TW594398B - Method of reducing metal ion content of film-forming resins using a liquid/liquid centrifuge - Google Patents

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TW594398B TW090109447A TW90109447A TW594398B TW 594398 B TW594398 B TW 594398B TW 090109447 A TW090109447 A TW 090109447A TW 90109447 A TW90109447 A TW 90109447A TW 594398 B TW594398 B TW 594398B
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Description

594398 A7 -—-----—«-— ______ B7_ 五、發明説明(1 ) "~~' ^ 發明背景 本發明提出一種減少膜成形樹脂之金屬離子含量的方法 ’㈣成形樹脂於感純総組合物中具有良好之微影性 能,及該膜成形樹脂使用於該感光性組合物中的用途。本 發明5F提出-種製備此等膜成形樹脂之方法,其係採用液 相/液相離心機連續地進行液相/液相萃取,並使用該樹脂以 製造高品質感光性光阻組合物(同時包括正片型及負片型光 阻組口物)。匕外,本發明提出一種使用此等感光性組合物 塗佈基材之方法,及形成影像並使位於該基材上之感光性 混合物顯影的方法。 光阻組合物係使用於微影方法中,以製造小型電子組件 ,諸如製造電腦晶片及積體電路。此等方法中,光阻組合 物薄膜之薄塗層通常先施加於基材上,諸如甩於製造積體 電路之矽晶圓。經塗佈之基材隨後經烘烤以蒸發該光阻組 a物中之任何溶劑,並將該塗層固定於該基材上。該基材 經烘烤-塗佈之表面接著進行成像曝光。 此曝光步驟導致經塗佈表面之曝露區中產生化學轉變。 可見光、紫外光(UV)、電子束及X-射線輻射能量係爲目前 一般使用於微影方法中之輻射類型。在此成像曝光之後, 經塗佈之基材使用顯影劑溶液處理,以溶解並移除該基材 經塗佈表面的經曝光(若爲正片型光阻)或未曝光(若爲負片 型光阻)區域。 紛酸清漆樹脂經常作爲正片型液態光阻調配物中之聚合 物黏合劑。此等樹脂一般係於酸觸媒諸如草酸、順丁婦二 _4_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)"一 — nn · 衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 594398 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 _ ________B7___ _ 五、發明説明(2 ) 酸、或順丁烯二酸酐存在下,藉著於甲醛與一或多種經多 重取代之酚之間進行縮合反應而產生。製造複雜半導體裝 置時,提供具有優越品質之膜成形酚醛清漆樹脂對於溶解 速率、與重氮萘醌具有較佳黏合性及耐熱性而言,愈來愈 重要。另外,此等材料必需含有低金屬污染物,因爲此等 雜質對於高級微影電子裝置的電路具有負面影響。< 十億分 之50或更低之金屬濃度一般係爲目前市場所售之市售樹脂 所需。雖然負片型光阻組合物係由異於酚醛清漆樹脂之膜 成形樹脂製得,但仍具有相同之品質需求及低金屬樹脂要 求。 光阻組合物有兩種,負片型及正片型。當負片型光阻組 合物成像曝光時,該光阻組合物曝光之區域變成較無法溶 解於顯影劑溶液(例如發生交聯反應),而該光阻塗層之未曝 光區域則保持相對可溶於該溶液中。因此,使用顯影劑處 理經曝光之負片型光阻時,可移除該光阻塗層未曝光之區 域,而於該塗層中產生負片型影像,以露出上層沉積有該 光阻組合物之底層基材表面的必要部分。 另一方面,當正片型光阻組合物成像曝光時,該光阻組 合物曝光之區域變成較易溶於顯影劑溶液(例如發生重排反 應),而未曝光之區域則仍保持相對較不易溶於該顯影劑溶 液。因此,使用顯影劑處理經曝光之正片型光阻時,移除 該塗層之已曝光區域,而於該光阻塗層中產生正片型影像 。仍露出底層基材表面之必要部分。 經過此種顯影操作之後,現在部分未經保護之基材使用 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ••衣 卜訂
經濟部中央樣準局員工消費合作杜印¾ A7 '--^------ B7 五、發明説明(3 ) 〜一'' ---' 基材·蚀刻;谷液或電聚氣㈣ 水孔寺物進行處理。該蝕刻溶液或電 水氣骨立I虫刻該基材在_畢; 6、〜4間被移除光阻塗層的部分。該 基材仍保留光阻塗層乏F々 、、 曰域被保護,因此於基材中產生對 應於该成像曝光所使用夕水 _ 光罩幕的經姓刻圖型。稍後,可 於剥離操作中移除光阻塗層之殘留區域,留下清晰之經蚀 j基材表面。某些情況下,期望在顯影步驟之後及蚀刻步 ‘乾之㈤熱處理殘留之来卩日爲 +1. 田九阻層,其增加其對底層基材之黏著 性及其對蝕刻溶液之阻抗。 正片型光阻組合物目前優於負片型組合物,因爲前者通 常具有較佳解析度及圖型轉移特性。光阻解析度係定義爲 在+光及顯〜之後,該光阻組合物可於高影像邊緣銳度下 ,自光罩幕傳送至基材之最小圖型。目前許多製造設備中 ,小於一微米之大小的光阻解析度相當普遍。此外,幾乎 始終期望經顯影光阻壁輪廓相對於基材接近垂直。該光阻 ^層介於經顯影及未顯影區域之交界在該基材上轉換成罩 幕影像的精確圖型傳送。 近年來,酚醛清漆樹脂之合成及移除金屬雜質之方法有 明顯足進展。典型酚醛清漆反應中,反應器置入酚類化合 物、酸觸媒諸如草酸、順丁烯二酸、對_甲苯磺酸或任何無 機酸,並加熱至95至100 r。緩緩添加甲醛,混合物於回 流下加熱6小時。縮合期間結束時,該反應器轉換成蒸餾, 溫度升至200 °C。此時,緩緩抽眞空,溫度升至22〇乇, 壓力降低至2 0毫米汞柱以下。在館除揮發物之後,釋除眞 立’收集溶化之樹脂’使之冷卻。儘管使用相當純之起始 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) l·訂 I..... - - · -6- 594398 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(4 物質且於合成期間預防污染,樹脂產物仍含有較可販售之 標準鬲的金屬離子雜質。已描述各種金屬離子移除方法, 於本發明供作參考。於美國專利第5,378,8〇2號中,KH〇nda 榣述一種方法’其中處於溶劑中之光阻組份使用纖維狀離 子X換樹脂進行處理,之後過濾取出。Szmanda及Ca^y敎 π —種自有機落液移除陰離子之方法,使用經修飾之陰離 子父換樹脂,其具有鹼性低於羥基陰離子之來源陰離子。 於一連串專利US 5,521,〇52,US 5,543,263,US 5,565,496,US 5,594,098,US 5,686,561,US 5,858,627 及 US 5,955,570 中, Rahman等人描述一種金屬離子降低技術,其採用陽離子性 及陰離子性樹脂之依序處理,及製備此等離子交換介質之 方法。此系列專利亦敎示在極性溶劑中使用離子交換方 <優點,及充填有活性離子交換樹脂之特定結構容器的 途。此外,亦使用低電導係數去離子水之水洗滌,以移 金屬。 所有前述金屬移除方法皆耗時,且基本上係分批方法 此外,由離子交換介質導入酸或鹼會影響使用此種方法 備足樹脂的光阻之感光速度。某些情況下,亦發現樹脂〜 改交(诸如因分級之故而致分子量改變)係爲樹脂之少量經溶 解低分子量組份進入該離子交換介質的水相中所致之結 。本發明克服此等困難。本發明亦提出一種半連續/連蜻 法’且縮短製造供光阻使用之低金屬離子含量樹脂所需、 時間。使用半連續或連續液相/液相離心機,其中樹脂溶、、广 可經由離心機之一入口導入,而水或金屬離子鉗合劑材枓 法 除 製 之 果 方 之 --------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公缝 594398 A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、發明説明(5 之水溶液係經由第二入口導入,得到有效降低膜成形樹脂 中之金屬離子含量的方法。 發明概述 本發明提出一種降低膜成形樹脂中金屬離子含量的方去 ’該方法係包括以下步驟: a) 提供膜成形樹脂於水不可溶混溶劑系統中之溶液,核、、容 劑系統係包含至少一種水不可溶混溶劑; b) 提供一洗液,其包含水或水溶性金屬離子鉗合劑之稀溶 液; c) 經由兩個別入口進料a)及b)之溶液至液相/液相離心機中 ’該入口中之一係進料a)之溶液,第二個入口進料b)之溶液 至該液相/液相離心機中,進料速率比例係爲a)溶液相對於 b)溶液爲10/90至90/10,溫度由〇°C至一最高溫度,其低於 該水不可溶混溶劑系統中最低沸點水不可溶混溶劑的;弗 點; d) 於该液相/液相離心機中旋轉步驟c)之混合物,旋轉速产 係足以將步驟c)之混合物分離成兩個別相,之後收集該兩 個別相,其各經由個別出口進入兩個別容器中,其中較重 之相(H)係包含膜成氣樹脂,金屬離子含量低於水不可溶混 溶劑系統,與少量之水;而較輕之相(L)係包含:1)金屬離子 之水溶液及少量之2)水不可溶混溶劑系統與3)膜成形樹脂之 混合物。 本發明亦提出一種降低膜成形樹脂之金屬離子含量的方 法,該方法係包括以下步驟: -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇 X 297公釐) -------—--— 丨 f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 594398 經濟中夬樣準局員工消費合作杜印製 A7 B7_ 五、發明説明(6 ) a) 提供膜成形樹脂於水不可溶混溶劑系統中之溶液,該溶 劑系統係包含至少一種水不可溶混溶劑; b) 提供一洗液,其包含水或水溶性金屬離子鉗合劑之稀溶 液; c) 經由兩個別入口進料a)及b)之溶液至液相/液相離心機中 ,該入口中之一係進料a)之溶液,第二個入口進料b)之溶液 至該液相/液相離心機中,進料速率比例係爲a)溶液相對於 b)溶液爲10/90至90/10,溫度由〇 °C至一最高溫度,其低於 該水不可溶混溶劑系統中最低沸點水不可溶混溶劑的;弗 點; d) 於該液相/液相離心機中旋轉步驟c)之混合物,旋轉速度 係足以將步驟c)之混合物分離成兩個別相,之後收集該兩 個別相,其各經由個別出口進入兩個別容器中,其中較重 之相(H)係包含位於水不可溶混溶劑系統中而金屬離子含量 降低之膜成氣樹脂,與少量之水;而較輕之相(L)係包含:1) 金屬離子之水溶液及少量之2)水不可溶混溶劑系統與3)膜成 形樹脂之混合物;且依以下順序反覆地進行步碟e)及f)之循 環: e) 將另一份b)溶液添加於步驟d)之較輕相(L)中,以形成新 的較輕相(L)混合物,經由兩個別入口將該較輕相(l )之新混 合物及步驟d)之較重相(H) —該入口中之一係進料較重相(H) ’而第二入口係進料該較輕相(L)之新混合物—進料至該液 相/液相離心機中,該較輕相(L)之新混合物相對於較重相 (H)之進料速率比例係由ι0/90至90/10,溫度係由〇至一 -9- 本紙張3適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 一· --- --:------|丨 r (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 594398 經濟部中央樣率局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(7 ) 最高溫度’其係低於該水不可溶混溶劑系統中最低沸點之 水不可溶混溶劑的沸點;且 f)於該液相/液相離心機中旋轉步驟d)之混合物,旋轉速度 足以爿守步蘇e)之混合物分離成兩個別相’之後收集該兩相 ’各經由個別出口進入兩個別容器中,其中該較重相(H)係 包含位於水不可溶混溶劑系統中而金屬離子含量降低之膜 成氣樹脂及少量水;且較輕相(L)係包含:1)金屬離子之水 落液’及少量之2)水不可溶混溶劑系統與3)膜成形樹脂之混 合物。 本發明亦提出一種製造光阻組合物之方法,該方法係包 括: a) 根據别述方法提供具有較低金屬離子含量之膜成形樹 脂; b) 提供以下物質之摻合物:丨)感光性組份,其含量足以使 光阻組合物進行光敏化;2)a)之膜成形樹脂;及視情況使用 之3)附加光阻溶劑;以形成一光阻組合物。 本發明亦提出一種製造微電子裝置之方法,其係於一基 材上形成影像,該方法係包括: a) 提供前述光阻組合物; b) 之後’使用步驟a)之光阻組合物塗佈一適當之基材; c) 之後,熱處理該經塗佈基材,直至實質所有水不可溶混 溶劑系統皆被移除;使該經塗佈基材成像曝光;之後使用 適當之顯影劑移除該經塗佈基材的成像曝光之區域,或未 曝光區域。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS) A4規格(2l〇X 297公釐) 衣— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 594398
經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 gl提供膜成形樹脂容液 本發明降低膜成形樹脂之金屬含量的方法之—步驟係包 括提供該膜成形樹脂於可不可溶混溶劑系統中之溶液,, 溶劑系統係包含至少—種水不可落混之㈣系統。 該膜成形樹脂以可用於製得光阻之聚合物爲佳。適當之 樹脂的非限制實例有㈣清漆樹脂、乙缔基紛聚合物:其 奵生物。酚醛清漆樹脂普遍使用於光阻製造技藝中,如"酚 樹脂义化學及應用",Kn〇p A及Scheib w ; Sprin咐
Verlag,New Y〇rk,1979 第 4章。 孩水不可溶混溶劑較佳係包含使用於光阻組合物之溶劑 。水不可溶混溶劑之適當實例係包括但不限制丙二醇甲基 醚乙酸酯、3-甲氧基-3_甲基丁醇、2_庚酮(甲基戊基酮)、2 二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、二乙二醇單乙基醚、乙 一醇單乙基醚乙酸酯、乙酸乙二醇單甲酯、或單氧基單羧 酸酯,諸如氧基乙酸甲酯、氧基乙酸乙酯、氧基乙酸丁酯 、甲氧基乙故甲§旨、甲氧基乙酸乙§旨、甲氧基乙酸丁酉旨、 乙氧基乙酸甲酯、乙氧基乙酸乙酯、丙酸乙氧基乙酯、3一 氧基丙酸甲@旨、3 -氧基丙酸乙@旨、3 -甲氧基丙酸甲酯、3 -甲 氧基丙酸乙酯、2-氧基丙酸甲酯、2-氧基丙酸乙酯、2-羥基 丙酸乙酯(乳酸乙酯)、3-羥基丙酸乙酯、2-氧基丙酸丙酯、 2-乙氧基丙酸甲酯、2-甲氧基丙酸丙酯、及其混合物。 於一具體貫例中,該膜成形樹脂於水不可溶混溶劑中之 濃度範圍係由1 〇至50重量百分比,較佳係1 5至45重量百分 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) ---------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} —訂 594398 A7 五、發明説明(9 ) 比,而20至40重量百分比最佳。 D提供洗滌溶潘 本發明方法另一步驟係包括提供一洗滌溶液,包含水或 水溶性金屬離子鉗合劑之稀溶液。 所使用之水以不具有適當之電導係數(―般爲18百萬歐姆 或更低)之去離子水爲佳。適當之金屬離子鉗合劑之實例係 包括但不限於乙二胺四乙酸(EDTA)、乙二胺四乙酸之銨鹽 及棒樣酸。 一具體實例中n離子鉗合劑溶液之濃度係介於〇.〇5 重量百分比至0_5重量百分比範圍内,較佳係〇1重量百分比 至0.4重量百分比,而最佳係0.15重量百分比至〇3〇重量百 分比。亦可使用較高濃度之金屬離子鉗合劑,但該鉗合劑 之殘留可能影響使用膜成形樹脂所製得之光阻調配物的性 質。 一具體實例中,該活性金屬離子鉗合劑相對於膜成形樹 脂之濃度係由0·0 1重量百分比至5重量百分比,更佳係〇 i 5 重量百分比至3重量百分比。 gl步驟a)及b)之宏浚進料至離心機中 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -------1—衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明方法另一步驟係包括經由兩個別入口將膜成形樹 脂溶液(即a)之溶液)及洗滌溶液(即b)之溶液)進料至液相/液 相離心機中,該入口中之一係進料a)之溶液,第二入口係 進料b)之落液至該液相/液相離心機中,a)之溶液相對於七) 之溶液的進料速率比例係爲i 〇/9〇至90/1〇,於一具體實例中 係65/35至35/65,而溫度係由〇。(:至一最高溫度,其係低於 -12, 本紙張尺度適用中國國冬標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 594398 A7 B7 五、發明説明() 該水不可溶混溶劑系統中最低沸點水不可溶混溶劑之沸點 。於一具體實例中,該溫度係較最低沸點水不可溶混溶劑 之沸點低10°至20° 。一具體實例中,進料之實際溫度係 70-80 °C 〇 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一具體實例中,a)及b)之溶液係藉著泵(諸如使用蠕動泵 或計量泵)經進料入口而進料至該離心機中。一具體實例中 ,該離心機可爲任何可進行特定步驟之液相/液相離心機。 一具體實例中,所使用之液相/液相離心機係爲CincTM型號V-2液相/ 液相離心機(CINC,Carson City,Nevada所售;網址: http://www.cinc-co.com)。該液相/液相離心機使用離心力以分離 具有不同密度之不可溶解液相。該單元係包括金屬外殼及 支架,具有入口及出口,觀測窗,轉子(唯一移動部分),及 經由可撓性直接搞合連接於轉子之馬達。AC反相器驅動控 制器提供轉子速度之準確控制。該流體係於環狀混合區中 均質化,之後由底葉片導向轉子入口。應用時,當預先混 合較不利時,可裝置内部套筒,限制該流體與旋轉中之轉 子接觸(即此單元具有兩個對應於不同剪切力之不同混合頭) 。此離心機通常可產生介於100-400克範圍内之離心力。 d)於離心機中旋轉該混合物 本發明第四個步驟包括在該液相/液相離心機中旋轉來自 步驟c)之混合物,旋轉速度足以將該步驟c)之混合物分離成 兩個別相,之後收集該兩相,各經由個別出口進入兩個別' 容器中,其中較重相(H)含有在水不可溶混溶劑系統中而具 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 594398 A7 B7 五、發明説明(^ 有較低金屬離子含量之膜成形樹脂與少量水;而該較輕相 ⑹係包含υ金屬離子水溶液及少量之2)水不可溶混溶劑系 統與3)膜成形樹脂之混合物。已知前述”金屬離子水溶液"係 同時包括錯合於該金屬離子鉗合劑之金屬離子及/人 金屬離子。 "〇 ^ 一具體實例中,較重相(Η)中之水量係低於1〇百分比之水 ’而於-具體實例中,係低於5百分比之水。_具體實例中 ,較輕相(L)係包含低於5百分比,一具體實例中,低於^百 分比之水不可溶混溶劑系統及低於5百分比,而於一具體實 例中,低於2百分比之膜成形樹脂。 庄貝 一具體實例中,該混合物係於至少5〇〇轉每分鐘卬叫轉每 分鐘)之速度下旋轉,較佳係由5〇〇至5〇,〇〇〇轉每分鐘,由 1,〇〇〇至30,000轉每分鐘最佳。 本發明之一具體實例中,該膜成形樹脂溶液及洗滌溶液 可經由離心機回收,使得金屬離子可藉由連續或半連續之 方法更有效地取出。因此,本發明亦在步驟.“至勾之外提出 另外包括重複地進行以下步驟(e)及⑴之循環的方法· (e) 經由兩個別入口將步驟d)之較重相(η)及較輕相(L)進 料至该液相/液相離心機中’該入口中之一係進料較重相(η ) ,而第二入口係進料該較輕相(L),較重相(Η)相對於較輕相 之進料速率比例係由10/90至90/10,溫度係由〇 t至一最高 溫度,其低於該水不可溶混溶劑系統中最低沸點水不可溶 混溶劑之滞點; (f) 於該液相/液相離心機中旋轉步驟e)之混合物,旋轉速 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) i In In · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 594398 五、發明説明(12 ) I =將步驟e)之混合物分成兩個別相,各經由個別出口 固別容器中,其中該較重相⑻係含有於水不可溶混 1、二思:无中〈膜成形樹脂與少量之水;而較輕相(L)係包含 離子k *液及 > 里4 2)水不可溶混落劑系統與3)膜成 形树脂之混合物。 、本發明所使用之,,重複進行步驟e)及f)之循環,,意指重複地 進行包括進行_次步驟e)及進行_次步驟f)之循環。該步驟 循環可重複地進行,直至步則中之較重相⑻具有 貝貝不又之金屬離子濃度,即進一步地進行該循環不會降 低该膜成形樹脂中金屬離子的濃度。 一具體實例中,膜成形樹脂之溶液係使用新的洗滌溶液 刀循袤,以連續地该膜成形樹脂中金屬離子濃度降低至 儘可能最低之程度。因此,一具體實例中,本發明提出一 種降低膜成形樹脂之金屬離子含量的方法,該方法係包括 以下步驟: ^提供膜成形樹脂於水不可溶混溶劑系統中之溶液,該溶 劑系統係包含至少一種水不可溶混之溶劑; b) 提供一洗滌溶液,包含水或水溶性金屬離子鉗合劑之稀 溶液; c) 經由兩個別入口將a)之溶液及部分b)之溶液進料至液相/ 液相離心機中,該入口中之一係進料來自a)之溶液,第二 入口係將一部分來自b)之溶液進料至該液相/液相離心機中 ’進料速率比例係a)溶液相對於b)溶液由10/90至90/10,溫 度係由0 °C至一最高溫度,其係低於該水不可溶混溶劑系 -15- &紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項#填寫本育)
594398 經濟部中央標举局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(13) 統之最低沸點水不可溶混溶劑之沸點; d) 於該液相/液相離心機中旋轉來自步驟c)之混合物,旋轉 速度足以將該步驟c)之混合物分離成兩個別相,之後收集 該兩個別相,各經由個別出口進入兩個別容器中,其中較 重相(H)含有在水不可溶混溶劑系統中而具有較低金屬離子 含f之膜成开> 樹脂與少量水;而該較輕相(L)係包含1)金屬 離子水溶液及少量之2)水不可溶混溶劑系統與3)膜成形樹脂 之混合物。已知前述,,金屬離子水溶液”係同時包括錯合於 該金屬離子鉗合劑之金屬離子及未錯合之金屬離子;另外 重複地進行以下步驟(e)及⑴: e) 添加另一分來自b)之溶液於步驟d)之較輕相(L)中,以形 成新的較輕相(L)混合物,經由兩個別入口將步驟句新的較 輕相(L)及較重相(H)進料至該液相/液相離心機中,該入口 中之一係進料較重相(H),而第二入口係進料該較輕相(L), 較重相(H)相對於較輕相之進料速卑比例係由1〇/9〇至9〇/1〇 ,溫度係由0 °C至一最高溫度,其低於該水不可溶混溶劑 系統中取低、/弗點水不可溶混溶劑之滞點; f) 於遺液相/液相離心機中旋轉步驟e)之混合物,旋轉速度 足以將步驟e)之混合物分成兩個別相,各經由個別出口進 入兩個別容咨中’其中該較重相(H)係含有於水不可溶混溶 劑系統中而具有較低金屬離子含量之膜成形樹脂與少量之 水;而較輕相(L)係包含1)金屬離子水溶液及少量之2)水不 可溶混溶劑系統與3)膜成形樹脂之混合物。 本發明説明使用液相/液相離心機自膜成形樹脂移除金屬 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公聲) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —訂 594398 經濟部中央樣隼局員工消費合作社印製 、發明説明(14 ) 續或連續方法係用於製備具有較低金屬離子含 量的膜成形樹脂之省時方法。 製造光阻組合也^方法 本發明亦提出一種制彳生A 種“先阻組合物之方法,該方法係包括: ⑷提供依前述方法降低金屬離子含量的膜成形樹脂; (b)提供-捧合物,纟包扣感光性組份,其含量足以使光 阻組合物光敏化;2)步驟a)中之膜成形樹脂;及視情況使用 之3)附可光阻溶劑;以形成一光阻組合物。 該感光性組份係-般熟習此技藝者所熟知。適當之感光 性化合物係包括鄰-藏二疊氮,如”感光性系統,,Kosar,J·; John Wiley & Sons,New York,1965第7 4章所説明。其他感 光性化合物之實例係包括感光性酸生成劑諸如鑌鹽、三 甲磺酸羥基順丁晞二醯亞胺及磺酸重氮鏽。該光阻溶劑 包括任何前述水不可溶混溶劑之實例。 視情況使用之成份 本發明光阻組合物視情況使用之成份係包括著色劑、 料、防輝紋劑、勻平劑、增塑劑、黏著促進劑、速度增 劑、溶劑及界面活性劑如非離子性界面活性劑,其可在 光阻組合物塗佈於基材之前,添加於驗酸清漆樹脂、敏化 劑及溶劑之溶液中。可與本發明光阻組合物一起使用之染 料添加劑的實例係包括以酚醛清漆樹脂及敏化劑之結合重 量計之濃度係爲一至十重量百分比之甲基紫2B (C.I.No.4253 5)、結晶紫(C.I.42555)、孔雀綠(C.I. No.42000) -17- 氟 可 染 進 該 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 594398 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明(15 ) 、勝利藍B(C.I. No· 44045)及中性紅(C.I. No.50040)。該染 料添加劑有助於藉著抑制基材之背向散光而增高解析度。 防輝紋劑可使用以酚醛清漆樹脂及敏化劑之結合重量計 最高達5重量百分比之濃度。可使用之增塑劑包括例如磷酸 一(-氟乙基)g旨;硬脂酸;二樟腦;聚丙晞;縮駿樹脂;苯 氧基樹脂;及烷基樹脂,以酚醛清漆樹脂及敏化劑之總重 計爲一至十重量百分比濃度。該增塑劑添加劑改善該材料 之塗佈性質,可使得基材上之薄膜光滑且具有均勻厚度。 可使用之黏著促進劑包括例如0 _(3,4-環氧基_環己基)_乙 基二甲氧基矽烷;及r -胺基-丙基三乙氧基矽烷,以酚醛清 漆树爿曰及敏化劑之總重計南達4重量百分比濃度。可使用之 顯影速度促進劑包括例如苦味酸、菸酸或硝基肉桂酸,以 紛醛清漆樹脂及敏化劑之總重計高達2〇重量百分比濃度。 此等促進劑易增加該光阻塗層在曝光及未曝光區域之溶解 度,因此其係使用於即使犧牲某些程度之反差比,顯影速 度仍疋優先考慮的情況,即,雖然該光阻塗層之曝光區域 較快被顯影劑所溶解,速度之增加亦導致光阻塗層未曝光 區域較大的損失。 該溶劑存在於整體組合物中之量係高達該組合物固體之 95重量百分比。溶劑實質上當然係於光阻溶液塗佈於基材 及後續乾燥之後移除。可使用之非離子性界面活性劑係包 括例如壬基苯氧基聚(乙二氧基)乙醇;辛基苯氧基乙醇,以 酉分备清漆樹脂及敏化劑之總重計高達1 〇百分比。 用以製造微電子f ,罾之古法 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁」 $· 五、 發明説明(16 ) 經濟、邺中夬橾準局員工消費合作杜印製 士本發明亦提出一種藉著於基材上形成影像而製造微電子 裝置之方法,該方法係包括: a) 提供前述光阻組合物;b) 之後’使用步驟a)之光阻組合物塗佈適當之基材; )之後’熱處理該經塗佈基材,直至實質上所有水不可溶 此a劑系統皆被移除;使經塗佈之基材成像曝光;之後使 用適當之顯影劑移除該經塗佈基材的成像曝光區域。 適用於本發明之基材係包括矽、鋁、聚合物樹脂、二氧 化♦、經摻雜二氧化矽、氮化矽、鋰、銅、多晶矽、陶 、錯/鋼混合物;砷化鎵及其他第⑴斤族化合物。 刀C方法所製之光阻組合物特別適於施加在經熱長晶硬 一氧化石夕塗佈之晶圓上,諸如用於製造微處理器及其他 土積體電路組件。亦可使用鋁/氧化鋁晶圓。該基材亦可 括各種聚合物樹脂,尤其是透明聚合物,諸如聚酯。該 材可具有含適當之組成的黏著促層,諸如含有六烷基二 氮乾者,以六甲基二矽氮烷(HMDS)爲佳。 該光阻組合物可藉該光阻技藝所使用之任何習用方法施 加於基材,包括浸潰、噴霧、迴轉及轉塗法。使用例如轉 塗法時’該光阻溶液可針對於所使用之旋轉設備類型及轉 塗方法所需之時間,而調整固體含量百分比,以提供具 所需厚度之塗層。適當之基材包括矽、鋁、聚合物樹脂 二氧化矽、經掺雜之二氧化矽、氮化矽、妲、銅、多晶 、陶瓷、鋁/銅混合物;坤化鎵及其他第III/V族化合物。 該光阻組合物係塗佈於該基材上,而經塗佈之基材係 瓷 小包基矽 有 矽 經 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝 -卜訂 -19 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) 594398 A7 B7 五、發明説明(口) 熱處理,直至實質所有水不溶混溶劑皆被移除。一具體實 例中,該經塗佈基材之熱處理係包括於7〇 t至1丨〇。〇之溫 度下在熱板上加熱該經塗佈基材歷經30秒至1 80秒或於對 泥爐中歷經1 5至90分鐘。此種溫度處理係經選擇,以降 低該光阻組合物中殘留溶劑之濃度,而實質上不使該光 敏劑熱降解。通常期望使溶劑之濃度達到最低,而此第 一溫度處理係進行至實質上所有溶劑皆蒸發,而於基材 上保留一微米厚度左右之光阻組合物薄塗層。較佳具體 實例中,該溫度係由85 X:至95 X:。該處理係進行至^ 劑移除改變速率變成相對不重要。該溫度及時間選擇係 視使用者所需之光阻性質及所使用之設備和工業上所需 之塗佈時間而定。 經塗佈之基材隨之於任何所需圖型—藉適當之罩幕、負 片、型板、模板等下曝照光化輻射,例如波長由3〇〇毫微米 至450毫微米之紫外光、射線、電子束、離子束或雷射輻 射。 塗佈有該光阻組合物之基材係視情況進行曝光後之第二 次烘烤或熱處理,或在顯影之前或在之後。該加熱溫度可 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 --------衣— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 由90。(:至⑵X:,以100。(:至110 Ό更佳。該加熱可於熱 板上進行30秒至2分鐘,由60秒至9〇秒更佳,或藉對流爐進 行30至45分鐘。 經曝光之塗佈有光阻的基材藉著浸潰於鹼顯影溶液中進 行顯影,或使用噴霧顯影方法進行顯影, 光區域(正片型光阻)或未曝光區域(負片型光阻)除; • i n -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 594398 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 --__________B7 五、發明説明+ ——— ^ ’例如藉W氮氣泡而攒拌。該基材保持於該顯 、>品直至所有或實質所有光阻塗層皆自經曝光或未曝 、’品/奋解。顯影劑可包括銨或鹼金屬氫氧化物 0較佳夕与^ 卜岭收 、曰。巩氧化物氫氧化四甲基銨。自顯影溶液取出經塗 佈〈叩圓〈後,彳進行視情;兄進行之顯影後熱處理或洪烤 ’、以:冒加塗層之黏著性及對蝕刻溶液及其他物質之化學阻 抗、。顯影後之熱處理可包括塗層及基材於低於塗層軟化點 下足爐内烘烤。於工業應用中,尤其是在矽/二氧化矽型基 ,亡製造微路件單元時,該經顯影之基材可使用經缓衝之 氫氟酸鹼蝕刻溶液處理。本發明光阻組合物可對抗酸-鹼蝕 刻/谷政,針對該基材未曝光之光阻塗層區域提供有效之保 護。 實施伤丨 以下特例係用以詳細説明製造及使用本發明組合物之方 法γ然而,此等實施例不限制或侷限本發明之範圍,不應 視爲提供進行本發明所必要之條件、參數或數値。除非另 有陳述,否則所有份數及百分比皆以重量計,所有溫度皆 以攝氏度數表示,而所有分子量皆爲重量平均分子量。單 位’’ml/min"係來自毫升/分鐘之縮寫。 實施例1 製備間-甲酚相對於對·甲酚之比例爲5 5百分比至4 5百分 比之酚醛清漆樹脂,其係於丙二醇單甲基醚乙酸酯 (PGMEA)中有30百分比固體之溶液。此溶液係作爲一入口 進料流,而於150毫升/分鐘之速率下泵入cmc⑧型號v_2液 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210Χ297公慶) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 594398 A7 B7 —--~"—— _ 五、發明説明(19 ) 相/液相離心機中。同時,經由第二入口進料泵入75黑 I升/分 鐘之去離子水。兩溶液皆在泵經該離心機之前於 平衡。在樹脂溶液通經離心機之15分鐘循環之前及之後 使用該試驗所使用之新鮮去離子水取出樹脂溶液出口進料 之試樣。原子吸收性所測得之金屬離子濃度相對於對照二式 樣之値顯示鐵離子濃度係由百萬分之677(ppm)降低至約 171PPm,而鉻離子濃度自約3〇3ppm降低至約27ppm。 實施例2 具有約40.5百分比對-甲酚、46.2百分比間-甲酚、6·8百八 比2,4-二甲苯酚及約5·6百分比2,5-二甲苯酚之酚部分且與甲 駿於經取代紛總量/甲醛比例約1/0·65之情況下縮合之紛趁 清漆樹脂’以於PGMEA中爲40百分比固體之樹脂溶液作爲 樹脂入口進料流。第二進料流係包含乙二胺四乙酸(EDTA) 之按鹽於去離子水中之〇〇5百分比溶液。該樹脂溶液之進 料速率相對於EDTA溶液者之比例係爲1:1(各進料速率係2〇〇 爱升/分鐘)。 樹脂流在新鮮EDTA溶液連續進料至另一進料口的情況下 循環。使用60分鐘周期定期取出試樣,依時間測定該金屬 離子濃度。此實驗中,於離心機中使用低剪切混合頭。此 種頭部之使用使得兩相之間的剪切力減至最小。下表1列示 酚趁清漆樹脂之金屬離子濃度相對於洗滌時間的降低量變 化。此實施例及以下實施例中,皆使用原子吸收光譜測定 金屬離子濃度。
表I -22 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21G X 297公慶) " ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —訂 594398 Α7 Β7 五、發明説明(2〇 —----
實施教2 重複貫施例2之方法,不同處係使用高剪切混合頭取代實 施例2中之低剪切頭。此種高剪切頭增加相混合(即,相之 間的男切力較高)。此外,使用相同樹脂之4〇百分比固體溶 液,該樹脂溶液之進料速率㈣狀㈣分溶液者 之比例係變成4:1(即200毫升/分鐘之樹脂溶液對%毫升/分鐘之EDTA溶液)。下表„顯示酚醛清漆樹脂之金屬鐵離子濃 度在20分鐘後的降低情況。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表II 金屬離子濃;t對循瑷ΒΦ
16 實施例4 重複實施例3之方法,不同處係使用相同樹脂之3 〇百 比固體的溶液。該樹脂溶液之進料速率相對於〇.Μ百分 -23- 594398 發明説明(21 EDTA溶液進料速率之比例传 ]係與貫施例3相同。表ΙΠ列示金 屬離子濃度於10分鐘後之降低情況。
Am 金屬離子濃yf
個別製備實施例1之樹脂於丙二醇甲基鍵乙酸醋(pgmea) 中之40百分比固體的溶液、檸檬酸於去離子水中之5百分比 落液及EDTA:銨鹽於去離子水中之5百分比溶液。該溶液 個別加熱至75 X:。樹脂溶液在75 χ,2〇〇毫升/分鐘下由 套層燒瓶泵入離心機中。該檸檬酸溶液係於75 ^,5〇毫升 /分鐘下泵入該離心機中。 經濟部中央樣隼局員工消費合作社印装 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 含有樹脂溶液之較重相循環回復進料至該進料燒瓶中, 再經由入口進入該離心機中。單離較輕相,不再循環作爲 Φτ檬酸落液進料。該樹脂溶液在樹脂溶液相對於檸檬酸溶 液之進料比例爲4:1的情況下洗滌(即經由離心機循環)45分 鐘。該檸檬酸溶液隨之以作爲洗滌溶液之EDTA置換,樹脂 於離心機中洗滌另外45分鐘。該EDTA二銨鹽溶液以作爲洗 滌溶液之去離子水置換,樹脂於離心機中洗滌另外3 〇分 鐘0 定期取出試樣以測定金屬離子濃度。來自最終樹脂溶液 之溶劑藉旋轉蒸發器取出,添加PGMEA將固體含量調整至 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) 594398 A7 B7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 五、發明説明(22 ) 26百分比固體含量,以測試溶解速率及平版印刷術。針對 樹脂測定溶解速率(DR),顯示於典型光阻顯影劑中之相對 移除性。矽重量塗佈樹脂,乾燥之經塗佈洗滌進行塗層厚 度相對於時間之雷射干擾測定。 DR測定係於XinixTM型號220程序偵視器上進行。具有人 甲基二矽氮烷(HMDS)之矽晶圓於ii〇°C下塗佈26百分比固 體之酚醛清漆樹脂溶液歷經6〇秒,轉速適於產生丨6〇 + 1 微米之塗層厚度,該厚度係於NanoTM215裝置上使用5點式斗 英吋晶圓程式測定。晶圓連接於XinixTM探針上,:尾、主 a ,於 AZ® 300 MIF顯影劑中,直至移除該樹脂。針對兩 。巧日曰圓 進行,平均而得到以埃/秒(A/sec)測得之DR。顯示金屬離予 化在不同時間之濃度的結果係列示於下表IV中。
表IV ---.------— f請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 在各種條♦ 工進行樹 麗洗滌之後的金屬離子濃詹及汝 程數 樹脂洗絡 Nafppm、 FeT nnm^ CrT nnm ^ 條件 y ^ v y V ^ μ y ^ i 1 檸檬酸10 分鐘 105 248 189 〜 2 檸檬酸20 分鐘 108 220 ~Tu ~ 〜 3 檸檬酸30 分鐘 46 153 ~Ϊ20 〜 4 檸檬酸4 5 分鐘 25 56 ~T8 〜 5 EDTA 二 銨鹽15分 鐘 26 14 33 〜 6 EDTA 二 銨鹽30分 鐘 22 11 33 〜 本紙張尺度適用中國國家標規格(210χ 297公餐 -25- 594398 A7 B7 五、發明説明(23 ) 7 EDTA 二 銨鹽45分 鐘 24 20 ~36~ Μ 8 去離子水 30分鐘 14 24 40 ---一 215 總時間 220分鐘 表IV中之結果顯示溶解速率係爲定値(第1程之速率與第8 程在實驗誤差内相同),表示樹脂在金屬離子減量/移除過程 中未產生明顯變化(諸如分級)。 前述之各文件皆以引述方式整體併入本發明。除實施例 外,或另有明確陳述,本發明中針對材料數量、反應及方 法條件(諸如溫度、時間、壓力)、進料比例、離心機之旋轉 速度等已知皆可加上”約"字來修飾。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝 訂 經濟部中央橾隼局員工消費合作社印製 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 594398 第090109447號專利申請案 中文申凊專利範圍替換木綱年1可砍 A8 B8 C8 D8
    1· 一種降低膜成形樹脂中金屬離子含量的方法,該方法係 包括以下步驟: 幻拯供膜成形樹脂於水不可溶混溶劑系統中之溶液,該溶 劑系統係包含至少一種水不可溶混溶劑; b)彳疋供一洗液’其包含水或水溶性金屬離子鉗合劑之稀溶 液; C)經由兩個別入口進料甸及b)之溶液至液相/液相離心機中 ’該入口中之一係進料a)之溶液,第二個入口進料b)之 溶液至該液相/液相離心機中,進料速率比例係為a)溶液 相對於b)溶液為10/90至90/10,溫度由〇t:至一最高溫度 ,其低於該水不可溶混溶劑系統中最低沸點水不可溶混 溶劑的沸點;及 d)於該液相/液相離心機中旋轉步驟c)之混合物,旋轉速度 係足以將步騾c)之混合物分離成兩個別相,之後收集該 兩個別相,其各經由個別出口進入兩個別容器中,其中 較重之相(H)係包含膜成氣樹脂,金屬離子含量低於水不 可〉谷混洛劑系統,與少里之水;而較輕之相(L)係包含:1) 金屬離子之水溶液及少量之2)水不可溶混溶劑系統與3) 膜成形樹脂之混合物。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中該膜成形樹脂係至少 一種選自包括酚醛清漆樹脂、聚羥基苯乙烯及其衍生物 之群者。 3.如申請專利範圍第1項之方法,其中該水溶性金屬離子鉗 合劑係為至少一種選自包括乙二胺四乙酸(EDTA)、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 594398
    EDTA之銨鹽、及檸檬酸之群者。 4·如申請專利範圍第β之方法,其中於步韩中可落混溶劑系統係包含單氧基羧酸酉旨 :,该水不酸酿、2-庚,、丙二醇甲基鍵、 7 鍵乙 物。 及…中土少兩種之混合 5. 如申請專利範圍第1項之方法, 驟a)及b)之溶液係於較該水不 點之水不可溶混溶劑沸點低〇〇c 心機中。 其中於步驟c)中,來自步 可溶混溶劑系統中最低沸 至10°C之溫度下進料至離 6·如申請專利範圍第】項之方法,其中於步驟句中,來自步 騾C)之混合物係於500至5〇,〇〇〇轉每分鐘的速度下旋轉。 7·如申請專利·第1項之核,其另外包括依以下順序重 複地進行步驟e)及f)之循環·· e) 經由兩個別入口將步驟d)之較重相(H)及較輕相(l)進料 至該液相/液相離心機中,該入口中之一係進料較重相 (H),而第二入口係進料該較輕相(L),較重相相對於 較輕相之進料速率比例係由1〇/9〇至9〇/1〇,溫度係由 至一最高溫度,其低於該水不可溶混溶劑系統中最低沸 點水不可溶混溶劑之沸點; f) 於該液相/液相離心機中旋轉步驟e)之混合物,旋轉速 度足以將步騾e)之混合物分成兩個別相,各經由個別出 口進入兩個別容器中,其中該較重相(H)係含有於水不可 落混落劑系統中之膜成形樹脂與少量之水;而較輕相(L) 係包含1)金屬離子水溶液及少量之2)水不可溶混溶劑系 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
    裝 訂
    594398 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 統與3)膜成形樹脂之混合物。 8.如申凊專利範圍第7項之方法,其中步驟e)及之循環係 重複進灯至步驟f)中之較重相(H)具有實質未改變之金 離子濃度。 辱 9· 一種降低膜成形樹脂之金屬離子含量的方法,該方法係 包括以下步驟: μ a) 提供膜成形樹脂於永不可溶混溶劑系統中之溶液,該溶 劑系統係包含至少一種水不可溶混溶劑; b) 提供一洗液,其包含水或水溶性金屬離子鉗合劑之稀溶 液; c) 經由兩個別入口進料a)&b)之溶液至液相/液相離心機中 ,該入口中之一係進料a)之溶液,第二個入口進料…之 溶液至該液相/液相離心機中,進料速率比例係為a)溶液 相對於b)溶液為10/9〇至9〇/1〇,溫度由〇至一最高溫 度,其低於孩水不可溶混溶劑系統中最低沸點水不可溶 混溶劑的沸點; d) 於該液相/液相離心機中旋轉步騾c)之混合物,旋轉速度 係足以將步驟c)之混合物分離成兩個別相,之後收集該 兩個別相,其各經由個別出口進入兩個別容器中,其中 較重之相(H)係包含位於水不可溶混溶劑系統中而金屬離 子含量降低之膜成氣樹脂,與少量之水;而較輕之相(L) 係包含:1)金屬離子之水溶液及少量之2)水不可溶混溶 劑系統與3)膜成形樹脂之混合物;且依以下順序反覆地 進行步驟e)及f)之循環: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 594398 A8 B8 C8 ________ D8 ________ 六、申請專利範圍 e) 將另一份b)溶液添加於步驟d)之較輕相(L)中,以形成新 的較輕相(L)混合物,經由兩個別入口將該較輕相(L)之 新混合物及步驟d)之較重相(η)--該入口中之一係進料較 重相(H),而第二入口係進料該較輕相(L)之新混合物―進 料至該液相/液相離心機中,該較輕相(L)之新混合物相 對於較重相(H)之進料速率比例係由10/90至90/10,溫度 係由〇°C至一最高溫度,其係低於該水不可溶混溶劑系統 中最低沸點之水不可溶混溶劑的沸點;且 f) 於該液相/液相離心機中旋轉步驟d)之混合物,旋轉速度 足以將步驟e)之混合物分離成兩個別相,之後收集該兩 相’各經由個別出口進入兩個別容器中,其中該較重相 (H)係包含位於水不可溶混溶劑系統中而金屬離子含量降 低之膜成氣樹脂及少量水;且較輕相係包含··丨)金屬 離子之水溶液,及少量之2)水不可溶混溶劑系統與3)膜 成形樹脂之混合物。 1〇·如申請專利範圍第9項之方法,其中步驟e)及f)之循環係 重複進行’直至步驟f)中較重相(H)中之金屬離子濃度實 質不變。 11 · 種製造光阻組合物之方法,該方法係包括: a) 根據如申請專利範圍第1、7、8、9或10項之方法提供具 有較低金屬離子含量之膜成形樹脂; b) 提供以下物質之摻合物:丨)感光性組份,其含量足以使 光阻組合物進行光敏化;2)a);之膜成形樹脂;及視情 況使用之3)附加光阻溶劑;以形成一光阻組合物。 -4-
    594398 A BCD 六、申請專利範圍 12. —種製造半導體裝置之方法,其係於一基材上形成影像 ,該方法係包括: a) 提供如申請專利範圍第11項之光阻組合物; b) 之後,使用步驟a)之光阻組合物塗佈一適當之基材; c) 之後,熱處理該經塗佈基材,直至實質所有水不可溶混 溶劑系統皆被移除;使該經塗佈基材成像曝光;之後使 用適當之顯影劑移除該經塗佈基材的成像曝光之區域, 或未曝光區域。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6297352B1 (en) * 1998-11-12 2001-10-02 Clariant Finance (Bvi) Limited Method of reducing metal ion content of film-forming resins using a liquid/liquid centrifuge
US6512087B1 (en) * 2000-10-13 2003-01-28 Clariant Finance (Bvi) Limited Fractionation of resins using a static mixer and a liquid-liquid centrifuge
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Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0251187A3 (en) * 1986-06-27 1988-03-30 Nippon Zeon Co., Ltd. Method for purifying novolak resins useful as material for coating on a semiconductor substrate
JPH0680119B2 (ja) * 1986-06-27 1994-10-12 日本ゼオン株式会社 ノボラツク樹脂の精製方法
JPH0737486B2 (ja) * 1986-11-18 1995-04-26 日本ゼオン株式会社 半導体基板塗布材料用ポリマ−の精製方法
US5371169A (en) * 1992-09-28 1994-12-06 Hoechst Celanese Corporation Novolak resin mixtures
US5374693A (en) * 1992-12-29 1994-12-20 Hoechst Celanese Corporation Novolak resin blends for photoresist applications
US5565496A (en) * 1993-11-22 1996-10-15 Hoechst Celanese Corporation Separating metals using a modified deionizing resin
US5750632A (en) * 1994-12-30 1998-05-12 Clariant Finance (Bvi) Limited Isolation of novolak resin by low temperature sub surface forced steam distillation
US5521052A (en) * 1994-12-30 1996-05-28 Hoechst Celanese Corporation Metal ion reduction in novolak resin using an ion exchange catalyst in a polar solvent and photoresists compositions therefrom
US5693749A (en) * 1995-09-20 1997-12-02 Hoechst Celanese Corporation Fractionation of phenol formaldehyde condensate and photoresist compositions produced therefrom
US5739265A (en) * 1995-09-20 1998-04-14 Clariant Finance (Bvi) Ltd. Fractionation of phenol formaldehyde condensate and photoresist compositions produced therefrom
US5665517A (en) * 1996-01-11 1997-09-09 Hoechst Celanese Corporation Acidic ion exchange resin as a catalyst to synthesize a novolak resin and photoresist composition therefrom
JPH09227645A (ja) * 1996-02-23 1997-09-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd フェノール樹脂の製造方法
JPH09241345A (ja) * 1996-03-07 1997-09-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd フェノール樹脂の製造方法
US5955570A (en) * 1998-07-01 1999-09-21 Clariant International Ltd. Trace metal ion reduction by Ion Exchange Pack
US6121412A (en) * 1998-11-12 2000-09-19 Clariant Finance (Bvi) Limited Preparation of fractionated novolak resins by a novel extraction technique
US6297352B1 (en) * 1998-11-12 2001-10-02 Clariant Finance (Bvi) Limited Method of reducing metal ion content of film-forming resins using a liquid/liquid centrifuge

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