TW572906B - Fluorine-containing material for optical waveguide - Google Patents

Description

572906 五、發明說明（1) 【發明所屬的技術領域】 本發明係關於一種對於在 含氟預聚體進行硬化品，山 :八另厌石反雙鍵之 該含氟光導波路用从、、且成之含氟光導波路用材料、和由 硬化物使用在芯部或包層部及將該 件。 《I心主乂 瓊上之先導波路型元 【背景技術】 :著朝向光通信系統之高度 m開發：其中，光導波路係作為：：高ϊί: 般’作為先導波路材料，係要求 ^左目。- 近紅外線波長區域之透明性之控之谷易性、在 等。 f…、眭和耐水耐濕性 現在，作為光導波路材料 # 1 300 〜1 550nm之近紅外線區域之波J :以石公在 為低光損失。但是，製造製程係變係變向而成 困難等之問題發生，不容易得到 及甬：大面積化呈 波路型光元件。 货丨及通用性良好之導 另一方面，由於使用高分子 藉由旋轉式塗敷法等之所進行之 :/皮路，係可以利用 程係變得簡單，也可以成為大面積化；：因&，製造製 烯、丙烯酸樹脂或者聚醯亞胺等之1一疋，在聚笨乙 料’就前述近紅外線區域而言，脂材 队文大（透明性差 $ 6頁 2066-4683-PF(N)；Tcshiau.ptd 572906 五 發明說明（2) )，因此，光損失變大，不容 中之氫，取代為重氫（D)或氟(^。也進行將這些樹脂 結果，改善光學特性，㉟是 认而試圖改善損失。 光學特性顯著地降低。也就是說，^經時性吸水而導致 線區域之吸收，使得傳送之損失呈惡化水分而增大近紅外 作為在近紅外線區域之透明 低吸水率之高分子材料，係提議具‘ ：^失比較低並且 非結晶性含氟聚合•（曰*專利特開：構造之f氟系之 日本專利特開2000-81 51 9號公報等^❶―1 90202號公報、 這些非結晶性含氟聚合物，係在 題發生，但是，玻璃轉移溫度低糸=，方面，並無問 統，聚合物本身係變得粗糙，而在ί::璃轉移溫度之系 產生裂縫等之問題發生。此外，全氟系形成製程上，有 合物、其能夠控制之折射率之範圍=之:M;晶性含氟聚 叶芯-包層型導波路，有相當大之 此’在用以设 作為導波路之芯部之狀態下，由於制存在。例如在使用 成為適當之包層材，因此，正如曰關係、，而無法 號公報所顯示的，必須在芯部，配ί二特，〇"1519 化合物。在這㈣材之狀態下，“：；：：：：率性之 環境等之要因而進行再分散，率= 射车不均一，因此，具有所謂成為大 產生折 之缺點。像這樣，就光導波路用材料^貝2 —項原因 部之問題，因Λ，希望有能夠解決。：：法解決全 k二問4之新的光導波

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五、發明說明（3) 路用材料。 【發明的揭示】 本發明之目的，备 能夠使用特定之含& 徒供—種含氟光導波路用材料’係 性（以下稱為「进，預聚體，維持在近紅外線區域之透明 硬化，而在光導波路:二：透明性」），同時’可以藉由光 本發明之目的 起實現局彈性化和财熱性。 線透明性，同時:别= 一種材料，係能夠維持近紅外 膜製程…利“由光：式，法等之所進行之成 程，也能夠成為大面精彳^進仃之光導波路製造製 波路。 面積化’而可以製造吸水性降低之光導 此外，本發明之目的 造之光導波路用##的係扶供一種使用這些材料而製 klTb泽波路用構件及光導波路型元 衣 本發明者們係為了達成這揭 究’結果，發現以在聚合物侧鍵以進行研 有碳-碳雙鍵來作為特徵之非姓曰σ 鏈末端而具 ^ ^ ^ ^ a, ^ ^ ^ τ 业个T啤低近紅外绫透明性 熱性高之硬化物。 卜深近月性，件到耐 此外，還發現在側鏈末端具有碳— 預聚體之硬化膜，係有利於作為兼特疋3氣 熱性之光導波路用材料。 兼具近紅外線透明性和耐 發明根據這樣之意i’以致於本發明人們係完成以下之本

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第8頁 572906 五、發明說明（4) 本發明之第1種，係關於一種含氟光導波路用材料， 係由氟含有率2 5重量％以上之非結晶性聚合物並且在聚合 物側鏈中及/或聚合物主鏈末端具有碳-碳雙鍵之含氟預 聚體（I )而構成的。 在本發明所使用之含氟預聚體（I )，係最好為化學 式（1 ): —~~…— (1) [在化學式中、構造單位Μ係化學式（Μ )： —-(-CX^2—CX3*)— I (Μ) (CX4X5h(-C = 〇)b(〇>T-Rf (在化學式中、X1和X2係相同或不同而成為Η或f ; χ3係η、 F、CH3或CF3 ; X4和X5係相同或不同而成為η、F或cf3 ; Rf係 在碳數1〜40之含氟烷基或是具有碳數2〜1〇〇之驗鍵之含 氟烧基而結合1〜3個之Υ1 (γι係在末端具有乙烯性碳-破雙 鍵且碳數2〜10之1價有機基）之有機基；^係〇〜3之整 數；b和c係相同或不同而成為〇或1 )所示之由於含氟乙烯 ，單體所造成之構造單位、構造單位A係由於賦予該構造 單位Μ之含氟乙烯性單體和可共聚單體所造成之構造單位] 所示、包含ο·ι〜1〇〇莫爾％之構造單位祕及〇〜99 9莫爾％ 之構造單位Α之數目平均分子量5〇〇〜1〇〇〇〇〇〇之含氟聚合 物0 該含氟預聚體（I )係更加理想是在129〇〜132〇⑽之 波長範圍及/或1 530〜1 570nm之波長範圍内之吸光度係數 之最大值為1 cur1以下之含氟預聚體。 又

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,本，明之第2種，係關於一種含氟光導波路用構件， 係由含亂預聚體（z )之硬化物，或者是除了含氟預聚體 (1 )之外，還由對於組成物（包含光自由基發生劑（π —1 )或光酸發生劑（u — 2 )等之活化能射線硬化起始劑 ^ π )所組成）進行光硬化所構成之硬化物，而組成含氟 光導波路用構件，並且，在這些硬化物之1 290〜 1 320nm波 長範圍及/或1530〜1570 nm之波長範圍内之吸光度係數之 最大值，係為lcm-i以下。 本發明之第3種，係關於一種光導波路型元件，係將 前述第2種之本發明之含氟光導波路用構件，使用在芯部 及/或包層部。 【發明的最佳實施形態】 作為本發明所使用之含氟預聚體（I )之適當聚合 物’係正如前面所述，由化學式（1 ): —~— (1) [在化學式中、構造單位Μ係化學式（Μ )： —fcx'x2—cx3^— I (Μ) (CX4X5h~~^rC = 0)b(0^~R f (在化學式中、X1和X2係相同或不同而成為H或F ; X3係H、 F、CH3或CF3 ; X4和X5係相同或不同而成為Η、F或CF3 ; Rf係 在碳數1〜40之含敦烧基或是具有碳數2〜1〇〇之謎鍵之含 氟烷基而結合1〜3個之Y1 ( Y1係在末端具有乙烯性碳_碳雙 鍵且碳數2〜10之1價有機基）之有機基；a係〇〜3之整

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五、發明說明（6) 數；b和c係相同或不同而成為〇或1 )所示之由於含氣匕烯 性單體所造成之構造單位、構造單位A係由於啤予該構造 單位Μ之含氟乙烯性單體和可共聚單體所造成之構造單位] 所示、包含0. 1〜i 00莫爾％之構造單位Μ及〇〜9 9· 9莫爾％ 之構造單位Α之數目平均分子量5〇〇〜丨οοοοοο之含氟聚合 物。 也就是說’成為在聚合物側鏈具有由於利用反應而赋 予可硬化之乙稀性碳—；e炭雙鍵之含氟乙烯性單體所造成之 構造單位Μ之均聚物或者是以該構造單位μ作為必要成分之 共聚物。 在構造單位Μ之Rf中，γι之至少1個係最好結合在Rf^ 末端上。 在本發明所使用之含氟預聚體（I )中之構造單位 Μ，其中係也最好化學式（Μ1 ): —»(rCXlX2—CXz^— I (Ml) (CX4X5V-fO)^—R f (在化學式中、X1和X2係相同或不同而成為H或F ; X3係H、 F、CH3或CF3 ; X4和X5係相同或不同而成為Η、F或CF3 ; Rf係 在破數1〜40之含氟院基或是具有碳數2〜1〇〇之醚鍵之含 氟烷基而結合1〜3個之Y1 (Y1係在末端具有乙烯性碳-碳雙 鍵且碳數2〜10之1價有機基）之有機基；a係〇〜3之整 數；c係0或1 )所示之由於含氟乙烯性單體所造成之構造 單位Μ1。 包含該構造單位Μ1之含氟預聚體，係特別是近紅外線

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第 11 頁 572906 五、發明說明（7) 透明性咼’不限定在構造單位乂丨之均聚物，即使是在增加 構造單位Ml之組成之共聚物中，也最好能夠提高近紅^卜線 透明性。 、、 此外’構造單位Μ1之更加理想之一種具體例，係化與 式（M2 ): ”子 —fCH2—CF-)— I (M2) C F 2-〇-R f (在化學式中、Rf係在碳數1〜4 〇之含氟烷基或是具有碳 數2〜1〇〇之醚鍵之含氟烷基而結合1〜3個之γι (γι係在末 端具有乙烯性碳-碳雙鍵且碳數2〜1 〇之1價有機基）之有 機基）所示之由於含氟乙烯性單體所造成之構造單位Μ2。 該構造單位M2，係在末端具有乙烯性碳—碳雙鍵之含 氟烯丙基驗之構造單位，不僅可以提高近紅外線透明性， 聚合性良好，特別是均聚性和其他含氟乙烯系單體間之共 聚性良好，因此，變得相當理想。 此外，構造單位Μ1之其他理想之具體例，係化學式 (M3 ): 于二 —(rCF2—CF^— (M3)

I 〇-R f (在化學式中、Rf係在碳數1〜40之含氟烷基或是具有碳 數2〜1〇〇之醚鍵之含氟烷基而結合1〜3個之Υ1 (γι係在末 端具有乙烯性碳-碳雙鍵且碳數2〜10之1價有機基）之有 機基）所示之由於含氟乙烯性單體所造成之構造單位Μ3。 該構造單位M3，係在末端具有乙烯性碳-碳雙鍵之含氟乙

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W之構造單位，可以提高近紅外線透明性 ^ S既乙烯系單體間之共聚性良好，因此， 言’則變得相當理想。 在本發明所使用之化學式（1)之含氟預聚體（ 、’包含在構造單位Μ、Ml、M2和M3中之γι，係正如」） 述’在末端具有乙烯性碳-碳雙鍵且碳數2〜1〇之 月,J 基。 價有機 該Y1中之碳-碳雙鍵係具有引起縮聚反應等之At i 能怒1 _， I力， 巧賦予硬化（交聯）體。詳細來說，可以藉由例如 基或陽離子之接觸，以便於在含氟預聚體（I )之八由 間、或者是在含氟預聚體（I )和配合需要所添加2硬化 (交聯）體之間，引起聚合反應或縮合反應，而 / ^ 、卞硬化 (父聯）物。 作為理想之γι之第1種，係 〜^〇V-4C = 〇）e —Υ2 (在化學式中、Y2係在末端具有乙烯性碳-碳雙鍵之碳數2 〜5之鏈烯基或含氟鏈烯基；d或e係相同或不同而成為〇或 作為理想之Y2，係最好為一CX6 =CX7X8 (在化學式中' X6係Η、F、CH3或CF3 ; X7和X8係相同或不同而成為Η或F )， 該Υ2基係藉由自由基或陽離子之接觸而使得硬化反應性變 南0 作為理想之Υ2之具體例，係列舉

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ch3

I

-CH = CH2、-CF = CH2、-C = CH2、—CF = CF cf3

I

一C = CH2、一CH = CHF 等。 此外，作為更加理想之Y1，係列舉一〇 (C =0 ) cx6 CX X (在化學式中、χ6係Η、F、c扎或化；χ7和乂8係相同或 不同而成為Η或F)，财基係特別藉由自由基之接觸，而 使得硬化反應性，變得更高，就這方面而言’則相者 想’並且’能夠藉由光硬化等而容易得到硬化： 面而言，也相當理想。 ^方 作為前述更加理想之γι之具體例，係列舉 ch3

I II 〇 II 〇 一〇C 一 CH = CH2、一〇C —C = CH2、一〇c 一 CF = CHp、

II 〇 cf3

I 一〇c一c=ch2、一〇c — cf = cf2

II II o 〇 等。 作為其他理想之Y1之具體例，係列舉 一ch=ch2、一ch2ch=ch2、一〇ch2ch=ch2、 一〇ch=ch2、一〇cf = cf2、

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第14頁 572906 五、發明說明（ίο) 一C一och = ch2、一C一〇ch2ch = ch2、

II II 〇 〇

X

I

—CH — CH2〇C — C = CH2 (X:H、F、CH3)、 I II OH 〇 〇 II -ch~ch2occx=ch2 (x:h、f、ch3)、 〇ccx=ch2

一chch2〇ch2ch=ch2 、 -CHCH2OCH2CH=CH2 1 I OH OCH2CH = CH2 等。 即使是在Y1中，具有—〇 (c = 0 ) CF = CH2構造者，係 可以提高近紅外線透明性，並且，硬化（交聯）反應性係 特別高，效率良好地得到硬化物，就這方面而言，則相當 理想。

此外’也可以將前述在側鏈中具有碳-碳雙鍵之有機 基Y1，導入至聚合物主鏈末端。 ^在本發明所使用之含氟預聚體（I)中，包含在構造 單位M、M1、M2和M3中之一Rf —(由-Rf而除去γ!之基 )，係妷數1〜40之含氟亞烷基或具有碳數2〜1〇〇之醚鍵 之含氟亞烷基。該一Rf_基，係可以在所包含之碳原子，

572906 五、發明說明（11) 結合氟原子，一 子之含氟亞烷基 好是含有更多之 話’則最好是全 預聚體（I )中 重量％以上。能 )之近紅外線透 彈性係數之目的 夠呈高度地維持 般是在 、以及 氟原子 氟烷基 之氟含 夠藉由 明性， ，而即 近紅外 在一Rf —基之碳數 下，對於溶劑之溶解性 且’在具有醚鍵之含氟 其硬化物之硬度或機械 含氣亞烧基之碳數，係 具有醚鍵之含氟亞烷基 想為2〜2 0。 碳原子結合氟原子和氫原子或氯原 具有醚鍵之含氟亞烷基，但是，最 (I含有率高）者，更加理想的 或者是具有醚鍵之全氟烷基。含氟 f率係為25重量％以上，最好為4〇 月1J述這些，而提高含氟預聚體（I 特別是由於提高硬化物之耐熱性或 使提高硬化度（交聯密度），也能 線透明性，結果，變得相當理想。 過大之時，於含氟亞烷基之狀態 呈降低，或者是透明性呈降低，並 亞烷基之狀態下，聚合物本身或者 特性呈降低，以致於變得不理想。 最好為1〜2 0，更加理想為1〜;i 〇。 之碳數，係最好為2〜3 0，更加理 作為一 R f —之理想之具體例，係列舉 cf3

I 、兴CF2CFMCH2hr、兴CH2CF2>^CH2>7r、 CF3

I -{CU2hrC- (以上、m:l〜10、n:0〜5)、

I CF3

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第16頁 572906 五、發明說明（12) cf3

I ^CF 2CF 2hr<CF 2CFhr^CH2hr> ^CF2CF2h-iCH2CF2hr<C^2hr^ CF3 cf3

I I -<CF2hrC- , -<CH2CF2h-^CF2CF)1ir(CH2>ir,

CF 5 ) (以上、1 :1 〜10、m :1 〜10、n 4CFCF2〇MCF2〇MCX102CF2CF2O>T(CX11MCFMCH2)-r X9 X12 或者

-fCF2CF〇MCF2O>T<CF2CF2CX102O)1CF2(CF)T<CH2V X9 X12 (以上、X9、X12 係F 或CF3，X1Q、X11 係H 或F ; o + p + q 係 l 〜 3 〇 ; r係〇或1 ; s、t係0或1 )等。 正如前面所述，在本發明所使用之構成含氟預聚體 (Ϊ )之構造單位Μ，係最好為構造單位M1，作為構造 位Ml，係還最好為構造單位M2或構造單位M3。因此，就 造單位M2和構造單位M3之具體例，而進行敘述。 ？ 作為構成構造單位M2之單體之理想具體例，係列舉 ch2=cfcf2〇cf—γι 、ch2=cfcf2〇cfch2—Υ1、 I I 2

CF CF.

2066-4683.PF(N)；Tcshiau.ptd 第17頁 572906 五、發明說明（13) ch2=cfcf2ocfch2o-y\ ch2=cfcf2o^cfcf2o^cf-~y\

I II cf3 cf3 cf3 CH2=CFCF20(CFCF20)-nCFCH2-Y1 、

I I cf3 cf3 ch2=cfcf2〇(cfcf2〇hcfch2och2chch2-y1,

I I I cf3 cf3 y1 CH2 = CFCF2O^CF2CF2〇h1CF2-Y1 , CH2 = CFCF20-(CF2CF20>-nCF2CH2-Y1 , CH2 = CFCF2〇-(CF2CF2CF2〇hCF2CF2~Y1 , CH2 = CFCF2CKCF2CF2CF2〇hCF2CF2CH2 —Y1、 CH2 = CFCF2〇-(CH2CF2CF2〇hCH2CF2-Y\ CH2 = CFCF2CXCH2CF2CF2〇hCH2CF2CH2-Y1 , CH2 = CFCF20-eCF2CF2>-nY1 , cf3 CH2 = CFCF20(CF2CF)-nCH2-Y1 (以上、n係1〜3 0之整數；Y1係相同於前述）。 更加詳細地說，則列舉 CH2=CFCF20-(CFCF2〇hCFCH2OCCX=CH2 ,

I I II cf3 cf3 ο CH2=CFCF2〇-(CFCF2〇hCFCH2OCH2CHCH2OCCX=CH2 ,

I I II cf3 cf3 〇 〇ccx=ch2

II 〇 2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第 18 頁

(I 572906 五、發明說明（14) CH2=CFCF2CKCFCF2〇hCFCH2〇CH=CH2、

I I cf3 cf3 CH2=CFCF204CFCF20hCFCH20CH2CH0CH=CH2、

I I I cf3 cf3 〇ch=ch2 CH2=CFCF2〇4CFCF2〇hCF = CF2、

I cf3 ch2=cfcf2〇^cfcf2o^cfc〇〇ch=ch2、

I I cf3 cf3 CH2=CFCF2CKCFCF2〇HCFCH2OCH2CH=CH2、

I I cf3 cf3 CH2=CFCF2CKCFCF2〇hCFCH2〇CH2CHCH2〇CH2CH=CH2、

I I I cf3 cf3 〇ch2ch=ch2 /Rfl ch2=cfcf2o-(cfcf2o^cfc ——〇ccx=ch2 I I \Rf2丨丨 cf3 cf3 Rf 〇 ch2ch=ch2

I

CH2 = CFCF20-<CFCF20hCF~C~0CCX=CH2 I I II cf3 cf3 〇 ch2ch=ch2 (以上、Rf1、Rf2係碳數1〜5之全氟烷基；X係H、CH3、F 或CF3 ; n係0〜30之整數）等。 作為構成構造單位M3之單體之理想具體例，係列舉 CF2 = CF〇CF2CF2 —Y1、 cf2 = cfocf2cf2ch2-y1 , CF2 = CF〇CF2CF2CH2〇CH2CHCH2 —Y1、 I χ mill Υ 2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第 19 頁 572906 五、發明說明（15) CF2=CFCKCF2CF>irY^ CF2=CFCKCF2CFO)-nCF2CF2CH2~Y1, CF3 cf3 CF2=CF〇4CF2CF〇hrCF2CF2CH2OCH2CHCH2-Y1 CF3 Y1 CF2 = CF〇-eCF2HY1 ^ CF2 = CF〇-fCF2)TCH2-Y1 , cf2=cfocf2cf2ocf2-y1, cf2=cfocf2cf2ocf2ch2~y\ cf2=cfocf2cf2〇cf2ch2och2chch2~y1, CF2 = CFOCF2CF2CH2OCF2CF2-Y1 , CF2 = CFOCF2CF2CH2OCF2CF2CH2-Y1 (以上、Y1係相同於前述；n係1〜3 0之整數）等。 更加詳細地說，則列舉 CF2=CFO(CF2CF〇h7<CF2hCH2OCCX = CH2,

I II cf3 〇 CF2=CFO(CF2CFO)7ir(CF2^CH2OCH2CHCH2OCCX = CH2,

I II cf3 〇 occx=ch2

II 〇 CF2=CFGKCF2CF〇MCF2"hCH2〇CH = CH2、 CF3 CF2=CFGKCF2CF〇h^CFihCH2〇CH2CH〇CH = CH2、

I I cf3 〇ch=ch2 CF2 = CFCKCF2CFCMCFjhC〇〇CH=CH2、 cf3 1ΪΒ1 2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第 20 頁 572906 五、發明說明（16) CF2=CFO^CF2CFO>7^CF^-nCH2OCH2CH = CH2,

I cf3 CF2=CFCKCF2CF〇hr<CF2firCH2OCH2CHCH2OCH2CH = CH2, CF. OCH,CH = CH5

Rf II 〇 CF2==CFO-(CF2CF〇hr<CF2>17C-〇CCX=CH2 CF·

Rf CH2CH = CH2 CF2=CF〇-<CF2CFO>^CF2)li-C-〇CCX=CH2

I II C F 3 〇 ch2ch=ch2 (以上、Rf1、Rf2係碳數1〜5之全氟烷基；m係0〜30之整 數；η係1〜3之整數；X係Η、CH3、F或CF3 )等。 除了這些構造單位M2和構造單位M3之外，作為構成含 氟預聚體（I )之構造單位Μ之單體之理想具體例，係列 舉例如 CF2=CFCF2—〇一Rf—Y1、CF2=CFCF2〇一Rf—CH2CHCH2_Y1、 Y1 CF2 = CF-R f—Y1、CF2 = CF-R f-CH2CHCH2-Y1、 γΐ CH2 = CH — R f — Y1、CH2 = CH — R f —CH2CHCH2 — Y1、

I Y1

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第21頁 572906 五、發明說明（17) CH2 = CHO~R f-Y1, CH2 = CHO~R f-CH2CHCH2-Y1 Y1 (以上、Y1和一Rf —係相同於前述）等。 更加具體來說，則列舉 CF2=CFCF2OCF2CF2CF2-Y1, cf2=cfcf2ocf2cf2cf2ch2-y1, cf2=cfcf2〇cf2cf—Y1、 CF2=CFCF2〇CF2CFCH2—Υ1、 cf3 cf3 cf2=cfcf2〇cf2cfch2〇ch2chch2—Y1、

I CF3 CF2 = CFCF2-Y1、CF2=CFCF2CH2-Y1、 CF2=CFCF2CH2〇CH2CHCH2 — Y1、

I Y1 ch2=chcf2cf2ch2ch2~y1 , ch2=chcf2cf2-y1 , ch2=chcf2cf2ch2-y1 , ch2=chcf2cf2cf2cf2-y1 , CH2=CHCF2CF2CF2CF2CH2 - Y1、 ch2=chcf2cf2cf2cf2ch2och2chch2-y1 ,

I Y1 ch2=choch2cf2cf2-y1 , CH2=CHOCH2CF2CF2CH2-Y1 (以上、Y1係相同於前述）等。 在本發明所使用之含氟預聚體（I )中，構造單位A 係為任意成分，如果可以和構造單位Μ、Ml、M2或M3進行 共聚之單體的話，則並無特別限定，可以配合成為目的之

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第22頁 五、發明說明（18) j氣預聚體（工）或其硬化物之 當地進行選擇。 途、要求特性等，而適 作為構造單位A，係可以例舉 (D由具有官能基之含a乙稀性 °·γ U&單位》 該構造單位①係能夠高度地c構造单位 其硬化物之近紅外線透明性，並且，纟聚及 性或對於溶劑、特別是利㈣ 2料基材之密合 言，則相當理想，除此之外，也能；古就這方面而 聯性等之，就這方面而言，關Y1以外之交 具有S旎基之理想之含氟乙烯性單 係化學式（3 ) : I體之構造早位①， —(·ΟΧηΧ12—cx13^— (cxi42-h—e〇>r-Rf4-z (3) (在化學式中、χη、P和)^3係相同或不同而成為H釘； X14係Η、F、CF3 ; h係0〜2之整數；i係〇或！ ； Rf4係碳數J 〜40之含I亞烧基或疋具有碳數2〜1〇〇之鱗鍵之含氟亞烧 基，Ζ1係由一OH、一CH2OH、一CHOH、缓酸衍生物、— SO3Η、績酸衍生物、環氧基或氰基所組成之群組而選擇出 之官能基）所示之構造單位；其中係最好為由CH2 = CFCF2ORf4 — Ζ1 (在化學式中、Rf4和Ζ1係相同於前述）而衍 生之構造單位。 更加具體來說，則最好列舉 CH2 = CFCF2〇CF — z1 , CH2 = CFCF2OCFCF2OCF-Z1 ,

I I I cf3 cf3 cf3

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第23頁 572906 五、發明說明（19) CH2=CFCF2CKCFCF2〇hCF — Z1、 ch2=cfcf2och2cf2~z1 ,

I I cf3 cf3 ch2=cfcf2och2cf2cf2ocf-z1,

I cf3 ch2=cfcf2〇cf2cf2〇cf2—z1、 CH2 = CFCF2〇-(CF2CF2〇hCF2-Z1 (以上、Z1係相同於前述）等之由含氟乙烯性單體而衍生 之構造單位。 此外，也最好可以例舉由CF2 =CF0Rf4 —Z1 (在化學式 中、R f4和Z1係相同於前述）而衍生之構造單位；更加具體 來說，則列舉由 cf2=cfocf2cf2-z1 , cf2=cfocf2cf2ch2-z1、 CF2=CF〇CF2CF〇CF2CF2 —z1

I cf3 、 cf2=cfocf2cfocf2cf2ch2-z1

I cf3 、 CF2 = CF〇iCF2^Zl , CF2 = CFOfCF2^CH2-Z1 , CF2=CF〇CF2CF2OCF2—Z1、CF2=CF〇CF2CF2〇CF2CH2 —z1、 CF2 = CF〇CF2CF2CH2〇CF2CF2 — z1、 CF2 = CF〇CF2CF2CH2〇CF2CF2CH2 —z1 (以上、z1係相同於前述）等之單體而衍生之構造單位。 此外’作為含有官能基之含氟乙烯性單體，係列舉 CF2 = CFCF2-〇-R f-z1 > CF2 = CF-Rf-Z1 ,

第24頁 2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 572906 五、發明說明（20) CH2 = CH-Rf-Z1、CH2 = CH〇-Rf -Z1 (以上、一 R f —係相同於前述一 R f — ; Z1係相同於前述） 等；更加具體來說，則列舉 CF2=CFCF2〇CF2CF2CF2-Z1、CF2=CFCF2〇CF2CF2CF2CH2-Z1、 CF2=CFCF2〇CF2CF — Z1、CF2=CFCF2〇CF2CF — CH2 — Z1、

I I cf3 cf3 cf2=cfcf2-z1 , cf2=cfcf2ch2-z1 , ch2=chcf2cf2ch2ch2~z1 , ch2=chcf2cf2-z1 ,

ch2=chcf2cf2ch2-z1 , ch2=chcf2cf2cf2cf2~z1 , ch2=chcf2cf2cf2cf2ch2-z1 , CH2=CH〇-CH2CF2CF2-Z\ ch2=choch2cf2cf2ch2-z1 (以上、z1係相同於前述）等。 但是’在使用具有_〇H基、一C00H基和—如311基 體之狀態下，最好是成為不降低近紅外線透 3 =早 之量。 心注之乾圍内 ②由不含有官能基之含氟乙烯性單體而衍生之 1w 該構造單位②，係能夠更進一步地維持高声块=位 聚體（I )及其硬化物之近紅外線透明性，^之3氟預

言’則相當理想。此外’最好是可以藉由選擇二：面而 聚合物之機械特性或玻璃轉移溫度等，特別H 而調整 構造單位Μ進行共聚，而提高玻璃轉移點。疋S好能夠與 作為該含氟乙烯性單體之構造單位②， 式（4 ): 係最好為化學

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第25頁 572906 五、發明說明（21) —ecxi5x16—cx17> (cx1%-)iTr^〇^Tr^R f 5>τ-ζ2 (4) (在化學式中、X15、 X16和X17係相同或不同而成為Η或F ; X17 係Η、F 或CF3 ; hi、il 和 j 係0 或 1 ; Z2 係Η、F 或Cl ; Rf5 係碳數1〜20之含IL亞烧基或是含有碳數2〜100_之趟鍵之 含II亞烧基）所示者。 作為具體例，係最好列舉由 C F 2 = C F 2、C F 2 = C Η 2、C F 2 = C F C 1、C F 2 = C F C F 3、 /CF3

:CFH、CF CF2 = C\ 、CF2 = CF〇(CF2)nF (η : 1 〜5)、CH2 = C(CF3)2、

CF

:CC12、CF2 = CF〇CF2CF〇一C3F

I CF, CH2 = CFfCF2)^Z2 (Z2係相同於化學式（4 ) CH2 = CHOCH2-(CF2^Z2 (Z2係相同於化學式（4 ) CH2 = CHOCH2-tC F2>^-Z 2 (Z2係相同於化學式（4 ) 之構造單位。 ③具有氟之脂肪族環狀之構造單位 t導入該構造單位③之時’則能夠提高透明性，並ΐ 士二：：更加提呵近紅外線透明性，此外，$能夠得到 南玻璃轉移溫度之令翁箱取辦, 3亂預聚體（I )，期待硬化物成為更 n n n 10 ) 10 ) 10)等之單體而衍生

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第26頁 572906 五、發明說明（22) 面之高硬度化，就這方面而言，則相當理想。 作為含氟脂肪族環狀之構造單位③，係最好為化學式 (^ Λ · )c<x'2 (5) {(CX19X20)nlCX2i cx22(cx25x26)n3}- (θ)Π4 (〇)n5 /

Rf6 (在化學式中、X19、 χ2〇、 χ23、 χ24、χ25和χ26係相同或不 同而成為Η或F ; X21和X22係相同或不同而成為Η、F、Cl或 CF3 ; Rf6係碳數1〜10之含氟亞烷基或是具有碳數2〜10之 _鍵之含氟亞烷基；n2係0〜3之整數；nl、n3、n4和n5係 相同或不同而成為〇或1之整數）所示者。 例如列舉 •4CX21 — CX22 —

I I

Rf( (在化學式中、R f6、X21和X22係相同於前述）所示之構造 單位。 具體來說，則列舉由

-f CF — CF4-I I 〇 〇

X

F F

4CF — CF4-I I 〇 〇

X CFa CF,

»fCF — CF — I I 〇 〇

X F CF,

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第27頁 5729〇6 五、 發明說明（23) 彳CF—CF— -4CH-CH4-I I 〇 〇 CFoCl cf2ci cf3 cf:

+ CH — CH·)-I I 〇 〇><r F F CICIO II cI cI 〇 cI c丨〇 I F c —〇 -f cf2-cf-cf-cf2^-I I 〇 cf2 CF2 \Fo、 2 F c c \^/ 2 F F 、c 丨 c > CX23X24/ \ -4CFCF CF 异\ / O — CF2 c cf2/ \ -f CX19X20-CF CF>-

CF〇— O 爷 C X19X20C F — C F C F 2如I I CF2—〇

〇CF3 弋CF—cyI I 〇 〇 X F F -tCF-CF 十 / \ 〇 〇 \ / CF2— CF CF〇 (在化學式中' P、X2。、X23和X24係相同於前述）等。 作為其他之含氟脂肪族環狀構造單位，係列舉例如

第28頁 572906 五、發明說明（24) 4CF2-

ο ο I I CF2 —C F I cf3 等。 ④由不含有氟之乙烯性單體而衍生之構造單位 可以在不惡化近紅外線透明性之範圍内，導入由不含 有氟之乙烯性單體所衍生之構造單位④。 s 可以藉由導入構造單位④，以便於提高對於通用溶劑 之溶解性，或者是改善與添加劑、例如光觸媒或配合需要 所添加之硬化劑間之相溶性。 作為非氟系乙烯性單體之具體例，係列舉α烯煙類： 乙烯、丙烯、丁烯、氣化乙烯、偏氣乙烯等、乙烯轉系气 乙烯酯系單體：CH2 =CH0R、CH2 =CH0C0R (R :碳數1〜2〇 之烴基）等、烯丙基系單體：CH2 =CHCH2C1、CH2 = CHCH20H、CH2 =CHCH2C00H、CH2 =CHCH2Br 等、烯丙基峻系 單體：CH2 =CHCH20R (R :碳數1 〜20 之烴基）、CH2 二、 CHCH20CH9 CH9C00H、 CHo^CHCHpOCHoCHCH, 〇

CH2 = CHCH2〇CH2CHCH2 OH OH 等、丙烯酸系或甲基丙烯酸系單體：除了丙烯酸、曱基@ 烯酸、丙烯酸酯類、甲基丙烯酸酯類之外、順丁烯二酸 酐、順丁烯二酸、順丁烯二酸酯類等。由透明性之觀點來 看的話，將這些非氟系乙烯性單體之氫原子取代成為重氣

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第29頁

572906 五、發明說明（25) 原子者，係更加地理想。 ⑤由脂壞式单體而衍生之構造早位 作為構造單位Μ之共聚成分’更加理想的話，係可以 在構造單位Μ和前述含氟乙烯性單體或非氣乙稀性單體 (前述③、④）之構造單位之外，還導入作為第3成分之 脂環式單體構造單位⑤；藉此而達到高破璃轉移溫度化或 兩硬度化。 作為脂環式單體⑤之具體例，係例舉

(m係0〜3之整數；A、Β、C、D係相同或不同而成為Η、 F、Cl、C00H、CH20H或碳數1〜5之全氟烷基等）所示之原 菠烷衍生物、 μ

等之脂環式單體、或者在前述這些導入取代基之衍生物 等。 / 在本發明所使用之含氟預聚體（I )中，構造單位M (Ml、M2、M3 )和構造單位A之組合或組成比率，係能夠 在構造單位Μ和構造單位A之組合可以成為非結晶性之組°人

572906 五、發明說明（26) 以ίϊΐί率成為25重量“乂上之範圍内，由前述之 许、廊庐笙彳i们之用途、物性（特別是玻璃轉移溫 擇功能（透明性、近紅外線透明性）等，而 ΠB — 作為必要成分，合併具有可以在構 这：：M本身呈南度地維持近紅外線 :化而賦予硬度，性、二、耐 : = 匕之功能。此外，也具有所謂能夠藉由調 整構j位Μ之含有量而進行折射率之控制之特徵。因 體（1 )係即使為包含許多之構造單《之 組=端來說就是僅由構造單位Μ (100莫爾"所組成 之I合物，也能夠呈高度地維持近紅外線透明性。此外， 還同時得到硬化（交聯）密度高之硬化物，得到高硬度、 良好之耐摩耗性、耐擦傷性和耐熱性之被覆膜。 此外’ S由含氟預聚體（工）之構造單位“構造單 位战斤/成之共聚物之狀態下’可以藉著由前述之例舉而 度高及近紅外線透明性高之硬轉^ Μ Ϊ Ϊ :預聚Ϊ ί I)之構造單位M和構造單位A間之共 聚物之狀態下’構造单位Μ之含有量係可 預聚體（D之全構造單位之。.以上 了藉由硬化（交聯）而得到高硬度、良好之耐摩耗性、耐 擦傷性、以及良好之耐藥品性和耐溶劑性之硬化物，因 2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 572906 五、發明說明（27) 此、，構造單位Μ之含有量係最好是2 · 〇莫爾％以上，更加理 想為5莫爾％以上’最理想是莫爾％以上。 特別是在必須形成耐熱性、透明性和低吸水性良好之 硬化被覆膜之光導波路用材料之用途上，構造單位Μ之人 有量係最好是含有1 〇莫爾％以上，更加理想為2〇莫爾％以 上，甚至5 0莫爾％以上。上限係未滿} 〇 〇莫爾％ 。 由於在本發明所使用之含氟預聚體（〗），係即 加構造單位Μ之比率（即使增加硬化部位），也不 9 近紅外線透明性，因此，特別是在光導波路用材 - 上，具有理想之特性。 途 此外，硬化性含氟預聚體（1)，在由光通信用用 上之可見光開始至近紅外線區域而高透明性成為必壯 態下，具有構造單位Μ和構造單位Α間之組合可以成 晶性之組合和組成，係相當重要。在這裡，所謂非二曰 性，係在DSC分析中，以升溫速度1(rc/min之條件::一 測定（ASTM D3418-99)時，觀察有無根據實質上之货進订 所造成之吸熱波峰，或者是顯示溶解熱量為丨j /g以之 係最好 此外，硬化性含氟預聚體（I )之氟含有率 為25重量％以上。 在氟含有率低之時，在近紅外線區域之透明性係 低。此外，在氟含有率低之時，吸水性係也變高，以 無法在實質上，作為光通信用等之光學材料。作 ^ 材料及發光材料用途，最理想之氟含有率，係為4〇重量％

572906 五、發明說明（28) 2。氟t有率之上限係隨著含氟預聚體（I )之組成而 m =舌ΐ氫原子全部被取代成為氟原子時之氟含有 率，係為75重量％左右。 :氟預聚冑（I )之分子量，係可以在例如數目平均 刀里中由500〜10〇〇〇00之範圍而進行選擇，最好是 1 000 500000 ’特別是最好由2〇〇〇至200000之範圍而進行 選擇。 六在，子量過低之時，即使是在硬化後，機械物性係也 各易變得不充分’特別是硬化物或硬化膜容易變脆，而成 為強度不f。f分子量過高之時，則溶劑溶解性係容易變 差’或者是在薄膜形成時，成膜性或矯正性容易變差，並 且、，含氟預聚體之儲藏安定性也容易變得不穩定。作為光 導波路用途’最好數目平均分子量係由5〇〇〇至1〇〇〇〇〇之範 圍而進行選擇。 含說預聚體（I)、其含氟預聚體本身（硬化前）之 1290〜1 320nm波長範圍以及153〇〜157〇nm波長範圍内之吸 光度係數之最大值，係最好為lcnfl以下、甚至〇. 5 cnri以 下’特別疋最好為〇 · 1 cm-1以下。此外，作為折射率，係 ，好在nd :1.3〜1·7之範圍内。可以藉由決定各種之構造 單位Μ之種類、含有量、配合需求所使用之構造單位a之種 類，而進行該調整。可以藉由這些調整，而進行後面所述 之利用在光導波路型元件中之芯部或包層部上之選擇。 此外’還在含氟預聚體，最好是可溶解在通用溶劑 中，例如最好疋可溶解在酮系溶劑、乙酸酯系溶劑、醇系

Μ 第33頁 2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 572906 五、發明說明（29) 溶劑、方香族系溶劑中少 ―此、S田〜剩$ I η 種、或者是可溶解在包含 这t通用浴劑至少1種之混合溶劑中。 所謂可溶解在通用溶劑中，仫 夕制沪由；v π π丄 係特別是在形成光導波路 之製私中而必須形成“瓜左右之薄 性和均質性，因此，變得理邦，姓寸：民好之成膜 叉付狂心 結果，即使是在来導 形成之生產性方面，也變得相當有利。 為了得到在本發明所使用之含氟預聚體（"，因 此，一般也可以採用以下之任何— 厶Λ且古VI夕留胁 'Α 種方法•①可以預先地 合成具有Υ之皁體而進行聚合之方法；以及②一

具有其他官能基之聚合物，藉由高分 U 物轉換為官能基，導入官能基Y1之方法。"、 將h聚合 士但ΐ’在①之方法’為了得到並無反應（硬化）側鍵 末端之奴-碳雙鍵而在側鏈具有碳-碳雙鍵之含氟預 鏈 (I )，因此，必須藉由改變（共）聚合性之單體 種之雙鍵（成為主鏈之雙鍵和成為側鏈之雙鍵） 性，而僅造成某一邊之雙鍵之聚合；在這樣之方法中了 到在側鏈具有碳-碳雙鍵之含氟預聚體之聚合條件之 于 擇，係變得困難，並且，所得到之含氟預聚體中之側鏈 雙鍵本身之硬化反應性，係不容易變得太高，因此， 是②之方法。 取奸 ②之方法係容易在不進行硬化反應之狀態下，得到 發明之含氟預聚體，並立’就硬化反應性高之碳〜碳雙鍵 也能夠導入至側鏈及/或主鏈末端之觀點而言，②之方法 係理想之方法。 '

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 572906 五、發明說明（30) — 即使是在②之方法中，正如後面所敘述的，例如最好 可以採用以下之方法：在一旦對於具有羥基或具有該擁 經基之有機基Y3之含乱單體之構造單位Μ以及配合需要而 由能夠與Ν進行共聚之單體之構造單位Β所組成之含氟聚合 物，進行合成之後，接著，使得不飽和羧酸或其衍生物： 發生反應，而將碳-碳雙鍵導入至聚合物之側鏈中及/ 主鏈末端。 以下，例舉其詳細說明。 首先，化學式（2 )： —~~(-Β^— (2) [在化學式中、構造單位Ν係化學式（ν ) —(-CX'X2 —CX3-)— (N) (CX4x5^-<-C^〇)b(〇)__Rfl (在化學式中、X1和X2係相同或不同而成為Η或F ; X3係Η、 F、CH3或CF3 ; X4和X5係相同或不同而成為η、F或CF ; Rfi 係在奴數1〜40之含氟烷基或是具有碳數2〜1〇〇之醚鍵之 含氟烧基而結合卜3個之γ3 具㈣基且碳數】 〜ΐ〇〇，α有機基）之有機基；“系〇〜3之整數；…係 ΪΓί:同而成為0或1)所示之由於含氟乙烯性單體所造 ，之3有經基之構造單位、構造單位Β係由於賦予該構造 :二之單=基之乙婦性單體和可共聚單體所造成 qq ^ 不之i含0.1〜100莫爾％之構造單位N和0 之構造單位B之含有經基之含說聚合物⑼ 、以及不飽和賴或其衍生物，發生醋化反應，而製造

572906 五、發明說明（31) 含氟預聚體（I )。 一在該含氟預聚體（j )之製造法中，於化學 所示之先驅物之含有羥基之含氟聚合物（ffi)，作^搂） Π之具體例’係最好可以分別地利用對應於先前所誇造 f: 3氟預聚冑（I )之構造單位M之各個 ^含碳-碳雙鍵之部位γ1取代為包含011基之部位Y3之將 ΓΓΛ最古好可以利用相同於前述構造單位a者广， ί::中係碳-碳雙鍵之羧酸或^ 除=如最好為不飽和m酸或其衍生物。

'R CH2 = c vC〇〇h (在化學式中、R係η、CH2 羧酸之酐、或者 、CF3或C1 )所示之酸或這些

/R CH2=c

\c〇X (在化學式中 化物之外，還 酸單烷基酯等 、R係相同於前述 列舉順丁烯二酸、 ;x係C1或ρ )所示之酸鹵 順丁烯二酸酐、順丁烯_ 其中，在採 進行反應，並且 用不飽和羧酸函化物之時 ’能夠防止所生成之聚合 ，可以在室溫 物之凝膠化， 因 572906 五、發明說明（32) 此，則變得相當理想。 具體而言’特別是最好為

F I CCOF ch3 C Η 2 = C H C O C 1、C Η 2 = c C 〇 c 1、c Η 在含有羥基之含氟聚合物（m)反應α，点_不飽和羧 酸鹵化物之方法，係並無特別限定，但是，通常可以將含 有羥基之含氟聚合物（皿），溶解在溶劑中，並且，在該 含有羥基之含氟聚合物（诅）中，於_2〇 〇c〜4(rc左右之1 咖度下授拌及’必合α，不飽和叛酸豳化物，進行反 應。 在該反應中，由於反應而副產生HC1或叮，但是，由 於捕抓這些HC1或HF之目的，因此，最好添加適當之鹽 基。作為鹽基，係列舉吡啶、N，N-二曱基苯胺、四甲基尿 素、三乙基胺等之3級胺、金屬鎂等。此外，在反應時1， 也了以共存用以禁止原料之α，々—不飽和致酸或所得到之 含說預聚體中之碳-碳雙鍵發生聚合反應之禁止劑。 作為禁止劑，係列舉氫醌、t- 丁基氫醌、氫醌單曱基 驗等。 藉由習知方法，而對於具有相當於各個構成單位之羥 基之乙烯性單體N以及成為所使用之狀態下之共聚成分之 單體B，進行（共）聚合，以便於得到含有不飽和羧酸或 反應其衍生物前之羥基之含氟聚合物（皿）。聚合方法係 可以利用自由基聚合法、陰離子聚合法和陽離子聚合法

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第37頁 572906 五、發明說明（33) 等其中’為了得到含有羥基之聚合物（瓜），因此，由 ί Ϊ基t f合性良好之觀點、甚至所得到之聚合物之組成 或刀子量專之品質容易控制之觀點以及容易進行工業化之 觀點來看的話，例舉之各個單體，係最好使用自由基聚合 法。 、—為了開始進行自由基聚合，則可以為呈自由基方式地 進"T裝置而並無任何之限制，但是，藉由例如有機或 無，自由基聚合起始劑、熱、光或電離放射線等，而開始 進打自由基聚合。聚合之形態係也可以使用溶液聚合、^ ί 2田懸濁聚合和乳化聚合等。此外，分子量係藉由聚 二痒心、、W ^ f體濃度、聚合起始劑之濃度、鏈鎖移動劑之 入之嚴俨細I 。共聚物之組成係可以藉由所裝 入之皁體組成而進行控制。 衣 即使單獨使用含氟預聚體（j ), 之光導波路用材料，但是2 乂传到本發明 仆把柃逾丨丨「π、 一 還了以添加成為活化能射線碩 〇 )之光自由基起始劑（D-1)或光酸發座 (Π -2 )而成為光硬化型組成物之形態。 劑 本發明材料中之含氟預聚體（j )，係在 側鏈中及/或聚合物主鍵末端具有鍵 /口物 25重量％以上之非結晶性含 &雙鍵且氟含有率 彻士，3氟預聚體，即使就理想之I雜 例而a最好可以利用相同於前述者。 ^艾具體 活化能射線硬化起始劑（Π ) , , 35〇nm以下之波長區域之電磁波是；二射例如 線、x射線”射線等之活化能射線，最：：生

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第38頁 572906 五、發明說明（34) 自由基或陽離子（酸）等，而發 體之碳-碳雙鍵之硬化（交聯反應 為開始進行含氟預聚 用藉由紫外線而發生自由基胳^之觸媒功能，通常使 生自由基者。 < (酸）者、特別是發 在利用成為本發明之光導 樹脂組成物之時，可以Μ由二用材料之光硬化型含氟 進行硬化反應，並不需= = = ;射線而容易開始 溫，進行硬化反應，因此，就铲 ^ ，可以在比較低 於熱而發生變形、分解戋著色^美^°耐熱性低、容易由 笼夕古A ^ — 1 色之基材、例如透明樹脂基材 等之方面而s ，則變得相當理想。 本發明材料中之活化能射線硬化起始劑（π)，係藉 由含氟預聚體（I )中之碳—碳雙鍵之種類（自由基反應曰 性或陽離子（酸）反應性）、所使用之活化能射線之種類 (波長區域荨）和照射強度等而適當地進行選擇。 一般作為使用紫外線區域之活化能射線而硬化具有自 由基反應性之碳-碳雙鍵之含氟預聚體（I )之起始劑 (光自由基發生劑），係可以例舉例如以下者：乙醯苯系 -乙醯苯、氣乙醯苯、二乙氧基乙醯苯、羥基乙醯苯、α- 胺基乙醢苯等、安息香系-安息香、安息香甲基醚、安息 香乙基醚、安息香異丙基醚、安息香異丁基醚、苄基二曱 基酮縮醇等、二苯甲醇系-二苯甲酵、苯醯安息香酸、苯 醯甲基安息香酸、4-苯基二苯甲酵、羥基二苯甲醇、羥基 丙基二苯曱醇、丙烯酸化二苯甲酵、四甲基二胺基二苯甲 酮等、噻噸酮類-噻噸酮、氯噻噸酮、甲基噻噸酮、二乙

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 572906 五、發明說明（35) 基噻噸酮、二甲基噻噸嗣等、豆 一 醯基膦氧化物、乙醛酯、3-香% = α醯基肟酯、 酉昆、蒽酮等。 香丑滿酮、2-乙基蒽酮、樟腦 此外，也可以配合需要’而添加胺 類等之光起始助劑等。 碼類、亞％备 此外，作為用以硬化具有陽離子 碳雙鍵之含氟預聚體（；[)之起私$丨彳止）反應14之石反_ 可以例舉以下者：鏺鹽—碘錄 〇 * “酸發生劑），係 鹽、銨鹽、卩比咬鎗鹽等、瑪化合物n基d 化烷某碏酸铲、芸其供缺等磺酸酯類-烷基磺酸酯、i 亞胺化合物類、重氮甲烷化合物類等。《其他-碼醯 此外，作為自由基反應性 ^ ^ 述化學式-〇“=卿,,：:1雙鍵，係以例如前 性之碳-碳雙鍵，係、列舉例如頻示^ 為陽離子反應 之-〇CH=CH2、' 理想之γ1者中 在本發明之光導波路用 ^ 藉由含氟預聚體（I )和活化lt私 月_J面所述，係可以 化性含氟樹脂組成物，並且硬化起始劑而形成硬 後面所述之溶劑之塗敷配合需要，而在這些包含 硬化劑。 3氟樹脂組成物塗敷液，還添加 作為硬化劑，係最好能 不飽和鍵之自由基或酸而進3 :僅具有1個以上之碳-碳 烯酸系單體等之自由基聚合^二，具體來說，係列舉丙 >口 f生早體、乙烯醚系單體等之陽 2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第40頁 572906

離子聚合性單體。這些單體，係可以 ，能之單胃’也可以為具有2個以 - 官能之單體。 叉輝之多 具有這些碳-碳不飽和鍵之所謂硬化劑，係可以 在本發明材料中之活化能射線硬化起始劑和光等之活曰 射線間之反應所產生之自由基或陽離子而進行反應 月匕 本發明材料中之含氟預聚體（〗）之碳—碳雙鍵和共曰， 以便於達成交聯。 、Λ 作為單官能之丙烯酸系單體，係除了丙烯酸、丙 酯類、甲基丙烯酸、曱基丙烯酸酯類、α —氟丙烯酸、 氟丙烯酸酯類、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐、順丁烯二萨 酯類之外，還例舉具有環氧基、羥基、羧基等之（甲=^ 丙烯酸酯類等。 ^ ； 其中’為了呈咼度地維持硬化物之近紅外線透明性， 因此’、最好為具有氟烧基之丙烯酸醋系單體，例如最好為

X

I ch2=c-coor f 10 (X係H、CH3或F ; Rf1G係碳數2〜40之含氟亞烷基或是具有 被數2〜1〇〇之醚鍵之含氟亞烧基）所示之化合物。 具體而言，則列舉 干 f CH2=C — C〇〇CH2CH24CF2>^F、 CH2=CCOOCH2CH2-eCF2h-F,

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第41頁 572906 五、發明說明（37)

X X

I I CH2=C — C〇〇CH24CF2Mi、 ch2=cc〇〇ch2cf3、 X x

I I CH2=C — C〇〇CH2^€F2>t«、ch2=cco〇ch2(cf2)6h、 X cf3 x cf3 II II ch2=c-cooch 、 CH2=C_C〇〇C一CF3、

I I cf3 cf3 x cf3

I I CH2=C — C〇〇CH24CF2)tCF 、

I cf3 CH2=C-COOCH2CF-(OCF2CF>irOC3F7 (以上、X係H、CH3或F ; n係1〜5之整數）等。 作為多官能丙烯酸系單體，一般係已知將二元醇、三 元醇、四元醇等之多元醇類之羥基而取代為丙烯酸酯基、 甲基丙烯酸酯基、α -氟丙烯酸酯基之化合物。 具體而言，則列舉將1，3- 丁烷二元醇、1，4- 丁烷二元 醇、1，6-己烷二元醇、二乙烯乙二醇、三丙烯乙二醇、新 戊基乙二醇、三羥曱基丙烷、季戊四醇、二季戊四醇等之 各種多元醇類之2個以上之羥基而取代為丙烯酸酯基、曱 基丙烯酸酯基、α -氟丙烯酸酯基中之任何一種之化合 物。 此外，特別是以能夠高度地維持硬化物之近紅外線透

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第42頁 572906 五、發明說明（38) —

明性之方面來看，最好也可以利用將具有含氟烷基或含I 亞烧基之多元醇之2個以上之羥基而取代為丙烯酸酯基、 曱基丙烯酸酯基、α〜氟丙烯酸酯基之多官能丙烯酸系 體。 、 作為聚體例，係最好列舉

R f n-CH-CH2OH , r f i1-CH2OCH-CH-CH2OH 〇H OH

R

I H〇CH2C—C〇〇CH2CH—R f 11

I I ch2oh oh (以上、Rf11係碳數1〜40之含氟烷基；R係H或碳數1〜3之 烷基）、 H〇一 CH2 — R f 12 — CH2〇H 、 HO-CH2CH~CH2-Rf12-CH2-CHCH2OH 、

OH OH I i

H〇 一 CH2C_C〇〇CH2CH — Rf12 — CHCH2〇C ——CCH〇OH

I I I II I CH2OH oh oh 〇 ch2oh (以上、Rf12係碳數1〜40之含氟亞烷基；R係h或碳數1〜3 之烧基）等之一般式所示之含貌多元醇類之2個以上之經 基而取代為丙烯酸酯基、曱基丙烯酸酯基或α-氣丙稀酸 酯基之構造者。 此外’在使用這些例舉之單官能、多官能丙烯酸系單

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第43頁 572906 五、發明說明（39) 體而作為硬化劑之本發明材料 硬化反應性良好之方面來 γ 八中，特別是由 醋化合物。 的5[則最好為一氟丙稀酸 在本發明之光導波路用材料中，活 添加量’係隨著含氟預聚胃（硬化起始 雙鍵之含有量、硬化劑之有尨使用 1 )中之碳-碳 至還由於所使用之起始劑、活鼾化劑之使用量，甚 量（強度和時間等），而適當地ς行選：種類或照射能源 ;，係成為"1，重量份，=聚二=重量 為0·01〜10重量份❶ 重I份，最好 詳細來說，相對於在含氟預聚人 在使用硬化劑之狀態下，相 10莫爾％ 。 中之所包含之碳-碳雙鍵之含有量、3氟預聚體（1) 碳-碳不飽和鍵之莫爾數之合叶箪赵 和硬化劑之 γ，最好為。.卜20莫爾％，最佳理想:為5·〜ι〇二 本發明之材料，係除了前述化合物之外還可以配合 需要，而在不降低近紅外線透明性之範圍内，配合各種添 加劑。 作為這樣之添加劑，係列舉例如矯正劑、黏度調整 劑、光安定劑、水分吸收劑、顏料、染料、補強劑等。 ΙΗ Η 2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第44頁

572906 五、發明說明（40) 本發明之光 分散在溶劑中， 上。 在這裡使用 或分散含氟預聚 )、配合需要而 加劑者，並無特 解含氟預聚體（ 作為這樣之 劑、甲基溶纖劑 溶劑；二曱基乙 酯、乙基乙醯乙 丁基丁酸、甲基 酮酸、3-曱氧基 2-羥基異乙基丁 丙烯乙二醇單乙 單甲基醚乙酸鹽 醇單丁基醚乙酸 醇系溶劑；2-己 系溶劑；甲醇、 劑；甲笨、二甲 上之混合溶劑等 此外，為了 也可以配合需要 導波路用 供應作為 於溶液調 體（I ) 添力口之硬 別之限制 I )者。 溶劑，係 乙酸鹽、 二酸酯、 酸鹽、丁 乳酸、乙 乙基二乙 酸等之酯 基_、内 、丙烯乙 鹽、二 丙 _、環己 乙醇、汚 苯等之芳 〇 提高含氟 ，使用氟 材料’係正如後面所述，溶解或 光導波路用之各種構件之製造 製之溶劑，係可以為均勻地溶解 、活化能射線硬化起始劑（n 化劑、矯正劑和光安定劑等之添 ，但是，特別是最好為均勻地溶 列舉例如甲基溶纖劑、乙基溶纖 乙基溶纖劑乙酸鹽等之溶纖劑系 乙基丙酮酸、乙基-2-羥基丁酸 基乙酸、戊基乙酸、乙基丁酸、 基乳酸、3-甲氧基甲基二乙基曱 基甲酮酸、2-羥基異甲基丁酸、 系溶劑；丙烯乙二醇單曱基醚、 婦乙二醇單丁基鱗、丙烯乙二醇 一醇單乙基鍵乙酸鹽、丙稀乙二 烯乙二醇二甲基醚等之丙烯乙二 酮、曱基胺基酮、2-庚酮等之酮 醇、異丙醇、丁醇等之醇系溶 香族烴類或者這些溶劑之2種以 預聚體（I )之溶解性，因此， 系溶劑。

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第45頁 572906

五、發明說明（41) 作為氟系溶劑，係除了例如CH3CC12F (HCFC- 141b )、 CF3CF2CHC12 /CC1F2CF2CHC1F 混合物（HCFC-225 )、全 i 已 院·、全氟（2_ 丁基四氫化卩夫喃）、甲氧基-九氟丁烷、 1，3-雙三氟曱基苯等之外，還列舉 H(CF2CF2^tCH2〇H (η : 1〜3之整數）、

F (CF2^CH2OH 一(Π : 1〜5之整數）、cf3ch (CF3 ) 0H等之氟系醇類；笨并 二I化物、全氟苯、全氟（三丁基胺）、 C1CF2CFC1CF2CFC12 等。 ^ 這些氟系溶劑係可以單獨使用，也可以使用作為敦系 /谷劑間、非氟系和氟系之1種以上之混合溶劑。 即使是在這些溶劑中，由塗裝性、塗敷之生產性等之 方面來看’則最好為酮系溶劑、乙酸酯系溶劑、醇系溶 劑、芳香族系溶劑等。 本發明之第2種，係關於一種由單獨對於含氟預聚體 (1 )、或者是對於包含前述活化能射線硬化起始劑（n )

所組成之組成物進行光硬化而組成之硬化物所組成之 光導波路用構件。 L 該硬化物、在1 290〜132〇nm之波長範圍和1 530〜 nm之波長範圍内之吸光度係數之最大值，係為丨cnrl以 件β 種發明之光導波路用構件，係構成光導波路型元 ’而形成在基板上。在這裡，所謂光導波路型元

572906 五、發明說明（42) 係藉由光導波路而連接光功能元件間，因&，光導波 卩係由心αΡ和包層部所構成。另一方面，所謂光功能元 ’係對於光通信信號而顯示放大、波長變換、光合分波 波長選擇等之作用之元件，也有各種之形態，但是，也 用以進行光合分波或光放大之導波路型功能元件。在該 、下功月b元件係也由芯部和包層部而形成。本發明之 1件係也可以使用在任何之芯部和包層部上，也能夠僅在 ^部或包層部，使用本發明之構件。此外，也可以在本發 月之構件中，含有各種之功能性化合物、例如非線形光學 材料或螢光發光性之功能性有機色素、光微影材料等，使 用作為導波路型功能元件之芯材。此外，芯部和包層部兩 者’係更加最好為硬化含氟預聚體者。 也就是說，本發明之第3種，係關於一種包含前述本 發明之第2構件之光導波路型元件。 /在光導波路型元件具有怒部和包層部之狀態下，必須 使得芯部之折射率高於包層部之折射率，但是，芯部和^包 層部間之折射率之差異，係最好為〇· 〇〇3以上，更加理想 為〇· 〇1以上。由於本發明之材料和構件，係能夠呈幅寬〜廣 闊地控制折射率，因此，材料之選擇範圍寬。 兴 在光導波路型元件，芯部之幅寬係最好為 更加理想為5〜50,。此外’芯部之高度係最好為5〜 50 zzm ^芯部之幅寬和高度之精度，係最好為平均值5 %以 下，更加理想為1 %以下。 0 圖1係以概略剖面圖而例舉典型之光導波路型元件之 驪 第47頁

IH 2066-4683-PF(N)；Tcshiau.ptd 572906 、發明說明（43) 構造。符號1係基板，2係芯部，4和5係包層部。這樣之光 導波路型元件，係使用在連接光功能元件間，由某一 光功能元件末端所送出之光線，係在光導波路型元件之芯 部2内、例如芯部2和包層部4、5間之界面，反覆地進^ 反射，同時，傳播至另一邊之光功能元件末端。光導 型元件之形式’係、可以成為平面型、帶狀型、波峰 = 入型等之適當形式。 $ 光導波路型元件之基板材料，係並無特別限定，可 使用金屬、半導體材料、陶冑、玻璃、熱塑性樹脂和 性樹脂等之適當材料。 …q 在圖2顯示使用本發明之材料之光導波路型元件之製 造作業之某一例子。光導波路型元件係利用光微 進行製造。首先’正如圖2(a)所示，預先在基w:，而 形成包層部4，形成本發明（形成芯部）之光導波路用材 料之膜3。在形成這些包層部4和芯部之光導波路用材料 膜之形成時，最好是藉由旋轉式塗敷、流延式塗敷等之 敷用^置而塗敷這些材料溶液，特別是最好為旋轉式塗、 =前述各種材料溶液’係、最好是以配合各層膜厚度之 度而溶解在溶媒中之後，接著，藉由例如孔徑〇· 2 “取 左右j過濾器，而進行過濾及調製。 一則述各種材料溶液之理想濃度係隨著塗敷方法而不 :，但是，就形成芯部之樹脂而言，一般是對於溶劑丨公 ==f為5〜lOOOg，特別是最好為30〜5〇〇g，就包層部材 ；；s ’一般是成為1〜100〇g，特別是最好為30〜50Og。

572906 五、發明說明（44) 此外’放射線感應性材料之理想濃度，一般係對於溶劑1 公升而成為100〜500g ’特別是最好為30〇〜4〇〇g。 在這裡溶液調製所使用之溶劑，係適合為前述者。 ^ 接著，正如圖2 (b)所示，對於含氟預聚體，透過既 疋圖案形狀之罩募6 ’而照射活化能射線7。然後，配合需 要’而進行預備燒結。在進行光硬化時’本發明之光導波 路用材料中之含氟預聚體（I )之碳—碳雙鍵，係在分子 間’進行聚合’使得聚合物中之碳-碳雙鍵減少或消失。 結果，不僅使得樹脂之硬度變高，機械強度提高，或者是 ^熱性提高，甚至對於在硬化前之所溶解之溶劑，成為不 溶二而且，還對於其他數目眾多之各種溶劑，成為不溶。 也就是說，發揮作為光阻劑材料之功能。接著，藉由利用 適當之溶劑，而溶解尚未硬化之含氟預聚體’以便於正如 圓2 (c)所示，形成既定圖案形狀之芯部2。光導波路型 疋件，係也可以僅在具有像以上所述而形成之芯部2之形 態下，直接地使用，但是，在芯部2之形成後，正如圖2 所示’最好還形成包層部5。最好是藉由利用旋 塗敷、流延式塗敷和滾筒式塗敷等，而塗敷該包層部5 " 材料溶液，以便於形成該包層部5，特別是最好為旋 二此外，包層部5之材料溶液，係也最好 ： 溶解在溶媒之後，例如藉由孔徑〇.2#m左右之 何科 行過濾和調製。 藏益而進 此外，在由本發明之光導波路用材料而構成包 之狀態下，作為使用在這些樹脂溶液之調製上之溶 、 係

572906 五、發明說明（45) 列舉例如在前述芯部2或者包層部4之狀態下之所列舉之溶 媒。 此外’在使用並無光硬化之芯材之狀態下，還必須使 用放射線感應性材料。在該狀態下，於芯材上還塗敷放射 線感應性材料之後’接著，在透過圖案而進行放射線照射 之後，然後，必須為藉由進行曱矽烷化處理及/或甲鍺烷 基化處理和反應性離子蝕刻而進行乾式顯影之製程。這樣 之製程係非常繁雜，而成為成本升高之要因。 接著，列舉合成例及實施例，說明本發明，但是，本 發明係並不限定於這樣之實施例。 合成例1 (具有0H-基之含氟烯丙基醚之均聚物之合成） 在具備攪拌裝置和溫度計之1 〇 〇 m 1玻璃製四口燒瓶， 放入王氟1-(1，1，9，9-四氫-2，5-雙三氟甲基一3 6_二氧壬 醇） ，一 CH-

CFCF2〇CFCF2〇CFCH2〇H

CF

I CF 2 0 · 4 g 和 [H+CF2CF2)yC〇〇3y 之8. 0重量％全氟己烷溶液22g，充分地進行氮取代之 後，接著，在氮氣流下、20 ’進行24小時俨 生成高黏度固體。 -之攪拌之時 將所得到之固體溶解於二乙基醚者，注入至全氟己烷 中，進行分離及真空乾燥，得到無色透明之聚合物 1 7· 6g。 °

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在藉由19F-NMR、4- NMR分析、IR分析而分析該聚合 物之時’得知是僅藉由前述含氟稀丙基驗之構造單位所組 成並且在側鏈末端具有羥基之含氟聚合物。此外，藉由$ 溶媒使用四氫化呋喃（THF )之GPC分析而測定之數^平均 分子量係為9000，重量平均分子量係為22000。 = 實施例1 (具有α -氟丙稀醯基之硬化性含氟預聚體（I ) 之合成） 在具備環流冷卻器' 溫度計、攪拌裝置和滴下用漏斗 之200ml四口燒瓶中，裝入二乙基醚8〇ml、在合成例1所得 到之含有羥基之含氟烯丙基醚之單獨聚合物5· 〇g和卩比 0 g，水冷至5 °C以下。 在氣氣流下’進彳于授摔’同時，還在大約3 〇分鐘左 右’滴下在二乙基醚20ml溶解α -氟丙稀酸氣化物（ch == CFCOF ) 1. 0g 者。 2 在滴下結束後，提高溫度至室溫為止，並且，還繼續 進行4 · 0小時之授拌。 將反應後之醚溶液，放入至分液用漏斗中，反覆地進 行水洗、2 %鹽酸水洗淨、5 % NaC 1水洗淨以及水洗之後， 接著，藉由硫酸鎮針而進行乾燥’然後，藉由過濾而分離 醚溶液，得到硬化性含氟聚合體。 在藉由19F-NMR分析而調查該硬化性含氟聚合體之時， 得知是 一Of CF =含有CH2基之含說稀丙基喊/含有〇H基之含 〇 氟烯丙基醚=40 /6 0莫爾％之共聚物。

2066.4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第 51 頁 572906 五、發明說明（47) 在對於塗敷在NaCl板上並且在室溫成為鑄造膜者進行 IR分析之時，觀測到碳-碳雙鍵之吸收為^“㈣」、C =〇基 之吸收為1 770cm-1。 土 貫施例2 (具有α -氟丙稀醯基之硬化性含氟預聚體（工） 之合成） Α 除了使用α -氟丙烯酸氟化物（ch2 =CFC0F ) 0· 65g和 口比咬1 · 0 g之外，其餘係相同於實施例1，合成硬化性含氟 預聚體（醚溶液）。 在藉由19F-NMR而進行調查之時，得知是 —〇iCF =含有CH2基之含氟烯丙基醚/含有OH基之含 ° 氣稀丙基醚=3〇/70莫爾％之共聚物。 確認在IR分析中，碳-碳雙鍵和c=〇基之吸收係皆在 相同於實施例1之位置上。 實m (具有α 一氟丙烯醯基之硬化性含氟預聚體（1) 之合成） 册咬^ α :氣丙婦酉曼氣化物（CH2 =CFC〇F ) 〇.352和 啶· 3g之外，其餘係相同於實 預聚體（I )(轉溶液）。 口成硬化『生a氣 在藉由19F-NMR而進行調查之時 -〇CCF=含右人生 w疋 II ^LH2基之含氟烯丙基醚/含有0Η基之含 破辦在II?八4烯丙基醚=15〆85莫爾％之共聚物。 二 刀斤中’碳-碳雙鍵和C = 0基之吸收係皆在 相同於實施例1之位置上。 U丞I及叹你白在 實施例4 (成為光導波 皮路用構件之光硬化薄膜之物性評價

572906 五、發明說明（48) (1 )光導波路用材料之調製 將在實施例1所製造之硬化性含氟預聚體，溶解在甲 基乙基酮（MEK )中，調整為聚合物濃度5〇重量％ 。 在所得到之硬化性含氟預聚體溶液1〇g中，添加在 溶解1重量％之作為活化能射線硬化起始劑（光自由基發 生劑）之2 -羥基-甲基苯丙酮之溶液丨· 7g，得到光導波 用材料。 (2)光導波路用材料之薄膜製造

使用塗布器（applicator )，在聚酯薄膜上，塗敷前 述（1)所調製之光導波路用材料（含氟預聚體之5〇%mek 溶液），而使得乾燥後之膜厚，成為既定之厚度（大約 lmm者和大約lOOem者），在50°C，進行1〇分鐘之真空乾 燥之後，接著，由聚酯薄膜，剝離所得到之鑄造膜，以膜 厚大約1mm和大約1〇〇 左右之未硬化狀薄膜之形式，製 造光導波路用材料。

(3 )藉由光照射所進行之硬化狀薄膜之製造 ^在乾燥於前述（2 )所製造之薄膜之後，接著，使用 高壓水銀燈，對於該薄膜，在室溫、以3〇〇〇mJ /cMU之強 度，照射紫外線，進行光硬化，得到硬化狀薄膜。 (4 )硬化狀薄膜之物性測定 有關於所得到之硬化狀薄膜，進行以下之物性評價。 ①吸光度係數之測定 使用自記式分光光度計（日立製作所（股）公司製之

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第53頁 572906 五、發明說明（49) U - 3410) ’測定波長3〇〇〜17〇〇nm中之大約^^厚度之樣本 (硬化狀薄膜）之分光透過率曲線。藉由所得到之光譜， 按照下列公式，而算出吸光係數之值·· 曰 吸光度係數=吸光度/樣本之厚度。 將結果顯示在表1。 ② 折射率之測定 使用阿部折射計，就大約丨〇〇 β m厚度之樣本（硬化 和硬化後之薄膜），測定在25、55〇nm波 折射率。將結果顯示在表丨。 九線下之 ③ 熱特性（DSC ) 在使用示差熱熱量計（島津製作所（股）公 Γ時溫速i1(rc"鐘之條件下之熱特性 峰，成為非結晶性。、上’皆無觀察到明確之結晶熔點波 ④ 耐溶劑性之評價 片女二目視二觀察在丙酮中、室溫下而保持24小時後之厚 度大約1 mm左右之硬化狀薄膜之妝能 旱 行評價： 叹狀潯膜之狀態，以下面之基準，進

Ο X 認為在外觀並無變化、 溶解在丙酮中。將結果顯示在表1。 ⑤ 财熱性之評價 以目視’觀察在150 t、保持8小時後 左右之硬化狀薄膜之有無形狀變化： X大力 〇·認為在外觀並無變化、

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第54頁 572906

x .薄膜無法維持最初之形狀 實施例5〜6 將結果顯不在表1。 除了分別使用表1所示之含氟預聚體（在實施 j以及在實施例3所製造者）而取代在實施m所得^ 具有α-氟丙稀醯基之含氣預聚體之外，其餘係相同於 施例4，製造薄膜’進行硬化狀薄膜之評價。將結果顯示 在表1。此外，在藉由DSC而調查熱特性之時，確認硬化 後之薄膜係皆為非結晶性。 比較例1

就在實施例4而並無實施光照射之未硬化狀薄膜，相 同於實施例4，進行物性評價。將結果顯示在表1。

-——

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第55頁 ^J 572906 五、發明說明（51) 表1

實施例4 實施例5 [實施例6 比較例 預聚體 實施例1 實施例2 實施例3 實施例1 -Ο (C=0) CF = CH2基之含童 40 30 15 40 氟含有率（¾ ) 57 58 58 57 活化能射線硬化起 始劑 2-羥基-2-甲 基苯丙酮 2-羥基-2-甲 基苯丙酮 2-羥基-2-甲 基苯丙酮 2-羥基-2-甲 基苯丙酮 年目對於聚合物之比 率（重童％ ) 2.1 2.1 2.1 2.1 紫外線照射置 (mJ/cm2) 3000 3000 3000 未照射 f斤射率 硬化前 硬化後 1.362 1.366 1.359 1.364 1.356 1.361 1.362 吸光度係數(cm-i) 1310nm 1550nm 0.040 0.13 0.043 0.11 0.047 0.079 0.040 0.12 耐溶劑性 〇 Ο — 〇 X 耐熱性 〇 〇 ~~δ~ X ；1 ' J AU、雅刀斫所進行之硬化反應性之確認） (1 )光導波路用材料（塗敷用含氟樹脂組成物）之調製 ，用在實施例㈠斤得到之硬化性含敦預聚體（j )， 列4叉操作，分別調製塗敷用組成物（光 射線==量而成為表2所示之聚合物濃度和活化能 (2) IR分析用薄膜之製造 使用塗布器（applicat〇r )， 述塗敷用袓点舲 ^ .. ^ 在^ s曰涛膜上’塗敷前 敷用、.且成物’而使得乾燥後之膜厚，成為大約1〇。⑽ 572906 五、發明說明（52) 左右’在50 °C，進行5分鐘之乾燥後，接著，由聚酯薄 膜’剝離所得到之被覆膜，得到未硬化狀鑄造薄膜。 (3 )藉由1 R分析所進行之硬化反應性之測定 在進行前述未硬化狀薄膜之IR分析時，在1 661 cm-1， 觀測到聚合物中之碳-碳雙鍵之吸收。 (4)硬化反應率之測定 著眼於碳-碳雙鍵之吸收，觀測光照射後之吸收強度 之變化，按照下列公式，而算出硬化反應率： 光照射前之1661cm·〗之波峰高 光照射後之1661 cm·1之波峰高 x 1 〇〇% 對於藉由表2所示之照射 ^ ’進行紫外線照射，得 量’算出藉由前述公式所 使用高壓水銀燈，在室溫，對於 量所得到之（2 )之未硬化狀薄膜，@ 到硬化狀薄膜。此外，改變照射量， 示之硬化反應率。將結果顯示在表2。

572906

五、發明說明（53) 表2 寳施例7 實施例8 賨施例9 比較例1〇 含氟硬化性聚合物 寳施例1 實施例2 實施例3 實施例1 一〇（C=〇）CF= CH2基之含量 (莫爾X ) 40 40 40 40 溶劑 MEK MEK ΛΛΕΚ ΜΕΚ 聚合物濃度（重量?ί ) 6 β 8 8 活化能射線硬化起$雜!1 2-羥基-2-甲 2-羥基甲 2-羥基-2-甲 2-羥基-2-甲 基苯丙酮 基苯丙酮 基苯丙酮 基苯丙酮 相對於聚合物之比率（重量％ ) 4.2 2.1 1.0 0.2 硬化反應率（％ ) 紫外線照射量100( mJ/cm” 100 (消失) 60 45 34 500 一 62 60 44 1500 — 100 (消失) 74 55 實施例11 (具有α-氟丙烯醯基之硬化性含氟預聚體（I )之合成） 除了使用α -氟丙烯酸氟化物（CH2 =CFC0F ) 2. Og和 吡啶2· Og之外，其餘係相同於實施例1，合成硬化性含氟 預聚體（I)(醚溶液）。 在藉由19F-NMR分析而調查該含氟預聚體時，得知是 _iCF =含有CH2基之含氟烯丙基醚/含有0H基之含 ° 氟稀丙基醚=84/16莫爾％之共聚物。 確$在IR分析+，碳_碳雙鍵和c=〇基之吸收係 相同於實施例1之位置上。 實施例1 2〜1 4 (藉由I R分鉍张> ⑴光導波路用㈣ϋ所硬化反應性之確認） 使用在實施例！ ！所得到之用歸3仆氟^人脂組成物）之調製 進行相同於實施例4之摔作v 3氟預聚體（I )， 之操作，分別調製光導波路用材料

572906 五、發明說明（54) (塗敷用組成物），而成為表3所示之聚合物濃度、活化 能射線硬化起始劑之種類和活化能射線硬化起始劑量。 (2 ) I R分析用薄膜之製造 相同於實施例7，進行製造。 (3 )藉由IR分析所進行之硬化反應率之測定 相同於貫施例7 ’算出在光照射量1 5 〇 〇 m j / c m2之照射 時之硬化反應率。將結果顯示在表3。 實施例1 5 在實施例1 2所調製之光導波路用材料（塗敷組成物

)，還添加對於聚合物成為2 0重量％且作為硬化劑之

CH2 = CF — C — 〇CH2C6F12CH2〇一 C 一 CF = CH II 2 〇 ，製造配合有硬化劑之光導波路用材料（塗敷用含氟樹脂 組成物）。 使用該樹脂組成物，相同於實施例1 2，製造丨R分析用 薄膜，進行硬化反應率之測定。將結果顯示在表3。

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第59頁 572906_ 五、發明說明（55) 表3 實施例12 實施例13 實施例14 比較例15 含氟硬化性聚合物 實施例11 實施例11 實施例11 實施例11 _〇（C=〇）CF=CH2 基之含量（莫爾％) S4 S4 84 S4 溶劑 MEK ΜΕΚ ΜΕΚ ΜΕΚ 聚合物濃度（重量％) β 8 δ 8 活化能射線硬化起始劑 2-羥基-2·甲基 2,2-二甲氧基 二苯甲醇 2-羥基-2-甲基苯 相對於聚合物之比率 (mm% ) 苯丙酮 2.0 -2-苯基乙隨苯 2-0 2.0 丙酮 2.0 硬化劑 — 一 — 多官能丙烯酸U 相對於聚合物之比率 (重音:¾) 一 一 一 20 硬化反應率（％) (1500m J/cm2B寺） 73.9 55.0 40.6 64.0 1)多官能丙焼酸：CH2=CF(C=〇）〇CH2 —（CF2)6—CH2〇（C=〇）CF=CH2 合成例2 (具有OH基之含氟烯丙基醚之均聚物之合成） 除了在合成例1，使用全氟-(1，1，9, 9 -四氫-2, 5-雙 三氟甲基-3,6-二氧壬醇）20.(^和 [H+CF2CF2>yC〇〇tr 之8. 0重量％全氟己烷溶液10. Og之外，其餘係相同於合成 例1，進行合成，對於所得到之聚合物，進行精製，得到 無色透明之聚合物18. 2g。 在藉由19F-NMR、NMR分析、IR分析而分析該聚合 物之時，得知是僅藉由前述含氟烯丙基醚之構造單位所組 成並且在側鏈末端具有經基之含氟聚合物。此外，藉由在 溶媒使用四氫化呋喃（THF )之GPC分析而測定之數目平均 分子量係為30000，重量平均分子量係為59000。 合成例3 (具有0H基之含氟烯丙基醚和偏氟乙烯之共聚物

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第60頁 572906 五、發明說明（56) 之合成） 在具備閥、壓力計和溫度計之30 0ml容量之不鏽鋼製 高壓鋼中’裝入全氟-（119, 9一四氫-2, 5_雙三氟甲基 一3,6 —二氧壬醇）34.2g、CH3CC12F (HCFC-141b ) 20 0g 以及 二正丙基過氧化碳酸酯（NPP )之5〇重量％甲醇溶液 〇·1 6g ’藉由乾冰/甲醇溶液而進行冷卻，同時，藉由氮 氣而充分地對於系統内，進行取代。接著，由閥而裝入偏 氟乙烯（VdF)5.8g，在40°C，進行振動，同時，進行反 應。隨著反應之進行，同時，使得系統内之計示壓力，由 反應前之4.4MPaG (4.5kgf/cm2G)，在12小時後，降低 至〇.98MPaG (l.〇kgf/cm2G)為止。 在該時間點，釋放出尚未反應之單體，取出所析出之 固形物’溶解在丙酮中，接著，藉由利用己烷和甲苯之混 合溶劑（50 /50 )而進行再沉澱，以便於分離出共聚物。 一直到使得該共聚物成為恆量為止，進行真空乾燥，得到 共聚物31. 2 g。 在藉由NMR分析和19F_NMR分析而進行分析之時， 得知該共聚物之組成比是含有¥(^ /〇H基之含氟烯丙基醚 為55 /45莫爾。/。。此外，藉由使用四氫化呋喃（Thf )作 為溶媒之GPC分析而測定之數目平均分子量係為1 2000，重 量平均分子量係為1 8000。 合成例4 (含氟活化能射線硬化起始劑之合成） 在具備環流式冷卻器、溫度計、攪拌裝置和滴下用漏 斗之2 00ml四口燒瓶中，裝入2-羥基-2-甲基苯丙酮2.0g、

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第61頁 572906 五、發明說明（57) 吡啶1· Og 和CF3CF2CHC1 /CC1F2CF2CHC1F 混合物（HCFC-225 )20g，冰冷至5 °c以下。 在氮氣流下，進行攪拌，同時，在1小時内，滴下

fc-c6f12~cf 11 II 〇 〇 2· 5g。在滴下結束後，還繼續進行4. 〇小時之攪拌。 將反應後之醚溶液，放入至分液用漏斗中，進行2 % 鹽酸水洗淨、5 % NaC 1水洗淨，分取有機層，在藉由硫酸 鎂酐而進行乾燥之後，接著，藉由蒸餾而單獨地分離出生 成物2 · 6 g (良品率6 2 % )。 在藉由NMR分析、19F_NMR分析和IR分析而調查所 得到之生成物之時，得知是 ch3 ch3 c-c-〇c-,cf2^c〇-c O CH, ο -c II ch3〇

實施例1 6 (具有α —氟丙烯醯基之硬化性含氟預聚體（J )之合成） 在具備環流式冷卻器、溫度計、攪拌裝置和滴下用漏 斗之20 0ml四口燒瓶中，裝入甲基乙基酮（MEK ) 4〇ml、在 合成例2所得到之含有羥基之含氟烯丙基醚之單獨聚合物 5.0g和吡啶2.0g，冰冷至5°c以下。 在氮氣流下，進行攪拌，同時，還在大約3 〇分鐘内， 滴下α -氟丙烯酸氟化物丨· 2g。在滴下結束後，提高溫度

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第62頁 572906 五、發明說明（58) 至室溫為止，還繼續進行4 · 〇小時之攪拌。 將反應後之MEK溶液，放入至分液用漏斗中，在重複 地進行水洗、2 %鹽酸水洗淨、5 % NaC 1水洗淨以及水洗而 分取有機層之後，接著，藉由硫酸鎂酐而進行乾燥，得到 硬化性含氟預聚體。過濾後之聚合物濃度係為1 〇 · 7重量 % ° 在藉由19F-NMR分析而調查該含氟預聚體之時，得知是 一〇CCF=含有CH2基之含氟烯丙基醚/含有0H基之含 〇 氟烯丙基醚=30 /70莫爾％ 。 此外’在相同於實施例1而進行丨R分析之時，觀測到 碳-破雙鍵之吸收為l661cnri、c=〇基之吸收為1 770cm-1。 貫施例1 7 (具有α —氟丙烯醯基之硬化性含氟預聚體（I )之合成） 除了使用在合成例3所得到之含有〇Η基之含氟烯丙基 鱗和VdF之共聚物5· 、吡啶1. lg以及氟丙烯酸氟化物 栌卜：其餘係相同於實施例16，合成硬化性含氟預聚 I μ 》谷液）。聚合物濃度係為9. 9重量％ 。 藉由F-NMR而進行調查之時 —〇CCF=含右讨a人知 ^ ^ ^ 2 土之&氟婦丙基趟/含有0H基之含 實施觸（成為Λ\^5/85莫爾％之共聚物》 ) /皮路用構件之光硬化薄膜之物性評價 (1 )光導波路用材料之調製 在貫施例1 6所；2：, A . 于到之3氟預聚體（MEK溶液 還加

)/2906 五、發明說明（59) 入舰二調整聚合物濃度成為50重量％。 在該含氟預聚體之MEJ(、、六 起始劑之2 -羥基-2 _甲A ^ =液添加作為活化能射線硬化 …，則成為白濁甲二丙二對於聚合物成為2·。重量 化起=:例曱I得到之含敦活化能射線硬 為3.6重量％之時，進^基本丙酮，而對於聚合物成 此作為光導波路用材料洛’成為無色透明之溶液。將 (2 )使光用導:配路Λ材料之光硬化薄膜之評價 使用在配合有前械Μ、 波路用材料（塗敷用袓成 調製之硬化起始劑之光導 ⑷之記載“曰是在(Π，相同於實施例4之⑴〜 )，進行評價，並且相射量為i5〇〇mj/cm2 cm2之光照射時之硬化反應° =例8 ,測定在150〇mJ/ H ^ 4ij ffl T)QP ^ y "、、。將結果顯示在表4。此外， 行之分析，確㈣ 贯施例1 9 (成為光蕃浊故田 ) 構件之光硬化薄膜之物性評價 (1)光導波路用材料之調製 入睛在實^例17所得到之含氣預聚體（ΜΕΚ溶液），還加 入ΜΕΚ，調气聚合物濃度成為8重量％。幻還加 起始ΐ :2: J H體甲之：：：添加作為活化能射線硬化 %之時，進行相溶，成為二酮:：於聚合物成為U重量 波路用材料。此外，2;; 2月之J容液。將此作為光導 卜精由利用DSC所進行之分析，確認為 第64頁 2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 572906 五、發明說明（60) 非結晶性。 (2 )光導波路用材料之光硬化薄膜之評價 使用所得到之光導波路用材料（塗敷用組成物），進 行相同於實施例1 8之評價。將結果顯示在表4。 表4 實施例is 寅施例19 預聚體 實施例16 實施例17 -〇(c=〇) cf=ch2 基之含童 S9 35 氟含有率（*) 56 57 活化能射線硬化起始劑 合成例4之含氟起始劑 2-經基-2-甲基苯丙酮 相對於聚合物之比率 (重歡） 3.6 6.7 紫外線照射童 (mJ/cm2) 1500 1500 硬化反應率 88.7 75.7 折射率 硬化前 1.368 1.369 硬化後 1.375 1.377 吸光度係數（cnrri) 1310nm 0.026 0.051 1550nm 0.22 0.28 耐溶劑性 〇 〇 耐熱性 〇 〇 合成例5 (具有0H基之含氟烯丙基醚之寡聚物之合成） 在具備攪拌裝置和溫度計之10 0ml玻璃製四口燒瓶， 放入全氟-(1，1，9, 9 -四氫-2, 5 -雙三氟曱基-3, 6 -二氧壬 醇）

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第65頁 572906 五、發明說明（61)

CH2-CFCF2OCFCF2〇CFCH2OH

I I cf3 cf3 (以下稱為「含氟烯丙基醚a」）5· 2g和 ch2=cfcf2〇cfcf2〇cfh cf3 cf3 (以下稱為「含氟烯丙基醚β」）1 4· 2g，在充分地進行氮 取代之後，接著，在氮氣流下、20 t，進行24小時之攪拌 時，生成高黏度之固體。 將在二乙基醚溶解所得到之固體者，注入至全I己烷 中，進行分離及真空乾燥，得到無色透明之聚人物 12· 2g。 … 在藉由NMR、1H- NMR分析、IR分析而分析該聚合 物之時，得知是由前述2種類之含氟烯丙基醚之構造單位 所組成並且在側鏈末端具有羥基之含氟聚合物。此外，藉 由在溶媒使用四氫化呋喃（THF )之GPC分析而測定之重量 平均分子量（Mw)係為2 1 0000，重量平均分子量（Mw)和 數目平均分子量（Μη )間之比值（Mw /Μη )係為1 · 3。 此外，藉由以下方法所測定之5重量％分解溫度係為 360 〇C。 (5重量％分解溫度之測定） 藉由TG/DTA (精工電子（股）公司製之TG/DTA220 )，而在乾燥空氣200ml/分鐘、升溫速度10 °C/分鐘之 條件下’進行加熱，以5重量％呈熱分解（重量減少）時 之溫度’作為5重量％分解溫度。

2066.4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第66頁 572906 五、發明說明（62) 合成例6 (具有0H基之含氟烯丙基鍵之均聚物和募聚物之 合成） 除了在合成例5 ’使得2種類之含氟烯丙基醚a和8之使 用量成為表5所示之量之外，其餘係相同於合成例5，進行 聚合’得到由前述2種類之含氟烯丙基鱗之構造單位所組 成並且在側鏈末端具有羥基之含氟聚合物（合成例6、7和 9)以及含氟稀丙基之單獨聚合體（合成例8)。將這 些聚合物之物性，顯示在表5。 ° 表5 — 5 6 7 δ 9 含廉嫌丙基醒 A(g) b (g) 5.2 14.2 10.3 9.5 15.3 4.8 30.2 0 72.1 S_3 聚合物生成童（g〕 12.2 13.1 13.1 19.6 50.2 聚合物物性 Mw ( χ1〇4) Mw/Mn 领分解溫度Ί 2.1 1.3 360 2.2 1.5 364 2.7 1.5 364 3.0 1.7 381 1.9 1.5 370 實轭例20〜24 (具有α—氟丙烯醯基之硬化性含氟預聚體 (I )之合成） Λ

除了使用在表6所示之合成例5〜9而分別得到之含有 ΟΗ基之含氟烯丙基醚聚合物，按照表6所示之數量，來取 代在實施例1中之合成例丨所得到之含有〇Η基之含氟基 合物，採用表6所示之反應條件之外，其餘係同樣地 口成具有α -氟丙烯醯基之硬化性含氟預聚體。

572906 五、發明說明（63) 在就所得到之硬化性含敗預聚體，藉由lgF_NMR分析而 分別地調查由於含有0H基之含氟烯兩基醚A和含氟烯丙基 醚B所造成之構造單位之含有量（莫爾％ )之時，就成為 表6所示。 在對於塗敷在NaC 1板上並且在室溫成為鑄造膜者進行 IR分析之時，觀測到碳-碳雙鍵之吸收為1661cnfl、c=〇基 之吸收為1 770cm—1。

實施例25〜29 (成為光導、、二田二 - 評價） 導波路用構件之光硬化薄膜之物

除了分別使用表7所+ +人& 24所分別製造者）而取二'氟預聚f (在實施例2卜 烯醯基之含氟預聚體之外 2例1所仵到之具有α -氟 薄膜，進行硬化狀薄犋二；餘係相同於實施例4 ’製廷 外，藉由利用DSC所進行°。將結果顯示在表3。此 丁之为析，以便於確認為非結晶

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第68頁 572906 五、發明說明（64) 性。 表7 實施例25 寅施例26 實施例27 實施例2S 實施例29 預聚體 寅施例20 寅施例21 寅施例22 寅施例23 實施例24 一〇（C=〇）CF = CH2基之含童 (莫爾35 ) 27 53 78 100 δδ 氟含有率 (重歡） 62 59 57 55 50 活化能射線硬化 起始劑 2-羥基-2-甲基苯丙 酮 2-羥基-2-甲基苯丙 酮 2-羥基-2-甲基苯丙 酮 2-羥基-2-甲基苯丙 酮 2-羥基-2-甲基苯丙 酮 相對於聚合物之 比率（重童％) 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 紫外線照射童 (mJ/cm2) 1800 1800 1800 1S00 1800 折时率 硬化前 硬化後 1.342 1.352 1.354 1.361 1.364 1.369 1.371 L381 1.368 1.375 耐溶劑性 〇 〇 〇 〇 〇 耐熱性 〇 〇 〇 〇 〇 實施例30 (成為光導波路用構件之光硬化薄膜之物性評價 ) (1 )光導波路用材料之調製 將在實施例24所得到之硬化性含氟預聚體，溶解在丙 烯乙二醇單曱基醚乙酸鹽（PGMEA )中，調製預聚體濃度 40重量％之溶液。 在該含氟預聚體之PGMEA溶液1 0g中，加入作為活化能 射線硬化起始劑（光自由基起始劑）且在合成例4所得到

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第69頁 572906

之化合物1重量％ iMEK溶液h 5g，調製塗敷用光導波路 材料。 (2)光導波路用材料之光硬化薄膜之製造 在5英吋矽晶圓上，呈旋轉地塗敷該光導波路用材料 (塗敷用組成物），得到膜厚1 〇 " m之未硬化狀薄膜。在 乾燥該薄膜後，使用高壓水銀燈，於室溫，以丨8 〇 〇 m 了 / cm2U之強度’照射紫外線，製造光硬化薄膜。 (3 )光導波路用材料之光硬化薄膜之評價 就所仔到之硬化狀薄膜而言，在使用公司製 之Prismcoupler (模型2010、商品名稱）而測定近紅外線 區域（1 30 0nm和1 550nm )中之折射率之時，折射率在 1300nm 為1.373 ，在1550nm 為1.371 。 實施例3 1 (成為光導波路用構件之光硬化薄膜之物性評價 (1) 光導波路用材料之調製 使用在實施例30之（1)所得到之塗敷用之 用材料。 格 (2) 光導波路用材料之光硬化薄膜之製造 使得該光導波路用材料（塗敷用組成物）之既定量， 流入至15mm X 15mm X lmm之凹模中，得到膜厚不同之3種 硬化鑄造狀薄冑。在乾燥這些薄膜之後，使用高壓水銀未 燈，在室溫、以1 800mJ/cm2u之強度，照射紫外線， 製造膜厚不同之光硬化薄膜（膜厘兔 〜 、朕厚為 280/zm、450/zm 及 1 020 " m ) 〇

2066-4683-PF(N);Tcshiau.ptd 第70頁 572906 五、發明說明（66) (3 )光導波路用材料之光硬化薄膜之評價 使用日本分光（股）公司製之微弱吸收測定裝置 (MAC-l/商品名稱），在測定波長9〇〇〜17〇〇nm之範圍 。内’以每lnm而測定光硬化薄膜之吸收強度（測定溫度24 C )。此外’即使是針對厚度不同之薄膜，也同樣地測定 吸收強度，在膜厚成為規格化，&去表面反射之影響，而 調查材料本身之吸收損失。將結果顯示在圖3。 正士由圖3所明白顯示的，得知在1 和1 之 吸收損失係分別為〇.ldB//cm&〇 5dB/cm，在近紅外線區 域，顯示極為良好之透明性。 實施例32 (光導波路型元件之製造） 光導波路型元件中之光導波路之形成，係按照以下之 順序而進行。 作為4部用材料’係使用在實施例1 6所調製之光導波 路用材料作為包層部用材料，係使用在實施例^所調製 之含氟預聚體而製造光導波路。 將這些2種材料’分別溶解在甲基異丁基網，成為溶 2首先將〇層用材料’塗敷大約左右厚度在塑 >，板或矽基板上。在對於前述這種進行烘乾及乾燥處理 接著，於包層部用材料之膜上，塗敷大約8 左右 ϋ之芯部用材料。接著，透過光罩而進行光照射，使得 ^用膜呈硬化。然後，藉由溶劑而呈流動地洗淨芯部用 、之未硬化α卩刀，加工成為長度5〇_、幅寬8 #瓜、高度8 ”之直線矩形圖案，作為芯部。為了在加工後，按照圖2

572906 五、發明說明（67) 而說明包層部，因此，將包層部塗敷在芯部上，製造光導 波路。 接著’對於所製造之光導波路之傳播損失之測定，係 藉由在芯部通過波長130Onm之光線，而進行傳播損失之測 定。結果’成為〇.5dB/cm。 此外’在溫度8〇 °c、濕度85 % RH之環境下，對於在此 所製造之光導波路，保存i星期，但是，傳播損失係完全 無發生變化。 ' 產業上的可利用性】 如果藉由本發明的話， 透明性同時可以藉由光硬化 性化之光導波路用材料。 此外，可以藉由使用光 光導波路用構件，以便於提 及近紅外線透明性之光導波 則能夠提供一種維持近紅外線 而在聚合物實現耐熱性及高彈 導波路用材料之硬化物，作為 供-種改善耐熱性、低吸水性 路型元件。

572906 圖式簡單說明 _ 圖1係本發明之I % HI 0 / X 導波路型元件之概略剖面圖。 至圖2 (d)係用以說明本發明之光導波路型元件 之製造作業之作業圖。 圖3係顯示在實施例31所製造之光硬化薄膜之各個波 長下之吸收損失之圖形。 【符號說明] 1 :基板 3 :膜 5 :包層部 7 :活化能射線

第73貢

Claims (1)

1. 5729〇6 曰 _ 案破 91103639 修正: 申 範 Ί —卞厂二^含氟光導波路用 (I )所構成之光導波路用材料，盆;=含J預聚體 ;⑴係為uu含有率25重量;結^^ ::古並且’ (2 )在聚合物側鏈中及/或聚合物 ς *而具有碳-碳雙鍵，並且 鍵末 該含氟預聚體（I )，係化學式（1 ): —fM今—— (1) [在化學式中、構造單位Μ係化學式（μ -irCX^X9 —CX3 ^ XCX4X5)v-^C = 〇)b(〇)—R f (M) (在化學式中、X1和X2係相同或不同而成為H或F ; X3係H F、CH3或CF3 ; X4和X5係相同或不同而成為Η、F或(：{?3 ; Rf : 在碳數1〜40之含氟烷基或是具有碳數2〜1〇〇之峻3鍵之^ 氟燒基而結合1〜3個之Y1 ( Y1係在末端具有乙缔姓# δ 土七厌〜碳替 鍵且碳數2〜10之1價有機基）之有機基；a係〇〜3之整 數，b和c係相同或不同而成為〇或1)所示之由於人& ^ ^^4 乙 性早體所造成之構造单位、構造早位A係由於賦予構、皮ϋσ 位Μ之含氟乙烯性單體和可共聚單體所造成之構造單$ 戶 示、包含0· 1〜100莫爾❾/。之構造單位Μ及0〜99 q苗添，所 ^ · a旲_ %之 構造單位A之數目平均分子量5 0 0〜1 0 0 0 0 0 0之含氣聚入 物。 2 ·如申請專利範圍第1項之含氟光導波路用材料，其

   2066-4683-PFl(N).ptc 第74頁 572906

   中，含氟預聚體（i )之氟含有率，係為4〇重旦 3 .如申請專利範圍第i項之含氟光導波路里以上。 中，含氟預聚體（I )係在1290〜132〇nm之、皮才_料’其 吸光度係數之最大值為卜…以下之聚合物。’長範圍内之 4·如申請專利範圍第1項之含氟光導波路用 中’含氟預聚體（I )係在1530〜157〇nm之波 ’其 吸光度係數之最大值為1 cm-i以下之聚合物。’乾圍内之 5·如申請專利範圍第丨項之含氟光導波路用 中，含氟預聚體（I )，係在側鏈末端，且右# :，其 鍵。 一有奴-碳雙 中 中 中 6. 如申請專利範圍第1項之含氟光導波路用材料， 碳-碳雙鍵係具有自由基反應性之乙烯性碳—碳雙鐘、 7. 如申請專利範圍第丨項之含氟光導波路用材料，鍵复< 碳-碳雙鍵係具有陽離子反應性之乙烯性碳_ 鍅、 8. 如申請專利範圍第丨項之含氟光導波路用材料，装 含氟預㈣（I )，係化學式（！）之含氟聚合物.、 構造單位Μ係化學式（Ml CX3)〜 [ (CX4Xs>T~4〇>T_^ f (M]) (在化學式中、X1和X2係相同或不同而成為H或ρ ; χ3係η、 F、CH3或CFS ; X4和X5係相同或不同而成為H、F或Cf3 ; Rf係 在石反數1〜40之3氟院基或是具有碳數2〜iqq之鍵鍵之含' 氟烷基而結合1〜3個之Υ1 (γι係在末端具有乙烯性碳—碳雙

   2066-4683-PFl(N).ptc 第75頁 572906 ___案號 91103639 ___年.月 日_修正__ 六、申請專利範圍 鍵且碳數2〜10之1價有機基）之有機基；a係0〜3之整 數，c係0或1 )所示之由於含氟乙稀性單體所造成之構造 單位Ml。 9 ·如申請專利範圍第1項之含氟光導波路用材料，其 中’含氟預聚體（I )，係化學式（1 )之含氟聚合物； 構造單位Μ係化學式（Μ 2 ): (M2) (在化學式中、Rf係在碳數1〜4〇之含氟烷基或是具有碳 數2〜100之醚鍵之含氟烷基而結合1〜3個之γ1 (γι係在末 端具有乙烯性碳-碳雙鍵且碳數2〜1〇之丨價有機基）之有 機基）所示之由於含氟乙烯性單體所造成之構造單位Μ。 10.如申請專利範圍第丨項之含氟光導波路 中’含氣預聚體（"，係化學式（1)之 材二其 構造單位Μ係化學式（M3 ) : 1。物’ CF -CF I Ο — R f .(M3) (在化學式中、Rf係在碳數1〜4〇之含氟烷基 數2〜100之醚鍵之含氣烧基而結合丨〜3個之γι 有厌 端具有乙烯性碳-碳雙鍵且碳數2〜1〇之】價有 ’、 機基）所示之由於含氣乙烯性單體所造土 Π.如申請專利範圍第1Α8_項中任—項之早::3光

   2066-4683-PFl(N).ptc 第76頁 572906 六、申請專利範圍 導波路用材料’其中’前述化學式（Μ) 、 （ΜΙ) 、（M2 )和（M3 )之Rf中之Y1中之至少一種，係結合在Rf之末端 上。 第 圍 範 利 專 請 申 如 式 學 化 过係 前， J 1 Y 中之 其中 料之 材} 用 3 ^ Μ 路C 波和 導} 光g 氟C 含 、 之 項 1 —Ο C ~ Ο ) — Υ 2 (在化學式中、Υ2係在末端具有乙烯性碳—碳雙鍵之碳數2 、5之鏈烯基或含氟鏈烯基；係相同或不同而成為〇或 第、 圍} 範(M 利 專 請 申 如 式 學 化 过 前， 5 1 Υ 中之 其中 料之 材} 用M3 路C 波和 導3 光g 氟C 含、 之 項Π -〇 (C = 0) CX6-GX7X8 (在化學式中、X6係Η、F、CH3或CF3 ; Γ和x8係相同或不同 而成為Η或F )。 ▲ 1 4· 一種含氟光導波路用材料，其特徵在於：除了申 請專利範圍第1項所記載之含氟預聚體（I )之外，還配 合活化能射線硬化起始劑（Π )而組成含氟光導波路用材

   1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之含氟光導波路用材料 2 其中，活化能射線硬化起始劑（Π )係光自由基發生 3 (Π -1 )。 Χ 572906 _η 曰 案號911036加 六、申請專利範圍 1 6.如申請專利範圍第! 4項之含 其中，活化能射線硬化起始劑（ ：路用材枓， 2 ) 。 y打尤‘發生劑（Π〜 17· —種含氟光導波路用構件， 申請專利第U項所記載之含氟由硬化 之硬化物而構成的。 格用材枓所組成 -專H一圍H氣光導波路用構件，其特徵在於：除了申 :於組成·（包含活化能射線硬 匕:卜，還由 進行^更化所構成之硬化物而組成含氣以： = 其中，含氟預聚體（' 申^主之直含^光導波路用構件， 含說預聚體，活化能射後碌=利祀圍第6項所記载之 生劑（π_"化此射線硬化起始劑（Π)係光自由基發 20.如申請專利範圍 其中，含氟預聚體由β /亂先導波路用構件， 含氟預聚體，活化_ $ t=專利靶圍第7項所記載之 (Π-2) 〇 爾硬化起始劑⑴係光酸發生劑 2 1 · —種含氟光導波路用苴 # r, ® ^17 ,Μ „ ^ ^ t tf i光一度Λ數之最大值，係為w以下範圍 · 5氟光導波路用構件，苴特矜/认 專利範圍第1 7項所々莽 千/、特说在於··在申請 内之唿#声在鉍°己载之硬化物之1 530〜1 5 70nm诸旦# 内之及先度係數之最大值，係為一以下。波長範圍 2066-4683-PFl(N).ptc 第78頁 572906 曰 修正 案號 91103639 ^ p| 六、申請專利範圍 =· 一種光導波路型元件’係由怒部和包層部 2導波路型元件’其特徵在☆:芯部和包層部中之至少 構ΐ而：：申請專利範圍第17項所記載之含氣光導波路用 24. 如申請專利範圍第23項之光導波路型元件，直 用椹:ί部係由申請專利範圍第17項所記載之含氟光導波路 用構件而構成。 $久格 25. 如申請專利範圍第23或24項之光導波路型元件， 波:用；::::申請專利範圍第17項所記載之含氣光導 2 6 · —種含氟光導波路用構件，其特徵在於：由硬化 :言:專利範圍第1項所記載之含氟光導波路 之硬化物而構成的。 风 2J· 一種含氟光導波路用構件，其特徵在於：在申請 利範圍第26項所記載之硬化物之i 29〇〜132〇 内之吸光度係數之最大值，係為lcnrl以下。 乾圍 2 8. —種含氟光導波路用構件，其特徵在於：在 内利範圍第26項所記載之硬化物之1 530〜1 570nm波長範圍 内之吸光度係數之最大值，係為1 cm—1以下。 夕止2播9·、Γ種光-導波路型元件’係由芯部和包層部所構成 一、；路型元件，其特徵在於：芯部和包層部中之至少 j ’係由中請專利範圍㈣項所記載之含I光導波路用 構件而構成。 3〇·如申請專利範圍第29項之光導波路型元件，其

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