TWI753788B - 畫素結構 - Google Patents

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TWI753788B
TWI753788B TW110106864A TW110106864A TWI753788B TW I753788 B TWI753788 B TW I753788B TW 110106864 A TW110106864 A TW 110106864A TW 110106864 A TW110106864 A TW 110106864A TW I753788 B TWI753788 B TW I753788B
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黃士杰
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友達光電股份有限公司
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Abstract

一種畫素結構，包括基板以及子畫素。子畫素位於基板上，且具有第一至第三穿透區、第一至第三反射區。子畫素包括第一主動元件、第二主動元件、第一透明電極、第二透明電極以及第一至第三反射電極。第一透明電極電性連接至第一主動元件，且從第一穿透區延伸至第三穿透區。第二透明電極電性連接至第二主動元件，且重疊於第二穿透區。第一反射電極重疊於第一反射區，且電性連接至第一透明電極。第二反射電極，重疊於第二反射區，且電性連接至第二透明電極。第三反射電極，重疊於第三反射區，且電性連接至第一透明電極。

Description

畫素結構
本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種適用於半穿反顯示器的畫素結構。
隨著科技的進展，便攜式電子產品的應用越來越普及，例如智慧型手機、平版電腦、手錶等便攜式電子產品已經充斥於人類的生活之中。一般來說，為了使電子產品更易於攜帶，許多廠商致力於縮小電子產品的體積，這也限縮了便攜式電子產品的電池的尺寸以及電容量。因此，為了使電子產品有足夠高的續航力，要如何降低電子產品消耗的電量便非常重要。在一些具有顯示功能的電子產品中，強調省電功能以及戶外可視性的半穿反顯示技術便極具競爭力。
本發明提供一種畫素結構，同時兼具高反射區域面積以及高穿透區域面積的優點。
本發明的至少一實施例提供一種畫素結構。畫素結構包 括第一基板以及第一子畫素。第一子畫素位於第一基板上，且具有第一穿透區、第二穿透區、第三穿透區、第一反射區、第二反射區以及第三反射區。第一子畫素包括第一主動元件、第二主動元件、第一透明電極、第二透明電極、第一反射電極、第二反射電極以及第三反射電極。第一透明電極電性連接至第一主動元件，且從第一穿透區延伸至第三穿透區。第二透明電極電性連接至第二主動元件，且重疊於第二穿透區。第一反射電極重疊於第一反射區，且電性連接至第一透明電極。第二反射電極，重疊於第二反射區，且電性連接至第二透明電極。第三反射電極，重疊於第三反射區，且電性連接至第一透明電極。
100:第一基板
110a:第一半導體層
112a、118a、112b、118b:源極區
115a、115b:汲極區
113a、117a、113b、117b:通道區
110b:第二半導體層
120、140、160:絕緣層
132a、134a、132b、134b:閘極
152a、158a、152b、158b:源極
155a、155b:汲極
170a:第一透明電極
172a、176a、172b:塊狀部
176a、176b:連接部
170b:第二透明電極
180:平坦層
190a:第一反射電極
190b:第二反射電極
190c:第一反射電極
192a:第一連接結構
192b:第二連接結構
192c:第三連接結構
200:第二基板
210:遮光層
220:色彩轉換元件
230:覆蓋層
240:共用電極
DR1:第一方向
DR2:第二方向
LS:遮光區
O、H:開口
OP1:第一開口
OP2:第二開口
OP3:第三開口
PX、PXa、PXb:畫素結構
R1、R2、R3:區域
RF1:第一反射區
RF2:第二反射區
RF3:第三反射區
SP1:第一子畫素
SP2:第二子畫素
SP3:第三子畫素
T1:第一主動元件
T2:第二主動元件
TH1:第一通孔
TH2:第二通孔
TH3:第三通孔
TP1:第一穿透區
TP2:第二穿透區
TP3:第三穿透區
w1、w2、w3、w4、w5、w6:寬度
圖1A至圖1I是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的製造過程的上視示意圖。
圖2A至圖2I是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的製造過程的剖面示意圖。
圖3是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的剖面示意圖。
圖4是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的剖面示意圖。
圖1A至圖1I是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的製造過程的上視示意圖。圖2A至圖2I是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的製造過程的剖面示意圖，其中圖2A~圖2I對應了圖1A~圖1I中線A-A’、B-B’以及C-C’的部分。
請參考圖1A與圖2A，於第一基板100上形成第一半導體層110a以及第二半導體層110b。在本實施例中，畫素結構PX(繪於圖1I)包括第一子畫素SP1、第二子畫素SP2以及第三子畫素SP3(繪於圖1I)，且第一子畫素SP1、第二子畫素SP2以及第三子畫素SP3各自包括一個第一半導體層110a以及一個第二半導體層110b。
第一基板100之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其他可適用的材料)或是其他可適用的材料。若使用導電材料或金屬時，則在第一基板100上覆蓋一層絕緣層(未繪示)，以避免短路問題。
第一半導體層110a以及第二半導體層110b為單層或多層結構，其包含非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料(例如：銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物或是其他合適的材料或上述之組合)或其他合適的材料或上述材料之組合。
在本實施例中，第一半導體層110a包括汲極區115a、源極區112a、源極區118a、通道區113a以及通道區117a。汲極區115a位於通道區113a以及通道區117a之間，通道區113a位於汲極區115a以及源極區112a之間，通道區117a位於汲極區115a以及源極區118a之間。汲極區115a、源極區112a以及源極區118a的寬度w2大於通道區113a以及通道區117a的寬度w1，使汲極區115a、源極區112a以及源極區118a更易於與其他導電元件對準/接觸。
在本實施例中，第二半導體層110b包括汲極區115b、源極區112b、源極區118b、通道區113b以及通道區117b。汲極區115b位於通道區113b以及通道區117b之間，通道區113b位於汲極區115b以及源極區112b之間，通道區117b位於汲極區115b以及源極區118b之間。汲極區115b、源極區112b以及源極區118b的寬度w2大於通道區113b以及通道區117b的寬度w1，使汲極區115b、源極區112b以及源極區118b更易於與其他導電元件對準/接觸。
在一些實施例中，同個子畫素之第一半導體層110a與第二半導體層110b沿著第一方向DR1對齊，但本發明不以此為限。在一些實施例中，相鄰子畫素之第一半導體層110a沿著第二方向DR2對齊，相鄰子畫素之第二半導體層110b沿著第二方向DR2對齊，但本發明不以此為限。第一方向DR1實質上垂直於第二方向DR2。
請參考圖1B與圖2B，形成絕緣層120於第一半導體層110a以及第二半導體層110a上。形成閘極132a、134a、132b、134b於絕緣層120上。
閘極132a以及閘極134a分別重疊於第一半導體層110a的通道區113a以及通道區117a。閘極132b以及閘極134b分別重疊於第二半導體層110b的通道區113b以及通道區117b。
在本實施例中，閘極132a以及閘極134a電性連接至同一條掃描線(圖中未繪出)，前述掃描線例如與閘極132a以及閘極134a直接連接或間接連接。閘極132b以及閘極134b電性連接至另一條掃描線(圖中未繪出)，前述掃描線例如與閘極132b以及閘極134b直接連接或間接連接。
在一些實施例中，同個畫素結構PX(繪於圖1I)中，不同顏色之第一子畫素SP1、第二子畫素SP2以及第三子畫素SP3(繪於圖1I)的多個閘極132a以及閘極134a電性連接至同一條掃描線，且不同顏色之第一子畫素SP1、第二子畫素SP2以及第三子畫素SP3(繪於圖1I)的多個閘極132b以及閘極134b電性連接至另一條掃描線。換句話說，每個畫素結構PX包括兩條掃描線，其中相鄰之畫素結構PX(例如同一列畫素結構PX)的兩條掃描線互相連接。
請參考圖1C與圖2C，形成絕緣層140於閘極132a、134a、132b、134b以及絕緣層120上。絕緣層140具有多個開口O，開口O分別重疊於第一半導體層110a的汲極區115a、源極區 112a以及源極區118a以及第二半導體層110b的汲極區115b、源極區112ba以及源極區118b。
請參考圖1C、圖1D與圖2D，形成源極152a、源極158a以及汲極155a於第一半導體層110a上。源極152a與源極158a分別位於汲極155a的兩側。源極152a以及源極158a透過開口O而分別電性連接至第一半導體層110a的源極區112a以及源極區118a，且汲極155a透過開口O而電性連接至第一半導體層110a的汲極區115a。換句話說，第一半導體層110a電性連接至汲極155a、源極152a以及源極158a。
形成源極152b、源極158b以及汲極155b於第二半導體層110b上。源極152b與源極158b分別位於汲極155b的兩側。源極152b以及源極158b透過開口O而分別電性連接至第二半導體層110b的源極區112b以及源極區118b，且汲極155b透過開口O而電性連接至第二半導體層110b的汲極區115b。換句話說，第二半導體層110b電性連接至汲極155b、源極152b以及源極158b。
在本實施例中，源極152a以及源極152b直接相連，且源極158a以及源極158b直接相連。在本實施例中，源極152a、源極152b、源極158a以及源極158b電性連接至同一條資料線(圖中未繪出)，前述資料線例如與源極152a、源極152b、源極158a以及源極158b直接連接或間接連接。
在本實施例中，第一主動元件T1包括第一半導體層110a、閘極132a、閘極134a、源極152a、源極158a以及汲極155a， 且第二主動元件T2包括第二半導體層110b、閘極132b、閘極134b、源極152b、源極158b以及汲極155b。在本實施例中，第一主動元件T1與第二主動元件T2分別電性連接至不同條掃描線。舉例來說，第一主動元件T1的閘極132a與閘極134a電性連接至同一條第一掃描線，且第二主動元件T2的閘極132b與閘極134b電性連接至同一條第二掃描線。
在本實施例中，同個畫素結構PX(繪於圖1I)中，第一子畫素SP1、第二子畫素SP2以及第三子畫素SP3(繪於圖1I)各自的第一主動元件T1的源極152a以及源極158a與第二主動元件T2的源極152b以及源極158b電性連接至同一條資料線，且不同顏色之第一子畫素SP1、第二子畫素SP2以及第三子畫素SP3(繪於圖1I)的第一主動元件T1與第二主動元件T2電性連接至不同條資料線。舉例來說，在一個畫素結構PX中，第一子畫素SP1的第一主動元件T1的源極152a以及源極158a與第二主動元件T2的源極152b以及源極158b電性連接至同一條第一資料線。在第二子畫素SP2中，第一主動元件T1的源極152a以及源極158a與第二主動元件T2的源極152b以及源極158b電性連接至同一條第二資料線。在第三子畫素SP3中，第一主動元件T1的源極152a以及源極158a與第二主動元件T2的源極152b以及源極158b電性連接至同一條第三資料線。換句話說，每個畫素結構PX包括三條資料線，其中相鄰之畫素結構PX(例如同一行畫素結構PX)的三條資料線互相連接。
在本實施例中，第一主動元件T1與第二主動元件T2為頂部閘極型薄膜電晶體，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一主動元件T1與第二主動元件T2為底部閘極型薄膜電晶體、雙閘極型薄膜電晶體或其他類型的薄膜電晶體。
請參考圖1E與圖2E，形成絕緣層160於絕緣層140、源極152a、源極158a、汲極155a、源極152b、源極158b以及汲極155b上。絕緣層160具有分別重疊於汲極155a以及汲極155b的多個開口H。
請參考圖1E、圖1F與圖2F，形成第一透明電極170a與第二透明電極170b於絕緣層160上。第一透明電極170a透過開口H而電性連接至第一主動元件T1的汲極155a，且第二透明電極170b透過開口H而電性連接至第二主動元件T2的汲極155b。
在一些實施例中，第一透明電極170a與第二透明電極170b的材質包括金屬氧化物，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、或是上述至少二者之堆疊層。在一些實施例中，第一透明電極170a與第二透明電極170b的厚度為0.03微米至0.08微米。
在本實施例中，第一透明電極170a包括塊狀部172a、塊狀部174a以及連接部176a。塊狀部172a以及塊狀部174a的寬度w4大於連接部176a的寬度w3，且連接部176a連接塊狀部172a以及塊狀部174a。在本實施例中，塊狀部172a以及塊狀部174a位於連接部176a的兩端，且連接部176a填入開口H並與汲極155a 連接。
在本實施例中，第二透明電極170b包括塊狀部172b以及連接部176b。塊狀部172b的寬度w6大於連接部176b的寬度w5，且連接部176b連接塊狀部172b，且連接部176b填入開口H並與汲極155b連接。在本實施例中，第二透明電極170b的塊狀部172b在第一方向DR1上位於第一透明電極170a的塊狀部172a以及塊狀部174a之間。
請參考圖1G與圖2G，形成平坦層180於第一透明電極170a、第二透明電極170b以及絕緣層160上。平坦層180具有重疊於第一透明電極170a的第一開口OP1、重疊於第一透明電極170a的第三開口OP3以及重疊於第二透明電極170b的第二開口OP2。在本實施例中，第一開口OP1重疊於第一透明電極170a的塊狀部172a，第三開口OP3重疊於第一透明電極170a的塊狀部174a，且第二開口OP2重疊於第二透明電極170b的塊狀部172b。
請參考圖1H與圖2H，形成第一反射電極190a、第二反射電極190b以及第三反射電極190c於平坦層180上。第一反射電極190a與第三反射電極190c電性連接至第一透明電極170a，且第二反射電極190b電性連接至第二透明電極170b。在一些實施例中，第一反射電極190a、第二反射電極190b以及第三反射電極190c的材質包括銀、鋁或其合金或其他可以導電且反光的材質。在一些實施例中，第一反射電極190a、第二反射電極190b以及第三反射電極190c的厚度為0.1微米至0.2微米。
在本實施例中，第一反射電極190a透過第一開口OP1中的第一連接結構192a而電性連接第一透明電極170a，第三反射電極190c透過第三開口OP3中的第三連接結構192c而電性連接第一透明電極170a，且第二反射電極190b透過第二開口OP2中的第二連接結構192b而電性連接第二透明電極170b。
在本實施例中，第一連接結構192a與第一反射電極190a一體成形，且第一連接結構192a具有重疊於第一開口OP1的第一通孔TH1。第二連接結構192b與第二反射電極190b一體成形，且第二連接結構192b具有重疊於第二開口OP2的第二通孔TH2，第三連接結構192c與第三反射電極190c一體成形，且第三連接結構192c具有重疊於第三開口OP3的第三通孔TH3。
在本實施例中，畫素結構PX包括第一子畫素SP1、第二子畫素SP2以及第三子畫素SP3(繪於圖1I)，且第一子畫素SP1、第二子畫素SP2以及第三子畫素SP3各自包括第一反射電極190a、第二反射電極190b以及第三反射電極190c。換句話說，畫素結構PX包括三個第一反射電極190a、三個第二反射電極190b以及三個第三反射電極190c。三個第一反射電極190a、三個第二反射電極190b以及三個第三反射電極190c彼此結構上分離。
請參考圖1I與圖2I，提供第二基板200、遮光層210、色彩轉換元件220、覆蓋層230以及共用電極240，其中圖1I省略繪出第二基板200、色彩轉換元件220、覆蓋層230以及共用電極240。遮光層210位於第二基板200上。色彩轉換元件220位於 遮光層210以及第二基板200上，色彩轉換元件220例如為濾光元件及/或量子點材料。覆蓋層230位於色彩轉換元件220上。共用電極240位於覆蓋層230上。液晶層(未繪出)位於第一基板100與第二基板200之間。
在本實施例中，畫素結構PX包括第一子畫素SP1、第二子畫素SP2以及第三子畫素SP3，第一子畫素SP1、第二子畫素SP2以及第三子畫素SP3分別對應不同顏色的子畫素。舉例來說，第一子畫素SP1、第二子畫素SP2以及第三子畫素SP3分別具有不同顏色的色彩轉換元件220。
在本實施例中，第一子畫素SP1、第二子畫素SP2以及第三子畫素SP3位於第一基板100上，第一子畫素SP1、第二子畫素SP2以及第三子畫素SP3各自具有第一穿透區TP1、第二穿透區TP2、第三穿透區TP3、第一反射區RF1、第二反射區RF2以及第三反射區RF3。在本實施例中，第一子畫素SP1、第二子畫素SP2以及第三子畫素SP3各自還具有遮光區LS。
遮光區LS位於第一反射區RF1與第二反射區RF2之間以及第三反射區RF3與第二反射區RF2之間。在本實施例中，遮光區LS是由遮光層210所定義。遮光層210重疊於第一反射電極190a與第二反射電極190b之間的狹縫以及第二反射電極190b與第三反射電極190c之間的狹縫，藉此將單個子畫素(第一子畫素SP1、第二子畫素SP2或第三子畫素SP3)分成三個區域R1、R2、R3。在本實施例中，區域R1包括第一反射區RF1以及第一穿透 區TP1，區域R2包括第二反射區RF2以及第二穿透區TP2，區域R3包括第三反射區RF3以及第三穿透區TP3。在本實施例中，第一反射區RF1、第二反射區RF2以及第三反射區RF3分別環繞第一穿透區TP1、第二穿透區TP2以及第三穿透區TP3。第二反射區RF2位於第一反射區RF1與第三反射區RF3之間，且第二穿透區TP2位於第一穿透區TP1與第三穿透區TP3之間。
請參考圖1G、圖1I與圖2I，第一透明電極170a從第一穿透區TP1延伸至第三穿透區TP3。第二透明電極170b重疊於第二穿透區TP2。平坦層180的第一開口OP1以及第三開口OP3分別位於第一穿透區TP1與第三穿透區TP3，平坦層180的第二開口OP2位於第二穿透區TP2。第一反射電極190a、第二反射電極190b以及第三反射電極190c分別重疊於第一反射區RF1、第二反射區RF2以及第三反射區RF3。
第一穿透區TP1、第二穿透區TP2以及第三穿透區TP3則分別由第一連接結構192a的第一通孔TH1、第二連接結構192b的第二通孔TH2以及第三連接結構192c的第三通孔TH2所定義。
在本實施例中，背光模組(未繪出)所發出之光線能夠藉由第一穿透區TP1、第二穿透區TP2以及第三穿透區TP3而穿過畫素結構PX，而外界照射進畫素結構PX的光線會被第一反射區RF1、第二反射區RF2以及第三反射區RF3中的第一反射電極190a、第二反射電極190b以及第三反射電極190c所反射。在本實施例中，遮光層210不重疊於平坦層180的第一開口OP1、第 二開口OP2以及第三開口OP3，因此，能避免遮光層210減少畫素結構PX之反射區域面積以及穿透區域面積，藉此使畫素結構PX具有高反射區域面積以及高穿透區域面積。
請參考圖1F、圖1I與圖2I，在本實施例中，第一子畫素SP1、第二子畫素SP2以及第三子畫素SP3各自都包括區域R1、區域R2以及區域R3，其中藉由第一主動元件T1控制區域R1以及區域R3中之液晶層，且藉由第二主動元件T2控制區域R2中之液晶層。舉例來說，在需要黑畫面時，控制第一主動元件T1與第二主動元件T2使光線不能穿過區域R1、區域R2以及區域R3。在需要較小亮度時，控制第二主動元件T2使光線能穿過區域R2，並控制第一主動元件T1使光線不能穿過區域R1以及區域R3。在需要較大亮度時，控制第二主動元件T2使光線不能穿過區域R2，並控制第一主動元件T1使光線能穿過區域R1以及區域R3。在需要最大亮度時，控制第一主動元件T1與第二主動元件T2使光線能穿過區域R1、區域R2以及區域R3。
在本實施例中，第一主動元件T1與第二主動元件T2重疊於第二反射區RF2，藉此能更佳的利用佈線空間。在本實施例中，第一主動元件T1的汲極155a、源極152a以及源極158a以及第二主動元件T2的汲極155b、源極152b以及源極158b重疊於第二反射區RF2。此外，第一主動元件T1的汲極155a重疊於第二反射區RF2可增加開口率設計。相較於將第一主動元件T1設計於第一反射區RF1，將第一主動元件T1移置第二反射區RF2可增 加畫素電路佈局的可調整空間，透過此線路佈局設計可提供更大的光線穿透區域。
在一些實施例中，電性連接至第一主動元件T1與第二主動元件T2的導線(例如掃描線與資料線)，重疊於第一反射區RF1、第二反射區RF2、第三反射區RF3以及遮光區LS，藉此減少導線對畫素結構PX的穿透率的影響。
圖3是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的剖面示意圖。
在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖2A至圖2I的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖3的畫素結構PXa與圖2I的畫素結構PX的差異在於：圖3的畫素結構PXa的第一連接結構192a、第二連接結構192b以及第三連接結構192c的材料不同於第一反射電極190a、第二反射電極190b以及第一反射電極190c的材料。
在本實施例中，第一連接結構192a、第二連接結構192b以及第三連接結構192c為透明導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、或是上述至少二者之堆疊層。在一些實施例中，第一連接結構192a、第二連接結構192b以及第三連接結構192c的材料相同於第一透明電極170a以及第二透明電極170b的材料。
在本實施例中，第一連接結構192a覆蓋第一反射電極190a的部分頂面，且第一連接結構192a覆蓋第一透明電極170a重疊於第一開口OP1的頂面。第一反射電極190a透過第一開口OP1中的第一連接結構192a而電性連接第一透明電極170a。在本實施例中，第一連接結構192a覆蓋第一反射電極190a的部分頂面的寬度X1小於或等於1.5微米且大於0微米，藉此避免第一連接結構192a減少第一反射區RF1的反射率。此外，第一連接結構192a覆蓋第一反射電極190a的部分頂面能減少製程偏移導致第一反射電極190a沒有電性連接至第一透明電極170a的機率。
在本實施例中，第二連接結構192b覆蓋第二反射電極190b的部分頂面，且第二連接結構192b覆蓋第二透明電極170b重疊於第二開口OP2的頂面。第二反射電極190b透過第二開口OP2中的第二連接結構192b而電性連接第二透明電極170b。在本實施例中，第二連接結構192b覆蓋第二反射電極190b的部分頂面的寬度X1小於或等於1.5微米且大於0微米，藉此避免第二連接結構192b減少第二反射區RF2的反射率。此外，第二連接結構192b覆蓋第二反射電極190b的部分頂面能減少製程偏移導致第二反射電極190b沒有電性連接至第二透明電極170b的機率。
在本實施例中，第三連接結構192c覆蓋第三反射電極190c的部分頂面，且第三連接結構192c覆蓋第一透明電極170a重疊於第三開口OP3的頂面。第三反射電極190c透過第三開口OP3中的第三連接結構192c而電性連接第一透明電極170a。在本 實施例中，第三連接結構192c覆蓋第三反射電極190c的部分頂面的寬度X1小於或等於1.5微米且大於0微米，藉此避免第三連接結構192c減少第三反射區RF3的反射率。此外，第三連接結構192c覆蓋第三反射電極190c的部分頂面能減少製程偏移導致第三反射電極190c沒有電性連接至第一透明電極170a的機率。
在一些實施例中，透明導電材料的厚度對穿透率造成影響，而穿透率最高的厚度則視材料的性質而定。在一些實施例中，調整第一連接結構192a、第二連接結構192b與第三連接結構192c的厚度以及第一透明電極170a與第二透明電極170b的厚度，使第一穿透區TP1、第二穿透區TP2以及第三穿透區TP3的穿透率最佳化。在一些實施例中，第一連接結構192a、第二連接結構192b與第三連接結構192c的厚度相同或不同於第一透明電極170a與第二透明電極170b的厚度。
在一些實施例中，第一透明電極170a與第二透明電極170b的材料為銦錫氧化物，且厚度為0.11微米至0.16微米。在一些實施例中，第一連接結構192a、第二連接結構192b以及第三連接結構192c的材料為銦錫氧化物，且厚度為0.11微米至0.16微米。
圖4是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的剖面示意圖。
在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖3的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或 近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖4的畫素結構PXb與圖3的畫素結構PXa的差異在於：圖4的畫素結構PXb的第一連接結構192a具有重疊於第一開口OP1的第一通孔TH1，第二連接結構192b具有重疊於第二開口OP2的第二通孔TH2，且第三連接結構192c具有重疊於第三開口OP3的第三通孔TH3。
在本實施例中，藉由第一通孔TH1、第二通孔TH2以及第三通孔TH3的設置，降低第一連接結構192a、第二連接結構192b以及第三連接結構192c對第一穿透區TP1、第二穿透區TP2以及第三穿透區TP3的穿透率造成的影響。
綜上所述，本發明的素結構同時兼具高反射區域面積以及高穿透區域面積的優點。
100:第一基板
110a:第一半導體層
110b:第二半導體層
120、140、160:絕緣層
152b:源極
155a、155b:汲極
170a:第一透明電極
170b:第二透明電極
180:平坦層
190a:第一反射電極
190b:第二反射電極
190c:第一反射電極
192a:第一連接結構
192b:第二連接結構
192c:第三連接結構
200:第二基板
210:遮光層
220:色彩轉換元件
230:覆蓋層
240:共用電極
LS:遮光區
O、H:開口
OP1:第一開口
OP2:第二開口
OP3:第三開口
PX:畫素結構
R1、R2、R3:區域
RF1:第一反射區
RF2:第二反射區
RF3:第三反射區
TH1:第一通孔
TH2:第二通孔
TH3:第三通孔
TP1:第一穿透區
TP2:第二穿透區
TP3:第三穿透區

Claims (11)

  1. 一種畫素結構，包括： 一第一基板；以及 一第一子畫素，位於該第一基板上，且具有第一穿透區、第二穿透區、第三穿透區、第一反射區、第二反射區以及第三反射區，其中該第一子畫素包括： 一第一主動元件以及一第二主動元件； 一第一透明電極，電性連接至該第一主動元件，且從該第一穿透區延伸至該第三穿透區； 一第二透明電極，電性連接至該第二主動元件，且重疊於該第二穿透區； 一第一反射電極，重疊於該第一反射區，且電性連接至該第一透明電極； 一第二反射電極，重疊於該第二反射區，且電性連接至該第二透明電極；以及 一第三反射電極，重疊於該第三反射區，且電性連接至該第一透明電極。
  2. 如請求項1所述的畫素結構，其中該第二反射區位於該第一反射區與該第三反射區之間，且該第二穿透區位於該第一穿透區與該第三穿透區之間，且該第一主動元件與該第二主動元件重疊於該第二反射區。
  3. 如請求項1所述的畫素結構，更包括： 一平坦層，位於該第一透明電極與該第二透明電極上，且具有重疊於該第一透明電極的一第一開口以及一第三開口以及重疊於該第二透明電極的一第二開口，其中： 該第一開口以及該第三開口分別位於該第一穿透區與該第三穿透區，該第一反射電極透過該第一開口中的一第一連接結構而電性連接該第一透明電極，且該第三反射電極透過該第三開口中的一第三連接結構而電性連接該第一透明電極；且 該第二開口位於該第二穿透區，且該第二反射電極透過該第二開口中的一第二連接結構而電性連接該第二透明電極。
  4. 如請求項3所述的畫素結構，其中該第一連接結構、該第二連接結構以及該第三連接結構為透明導電材料。
  5. 如請求項4所述的畫素結構，其中該第一連接結構覆蓋該第一反射電極的部分頂面，其中該第一連接結構覆蓋該第一反射電極的部分頂面的寬度小於或等於1.5微米且大於0微米，且該第一連接結構覆蓋該第一透明電極重疊於該第一開口的頂面。
  6. 如請求項4所述的畫素結構，其中該第一連接結構具有重疊於該第一開口的一第一通孔，該第二連接結構具有重疊於該第二開口的一第二通孔，且該第三連接結構具有重疊於該第三開口的一第三通孔。
  7. 如請求項3所述的畫素結構，其中該第一連接結構與該第一反射電極一體成形，且該第一連接結構具有重疊於該第一開口的一第一通孔，該第二連接結構與該第二反射電極一體成形，且該第二連接結構具有重疊於該第二開口的一第二通孔，該第三連接結構與該第三反射電極一體成形，且該第三連接結構具有重疊於該第三開口的一第三通孔。
  8. 如請求項1所述的畫素結構，其中該第一主動元件以及該第二主動元件各自包括： 一汲極，重疊於該第二反射電極； 一第一源極與一第二源極，分別位於該汲極的兩側，且重疊於該第二反射電極； 一半導體層，電性連接至該汲極與該第一源極以及該第二源極；以及 一第一閘極與一第二閘極，重疊於該半導體層。
  9. 如請求項8所述的畫素結構，其中該第一主動元件的該第一源極與該第一主動元件該的第二源極以及該第二主動元件的該第一源極與該第二主動元件的該第二源極電性連接至同一條資料線。
  10. 如請求項8所述的畫素結構，其中該第一主動元件的該第一閘極與該第一主動元件的該第二閘極電性連接至同一條第一掃描線，且該第二主動元件的該第一閘極與該第二主動元件的該第二閘極電性連接至同一條第二掃描線。
  11. 如請求項1所述的畫素結構，更包括： 一第二基板，重疊於該第一基板；以及 一遮光層，位於該第二基板上，且該遮光層重疊於該第一反射電極與該第二反射電極之間的狹縫以及該第二反射電極與該第三反射電極之間的狹縫，且該遮光層不重疊於該第一開口、該第二開口以及該第三開口。
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