TW594356B - Liquid crystal display device, wiring substrate, and methods for fabricating the same - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（1 ) 發明背景 本發明係有關一種液晶顯示裝置，一種線路基板，以及 液晶顯示裝置及線路基板之製造方法。特別本發明係有關 可經由使用周圍光線實現反射模式顯示之液晶顯示裝置， 以及此種液晶顯示裝置之製造方法。 近年來，液晶顯示（LCD)裝置應用於文字處理器、膝上型 電腦、口袋型電視機等的應用領域快速進展。LCD裝置中 ，反射型LCD裝置可經由反射周圍光線而實現顯示特別引 人注目’原因在於其可減少電力耗用，縮小厚度以及無需 利用背光而可減輕重量。但今日已經發展出可實現反射及 透射模式二者顯示的雙模LCD裝置。 習知LCD裝置中，反射周園光線之反射器或反射層置於 基板（TFT基板或較爲遠離觀視者的基板）外表面上。但隨著 LCD裝置容量的增高，像素大小不斷縮小，此種構造造成 下列問題。由於與濾色鏡（像素部分）以及反射器（反射層） 之距離差異產生視差，如此造成顯示品質低劣。 爲了解決前述問題，廣泛使用將反射層置於基板之面對 液晶層表面的構造。又此種構造中，反射層本身用作爲施 加電壓至液晶層的電極（例如使用TFT的L C D裝置作爲像素 電極）。至於反射層材料，鋁（A1)(以及鋁合金）常被使用， 由於鋁之反射比高，容易圖樣化且電阻低之故。 已知當ITO層與鋁層放置成彼此接觸且共同曝露於鹼性溶 液時，ITO與鋁之間出現電流腐蚀，結果導致IT〇層及鋁層 的部分耗損。注意於後文説明中，除非另行規定，否則「 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ^--------1Τ---------- (請先間讀背面之注意事頊再填寫本頁> 594356 A7

594356 A7 "^ -—-—^--- 五、發明說明（3 ) 1匕的光罩，以及於鋁層圖樣化後使用鹼性去除劑去除抗蝕 劑圖樣的處理。當鋁層有針孔且曝露於前述處理之鹼性顯 像劑或去除劑時，針孔（典型爲直徑2至5微米之圓）周圍之 郅分鋁層耗損。此種鋁層之部分耗損（針孔生長）於去除處 理比顯像處理更爲凸顯。原因在於去除劑比顯像劑具有更 鬲的抗蚀層分解也力，又銘層曝露於去除劑的表面積比 曝露於顯像劑的表面積大。 銘層 < 圖樣化過程中，鋁層部分耗損現象也埠成圖樣化 鋁層周邊的缺口問題（類似郵票邊緣）。鋁層圖樣化可藉多 種方法使用多種材料（鹼性及酸性溶液等）進行。當採用蝕 刻時’銘層的邵分耗損於濕蚀刻比乾蚀刻更爲凸顯，濕蚀 刻可有利地使用相同蝕刻劑蝕刻鋁層/鉬層的層狀構造。 當鋁層暫時沉積於ITO層上作爲終端電極的頂層以及隨後 被去卩会時’由於ITO與鋁間的電流腐蝕造成IT〇層不利地耗 損。舉例言之，有一種情況，此處ΙΤ〇層形成於終端區作爲 終端電極例如掃描線終端電極之頂層，以及形成反射層用 的銘層暫時沉積於ΙΤΟ層上。當暫時沉積鋁層使用蚀刻劑去 除時，由於電流腐蝕故，ΙΤΟ層部分耗損，結果終端電極的 可信度降低。 鋁層的部分耗損問題不利，其不利之處不僅在於使用鋁 層作爲反射層的LCD裝置，同時也在於其它LCD裝置或其它 裝置包括互連體、電極等具有鋁層/ITO層雙層構造之裝置 ，例如使用有機電致發光（EL)以及太陽能電池之顯示裝置 。例如於使用TFT之主動矩陣LCD裝直其包括具有鋁層/ιτο 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

11111--訂-----» I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594356 A7 B7 五、發明說明（4 層雙層構造之信號線，若鋁層之部分耗損幅度大，則鋁層 可能過度縮窄或斷裂。結果鋁層無法充分補充IT〇層的電導 。若信號線的電導下降，則無法獲得因信號延遲等的正常 顯示。注意於後文説明中「斷裂」一詞除了表示互連體完 全斷裂狀態之外，偶爾表示互連體例如信號線的電導降至 不可能做正常顯示的程度。 發明概述 本發明I目的係提供一種液晶顯示裝置以及線路基板， 其可抑制/防止因鋁層的針孔造成鉬層上形成鋁層的部分耗 損，以及液晶顯示裝置及線路基板之製造方法。 本發明之液晶顯示裝置包括_對基板，—液晶層插置於 該對基板間，以及多個電極對各自彼此透過液晶層面面相 對，各對電極對之-爲實現以反射模式顯示的反射電極， 其中之射電極包括含细之第一金屬層(也稱作细層)以及含 鋁<第二金屬層（也稱作鋁層）形成於第一金屬層上，以及 第：金屬層爲具有於表面之晶粒之最大晶粒大小爲60毫微 米或以下之晶體層或非晶層。 第一金屬層較佳由鉬組成。 4分反射電極可形成於I目製成的透明導電層上。 :發明之液晶顯示裝置之製造方法爲一：製造液晶顯示 =置（万法，該裝置包括-對基板，—液晶層㈣於 基板間’以及多個電極對各自彼此透過液晶層面面相= 各對電極對之一爲實現以反射模式顯示的反射電 電極係藉-種方法形成，該方法包括下列步驟：形成目 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^--------^------—^9— 594356 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（5) 之第一金屬層^其中之一基板上，該第一金屬層爲具有於 表面之晶粒及最大晶粒大小爲6 〇毫微米或以下之晶體層或 非晶層；形成含鋁之第二金屬層於第一金屬層上；以及圖 樣化第一及第二金屬層。 前述方法中，第一金屬層較佳由鉬組成。 形成第一金屬層之步驟包括於含氮氣氛下形成非晶型第 一金屬層。 该方法進一步包括於形成第一金屬層之步驟前，形成 ITO製成的透明導電層於基材上之步驟，以及至少部分第 一金屬層可形成該透明導電層上。 於第二金屬層形成的針孔密度較佳爲20個/1〇〇〇〇平方微 米或以下。 圖樣化第一及第二金屬層之步驟包括下列步驟：形成一 層抗蝕劑層於第一及第二金屬層上；將抗蝕劑層曝光；經 由使用驗性顯像劑顯像曝光後的抗蚀劑層而形成具有預定 圖樣的抗蝕劑圖樣；使用抗蚀劑圖樣作爲光罩而圖樣化第 一及第二金屬層；以及使用驗性去除劑去除抗蚀劑圖樣。 圖樣化第一及第二金屬層之步驟包括蝕刻第一及第二金 屬層中之至少一層之步驟。 圖樣化第一及第二金屬層之步驟較佳包括使用共用姓刻 劑濕蝕刻第一及第二金屬層之步驟。 另外，本發明之製造液晶顯示裝置之方法爲一種方法用 以製造一種液晶顯示裝置包括一對基板，一層液晶層插置 於該對基板間，以及一層ITO製成的透明導電層形成於該對 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- ·1111111 % 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 594356

五、發明說明（6 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 基板 < 至少一基板上。該方法包括下列步驟：藉沉積lT〇層 於孩對基板之至少一基板上以及圖樣化ΙΤ〇層之製程而形成 透明導電層；形成含鉬之第一金屬層於ΙΤ0層或透明導電層 上’該第一金屬層爲具有於表面晶粒之最大粒徑爲60毫微 米或以下之晶體層或非晶層；形成一層含鋁之第二金屬層 於第一金屬層上；以及圖樣化第一及第二金屬層。 前述替代方法中，透明導電層可形成作爲連結至形成於 顯不區的互連體之終端電極的頂層。 前述替代方法中，液晶顯示裝置可爲TFT主動矩陣液晶顯 示裝置，以及#號線、源極、以及没極中至少一者可具有 下述構造，孩構造循序包括透明導電層、第一金屬層以及 弟一層循序層疊。 前述替代方法中，ITO層可經由形成抗蝕劑圖樣於IT〇層 上，以及使用抗蝕劑圖樣作爲光罩而濕蝕刻ΙΤ〇層被圖樣化 ;以及第一及第二金屬層被圖樣化，經由於第一及第二金 屬層上形成不同的抗蝕劑圖樣，以及使用不同的抗蚀劑圖 樣作爲光罩而濕蝕刻第一及第二金屬層而與ΙΤ0層之圖樣化 分開另外被圖樣化。 本發明之線路基板包括互連體或電極形成於基板上，互 連體或電極具有多層構造包括ΙΤ〇製成的透明導電層。互連 體或電極包括含鉬第一金屬層形成於透明導電層上、以及 ^於第一金屬層形成於第一金屬層上，以及第一金屬層爲 、表面具有印粒之最大粒徑爲6〇耄微米或以下之晶體層或 非晶層。 _ 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21() χ 297公爱） ------------裝---- 2请先閱磧背面之>i音？事項再填寫本頁} -\^τ丨丨丨丨丨丨丨I . -9- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ^~------------ 五、發明說明（7 ) 、製造本發明之線路基板之方法爲—種製造線路基板之方 法，孩線路基板包括互連體或電極形成於一基板上，該互 連體或電極具有包括由IT0製成的透明導電層之多層構造。 二方法ι括下列步驟：經由沉積ιτο層於基板上以及圖樣化 該ΙΊΌ層之製程而形成透明導電層；形成含⑭之第—金屬層 於ΙΤΟ層或透明導電層上，第—金屬層爲於表面具有晶粒之 取^粒徑爲60毫微米或以下之晶體層或非晶層；形成含銘 ^第二金屬層於第一金屬層上；以及圖樣化第一及第二金 屬層。 前述線路基板之製造方法中，ΙΤ〇層可經由於ιτ〇層上形 成抗蚀劑圖樣以及使用抗蝕劑圖樣作爲光罩濕蝕刻ιτ〇層而 被圖樣化，以及第一及第二金屬層可與ΙΤ〇層圖樣化分開圖 樣化，其圖樣化之方式係於第一及第二金屬層上形成不同 的抗蚀劑圖樣’以及使用不同抗蚀劑圖樣作爲光罩而濕蚀 刻第一及第二金屬層。 本發明係基於發明人對鉬層之表面構造（組態）與沉積於 鉬層上鋁層產生的針孔數値密度（偶爾也稱作針孔密度j間 之關係做深入探討的結果所得發現而完成本發明。 當鉬層係藉濺鍍沉積時通常生長鉬之柱晶（典型爲多晶） 。當鋁層沉積於鉬層上時，針孔大半係以柱晶形式產生^於 鉬層表面的晶粒邊界區。當於叙層表面之晶粒粒徑爲“毫 微米或以下時，於鋁層產生的針孔密度降至2〇個/1〇〇〇〇平 方微米或以下。進一步，若於鉬層表面之晶粒大小爲3 〇毫 微米或以下，則可實質防止針孔的產生。鋁層之針孔密度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝—------訂---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 594356 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（8 也與叙層厚度有關。爲了實現良好反射特性，銘層厚度較 佳爲5 0毫微米或以上。鉬層之晶粒大小與前述鋁層針孔密 度間之關係唯有建立於鋁層具有厚度至少爲5 〇毫微米之時。 用於此處「晶體層」集合表示包括晶粒之一層，不僅包 括有多晶粒組成的多晶層，同時也包括多個晶粒（島）散在 非晶型相（海）之層（海-島構造）。用於此處「晶粒邊界」不 僅包括於多晶層的晶粒間的邊界，同時包括非晶相（海）與 晶粒（島）間的邊界。「於鉬層表面之晶粒大小」一詞用於 此處除非另行規定’否則表示經由觀察鉬層的表面配置所 得晶粒（典型爲柱晶晶粒）於二維平面的縱向長度。表面配 置的觀察例如係使用光學顯微鏡或電子顯微鏡觀察。「於 翻I層表面之晶粒大小」偶爾簡稱爲「表面粒徑」或「粒徑 J ° 鋼層之晶粒大小可經由調整鉬層之薄膜形成條件（典型爲 賤鍍條件例如氣體壓力、供給的電力以及膜厚度）而予控制 。例如细層之晶粒大小可藉由於濺鍍期間提高供給的電力 而縮小。若供給的電力過高，因而沉積鉬層之晶粒大小小 於約4毫微米’則膜厚度之控制變困難。此外，於细層可能 產生潑濺。若產生潑濺時，鉬層無法充分作爲保護層。當 麵層之晶粒大小係於4毫微米至6 〇毫微米之範圍時，鉬層 較佳係藉濺鍍沉積至設計厚度而未產生潑錢。 替代形成具有小的表面晶粒大小之晶體鉬層，可形成非 晶型鉬層。於非晶型杂I層表面不存在有晶粒邊界。因此於 沉積於非晶型鉬層上的鋁層實質上不會產生針孔。此種非 11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297-公釐） -----------·裳--------訂---------^9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 594356 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（9) 晶型I目層可經由例如於含氮氣氣氛下沉積姜目形成。因此嚴 格言之，藉此種方法獲得之非晶型鉬層含有微量氮。 备非日日型鉬層t氮氣含量高時，鉬層之電阻較低。如此 鉬層之氮含量適合根據欲製造的液晶顯示裝置之構造及性 能調整。若氮含量低，則將長鉬柱晶。但於此種情況下， 經由於薄膜形成氣氛以及其它薄膜形成條件調整氮氣濃度 ，可獲得晶粒大小爲60毫微米或以下。 麵層厚度較佳爲約40毫微米或以上俾充分發揮作爲保護 層的功㉟。细層可爲層狀構造，其組成爲一晶體層包括具 有大小大於60毫微米之晶粒作爲底層，及―結晶翻層具有 晶粒大小60亳微米或以下或非晶鉬層作爲頂層。當然，層 狀構造可由具有晶粒大小60毫微米或以下之結晶细層以i 非晶细層組成。 於製造本發明之液晶顯示裝置之方法中，由於形成於细 層上的鋁層之針孔密度低（或實質不存在有針孔），故可於 藉濕蝕刻圖樣化鋁層之處理中，以及於使用鹼性去除劑去 除鋁層圖樣化使用的蝕刻光罩之處理中，抑制/防止於針孔 周圍部分鋁層的部分耗損。進一步，於鋼層下方之ιτ〇層之 構造中，鉬層遮斷由蝕刻劑或鹼性顯像劑或去除劑引ς的 ΙΤΟ與鋁間的電流腐蝕。如此防止鋁層及ιτ〇層之部分耗損 的發生。 ' 圖式之簡單説明 圖1 Α及1Β分別爲剖面圖及平面圖，分別示意顯示本發明 之具體實施例1之液晶顯示裝置1〇〇。· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297-公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂----------^一!^ · -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594356 A7 B7_ 五、發明說明（10 ) 圖2 A及2B爲平面圖以及剖面圖，分別示意顯示具體實施 例1之液晶顯示裝置1 〇〇之反射電極基板1 〇〇a。 圖3 A至3 C爲剖面圖，示意顯示具體實施例1之液晶顯示 裝置100之反射電極基板100a之製造過程。 圖4 A及4 B示意顯示用於製造具體實施例1之液晶顯示裝 置100之光罩實例。 圖5示意顯示具體實施例1形成的鉬層1 6藉顯微鏡觀察結 果。 圖6爲具體實施例1之液晶顯示裝置100之掃描線終端電極 22T之示意剖面圖。 圖7A至7C爲剖面圖，示意顯示具體實施例1之液晶顯示 裝置100之掃描線終端電極22T之製造方法。 圖8爲具體實施例3之TFT基板200a之示意剖面圖。 圖9 A至9 G爲示意剖面圖，説明於具體實施例3獲得TFT 126之源極端透明導電層30s、鉬層1 6以及鋁層1 4之圖樣化 過程。 圖10A至10F爲示意剖面圖，説明於具體實施例4獲得TFT 126之源極端透明導電層30s、鉬層1 6以及鋁層1 4之圖樣化 過程。 圖1 1爲示意剖面圖，顯示另一具體實施例中，TFT 126之 源極端透明導電層30s、鉬層1 6以及鋁層1 4之蝕刻後狀態。 較佳具體實施例之説明 後文將參照附圖説明本發明之具體實施例，以反射型液 晶顯示（LCD)裝置以及透射型LCD裝置爲例。LCD裝置之已 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- tr---------- 594356 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 知構造廣泛採用於本發明之LCD裝置之電極及互連體以外 的組件，包括鉬層以及形成於鉬層上的鋁層。因此，於後 文説明中將刪除此等已知組件及其製法之細節。也注音於 附圖中，以相同參考編號表示之各組件實質上係由相^材 料建構而成。 具體實施例1 圖1A及1B爲示意剖面圖及示意平面圖，分別顯示本發明 之具體實施例1之LCD裝置100。LCD裝置1〇〇爲使用TFT之 反射型主動矩陣LCD裝置。 LCD裝置100包括一反射電極基板i〇〇a，一對基板1〇此以 及一層液晶層60插置於反射電極基板i〇0a與對基板⑺⑽間 。液晶層6 0係使用塗封劑6 2密封於基板1 〇〇&與1 oQb間。 反射電極基板100a包括反射電極1 2於例如玻璃製成的基 板10上。反射電極12主要由銘層14(含銘金屬層）以及底翻 層1 6(含鉬金屬層）組成。後文將此種反射電極丨2之構造也 稱作鋁層/鉬層雙層構造。雖然於圖1 A係以一層示意説明 ，但實際上反射電極1 2係由多個像素電極排列成一個矩陣 各自連結至TFT(圖中未顯示）組構而成。反射電極1 2具有 波形（凹面以及凸面外廓）表面，因而讓周圍光線可以適當 角度分佈被漫反射（或稱作「散射」）。所示實例中，首先 形成具有波形表面之樹脂層18，鉬層16及鋁層14循序形成 於樹脂層18上而獲得具有波形表面之反射電極12。於反射 電極1 2之鉬層1 6表面的鉬之最大晶粒大小爲6 0或微米或以 下。形成於鉬層16上之鋁層14具有所設計的面積及厚度， -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

裝_! (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594356 A7 ___________B7_____ 五、發明說明（12 ) 如此處所設計的反射特性。反射電極i 2之構造及形成方法 容後詳述。 / / 對基板100b包括銦錫氧化物（IT0)的製成的透明對電極52 形成於透明基板50之面對液晶層6〇之表面上。對電極52爲 一種面對反射電極12之單一公用電極作爲多個電極（像素電 極）。排齊膜（圖中未顯示）形成於對電極52及反射電極12 表面上。液晶層60之液晶分子（圖中未顯示）被扭向9〇度。 用於扭向列（ΤΝ)模式顯示，四分之一波長（；1/4)板72以及 偏振板74設置於對基板100b之面對觀視者該側（而與液晶層 60該側爲對側）。濾色層（圖中未顯示）可視需要形成。曰 LCD裝置1〇〇中，液晶層60之液晶分子之方向性狀態係依 據介於對電極52與各個反射電極12間施加的電壓改變。根 據方向性狀態變化，反射光強度經調變，如此實現顯示。 各反射電極1 2面對對電極5 2之該區定義一個像素區（對應 一個像素區作爲最小顯示單位）。當形成黑矩陣時，黑矩陣 的各開口定義一個像素區。 於LCD裝置1〇〇，實現顯示之包括多像素區之一區稱作爲 一個顯示區10A，以及位在顯示區10八周邊上的各區稱作終 端區10T，於此處形成掃描線用終端電極以及施加電壓至 TFT信號線（二者皆未顯示）。容後詳述，根據本發明之反射 電極12之鋁層/鉬層雙層構造及其形成方法用於形成終端電 極也有利。換言之，ΓΓΟ層形成作爲終端電極之頂層以防氧 化造成接觸電阻高。於LCD裝置1〇〇之製法中，可能發生某 種情況，此時鋁層須暫時沉積於IT〇膚上然後進行圖樣化。 -15-

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594356 A7 -----------B7 __ 五、發明說明（13 ) 此種情況下，部分ITO層可能由於ITO與銘間的電流腐蚀而 耗時。此種終端電極之ITO層部分耗損問題可經由採用根據 本發明之具有銘層/鉬層雙層構造之反射電極12而予防止， 容後詳述。 後文將參照圖2A及2B説明反射電極12之構造及形成方 法。圖2A爲LCD裝置100之反射電極基板10如之平面圖，焦 點集中於一個像素區。圖2B爲沿圖2A之線2B-2B·所取之 剖面圖。 反射電極基板100a包括多條掃揭線（閘極匯流排）2 2彼此 平行伸展，多條信號線（源極匯流排線）2 4彼此平行伸展且 叉叉掃描線2 2，以及多個TFT 2 6形成於掃描線2 2與信號線 2 4的個別交叉點，掃描線及信號線全部皆形成於底基板^ 〇 上。反射電極1 2連結至個別TFT 2 6。 參照圖2B，掃描線及閘極22(概略一體成型故以相同參 考編號表示）形成於基板10上。閘極絕緣層32形成而覆蓋 掃描線及閘極電極2 2。於閘極絕緣層3 2上，形成半導體層 3 4、源極接觸層36s以及汲極接觸層36d，以及源極電極38s 以及没極電極3 8d，藉此建構各個TFT 2 6。純化層4 〇粗略 形成於遮盖各個TFT 26之全體表面上。具有波狀表面之樹 脂層1 8被形成爲覆蓋鈍化層4 〇。反射電極丨2係形成於 層18上。 日 對各個TFT，ITO製成的電極30s及30d係形成於源極接觸 層36s與源極38s間以及形成於汲極接觸層36d與汲極電極38d 間。汲極端之電極30d(此電極也稱作·連結電極）係透過經由 -----------裝--------訂---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -16-

594356 A7 ^~___ ___ 五、發明說明（14) "" 2脂層18形成的接觸孔18a以及經由純化層4()形成的接觸 孔40a而與反射電極1 2電連結。 反射電極12以外之组件可由已知材料藉已知方法製成。 例如説明例中，钽（Ta)用以形成掃描線及閘極電極U、俨 號線24、源極38s及汲極38d。另外，只要可獲得所需線ς 1阻，則其它材料也可使用（金屬、攙雜半導體及其層狀構 造）。若材料允許於鉬層16做良好電阻接觸，則汲極38d可 曝露於接觸孔40a。閘極絕緣層32可由氧化矽形成，半導體 層34可由非晶型矽（a_Si)形成，源極接觸層36s以及汲極ς 觸層36d可由n + -Si形成，以及鈍化層4〇可由氮化矽 形成（舉例）。此等薄膜可經由重複薄膜形成、光刻術、蚀 刻以及抗蝕劑之去除處理而形成。另外可採用連續膜形成 、批次蝕刻等步驟。 形成鈍化層4 0後之製程將參照圖3 A至3 C説明。 參照圖3 A，樹脂層1 8形成而覆蓋所得基板丨〇表面且有 TFT等形成於其上。特別正感光樹脂（例如東京應化工業公 司製造的OFPR- 800)施用於帶有TFT 2 6以及鈍化層4 0形成 於其上的基板1 0至預定厚度（例如1 · 5微米）。 結果形成之基板1 0於約100°C預烘烤約3 0秒，然後共接 受兩次曝光處理，換言之透過圖4B所示光罩80b曝光於400 (高度照明曝光），以及透過圖4A所示光罩80a曝光於180毫 焦（低度照明曝光）。兩次曝光處理順序可顚倒。 圖4A及4B所示光罩80a及80b分別包括光陰影部82a及8 2 b 以及光透射部84a及84b。圖4 A及4B_爲對應一像素之光罩 •17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂---------Φ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594356 A7 B7 五、發明說明（15 ) 80a及80b之部分示意圖。圖4A之光罩80a中，光陰影部82a 較佳占反射電極全部面積之約2 0 %至約4 0 %，如其中點間 量測，每一毗鄰光陰影部82a較佳彼此間隔约5微米至約5 〇 微米，及更佳約1 0微米至約2 0微米。個別光陰影部82a中 心係於平面上隨機排列。光陰影部82a之形狀非限於圖中顯 示的圓形反而可爲多角形。圖4B之光罩80b中，透光部84b 係用以形成接觸孔18a及40a。雖然圖中未顯示，但光罩8〇b 也具有透光部於對應反射電極基板l〇〇a上形成的終端電極 部位置（掃描線終端電極部以及信號線終端電極部）。 然後曝光後的正性感光樹脂使用顯像機[例如東京應化工 業公司製造的TMA (氫氧化四甲基銨）]顯像而去除對應光 罩80b之透光部的感光樹脂之高度照明曝光部分，該光罩 80b之透光部係對應接觸孔形成部以及終端電極部。此項發 展中，約40%初膜厚度殘留於感光樹脂對應於光罩8〇a之透 光部84a的低度照明曝光部，而約8 〇 〇/〇初膜厚度殘留於感光 樹脂對應光罩80a之光陰影部82a的未曝光部分。 結果所仔感光樹脂於9 0 °C預先加熱一分鐘，然後於約200 C加熱處理約6 0分鐘。經由此種加熱處理，由於熱鬆弛現 象，感光樹脂之截面形狀變形，形成有平滑凹部及凸部起 伏的表面。 結果如圖3 B所示，形成樹脂層j 8具有波形表面以及接觸 孔18a用以電連結反射電極1 2至連結電極3〇d。隨後，於形 成反射電極1 2前可施行氧電漿的撇渣（去除浮渣處理）。j 8〇 當焦之曝光量用於透過光罩8〇a之曝光處理用以形成樹脂層 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297-公爱） -----------Φ-裝--------訂----------· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 594356 A7 B7 五、發明說明（16 ) 18之波形表面。但此種量可適當改變，原因在於所需、甚射 特性（漫反射光之角度分佈）係隨LCD裝置之面板尺變 。反射電極基板l〇〇a亦藉前述方法以外之方法製迭 曰本專利公開案第6-75238號揭示之方法。 參照圖3C，反射電極12具有鉬層16及鋁層"之雙層構 造形成於所得基板上。此處作爲具體實施例！之具體例:形 成兩型晶體層作爲鉬層1 6 :表面晶粒大小3 〇毫微米或以下 之翻層（實例1 )以及表面晶粒大小6 0毫微米或以下之细層（ 實例2 )。供比較用以形成具有表面晶粒大小9 〇毫微米或以 下之翻層（比較例1 )。此等實例之《目層係使用相同賤嫂裝置 形成。下表1顯不4目層1 6之沉積條件，以及使用光學顯微 鏡或電子顯微鏡對各實例觀察結果所得鉬層i 6表面之最大 晶粒大小。圖5示意説明藉表面觀察所得鉬層i 6之表面配 置。由圖5顯然易知，鉬之柱晶晶粒被觀察爲呈橢圓形。定 義各橢圓之主軸LA長度作爲晶粒大小，決定4目層16表面之 最大晶粒大小。特別最大晶粒大小係由觀察於基板中區及 周邊區之鉬層16表面各自具有面積2.3微米X 1.7微米部分 測定。 -----------^--------訂---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表 周圍壓力 供給電力. 膜厚度 _._ ---— 表面晶粒大小 實例1 〇 · 5巴斯卡 15千瓦 50毫微米 ---- 30毫微米或以下 實例2 〇 · 5巴斯卡 10千瓦 50毫微米 60毫微米或以下 比較例1 〇 · 5巴斯卡 15千瓦 150毫微米 90毫微米或以下 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297-公釐） A7

594356 五、發明說明（17 ) 然後鋁層14藉濺鍍沉積於所得鉬層丨6之各層上。用於全 邵實例，鋁層1 4之沉積係於周圍壓力〇 · 2巴斯卡、施加電 力10千瓦以及膜厚度100毫微米之條件下進行。於鉬層16 之沉積條件可獲得表面晶粒大小6 0毫微米之例，銘層i 4可 由翻層1 6之沉積連續沉積而無需破壞濺鍍裝置的眞空。結 果所得鋁層1 4形成的針孔數値密度係由顯微鏡觀察決定。 特別，於鋁層1 4產生的針孔數値密度係經由計數對應典型 像素大小之100微米X 100微米面積的針孔數目測定。 形成於實例1鉬層1 6上之鋁層1 4未見任何針孔，而形成 於實例2鉬層1 6上之鋁層1 4觀察得5至1 0個/ loooo平方微米 針孔。於形成於比較例1之鉬層1 4上之鋁層1 6觀察得多達 200至300個/10000平方微米針孔。 如此形成的鉬層1 6及鋁層1 4經圖樣化而獲得具有圖2 B所 示形狀之反射電極1 2。鉬層1 6及鋁層1 4之圖樣化係以下述 方法進行。 首先，藉一般光刻術方法形成具有預定圖樣之抗蚀劑層 。使用抗蝕劑膜作爲光罩，經由抗蝕劑層之開口曝光的鉬 層1 6及鋁層1 4部分一次使用蝕刻劑去除，該蚀刻劑已經由 混合乙酸、磷酸及硝酸於水製成混合酸。 隨後，作爲光罩之抗蚀劑層使用鹼性去除劑（例如東京應 化工業公司製造的去除劑106)去除。 下表2顯示對實例1及2以及比較例1使用光學顯微鏡或電 子顯微鏡對所得反射電極1 2觀察結果以及測量得之反射比 。反射比係由恰沉積（圖樣化前）鋁層丨4之反射比之降低評 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） -----------0取--------訂----------^9 广請先B3讀背面Μ浲意事項再填寫水貢) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594356 Α7

五、發明說明（18 ) 估0 表2 表面晶粒大小 反射電極耗損 反射比的下降 實例1 30毫微米或以下 無 無 實例2 60毫微米或以下 圓形空隙/邊緣空隙 無 比較例1 9 0毫微米或以下 圓形空隙/邊緣空隙 約1 0 % 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實例1中’於鉬層1 6未見任何針孔，於反射電極1 2 (鋁層 1 4 )未產生空隙，如此未見反射比的下降。實例2中，產生 邊緣2隙，此處反射電極1 2邊緣鬆弛，以及產生圓形空隙（ 谷後詳述）’但未見反射比的下降。相反地，於比較例1中 ’於針孔周圍位置觀察得直徑2微米至5微米之圓形空隙， 以及反射比降低8 %至1 3 %。如圖1 A及1 B所示之反射型 LCD裝置係使用所得反射電極基板製造以及評估顯示特性 。結果比較例1之LCD裝置之反射比於實例1及2之LCD裝置 之反射比差約1 0 %。 由刖述結果，證實於鉬層i 6表面之鉬晶粒大小係與鋁層 14產生的針孔數目有交互關聯。此外發現下列情況。當鉬 層之表面晶粒大小爲6 0毫微米或以下時，未見實際問題。 當表面晶粒大小爲3 〇毫微米或以下時，未產生針孔，如此 可形成具有良好反射特性的反射電極。 如圖2B所示，部分反射電極12直接接觸汀〇層組成的連 結電極30d。根據本發明，由於採用鋁層14/鉬層16雙層構 造於反射電極1 2，故可防止於前述反射電極丨2之圖樣化以 及抗蚀劑去除過程中因電流腐蝕造成的連結電極3〇d之ιτ〇 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297_公釐） I --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594356 A7 B7_ 五、發明說明（19 ) 層的部分耗損。 經由採用根據本發明之鋁層/鉬層雙層構造，也可防止因 ITO與鋁間之電流腐蚀造成作爲反射電極基板100a之各個終 端電極頂層之ITO層部分耗損，容後詳述。 圖6示意顯示形成於終端區（圖1 A及1B之10T)，其連結至 顯示區（圖1 A及1 B之10A)之互連體（掃描線）之掃描線終端 電極22T之剖面圖。雖然圖中未顯示，但連結至顯示區信號 線的信號線終端電極具有實質相同構造。圖6顯示掃描線終 端電極22T係與基板10上之掃描線及閘極22 —體成型。形 成而覆蓋掃描線終端電極22T之閘極絕緣層3 2有一開口 32a 。ITO層3 0T係形成於開口 32a而欲與掃描線終端電極22T做 電連結。ITO層30T用來遮蔽掃描線終端電極22T表面不被空 氣氧化，如此維持低連結電阻。ITO層30T例如於相同製程 連同前述連結電極30d形成。 反射電極基板100a之製造過程中，形成反射電極12之各 層（鉬層1 6及鋁層1 4 )也暫時沉積於ITO層3 0 T上。若如同 習知案例，鋁層14係直接形成於ITO層30T上，則於鋁層14 去除過程因鋁與ITO間之電流腐蝕造成ITO層30T部分耗損。 但經由採用根據本發明之鋁層/鉬層雙層構造，可防止此種 因腐蚀電流造成的ITO層30T部分耗損的困擾。 將參照圖7A至7C説明形成掃描線終端電極2 2T之方法。 圖7A，7B及7C顯示於圖3A、3B及3C各步驟之掃描線終 端電極部分之截面構造。 參照圖7A，形成樹脂層1 8之正性感光樹脂被施用而遮蓋 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297-公釐） -------------------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 594356 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（20 ) 掃描線終端電極部分，該部分包括作爲頂層之ιτ〇層3〇丁 參考圖3 Α)。 參照圖7B ’於正性感光樹脂之曝光及顯像過程中，包括 ITO層30二作爲頂層掃描線終端電極部分被掀開（參考圖 3B)。換言之，用於正性感光樹脂曝光過程的光罩8〇b具有 光透射部分位於對應掃描線終端電極部分之位置。 參照圖7C，形成反射電極12用之鉬層16及鋁層14暫時 沉積於結果所得基板i 〇之全體表面上包括曝露出的ΙΤ〇層 30Τ。隨後如前文參照圖3C所述，鉬層16及鋁層14使用抗 蚀劑於光刻術處理過程被圖樣化成爲預定形狀而形成具有 銘層/鈿層雙層構造的反射電極1 2。此種處理過程中，覆蓋 掃描線終端電極部的鉬層1 6及鋁層1 4 一次被去除。 根據本發明，鋁層14透過鉬層16沉積於ITO層30T上。如 此防止錯層1 4於圖樣化處理用以形成反射電極1 2之過程中 (蚀刻麵層1 6及鋁層1 4之處理過程）直接接觸ITO層30T，如 此防止因ITO與鋁間的電流腐蝕造成的部分耗損。 如此’於本發明之此一具體實施例，於反射電極1 2形成 過程可防止因存在有針孔造成鋁層的部分耗損。此外，於 反射電極12須形成於IT0層上之低，IT〇層及鋁層可避免因 ΙΤΟ與鋁間的電流腐蝕造成的部分耗損。此外，於ΙΤ0層形 成爲終端電極頂層之構造中，於去除已經暫時形成於IT0層 上的鋁層之處理過程中，可避免JTO層因ITO與鋁間的電流 腐蝕造成的部分耗損。結果本具體實施例可形成具有如所 設計之反射特性之反射電極，同時也形成具有高度可靠性 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297-公釐） -----------^裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594356 A7 -----———--- 五、發明說明（21 ) 的終端電極。 本具體實施例説明IT0層形成作爲終端電極頂層之例。本 發明非僅限於此例，反而前述功能及效果也可提供給其它 例’例如具有ΙΤΟ層作爲形成於顯示區之互連體及電極的頂 層之案例。 本具體實施例中，純鉬及純鋁分別用於鉬層16及鋁層14 ，另外，可添加小量其它金屬至各層材料而未有損本發明 的效果。添加金屬之種類及數量可經由考慮電力特性（電阻 等）、、圖樣化的容易程度等適當決定。本具體實施例中，正 性抗蚀劑用於形成樹脂層〗8。另外可使用負性抗蝕劑。否 則樹脂層可由非感光絕緣材料製成。但此種情況下，分開 要求抗蝕劑形成接觸孔以及提供波形外廓於表面。前述替 代例也適用於具體實施例2，容後詳述。 鉬層16之晶粒如何生長係依據底層材料決定。換言之， 鉬層晶粒依據底層材料而定無法建立確切的柱晶形狀。即 使於=種情況下，只要细層16表面之晶粒之最大晶粒大小 爲00毫微米或以下即可達成本發明之效果。 具體實施例2 具體實施例2中，鉬層16係經由於含氮氣氣氛下進行濺 鍍膜形成處理而由非晶型膜製成。本具體實施例係同具體 實施例1，但鉬層16係由非晶细製成，如此於此處删除= 具體實施例之細節説明（鉬層1 6除外）。 非晶型鉬製成的鉬層16可經由於下述條件下沉積鉬至5〇 毫微米厚度形成，該等條件爲供給電力1〇千瓦以及周圍壓 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297-公釐）

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裴 ----訂---------. 594356 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（22) 力〇 . 5巴斯卡，同時氮氣（N2)流速20 seem。非晶型鉬製成 的所得鉬層1 6表面使用光學顯微鏡或電子顯微鏡觀察。結 果發現僅有比具體實施例1之實例1之鉬層1 6表面更細小的 構造（晶粒大小3 0愛微米或以下）。原因在於非晶相之構造 係將每隔數個原子偶合在一起，因而實質上不包括晶粒。 如具體實施例1，鋁層1 4形成於所得鉬層1 6上。然後將 I呂層1 4 / 4目層1 6之構造圖樣化，去除用於圖樣化之抗蚀劑 。結果所得鋁層1 4未見針孔，未見反射比的下降。以前述 方式形成的包括反射電極1 2之LCD裝置100具有如同具體實 施例1之實例1的絕佳顯示特徵。於氮氣氣氛形成鉬層1 6含 有微量氮。但未見因電阻下降造成的顯示特徵劣化。本具 體實施例中，4目層1 6係於氮氣流速2 0 seem下形成。氮氣 流速未限於此値，反而可於結果形成的翻I層1 6具有預定電 阻或以下之範圍内適當調整。 如上具體實施例1及2使用的膜形成條件爲本發明人使用 的濺鍍裝置之特定條件。因此膜形成條件非限於前述數値 ，然而可根據使用的濺鍍裝置之規格等（例如腔室容積等） 改變。 具體實施例3 至於本發明之具體實施例3之LCD裝置，以下説明使用 TFT之透射型主動矩陣LCD裝置。圖8爲本具體實施例之 TFT基板200a之示意剖面圖。TFT基板200a中，信號線以及 源極及没極具有由ITO製成的透明導電層、如層1 6以及銘 層1 4循序層疊組成的構造。 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594356 A7 '------^_____ 五、發明說明（23 ) >王意於本具體實施例以及後述具體實施例4，圖樣化後之 ITO層特別稱作透明導電層指示裝置之一組件。〗層經圖 樣化而形成透明導電層作爲源極及汲極之一部分，以及形 成透明導電層於各源極該側上（源極側透明導電層）標示爲 30s ’同時形成透明導電層於各汲極該側上（汲極側透明導 電層）標示爲30d。透明導電層30d之未以鉬層丨6及鋁層14 途盍部分作爲像素電極。源極側透明導電層3〇s、麵層〗6及 銘層1 4形成信號線（源極匯流排線）而垂直於圖8平面伸展。 本具體實施例中，圖8顯示之TFT i 26之形成過程係同具 月豆貝施例1直至半導體層3 4的形成。換言之，各個TFT之掃 描線及閘極22、閘極絕緣層32、半導體層34、源極接觸層 36s以及没極接觸層3 6 d係經由以具體實施例1所述方式施 行薄膜形成、光刻術、蝕刻以及抗蝕劑去除等各項處理形 成。 於包括半導體層34之所得基板1〇上，使用濺鍍裝置等將 ITO層沉積至約100毫微米厚度。然後鉬層16藉濺鍍形成於 ITO層上。至於具體實施例2之實例3及4以及比較例2，鉬 層1 6係於具體實施例1採用之相同膜形成條件下形成而具 有表面晶粒大小3 0毫微米或以下（實例3 )、6 0毫微米或以 下（實例4 )、以及9 0毫微米或以下（比較例2 )。隨後鋁層1 4 藉濺鍍等形成於鉬層1 6上。於實例3及4以及於比較例1， 厚度約100毫微米之鋁層14係藉濺鍍於具體實施例1採用之 相同條件下形成。 隨後將參照圖9A至9G説明於各j固TFT 1 26之源極側之 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297-公釐） ------------— 1111 ---訂---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 594356 五、發明說明（24 ITO層130、鉬層16及鋁層14之圖樣化。圖9A至9G爲説明 此等層之圖樣化之示意剖面圖。注意ITO層於被圖樣化而形 成源極側透明導電層30s前係標示爲130。於圖9 A至9G，刪 除圖8所示基板1 〇、閘極2 2及半導體層3 4以求簡明。此等 組件也將於後文説明之圖10A至10F以及圖11中删除。 於循序形成ITO層130、鉬層16及鋁層14(參考圖9A)後， 抗蚀劑施用至結果所得之基板以及藉光刻術圖樣化而形成 抗蝕劑圖樣150，用以圖樣化鉬層1 6及鋁層1 4 (後文將此種 抗蝕劑圖樣也稱作鋁/鉬圖樣化之抗蝕劑圖樣）（參考圖9 B ) 。使用鋁/鉬圖樣化之抗蝕劑圖樣150作爲光罩，經由抗蝕 劑圖樣150之開口曝光之鉬層及鋁層部分一次使用蝕刻劑去 除’該蚀刻劑係經由混合乙酸、磷酸及硝酸於水製備的混 合酸（參考圖9 C)。然後抗蝕劑圖樣150使用鹼性去除劑去 除（參考圖9D)。 隨後抗蚀劑施用至結果所得基板之實質全體表面，以及 藉光刻術圖樣化而形成抗蚀劑圖樣151用以圖樣ITO層130( 後文將此種抗蚀劑圖樣也稱作ITO圖樣化之抗蚀劑圖樣）。 ITO圖樣化之抗蝕劑圖樣1 51覆蓋已經被圖樣化的鉬層丨6以 及鋁層14，故其邊緣部避免曝光（參考圖9E)。使用ITO圖 樣化之抗蚀劑圖樣151作爲光罩，經由抗蚀劑圖樣151之開 口曝光的ITO層130部分係使用氣化鐵及鹽酸之混合溶液蝕 刻劑去除（圖9F)。然後抗蝕劑圖樣151使用鹼性去除劑去除 。如此形成源極具有由透明導電層30s、鉬層1 6及鋁層1 4 循序層疊組成的構造（參考圖9G)。 -27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 1T---------Φ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594356

五、發明說明（25) 雖然圖中未顯示，但與形成源極同時，形成信號線（源極 匯流排線），具有由源極側透明導電層30s、鉬層1 6及鋁層 1 4循序層疊組成的構造；以及汲極具有由汲極側透明導電 層30d、鈿層16及鋁層14循序層疊組成的構造。位於鉬層 1 6及铭層1 4覆蓋的汲極側透明導電層30d部分則係作爲像 素電極。 本具體實施例中，鋁層i 4係透過鉬層1 6形成於透明導電 層3〇d上。因此當形成於透明導電層30d上的部分鋁層14被 去除以供形成像素電極時，可防止因蝕刻劑或鹼性顯像劑 或去除劑導致ITO與鋁間發生電流腐蝕，如此可防止透明導 電層30d被部分耗損。 本具體實施例之圖樣化過程中，IT〇圖樣化之抗蝕劑圖樣 151覆盖翻|層16及銘層14，故避免曝露其緣部。因此當ιτο 層130被蝕刻時，鉬層丨6及鋁層丨4將不會曝露於蚀刻劑， 如此细層1 6及鋁層1 4之緣部將不會於由抗蝕劑圖樣ι51邊 緣各層縮窄各層線寬之方向而被過度蝕刻。 於釗述圖樣化處理後’純化層4 〇沉積於所得基板上以及 藉光刻術圖樣化而獲得圖8所示T FT基板200a。使用本具體 實施例之實例3及4以及比較例2所得三種不同類型的TFT基 板，藉已知方法製造透射型TN模式LCD裝置（各100個面板） 。對於各實例3及4以及比較例2，計算於信號線產生斷裂 的面板數目。也經由加總全部製造面板上的發光光點數目 然後將和除以100算出每個面板的光點數目（點數/面板）。 結果示於下表3。 -28- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 五、發明說明（26

產生信號線斷裂 之面板數目 光點數目 實例3 3 0毫微米或以下 2 實例4 6 0毫微米或以下 0.03 0.04 比較例2 9 0毫微米或以下 24 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 至於比較例2之LCD裝置，檢驗斷裂產生的起因，結果發 現第1 9的面板，起因爲鋁層的針孔膨脹。於比較例2，信 唬線鉬層具有表面晶粒大小9 〇毫.微米或以下，故形成於鉬 層上的鋁層具有高度針孔數値密度。鋁層的針孔因蝕刻劑 、鹼性去除劑等而脹大，針孔的脹大造成鋁層及鉬層的部 分耗損。當針孔數値密度高時，部分耗損程度大。因此理 由故於比較例2容易產生斷裂。 相反地，於實例3及4，鉬層1 6具有表面晶粒大小3 〇毫微 米或以下（實例3 )或6 0毫微米或以下（實例4 )，因此形成於 鉬層16上之鋁層14具有針孔之低數値密度。因針孔之數値 密度低，故於鋁層14因針孔脹大造成鋁層〗4及鉬層16之部 分耗損程度小。因此理由故不易造成斷裂。本具體實施例 中’使用鹼性去除劑去除抗蝕劑圖樣係對抗蝕劑圖樣丨5 〇 及1 5 1施行兩次。因此鋁層丨4長時間曝露於鹼性去除劑。 換言之，本具體實施例之圖樣化係於有助於鋁層之針脹大 之條件下進行。雖言如此，本具體實施例可提供不易造成 斷裂以及良率提高的效果。 本具體實施例之實例中，鉬層1 6之表面晶粒大小設定於

請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再I裝 頁I 訂 % 29. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 594356 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -—--------B7___ 五、發明說明（27) 耄微米或以下（實例3)或60毫微米或以下（實例4)。另外 鉬層1 6可由非晶型鉬製成，或具有具體實施例丨所述之層 狀構造。此等替代具體實施例中，也獲得前述效果。本具 體實施例中，恰於蝕刻鉬層〗6及鋁層i 4後，使用鹼性去除 劑去除鋁/鉬圖樣化之抗蝕劑圖樣15〇(參考圖9D)。另外， 可形成no圖樣化之抗蝕劑圖樣151，然後於去除抗蝕劑圖 樣150刖可蝕刻汀〇層13〇。隨後可同時去除抗蚀劑圖樣15〇 及 151 〇 具體實施例4 本發明之具體實施例4之LCD裝置之構造係同具體實施例 3之LCD裝置’但差異在於圖樣化而形成透明導電層3以及 30d、鉬層1 6及鋁層1 4的處理。特別於汀〇層13〇圖樣化後 ’銘/4目雙層沉積於所得透明導電層3〇8及3〇(1上。然後將鋁/ 细雙層圖樣化。後文將參照圖10A至l〇F説明本具體實施例 之圖樣化過程。至沉積ITO層130之過程係同具體實施例3， 因此於此處刪除其説明。 圖10A至10F爲示意剖面圖，説明圖樣化而形成本具體實 施例之TFT 126之源極側透明導電層30s、鉬層16及鋁層14 。首先抗蝕劑實質上施用於所得基板全體表面，以及藉光 刻術形成ιτο圖樣化用之抗蝕劑圖樣151(參考圖10B)。使用 抗蝕劑圖樣151作爲光罩，經由抗蝕劑圖樣15丨之開口曝光 之ITO層130部分使用氣化鐵及鹽酸之混合溶液蝕刻劑去除 。然後使用鹼性去除劑去除抗蝕劑圖樣151(參考圖loc)。 隨後藉錢鏡循序形成I目層16及Is* 14(參考圖1 〇D)。抗 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） t--------IT---------^__w (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 594356 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（28) 钱劑施用至所得基板，以及藉光刻術圖樣化而形成鋁/鉬圖 樣化用之抗蝕劑圖樣150(參考圖1 〇E)。使用抗蝕劑圖樣 150作爲光罩，鉬層1 6及鋁層1 4經由抗蝕劑圖樣15〇之開口 曝光邵分一次使用蝕刻劑去除，該蝕刻劑係經由混合乙酸 、轉酸及辟酸於水製備的混合酸。因作爲透明導電層3〇s之 材料的ITO不易溶解於混合酸，故透明導電層3〇s被有化或 斷裂的可能性低。於鋁層14及鉬層16圖樣化後，抗蝕劑圖 樣150使用鹼性去除劑去除（參考圖1〇F)。 如同具體實施例3，使用本具體實施例所得TFT基板，製 造透射型TN模式LCD裝置。對各製造後的LCD裝置計算於 一根化號線已經產生斷裂的面板數目，以及計算每個面板 的光點數目。計算方式係如具體實施例3。結果係同具體實 施例3。 本具體實施例如同具體實施例3，4目層1 6具有表面晶粒 大小6 0毫微米或以下，因此形成於鉬層} 6上的鋁層j 4具有 低數値么、度的針孔。由於針孔之數値密度低，故因針孔於 铭層1 4膨脹造成铭層1 4及鉬層1 6之部分耗損程度小。因此 理由故可也不易產生斷裂。本具體實施例中，使用驗性去 除劑去除的抗蝕劑圖樣係對抗蝕劑圖樣15〇及151進行兩次 。因此鋁層1 4長時間曝露於鹼性去除劑。換言之，本具體 實施例之圖樣化係於有助益鋁層之針孔膨大條件下進行。 雖言如此，本具體實施例可提供不易產生斷裂且良率改進 的效果。 具體實施例3及4中，ITO層130以及鋁層14/鉬層16係於 --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 適 度 尺 張 紙 本 Μ 八A 97 2 X 10 (2 格 規 A4 S N (C 準 家 國 -31 - 594356 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（29) 分開光刻術處理以及分開蝕刻處理圖樣化。但1丁〇層13〇以 及鋁層1 4/鉬層1 6之分開圖樣化並非製造本發明之液晶顯 示裝置之方法所必需。例如於具體實施例3，於形成紹/鉬 圖樣化用之抗蝕劑圖樣150以及經由混合乙酸、鱗酸及硝酸 於水製備混合酸且使用該混合酸蝕刻後，其次使用氯化鐵 及鹽酸之混合溶液進行蝕刻可未移開抗蝕劑圖樣進行。 但當沉浸於氣化鐵及鹽酸之混合溶液時，鋁及鉬係以比 IΤ Ο更高的速率（特別鉬係以顯著較高速率溶解）溶解於混合 溶液。因此鋁層1 4/鉬層1 6之側·向蚀刻比ITO層130之側向 蚀刻更激烈’可能導致錯層1 4 /细層1 6邊緣顯著内縮，如 圖1 1所示。經由如此窄化鋁層1 4/鉬層1 6，變成難以控制 源極/汲極間距以及匯流排線等之線寬。 具體實施例3及4中，鋁層1 4 /鉬層1 6被覆蓋以ITO圖樣化 用之抗蚀劑圖樣151，或鋁層1 4/鉬層1 6係於ITO層130蚀刻 後形成。如此，防止鋁層1 4 /鉬層1 6曝露於氯化鐵及鹽酸 之混合溶液。具體實施例3及4中，容易控制源極-汲極距離 以及匯流排線線寬等。 具體實施例1及2中，反射型LCD裝置用於説明本發明之 具體實施例。本發明非僅限於此型LCD裝置，反而也適用 於透射/反射型LCD裝置，此處部分像素電極組成反射電極 (反射層）（參考日本專利公開案第1 1 - 101992號）。又，本發 明非僅限於前文舉例説明之使用TFT之主動矩陣LCD裝置， 反而也適用於使用MIM元件之主動矩陣LCD裝置以及簡單 矩陣LCD裝置。顯示模式非僅限於前文舉例説明之TN模式 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------^--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594356 A7 --------- B7___ 五、發明說明（3〇) ’反而可廣義如用其它已知顯示模式，其係利用反射光而 達成顯示（例如光吸收模式如賓主模式，光散射模式如用於 聚合物擴散LCD裝置之模式，ECB模式如超扭向列（STN)模 式，以及強謗電液晶模式）。 具體實施例3及4中，信號線、源極及汲極全部皆具有由 ΙΊΌ製成的透明導電層、4目層及紹層循序堆疊組成的構造。 但本發明也可適用於信號線、源極以及汲極中之至少一者 ，具有鋁層/鉬層/透明導電層之三層構造之案例。具體實 施例3及4中，説明透射型LCD裝置包括像素電極形成於閘 極絕緣層上。本發明也適用於具有高度孔隙構造的透射型 LCD裝置，此處覆盍TFT之透明有機絕緣層存在於閘極絕緣 層上’像素電極形成於有機絕緣層上。 本發明之線路/電極基板也適用於液晶顯示裝置以外的顯 示裝置’例如使用有機電致發光顯示元件。甚至適用於太 陽旎電池等。於有機電致發光顯示元件及太陽能電池，IT〇 製成的透明導電層係用作爲於光的控制及使用關聯的電極 。爲了補充透明導電層之電導，鋁或鋁合金層形成於部分 透明導電層上。根據本發明之線路/閘極基板，此處具有層 狀構造之互連體或電極形成於基板上，可防止層狀構造之 铭層過度縮窄或斷裂。因此經由採用本發明之線路/電極基 板用於有機電致發光顯示裝置以及太陽能電池，可抑制/防 止互連體或電極的電導的下降，如此避免產生故障製品。 如此根據本發明，於形成於鉬層上的銘層產生針孔受抑 制/防止。如此抑制/防止因鋁層存在有針孔造成鋁層的部 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂--------- C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 594356 顯 文 發明說明（31) 耗損因作爲反射層的銘層於製造過程中被抑制/防止 :耗損，故可製造具有如所設計之反射特徵之液晶顯示裝 置。 、此外’可抑制/防止具有銘層“目層/透明導電層之三層構 造的互連體或電極發生電導降低或斷裂。％此提供抑制產 生故障製品以及改良良率的效果。 此外經由採用根據本發明之鋁層/鉬層雙層構造，當暫時 沉積於ITO層上的鋁層被去除時，可避免因ιτ〇與鋁^之兩 流腐蚀造成ΙΤ0層的部分耗損。如此當ΙΤ0層形成作爲終S 電極的頂層時，當暫時沉積於叮0層上的鋁層被去除時，可 抑制/防止ΙΤΟ層的部分耗損。如此可形成具有高度可信度 的終端電極。 雖然已經於較佳具體實施例説明本發明，但業界人士 然易知揭示之發明可以無數方式修改以及可做出多種前又 特別説明以外之具體實施例。如此，意圖藉隨附之申請專 利範圍涵蓋全部落入本發明之精髓及範圍内之本發明之修 改0 •-------------------訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 594356

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α· 一種液晶顯示裝置，包本一姐甘， 、、 ° 對基板，一層液晶層插置於 吾亥對基板間’以及多個雷姑善丄 7似％極對各自彼此透過液晶層面面 相對，該多個電極對之各對泰 心 合對私極對 < 一爲實現以反射模 式顯示的反射電極， 其中該反射電極包括一屉本4 ^ 屬含鉬<罘一金屬層以及含鋁 之第二金屬層形成於第—金屬層上，且該第一金屬層爲 具有於表面（晶粒之最大晶粒大小爲6〇毫微米或以下之 結晶層或爲非晶型層。 2.如申請專利範圍第卜頁之裝置，其中第一金屬層係由麵 組成。 3·如申請專利範圍第m裝置，其中部分反射電極係形 成於ITO製成的透明導電層上。 4· 一種製造液晶顯示裝置之方法，該裝置包含一對基板， 一層液晶層插置於該對基板間，以及多個電極對各自彼 此透過液晶層面面相對，該多個電極對之各對電極對之 一爲實現以反射模式顯示的反射電極，該反射電極係經 由一種方法形成，該方法包含下列步驟： 形成一層含鉬之第一金屬於其中之一片基板上，該第 一金屬層爲具有表面之晶粒之最大晶粒大小爲6〇毫微米 或以下之結晶層或爲非晶型層； 於第一金屬層上形成一層含鋁之第二金屬層；以及 圖樣化第一及第二金屬層。 5 ·如申請專利範圍第4項之方法，其中第一金屬層係由_ 組成。 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------•裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) JO

   、申請專利範圍 6 .如申請專利範圍第4項之 之+ 頁<万法，其中該形成第一金屬層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 4於含氮氣氛下形成非晶型之第—金屬層。 7 ·如申請專利範圍第4項之古法 全m 去，進—步包含於形成第一 :屬層（步骤前，於基板上形成IT〇製成的—層透明導 "層之步驟，其中至少部分第-金屬層係形成於透明導 電層上。 、 、申叫專利範圍第4項之方法，其中形成於第二金屬層 之針孔密度爲20個/10000平方微米或以下。 9.如申請專利範圍第4項之方法.，其中圖樣化第一以及第 二金屬層之步驟包括下列步驟： 於第一及第二金屬層上形成一層抗蝕劑層； 將該抗蝕劑層曝光； 經由使用鹼性顯像劑顯像經過曝光之抗蝕劑層而形成 具有預定圖樣之一種抗蝕劑圖樣； 使用該抗蝕劑圖樣作爲光罩而圖樣化第一及第二金屬 層；以及 使用鹼性去奋劑去除抗蝕劑圖樣。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 1 〇 ·如申請專利範圍第4項之方法，其中圖樣化第一及第二 金屬層之步驟包括蚀刻第一及第二金屬層中之至少一層 之步驟。 金 屬 1 1 ·如申請專利範圍第4項之方法，其中圖樣第一及第二 屬層之步驟包括使用共用蝕刻劑濕蝕刻第一及第二金 層之步驟。 12. —種製造一液晶顯示裝置之方法，該裝置包含一對基板 36- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 594356 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍― ’一層液晶層插置於該對基板間，以及一層ITO製成的 透明導電層形成於該對基板之至少一者上，該方法包含 下列步驟； 形成透明導電層，係經由沉積IT〇層於該對基板之至 少一者上以及圖樣化ΙΤΟ層之方法形成； 於ΪΤΟ層或透明導電層上形成一層含鉬之第一金屬層 ’該第一金屬層爲具有於表面之晶粒之最大晶粒大小爲 6 0毫微米或以下之結晶層或非晶型層； 於第一金屬層上形成一層含铭之第二金屬層；以及 圖樣化第一以及第二金屬層。 1 3 ·如申请專利範圍第1 2項之方法，其中透明導電層係形成 作爲連結至顯示區形成的互連體之終端電極的頂層。 1 4 ·如申請專利範圍第i 2項之方法，其中液晶顯示裝置爲 TFT主動矩陣液晶顯示裝置，以及信號線、源極以及没 極中之至少一者具有一種構造，該構造包括透明導電層 、第一金屬層以及第二金屬層循序層疊。 1 5 ·如申請專利範圍第1 2項之方法，其中ITO層係經由形成 抗蝕劑圖樣於ITO層上以及使用該抗蝕劑圖樣作爲光罩 濕蚀刻ITO層而被圖樣化，以及 第一及第二金屬層係於ITO層之圖樣化分開被圖樣化 ，係經由形成不同的抗蝕劑圖樣於第一及第二金屬層上 以及使用該不同的抗蝕劑圖樣作爲光罩濕蝕刻第一及第 二金屬層而被圖樣化。 16· —種線路基板，包括形成於一基;^上的互連體或電極， -37- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------IT--------- c請先閱讀背面Μ涑意事頊存填寫本 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594356 C8 -- -~_— 58__ 六、申請專利範圍^ ^ - 該等互連體或電極具有包括ΙΤ〇製成的透明 層構造， I嘈心多 八中互連體或電極包括一層形成於透明導電層上之本 鉬之第至屬層，以及一層形成於第一金屬層上之本 的，二金屬層，以及第-金屬層爲具有-表面晶粒:最 大曰日粒大小爲6 〇晕微米或以下之結晶層或非晶型層。 17· —種製造線路基板之方法，該線路基板包括形成於一基 板上的互連體或電極，該等互連體或電極具有包括门^ 製成的透明導電層之多層構造，該方法包含下列步驟·· 經由沉積ΓΓΟ層於基板上以及圖樣化ΙΤ〇層之方法而形 成透明導電層；’ 於ΙΤΟ層或透明導電層上形成一層含鉬之第一金屬層 ，該第一金屬層爲具有於表面之晶粒之最大晶粒大小^ ό 0毫微米或以下之結晶層或非晶型層； 於第一金屬層上形成一層含鋁之第二金屬層；以及 圖樣化第一以及第二金屬層。 1 8 ·如申請專利範圍第丨7項之方法，其中ΙΤ〇層係經由形成 抗蝕劑圖樣於ΙΤΟ層上以及使用該抗蝕劑圖樣作爲光罩 濕蚀刻ΙΤΟ層而被圖樣化，以及 第一及第二金屬層係於ΙΤΟ層之圖樣化分開被圖樣化 ’係經由形成不同的抗蝕劑圖樣於第一及第二金屬層上 以及使用該不同的抗蝕劑圖樣作爲光罩濕蝕刻第一及第 二金屬層而被圖樣化。 -38 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) I ^ ^--------^---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) #·