TW583175B - Novel ester compounds having alicyclic structure and method for preparing same - Google Patents

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Koji Hasegawa
Takeru Watanabe
Takeshi Kinsho
Mutsuo Nakashima
Seiichiro Tachibana
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Shinetsu Chemical Co
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Description

583175 A7 B7 五、發明説明(1 ) 本發明係有關作爲適用於微細加工技術之化學增幅型 光阻材料基劑樹脂用單體有用之新穎酯化合物及其製造方 法。 近來,伴隨L S I之高積成化與高速度化,力求模型 規格微細化中被視爲可期待作爲下世代微細加工技術之遠 紫外線光蝕刻術。其中又以K r F激元雷射、六1*?激元 雷射光作爲光源之光鈾刻術被熱切期待作爲實現0 · 3 μ m以下超微細加工不可欠缺之技術者。 針對以激元雷射光,特別是波長1 9 3 n m之A r F 激元雷射作爲光源之光蝕刻術所使用之光阻材料,當然可 確保於該波長之高透明性,可對應薄膜化之高耐蝕刻性、 高價光學系材料爲無負擔之高感度,更被期待可正確形成 微細模型之高顯像性能者。爲滿足此等要求極力開發一種 高透明性、高剛硬性、且爲高反應性之基劑樹脂者,惟, 目前公知之高分子化合物中並未具備所有特性,仍處於實 用性不足之光阻材料者。 作爲高透明性樹脂者,公知者有以丙烯酸或甲基丙烯 酸衍生物之共聚物,原於原菠烯衍生物之脂肪族環狀化合 物含於主鏈之高分子化合物等,惟,此等均無法滿足所需 。如:丙烯酸或甲基丙烯酸衍生物之共聚物由於可自由導 入高反應性單體,增加酸不安定單位之量,因此較易提高 反應性,惟,欲提高主鏈結構之剛硬性卻極爲不易。另外 ,針對含脂族環狀化合物於主鏈之高分子化合物其剛硬性 雖爲容許範圍內,惟,比主鏈結構上聚(甲基)丙烯酸酯 -----;---r — 批衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -4 - 583175 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(2 ) 對酸之反應性更爲遲鈍,且,聚合之自由度亦低,因此不 易提高反應性。更且’由於主鏈疏水性高,塗佈於基板時 亦有密合性不良之缺點。因此,以此等高分子化合物作爲 基劑樹脂調製光阻材料時,即使感度與顯像性足夠,其耐 蝕刻性亦不足,或即使其可容許耐蝕刻性、低感度、低顯 像性之不實用性之不理想結果者。 本發明係提供一種鑑於上述問題於以3 0 0 n m以下 之波長’特別是以A r F激元雷射光作爲光源之光蝕刻術 中’製造具有反應性與基板之良好親和性的光阻材料用單 體之有用的新穎酯化合物及其製造方法爲目的者。 本發明者爲完成該目的而進行精密硏討之結果發現, 藉由後述方法,可簡便取得高產率之下記一般式(1 )所 示之酯化合物,更以利用此酯化合物所取得之樹脂作爲基 劑樹脂使用之光阻材料具有良好之感度、顯像性及基板密 合性。 亦即,本發明係提供一種下記之酯化合物者。 (I )下記一般式(1 )所示之酯化合物 rV=X.
(式中,R1代表氫原子、或碳數i〜6之直鏈狀、分 枝或環狀之烷基。R2代表碳數1〜1 5之醯基或烷氧基羰 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -5 · I. ! -- 1J· I HI - - - ----- m I ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --訂----- 583175 Α? Β7 五、發明説明(3 ) —---:---*--裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 基,構成碳原子上之部份或全部氫原子被鹵原子取代亦可 。R3代表酸不安定基。k爲0或1、m爲滿足 之整數。) (I I )該一般式(I )所示之酯化合物以下記一般 式(2 )或(3 )所示者爲特徵之(I )所載之酯化合物
訂 (式中,m、R2與上述相同者。R4代表氫原子或甲 基。R 5〜R8分別爲獨立之碳數1〜1 5之直鏈狀、分枝 或環狀之烷基、其中R5、R6及R7之碳數和爲4以上者 ° 2代表碳數4〜1 5之2價烴基,可與兩端結合之碳原 子同時形成環。) 又,本發明係提供下記之製造方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (I I I )下記一般式(4 )所示之羰基化合物中, 使下記一般式(6 )所示之Θ —羥基酯化合物後,以此冷 一羥基酯化合物之羥基爲醯化或烷氧基羰化爲特徵之(I )或(I I )所載之酯化合物製造方法 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -Θ Μ _________Β7
583175 五、發明説明(4 ) (式中,k、m、R1、R3與上述相同者。μ代表 Li 、Na、k、MgY或Zny者。Υ代表鹵原子 /=\
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝- 訂 (式中,k、m、R1、R3與上述內容相同) 以下,針對本發明進行更詳細說明。 本發明酯化合物係下記一般式(1 )所示者。 ©
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中,R1代表氫原子、或碳數1〜6之直鏈狀、分枝 或環狀之烷基,作爲烷基之例者如:甲基、乙基、正-丙 基、異丙基、正一 丁基、異丁基、次—丁基、第3 -丁基 、第3—戊基、正一戊基、正—己基、環戊基、環己基、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583175 A7 B7 五、發明説明(5 ) 等例。R 2代表碳數1〜1 5之醯基或烷氧基羰基者,部份 或全部構成碳原子上之氫原子亦可被鹵原子取代。具體例 如:甲醯基,乙醯基,乙基羰基,三甲基乙醯,甲氧基鑛 基,乙氧基羰基,第3 — 丁氧基羰基,三氟乙醯基,三氯 乙醯基,2,2,2 —三氟乙基羰基等例。R3代表酸不安 定基。k爲0或1者。m爲滿足0‘mS5之整數。更理 想者爲0 S m S 3者。 R 3之酸不安定基之例,特別以下式所代表者爲佳。
作爲該一般式(1 )所示之酯化合物之例,特別以下 記一般式(2 )或(3 )所示之酯化合物者宜。
其中,m、R2與上述相同者。R4代表氫原子或甲基 。R5〜R8分別爲獨立之碳數1〜1 5之直鏈狀、分枝或 環狀之烷基者,其中,R5、R6及R7之碳數和爲4以上 者。碳數1〜1 5之直鏈狀、分枝或環狀之烷基具體例如 :甲基、乙基、正—丙基、異丙基、正一丁基、異丁基、 次一丁基、第3—丁基、第3-戊基、正一戊基、正—己 基、環戊基、環己基、環戊基甲基、環戊基乙基、環己基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -8 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
583175 A7 ____B7_ 五、發明説明(6 ) 甲基、環己基乙基、雙環〔2 · 2 · 1〕庚基、雙環〔2 • 2 · 2〕辛基、雙環〔3 · 3 · 1〕壬基、雙環〔4· 4 · 0〕癸基、三環〔5 · 2 . 1 · 02·6〕癸基、四環 〔4 · 4 · 0 · 1 7 · 1 Q〕十二基、金剛基等示例。Z代表 碳數4〜15之亞烷基、、伸烯基等2價烯基、兩端結合 之碳原子同時形成環,作爲形成環之具體例如:環戊烷、 環戊烯、環己烷、環己烯、雙環〔2·2·1〕庚烷、雙 環〔4 · 4 · 0〕癸烷、三環〔 5 · 2 · 1 · 〇 2 · 6〕癸烷、四環〔 4 · 4 · 0 · 1 2 · 5 · 1 7 · 1 °〕十二烷、金剛烷等示例。 作爲該一般式(1)及該一般式(2)或(3)所示 之酯化合物具體例如下記所示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -9 - 583175 A7 B7 五、發明説明(7 )
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明式(1 )之酯化合物係做爲如下記反應式所示 之第1步驟者,於式(7 )所示之對應醋酸酯(X爲氫原 子時)或鹵醋酸酯(X爲鹵原子時)使鹽基進行作用後, 調製式(5 )之烯醇金屬,將取得之烯醇金屬於式(4 ) 之羰基化合物中藉由求核附加反應後,取得式(6 )所示 之/3 -羥基酯化合物後,做爲第2步驟者使此式(6 )之 /5 —羥基酯化合物之氫氧基藉由醯化或烷氧基羰化(酯化 )後可取得。 第一步驟 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -1〇 - 583175 A7 B7 五、發明説明(8 互 (4) 鹼基 R1
MO OR3 (7)
〇RJ (5)
(6) 弟—步驟
⑹ 酯化
⑴ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1、R 1、R 2, 代表 Li 、Na、k、MgY 或 爲氫原子、或鹵原子。 此時,第1步驟係使鹽基作 原子時)或鹵醋酸酯(X爲鹵原 金屬,針對此烯醇之羰基化合物 得/3 -羥基酯化合物之階段。作 例如:鈉醯胺、鉀醯胺、鋰二異 鋰二環己醯胺、鉀二環己醯胺、 基脈啶、鋰雙三甲基烯丙基醯胺 、鉀雙三甲基烯丙基醯胺、鋰異 R 3爲與 Ζ η Y者 用於對應 子時)後 藉由求核 爲所使用 丙醯胺、 鋰2,2 、鈉雙三 丙基環己 上述相同者。Μ 。Υ代表鹵原子 醋酸酯(X爲氫 ,進行調製烯醇 附加反應後,取 之鹽基者,具體 鉀二異丙醯胺、 ,6 ,6 —四甲 甲基烯丙基醯胺 醯胺、溴化鎂二 丨 ;---Γ —----Γ7--1T------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) -11 - 583175 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(9 ) 異丙基醯胺等金屬醯胺、鈉甲氧基、鈉乙氧基、鋰甲氧基 、鋰乙氧基、鋰第3 — 丁氧基、鉀第3 - 丁氧基等烷氧基 、氫氧化鈉、氫氧化鋰、氫氧化鉀、氫氧化鋇、氫氧化四 -正- 丁銨等無機氫氧化物、碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鋰 、碳酸鉀等無機碳酸鹽、硼、烷基硼、氫化鈉、氫化鋰、 氫化鉀、氫化鈣等金屬氫化物、三苯甲基鋰、三苯甲基鈉 、三苯甲基鉀、甲基鋰、苯基鋰、次一 丁基鋰、第3 一丁 鋰、乙基鎂溴化物等之烷基金屬化合物、鋰、鈉、鉀、鎂 、鋅等金屬(使用鹵醋酸酯及鋅之反應其公知者係作爲所 謂Reformatsky反應者。)之示例,而,並非僅限於此。 又,該式(4 )之羰基化合物與式(5 )之金屬烯醇 鹽相互之附加反應以當前者爲1莫耳時,後者爲〇 . 8〜 1 · 5莫耳之比例使用者宜。作爲溶媒之例者如:四氫呋 喃' 二乙醚、二一正一 丁醚、1 ,4 —二氧陸圜、乙二醇 二甲醚、亞甲基二醇二乙醚等醚類、己烷、庚烷、苯、甲 苯、二甲苯、枯烯、等烴基類者宜,此等溶媒可單獨使用 或混合使用均可。反應溫度、時間依使用之啓始原料而異 ,一般如:作爲原料使用醋酸酯{式(7 )中,X爲氫原 子時}及鋰二異丙醯胺、鋰雙三甲基烯丙基醯胺等強鹽基 時,由於金屬烯醇鹽對熱不安定,因此,使反應溫度保持 於一 8 0〜3 〇 C之低溫’反應時間以〇 · 5〜3小時者 宜。另外,使用鹵醋酸酯{式(7)中,X爲鹵原子時} 及鋅、鎂等金屬時·,一般使反應溫度維持於2 0〜8 0 °C ,反應時間以1〜2 0小時者宜,惟,並非僅限於此。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝- 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12 - 583175 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ________B7五、發明説明(1〇 ) 第2步驟係於前階段所產生之酒精性羥基之酯化者。 該反應以公告之條件雖易於進行,惟,依序或同時加入無 溶媒或氯化亞甲基,甲苯,己烷等溶媒中,/3 -羥基酯化 合物,無水醋酸,無水二氟醋酸等對應之酸無水物,三乙 胺,吡啶,4 一二甲基胺基吡啶等鹽基爲較佳,必要時進 行冷卻或加熱者宜。 以本發明酯化合物作爲單體使用,製造其聚合物時, 通常混合該單體類與溶媒後,添加觸媒或聚合啓始劑後, 依不同情況,加熱或冷卻之同時進行聚合反應。此時聚合 可依常法進行之。 藉由該聚合取得聚合物作爲基劑聚合物之光阻材料通 常於此加入有機溶劑與酸產生劑後進行調製之方法。更於 必要時,可添加交聯劑、鹽基性化合物、溶解阻礙劑等。 此等光阻材料之調製可依其常法進行之。 〔發明效果〕 使用藉由聚合本發明酯化合物所取得之聚合物所調製 之光阻材料係於高能量線感應後,與基板密合性、感度、 顯像性、耐蝕刻性均良好,藉由電子線、遠紫外線對於微 細加工極爲有用。特別是於A I· F激元雷射、A r F激元 雷射之曝光波長吸收小,易於形成微細,且對於基板呈垂 直之模型,極適合作爲超L S I製造用之微細模型形成材 料爲理想者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -13 - 583175 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(11 ) 〔實施例〕 以下,以合成例、實施例及參考例進行本發明具體說 明,惟,本發明並非僅限於下記例示者。 〔合成例〕 依以下所示處方進行合成本發明酯化合物。 〔合成例1〕 3 -乙醯氧基一 3 —(5 —原疲烯一 2 —基)丙酸1 一乙基環戊基(單體1 )之合成 首先,氮氣分下,lkg無水四氫咲喃中,一 6 〇°C 下,使1 8 4g鋰雙(三甲基烯丙基)醯胺與1 7 2 g之 醋酸1 -乙基環戊基進行反應後調製鋰烯醇鹽。再緩慢添 加1 2 2 g之5 —原菠烯一2 —卡巴醛,隨後以1個小時 昇溫至一 2 0 °C後,進行反應。再添加1 k g之飽和氯化 銨水溶液後,停止反應後以己烷萃取之。水洗有機層後, 以無水硫酸鈉進行脫水,過濾後,進行減壓濃縮,取得中 間體之醇。將取得之醇於1 2 7 g吡啶中,6 g之4 —二 甲基胺基吡啶之存在下,於2 5 °C下與1 2 3 g無水醋酸 進行反應1 0小時。加入3 0 g水後,停止反應竹,進行 己烷萃取。水洗有機層後,以無水硫酸鈉進行脫水’過濾 ,減壓濃縮後,藉由矽膠柱體層析法進行精製後’取得 29 5g之3 —乙醯氧基一 3 —(5 -原菠烯一 2 -基) 丙烯1 一乙基環戊酯(產率9 2%)。 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) :―14 - — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
r· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583175 A7 B7 五、發明説明(12 ) IR(薄膜):^=3059,2968,2872 ,1740,1371,1340,1238,1157 ,1026,953cm-1 主要非對映異構物之iH — NMR (270MHz ,i η C D C 13) : 5 = 0.58 (lH,ddd,J = 11.7,4.9,2.4Hz) ,0.82(3H,t ,卜 5.4Hz),1.10 — 2·15{2·04( 3H, s)所含之(16H,m)} ,2·36 (1H, dd,J = 15.1,7.3Hz) ,2.52(1H, dd,J = 15.1,3.8 Hz),2.61(1H, m),2.75 — 2.85 (2H,m),4.60( lH,ddd,J = 10.7,7.3,3.8Hz), 5.94(lH,m),6.18(lH,m)。 〔合成例2〕 3 —乙醯氧基一 3 —(4 —原菠烯一 2 —基)丙酸2 一甲基一 2 —丁酯(單體2)之合成 以醋酸2 —乙基—2 - 丁酯取代醋酸1 -乙基環戊酯 使用之外,與合成例1同法取得3 —乙醯氧基一 3 — (5 一原菠烯一 2 —基)丙酸2 —甲基_2 —丁酯(產率9 3 % )。 〔合成例3〕 3 —乙醯氧基一 3 —(5 —原菠烯—2 -基)丙酸2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -15 - •裝----Ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
--訂----- 583175 A7 _____B7 五、發明説明(13 ) 一乙基一 2 —掛一原菠酯(單體3 )之合成 以醋酸2 —乙基一 2 -掛一原菠酯取代醋酸1 一乙基 環戊酯使用之外’與合成例1同法取得3 一乙醯氧基一 3 一(5—原菠烯—2 —基)丙酸2 —乙基一 2 —掛-原菠 酯(產率9 1 % )。 IR (薄膜):^ = 30 5 7,2966,2872 ’ 1740,1371,1 3 32,1288,12 3 8 ’1174,1159,113 2,1〇26,951 cm'1 主要非對映異構物之iH — NMR (270MHz ,i η C D C L 3 ) : 5 = 〇 · 58 (1H,ddd,J = 11·2,4·9,2·4Ηζ),〇.79(3H,t ,J=7.3Hz) ,0.95-2.00( 12H,m ),2.04(3H,s),2·10-2·70(6Η ,m) ,2·75 — 2.85(2H,m) ,4.60( lH,m),5.94(lH,m),6.16(lH, m ) 〇 〔合成例4〕 3 —乙醯氧基一 3 -(5 —原菠烯一 2 -基)丙酸1 一環己環戊酯.(單體4 )之合成 以酯酸1 一環己環戊酯取代醋酸1 -乙基環戊酯使用 之外,與合成例1同法取得3 —乙醯氧基一 3 —(5 —原 菠烯一 2 -基)丙酸1 一環己環戊酯(產率90%)。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -16 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583175 A7 B7 五、發明説明(14 ) IR(薄膜):^=3057,2933,2854 ,1741,1 4 4 8,1371,1338,1238 ,1155,1147,1024cm-1 主要非對映異構物之iH — NMR (300MHz ,i η C D C 1 3 ) :5 = 〇.58(lH,ddd,J = 11.6,4.7,2.5Hz) ,0.90 — 2.00 (21H,m) ,2.04(3H,s) ,2.25 — 2.7〇{2.36(lH,dd,J = 15.1, 7 . 4 H z ) ,2.5 1(lH,dd,J = 15.1, 3.6Hz),所含之(411,111)},2.75 — 2.85(2H,m),4.61(lH,m), 5.95(lH,m),6.18(lH,m)。 〔合成例5〕 3 —乙醯氧基—4 — (5 -原菠烯—2 —基)酪酸2 一乙基—2 —掛一原菠酯(單體5)之合成 以醋酸2 — (5 —原菠烯—2 —基)乙醛取代5 —原 菠烯- 2 —卡巴醛使用之外,與合成例1同法取得3 —乙 醯氧基一 4 一(5 —原菠烯—2 —基)酪酸2_乙基一 2 —掛一原菠酯(產率90%)。 I R (薄膜):u = 3057,2966,2872 ,1741,1 458,1441,1373,1240 ,1192,1171,1132,1025cm-1 主要非對映異構物之iH — NMR ( 3 00HMz ,i η 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -17 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583175 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 • Μ Β7五、發明説明(15 ) C D C 1 3 ) :5 = 0.56 (lH,m) ,0.79( 3H,t,J=7.3Hz),l.〇〇 — 2·1〇{ 2.02(3H,s)所含之(18H,m)}, 2.10 — 2.30(2H,m) ,2.40 — 2.60 (3H,m) ,2.70 — 2.85 (2H,m), 5.20(lH,m) ,5.92(lH,m), 6 · 1 1 ( 1 H,m )。 〔合成例Θ〕 3 —(5 —原菠烯一 2 —基)一3 —三氟乙醯氧丙酸 2 —乙基一 2 —掛—原菠酯(單體6 )之合成 以三氟醋酸無水物取代無水醋酸使用之外,與合成例 1同法取得3— (5 —原疲嫌—2 —基)一3 —二氟乙醯 氧丙酸2 —乙基一 2 —掛—原菠酯(產率8 5%)。 IR (薄膜):^ = 3061 ,2970,2875 ,1796,1730,1383,1358,1265 ,1221,1167cm-1 主要非對映異構物之iH-NMR(300MHz , in C D C 1 3 ) :5 = 0.60(lH,m) ,0.77( 3H,t,J = 6.8Hz) ,0.95 — 2.0 0( 12H,m) ,2.10 — 2.25(2 H,m), 2.30 — 2 .90(6H,m) ,4.87(lH,m ),5.9 6(lH,m) ,6.23(lH,m)。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝- 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -18 - 583175 A7 Β7 五、發明説明(16 ) 〔合成例7〕 3 —乙醯基—3 — (5 —原菠烯一 2 一基)酪酸丄― 乙基環戊酯(單體7 )之合成 以5 —乙醯基一 2 -原菠烯取代5 —原菠烯一 2 —卡 巴醒使用之外’與合成例1同法取得3一乙醯氧基一3— (5 —原菠烯一 2 -基)酪酸1〜乙基環戊酯(產率8〇 % )。 〔合成例8〕 3 —乙醯氧基一 3 —甲基一 4 一(5_原 菠烯一 2 —基)酪酸1 一乙基環己酯(單體8)之合成 以醋酸1 -乙基環己酯取代醋酸1 一乙基環戊酯使用 ,以3 —( 5 —原菠烯一 2 —基)丙酮取代5 一原菠烯一 2 -卡巴醛使用之外,與合成例1同法取得3 一乙醯氧基 一 3 —甲基一 4 一(5 —原菠烯—2 —基)酪酸i 一乙基 環己酯(產率8 1%)。 〔口成例9〕 3 -乙釀氧基一 5 —( 5〜原疲嫌—2 — 基)吉草酸8 —乙基一 8 -掛一三環〔5 · 2 · 1 · 〇2·6〕癸酯(單體9)之合成 以醋酸8 —乙基—8 -掛一三環〔5 · 2 · 1 · 〇2. 6〕癸酯取代醋酸1 一乙基環戊酯,以3 一(5 一原 菠烯—2 —基)丙醛取代5 -原菠烯一 2〜卡巴醛使用之 外’與合成例1同法取得3 —乙醯氧基—5 —( 5 —原菠 烯—2 —基)吉草酸8 -乙基一 8 -掛〜Η環〔5 · 2 · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -19 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583175 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ _B7_五、發明説明(17 ) 1.02·6〕癸酯(產率 89%)。 〔合成例1 0〕 3 —乙醯氧基_5 -(5 —原菠烯 一基)吉草酸2 -乙基—2 -金剛酯(單體1 0)之合)¾ 以醋酸2 —乙基一 2 —金剛酯取代醋酸8 —乙基〜8 —掛一三環〔5 · 2 . 1 · 02·6〕癸酯使用之外,與合 成例9同法取得3 —乙醯氧基一5 -(5 —原菠烯— 基)吉草酸2 —乙基一 2 —金剛酯(產率9 1%)。 〔合成例1 1〕 3_乙醯氧基一3 —甲基一5—(5\ 原菠烯一 2 —基)吉草酸2 -乙基—2 —掛一原菠酯(窜 體1 1 )之合成 以4— ( 5 —原菠烯一 2 —基)丁酮取代5 —原滚_ 一 2 —卡巴醛使用之外,與合成例3同法取得3 —乙酿_ 基一 3 —甲基一 5_ (5 —原菠條一 2 —基)吉草酸 乙基一2 —掛一原菠酯(產率8 1%)。 〔合成例12〕 3 —乙醯氧基—6 -(5 -原菠烯〜2 一基)己酸2 — ( 1—金剛基)_2-丙酯(單體1 2) 之合成 以醋酸-( 1 一金剛基)一 2 -丙酯取代醋酸丄% 乙基環戊酯,以4 一(5 -原菠烯—2 -基)丁醛取代5 一原菠烯一 2 -卡巴醛,使用之外,與合成例1同法取得 3 —乙醯氧基一6 —(5 -原菠嫌—2 -基)己酸—2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ297公釐) -20 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁j
*訂 .4Ρ 583175 A7 ___ B7 五、發明説明(18 ) (1 一金剛基)一 2 —丙酯(產率90%)。 〔合成例1 3〕 3 —乙醯氧基一 6 —(5 —原菠烯一 2 一基)己酸2 —(2 —原疲基)一 2 —丙醋(單體1 3) 之合成 以醋酸2 —( 2 —原疲基)一 2 —丙醋取代醋酸1 一 乙基環戊醋使用之外,與合成例1 2同法取得3 -乙醯氧 基一6 - 5 -原菠烯一.2 -基)己酸2 — (2 -原疲基) —2 -丙酯(產率9 1%)。 〔合成例14〕 3 —乙醯氧基一 3—甲基—6一(5 一 原疲嫌一 2 —基)己酸3 —乙基一 3 —戊醋(單體1 4) 之合成 以醋酸3 —乙基一 3 —戊醋取代醋酸1 一乙基環戊醋 ,以5 -(5 —原菠烯—2 —基)一 2 —戊酮取代5 一原 菠烯一 2 -卡巴醛使用之外,與合成例1同法取得3 —乙 釀氧基一 3 —甲基一 6 -(5 —原疲嫌一 2 -基)己酸3 一乙基一 3 -戊酯(產率83%)。 〔合成例15〕 3 —乙醯氧基一 3 — (8 —四環[4 . 4 · 0 · I2·5,丄7.1〇〕十二嫌_3 一基)两酸1 一乙 基環戊酯(單體15)之合成 以 8 —四環〔4 · 4 · 0 · I2.5· I7.1。〕十二燒 一 3 -取代5 -原菠烯一 2 —卡巴醛使用之外,與合成例 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -21 : '- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583175 A7 B7 五、發明説明(19 ) ,1同法取得3 —乙醯氧基—3 — (8 —四環〔4 · 4 . 0 .I2·5· 17_1Q〕十二烯一3 —基)丙酸1—乙基環戊 酯(產率9 2 % )。 〔合成例16〕 3 —第3 — 丁氧基羰基氧—3 —(5 — 原菠烯一 2 -基)丙酸1 一乙基環戊酯(單體1 6 )之合 成 以焦羧酸二-第3 - 丁酯取代無水醋酸使用之外,與 合成例1同法取得3 —第3_丁氧基羰基氧—3 — (5 -原菠烯—2 —基)丙酸1—乙基環戊酯(產率85%)。 (monomer 1) (monomer 2) (monomer 3) (monomer 4) (monomer 5) (monomer 6) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝·
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (monomer 7) (monomer 8) (monomer 9) (monomer 10) (monomer 11) (monomer 12)
LP. 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -22 - 583175 A7 B7 五、發明説明(2〇 ) 〔參考例〕 合成使用該合成例取得酯化合物後之高分子化合牧^戔 ,做成基劑樹脂,配合於光阻材料時檢測其反應性。 將單體1與無水馬來酸同於和光製藥V 6 5之啓#齊(1 後進行聚合後,取得〔3 -乙醯氧基一 3 — ( 5 -原疲嫌 一 2 —基)丙酸1 一乙基環戊基〕一〔無水馬來酸〕交互 共聚物。利用此高分子化合物之波長1 9 3 m m中測定透 光率後,得知形成厚度500nm之光阻膜者爲78 . 0 % 〇 〔比較參考例〕 爲了比較,利用〔5 —原菠烯一 2羧酸第3 — 丁酯〕 一〔無水馬來酸〕交互共聚物之波長1 9 3 n m中測定透 光率後,膜厚500nm者爲55·0%。 由以上結果確定以本發明酯化合物作爲原料之高分子 化合物比先行技術品更具有極高之透明性者。 丨 j ^ Ί ·IT (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -23 ·

Claims (1)

  1. 583175 (4) A8 B8 C8 D8 「、申請專利範圍 同時形成環)。 3 · —種如申請專利範圍第1項或第2項之酯化合物 製造方法,其特徵係於下記一般式(4 )所示之羰基化合 物中’以0 · 8〜1 · 5倍之比例使下記一般式(5 )所 示之醋酸酯烯醇金屬於反應溫度一 8 0〜8 0 °C、反應時 間0 · 5〜2 0小時之條件下進行求核附加反應以製得下 記一般式(6 )所示之-羥基酯化合物後,使該Θ -徑 S酯化合物之羥基進行醯化或烷氧基羰化者, /=\ MO OR3 (請先閲,背面之注意事項再填寫本頁) L R1 (式中,k 、N a 、 k m、R 1、R 3爲與上述相同者,Μ代表 MgY或ΖηΥ者、Υ代表鹵原子).
    (6) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (式中,k R R3爲與上述相同者) 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4软^ ( 210乂29<7公釐) ^請日期一 案 號 第90110152號專利申請案 中文說明書修正本(含申請專利範圍) 民國92年9月12日修正 R 9011015¾ 類 別 (以上各棚由本局填註) / A4 C4 583175 集鋈專利説明書 中 文 具有脂璟結構之新穎酯化合物及其製造方法 發明 新型 名稱 英文 Novel Ester Compounds Having Alicycllc structure and Method for Preparing Same 姓 名 國 籍 ⑴長谷川幸士 (2) 渡邊武 (3) 金生剛 (1)日本國新潟縣中頸城郡頸城村大字西福島二八番地一 裝 發明 創作v 住、居所 (2)日本國新潟縣中頸城郡頸城村大字西福島二八番地一 ⑶日本國新潟縣中頸城郡頸城村大字西福島二八番地一 訂 姓 名 (名稱) (1)信越化學工業股份有限公司 信越化学工業株式会社 經濟部智惡財是局員工消費合作社印製 國 籍 三、申請人 住、居所 (事務所) 代表人 姓 名 ⑴日本 ⑴日本國東京都千代田區大手町二丁目六番一號 ⑴金川千尋 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X297公董) 583175 — —----------公告本1 A8 B8 C8 D8 條正 六 、申請專利範圍 示者’ 補充 • 一種酯化合物,其特徵係如下記一般式(1 )所
    (1) (該式中,R1代表氫原子、或碳數1〜6之直鏈狀、 分枝、或環狀之烷基,R 2代表碳數1〜1 5之醯基或烷氧 基羰基,構成碳原子上之部份或全部氫原子被鹵原子取代 亦可。R3代表酸不安定基、k爲〇或1者、m爲滿足 m $ 5之整數者)。 2 ·如申請專利範圍第1項之酯化合物,其中該化合 物如下記一般式(2 )或(3 )所示, ,) (2) •—r-- m (請先閲囀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R4-
    (3) (式中,m、R2爲與上記相同者,R4爲氫原子或甲 基、R 5〜R 8分別爲獨立之碳數1〜1 5之直鏈狀、分枝 、或環狀烷基,其中R5、R 6及R7之碳數和爲4以上者 ’ Z爲碳數4〜1 5之2價烴基,可與兩端結合之碳原子 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4iUM 210X297公釐)
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US6492090B2 (en) * 2000-04-28 2002-12-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6660448B2 (en) * 2000-11-10 2003-12-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
US7488565B2 (en) * 2003-10-01 2009-02-10 Chevron U.S.A. Inc. Photoresist compositions comprising diamondoid derivatives
ES2454974T3 (es) 2007-06-27 2014-04-14 The General Hospital Corporation Aparato para la inhibición óptica de la terapia fotodinámica
KR20130076364A (ko) * 2011-12-28 2013-07-08 금호석유화학 주식회사 레지스트용 첨가제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR101761897B1 (ko) 2011-12-28 2017-07-27 금호석유화학 주식회사 레지스트용 첨가제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
EP3640234A1 (en) * 2018-10-16 2020-04-22 Basf Se Ethers and esters of 1-substituted cycloalkanols for use as aroma chemicals

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100195583B1 (ko) * 1997-04-08 1999-06-15 박찬구 양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
JP4416941B2 (ja) * 1997-09-12 2010-02-17 住友ベークライト株式会社 酸不安定性ペンダント基を有する多環式ポリマーからなるフォトレジスト組成物
KR100271419B1 (ko) * 1998-09-23 2001-03-02 박찬구 화학증폭형 레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 레지스트조성물
KR100271420B1 (ko) * 1998-09-23 2001-03-02 박찬구 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
KR100274119B1 (ko) * 1998-10-08 2001-03-02 박찬구 감방사선성 레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 레지스트조성물
KR100332463B1 (ko) * 1999-12-20 2002-04-13 박찬구 노보난계 저분자 화합물 첨가제를 포함하는 화학증폭형레지스트 조성물
US6492090B2 (en) * 2000-04-28 2002-12-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
TWI284782B (en) * 2000-04-28 2007-08-01 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions and patterning process

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