TW575800B - Lithographic apparatus, alignment method and device manufacturing method - Google Patents

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(1) 政、發明說明 先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域 技術領域 本發明係關於微影投影裝置，其包括： -一輻射系統，用於提供一輻射投影光束； 支彳牙結構，用以支撐圖案化構件，該圖案化構件則 用於根據所需圖案將投影光束圖案化； _ 一基板臺，其用於支撐一基板； _ 一投影系统·，其用以將該圖案化的光束投影在該基板 的一目標部分上； -一對齊系統’其用以偵測該基板上一參考標記與一對 齊標記之對齊’遠對齊系統包含一光學系統，其用—對夸 光束來照射該對齊標記。 此處所用術語「圖案化構件」應廣義解釋為可用以軾予 進入之輻射光束一圖案化之斷面的構件，該圖案化之斷面 係對應於需建立於基板目標部分的一圖案；本文中亦可使 用術語「光閥」。一般而言，該圖案係與建立於目標部分 的裝置的一特定功能層有關，諸如一積體電路或其他裝置 (詳見下文）。此類圖案化構件的例子包括： -一光罩。光罩的概念在微影術中係廣為人知，它並包 括如二元式、交替式相位偏移及衰減式相位偏移等光罩开^ 式，以及各種混合的光罩开》式。此種光罩放在輕射光束中， 將導致照射在光罩上的輻射依據光罩上圖案作選擇性透射 (當於透射光罩的狀況）或反射（於反射光罩的狀況）。在光 罩的狀況中，支撐結構一般是一光罩臺，其為確保光罩被 575800 (2) 發明說明續頁 支撐於進入的輻射光束中一理想位置，並於需 於光束移動。 -一可程式化鏡面陣列。該種裝置的一個例 可定址表面，具有一黏彈性控制層及一反射表 置的基本原理為（例如）反射表面的已定址區域 為繞射光；而未定址區域則反射入射光為非繞 一適當的濾波器，該反射光束可過濾掉該未繞 留下該繞射光；依此方式，該光束根據該矩陣 的定址圖案而成為圖案化。一可程式化鏡面陣 具體實施例係使用一微小鏡面的陣列配置，藉 當的局部電場或使用一壓電驅動構件，各個鏡 一軸傾斜。同樣地，該鏡面為可定址矩陣，使 鏡面以不同方向反射入射的輻射光束至未定址 此方式，即可根據該等矩陣可定址鏡面的定址 光束圖案化。可使用適當的電子構件，以執行 定址。在上述的兩種狀況下，該圖案化構件可 個可程式化鏡面陣列。本文所述的鏡面陣列的 請參閱（例如）美國專利案號US 5,296,891及US PCT專利申請案號 WO 98/38597及 WO 98/33096， 方式併入本文中。就可程式化鏡面陣列而言， 可以（例如）框架或臺面方式具體化，且視需要 移動式。 -一可程式化液晶顯示器（LCD)陣列。此種構 於美國專利案號US 5,229,872中找到，此處以提 要時可相對 子為一陣列 面。該種裝 反射入射光 射光。使用 射光，而僅 可定址表面 列的另一項 由施加一適 面可分別繞 得該等定址 的鏡面；以 圖案使反射 所需的矩陣 包括一或多 詳細資料， 5,523，193 及 此處以提及 該支撐結構 可為固定或 造的實例可 及方式併入 (3)575800 發明說明續頁 本文中。同上，在此余η丄 . 士 馬例中，支撐結構可 堂面方式具體化，且视兩 乂（例如）框架或 说而要可為固定或 基於簡化的目的，太、 一夕力式。 时有關光罩及光罩臺 特疋位置專門探 J貝例’然而，此来^^ 通用原理應適用於較庳a 、 〜貫例中所探討的 、铋廣域的圖案化構件中 7 先前技術 ’如上文所述。 微影投影裝置可用士 於（例如）積體電路（1 此情況中，圖案化構件可產生相關於ic中」的敗造上。在 案’並可將此圖案映射於已塗佈―：，層的電路圖 劑；resist)之一基板（ 田子敏感材料（抗蝕 (夕曰曰圓）上的目標部分 個晶粒）。一般而士 „ u匕括一或多 而口早一晶圓可包含鄰近目#却v 個網路，它們脾仿、A丄1 I 4分的整 匕們知依/人由投影系統逐個照射。名 ΐίΐ — ^ ^ * τ 在現行裝置中， 先罩堂上的光罩以進行圖案化，在兩 合古π q + 員不同的機器中 曰有E别。在一種微影投影裝置中，一 θ、胃 人處理將整個光罩 圖案曝露於目標部分上，讓每一目標部分 士 1 a射到；此種 裝置一般稱為晶圓步進機（wafer stepper)。力 丧一替代裝置中 (一般係指一步進掃描裝置），在一既定參者 亏万向（「掃描」 方向）上用投影光束逐步掃描光罩圖案，倭灰 K母—目標部分 均照射到’而同時與該方向平行或反向平行掃 士 中雨基板堂； 一般而言，由於投影系統將有一放大倍率0 μ数Μ(通常 <1)，則基板臺的掃描速度V為因數Μ乘以光罩臺的掃描速 度。有關上述微影裝置的進一步資訊可於（例如）美國專利 案號US 6,046,792中收集到，本文中以提及方式併入。 在使用微影投影裝置的製造方法中，係在至少部分由一 575800 (4) 發明說明續頁 層輻射敏感材料（抗蝕劑）覆蓋的基板上映射一圖案（例如在 -光罩中）。在此成像步驟之前，基板可經各種程序處理， 例如打底（PHmlng)、抗蝕劑塗佈及軟烘（s〇ft 。曝光之 後，，亥基板可接受其他程序處理，例如曝光後烘乾(p〇s卜 exposure bake ; PEB)、顯影、硬烘（hard bake)及測量/檢查成 像之特徵。這一系列的程序係用來作為一基礎，以圖案化 一裝置（如1C)的單一層。接著，此一圖案化層可再經過各 種處理，例如蝕刻、離子植入（摻雜）、金屬電鍍、氧化、 化學機械拋光等，所有步驟皆為各層表面處理所需。如果 需要許多層，則整個程序，或其一變化步驟必須在每個新 層中重覆。最後，在基板（晶圓）上將呈現一系列的元件。 然後這些元件將藉由一種技術來彼此分開，例如切割或鋸 開，然後將該個別的元件安裝在一載具上，連接到腳位等。

關於這種裝程的進一步貧訊可由（例如）peter 乂⑽Zant所著 U日曰片製造·半導體製程指南（Microchip Fabrication: A

Practical Guide to Semiconductor Processing)，第三版，McGraw Hill Publishing 公司，1997年，ISBN 0-07-067250-4，一 書中獲 知’本文中以提及方式併入。 為簡化起見，以下稱該投影系統為「透鏡」；不過，此 術語必須作廣義的解釋以包括各種投影系統，例如，包含 折射光學、反射光學及反折射的系統。該輻射系統亦可包 含根據任何設計類型操作的組件，用以引導、塑造或控制 輕射的投影光束，且該組件以下也可以統稱或獨稱為「透 鏡」。另外，此微影裝置可係一種具有兩個以上基板臺（及 575800 (5) 發明說明續頁 /或兩個以上光罩臺）的形式。在此種 叮以平行使用額外臺面，或在一或多個臺面上進行準備步 ，驟’而其他一或多個臺面則用於曝光。雙平臺微影裝置在 (例如）美國專利案號US 5,969,441及WO 98/40791中均有說 明’此處以提及方式併入本文中。 在一種使用該微影製程的元件之製造中，一般需要在一 單一基板上進行大量曝光以產生形成一元件所需的多層結 構。該製程的關键在於後續曝光係相對於先前曝光進行正 確定位。在各層中正確對齊所發生的偏差稱為覆蓋誤差。 為了避免覆蓋誤差，在基板曝光前必須使之在該微影裝置 中正確對齊。已知兩種對齊工具。一種已知 〜牙過透鏡 (through-the-lens ; TTL)式對齊元件以雷射光柵 1, 呵日0形式照射 基板上的對齊標記。繞射光藉由該微影裝置 仅景彡透鏡备 术後，通常以相位光柵的形式引至光罩上相應 曰 上。一偵測器置於光罩標記後，當在該投影透鏡 ^ 晶圓時可監控穿過該光罩標記的輻射強度。讀^ =知描孩 大輸出量表示正確的對齊位！。對於控制平臺後：：的最 干涉移位量測元件而$ ，謗正確對齊位置有效丨、私動的 參考。在一種已知的離軸式對齊元件中，—測：k供了零 對齊工具係用來量測基板上的複數個對齊標記：乜：處的 板臺上的一或多個參考標記之間的位置關係。④固：於基 的基板臺轉移至曝光位置，則基板臺上的固定2支杈基板 光罩中的一標却掛齊，因而產斗1> 考標記與 干丫们 圯訂0 座生光罩影像與基、 置關係。 < 間的位 575800 (6) 發明說明續頁 這些已知的對齊工具及方法對於製造各層間垂直差距不 太大的半導體裝置能夠充分發揮作用。然而，該類已知的 對齊工具及技術不能對垂直間隔大的對齊標記執行對齊操 作，也因此無法使後面的處理層與蝕刻在裸基板内的零標 記對齊，因而需要在中間垂直位置處使一連串對齊標記對 齊。其缺點在於其在執行數個對齊步,驟的期間内累積測量 誤差。在微電子電機系統 (micro electromechanical systems ; MEMS)及私支光,電子電機系統（micro-opto_electromechanical systems ; MOEMS)的製造中會有其他問題，該類系統中的 層厚度明顯大於半導體元件製造中的層厚度。由於在MEMS 及MOEMS製造的層厚度較大，因此不可能用中間標記使垂 直分離的對齊標記對齊。 發明内容 本發明的一個目的係提供一種對齊方法及一種具有一對 背工具的微影裝置，該對齊工具能夠使垂直間隔大的標記 對齊。 在開頭段中所指定的微影裝置中依據本發明實現這些及 其它目的，其特徵為： 該光學系統適用於引導該對齊光束使之與該基板實質上 垂直地投射在該對齊標記上。 藉由保證該對齊井条I古λA # &此 0艽采垂直入射在對齊標記上，可在任何 垂直位置處得到正確的對齊讀取，使垂直間隔大（如大於1〇 μπΟ的各層中的標記直接對齊。藉由保證對齊光束的入射 角小万；0.5 mrad，可實現（例如）垂直間隔高達3⑽至別〇 575800 (7) 發明說明續頁 的對齊。藉由額外的線性或平方校正，或使對齊光束的入 射角小於0.25 mrad，可實現垂直間隔高達700 μηι或甚至1 mm 的對齊。 本發明還提供一種對齊方法，其係在形成於一元件上的 一元件内使分別置於第一及第二層上的第一及第二對齊標 記對齊，該第一及第二層在與該基板垂直的方向上間隔 大，且該第二層係形成於該第一層之後，該方法包括下列 步驟： 該元件的深溝渠蝕刻層覆蓋該第一層以顯示出該第一對 齊標記； 用一對齊系統對該第一對齊標記執行一對齊，該對齊系 統係用一與該基板實質上垂直的對齊光束照射該第一對齊 標記； 用該對齊系統對該第二對齊標記執行一對齊。 依據本發明的另一方面可提供一種元件之製造方法，其 包括以下步騾：. - 提供至少部分由一層輕射敏感材料所覆蓋之一基板； - 利用一輻射系統提供一輻射投影光束； - 利用圖案化構件賦予投影光束一圖案式之斷面； - 將圖案化之輻射光束投影至輻射敏感材料層之一目標 部分， 其中在投影步騾之前，依照上述方法進行一對齊操作。 雖然本文中係將在1C製造中使用依據本發明之裝置作為 特定參考，但必須明白該裝置具有許多其他的應用。例如， 575800 (8) 發明説明續頁 其可用於製造整合光學系統、磁性區域"I己憶體之導引及偵 測圖案、液晶_示為面板、薄膜磁頭、微電子電機系統 (MEMS)、微光學電子電機系統（MOEMS)、基因晶片等。專 業人士應瞭解，在這些其他應用的内容中，任何所使用的 術語「主光罩」、「晶圓」或「晶粒」必須分別考慮由更為 一般性的術語「光罩」、「基板」及「目標部分」所取代。 在本文件中所使用的術ρ吾「輪射」及「光束」可用來包 含所有形式的^磁輻射’包括紫外線輻射（如波長為365、 248、193、157或126 nm者）和遠紫外線輻射（6_耐ultra_ violet ; EUV)(如具有波長範圍5至20 nm者），以及諸如離子 束或電子束之類的粒子束。 實施方式 具體實施例1 圖1為依據本發明一特定具體實施例的微影投影裝置之 原理說明。該裝置包括： -一輻射系統Ex、IL，用於供應一輻射投影光束PB(如 uv輻射），在該特定範例中其包含一輻射源la ; -第一物件臺（光罩臺）MT，具有支撐光罩MA(例如一主 光罩）的光罩支撐臺’並與第一定位構件連接以相對於項 目PL將光罩精確定位； _ 一第二物件臺（基板臺）wt，具有支撐基板w(例如一塗 佈了抗姓劑的石夕晶圓）的一基板支架，並與第二定位構件 連接以相對於項目PL將基板精確定位； 一投影系統（「透鏡」）PL(例如一折射透鏡系統）以將光 575800 (9) 發明説明續頁 罩Μ A的文照射部分映射於基板W的一目標部分c (例如 包含一或多個晶粒）上。 如本文所述’該裝置屬一透射型式（即具有一透射光 罩）。然而，一般而言，它亦可屬一（例如）反射型式（具有 一反射光罩）。或者，該裝置可使用另一種圖案化構件， 例如一上述類型的可程式化鏡面陣列。 該照射源LA(如一汞燈）產生一輻射光束。此光束直接地 或在聲過嗎節举件（諸如一光束擴張器Εχ)之後，被饋入一 照射系統（照明器）IL中。照射器沁可包含調整構件am以設 定光束中&度分佈的外徑向範圍及/或内徑向範圍（一般分 別稱為σ外及σ内）。此外，其一般包含許多其他組件， 例如一整合器IN及一聚光器c〇。依此方式，照射在該光 罩MA上的孩光束PB具有所需的均勻性及在其橫截面中的 強度分佈。 於圖1中應注意的是：輻射源LA可位於微影投影裝置的 外殼中（通常當輻射源LA是一（例如）水銀燈時），但它亦可 與微影投影裝置距離遙遠，其所產生之輻射光束被導入裝 置中（例如依靠適當導引鏡面之助）；當輻射源la為一 V分子雷射（excimer laser)時，通常是後面這種狀況。本發 月及申清專利範圍包含這兩種情況。 該光束PB隨後截斷該光罩μα，其係固定在一光罩臺MT 上。藉由該光罩ΜΑ反射之後，光束ΡΒ穿過透鏡PL，其將 孩光束ΡΒ聚焦於基板w的一目標部分C上。藉由第二定位 構件（以及干涉量測構件（interferometric measuring means ; IF)) 575800 (ίο) 發明說明續頁 的f助，可精確移動基板臺WT，（例如）在光束pb的路徑 上疋位不同的目標部分C。同樣，可用第_定位構件以相 關於光束PB的路徑精確定位該光罩MA，例如，自光罩庫 機械性地取出光罩MA之後，或在掃描期間。一般而言車 物:臺MT、WT的移動一般係藉由—長衝程模組（粗又略^位） 及一短衝程模組（精確定位）的幫助，其未在圖丨中明確繪 出但是，在晶圓步進機的例子中（相對於一步進及掃描 裝置），該光罩^臺MT可正好連接到一短衝程致動器，或可 為固定。 上述裝置可用於兩種不同模式中： 1 ·在步進模式中，該光罩臺MT基本上保持靜止，而一 正個光罩影像在一次處理中（即一單一 「閃光」）中投射到 目標邵分C上。然後將該基板臺WT沿著X及/或y方向偏 和’使一不同的目標部分C可由該光束P b照射。 2·在掃描模式中，大體上為相同狀況，但特定目標部分C 、' Μ在單 「閃光」中曝光。光罩臺ΜΤ可在一特定方向（所 謂的「掃描方向」，例如y方向）以一速度V移動，使投影光 束ρβ掃描通過一光罩影像；同時基板臺WT則與之同向或 反向以速度ν二Μν移動，其中Μ為透鏡PL的放大倍率（如 M—i/4或1/5)。以此方式，可曝光一相對大的目標部分c而 不需犧牲解析度。 圖2係對齊系統1〇之簡單示意圖並顯示基板對齊標記ρχ 的形狀。對齊系統10包含633 nm雷射，其光穿過投影透鏡 投射到基板上照射基板對齊標記Ρχ。如放大圖所示，基板 575800 (Η) 發明說明續頁 對齊標記Ρχ由四個光栅組成。兩個光柵的間距為Η ^爪而 另外兩個光柵的間距為17·6 μΐΉ，且各類型中的一個與一平 $坐軸（X、Υ)對齊。該基板對齊標記Ρχ的i階反射光藉 由投影系統PL會集且聚焦於光罩上結構相似的一互補標記 Mx上。應明白，會有多個基板與光罩標記，因此&與 中的X可用數位代替。由基板標記ρ χ的1階反射光產生的干 涉信號會干擾光罩標tMx，並產生一干涉信號，其過滤 後在U支路13、14中接受偵^。在該投影系統p L中配置 一 2間滤波器12用以僅選出1階繞射光束。 在-使用孩對齊系統的對齊程序中，將基板置於基板臺 上且在一預對齊單元中進行機械及光學預對齊，由於其與

本發明無關，因此在太十由T 一 在本又中不夕作沉明。預對齊的結果僅 係粗略對齊’因此還需進行精確對齊’其程序如圖3所述。 圖3顯示承載對齊標記峨Μ2的光罩μα，承㈣齊標記^ 及W2的基板W以及承载對齊標記Fi的基板臺⑽（有時稱為 ί:)佳二V干涉移位量測系統1㈣整歸零，其係藉由 使基準F 1與光罩中的次 勺先罩裇記ΜΙ、M2對齊。接著，執 整個的對齊步驟’其係藉由使基板標記 ;=基板—™齊。=: .¾可決足私記的旋轉以及透鏡的 丁 校者使基板盘德 記无分對齊，其係藉由使基板標記们與光罩標記：:、 基板標記W2與光罩標記⑷對齊，然後基 ： 標記Μ 1對齊以及基柄押、 τ A W 1興光罩 > 、 板標^W1與光罩標記M2對齊。所右斜 齊步驟冗成後’將不再需要對齊處理的基板曝光。、 575800 (12) 發明說明續頁

為了在實質上不同的Z個位置處執行精確對齊，該投影 系統PL投射的對齊光束係配置成遠心光束。如果未滿足此 項要求，如圖4所示結果可知：如果對齊光束AB從投影系 統PL射出時未與透鏡底部垂直，並因此與基板的垂直線成 一角度φ，則在對齊一深凹陷的基板標記Px(如置於後續處 理層L内的溝渠下面的基板W上）的過程中會產生定位誤 差。該誤差與sin(cp)及對齊標記Px的深度成比例關係。因 此，該對齊系統的照明部分係配置成在垂直入射時照射對 齊標記Px，無論係該對齊光栅Px的Z位置處。這可藉由使 該對齊系統的照明部分從基板處看去係遠心的來實現。可 藉由在對齊光束的路徑上引進一或多個平板使該對齊系統 的照明邵分成為遠心光學系統。調整（各）平板的厚度、模 角及方向直至得到理想的入射角為止。最好使用兩塊平 板，一塊調整入射角而另一塊調整該對齊系統的X、Y偏 移。以此方式，該對齊光束的入射角可調整至小於0.5 mrad 或 0.25 mrad 〇 如圖5所示，（各）處理層L在基板W頂部形成後，蝕刻溝 渠以顯示出在基板W内蝕刻的零層標記P0，1及P0,2。這些 標記以及第η個處理層上的標記Ρ η，1可藉由本發明的對齊 工具予以對齊。 除了如上所述使對齊光束的入射角最小化之外，可藉由 使用一軟體校正（以校正的經驗資料為基礎）進一步改進該 對齊系統之性能。如圖6所示，入射角為Δφ造成一凹陷標 記ΡΜ的一量測位置偏移其框架位置，偏移量為Ax、Ay。 575800 發明說明續頁 使用一校正基板可測出複數個不同垂直（z)位置的偏移。 接著用該資料來決定一模型的係數。 一簡單的線性模型可採取下列形式：

Ax=az+b Ay=cz+b 〇 使用二次模型可得到更高的準確性，形式如下：

Ax=az2+cz+b

Ay^dzZ+ez+b 〇 當位置標記具有兩個在各方向（X及Y)上有不同週期的光 柵時，還需考慮在該對齊系統中垂直位置的放大對這兩個 光柵的明顯間隔的影響。這可藉由使用該下列形式的模型 來實現： △ shift - x = f-Z-shift-x Ashift-y = g*Z*shift-y 此處的f及g係根據機器或機器類型而定的常數。 當一既定機器.的係數已定，則可用根據標記的垂直位置 計算的每次對齊值A X、A y來校正對齊結果。 雖然本發明的特定具體實施例已如上述加以說明，應明 瞭本發明可以上述内容以外的其他方式完成。此說明並非 限制本發明。 圖示簡單說明 現在僅藉由範例，並參考所附之示意圖說明本發明的具 體實施例如上，其中： 圖1顯示依據本發明的一項具體實施例之一微影投影裝 575800 (14) 發明說明續頁 置； 圖2係圖1微影投影裝置中所包含的對齊系統之簡圖； 圖3顯示對齊處理中的三個步驟； 圖4顯示在一非遠心對齊工具中產生遠心誤差的原因； 圖5顯示依照本發明之方法對齊的高位準對齊標記及凹 陷對齊標記；以及 圖6顯示在一非遠心對齊工具中產生遠心誤差的結果。 在圖中，對應的參考符號表示對應的零件。 主要零件參考編號表列 MA光罩 Μ 1對齊標記 M2對齊標記 Ρ 1 (另指明） Ρ2 (另指明） LA輻射源

Ex光束擴張器 IL 照明系統（照明器） AM調整構件 IN 整合器 C〇聚光鏡 PB光束 MT光罩臺 PL透鏡 RF (另指明） 575800 發明說明續頁 (15) W 基 板 WT 基 板臺 IF 干 涉量測構件 Y1 (另 指明） Y2 (另 :指明） W1 對 齊標記 W2 對 齊標記 F 1 基 準 AB 對 齊光束 L 後 續處理層 W 基 板 Px 基 板對齊標記 P0，1 零層標記 P0,2 零層標記 Pn，l 標記 PM 凹 陷標記 Δφ 入 射 Δχ 數 量 Δγ 數 量 10 對 齊系統 11 (另指明） 12 空間濾波器 13 偵測支路 14 偵測支路

Claims (1)

1. 575800 第092102978號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(92年11月） 拾、申請專利範圍 1. 一種微影投影裝置，其包括： -一輻射系統，其用於提供一輻射投影光束； -一支撐結構，用以支撐圖案化構件，該圖案化構件則 用於根據所需圖案將投影光束圖案化； - 一基板臺，其用於固定一基板； - 一投影系統，其用於將該圖案化的光束投影在該 基板的一目標部分上， - 一對齊系統，其用以偵測該基板上一參考標記與 一對齊標記之對齊，該對齊系統包含一光學系統，其用 一對齊光束照射該對齊標記，其特徵為： 該光學系統適用於引導該對齊光束使之與該基板實質 上垂直地入射在該對齊標記上。 2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該光學系統在該基板 側上實質上係遠心光學系統。 3. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中該對齊光束的一 入射角與該基板的垂直角度小於0.5 mrad，其最好係小於 0.25 mrad 〇 4. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中該光學系統引導 光穿過該投影系統的至少部分到達該對齊標記上。 5. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中該參考標記係置 於該支撐結構及該圖案化構件之一上，且引導光從該對 齊標記穿過該投影系統至該參考標記。 6. —種在形成於一基板上的一元件内使分別置於第一及第 575800 申請專利範圍續頁 二層上的第一及第二對齊標記對齊之對齊方法，該第一 及第二層在與該基板垂直的方向上有一大的間隔，且該 第二層係形成於該第一層之後，該方法包括下列步驟： 該元件的深溝渠蝕刻層覆蓋該第一層以顯示出該第一 對齊標記； .使用一對齊系統對該第一對齊標記執行一對齊操作， 該對齊系統用一與該基板實質上垂直的對齊光束照射該 第一對齊標記； 使用該對齊系統對該第二對齊標記執行一對齊操作。 7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該第二標記係在該深 溝渠I虫刻步驟前I虫刻於該第二層内。 8. 如申請專利範圍第6或7項之方法，其中該第一及第二對 齊標記係繞射光柵。 9. 如申請專利範圍第6或7項之方法，其中該第一層係該基 板。 10. 如申請專利範圍第6或7項之方法，其中該第一層係在該 基板之上形成的一層。 - 11. 如申請專利範圍第6或7項之方法，其進一步包括使用一 位置偏移模型校正該對齊之該步驟，在與該基板的該垂 直表面平行的方向上的位置偏移量與在垂直於該垂直表 面的該方向上的該對齊標記之該位置成函數關係。 12. 如申請專利範圍第6或7項之方法，其中該裝置係一微電 子電機元件或一微光學電子電機元件。 13. —種元件之製造方法，其包括下列步驟： 575800 申請專利範圍績頁 -提供至少部分由一層輕射敏感材料所覆蓋之一基板； -利用一輻射系統提供一輻射投影光束； -利用圖案化構件賦予投影光束一圖案式之斷面； -將圖案化之輻射光束投影至輻射敏感材料層之一目 標部分， 其中在該投影步驟之前，依照如申請專利範圍第6至12 項中任一項之方法執行一對齊處理。