TW569075B - Active matrix substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

569075 五、發明說明（1) 【發明領域】 顯示裝置中的主動矩睁基 系統中的主動矩陣基板及 本發明是關於應用在液晶 板’特別針對置於橫電場（IPS) 其製造方法。 【發明背景】 ^常在扭轉向列（TN :Twisted Nenatic)式液晶顯示 f置中，由於液晶分子是在近乎垂直基板的方向往上升 南’因而造成視角狹小的問題。 巧反地，纟主動矩陣式液晶顯示裝置中，作為切換元 =^膜電晶體（以下以TFT表示）是以矩陣方式設置Μ 土板上，而液晶分子則是在近乎平行基板的平面上旋 ，二所以主動矩陣式液晶顯示裝置的影像品質能夠 式液晶顯示裝置。 於日本公開專利公報第5-505247號中，曾引用一種平 =切換（IPS 二 In-Plane-Switching，以下以IPS 表示）系统 中的液晶顯示裝置，作為改善液晶顯示裝置之視角特性的 方法。在IPS液晶顯示裝置中，兩個電極均位在同一基板 t，且在兩電極間施加一電壓以便產生與基板水平的土電 %，然後驅動液晶分子使其在水平於基板的位置上旋轉。 在此方法施加電壓時，液晶分子的長軸絕不會在垂直於芙 =平面往上升高。由於這個因f，所以視角改變時液曰=曰 雙折射的變化很小，因此使得顯示裝置的視角變寬。 以下將介紹位於IPS系統中且兩電極均設置在同一基 569075

板上的主動矩陣式液晶顯示裝置。而位於IPS系统中之TFT 中的D-D線截取所得之橫剖面圖。 首先在玻璃基板61上設置閘極電極62與鉻製的共通電 ，63，亚以四氮化三矽製的閘極絕緣層64覆蓋兩電極。此 將作為電阳體之主動層的半導體層65設置在閘極電極Μ 上方之閘極絕緣層6 4上。 又，讓鉻製的汲極電極6 6、源極電極6 7，與半導體層 6 5部份重璺，並以四氮化三矽製的保護膜6 8覆蓋以上全部 的物件。 如圖2所示’源極電極6 7延伸線組成的像素電極了 7與 共通配線263延伸線組成的共通電極63之間即為像素的設 置區域。又’具有上述構造的像素以矩陣形式配向在主動 矩陣基板的表面上，於是形成配向膜7〇，且此配向膜的 表面是由研磨製程所得。 又’在玻璃基板6 1相對之對向玻璃基板丨6 1的内側表 面上設置配向膜1 7 〇，如此一來使得配向膜7 〇與丨7 〇彼此相 對’然後將液晶成分7 1填充在配向膜7 〇與1 7 0之間。 並於玻璃基板6 1與1 6 1的外側表面上各自設置偏光板 74 與 174。 另外設置具有隔開濾色層7 2效用的遮光層7 3，以便使 得部份的遮光層73能夠位在半導體層65所組成的薄膜電晶 體上。對向基板161的構造是以遮光層73為分界逐段將濾 色層7 2配置在基板1 6 1上，然後再將配向膜1 7 〇覆蓋在濾色

569075 五、發明說明（3) 層72與遮光層73上 在具有上述構造的主動矩陣式液晶顯示裝置中，當液 晶成分中施以無電場時，液晶分子丨7 i通常會如圖2的平面 圖所示，均以平行於這些電極的單向方式配向。 更特別的是液晶分子之指向，致使液晶分子長軸（光 學軸）之方向與像素電極77、共通電極63兩者所構成之電 場方向一間的夾角在45度以上、9〇度以下的範圍内。且如圖 1中所示、，液晶分子指向的配向方式與玻璃基板61的表面 平行。以上為液晶分子的介電各向異性為正值時的情況。 於閘極電極62施加電壓以開啟TFT的同時，將電壓施 加至源極電極67與像素電極77，於是於像素電極口與共通 電極63間引發電場。因為此電場的緣故，使得液晶分子 171之指向變得更接近引致液晶分子271配置一致化之電尸 =二！質上液晶分子與像素電極77、共通電極6“ 方向為平行配向。且一旦將偏光板74與174 j =配置於預定的角度上時，可利用上述 分子移動進而改變光線的穿透率。 於上述之I PS系統的主動矩陣式液晶顯示妒置中，一 與共通電極63間施加電壓，即可使得液晶 與基板的表面呈現實質上平行之狀態，*絕不 :2¾直基板之平面上往上升高。基於這個因辛，故視角 ’ *度的改變量微小，而視角特性獲得相當程 然而’如上所述之I p s系統的液晶顯示裝置中，於主

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=^陣基板之侧邊所具有的特性將會導致以 问磚出現。 下即將描述的 透方2 /:人，81為不同之施加電場方向與光線穿 = 產ΐ!場的像素電極與共通電極並不-定 使用金屬電極。且1ρ“統之液二示裝 兩電極均類似梳齒狀…彼此梳齒交 ”:fν成。再者，為了獲得臨限電壓低且更均一的橫電 场，：必要使電極配線寬度與配線間距離形成為較細密。 "^二m將電極配線寬度與配線間距離形成為 車父^播的結果，會發生由於TFT之構造所造成之配向不良 的液晶的配向，亦即為了提供構成液 晶層=曰曰/刀子配向時所需的動力’m常藉由配向層的研 磨而達成。不㉟’此時由於電極間高度的關係，若研磨不 足戒根，未研磨時，即會產生缺陷區域。這種缺陷區域特 別會沿：2附近出現’而若是顯示裝置中觀察到 的顯不狀態時，即稱為產生白針孔現象。 可=像因研磨製程所引起之配向動力的差異，是取決 於電極日《凹。Ρ的尺寸大小與所使用之研磨布的纖維厚、 度。亦即，電極間的高度差較小的區域較容易研磨；反 7 ，電極間的南度差較大的 之 j门又左平乂人的&域則較難研磨；因而出現配 向動力不同之區域。由於這種配向動力的差異而阻礙了 晶配向的均句冑。在配向層之表面上的高度差較小或無高

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度差的狀態時，易於均勻地 生缺卩曰配向區。但是由像素 膜之高度差會造成為配向層 面圖所示，若電極之高度差 在配向層中出現缺陷區。 進行配向層的研磨，且不會產 電極與共通電極所產生的保護 表面之高度差，且如圖丨的剖 大’由於其難以被研磨，而會 【發明 故 板及其 身南度 至 主動矩 於 切換元 像素區 閘 而資料 又 切換元 概述】 本發明 製造方 所造成 於本發 陣基板 本發明 件，係 域連接 極電極 電極係 複數個 件連接 之目的乃是提供一種IPS系統的主動矩陣基 法，其中不僅能夠抑制電極間高度差或其本 的配向不良，並可執行良好的研磨製程。 明的特點則是以感光材質來製成丨ps系統之 上的保護層所塗覆之平坦化層。 f 一實施態樣的主動矩陣基板中包含複數個 設置在基板上致使各個切換元件與相對應的 〇 2設置在該基板上以便與該切換元件連接， &置在该基板上以便與該切換元件連接。 像素電極係設置在該基板上，以便各自與該 〇 極的Si?極：ϋ在鄰近界定該像素區域之該像素1 極卜、土 7、°蔓層係設置在該切換元件與該像素, °上以便覆蓋該閘極電極與該共通電極。 ’、 ，，感光樹脂製的-平坦化層係設置在該保護層上c 在上述的發明中，通常以一閘極絕緣層塗覆該閘極^

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極與該共通電極，且^Γ # ι1 5亥像素電極係設置在 該閘極絕緣層 以便各自與切換 上。 亦將複數個像素電極設置在基板上， 元件連接。 月弟一只軛悲樣的主動矩陣基板中， 極絕緣層與一丰導# s ^ ^ r乃以m 蛉體層之一豐層塗覆該閘極電極與該共通 電極，致使該閘極電極上之該疊層與該共通電極上之該疊 層刀離且透過3亥豐層將該基板上之該像素電極曝露出 來。 σ

根據本發明的此實施態樣，其中該保護層之端子開口 區域係設置在該閘極電極的一端子部。 且違感光樹脂最好為丙烯酸樹脂，而配向層則是設置 在平坦化層上。 《、口 根據本發明得知’液晶顯示裝置是利用排列對象基板 與上述主動矩陣基板以便將液晶層包夾其間而得。 又，根據本發明所述，裝配位於主動矩陣基板對象的 對向基板以便在該兩基板間包爽一液晶層，如此便可獲 得液晶顯示装置。

接著為本發明第一實施態樣中之主動矩陣基板的製造 方法。 首先在一基板上，設置一作為一閘極電極的閘極配線 與一共通配線； 接著設置一第一絕緣層以覆蓋該閘極配線與該共通配 線，並在該第一絕緣層上，設置一半導體層。

第9頁 569075 五、發明說明（7) 然後在該半導體層上，設置一作為一源極電極且連接 至該半導體層的一源極配線，與一作為一汲極電極且連接 至該半導體層的一汲極配線； 又設置一第二絕緣層以覆蓋該半導體層、該源極配線 與該汲極配線，並在該第二絕緣層上設置一第三絕緣層； 且設置一共通電極與一像素電極以便使其為彼此 設置。 而該第二絕緣層的頂層部分係以一感光樹脂製成，豆 中以波長4〇0nm測量時，該感光樹脂製的透明度為9〇%以/ 上。 :2本發明第二實施態樣中的主動矩陣基板之製造方 ώ又置該閘極配線與該共通配線後，該第一絕緣 η ί f體層係依序設置在該閘極配線與該共通配線 導ΐ成相同的形狀以便產生由該第一絕緣層與該半 ¥體層所組成的層狀結構。 法，ί 本發明第二實施態冑中的主動矩陣基板之製造方 該第二絕缘：Ϊ，極配線與該共通配線的底面外，係以 根；；= : = !域與終端區域以外的區域上。 *，其中，該感光樹；主動矩陣基板之製造方 光樹脂的方 q係以塗覆、曝光、顯影與加熱該感 脂下方的保護^。且该第二絕緣層具有一位於該感光樹 根據本發明第五實妳能接士 μ 法，其中，於兮楚_錢轭悲樣中的主動矩陣基板之製造方

、以一絕緣層中形成端子開口區域的步驟， 569075 五、發明說明（8) 係先開啟位在該閘極配線之一端子與該汲極配線之一端子 的該感光樹脂之該端子開口區域，再透過該感光樹脂之該 端子開口區域開啟該感光膜之該端子開口區域。 根據本發明以上各實施態樣，其中，該感光樹脂係由 一丙浠酸樹脂製成，且該第三絕緣層係一配向層。 【較佳實施例】 參照圖5，閘極電極2與共通電極3是設置於玻璃基板j 上，而閘極絕緣層4則是覆蓋在兩電極之上。至於半導體 層5是重疊於閘極電極2的上方。此外透過歐姆接觸層（未 圖示），使得源極電極7與亦稱為資料電極的汲極電極6各 自連接至半導體層5。原本延伸在源極電極7與汲極電極6 間的歐姆接觸層因為蝕刻的關係，因而只存在於源極電極 7、汲極電極6各自與半導體層5間的區域。此外，屬於半 導體層5其中一部份的背後通道部是對歐姆接觸層微過产 蝕刻至抵達半導體層5處而形成，接著依序以保護膜8、夂 =化層9與配向層10逐層覆蓋在背後通道部上。在以下的 a兒明中’為間化起見將省略配向層的介紹。 膜8二對平/旦化層9的製造方法而言’由於所形成的保護 覆盍在m之背後通道部、源極電極7、&極 圖汲極電極6等上方’所以必須開啟没極端子（ =)的*保護膜，以便與外部的電訊來源連接。通常是以合 成酚醛樹脂製感光光阻塗覆於保護層8上，並利用 W成端子區的開〇 ’ ^後設置在⑨極端子上的保護層8

569075 五、發明說明（9) 即呈現開啟狀態。但因合成酚醛樹脂在高溫環境下容易流 動’且其透明度低而不適宜作為顯示裝置的平坦化層，故 在以上的刼作後必須將合成酚醛樹脂製感光光阻移除。而 本發明中則以丙烯酸樹脂製感光樹脂取代來作為塗覆之 用。 且利用光刻方式使得丙烯酸樹脂製感光樹脂外露並顯 影’並移除保護膜應開啟處的丙烯酸樹脂。 ‘' 接著，如圖7A、7B與8A、8B所示，於開啟保,展8 後，以丙烯酸樹脂製平坦化層9作為遮蔽，並於^;〇^的溫 度將丙烯酸樹脂烘烤1個小時，即可獲得能夠與沒極 電極（見圖6D)等之不均勻反射表面予以平坦化的平坦化声 9。為確保丙烯酸樹脂的透明度’故採用具有正光阻的丙θ 婦酸樹脂製感光劑’並於烘烤與去色過程前將丙烯酸樹脂 的整個表面曝露出來。 *在本發明中提供一種的主動矩陣基板的製造方法，其 =在於不增加操作步驟的情況下，能夠利用以下所述： 裝這方法，製得已消除TFT與電極群所 的主動矩陣基板。 卜丁一兄豕 接下來，將參照圖3至8B詳細進行本發明第一個 2 t 3:、：作為例子之液晶顯示裝置的切換元件為TFT。 構^ 路圖’表示液晶顯示裝置令主動矩陣基板的 首先，閘極配線2〇2(間極配線是連接到 與汲極配線順沒極配線是連接到没極端二 第12頁 569075 五、發明說明（10) 玻璃基板上，至於TFT16與像素電極 連接線的交叉處。此外將閘極配線2〇2 連接到TFT 16的閘極電極，且藉由透過閉極 〇 閘極電極的一掃描信號來驅動對應於像素的TFT 1 6' 而汲極配線206則是連接並輸入一資 的汲極電極。且一栌I灿多主而 貝t叶1口就到TFT 1 6 的源極電極7，而構电極17被連接到tft 16 絕緣#上1鄭Λ s 線。各個像素電極與在閘極 ^m i ΐ 線2〇3(共通配線是連接到丘通端子 103)會呈現部分重疊的 按剜，、通知子 極。 u此其相當於一附加電容電 如圖4與5所示，於玻璃基板i上設 閘極絕緣層4覆蓋。緊接著在與 電桎2，並以 半導體層5，並透過歐姆接觸 宜的上方設置 極電極6各自連接到半導=層（ί;不)將源極電極7與沒 極電極6間的歐姆接觸層因“作、本位於^極電極7與沒 極7至半導#5盥 作用’故，、存在於源極電 再者電極6至半導體層5的區域。 部，依序覆蓋上保護膜8與姆二卓的背後通道 膜製平坦2d用種依序以保護膜8、有機 用。 次黑矩陣層則是本發明另—種應 此外，並沒有特別限制_ 件，諸如金屬絕緣體全屬乍為切換元 孟屬（ΜΙΜ)、兩極真空管均可；同樣 第13頁 569075 五、發明說明（11) ίΓ:/二’也有可能不是半導體層下方設置著間極 電極的反式父錯型態’而可能為順式交錯型態。者閘極 而且，有關於本發明之液晶顯示 沒有特別的㈣卜例如液晶材料：中： 向基板之電極等等，均盥一 # φ，對向基板、對 所用相同。 /、般主動矩陣式液晶顯示裝置中 Μ 3下可製得如剖面圖5所示構造的製程圖6Α至 後辛Ϊ仃ί ’二明第一個實施例的說明。其中圖6Α至6D表示 :素，員不區域的製造方法。@，與76則為其端子之構造 ，圖6A所示為例’將閘極電極2與共通電極3設置在玻 璃基板1上。並依照先前技術的方式進行該製程的。 又，以噴滅方式將厚度100至400ηιη之銘、鉬、鉻等導電声 設置在玻璃基板1上’並以光刻方式形成閘極配線（未圖曰 不）、閘極電極2、共通電極3，與連接至顯示用之外部信 號處理基板的閘極端子1〇2(圖7A與7B)。 接著如圖6B所示，以電漿化學汽相沉積（CVD)方式各 自將厚度大約為4 0 0nm、3 0 0nm與50nm的四氮化三石夕等製之 閘極絕緣層4、非晶矽製之半導體層5與n+型非晶矽製之歐 姆接觸層（包含於半導體層中’此處省略其介紹）設置在玻 璃基板1上，且半導體層與歐姆接觸層的形狀就如同即 產生的半導體層5。 隨後如圖6C所示，以喷濺方式將厚度1〇〇至2〇〇11111之 鉬、鉻等金屬設置在覆蓋半導體層5的閘極絕緣層4上，以

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: = 緣層4與半導體層5的歐姆接觸層，並以光刻 屬成形為源極電極7、像素電極17、汲極配線(未 的:搞嫂及车Ί極6 ’與連接至顯示用之外部信號處理基板 =”1〇6(圖8Α與8Β);並且為形成屬於tft 一部份的 二後通這部，除了源極電極7與閘極電極6下方區域外，將 其餘不需要的歐姆接觸層部分移除。

接下來如圖6D所示，以電漿化學汽相沉積（CVD)方式 將厚度大約為lOOnm至20 0nm的四氮化三矽等製之保護膜8 設置在閘極絕緣層4上，以便覆蓋TFT之背後通道部、源極 電極7、汲極配線（未圖示）、汲極電極6與汲極端子1〇6(參 照圖8A與8B)。 由於端子區域的保護膜8必須具備開口，因此將丙烯 酸樹脂製感光樹脂9塗覆在保護膜8上，並開啟其位於汲極 端子上方的部分。 有關於如何形成丙烯酸樹脂製感光樹脂9，與如何使 得汲極端子之保護膜8為開啟狀的方法如下所述： 首先，以1 2 0 0 r pm之旋轉速度將感光樹脂9塗覆在保護 膜8上，然後在90 °C的溫度下預烤3分鐘；

接著，將感光樹脂9曝光在照射強度為1. 5 J/cm2的G 線照射光下； 然後，以0. 2%的三曱基氫化鋁（TMAH)溶液之液體顯影 劑，讓感光樹脂9顯影1 0 0秒； 隨即，在照射強度為6 0 〇 J / c m2的G線照射光下’讓感 光樹脂9進行後曝光製程；

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之後，以溫度230 t、時間1小時的條件下加熱感光樹 脂9以便於進行後烘烤製程（圖7人與8人）； 在條件··流速25〇Sccm的氦氣、45sccm的SFe、真空壓 力3 0Pa、RF能量1 2 0 0W、平板之底面與基板間的距離（以下 稱之為差距）為150mm、蝕刻時間28 0秒下，以乾蝕刻方式 開啟感光樹脂9，同時讓保護膜8呈現開啟狀態（圖7β盥 8B)。 /、 然後，所幵》成的感光樹脂9即當作用於平坦化因τ ρ τ與 汲極電極等而變成不均勻之保護膜8表面的平坦化層9 (圖 6D)。此時如圖7B所示，因為閘極端子1〇2的頂部、由下到 上依序覆蓋著閘極絕緣層4與保護膜8，將保護層8開啟 後’亦同時沿著開口部分開啟閘極絕緣層4。此外，在利 用正光阻的丙烯酸樹脂感光劑以確保其透明度的狀況下， 且於後烘烤製程前，以後曝光方式讓丙烯酸樹脂的整個表 面曝露出來，再進行其去色製程。 隨後，按照一般製造方法將上述所製得之基板設置在 對向基板的對側，接著於兩基板間注射入液晶即完成液晶 顯示裝置的製造過程。 如上所述，於IPS系統中之液晶顯示裝置的這個實施 例，即便因為TFT與汲極電極而起不均勻現象使得研磨不 均，但是藉著將平坦化層設置在保護層上，即可抑制缺陷 配向層的產生。 此外，在此實施例中，由於保護膜上平坦化層是由丙 嫜酸樹脂製感光樹脂而來’如此使得平坦化層之形成不需

第16頁 569075 五、發明說明（14) 增加額外的操作步驟。 實施例的. 接下來，參照圖9至12B來進行本發明第 解說。 首先’將閘極電極3 2、閘極配線2 3 2與共通電極3 3設 置在玻璃基板31上（圖ha)，並以閘極絕緣層與半導體層 覆蓋其上。接著，除了覆蓋著閘極電極32、閘極配線 2 32、共通電極33與共通配線233處，將其餘部分的閘極絕 緣層與半導體層移除；隨後，僅在閘極配線232、共通配 線233與汲極配線236交錯部分附近、閘極電極32附近、共 通電極33附近，形成由下而上依序為絕緣層與半導體層的 層狀結構4 2，然後移除其他區域的半導體層以便形成半導 體層3 5與閘極絕緣層3 4 (圖11 b )。 接著，透過歐姆接觸層，讓設置於半導體層35中央兩 側且沒有接觸的源極電極37與汲極電極36連接到半導體層 35。原本位於源極電極37與汲極電極％間的歐姆接觸層^ 蝕刻作用’故只存在於源極電極37至半導體層35與汲極電 極36至半導體層35的區域（圖12A)。 再者，將背後通道部内原先所含有歐姆接觸層 方式移除’接著由下而上依序覆蓋保護層38與平括化層 3=\B)二本實施例中關於保護層38與平坦化層3:的 汉置方式如同第一個貫施例中所述的製造方法。 在士實施例中，由於將像素電極47與共 在同-平面上，所以當施加於兩電極間電壓所產生的3 = 足以傳動液晶分子時’即可改善液晶分子的配向效率。 第17頁 569075 五、發明說明（15) 此外，雖然本實施例與第一個實施例比較後，發覺因 閘極電極、閘極絕緣層與半導體層所組成的3層式層狀結 構，使得玻璃基板的表面更不平坦。不過即便平坦狀況如 此不佳，一旦使用本發明中的平坦化層即可在不增加操作 步驟的情況下使得玻璃基板的表面平坦化。 根據本發明如上所述的主動矩陣基板及其製造方法， =I?系$的液晶顯不裝置中，利用丙烯酸樹脂製感光樹 / 4 :、、、保σ ^的平坦化層時，得以在不增加操作步驟並 抑制因TFT與汲極電極而如—丁仏& ^ ^ ^ 向起之不均勻所導致的研磨不均等 情況下，即可達到設置半+ 麻 、 j 口又罝十垣化層的任務。

第18頁 569075 圖式簡單說明 圖1為一種I P S系統中習用的液晶顯示裝置之剖面圖 (D - D ’線位在圖2 )。 圖2為一種先前技術中的主動矩陣基板之平面圖。 圖3為應用在一般橫電場系統之液晶顯示裝置的主動 矩陣基板之電路概念圖。 圖4為本發明第一個實施例中，位於主動矩陣基板之 像素電極附近區域之平面圖。 圖5為沿著圖4中A-A’截線所得之剖面圖。 圖6A至6D為本發明第一個實施例中關於主動矩陣基板 之製造方法的依序製造步驟之剖面圖。 圖7A與7B為本發明第一個實施例中關於主動矩陣基板 之閘極端子部的電極設置步驟之剖面圖。 圖8A與8B為本發明第一個實施例中關於主動矩陣基板 之汲極端子部的電極設置步驟之剖面圖。 圖9為本發明第二個實施例中，位於主動矩陣基板之 像素電極附近區域之平面圖。 圖10A與10B為各自沿著圖9中B-B’ 、C-C’截線所得之 剖面圖。 圖11 A與11 B為本發明第二個實施例中關於主動矩陣基 板之製造方法的依序製造步驟之剖面圖。 圖12A與12B為接續圖11B後的製造步驟之剖面圖。 【符號說明】 1、3 1、6 1〜玻璃基板

569075 圖式簡單說明 2、 3 2、6 2〜閘極電極 3、 33、63〜共通電極 4、 3 4、6 4〜閘極絕緣層 5、 35、65〜半導體層 6、 3 6、6 6〜沒極電極 7、 3 7、6 7〜源極電極 8、 38、68〜保護膜 9、 19〜平坦化層 10、74、170、174〜配向層 16〜薄膜電晶體（TFT) 17、47、77〜像素電極 42〜層狀結構 71〜液晶原料 7 2〜濾、色層 7 3〜遮光層 1 0 2〜閘極端子 103〜共通端子 106〜沒極端子 161〜對向玻璃基板 1 7 1、2 7 1〜液晶分子 2 0 2、2 3 2、2 6 2〜閘極配線 203、233、263〜共通配線 2 0 6、2 3 6、2 6 6〜汲極配線

Claims (1)

1. (a)複數個切換元件，設置在一基板上並與相對應的 一像素區域連接； (b )閘極電極，設置在該基板上以便與該切換元件連 接； (c )資料電極，設置在該基板上以便與該切換元件連 接； (d )複數個像素電極，設置在該基板上且分別與該切 換元件連接； (e)共通電極，設置在該基板上，鄰近界定該像素區 % 域之該像素電極； (f ) 一保護膜，設置在該切換元件與該像素電極上以 便覆蓋該閘極電極與該共通電極；以及， (g)感光樹脂製的一平坦化層，設置在該保護層上。 2 · 如申請專利範圍第1項的主動矩陣基板，其中， 以一閘極絕緣層塗覆於該閘極電極與該共通電極，且該像 素電極係設置在該閘極絕緣層上。 3 · 如申請專利範圍第1項的主動矩陣基板，其中， ，一閘極絕緣層與一半導體層之疊層塗覆於該閘極電極與 _ 遠共，電極’以使該閘極電極上之該疊層與該共通電極上 之該疊層隔離，且該像素電極形成於由該疊層曝露出來的 · 該基板上。 、 ^ 4；如申請專利範圍第1項的主動矩陣基板，其中， : 该保護層在該閘極電極的一端子部設有端子開口區域。.

   第21頁 569075 六、申請專利範圍 ^ 5,. +如申請專利範圍第1項的主動矩陣基板，盆中 該感光樹脂為丙烯酸樹脂。 敬其中， #罢I兮t申請專利範圍第1項的主動矩陣基板，更包含 設置在該平垣化層上的一配向層。 更匕S τη •一種液晶顯示裝置，包含與申請專利範酉 r夾層基板相對向的-對向基板，以便在該=二 8· 一種主動矩陣基板的製造方法，包含： 與-(共0通ί:基板上設置-兼作為-閘極電極的閘極配線 • 置弟絕緣層以覆盍該閘極配線與該共通配 線， - (C )在該第一絕緣層上，設置一半導體層； (d)在忒半導體層上，設置連接至該半導體層俾兼作 :、、源極電極的一源極配線，與連接至該半導體層俾兼作 汲極電極的一汲極配線； ”、、 ^ ^ (e )"又置一第二絕緣層以覆蓋該半導體層、該源極配 線與該沒極配線，並在該第三絕緣層上設置一第三 層； —其中，於该共通配線及該源極配線，分別設置彼此平 行之一共通電極與一像素電極； 且該第二絕緣層的頂層部分係以一感光樹脂製成，其 中以波長40 0ηπι測量時，該感光樹脂的透明度為9〇%以上。 9 ·如申睛專利範圍第8項的主動矩陣基板之製造方 569075 六、申請專利範圍 法，其中，於設置該閘極配線與該共通配線後，將該第一 絕緣層與該半導體層依序沈積於該閘極配線與該共通配線 上，然後圖形化成為相同的形狀以便產生由該第一絕緣層 與該半導體層所組成的層狀結構。 10. 如申請專利範圍第8項的主動矩陣基板之製造方 法，其中，除各該閘極配線與該共通配線的底面外的表 面，在端子區域與終端區域以外的區域上係以該第一絕緣 層覆蓋。

   11. 如申請專利範圍第8項的主動矩陣基板之製造方 法，其中，該感光樹脂係以塗覆、曝光、顯影與加熱該感 光樹脂的方法製成。 12. 如申請專利範圍第8項的主動矩陣基板之製造方 法，其中，該第二絕緣層具有一位於該感光樹脂下方的保 護膜。

   13. 如申請專利範圍第8項的主動矩陣基板之製造方 法，其中，形成該第二絕緣層中之端子開口區域的步驟， 係先開啟位在該閘極配線之一端子與該汲極配線之一端子 的該感光樹脂之該端子開口區域，而後再透過該感光樹脂 之該端子開口區域開啟該感光膜之該端子開口區域。 14. 如申請專利範圍第8項的主動矩陣基板之製造方 法，其中，該感光樹脂係由一丙稀酸樹脂製成。 15. 如申請專利範圍第8項的主動矩陣基板之製造方 法，其中，該第三絕緣層係一配向層。

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