TW577026B - Electronic device and method of manufacture the same - Google Patents

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TW577026B
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chip
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Mitsuo Usami
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Hitachi Ltd
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Description

577026
發明背景 本發明為一種電子裝置及其製造方法，其係有關非接觸 式識別對象物的ic標籤等電子裝置，尤其是搭載自動應答 器（transponder)者，其係以無線方式傳送識別號碼。、。 舉例來說，使用傳統高頻率將半導體晶片内部的記憶體 所記憶的資訊，以外部非接觸式讀寫進行資料收送之半導 體標籤（IC標籤），其半導體晶片係為球形，該半導體晶片上 連接有偶極型高頻率天線之非接觸式半導體標籤，係如特 開2_-222540所揭示。本㈣籤之機構配置，係將天 接在球形半導體晶片上。 上述將偶極型㈣焊接轉料導體上的職籤， 定後認為具有下列問題點：連接偶極型天線與球狀半_ 時’要先μ偶極型天線的尖端部位與球狀半導體的連才: 邵t〈位置，但遇到球狀半導體時，必須透過複雜的方法 ^疋連接位置很難找到_種既簡單又經濟的方式進行定 此外，積體電路形成於球形半導體表面 光線的影響。 發明概述 容易受到光部
裝 η
法 本發明之目的在於楹仳可土 丄 、杈供可罪性高的電子裝置。 本發明的目的之二，目，丨— 在於棱供簡易的電子裝置製 本專利說明書所揭示 的發明中最具代表性者 其概要說
577026 A7
明如下： 本發明為一種電子裝置，其係透過天線讀取半導體晶片 上的記憶體中所記憶的資訊，而此電子裝置中，含有前逑 記憶體之積體電路，係設置於前述半導體晶片（1C晶片）的主 面；前述天線係分別連接前述IC晶片主面與背面上的電極 ，薇半導體晶片、電極與導線之連接部位，係以玻璃進行 封裝。
裴、 此電子裝置並具有：平板狀IC晶片，其係具有記憶體部 ,用來記憶特定資訊；以及第一和第二外部電極，其係分 別設在表面和背面；第一及第二天線，其係分別連接至前 述第一和第二外部電極，對前述1(:晶片供應電力；以及破 璃封裝體，其係包覆前述第一和第二外部端子側的部分前 述第一和第二天線，以及前述IC晶片。
此外，本發明係為一種電子裝置之製造方法，其係將記 憶特定資訊的記憶體部，以及正、背面分別設有第一和第 二外部電極的1C晶片，以第一和第二天線包夾於玻璃管内 之後，加熱熔化玻璃管，藉此封裝Ic晶片及其與第一和第 -一天線的連接部位。 此外，本說明書中所謂的玻璃，係指用來封裝IC晶片的 材料，可選用石英玻璃、硼珪玻璃、鉛玻璃等，其中以鉛 玻璃等製的低熔點玻璃最為理想。 圖式之簡要說明 圖1A與圖1B係本發明相關之電子裝置剖面圖。 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱) 3 五、發明説明（ ”圖2A係本發明相關之1(：晶片電路圖；圖⑼係剖面之概略 圖3 A與圖3B係本發明相關之其他電子裝置剖面圖。 嫌圖4係有關本發明中，搭載於IC晶片上之邏輯電路概汆 圖5A係1C晶片的電路概念圖；圖化為剖面圖。 圖6係有關本發明中，IC晶片厚度與通訊距離之間 特性圖。 圖7A、圖7B、圖7C以及圖7D係有關本發明中，IC晶片的 電極形成步驟之剖面圖。 ' 圖8A、圖8B、圖8C以及圖8]〇係有關本發明中，電子裝置 的組裝步驟之剖面圖。 圖9係有關本發明中，電子裝置的導線總長與通訊距離之 間關係之特性圖。 圖10係有關本發明中，從電子裝置取出記憶資訊之讀取 系統之示意圖。 圖11係本發明中，從讀取機向電子裝置傳送資料的傳 輸格式（air f0rmat)A ’以及電子裝置的回應資料之傳輸格 式B。 圖12係本發明相關之1C晶片概略剖面圖。 圖1 3係有關本發明中，用來組裝電子裝置的治具平面 圖。 圖14係有關本發明中，電子裝置的導線具有曲線形狀時 -6 - 本紙狀歧财® 577026 A7 p—__ _ B7 五、發明説明（4 ) 一一~一—~ 之天線長度說明圖。 發明詳述 首先利用圖1A、圖1B，說明有關本發明的電子裝置之概 略構造。圖1A與圖1B皆為本發明相關之電子裝置剖面圖。 在這兩張圖中，導線11係與台座（鍍銅鐵鎳合金）12連接為一 體，形成天線。透過天線傳導電力而動作的1(：;晶片（無線晶 片）14，其構造係呈鍍銅鐵鎳合金包夾的狀態。玻璃13為管 狀；無線晶片及一部分的鍍銅鐵鎳合金，皆由玻璃13封裝 圖1A中，典線晶片14的對角線長度大於鍍銅鐵鎳合金12 的直徑；圖1B中，小體積無線晶片14a的對角線長度則小於 鍵銅鐵錄合金的直径。鏡銅鐵錄合金在此係為直徑大於導 線11的尖端金屬部，以便易於夾住無線晶片14及小體積無 線晶片14a。使用板狀的無線晶片，並在表面和背面設置電 極，便容易進行連接鍍銅鐵鎳合金的位置校準。利用鏡銅 鐵鎳合金12包夾無線晶片14、小體積無線晶片14a，則可減 少外部光線入射到ic晶片。尤其是使用小體積無線晶片i4a 時’其外部光線的遮蔽效果較好。至於玻璃的形狀，無論 筒狀或立方體等皆可任意採用，唯必須具備可封入ic晶片 及鐘銅鐵鎳合金的空洞大小，且IC晶片的表面和背面電極 最好面向玻璃管的開放端，玻璃管内的空洞大小須足以容 納ic封裝後的體積。如此便能以鍍銅鐵鎳合金輕易夾住m 晶片。將玻璃外徑尺寸控制在〇 · 1 min至5 mm的範圍内，使其 不易受到外部應力，便於處理。尤其是用於標籤時，體積 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 577026 A7 B7 五、發明説明（5 ) 小較不會妨礙貨物搬運，標籤也不易遺失。此外，玻璃管 的内徑尺寸如維持在0 ·09mm至4· 9mm的範圍内，可確保機 械性的強度。 接著利用圖2 A、圖2B，說明有關本發明的無線晶片之概 略構造。在此雖僅就無線晶片進行說明，但小體積無線晶 片亦可比照相同構造製成。圖2A為無線晶片的電路構成概 略圖。如本圖所示，無線晶片表面端子2 1係連接至設於晶 片内部電路中的耦合電容器22，耦合電容器22則連接整流 二極體23及鉗位二極體25。整流二極體23並與邏輯電路24 連接，透過整流二極體23供應電流至邏輯電路24。鉗位二 極體25和邏輯電路24係連接於共同端子（共同端子於本專利 說明書中，以下一律簡稱作接地）26。 圖2B為顯tf形成圖2A電路的無線晶片之概略剖面圖。無 線晶片表面端子21位於表面裝置層27之上；接地26位於無 線晶片14背面。接地26係透過鍍銅鐵鎳合金，與外部的導 線連接；無線晶片表面端子21亦同樣透過鍍銅鐵鎳合金， 與外部的導線連接。圖2A的無線晶片表面端子21與接地26 的兩個端子，與外部天線連接之下，可確保通訊距離。透 過天線擷取得高頻率電磁波能源後，可透過無線晶片内的 整流電路，獲得直流電流。如此一來，無線晶片便能夠不 靠電池動作。此電路的接地端子，係連接至半導體晶片基 板上。無線晶片的電極端子，係形成於半導體晶片的表面 及背面，電極端子的物理面積，最大可擴展至無線晶片的 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
裝 訂
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、r 寸（日曰片正面）。電極端子的面積越大，電極材料的遮 蔽區域越大，即可減輕外部⑽的影響。 、接著利用圖3A、圖3B，說明有關本發明的其他電子裝置 〈概各構&。圖3A與圖3B皆為本發明相關之電予裝置剖面 圖—圖中所v的符號與圖1相同者，表示其構造相同。此外 /❸1係表不薄膜化的薄型無線晶片；符號川係表示薄 膜化的薄』小體積無線晶片。經過薄膜化之後，可減輕無 線晶片側面所受的外部光線影響。 ‘ 設足識別子以表示1C晶片封裝於圖1A、圖1B或圖3A、圖 3B中所不的電予裝置，有助於明確指出玻璃管内封裝的晶 ^就是1C晶片。識別子的設定方式，可直接在破璃表面標 :’以顏色區別亦可。圖1Α、圖1Β和圖3Α、圖3Β中，無線 晶片的全邵或中心部之表面及背φ，均為金屬製的鍍銅鐵 鎳合金所覆’由於光線無法穿透金屬，故可防止無線晶片 因光線而不當動作等導致故障發生。換作圖ιβ或圖π所示 的構造，令無線晶片小於鍍銅鐵鎳合金，可形成極為耐光 的構造。在圖1Α、圖1Β或圖3Α、圖3Β的構造中，由於益線 晶片被玻璃緊密封裝，且無線晶片的兩端有堅硬的鍍銅鐵 鎳合金包夾，故可確保相當可靠的耐腐純與機械強度。 ，接著利用圖4說明圖2Α中所示的邏輯電路24之構造範例。 記憶體電路42係根據時鐘抽出電和所傳出的時鐘訊號開 始動作；輸出訊號係從載入開關44輸入後，進行負荷變動 -9- 577026 A7 B7 五、發明説明（7 ) 此外，平滑電容器45係插於整流二極體23的游標和接地 26之間，儲存來自整流電路（在此為整流二極體）的直流電流 ，產生直流電壓。直流電壓會根據無線晶片所獲得的能源 ，從0.3V左右上升到30V以上，但是過度的電壓會造成邏輯 電路24的MOS裝置之閘極損壞，因此應視需要加裝電壓控 制電路。 平滑電容器45亦有安定電源電壓的作用，並且當邏輯電 路24動作下產生CMOS邏輯閘極電路時，吸收其中所流通的 貫通電流。記憶體電路42視記憶體的容量、唯讀或可讀寫 等不同規格，可形成各式各樣的構造。時鐘抽出電路43會 先將讀取機傳至自動應答器（具有天線的無線晶片）的時鐘訊 號，改變成高頻率載波，待自動應答器收訊後，其時鐘抽 出電路再恢復波頻，取得原始的低頻率時鐘訊號。 接著再利用圖5A、圖5B，進一步說明無線晶片。圖5A為 顯示無線晶片14的概略平面圖。表面裝置層27上設有：無 線晶片的主面電極端子21、與其相連的耦合電容器22、與 其相連的鉗位二極體25和整流二極體23，以及連接整流二 極體23的邏輯電路。圖5B為顯示無線晶片14的重要部分剖 面圖。絕緣膜（在此為矽氧化膜）51覆於晶片表面，用來防止 無線晶片表面電極端子21與無線晶片基板之間短路。 圖5B係顯示圖5A中VA至VA’之剖面。無線晶片14的晶片 長邊尺寸為0·01mm至0.5mm，為可置入小玻璃管的大小， 可靠性與經濟性兼優。如令無線晶片的尺寸與矽二極體同 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 577026 A7
樣控制在G.3mm左右，更可共用生產設備，以低成本製造自 力底。器。圖5B中，典線晶片的表面電極端子係由厚約工〇 帅的至屬電鏡而成’此厚度之範圍以〇1至5〇仰為佳。 連接表面屯極场子21的下部電極、連接鉗式二極體25的 上部電極，以及兩者所包夾的絕緣膜（此指矽氧化膜），共同 /成耦口％容器22。如令無線晶片的基板為p型，可藉由p 型基板和具有N型的表面擴散層，形成pN接合型二極體， 此時可利用基板作為接地。另可藉由^型撾〇8進行以基板為 接地的裝置設計，形成二極體。基板背面形成接地％的電 極，作為電路端子之用。如此設計讓無線晶片的表面及背 面均為電極，即可形成破璃封裝的自動應答器。 /妾著參照圖3A、圖3B所示的薄型無線晶片，以圖6說明 典線晶片厚度與電子裝置性能之間的關係。 >圖6的橫軸表示無線晶片的厚度，縱軸表示自動應答器與 項取機的通訊距離。在此使用的頻率為2 45gHz。無線晶片 的厚度與自動應答器電路的接地串聯電阻具有比例關係， 當接地_聯電阻越小，通訊距離越長；接地電阻越大 ，電路的損失電阻也越大，則通訊距離越小。晶片厚度在 100㈣以下時，通訊距離為1200mm;晶片厚度^2〇〇子^時 ’通訊距離為150mm。
裝 增 同 此通訊距離因電路構成、裝置性能如臨限值 幅率等因素而異，也會因無線晶片的基板濃 電壓或電流 度而有所不 -11 - 本紙張尺度適；?!中國國家標準(CNS) A4：^格(210 X 297公' --------— 〜 577026 五 A7 B7 、發明説明（9 此外，通訊距離也會因導線材料不同而異，例如材料主 體為鐵，且無線晶片的厚度為2〇〇 # m時，通訊距離為 150mm，若換作銅，則通訊距離可增長至25〇inm。這是因 為導線的損耗，係關係到導線的電阻值以及表面電鍍狀態 。當咼頻載波在自動應答器中流動時，電流會發生集膚效 應而向表面層集中，依附導線表皮的電阻，此時導線主要 使用鐵材，表面鍍銅，且無線晶片的厚度為2〇〇#mB，通 訊距離為200mm。 若電波頻率為2.45GHz，且鍍銅的厚度在2〜3#111之間， 通訊距離將隨銅的厚度增減。 接著利用圖7A〜圖7D，說明無線晶片的電 圖糊示半導體晶圓剖面圖，其上形成有數個：二 裝置。圖7A中，上方的面係表示半導體晶圓背面η，下方 的面係表科導ff晶圓主面72。此處的半㈣晶圓厚度係 設足為150#m，但圍内皆可使用。主面上 形成有數個無線晶片之裝置。 圖7B為顯示晶圓背面71上剛形成金沉積層η後的剖面圖 。首先形成金沉積層73以製作歐姆接觸。金沉積層73的厚 度係設定為10//m，但0.1 至80“m的铲阁、 #瓜的軛圍内皆可使用。若 薄於0.1/zm，將造成接合強度的問 ^碭，但右厚於80/zm，則 會與玻璃產生熱膨脹差的問題。炊桉 、 ^ A後再形成銻沉積層74， 以提升金與銀的黏合性。 圖7C為顯示金沉積層73上剛形 成銻況積層74後的剖面圖 -12- 577026
固^積層74的厚度係設定為一m，㈣心喊 圍内皆可使用。薄於〇.Mm會產生接合強度的問題作若严 於8〇，’則會與破璃產生熱膨脹差的問題。然後再形成: 沉積層75以提升與鍍銅鐵鎳合金的接合性。 圖7D為顯示銻沉積層74上剛形成銀沉積層75後的剖面圖 。銀=積層75的厚度係設定為1G，，但心岐⑼㈣的範 圍内可使用。薄於會產生接合強度的問題；但若厚 於8“m，則會與玻璃產生熱膨脹差的問題。此步驟係於晶 圓背面全面進行金屬層沉積，以形成無線晶片“背面的電 極。此處的晶圓係、以切割膠帶固定，切割成大小為Oh見 方左右的無線晶片’但可切割成範圍在〇 〇1随至〇 5艱見 方的大小。薄於〇.〇lmm，處理起來會有困難；但若厚於 〇·6_’則會產生寄生電阻的問題。切割膠帶係為ρΕτ或聚 氯乙烯，但最好採用廢棄或燃燒後不會造成環境污染的ρΕτ 再利用圖8Α〜圖8D說明電子裝置之製造方法。首先連接 導線11，將直立的鍍銅鐵鎳合金12的上端從玻璃管13的下 方插入（圖8Α)，然後於插入玻璃管13的鍍銅鐵鎳合金12之 上邵，盛放無線晶片14(圖8Β)，接著，從玻璃管13上部再插 入一個鍍銅鐵鎳合金12，夾住無線晶片14(圖8〇。此時施加 至鍍銅鐵鎳合金12的壓力為5〜10MPa。如此一來，分別設 於無線晶片的主面及背面的電極，便與鍍銅鐵鎳合金呈電 氣性連接，之後再以高溫加熱玻璃管丨3，使玻璃熔化並附 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
訂 577026 A7 B7 五 、發明説明（11 著於鍍銅鐵鎳合金12(圖8D)。 經過上述步驟後，無線晶片14便封裝於玻璃管13内。鍍 銅鐵鎳合金12在此係採用表面鍍銅的鎳、鐵合金。採用鎳 、鐵合金的好處是，可使用磁石搬運鍍銅鐵鎳合金以及内 含該合金的電子裝置。玻璃的熔點可依玻璃的構成材料進 行控制’在此係使用錯玻璃，其、熔點約45〇。〇。 若使用低熔點的鋁或鋁合金作為無線晶片的配線材料時 ’取好使用450 C以下的溫度即可溶化的玻璃，或者是熱收 縮材料（如塑膠）。 為使無線晶片較耐高溫、氫退火處理中的氫不致散失， 可在操線晶片上沉積氮化物鍍膜，或以銅、鎢或鈦等耐高 溫的配線材料代替銘，均為有效的解決方法。 使用低熔點的玻璃的好處是可降低封裝溫度，並可減輕 熱旎對供線晶片的影響，故可提升自動應答器的製造良率 。圖8A〜圖8D所示的組立方法，係利用超音波振動治具的 方式令無線晶片在玻璃管中重力下落’而可對準錄銅鐵錄 合金與玻璃管之間的位置，並可同_組讀千乃至數萬個 ’堪為極具經濟效益的組立方法。治具m的範例如圖_ 示，此治具設有多個開口部132可供插入玻璃管。 接著利用圖9,說明導線長度（天線長度）對通訊距離 響。此圖的橫軸代表自動應答器的導線長度，縱軸代 動應答器與讀取機之間的通訊距離。當導線長 载 -14· 577026 A7 B7 五、發明説明（12 ) 一半時，為最佳的共振條件（以2.45GHz為例，約6cm)，通 訊距離最大。導線長度若小於該長度，則通訊距離越短； 但若大於該長度，通訊距離的品質並不致於大幅降低。導 線長度的使用範圍，從載波波長的1/2至1左右之間均可。 由於導線長度係以全長設定，故圖9中自動應答器的導線 之左右長度，不限於等長。此外，導線如圖14般盤捲時， 導線的最大直線距離只要設定在載波波長的1 / 2至1之間即可 。至於導線的材質方面，使用易磁化的鍊、鐵等可於具有 磁場的環境中動作，但使用不會磁化的材料與之相比，並 不影響自動應答器的性能，這是因為磁場能量所產生的電 壓、電流在導線中產生共振，因而集中於玻璃封裝的無線 晶片，電能便以高頻率流通之故。 接著以圖10為例，說明本發明相關之讀取系統，其從電 子裝置取出記憶資訊之原理。圖1〇中，符號1〇1為電子裝置（ 玻璃封裝自動應答器）；符號104為天線；符號106為讀取機 ，付號105為連接1買取機1 〇6和天線1 〇4的同軸線；符號1 〇8 為個人電腦；符號107為串列介面。玻璃封裝自動應答器 101自讀取機所供給的電波1〇2獲得電磁波的能量後，自動 應答器的無線晶片便開始動作，傳送應答資料1 〇3至天線 104，天線則透過同軸線105連接至讀取機1〇6。此處的使用 頻率數為2.45GHz ;内含天線的電子裝置長度為55mm ;導 -15- 本紙張尺度it财關家鮮(CNS) 577026 A7 B7 五、發明説明（13 線直徑為1mm ;玻璃管直徑為3mm。讀取機係透過串列介 面107，連接至個人電腦1〇8，從電腦輸入讀取命令。如此 便可讀取以128位元資料（ROM)儲存的資訊。自動應答機基 於上述構造，可外接於各種對象裝置，供作宅配或電郵傳 送等用途。 圖11為顯示此自動應答器的傳輸格式（按電波的強弱順序） ，圖11A為顯示從天線1 〇4至讀取機所傳來的電波1 〇2之傳輸 格式；圖11B為顯示自動應答器101所傳來的應答資料。該 資料由「0」和「1」的數字所組成。 圖12為頒不本發明的無線晶片之剖面構造，其特徵為春 線晶片的表面及背面具有金屬電極。此外，電極2丨係於切 割前形成。 採用平板狀半導體可輕易決定位置，加上玻璃管封裝， 可提高裝置的可靠度，且在大批生產方式下，可低成本製 造自動應答器。 元件符號說明
裝 η
11導線 12台座 13玻璃 14 1C晶片(無線晶片） 14a無線晶片 21無線晶片表面端子 45平滑電容器 51絕緣膜(矽氧化膜) 71半導體晶圓背面 72半導體晶圓主面 73金沉積層 74銻沉積層 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(21〇Χ297公釐) "~1 --- 577026 A7 B7 五、發明説明（14 22耦合電容器 75銀沉積層 23 整流二極體 101電子裝置(玻璃封裝自動應答器) 24邏輯電路 102電波 25 鉗位二極體 103應答資料 26共通端子(接地：） 104天線 27表面裝置層 105同軸線 31薄型無線晶片 106讀取機 31a薄型小體積無線晶片 107串列介面 42記憶體電路 108電腦 43 時鐘抽出電路 131治具 44載入開關 132開口部 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 修正丨 _補[ A8 B8 C8 D8 577026 第090121058號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(92年12月） 7T、申請專利範圍 1. 一種電子裝置，其特徵為具有：平板狀IC晶片，其係具 有冗憶體部，其係用來記憶特定資訊；以及第一和第二 外邵電極，其係分別裝設於表面及背面； 第一及第二天線，其係分別連接前述第一和第二外 部電極’對前述10晶片供應電力；以及 玻璃封裝體’其設置為包覆前述第一和第二外部端 子側的邵分前述第一和第二天線，以及前述1C晶片。 2·如申請專利範圍第1項之電子裝置，其中，前述IC晶片 的厚度，介於〇·1 #m〜200 之範圍内。 3·如申請專利範圍第1項之電子裝置，其中，前述IC晶片 的長邊長度，介於〇 〇lmni〜〇.5tnm之範圍内。 4·如申請專利範圍第1項之電子裝置，其中，前述第一及 第二天線之長度互異。 5·如申請專利範圍第1項之電子裝置，其中，前述第一及 第一外4兒極，係分別裝設在前述1C晶片的整個表面及 背面。 6. 如申請專利範圍第i項之電子裝置，其中，前述第—及 第二天線，分別具有連接前述第一1第二外部電極的鏡 銅鐵鎳合金’以及連接前述鍍鋼鐵鎳合金的導線。 7. 如申請專利範圍第6項之電子裝置，其中，前述鍍鋼鐵 8. 錄合金的直大於前収晶片的對角線長度。 如申請專利範圍第6項 > 兩；壯p _ - <包子裝置，其中，前述鍍鋼鐵 9. 鎳合金的直徑大於前述導線之直秤。 ^ 如申請專利範園第丨至8項中任;之電子裝置，其中，
    其中，前述玻璃封 其中，前述玻璃管 577026 六、申請專利範圍 内含前述第一及第二天線的前述電予奘w — p 、 衣置《長度，係設 定為所使用的載波之1/2波長。 1〇·如申請專利範圍第丨項之電子裝置，其中，前述第一及 第二天線，係垂直配置於前述IC晶片的表面及背面。 11 ·如申請專利範圍第1項之電子裝置，其中，前述第一 第二天線，係用來傳送前述記憶體部所記憶的特定資訊 〇 12. 如申請專利範圍第丨項之電子裝置，其中，前述第一及 第二天線，係於傳送前述特定資訊前，傳送虛擬訊號。 13. 如申請專利範圍第丨項之電子裝置，其中，前述玻璃封 裝體係為管狀。 I 14 ·如申凊專利範圍第13項之電子裝置 裝體的外觀尺寸為〇.!mm〜5mm。 15·如申請專利範圍第13項之電子裝置 的内從尺寸為0 09mm〜4.9mm。 16二：電子裝1，其特徵為具彳··仏曰日彳，其係具有記憶 月丑卩^及外#包極，该外邵電極係與前述記憶體部呈 氣性連接； 導包線，其係連接前述外部電極，用來收送電波； 玻璃封裝體，其係包覆前述1C晶片而成；以及 識削子，用來判別封裝内容是否為1C晶片。 17.如二叫專利範圍第16項之電子裝置，其中，前述導電線 人ί 外#兒極之連接邵位，係以前述玻璃封裝體 封裝。 订
    -2 -
    577026
    補充 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 18. 如申請專利範圍第16項之電子裝置，其中，前述導電線 係突出於前述玻璃封裝體。 19. 如申請專利範圍第18項之電子裝置，其中，前述玻璃封 裝體係為管狀；而前述導電線係沿著前述玻璃封裝體的 管子中心軸延伸。 20. —種電子裝置，其特徵為具有：記憶體部與1C晶片，該 1C晶片的第一面以及前述第一面背面的第二面上，係分 別設有第一和第二外部電極； 第一及第二導電線，其係分別連接至前述第一和第 二外部電極，以收送電波；以及 管狀塑膠封裝體，其係包覆前述1C晶片而成。 21. 如申請專利範圍第20項之電子裝置，其中，前述1C晶片 係具有無線動作控制之電子電路。 22. 如申請專利範圍第21項之電子裝置，其中，前述電子電 路之電力，係以無線供給。 23. 如申請專利範圍第21項之電子裝置，其中，前述電子電 路係具有耦合電容器，該耦合電容器係分別連接前述外 部電極以及邏輯電路。 24. 如申請專利範圍第23項之電子裝置，其中，前述耦合電 容器，係具有整流二極體以及鉗式二極體。 25. 如申請專利範圍第24項之電子裝置，其中，前述鉗式二 極體與前述邏輯電路，係分別連接共同線路。 26. —種電子裝置之製造方法，其特徵為具有：1C晶片之 準備步騾，該1C晶片中具有記憶特定資訊之記憶體部 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
    以及分別裝設在1C晶片表面及背面之第一和第二外 部電極； 第一及第二天線之準備步驟，其一端係具有鍍鋼鐵 鎳合金； 玻璃管之準備步驟； 插入步驟’其係將前述第一天線的部分鍍銅鐵鎳合 金’插入前述玻璃管内； 配置步驟’其係將前述1(3晶片，配置於前述玻璃管 内所置的前述第一天線之鍍銅鐵鎳合金上，使前述第一 外邵電極位於前述第一天線之鍍銅鐵鎳合金側； 插入步驟，其將前述第二天線之部分鍍銅鐵鎳合金 ’插入前述玻璃管内所置的前述1C晶片上，使前述第二 天線之鏡銅鐵鎳合金位於前述第二外部電極侧；以及 固定步驟，其係將前述玻璃管熔融，以固定前述Ic 晶片與前述第一及第二天線之鍍銅鐵鎳合金。 27·如申請專利範圍第26項之電子裝置製造方法，其中，前 述1C晶片的厚度，介於0.1 〜200 之範圍内。 28·如申請專利範圍第26項之電子裝置製造方法，其中， 削述1C晶片的長邊長度，介於〇·〇ιmm〜0.5mm之範圍 内。 29.如申請專利範圍第26項之電子裝置製造方法，其中，前 述第一及第二天線之長度互異。 30·如申請專利範圍第26至29項中任一項之電子裝置製造方 法，其中’前述第一及第二外部電極，係分別裝設在前 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 、申請專利範園 述1C晶片的整個表面及背面。 3 1.如申凊專利範圍第26項之電子裝置製造方法，其中，么 η述：：鐵鎳：金的直徑大於前述IC晶片的舞角線長度 ' 清專利範圍第31項之電子裝置製造方法，其义 逑鍍銅鐵鎳合金的直徑小於前述導線之直徑。〃月’J 33·如申凊專利範圍第⑽之電子裝置製造方法，其中义 及第二天線，係垂直配置於前述IC晶片的表面: :種電子裝置之製造方法，其特徵為：將具有記憶特定 :貝訊的記憶體部及正、背面分別設有第—和第二外部電力亟：;c:r以第一和第二天線包夾於破璃管内，隨後 加d谷化破璃管’以封㈣晶片及其與第 的連接部位。 大二 置，其係透過天線讀取IC晶片上的記憶體 ’其特徵為：f有前述記憶體之 ，係設置在前述IC晶片的主面·前、f 也私路 侧片主面與背面1 = 係分料接前 ^ 仏 d晶片、珂述電極盥 可述天線之連接部位，係以破璃進行封裝。 '、 -種電子裝置’其係用來讀取扣晶片中的記憶體内所記 憶之自我判識資訊，其特徵為：内含前述記憶體之積體 電路，係設置在前述IC晶片的主面，前述主面以及前述 iC晶片背面係分別設有與之相連的電極導線，前㈣曰 片、《電極與導線之連接部位，係以玻璃進行封裝/ 37. -種電子裝置，其係利用無線讀取平板狀半導體晶片内 34. 線 35 内 36. 本紙張尺度適财目® ^#^(CNS)A4«^(21〇 X 297^) (3 ------— 岑年/V %修正1 AS 昼 8 六、申 ------—- 的圮憶體邵所記憶之資訊， 、f特徵4 :前述平板狀半導體，係、具有分別設在其 =及其背面的電極，以及分別連接該等與主面垂直之 ::泉：孩平板狀半導體晶片及導線之連接部位，係以玻 璃進行封裝。 38. 39. 40. 41. :專“15第37項之電子裝置’其中，前述平板狀 +導fa晶片係具有電路元件，其係於其主面含有連接前 述電極的兩個端子，依無線控制產生動作。 如申請專利範圍第37項之電子裝置，其中，前述平板狀 半導體晶片的厚度，介於Q1/m〜扇㈣之範圍内。 如申請專利範園第37項之電子裝置，其中，前述導線之 總長為該無線載波的1/2波長。 如申請專利範圍第37項之電子裝置，其中，前述玻璃的 直瓜為O.lmrn〜5πιηι。 42·如申請專利範圍第37項之電子裝置，其中，前述平板狀 半導體晶片的長邊為0.01mm〜0,5mm。 種％子裝置之動作方法，其係使用如申請專利範圍第 1 土 42項中任一項之電子裝置，其特徵為：從讀取機向 自動應答器發送電波時，先從完全未發出電波時起準 備開始發送電波，接著一度中斷電波，從當時的狀態 起’從該自動應答器向該讀取機傳送該自動應答器中 的資訊。 44·如申請專利範圍第34項之電子裝置製造方法，其中，熔 化别述玻璃管的溫度在450以下。 -6- ^紙張尺度適用中關家標準(CNS) A4^Hg X挪涵 —------__ 577026 ；r 8 8 8 8 A BCD 六、申請專利範圍 45.如申請專利範圍第36項之電子裝置，其中，前述導線至 少一部分的表面係為鍍銅。 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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