TW583520B - Carbon powder and image forming device - Google Patents

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TW583520B TW091106726A TW91106726A TW583520B TW 583520 B TW583520 B TW 583520B TW 091106726 A TW091106726 A TW 091106726A TW 91106726 A TW91106726 A TW 91106726A TW 583520 B TW583520 B TW 583520B
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Yoshihiro Nakajima
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583520 A7 ---- ---B7_ 五、發明説明(彳) 〔發明背景〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本發明係關於碳粉中添加中阻抗外添劑而調整帶電量 之碳粉及畫像形成裝置。 第1圖係爲說明具有中間轉印體之過去的畫像形成裝 置之圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 旋轉式顯像裝置1 ,具備Y . Μ · C · K之4色的顯 像滾筒’感光體2每1旋轉,各色的顯像滾筒切換成旋轉 式而抵接到感光體。感光體2經由帶電裝置3 —樣聚電後 ’每次各色的晝像經曝光而形成靜電潛在像,與各每色的 Υ · Μ · C,Κ之顯像滾筒抵接後顯像,與中間轉印體5 接觸後轉印(1次轉印)。轉印後其感光體上的殘留碳粉 以淸淨裝置4剝落。經由中間轉印體5疊合4色的像,則 運送用紙8而抵接2次轉印滾筒7,由電源(未圖示)施 加2次轉印偏壓而彩色畫像統籌轉印到用紙8上(2次轉 印)。2次轉印滾筒7如箭頭所示,對中間轉印體5擺動 而使其分離抵接,以中間轉印體所重疊顏色之間離間,轉 印時抵接。轉印後其中間轉印體上的殘留碳粉經由淸淨裝 置6加以剝落。 此類的畫像形成裝置所使用的碳粉具有粒徑分布;依 碳粉製造時的條件,縮窄粒徑分布的寬度(所謂的粒徑集 結)或擴散(所謂的粒徑不集結而從小粒徑到大粒徑都存 在)。一般,以粉碎法所製造的碳粉其粒徑分布較爲擴散 。經由分級而一定程度能夠縮窄,不過技術上有一定的限 度,成本也變高。此外以聚合法所製造的碳粉其粒徑分布 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 583520 A7 ____B7_ 五、發明説明(2) 能夠縮窄,不過並不會成爲單一粒徑。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此樣使用具有粒徑分布之碳粉,會有優先消耗一定粒 徑領域的碳粉之選擇顯像的現象。即是在於第2圖所示的 顯像器1 0中,碳粉依碳粉存放部1 1 供應滾筒1 2 — 顯像滾筒1 3的順序運送,帶電後供作顯像,不過該時以 規限刮刀1 4限制在一定厚度而限制碳粉量。非磁性碳粉 的情況,從供應滾筒1 2到顯像滾筒1 3供應碳粉,將供 應滾筒經對向旋轉抵接到顯像滾筒,碳粉經磨擦而使其磨 擦帶電後使其靜電附著。該時顯像滾筒1 3上的碳粉較小 時,例如對顯像滾筒開始供應碳粉,或良好顯像之後,碳 粉存放部1 1內的碳粉原樣供應到顯像滾筒1 3。此外在 顯像滾筒上存在碳粉時,例如空白顯像後或顯像影印密度 較低的文字或線後,依規限制的條件,供應條件而易於保 持在顯像滾筒之粒徑的碳粉殘留在顯像滾筒,不易保持的 粒徑之碳粉從顯像滾筒脫離而回收到顯像器內。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一般,因大多是文字或線之影印密度較低之畫像輸出 ,所以易於保持在顯像滾筒的粒徑之碳粉優先消耗。易於 保持在顯像滾筒之碳粉係爲依顯像滾筒表面粗細等的條件 加以決定,不過原來的這些條件係平均粒徑附近的碳粉經 設定使其易於發現能力,所以優先消耗的碳粉則是依據平 均粒徑或條件接近顯像滾筒表面粗細的粒徑領域之碳粉。 此現象稱爲選擇顯像。 第3圖係爲表示經由選擇顯像而殘留在顯像器內之碳 粉的粒徑分布之圖。 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ:297公釐) 583520 A7 B7 五、發明説明(3) 圖中,當原來的碳粉粒徑分布設爲D時,經選擇顯像 所消耗之碳粉爲粒徑中最常選擇的領域,返覆碳粉消耗, 而碳粉餘量變少,則除此之外的粒徑,也就是比平均粒徑 或顯像滾筒表面粗細還小的粒徑與較大的粒徑其兩者的比 例變高,進行碳粉補給,則易於再度顯像的碳粉優先消耗 ,所以未使用的碳粉更加濃縮,而形成爲如同分布D —。 經此而顯像器內的碳粉變少,經返覆補給而在顯像器 內增多不適於顯像之碳粉量時,不得不將不適於顯像之小 粒徑,大粒徑的碳粉作顯像。該時,小粒徑碳粉對重量比 則帶電量變大,所以利用電荷的鏡像力不易顯像’而成爲 滯留在顯像滾筒表面;經由規限刮刀等的磨擦而受到損壞 ,而易於發生溶著在顯像滾筒等之成膜。此外’大粒徑碳 粉依對重量比則帶電量較小,因而易於依顯像電界而運送 ,易於顯像。但是大粒徑碳粉則會有轉印時產生漏印且畫 像模糊的問題。 消除因選擇顯像所造成弊害的對策’例如有攬拌顯像 器的碳粉之方法。但是碳粉的選擇消耗由於經由畫像輸出 所造成因而依存於畫像圖案。在攪拌不充分的狀態下持續 使用則部分地引起不適用碳粉的濃縮,所以經攪拌’極度 均等地使其引起濃縮而能使該進展延遲。但是單是延遲選 擇消耗所造成的濃縮則作爲根本對策不充分。 另外,也有每次剝離顯像滾筒上的碳粉之方法。例如 經由增加供應滾筒的抵接深度而每次剝離顯像滾筒上的碳 粉。由於此因,顯像滾筒上的碳粉’如同每次良好藏像後 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(21〇 X 297公釐) -6 - 583520 A7 B7 五、發明説明(4 ) ,碳粉不依粒徑而均等地消耗。但是此方法則會扭力增大 ,碳粉損壞增大,實現上必要上述的對策。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔發明槪要〕 本發明係爲了解決上述課題,經由能依碳粉粒徑改變 使碳粉的電荷洩漏之中阻抗外添劑的覆蓋率,因而使帶電 量的對質量比一定,而使其不發生選擇顯像。 因而本發明的第1項其特徵爲:在於相對於碳粉母粒 子等價粒徑其同步中阻抗外添劑等價粒徑的同步分布曲線 中,對於以相當於顯像滾筒表面粗細或碳粉平均粒徑之碳 粉母粒子等價粒徑的中阻抗外添劑覆蓋率爲基準値,從該 値所得到之中阻抗外.添劑覆蓋率爲一定之假想基準値,比 相當於前述顯像滾筒表面粗細或碳粉平均粒徑之碳粉母粒 子等價粒徑還小的母粒子等價粒徑領域之中阻抗外添劑覆 蓋率成爲前述基準線以上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的第2項其特徵爲:在於相對於碳粉母粒子等 價粒徑其同步中阻抗外添劑等價粒徑的同步分布曲線中’ 對於將相當於顯像滾筒表面粗細之碳粉母粒子等價粒徑設 爲d 1 ,將相當於碳粉平均粒徑之碳粉母粒子等價粒徑設 爲d 2 ( d 1 < d 2 ),以d 1〜d 2間的碳粉母粒子等 價粒徑之中阻抗外添劑覆蓋率爲基準値’從該値所得到之 中阻抗外添劑覆蓋率爲一定之假想基準線,碳粉母粒子等 價粒徑爲d 1以下的領域及d 2以上的領域之中阻抗外添 劑覆蓋率成爲前述基準値以上。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 583520 A7 B7 五、發明説明(5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的第3項其特徵爲:在於相對於碳粉母粒子等 價粒徑其同步中阻抗外添劑等價粒徑的同步分布曲線中, 對於以相當於顯像滾筒表面粗細或碳粉平均粒徑之碳粉母 粒子等價粒徑的中阻抗外添劑覆蓋率爲基準値,從該値所 得到之中阻抗外添劑覆蓋率爲一定之假想基準線,比相當 於前述顯像滾筒表面粗細或碳粉平均粒徑之碳粉母粒子等 價粒徑還大的母粒子等價粒徑之中阻抗外添劑覆蓋率成爲 前述基準値以上。 本發明的第4項其特徵爲:具備形成靜電潛在像之感 光體,及將感光體上的靜電潛在像顯像之顯像手段,及轉 印感光體上的畫像之轉印手段,及將所轉印之碳粉像定像 之定像手段;前述碳粉爲上述各項發明的碳粉。 〔圖面之簡單說明〕 第1圖係爲說明畫像形成裝置之圖。 第2圖係爲說明顯像器之圖。 第3圖係爲說明選擇顯像之圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第4圖係爲表示說明本發明第1項的碳粉之同步分布 曲線之圖。 第5圖係爲說明避免小粒徑領域的選擇顯像之圖。 第6圖係爲表示說明本發明第2項的碳粉之同步分布 曲線之圖。 第7圖係爲說明避免小粒徑與大粒徑領域的選擇顯像 之圖。 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 583520 A7 ___ B7 五、發明説明(6) 第8圖係爲表示說明本發明第3項的碳粉之同步分布 曲線之圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第9圖係爲說明避免大粒徑領域的選擇顯像之圖。 〔符號說明〕 1 旋轉式顯像裝置 2 感應體 3 帶電裝置 4 淸淨裝置 5 中間轉印體 6 淸淨裝置 7 2次轉印滾筒 8 用紙 10 顯像器 11 碳粉存放部 12 供應滾筒 13 顯像滾筒 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14 規限刮刀 〔本發明的詳細說明〕 首先,說明以下各項發明的等價粒徑。 此處說明等價粒徑,在於以顆粒分析法分析碳粉粒子 中將碳粉粒子導入到電漿中起使激勵/發光。碳粉粒子爲 了使其提高流動性或帶電性而在由聚酯等的樹脂(碳元素 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29*7公釐) Γ〇Ί " 583520 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(7) )所形成的母粒子,覆蓋氧化鈦(T i〇2 )或氧化鈦和氧 化矽作爲外添劑;使其激勵/發光則在元素中達到特有的 發光光譜(頻率)及依元素量的發光強度。因此,測定發 光的頻率及其強度,從測定結果分別測定構成母粒子或外 添劑之元素量(質量),將構成母粒子或外添劑之元素的 質量換算成圓球粒子從以粒子徑呈現的粒徑爲等價粒徑, 以所測定之發光光譜其訊號強度(與質量成比例)的3次 方根電壓求出(參照日本專利特開平1 2 - 4 7 4 2 5號 公報)。 顆粒分析法則是當碳粉母粒子與外添劑成一體時,因 兩者在相同時間點檢測出發光所以稱爲一同步(同步碳粉 );當碳粉母粒子及外添劑遊離時,因兩者在不同時間點 檢測出發光所以稱爲非同步(非同步碳粉);第4圖中描 繪在橫軸上,縱軸上爲非同步碳粉,非同步外添劑;除此 之外描繪在任意點則爲同步碳粉,以母粒子量與外添劑量 的比例決定描繪位置。, 另外,外添劑均等地分布(內添)在母粒子的內部時 ,因母粒子,外添劑其两者的量與粒徑的3次方成比例所 以同步分布曲線形成爲直線狀;外添劑只附著在母粒子表 面時,母粒子量與粒徑的3次方成比例,外添劑量與母粒 子的表面積成比例,即是與粒徑的2次方成比例,所以同 步分布曲線形成爲(2 / 3 )次方的曲線。因此母粒子表 面上其外添劑的覆蓋率爲一定時,同步分布曲線如同第4 圖的假想基準値S形成爲(2 / 3 )次方的曲線。另外, —--------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -10- 583520 A7 __B7______ 五、發明説明(8) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當碳粉中以一定的比例使其附著外添劑時’游離外添劑的 比例越多則同步外添劑的比例越小,所以同步分布曲線的 斜率減小;游離外添劑的比例越小則同步外添劑的比例越 大,所以同步分布曲線的斜率增大,從這些狀態’就可分 析對碳粉母粒子其外添劑的附著狀態, 以下的各項發明中,使用中阻抗外添劑作爲所覆蓋的 外添劑,將碳粉的電荷對質量比控制爲一定’而不致發生 選擇顯像。 所使用的中阻抗外添劑,例如使用鈦氧化物(T i〇2 ),鈦氧化物與矽氧化物的混合物(T i〇2 + S i〇2 ) 等,其阻抗値爲1 0 8〜1 0 1 2 Ω · c ill。中阻抗外添劑 爲了對策或顯像性的提升而作爲碳粉帶電分布控制用使用 ,當阻抗値未滿1 0 8 Ω c m時,碳粉帶電性顯著降下而造 成感光過度或碳粉的飛散;當超過1 0 12〇 cm時’碳粉 的帶電分布擴散,而發生反極性碳粉所造成的過度感光等 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外,對碳粉粒子添加中阻抗外添劑’例如可以利用 v型調合機、混合機、預拌機等進行。進而依需要而使用 振動篩選機、風力篩選機等除去碳粉的粗大粒子亦可。依 碳粉粒徑能選擇性改變外添劑的添加量之方法,經由將碳 粉區分成每個粒徑的幾個階段,個別進行外添處理後,調 合該此粒徑,因而能依粒徑改變覆蓋率。 第4圖係爲說明顯示規定本發明第1項的同步碳粉之 碳粉母粒子量與附者在該碳粉母粒子之中阻抗外添劑量其 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐) 583520 A7 B7 五、發明説明(9) 兩者的比例之同步分布曲線之圖;橫軸爲碳粉母粒子等價 粒徑,縱軸爲外添劑等價粒徑。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的第1項係爲在於第4圖中,以相當於顯像滾 筒表面粗細或碳粉平均粒徑之碳粉母粒子等價粒徑其中阻 抗外添劑的覆蓋率爲基準値(8 0〜1 2 0 % ),描繪通 過該基準點P之覆蓋率一定的假想基準値S,比相當於顯 像滾筒表面粗細或碳粉平均粒徑之碳粉母粒子等價粒徑還 小的小粒徑之領域的中阻抗外添劑覆蓋率成爲基準値S以 在於比相當於第4圖的顯像滾筒表面粗細或碳粉平均 粒徑之碳粉母粒子等價粒徑d 1還小的碳粉母粒子等價粒 徑d X之領域中,鈦氧化物等其中阻抗外添劑的覆蓋率成 爲基準線以上,因而使小粒徑領域的碳粉帶電電荷外漏, 使電荷的對質量比與其他的粒徑領域相同程度而使顯像性 提升。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第5圖係爲表示與第3圖所示之碳粉的粒徑分布相同 之粒徑分布,不過本發明的第1項中,在於d x< d 1的 領域,由於改善了帶電電荷的對質量比而易於顯像;此領 域中的碳粉如同虛線所示的分布D 〃 ,可以如同與優先消 耗的平均粒徑或顯像滾筒表面粗細附近之粒徑領域內的碳 粉相同使其消耗,避免因選擇顯像而殘留此粒徑領域碳粉 未被消耗。 如上述依據本發明的第1項,對於以相當於顯像滾筒 表面粗細或碳粉平均粒徑之碳粉母粒子等價粒徑的中阻抗 -12- 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 583520 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(1() 外添劑覆蓋率爲基準値,從該値所得到之中阻抗外添劑覆 蓋率爲一定之假想基準線,比相當於前述顯像滾筒表面粗 細或碳粉平均粒徑之碳粉母粒子等價粒徑還小的母粒子等 價粒徑領域之中阻抗外添劑覆蓋率成爲前述基準線以上, 因而改善小粒徑領域之帶電量的對質量比,可以避免選擇 顯像。 第6圖係爲說明顯示規定本發明第2項的同步碳粉之 碳粉母粒子量與附著在該碳粉母粒子之中阻抗外添劑量其 兩者的比例之同步分布曲線之圖;橫軸爲碳粉母粒子等價 粒徑,縱軸爲外添劑等價粒徑。 本發明的第2項係爲在於第6圖中,當將相當於顯像 滾筒表面粗細之碳粉母粒子等價粒徑設爲d 1 (約5 // m ),將碳粉平均等價粒徑設爲d 2 (通常爲7〜8 // m ) 時,以d 1與d 2之間的任意粒徑其中阻抗外添劑的覆蓋 率爲基準値(8 0〜1 2 0 % ),描繪通過該基準點P之 覆蓋率一定的假想基準線S,比d 1還小粒徑的領域及比 d 2還大粒徑的領域之中阻抗外添劑覆蓋率成爲基準線S 以上。 鈦氧化物等的中阻抗外添劑其比第6圖還小粒徑的領 域及比d 2還大粒徑的領域之中阻抗外添劑覆蓋率爲基準 線S以上。d 1及d 2的中間領域爲原本顯像經常使用之 領域;對於此點,加大其兩側中阻抗外添劑的覆蓋率而使 碳粉帶電電荷外漏,電荷的對質量比爲與中間領域相同程 度而使顯像性提升。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁).
*1T _·丨 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) -13- 583520 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 所示之碳粉的粒徑分布相同 2項中,在於比d 1還小的 於改善帶電電荷的對質量比 如同虛線所示的分布D 〃 , 徑或顯像滾筒表面粗細附近 耗,避免因選擇顯像而此領 項,對於將相當於顯像滾筒 徑設爲d 1 ,將相當於碳粉 徑設爲d2 (dl<d2) 等價粒徑之中阻抗外添劑覆 之中阻抗外添劑覆蓋率爲一 等價粒徑爲d 1以下的領域 添劑覆蓋率成爲前述基準線 比成爲一定,能使其不發生 本發明第3項的同步碳粉之 母粒子之中阻抗外添劑量其 圖;橫軸爲碳粉母粒子等價 第8圖中,以相當於顯像滾 碳粉母粒子等價粒徑其中阻 8 ◦〜1 2 0 % ),描繪通 假想基準線S,比相當於顯 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明(11) 第7圖係爲表示與第3圖 的粒徑分布,不過本發明的第 領域,比d 2還大的領域,由 因而易於顯像;此領域的碳粉 可以如同與優先消耗的平均粒 的粒徑領域之碳粉相同使其消 域未被消耗存留著。 如上述依據本發明的第2 表面粗細之碳粉母粒子等價粒 平均粒徑之碳粉母粒子等價粒 ,d 1〜d 2間的碳粉母粒子 蓋率爲基準値,從該値所得到 定之假想基準線,碳粉母粒子 及d 2以上的領域之中阻抗外 以上,因而使電荷量的對質量 選擇顯像。 第8圖係爲說明表示規定 碳粉母粒子量與附著在該碳粉 兩者的比例之同步分布曲線之 粒徑,縱軸爲外添劑等價粒徑。 本發明的第3項係爲在於 筒表面粗細或碳粉平均粒徑之 抗外添劑的覆蓋率爲基準値( 過該基準點P之覆蓋率一定的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -14- 583520 A7 B7 五、發明説明(u 像滾筒表面粗細或碳粉平均粒徑之碳粉母粒子等價粒徑還 大粒徑的領域之中阻抗外添劑覆蓋率成爲基準線S以上。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 鈦氧化物等的中阻抗外添劑,在於比相當於第1圖的 顯像滾筒表面粗細或碳粉平均粒徑之碳粉母粒子等價粒徑 d 1還大的碳粉母粒子等價粒徑d X之領域中,中阻抗外 添劑的覆蓋率爲基準線以上,因而使小粒徑領域的碳粉帶 電電荷外漏,電荷的對質量比與其他的粒徑領域相同程度 ,而使顯像性提升。 第9圖係爲表示與第3圖所示之碳粉的分布粒徑相同 的粒徑分布,不過本發明的第3項中,在於d X > d 1的 領域,由於改善帶電電荷的對質量比,因而易於顯像;此 領域的碳粉如同虛線所示的分布D. 〃 ,可以與優良消耗的 平均粒徑或顯像滾筒表面粗細附近的粒徑領域之碳粉相同 使其消耗,避免因選擇顯像而存留此領域的碳粉未被消耗 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上述,依據本發明的第3項,對於以相當於顯像滾 筒表面粗細或碳粉平均粒徑其碳粉母粒子等價粒徑的中阻 抗外添劑覆蓋率爲基準値,從該値所得到之中阻抗外添劑 覆蓋率爲一定之假想基準線,比相當於前述顯像滾筒表面 粗細或碳粉平均粒徑之碳粉母粒子等價粒徑還大的母粒子 等價粒徑的中阻抗外添劑覆蓋率爲前述基準線以上,因而 改善大粒徑領域其帶電量的對質量比,而能避免選擇顯像 〇 然而,上述各項發明的碳粉爲負極性、正極性的任意 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 583520 A7 __B7 五、發明説明( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 極性之碳粉皆可;母粒子至少使用構件碳粉之母劑的樹脂 、控制帶電量的帶電控制劑、顏料、外添劑、脫離劑、磁 性劑,其他也使用添加劑。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 母粒子可以使聚苯乙烯及共聚體;例如添加氫苯乙烯 樹脂、苯乙烯•異丁撐共聚體;A B S樹脂;a S A樹脂 、A S樹脂;A A S樹脂;A C S樹脂;a E S樹脂;苯 乙烯·P氯基苯乙烯共聚體;苯乙烯•丙烯共聚體;苯乙 烯· 丁二烯架橋聚合體;苯乙烯•丁二烯·氯化石蠟共聚 體;苯乙烯•烯丙基·乙醇共聚體;苯乙烯•丁二烯橡膠 乳膠;苯乙烯•馬里苷脂共聚體;苯乙烯•異丁酸酯共聚 體;苯乙烯•無水馬里苷酸共聚體;丙烯酸酯系樹脂或偏 丙烯酸酯系樹脂及其共聚體;苯乙烯•丙烯酸系樹脂及其 共聚體,例如苯乙烯•丙烯酸共聚體;苯乙烯•二乙胺基 •乙基偏丙烯酸脂共聚體;苯乙烯•丁二烯•丙烯酸酯共 聚體;苯乙烯•甲基偏丙烯酸酯共聚體;苯乙烯· n 一丁 基偏丙烯酸酯共聚體;苯乙烯甲基偏丙烯酸酯· η -丁基 丙烯酸脂共聚體;苯乙烯•甲基偏丙烯酸酯•丁基丙烯酸 酯· Ν — (乙氧基甲酯)丙烯酸醯胺共聚體;苯乙烯•環 氧丙基偏丙烯酸酯共聚體;苯乙烯•丁二烯·二甲基•氨 乙基偏丙烯酸酯共聚體;苯乙烯•丙烯酸酯•馬里苷酸酯 共聚體;苯乙烯•偏丙烯酸甲基·丙烯酸2 -乙基己酯共 聚體;苯乙烯· η -丁基丙烯酸酯·乙基乙二醇偏丙烯酸 酯共聚體;苯乙烯· η -丁基偏丙烯酸酯·丙烯酸共聚體 ,·苯乙烯· η -丁基偏丙烯酸酯•無水馬里苷酸共聚體; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -16 - 583520 A7 B7 五、發明説明( (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 苯乙烯•丁基丙烯酸酯·異丁基馬里苷酸半酯•二乙烯基 苯共聚體;聚酯及其共聚體;聚乙烯及其共聚體;環氧樹 月旨;矽酸樹脂;聚戊烯及共聚體;氟樹脂;聚醯胺樹脂; 聚乙烯基乙醇樹脂;聚氨酯樹脂;聚乙烯丁縮醛樹脂中調 合1種或2種以上之碳粉。 另外,著色劑可以使用黑碳、醇溶黑、苯胺黑、若丹 明系、三聚氰胺三苯甲烷、陽離子系、二噁嗪、銅酞菁、 二萘嵌苯、偶氨基系、含金偶氮基顏料、偶氮基鉻複合物 、胭脂紅系、聯苯胺系、純黃8 G、D奎π丫酮、聚鶴磷酸、 吲噠斯能藍、氨磺醯感應體等。 進而,帶電控制劑可以使用電子受容性的有機錯體、 氯化聚酯、硝基弗尼酸、第4級氨鹽、吡啶溴化鹽等。進 而脫離劑可以使用聚丙烯鱲、聚乙烯鱲等。進而,分散劑 可以使用金屬皂、聚乙烯乙二醇等。其他的添加劑可以使 用甘油三硬脂酸鋅、氧化鋅、氧化鈽等。 進而,磁性劑可以使用F e、C 〇、N i、C r、 Μη、Zn、等的金屬粉;Fe3〇4、Fe2〇3、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C r 2〇3、肥粒鐵等的金屬氧化物;錳以及含酸的合金等 經由熱處理而顯現強磁性之合金等;預先施行聯結劑等的 前置處理亦可。然後以一般的混練粉碎法、噴乾法、聚合 法等混合這些製劑,而作成母粒子。 此外,外添劑可以使用種種的外添粒劑;例如氧化矽 、氧化鋁、氧化鈦等的金屬氧化物,及這些複合氧化物等 的無機粒子,或丙烯微粒子等的有機微粒子。另外,這些 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 583520 A7 __ _B7 五、發明説明(d (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的表面處理劑可以使用矽烷系聯結劑、鈦酸酯聯結劑、含 氟矽烷聯結劑、矽油等。以這些處理劑所處理過之外添劑 的疏水化率,經由過去的甲醇法而成爲6 〇 %以上較爲理 想。若爲比6 0 %還低則在於高溫高濕化,由於水分的吸 著而造成帶電性及流動性降下所以不理想。外添劑的粒徑 ’從運送性、帶電性的觀點上爲〇 · 〇 〇 1〜1 // m較爲 理想。外添劑添加量若對粉母粒子爲〇 · 1〜5 w t %則 較爲理想。比上述更多的量則增加外添劑與碳粉成爲非同 步的槪率;發生外添劑彼此間的二次凝聚,而導致帶電性 降低、運送路徑的增加。 另外,外添劑並不侷限於1種,也能使用混合2種以 上的外添劑。然後經由混合機、高速流動混合機或機械化 學法等的混合機使前述的母粒子與外添劑乾式混合後相互 附著,因而形成上述各項發明的碳粉。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的第4項其特徵爲:具備形成靜電潛在像之感 光體,將感應體上的靜電潛在像顯像之顯像手段,及轉印 感光體上的畫像之轉印手毁,及將所轉印的碳粉像定像之 定像手段等;前述碳粉爲上述各項發明的碳粉。然而,適 用上述各項發明的碳粉之畫像形成裝置,並不侷限於具有 中間轉印體之畫像形成裝置,即使是將感應體上的碳粉像 直接轉印到用紙上後加以定像之畫像形成裝置等亦可。 -18- 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(21〇χ297公釐)

Claims (1)

  1. 583520 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 1 1 一*種碳粉’其特徵爲: 在於相對於碳粉母粒子等價粒徑其同步中阻抗外添劑 等價粒徑的同步分布曲線中,對於以相當於顯像滾筒表面 粗細或碳粉平均粒徑之碳粉母粒子等價粒徑的中阻抗外添 劑覆蓋率爲基準値,從該値所得到的中阻抗外添劑覆蓋率 爲一定之假想基準線,比相當於前述顯像滾筒表面粗細或 碳粉平均粒徑之碳粉母粒子等價粒徑還小的母粒子等價粒 徑領域的中阻力外添劑覆蓋率成爲前述基準線以上。 2 ·如申請專利範圍第j項之碳粉,其中前述基準値 爲 8 0 〜1 2 0 % 〇 3 . —'種碳粉’其特徵爲: 在於相對於碳粉母粒子等價粒徑其同步中阻抗外添劑 等價粒.徑的同步分布曲線中,對於將相當於顯像滾筒表面 粗細之碳粉母粒子等價粒徑設爲d 1 ,將相當於碳粉平均 粒徑之碳粉母粒子等價粒徑設爲d 2 ( d 1 < d 2 ),以 d 1〜d 2間的碳粉母粒子等價粒徑之中阻抗外添劑覆蓋 率爲基準値,從該値所得到的中阻抗外添劑覆蓋率爲一定 之假想基準線,碳粉母粒子等價粒徑爲低於d 1以下的領 域及高於d 2以上的領域之中阻抗外添劑覆蓋率成爲前述 基準線以上。 4 ·如申請專利範圍第3項之碳粉,其中前述基準値 爲 8 0 〜1 2 0 %。 5 · —·種碳粉,其特徵爲: 在於相對於碳粉母粒子等價粒徑其同步中阻抗外添齊IJ 本^張尺度適用中國國家標準(€灿)八4規格(210父297公釐) ——一 -19- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 583520 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 2 等價粒徑的同步分布曲線中,對於以相當於顯像滾筒表面 粗細或碳粉平均粒徑之碳粉母粒子等價粒徑的中阻抗外添 劑覆蓋率爲基準値,從該値所得到的中阻抗外添劑覆蓋率 爲一定之假想基準線,比相當於前述顯像滾筒表面粗細或 碳粉平均粒徑之碳粉母粒子等價粒徑還大的母粒子等價粒 徑之中阻抗外添劑覆蓋率爲前述基準線以上。 6 ·如申請專利範圍第5項之碳粉,其中前述基準値 爲 8 0 〜1 2 0 %。 7 · —種畫像形成裝置,其特徵爲: 具備形成靜電潛在像之感光體,及將感應體上的靜電 潛在像顯像之顯像手段,及轉印感光體上的畫像之轉印手 段,及將所轉印的碳粉像定像之定像手段等;前述碳粉爲 申請專利範圍第1,2,3,4,5或6項之碳粉。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -20 -
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