements |
US7473656B2 (en) | 2003-10-23 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Method for fast and local anneal of anti-ferromagnetic (AF) exchange-biased magnetic stacks |
US20050237676A1 (en) * | 2004-04-26 | 2005-10-27 | Hitachi Global Storage Technologies | Fe seeded self-pinned sensor |
JP2007207919A (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ |
US7646569B2 (en) * | 2006-07-20 | 2010-01-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Pinned layer in magnetoresistive sensor |
US20090218645A1 (en) * | 2007-02-12 | 2009-09-03 | Yadav Technology Inc. | multi-state spin-torque transfer magnetic random access memory |
US7834410B2 (en) * | 2009-04-13 | 2010-11-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Spin torque transfer magnetic tunnel junction structure |
US20100315869A1 (en) * | 2009-06-15 | 2010-12-16 | Magic Technologies, Inc. | Spin torque transfer MRAM design with low switching current |
KR101661275B1 (ko) * | 2014-04-18 | 2016-09-29 | 한양대학교 산학협력단 | 메모리 소자 |
CN112289922B (zh) * | 2019-07-22 | 2023-05-30 | 中电海康集团有限公司 | 磁传感器及其制作方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5650958A (en) * | 1996-03-18 | 1997-07-22 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junctions with controlled magnetic response |
JP3219713B2 (ja) * | 1997-02-07 | 2001-10-15 | アルプス電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
US6048739A (en) * | 1997-12-18 | 2000-04-11 | Honeywell Inc. | Method of manufacturing a high density magnetic memory device |
US6114719A (en) * | 1998-05-29 | 2000-09-05 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction memory cell with in-stack biasing of the free ferromagnetic layer and memory array using the cell |
US6081446A (en) * | 1998-06-03 | 2000-06-27 | Hewlett-Packard Company | Multiple bit magnetic memory cell |
US5982660A (en) | 1998-08-27 | 1999-11-09 | Hewlett-Packard Company | Magnetic memory cell with off-axis reference layer orientation for improved response |
US6166948A (en) * | 1999-09-03 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory array with magnetic tunnel junction memory cells having flux-closed free layers |
US6326637B1 (en) * | 1999-10-18 | 2001-12-04 | International Business Machines Corporation | Antiferromagnetically exchange-coupled structure for magnetic tunnel junction device |
US6285581B1 (en) * | 1999-12-13 | 2001-09-04 | Motorola, Inc. | MRAM having semiconductor device integrated therein |
JP2001196658A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Fujitsu Ltd | 磁気素子及び磁気記憶装置 |
US6172904B1 (en) * | 2000-01-27 | 2001-01-09 | Hewlett-Packard Company | Magnetic memory cell with symmetric switching characteristics |
US6727105B1 (en) * | 2000-02-28 | 2004-04-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of fabricating an MRAM device including spin dependent tunneling junction memory cells |
JP3550533B2 (ja) * | 2000-07-06 | 2004-08-04 | 株式会社日立製作所 | 磁界センサー、磁気ヘッド、磁気記録再生装置及び磁気記憶素子 |
US6541316B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-04-01 | The Regents Of The University Of California | Process for direct integration of a thin-film silicon p-n junction diode with a magnetic tunnel junction |
US6744086B2 (en) * | 2001-05-15 | 2004-06-01 | Nve Corporation | Current switched magnetoresistive memory cell |
US6430084B1 (en) * | 2001-08-27 | 2002-08-06 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory having digit lines and bit lines with a ferromagnetic cladding layer |
US6430085B1 (en) * | 2001-08-27 | 2002-08-06 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory having digit lines and bit lines with shape and induced anisotropy ferromagnetic cladding layer and method of manufacture |
US6741496B2 (en) * | 2001-09-27 | 2004-05-25 | Intel Corporation | Electron spin mechanisms for inducing magnetic-polarization reversal |
US7190611B2 (en) * | 2003-01-07 | 2007-03-13 | Grandis, Inc. | Spin-transfer multilayer stack containing magnetic layers with resettable magnetization |
-
2001
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2002
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-
2003
- 2003-07-23 US US10/626,447 patent/US6828610B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104766924A (zh) * | 2014-01-08 | 2015-07-08 | 上海矽睿科技有限公司 | 一种磁性材料退火工艺 |
CN105280214A (zh) * | 2015-09-10 | 2016-01-27 | 中国科学院物理研究所 | 电流驱动型磁随机存取存储器和自旋逻辑器件 |
CN105280214B (zh) * | 2015-09-10 | 2018-02-27 | 中国科学院物理研究所 | 电流驱动型磁随机存取存储器和自旋逻辑器件 |
Also Published As
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