TW578123B - Pixel having transparent structure and reflective structure - Google Patents

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Description

578123 五、發明說明（l) 發明所屬之技術 .本發明是有關於一種薄膜電晶體液晶顯示器（Th i η
Film Transistor Liquid Crystal Display ， TFT-LCD)之 畫素結構’且特別是有關於一種半穿透半反射式畫素結 構。 先前技術
薄膜電晶體液晶顯示器主要由薄膜電晶體陣列基板、 彩色f光陣列基板和液晶層所構成’其中薄膜電晶體陣列 基板是由多個以陣列排列畫素結構所組成，其包括多個薄 膜電晶體以及與每一薄膜電晶體對應配置之一晝素電極。 而上述之薄膜電晶體係包括閘極、通道層、汲極與源極， 薄膜，晶體係用來作為液晶顯示單元的開關元件。 第1圖所不’其繪示為習知一畫素結構之上視示意 圖’第2圖為第1圖由I — I’之剖面示意圖。
、凊同時參照第1圖與第2圖，習知晝素結構的製造方法 係首先在一基板1 〇〇上形成一閘極丨〇2以及一掃瞄配線 1 01 ’其中掃瞄配線1 〇 1係與閘極丨〇 2連接。之後，在基板 100上形成一閘介電層104，覆蓋住閘極1〇2以及掃瞄配線 101。接著，於閘極1〇2上方之閘介電層1〇4上形成一非晶 矽通道層106，並且在非晶矽通道層1〇6上形成一歐姆接觸 層108。之後，在歐姆接觸層1〇8上形成一源極/汲極 1 12a/l 12b，並且同時於閘介電層丨〇4上定義出與源極丨12a 連接之一資料配線1 Π，其中閘極丨〇 2、通道層丨〇 6與源極/ 汲極1 12a/112b係構成一薄膜電晶體13〇。繼之，於在基板
578123 五、發明說明（2) 100之上方形成一保護層114 ’覆蓋住薄膜電曰 且將保護層11 4圖案化，以在保護層i丨4中^ _ w m。之後，再於保護層114上形成一畫素電=開口 晝素電極118係藉由開口 116而與薄膜"J及桎中 11 2 b電性連接。 u U之/及極 另外，於此畫素結構中，在相鄰於此書 由作為一下電極)、對應形成二 上之一導電層124與畫素電極118(作為—上 Ξΐ在下電極與上電極之間之間介電層1〇4所構成，其中 導屯層124與畫素電極118之間係透過形成在保護層114中 之一開口126而電性連接。 曰 #配^ ΐ述之說明可知，習知畫素結構之薄膜電晶體130 且兑查在畫素結構的一角落，用以驅動整個晝素結構，而 ，、旦素儲存電容器1 2 0係配置在另一掃瞄配線丨〇丨a之上 =經口此，此種畫素結構的設計容易受到製程污染粒子的 $三=失效，也就是，倘若有污染粒子附著在晝素結構之 ^:=而造成短路等缺陷時，將可能導致整個畫素結構無 線1 〇吊運作。而且習知畫素儲存電容器12 0配置在掃目苗配 、、、1 a上的架構，由於掃瞄波形需多一階的設計，因此在 驅動電路的設計及製程上都會較為複雜。 夕9除此之外’習知於半穿透半反射式液晶顯示器中，大 夕疋利用數個反射式畫素結構與數個穿透式晝素結構搭配 的方式，或者是利用於基板上配置一半穿透膜的方式來達
10118t.wf.ptd 第6頁 578123 五、發明說明（3) 到半穿透半反射式的效果。然而現今仍未有習知技術揭露 過在單一畫素結構中同時存在有穿透式與反射式兩種形式 之、結構，來達到半穿透半反射式的效果。 月 因此，本發明的目的就是在提供一種半穿透半反射式 畫素結構，以解決習知畫素結構之配置方式所會產生之問 題。 本务明的另一目的是提供一種半穿透半反射式畫素結 構’以使穿透式與反射式兩種形式之結構能同時存在於一 晝素結構中。 閘介電層 反射晝素 TFT)。其 於基板上 介電層上 向不同。 資料配線 掃猫配線 以降低掃 反射晝素 極與透明 汲極薄膜 本發明提出一種半穿透半 構在一基板上，此半穿透半反 一資料配線、一保護層、一 反射式畫 射式畫素結構包括一掃描配 素結構，其適於穷
汲極薄膜 係配置在 配線。另 的延伸方 係配置於 電極係配 素電極中 晝素電極 暴露的閘 積可以相 於基板上 線 才虽 、,—
Drain 係配置 置於閘 延伸方 覆蓋住 且位於 口，藉 另外， 畫素電 者，雙 電極以 中，掃 並覆蓋 ，且資 此外， 。而透 上方之 目苗配線 電極係 晝素電 電晶體 及一雙 描配線 住掃描 料配線 保護層 明晝素 透明畫 與透明 配置在 極之面 係配置 電晶體 基板上 外，資 向係與 部分閘 置於保 更具有 之間之 介電層 等或不 ，且此 透明晝素電 (Double ，閘介電層 料配線係配 掃描配線的 介電層上並 護層上，而 複數個開 寄生電容。 上，且反射 相等。再 雙汲極薄膜
578123 五、發明說明（4) 電晶體係配置在畫素結構的中央，盆 、 :有-間極、一通道層、一源極以及二t極薄膜電晶體 ^配線電性連接，二汲極係分別盥透明蚩源極係與資 :素電極電性連接’通道層係配置在閘以及反射 ’源極與二汲極係配置在通 之閘介電層 線電性連接。 " 而閘極係與掃插配 在本發明 處更包括分別 素儲存電容器 上之一第一共 線上方 置在上 係與透 而彼此 基板上 共用線 電極以 由 兩種結 等半穿 由 構的中 畫素電 影響而 之一導 電極以 明畫素 電性連 之一第 上方之 及下電 於本發 構’因 透半反 於本發央，且 極，因 導致整 4 %卞久射式畫素結構 m第一晝素儲存電容器以: 用射Λ一晝素儲存電容器係由配置 麻”、、一下電極）、對應配置在第 電層”透明晝素電極（作為一上電極) :下電極之間之間介電層所構成，而 電極之間係透過配置於保護層中之一 接^外，第二晝素儲存電容器係由 一 /、線（作為一下電極）、對應配置 ，射二素電極（作為_上電極）以及配 極之間之閘介電層所構成。 ί素結構中同時具有穿透式與 ~ I〜構用於液晶系器中具 ==顯示器所擁有之：點。 兩邊緣 第二畫 在基板 一共用 以及配 導電層 接觸窗 配置在 在第二 置在上 反射式 有省電 畫素結 兩側之 微粒之
壤膜ΐ t結構之薄膜電晶體係配置在 曰曰體的兩個汲極係同時驅動其 ^|明之畫素結構較製程 個畫素結構無法正常運作Y
五、發明說明（5) f發明將薄膜電晶體配置在畫素 使i素電極上電場分佈較為均勾y =構中央的位置，可 於顯示有正面幫助。 "、、-勾因此此種配置方式對 由於本發明之書音纟士 知係配置在掃猫配線畫素館存電容器並非如習 *構為讓本本發::二二二較::知…構之 顯易懂，下文特：士的並特，、和優點能更明 細說明如下： 、 ，並配合所附圖式，作詳 素結r之為依照本發明—較佳實施例之畫 剖面示ϊί圖，第4圖所示’其係為第3圖中由ΙΗΓ之 板或是一透明塑膠基板 配線2 0 1以及一閘極2 〇 2 接。 之後’在基板2〇〇 係首：ί照第3圖與第4圖，本發明之畫素結構的梦造方法 '、先提供-基板20。’其中基板2。。例如是—透明玻璃基 接著’在基板2 0 〇上形成一掃瞄 其中掃瞄配線2 0 1係與閘極2 〇 2連 一 άυ υ上全面性的形成一閘介電層2 0 4，覆 庞:目田配線2 0 1以及閘極2 0 2。其中閘介電層2 〇 4之材質 例如氮化矽或是氧化矽等介電材質。 繼之’在閘極20 2上方之閘介電層204上形成一通道層 2〇6，其中通道層2〇6之材質例如是非晶矽。接著，在通^ 層206上形成一源極21 2a以及二汲極2 12b、212c，並且同 10118t.wf.ptd 第9頁 578123 發明說明（6) 時在閘介電層204上形成與源極2 1 2a電性連接之一資料配 線2 1 1以及一反射畫素電極2 2 1，其中反射畫素電極2 2 1係 與沒極2 12c電性連接。而上述所形成之閘極2〇2、通道層 2 06、源極2 12a以及二汲極2 12b、212c係構成一雙汲極薄 膜電晶體（Double Drain TFT)230，且雙汲極薄膜電晶體 230係配置在整個畫素結構的中央。 在本發明中，於通道層2 0 6以及源極2 1 2 a與二汲極 212b、212c之間更包括形成有一歐姆接觸層208，用以增 進兩者之間的電性接觸。
之後’在基板2 0 0上形成一保護層2 1 4，覆蓋住雙閘極 薄膜電晶體230與部分閘介電層204並暴露出反射畫素電極 2 2 1 ’其中保護層2 1 4之材質例如是氮化矽等絕緣材質。 之後’在保護層2 1 4中形成一開口 2 1 6，暴露出汲極 2 1 2 b。然後再於保護層2 1 4上形成一透明畫素電極2 1 8，其 中透明晝素電極2 1 8係藉由開口 2 1 6而分別與汲極2 1 2 b電性 連接。特別是，位於掃瞄配線2〇1上方之透明晝素電極21 8 中更包括定義有複數個開口 2丨9，藉以減少透明晝素電極 2 1 8與知目苗配線2 0 1之間所產生之寄生電容。
在本發明中’透明畫素電極218之面積與反射畫素電 極2 2 1可以相同或不相同，例如在第3圖中之設計係為透明 畫素電極218之面積與反射畫素電極之面積221相當。而在 第5圖中之設計方式係為透明晝素電極2 1 8之面積係大於反 射畫素電極221之面積。當然，本發明亦可以設計成透明 畫素電極218之面積小於反射畫素電極22ι之面積。因此，
578123 五、發明說明（7) 本發明之晝素結構可以依據實際所需而設計透明晝素電極 218與反射畫素電極221之面積比例以及其相對配置方=: 而並非僅限定如本實施例所描述之配置比盥二 除此之外’本發明之半穿透半反射式匕結 緣處更包括形成有二畫素儲存電容器22〇a、22〇b。其中^ 素儲存電容器220a係由一共用線22 2a(作為一下電極')、二 應形成於共用線222a上方之一導電層224與透明晝素電極 2 1 8 (作為一上電極）以及位於上電極與下電極之間之/八 電層204所構成。其中，共用線2223係為於形成掃瞄配^線1 2〇1與閘極20 2時所同時定義出的。而導電層224係為於形 ，源極212a、汲極212b、212c以及資料配線21 1時所同時 定義出的。而且透明晝素電極218與導電層224之間係透過 形成在保護層214中之一開口 226而彼此電性連接（具有相 同的電位）。 〃 另外’畫素儲存電容器22 Ob係由另一共用線2 2 2b (作 為一下電極）、對應形成於共用線2 2 2b上方之反射畫素電 極221 (作為一上電極）以及位於上電極與下電極之間之閘 f層204所構成。其中’共用線222b與共用線222a —樣 都是在形成掃瞄配線201與閘極20 2時所同時定義出的。 因此’本發明之半穿透半反射式晝素結構包括一掃描 配線201、一閘介電層204、一資料配線21 1、一保護層 214 \一透明晝素電極218、一反射畫素電極221以及一雙 及極薄膜電晶體（Double Drain TFT) 23 0。 其中’掃描配線201係配置在基板200上，閘介電層
578123 五、發明說明（8) 2 04係配置於基板20 0上並覆蓋住掃描配線201。另外，資 料配線21 1係配置於閘介電層204上，且資料配線21 1的延 伸方向係與掃描配線2 0 1的延伸方向不同。此外，保護層 214係配置於部分閘介電層204上並覆蓋住資料配線21 1。 而透明晝素電極2 1 8係配置於保護層2 1 4上，而且位於掃瞄 配線2 0 1上方之透明晝素電極2 1 8中更具有數個開口 2 1 9， 藉以降低掃瞄配線2 0 1與透明畫素電極2 1 8之間之寄生電 容。另外，反射畫素電極221係配置在暴露的閘介電層2〇4 上，且反射晝素電極221與透明畫素電極218之面積可以相 等或不相等。再者，雙汲極薄膜電晶體2 3 0係配置於基板 20 0上，且此雙汲極薄膜電晶體23〇係配置在畫素結構的中 央，其中雙汲極薄膜電晶體23 0具有一閘極202、一通道層 206、一源極212a以及二汲極212b、212c，源極212a係與 資料配線2 11電性連接，二汲極2 1 2b、2 1 2c係分別與透明 晝素電極218以及反射晝素電極221電性連接，通道層2〇6 係配置在源極2 12a/二汲極212b、212c與閘極20 2上方之閘 介電層204之間，而閘極2〇2係與掃描配線2〇1電性連接。 在本發明中’此半穿透半反射式畫素結構之兩邊緣處 更包括配置有一畫素儲存電容器22〇a以及一晝素儲存電容 器220b，其中晝素儲存電容器22〇a係由配置在基板2〇〇上 之一共用線222a(作為一下電極）、對應配置在共用線222a 上方之一導電層224與透明畫素電極2 18(作為一上電極）以 及配置在上電極以及下電極之間之閘介電層2〇4所構成， 而且導電層224係與透明晝素電極218之間係透配置成在保
10118twf.ptd 第12頁 578123 五、發明說明（9) 4層214中之一接觸窗226而彼此電性連接。另外，畫素儲 存電容器220b係由配置在基板2〇0上之一共用線222b(作為 一下電極）、對應配置在共用線222b上方之反射畫素電極 221 (作為一上電極）以及配置在上電極以及下電極之間之 閘介電層204所構成。 由於本發明於一畫素結構中同時具有穿透式與反射式 ，結構’因此將此種畫素結構用於液晶顯示器中能有省電 荨半穿透半反射式液晶顯示器所擁有之優點。此外，彳尚若 將本發明之複數個畫素結構以三角佈置的方式（Delta
Type)配置在基板上，對於顯示品質的提升將更加有幫 助。 綜合以上所述，本發明具有下列優點·· 1. 由於本發明於一畫素結構中同時具有穿透 兩種結構，因此此種畫素結構用於液晶顯示器 等半穿透半反射式液晶顯示器所擁有之優點。/、有喝電 2. 由於本發：二=素結構之薄膜電晶體係配 結構的中央，X薄膜電晶體的兩個汲極係 素 之畫素電極，因此：：明之晝素結構較 到=兩側 之影響而導致整個畫素結構無法正常運作。 J衣私微粒 3 ·本發明將薄膜電晶體配置在查士 可以使畫素電極上電場分佈較為均=I、=構中央的位置， 對於顯示有正面幫助。 此此種配置方式 4·由於本發明之畫素結構中之苎 習知係配置在掃瞄配線之上方，=存電容器並非如 578123 五、發明說明（ίο) 之架構，本發明在驅動電路的設計上較為簡化。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10118t.wf. ptd 第14頁 578123 圖式簡單說明 圖式之簡單說明 第1圖為習知一畫素結構之上視示意圖； 第2圖為第1圖由Ι-Γ之剖面示意圖； 第3圖是依照本發明一較佳實施例之晝素結構之上視 不意圖， 第4圖為第3圖由II-II’之剖面示意圖；以及 第5圖是依照本發明另一較佳實施例之畫素結構之上 視示意圖。 圖式之標不說明 200 201 202 204 206 208 211 、212a 、212b 100， 101 ’ 102， 104， 106， 108， 111， 112a 112b 114、 116、 118、 221 ： 120、 130 、 基板 掃瞄配線 閘極 閘介電層 通道層 歐姆接觸層 資料配線 :源極 、2 1 2 c :沒極 2 1 4 :保護層 2 1 6、2 2 6 :開口（接觸窗） 21 8 :透明晝素電極 反射晝素電極 220a、220b :畫素儲存電容器 2 3 0 :雙汲極薄膜電晶體
10118t.wf.ptd 第15頁 578123 圖式簡單說明 222a 、 222b :共用線 224 :導電層
HHI 10118twf.ptd 第16頁

Claims (1)

  1. 578123 、申請專利範圍 1· 一種半穿透半反射式畫素結構，適於架構在一基板 上’該半穿透半反射式畫素結構包括： 一掃描配線，配置在該基板上； 一閘"氣層，配置於该基板上並覆蓋住該掃描配線； 一資料配線，配置於該閘介電層上且該資料配線的延 伸方向與該掃描配線的延伸方向不同； 一保護層，配置於部分該閘介電層上並覆蓋住該資料 配線’ 一透明晝素電極’配置於該保護層上；
    一反射畫素電極’配置在暴露的該閘介電層上；以及 一雙淡極薄膜電晶體，配置於該基板上並位於該晝素 結構的中央，其甲該雙沒极薄膜電晶體具有一閘極、一通 道層、一源極以及二及極’該源極係與該資料配線電性連 接，該二淡極係分別與該透明畫素電極以及該反射畫素電 極電性連接’該通道詹係配置在該閘極上方之該閘介電層 上，該源極與該二淡極係配置在該通道層上，而該閘極係 與該掃描配線電性連接。
    2 ·如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式晝素 結構，其中該透明畫素電極之面積與該反射畫素電極之面 積相同。 3 ·如申請專利範園第1項所述之半穿透半反射式畫素 結構，其中該透明畫素電極之面積與該反射晝素電極之面 積不相同。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式畫素
    l〇ll8twf.ptd 第17頁 578123
    龟谷器以及 結3，其中更包括一第 儲存…一… 儲存電容器/分別配置在該畫素鱗構之兩邊緣處。 &接5 · I請專利範圍第4項所述之半穿透半反射式畫素 二 一 /、"亥第一晝素儲存電容器係由配置在該基板上之 Iΐ I ΐ f線、對應配置在該第/共用線上方之一導電層 二、以日:旦素電極以及配置在該第一共用線與該導電層/ 。亥透月旦素電極之間之該 電層所構成，且該導電層係 與該透明畫素電極電性連接。 6 ·=申清專利範圍第4項所述之半穿透半反射式畫素
    、口 _/、中"亥第一畫素儲存電容器係由配置在該基板上之 二第二共用線、對應配置在該第二共用線上方之該反射畫 ’、電=以及配置在該第二共用線與該反射晝素電極之間之 該閘介電層所構成。 ^ 7·如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式畫素 結構’其中位於該掃瞄配線上方之該透明晝素電極中更具 有複數個開口’藉以降低該該掃鍅配線與該透明畫素電極 之一寄生電容。
    8 ·如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式晝素 結構’其t該透明晝素電極之材質包括銦錫氧化物。 9·如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式晝素 結構’其中該反射畫素電極之材質包括一金屬。 1 0 ·如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式晝素 結構’其中該通道層與該源極、該二汲極之間更包括配置 有一歐姆接觸層。
    10118twf.ptd 第18頁 578123
    基 11· 一種半穿透半反射式畫素結構，適於架構 板上’該半穿透半反射式畫素結構包括：、Μ -槿：ϊί極薄膜電晶·，配置於該基板上並位於該畫素 的中央，其中該雙汲極薄膜電晶體具有一一 道層、一源極以及二汲極； 雙、、及：：：：線’酉己置在該基板上，且該掃目苗配線係與該 〆極/專膜電晶體之該閘極電性連接； 伸太Α ^ ϋ ί線，配置於該基板上，其中該資料配線的延 談餹二二=V描配線的延伸方向不同，且該資料配線係與 Μ雙〉及極薄膜電晶體之該源極電性連接； 雷h明晝素電極，配置於該基板上，其中該透明晝素 技β糸/、該雙汲極薄膜電晶體之其中一該二汲極電性連 接；以及 命 了反射晝素電極’配置在該基板上，其中該反射畫素 包虽係與。亥雙及極薄膜電晶體之另一該二汲極電性連接。 1 2 ·如申請專利範圍第11項所述之半穿透半反射式晝 素結構，豆中兮、头 一 ^ /、τ该透明畫素電極之面積與該反射晝素電極之 面積相同。 1 3 ·如申請專利範圍第丨丨項所述之半穿透半反射式畫
    素結構，豆中兮、去 ^ 透明畫素電極之面積與該反射畫素電極之 面積不相同。 14·如申請專利範圍第丨丨項所述之半穿透半反射式晝 素結構，jMl中兩a 更包括一第一畫素儲存電容器以及一第二畫 电令收分別配置在該畫素結構之兩邊緣處。 素儲存雷交哭
    第19頁 578123 六、申請專利範圍 1 5.如申請專利範圍第1 1項所述之半穿透半反射式畫 素結構，其中位於該掃瞄配線上方之該透明畫素電極中更 具有複數個開口，藉以降低該掃瞄配線與該透明畫素電極 之間之一寄生電容。 1 6.如申請專利範圍第11項所述之半穿透半反射式畫 素結構，其中該透明畫素電極之材質包括銦錫氧化物。 1 7.如申請專利範圍第11項所述之半穿透半反射式畫 素結構，其中該反射畫素電極之材質包括一金屬。 1 8.如申請專利範圍第1 1項所述之半穿透半反射式畫 素結構，其中該通道層與該源極、該二汲極之間更包括配 置有一歐姆接觸層。
    10118t.wf.ptd 第20頁
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7889301B2 (en) 2008-01-07 2011-02-15 Au Optronics Corp. Array substrate adopted for liquid crystal display device comprising insulating layer having free ends in specific profile

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100900541B1 (ko) * 2002-11-14 2009-06-02 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
TW575961B (en) * 2002-12-03 2004-02-11 Quanta Display Inc Pixel structure
KR101019045B1 (ko) * 2003-11-25 2011-03-04 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP4844027B2 (ja) * 2004-07-16 2011-12-21 カシオ計算機株式会社 垂直配向型の液晶表示素子
CN101604087A (zh) * 2004-09-30 2009-12-16 卡西欧计算机株式会社 垂直取向型有源矩阵液晶显示元件
US20060066791A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Casio Computer Co., Ltd. Vertical alignment active matrix liquid crystal display device
KR100752875B1 (ko) * 2004-11-29 2007-08-29 가시오게산키 가부시키가이샤 수직배향형의 액티브 매트릭스 액정표시소자
KR100752876B1 (ko) * 2004-11-30 2007-08-29 가시오게산키 가부시키가이샤 수직배향형의 액정표시소자
JP4639797B2 (ja) * 2004-12-24 2011-02-23 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
US8068200B2 (en) * 2004-12-24 2011-11-29 Casio Computer Co., Ltd. Vertical alignment liquid crystal display device in which a pixel electrode has slits which divide the pixel electrode into electrode portions
KR20060110167A (ko) * 2005-04-19 2006-10-24 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이의 제조 방법과, 이를 구비한 액정 표시패널
JP4457048B2 (ja) * 2005-06-23 2010-04-28 エプソンイメージングデバイス株式会社 半透過型液晶表示装置
JP4799926B2 (ja) * 2005-06-28 2011-10-26 三菱電機株式会社 半透過型ｔｆｔアレイ基板、および半透過型液晶表示装置
TWI307430B (en) * 2005-07-21 2009-03-11 Au Optronics Corp Transflective pixel structure
US7576720B2 (en) * 2005-11-30 2009-08-18 Au Optronics Corporation Transflective liquid crystal display
KR101174164B1 (ko) * 2005-12-29 2012-08-14 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정표시장치
DE102006057333B4 (de) 2005-12-30 2010-01-28 Lg Display Co., Ltd. IPS-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
US20070229744A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Casio Computer Co., Ltd. Vertically aligned liquid crystal display device
TWI352868B (en) * 2006-11-03 2011-11-21 Au Optronics Corp Liquid crystal display pannel and active device ar
TWI363912B (en) * 2007-06-20 2012-05-11 Au Optronics Corp Display panel and fabricating method thereof, electro-optical device comprising said display panel, and fabricating method thereof
TWI753788B (zh) * 2021-02-26 2022-01-21 友達光電股份有限公司 畫素結構

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2620240B2 (ja) * 1987-06-10 1997-06-11 株式会社日立製作所 液晶表示装置
DE69108062T2 (de) * 1990-01-17 1995-07-20 Toshiba Kawasaki Kk Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix.
JP3081474B2 (ja) * 1994-11-11 2000-08-28 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP3319975B2 (ja) * 1997-05-08 2002-09-03 株式会社日立製作所 半導体素子及びそれを用いた液晶表示装置
KR100397399B1 (ko) * 2001-02-22 2003-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7889301B2 (en) 2008-01-07 2011-02-15 Au Optronics Corp. Array substrate adopted for liquid crystal display device comprising insulating layer having free ends in specific profile

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