TW574792B - A method and apparatus for low loss high radio frequency transmission - Google Patents

Description

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發明領域 本發明係關於-種低損失低雜訊衛星無 受裝置以及方法。 ％ η & # 發明背景

傳統亡，無線電信號接收器包含一具有濾波及放大功 能之^大益電路，並使接受的射頻信號通過這一連串的電 路。4述的濾波器將不需要的信號（也就是超出頻帶的信 號）以及雜訊濾掉，再由放大器放大保留下來的信號。最 後的結果信號再通過一混合器將之解調。 在接收器中的放大器會伴隨產生雜訊而覆蓋了信號， 因此，放大器加入信號中的雜訊使得放大器輸出的信^比 (S/Ν)下降。總括來說，一個放大器的好壞，取決於他的 雜訊係數（noise factor)F，也就是放大器輸入信號的信 雜比（S/N)in&上輸出信號的信雜比（S/N)_，亦即f = (s/n) in/(S/N)〇ut，而此雜訊係數又可以用來計算雜訊值（n〇ise f igure)NF，其公式為NF = l〇g1Q(F)。為了處理高頻信號接 收器敏感度問題，必須盡量降低雜訊值，否則，雜訊會被 放大，而遮蔽了所需要的信號。 曰 對高頻操作來說，時常需要低雜訊的放大器。低雜訊 放大态（LNA)是一種被特別製造的放大器，在操作時只會 產生很少量的雜訊。無論如何，儘管低雜訊放大器產生_的

第5頁 574792 五、發明說明（2) 雜訊非常小，還是會產生雜訊。為了使低雜訊放大器的效 能達到最佳化，低雜訊放大器的輸入級必須與提供放大器 輸入訊號的來源達到雜訊匹配。 大多數的接收器的第一級都是具有雜訊匹配的。雜訊 匹配-般都被放在第'級’因為第一級主導了雜訊在整個 接收器裡的表現。因為第一級的雜訊匹配，使得每一級所 產生的雜訊會較上一級來的少、。第一級的雜訊匹配在高頻 的發送與接收系統裡是特別重要的（例如：衛星的發送哭 與接收器）在這些發送與接收系統裡，雜訊的表現是信； 能否在經過長距離及穿越各種介質後而被接收的關鍵。 要在傳統Μ波接收器裡達成雜訊匹配，常常使用微帶 線〇niCr〇Strip)與共面波導（c〇pUnar 。然 用微帶線或共面波導有些缺點，就是它們結構中的 ;丨電貝（dleiectric media)會造成嚴重的插入損失 (inSertl〇n loss)，也就是會造成信號強度（或能量）的 Ϊ ΐ i ί的私度視微帶線或共面波導基板的正切/損耗

St :「般來說1來作微帶線或共面波導的基板的 材料包括.Arlon 45Ν指紅你叙n n〇r 係數U〇3。 ❻耗係數G.GlRQgers觀損耗 ΙϋΗ 第6頁

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* 〇 父〉奋 0^7 五、發明說明（3) 用電容來作為這個電路元件。電容是通常用爽 信號放大器以及直流的電源供應的電路元件。m _ 對向頻择作 來說，具有高Q值的單層電容在整個系統中I屋# ^ &屬於成本車交 高的元件。此外，這些電容在製造時常會因為製程精产 同而不一致。有些系統需要較高的敏感度，傻:=二又不 1豕阿頻接收器 操作時，這些不一致會導致一些無法預知且彳艮嚴重的誤 差。有些接收器會使用耦合器來取代電容作耦合，它^製 程比較便宜，而且在RF及毫米波的頻率範圍有报高^效衣 ，一個放大迴路中，典型的耦合器會被放置在連續的 放大器間。其中一種就是四分之一波長微帶線耦合器 〔microstrip QUarter wave coupler)。這種微帶線耦合 器通常只有一或二個用一層介電質支撐的金屬接地面。 然而使用微帶線耗合器 度和間隙會少於5密爾。寬 向性和使用的阻抗所決定的 還衍生了製作含有尺寸控制 基板問題。 是有疑問的，因為耦合線的寬 度和間隙是由頻寬、耦合、方 。此外，微帶線耦合器的製造 良好的空隙及寬度的阻抗線的 另個被廣泛使用的耦合器就是側帶狀線耦合器 屬平板側邊來使信 stripline broadside coupler)，帶狀線耦合器是用金 般來說，這些金屬板的長度

574792 五、發明說明（4) 一 ^四分之一波長。側帶狀線耦合器是由兩片接地％ β π + f橫向電磁波的均勾介電質組成。此外傳 2相同的’還有帶狀線耦合器可以提供好頻：二二 ^•^^b(voltage standing wave rat10 VSW") 然而，使用帶狀線搞合器也有它的缺點。篦 ^ 轉合器比起微帶線编合器有較多的=失弟一， 狀線輕合器需要至少四層結構（四声，失一=，帶 ® Λ L, . 屬層，二層介電皙 :新已製造傳統的兩層結構要貴（兩層金屬層，一声人 電貝層）。此外，要在RF及毫米波的镅|4丨二曰’丨 器的阻抗是非常難的而且很皮的頻率控制帶狀線麵合 的影響 用到比 貴的局 同的目 佳4匕的 配的輸 板，比 。藉著 大器達 的低：L1: 善雜訊在一個接收系統内 :知技一術更少插入損失的基板，且可能還不用到昂 Q值電各’如此可以在製程中節省很多時間及成本。 發明概述 的都：ΐ來說，：個低損耗的高頻傳送系統基於不 含—個取佳化的雜訊匹配的輸人電路及最 濰汛匹配的中級電路，根據本發明中，一個匹 二電路及雜訊匹配的中級電路用了一個懸吊式的基 ΪΪ已知的平板傳輸線’可以顯著地降低插入損失 使用-個懸吊式的基板，可以使第—級的低雜訊放 574792

到最f的效月b。很特別地，本發明將一個雜訊匹配的輸入 級及雜訊匹配的中級電路作在架空之基板。如前所說，本 ΐ f 個車乂小較低成本的天線，具有較低的位元錯誤 々 來祝有較咼等級的群集，且在天氣險惡的 天氣^兄如下雨、下雪，起霧、下康雨等等）也能繼續提

一 f像别面所描述的，本發明使用一個懸吊式的基板電 路^ ^作輸入匹配和一個懸吊式的基板的帶狀線耦合器來 組。、個；|於第一個和第二個低雜訊放大器之間的直流方 塊。=為在輸入級的匹配上使用一個懸吊式的基板，當系 ί 5 t:虎流動時提供了最小的電阻，本發明便產生了最小 :的信號損失。在中級的匹配上使用一個懸吊式的帶狀線 土反對正個系統的雜訊值來說，此中級的匹配實際地消 除了任何上一級傳過來由第一個低雜訊放大器所產生的雜

在典型的實施例中，一個使用懸吊式的基板的雜訊匹 '、及電路’就像别面所說的’典型的雜訊匹配電路因 板的知耗係數，有很明顯的能量損失，本發明使用 =币式的基板因而提供了優於以往關於影響損耗係數的效 2 特別的疋使用懸空式基板的電路的損耗係數介於使用 …、t板與夾層式基板的電路之間。因為懸空式基板的電特 性是由自由空間主導，所以懸空式基板的損耗係數很接近

574792 五、發明說明（6) i耗係』將U ΐ Ξο的知耗係數為0，所以懸空式基板的 在另一種典型 又再度使用懸空式 中級的雜訊匹配電 不用一般接收器所 的成本。此外，既 置電容的製造步驟 還有另一種典 分，除了包含了前 訊匹配電路。這個 級電路相似的結構 後’整個中級雜訊 能0 美把，，中，四分之一波長的側耗合器 ^，绝種懸空式基板耦合器可被用在 ^ 為使用懸空式帶狀線側耦合器而 =的早層電容，所以降低了耦合系統 w而要單層電容，本發明也省去了放 ’進而減少整個接收系統的成本。 型的實施例，一個中級雜訊匹配的部 f的懸空式基板耦合器還有一個中級雜 級雜訊匹配電路也許有和前述的輸入 。因此’當和懸空式基板耦合器結合 匹配的部分會比已知的技術有更佳的效 發明詳細說明 本發明所探討的 技術連線的機械與電 例已經在前面的文章 描述並沒有傾向要限 其強調它可以適用所 進一步說，雖然前面

主題特別適合用在應用高頻無線通訊 機系統。由於本發明所想呈現的實施 被描述過了。現在要先澄清，前面的 制本發明的用途或適用性，只因為與 有東西不如用一個實施例來說明。更 的描述都是在說明本發明使用在接收

574792 五、發明說明（7) 器上的部分，扫9 — 只要是任何需要=5 ；； f也可以用在傳送器或收發器上， 上。 而要傳达或接收高頻信號的系統都可以用得 接收=明明可應用在各種目的設計的前端 號的天線1 η 9 收系統10 〇具有一個接收高頻無線信 大器（低雜+，逛有…一個為了使信號源與第一級低雜訊放 區II 04 放大器）1〇8達成阻抗匹配的輸入雜訊匹配 1 2 •雜汛放大器108與一個中級雜訊匹配區塊110 :二，。中級雜訊匹配區塊110接著連接第二個低雜訊放大 、^線102可以是任何一種接收高頻無線信號的天線， 雖。别面適用天線當信號來源來作說明，但是本發明可適 用任何接收或是傳送高頻無線信號的系統。根據本發明的 典型放大器被架構成可以接收高頻無線信號再將信號轉 換成電信號然後傳送給低雜訊放大器作放大。第一低雜訊 放大器1 0 8與第二低雜訊放大器丨丨6可以是任何適合的低雜 訊放大器。本發明所使用適合的低雜訊放大器就是能將天 線1 02所提供微弱的電信號放大的放大器。在本實施例 中’所使用的放大器可能是單晶微波積體電路（MMIC)組成 的低雜訊放大器或是分離式低雜訊場效電晶體（FET)放大 器。

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。 單層電容114可以是任何典型用來與微帶線中級一起 知作在一個直流區塊的電容。這類電容通常是寬頻的且需 要焊線。典塑的用來與微帶線中級一起操作在一個直流= 塊的單層電容為熟習此技藝者所熟知的，故不在此贅述。 如前所述’接收器別端的放大器作訊號放大時會使雜 祝的等級放大。當天線在接收高頻信號時，可能會收集到 ^境中各種不同的雜訊。輸入雜訊匹配電路通常被設計成 與放大信號阻抗匹配，這樣可使系統的雜訊減至最低。 曰 眾所皆知，輸入雜訊匹配電路是個阻抗轉換器，也就 疋說，輸入雜訊匹配電路將系統的阻抗從約5 〇歐姆轉換成 最理想的阻抗值（Γ opt)，Γ opt是指雜訊被放大最少時的 阻抗值。 第2圖說明一個習知技術的輸入雜訊匹配電路2 0 0，輸 入雜Λ匹配電路2〇〇包括一個接地板go?，一個導體2〇4及 基板20 6 ’基板206置於接地板202與導體204之間。在輸入 雜Λ匹配電路2〇〇中，基板2〇6可以是矽製的，塑膠，陶瓷 /玻璃,王學知 I ^ Μ脂，或是其他雜訊匹配電路中常見的材 料 Ο 就像^ 只們所知道的，傳統的雜訊匹配電路的阻抗及插 入損失主教3 > ^戈疋受基板的損耗係數影響，所以習知技術所製 的接收器會有一些損耗差異來自基板的選擇。

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第3圖是本發明雜訊匹配輸入級電路〗〇6，可以 =雜訊匹配輸入級電路有一個懸吊在導體3〇4與底部的接 地，302間的基板306，基板編就是類似之前所描述舊技 術中提到的基板的構造。在接地板3〇2與基板3〇6間的空間 308主導了輸入級電路1〇6傳送的路徑。 懸吊式基板的意義就是要使電場與磁場主要在空氣 (自由空間）中傳播。々口此，電路1〇6的電性效能就像在 自由王間中一樣，自由空間對RF/微波傳送來說是最理相 的介質。既然空間308的損耗係數接近0，所接收到的信〜號 便可以幾乎完全通過雜訊匹配輸入級電路丨〇6。所以電路 106在前端接收系統1〇〇是用來最小化插入損失，藉以使第 一低雜訊放大器1 08達到最大的效能。 如4所述’因為第一級的雜訊會被隨後的放大器放 大’因此第一級放大器的雜訊主導了整個接收電路的雜訊 值。既然第一級使用雜訊匹配輸入級電路丨〇6來減小雜 訊’則接收系統1 0 0的雜訊值及整體的效能都被改善了。 二此h开> ’本發明的傳輸效能及插入損失比較起被介電質 電性限制傳輸效能的匹配電路像微帶線，帶狀線及共面波 導等等，都被改進了。 再參照第1圖，由第一低雜訊放大器1 08所提供的信號 會被中級雜訊匹配區塊11 〇接收，中級雜訊匹配區塊丨丨〇會

第13頁 574792 五、發明說明（ίο) 使信號達成阻抗匹配及提供直流區塊。 中級雜訊匹配區塊11 〇包括一個作雜訊匹配的及增加 整個系統1 0 0效能的中級雜訊匹配電路丨丨2。雖然雜訊匹配 輸入級電路1 06使用了懸吊式基板的技術，前端接收器的 效能仍可以因為額外的雜訊匹配而增進，雖然這不是必要 的。額外的雜訊匹配可被放置在前端接收器的後級用以減 小插入損失及經過放大級的雜訊。尤其是，任何第一低雜 訊放大器所損失的都直接加成到整個系統的雜訊。使用額

外的雜訊匹配的前端接收器必然能藉著改善插入損失而增 加整個系統的效能。 中=雜訊匹配區塊丨丨〇額外的雜訊匹配從電容丨丨4的後 方接收信號。在本實施例中，中級雜訊匹配區塊i i 〇包括 了中、，及雜枭匹配電路1丨2。中級雜訊匹配電路丨丨2是類似輸 二，電路104的構造。也就是1兒，中級雜訊匹配電 板雜訊匹配電路。如&，接收系統100的 — σ 了 口為由電容114所傳過來的 iiii二Λ/雜訊匹配電路112而到達第二低雜 σΤΙ放大^§ 1 1 6後被放大。 第4圖是本發明個包令額外 器400。特別的是，中級雜訊匹配的前端接收 、、：^隹crfl匹配區塊包括可壁避的φ 級雜訊匹配電路412，雷踗41 ^ 匕括了 k擇的中 電路412的描述及操作類似中級雜訊

第14頁 574792 五、發明說明（11) =^電路1 12和雜訊匹配輸入級電路1〇6。中級雜訊匹配電 ® 從低雜訊放大器1 08接收被放大的信號再使信號與單 =沉谷11 4達成阻抗匹配，這樣一來，信號在通 訊匹配電路412日丰客ν , t τ ^ ^ 訊放大哭5丨穿抗匹配處理。結果第一低雜 400留m弟一低雜訊放大器間的損失更少了而接收器 遠下的雜成對整體的雜訊值貢獻更少了。

^雖然第4圖中，中級雜訊匹配區塊只作了一次中級雜 訊匹^，但本發明並不是被限定只能如此使用。實際上， 某些尚頻傳輸的配置需要放置二或更多個別的中級雜訊匹 =區塊來作雜訊匹配，視尺寸限制及使用的裝置決定。在 ，個例子中，每個個別的雜訊匹配區塊依需要用了 一個或 多個類似電路11 2和41 2的中級雜訊匹配電路。 如前所述，中級雜訊匹配區塊4丨〇包括一個單層電容 114 ’單層電容114會因為不同的公差而製造出不一θ致的規 格。也就是說，單層電容的實際效能會因為不同的電容或 製造者而有所不同。此外，包括單層電容114的中級雜訊 匹配區塊41 0必須將電容的一板精準地放置（固定）在心 的電路（trace)，另一板則焊接在一個分離的RF的電路。 對前端接收器來說，這樣一個附加在RF電路的電容導致了 一個額外的可變性，減少了可預測性及可生產性。所以， 如果一個前端接收器省去了使用單層電容及將電容附加在 電路上的步驟，將可以省去這些成本。

574792 五、發明說明（12) 第5圖是本發明的一個包含額外中級雜訊匹配的前端 接收器5 0 0。這個前端接收器5 0 0使用一個側懸吊式基板耗 合為5 1 4來取代電谷的使用。側懸吊式基板|馬合器5 1 4可以 疋一個側懸吊式基板帶狀線輕合器。第6 A - B圖是本發明的 一個側懸吊式基板帶狀線耦合器5 1 4。 參考第6 A圖’係一側懸吊式基板帶狀線耦合器5 1 4的 剖面圖。側懸吊式基板帶狀線耦合器5 1 4包括一接地板 502，藉由一介層洞連接的518金屬層5 08，在金屬層間的 疋懸吊式基板5 0 6 ’類似懸吊式基板3〇6。在頂金屬層 與頂接地板502間及底金屬層508與底接地板502的是空間 5 2 0。在這個配置中’懸吊式耦合器也可以叫側懸吊式輕 合器’而自由空間主導信號傳輸的路徑，就像前面提到的 輸入雜訊匹配電路1 0 6。 弟6 B圖疋係此搞合器剖面的前視（或後視）圖。如圖所 示，金屬層（或是導體）508由寬W1的頂金屬層5〇8及寬W2

的底金屬層508組合而成，因頂金屬層級底金屬層寬度的 差異，使耦合器5 1 4對製造時的不準確及蝕刻的公差較不 敏感。還有’導體512及516的寬度可藉介層洞518調整成 理想需要的。 側懸吊式基板帶狀線耦合器51 4不只在低雜訊放大器

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1 〇 8及低雜訊放大器116提供了 一個直流區塊，還藉著消除 頻帶增益幫助穩定了前端接收器50 0的震盪。耦合器就 像是一個帶通慮波器能消除頻帶增益。雖然耦合器514 口 是設計頻率中的四分之一波長耦合器，但可以提供一些濾 波效果。四分之一波長耦合器可以濾除設計頻率以外^ g 率。也就是說，側懸吊式基板帶狀線耦合器514提供了直、 流區塊，且避免了其他直流訊號通過到下一級接收電路。 第7和8圖是量測前端接收器30 0與4〇〇的效能的圖 第7和8圖，僅就本發明較習知技術增進之效能加以說明。 其中，第7圖係第4圖的前端接收系統4 〇 〇的效能旦 測，預設雜訊值是1.4dB。第7圖中，係在在外界溫产里 25度時，雜訊值是[45-1·5(1Β，增益是6〇dB。這說日^ τ太 發明比習知技術的雜訊值改善了〇. 5一〇. 8dB。 ^ 雖然接收器400顯示了比習知技術優良之效能， ^明使用侧懸吊式帶狀線麵合器，就像前面提弟= 盎50 0，將有改進更多的效能。如第8圖所示，在_田 攝氏25度時，系統4〇〇的雜訊值是I 25dB 丨二又 達到比系統300及習知技術更高的無線頻率。 °以 1:關落在目標丄.键的範圍内。此外，系統4〇〇大雜訊值 :預疋的雜訊值要低，在使用了懸吊式帶狀線輕人值 後，可以達到預定的雜訊值同時也省去了放置單；二4

第17頁 574792 五、發明說明（14) 製造步驟，降低生產成本 以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限 定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離本發明所揭示之 精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請 專利範圍内。

第18頁 574792 圖式簡單說明 ③讓本發明之上述和其他目 頁易μ，下文特舉出較 ，寻铽、和優點能更明 細說明如下： 只鉍例，並配合所附圖式，作詳 第1圖為本發明之具有縣 路的前端高頻接收器區塊圖' J 土板雜訊匹配輸入級電 ::圖為習知技術高頻傳輸的雜 S圖是-個本發明雜訊匹配輸入級; 苐4圖為本發明另一個前端高頻接收：=卜觀。 輸入雜訊匹配側耦合器的區塊圖； 。的芯吊式基板 弟5圖說明’根據本發明之利用懸 之另-個前端高頻接收器的實施例：塊：广反則耦合器 圖；第6A圖說明本發明的懸吊式基板側輕合器的侧視剖面 第6B圖說明本發明所製的懸吊式基板側 (或後）視剖面圖； 《 π ~ 第7圖是本發明具有懸吊式基板匹配電路及一個單層 電容的前端高頻接收器的頻率響應圖示； θ 第8圖是本發明利用懸吊式基板匹配電路及一個懸吊 式基板側耦合器的前端高頻接收器的頻率響應圖示。 圖式元件符號說明 10 0 前端接收系統 102 天線 10 4 輸入雜訊匹配區塊

第19頁 574792 圖式簡單說明 106 輸入級電路 108 ^ 116 低雜訊放大器 110 、410 中級雜訊匹配區塊 112 > 412 中級雜訊匹配電路 114 電容 200 輸入雜訊匹配電路 202 ^ 302 ^ 5 0 2 接地板 204 、304、 512、516 導體 206 > 306 ^ 506 基板 308 ^ 520 空間 400 > 500 前端接收器 414 、514 耦合器 518 介層洞 508 金屬層

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Claims (1)

1. 574792 六、申請專利範圍 第二耦合器接地板之間； 4) 一第二耦合器導體，位於該第一耦合器導體與該第 二耦合器接地板之間； 5) —耦合器基板，位於該第一耦合器導體與該第二耦 合器導體之間，且該耦合器基板與該第一耦合器導體與該 第二耦合器導體交流； 6) —介層洞，位於該耦合器基板，且該介層洞與該第 一耦合器導體與該第二耦合器導體交流；以及 7) —自由空間，位於該第二耦合器導體與該第二耦合 器接地板之間。 3.如申 級雜訊 路，用 與該高 包括： 1) 2) 3) 間； 4) 間，與 5) 之間。 請專利範圍第2項所述之高頻傳輸系統，其中該中 匹配區塊，包含一懸吊於基板之中級雜訊匹配電 以接收一高頻信號，該中級雜訊匹配電路輸入雜訊 頻信號匹配，且該懸吊於基板之中級雜訊匹配電路 一第三接地板； 一第四接地板； 一第二導體，位於該第三接地板與該第四接地板之 一第二基板，位於該第二導體與該第四接地板之 該第二導體交流；以及 一第二自由空間，位於該第二基板與該第四接地板

   第22頁 574792 六、申請專利範圍 4. 一種高頻傳輸系統，包括： (a ) —懸吊於基板之帶線耦合器，該懸吊於基板之帶線耦 合器係用以提供一直流（DC)區塊，該帶線耦合器包括： 1) 一第一麵合器接地板； 2) —第二搞合器接地板； 3) —第一耦合器導體，位於該第一耦合器接地板與該 第二耦合器接地板之間； 4) 一第二耦合器導體，位於該第一耦合器導體與該第 一搞合益接地板之間， 5) —耦合器基板，位於該第一耦合器導體與該第二耦 合器導體之間，且該耦合器基板與該第一耦合器導體與該 第二耦合器導體交流； 6 ) —介層洞，位於該耦合器基板，且該介層洞與該第 一耦合器導體與該第二耦合器導體交流；以及 7 ) —自由空間，位於該第二耦合器導體與該第二耦合 器接地板之間。 5. —種懸吊於基板之帶線搞合器，包括： 1) 一第一耦合器接地板； 2) —第二搞合器接地板； 3) —第一耦合器導體，位於該第一耦合器接地板與該 弟二柄合裔接地板之間， 4) 一第二耦合器導體，位於該第一耦合器導體與該第

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   二耦合器接地板之間； 一輕 與該 5 ) —耦合器基板，位於該第一耦合器邋 合器導體之間，且該搞合器基板與該第一說一〜 第二耦合器導體交流； 一夺體 6) —介層洞，位於該耦合器基板，且該八 一耦合器導體與該第二耦合器導體交流；以^ 9 ’同與该第 7) —自由空間，位於該第二耦合器導體與該 器接地板之間。 ' ~ 一 a 6. —種高射頻傳輸方法，至少包含以下步驟： (a) 提供一第一輸入匹配電路，用以接收一射頻（RF)信 號，且該第一輸入匹配電路包括： ° 1 ) 一第一接地板； 2 ) —第二接地板； 3 ) —導體，位於該第一接地板與該第二接地板之間； 4) 一基板，位於該導體與該第二接地板之間，與該導 體交流；以及 5) —自由空間，位於該基板與該第二接地板之間，以 及 (b) 提供一第一放大電路，連接該第一輸入匹配電路，用 以接收並放大該射頻信號，以產生一放大之射頻信號。 7 ·如申請專利範圍第6項所述之高射頻傳輸方法，更包括 下列步驟：

   第24頁 574792 六、申請專利範圍 3 ) —第一耦合器導體，位於該第一耦合器接地板與該 第二耦合器接地板之間； 4) 一第二耦合器導體，位於該第一耦合器導體與該第 二耦合器接地板之間； 5) —耦合器基板，位於該第一耦合器導體與該第二耦 合器導體之間，且該耦合器基板與該第一耦合器導體與該 第二耦合器導體交流； 6 ) —介層洞，位於該耦合器基板，且該介層洞與該第 一耦合器導體與該第二耦合器導體交流；以及 7 ) —自由空間，位於該第二耦合器導體與該第二耦合 器接地板之間。

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