TW561629B

TW561629B - Method for manufacture of a solar cell

Info

Publication number: TW561629B
Application number: TW091123924A
Authority: TW
Inventors: Thomas Dr Lauinger; Ingo Dr Schwirtlich; Jens Moschner
Original assignee: Rwe Solar Gmbh
Priority date: 2001-10-19
Filing date: 2002-10-17
Publication date: 2003-11-11
Also published as: NO20025034L; PT1304748E; DE10152707A1; EP1304748A2; US20040081747A1; US6746709B2; DE10152707B4; DE50214383D1; JP2003158283A; ATE465517T1; JP4020748B2; EP1304748B1; ES2344936T3; NO20025034D0; EP1304748A3; NO325995B1

Description

)61629 五、發明說明（l) 本發明係有關一種太陽能電池之製造方法，其在一由矽構成或含矽之片狀或膜狀基板上生成一構成鈍化層及/或抗反射層含有矽之含氫層。目前8 0 %以上太陽能電池皆由結晶矽片構成，其係使用塞可歐斯基法（Czochralski Method)或铸錠法。其使一石夕熔化物結晶成一圓柱體或一大正方體，然後鋸成片。此高比例在未來幾年可能會因新的產能而明顯提高，因多數製 U者争可使用多年來以結晶石夕片為基礎的生產技術而不願使用新技術。

目前所討論的矽片型的太陽能電池（典型厚度約3〇〇 “η) 未來取代者為薄層太陽能電池，其相較於結晶矽片構成的太陽能電池，需要較少的半導體材料（厚度約卜1〇 #m)。此電池可以不同的方法直接塗佈在大片玻璃表面上，故可大為降低成本。市售非晶矽薄層太陽能電池效率為6_8%。化合物半導體，例如CdTe或CuInS2，可達到更高的效率。此種材料的太陽能電池目前正在控制生產線被測試（A·

Abken et al., Proc. 16 EPVSEC, 2000； D. Cunningham =al·，Proc· i6th EPVSEC，20 0 0 )。該材料是否適用目前，未明’因其部分具毒性或只可使用少量。被深受期待的是節省材料的結晶矽太陽能電池，因矽具環境親和性且使用不受限。但此種電池仍在早期發展階段（R. Brendei et al·， proc· 14th EPVSEC， ρ· 1354， 1997; Κ· Feldrapp et ai·， proc· i6th EPVSEC， 2000)。使用結晶石夕片之習知製造方法的第二個取代方法為使用【561629 、發明說明（2) 矽膜。其使矽直接結晶成具太陽能電池所需厚度而避免鑄錠法（block Casting)或塞可歐斯基法可存膜，割扣失。已用於工業的是所謂的Edge_def ined Fi f二 Growth(FEG)法，其使製造可得到極高品質的矽膜。= 二：發目標在減少薄膜厚度至大約1〇〇,。不同於鑄鍵：或塞可歐斯基法，薄膜法可大為降低製造成本，因切失與矽片體積的比例不會隨矽片變薄而增大。因此，^ = 在由現有矽片轉換為薄層技術的長過渡期間裏主宰著、場。所有矽片太陽能電池之一中心變量為晶體體積中光所生電荷載子的有效壽命。其需足夠長，以便所有電荷載子擴散到金屬接點而可到達連接的電路。目前主要使用的禱旋法或塞可歐斯基法、中期可能增加使用的矽薄膜及未來可能使用的結晶矽薄層太陽能電池皆適用之。結晶矽有效電荷載子壽命受限於晶體缺陷（差排或錯置）、晶體污染（如金屬原子）及晶體表面性質（如自由鍵）。在晶體製造時即避免晶體缺陷及污染並得到理想表面’由於技術上的困難或經濟性的理由而不可能。因此需在後續的太陽能電池製造步驟設法改善碎片通常極差的電荷載子壽命。其可藉減少污染（L· J. Caballero et al.，prQC 16th EPVSEC 20 0 0 )、將原子狀態的氫植入晶體中之晶體缺陷電子鈍化（氫體積鈍化）（Β· L· Sopori et ai.，

Solar Εη· Mat. & Solar Cells 41/42， ρ·ΐ59， 1996)及

91123924.ptd 第6頁 561629 五、發明說明（3) 塗佈表面層而防止表面電荷載子重新組合（曾 / A n 、电于表面純化） (A· Aberle， R· Hezel， Progr· in pV 5， ρ· 29 19 而達成。此種製程對良好的太陽能電池效率十分重工業上已將其應用於不同的領域。刀要’故石夕，陽能電池之氫體積純化中’習知方法包括氫氣電聚法、氮氫混合氣體回火法及含氫氮化矽表面層（s丨Ν 散法等方法。電子表面鈍化中，習知方法包括矽表/氧^匕法（S. Wenham et al.， Solar En. Mat. & Solar Cells

65，P· 377，2001)及含氫氮化矽表面層塗佈法（a S

Aberle， R· Hezel， Progr· in PV 5， ρ· 29 i997)等方法。所有習知方法中只有使用含氫氮化矽表面層可同時達到兩目的。因此，越來越多太陽能電池的製造使用s i N 層。使用S i N表面層的另一優點在於其除了鈍化特性外尚具，佳光學參數，故可使用作為有效的抗反射層。 σ 藉助SiN表面層的塗佈，氫氣體積鈍化分成兩步驟。首先在碎片上塗佈一層含氫SiN層。其中可已有一小部分原子狀態的氫滲入矽片接近表面處。然後以7 〇〇艺以上的溫度進行一高溫處理。在此高溫下表面層一相當大部分原子狀態的氫被釋放而擴散入矽晶體中（B L.sopori et al.，

Solar Εη· Mat· δ Solar Cells 41/42， ρ·159， 1996; J. Jeong et al·， J· Appl· Phys· 87(10)， ρ·7551， 2000)。藉助SiN表面層的電子表面鈍化因兩種作用而達成〔、為層中所含氲〉儿積到石夕表面而鈍化自由石夕鍵，使得其為電子無效。其二為層中產生絕緣電荷，受其影響而

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I1HI

naib 第7頁 561629 五、發明說明（4) 在矽中產生一電場，該電場導致電子鈍化效應增強（電荷載子遠離表面於是不能由該處釋出）（A.G· Aberle et al·， Solar Εη· Mat. & Solar Cells 29， ρ·175， 1 9 93 )。習知SiN表面層的塗佈方法為： a )平行板式電漿：此方法使含矽及氮的反應氣體，最好是矽烷及氨，在一低壓裝置中被電漿放電激發而產生反應。兩平行板被輸入一交流電流而在其間產生電漿放電。該交流電流通常在 kHz或MHz頻率範圍並為100至1〇〇〇 V (R· Reif in: Handbook of Plasma Processing Technology, Noyes, New Jersey, 1990， ρ·269 ff·)。 b )遠距離微波電漿：

氨或氮在塗佈室一隔離部分之外或之内的低壓電漿中被激發而被導向基板。途中混合入一含矽反應氣體（通常為矽烷）。被激發的含氮氣體與含矽氣體反應而沉積在基板表面。 c)LPCVD 使含氮及矽的反應氣體在一低壓裝置中7 〇〇 °C以上的高溫下反應。由於需要高溫此方法有許多缺點，例如溫度敏感基板不能被使用及SiN層氫含量太低，因在此溫度下大部分氫會由層釋出。太陽能電池氫體積鈍化及電子表面鈍化之SiN表面層迄今只使用平行板式及遠距離微波式SiN層（A· G. Aberle，

Solar Εη· Mat· & Solar Cells 65， ρ·239， 2001)。兩

一 __

91123924.ptd 第8頁 561629

者之共同缺點為S i N層效率強烈受層纟成 ^^(T. Lauinger et al., J. Vac Sci

16(2)，p.530，1 998)。如此產生下述問題 /^ηοΐ. A -太陽能電池效率不夠高，因所使用之層未發化及電子表面鈍化的所有能力，虱-只* u開始時需要進行耗煩的最佳化實驗以找出可能之參 -製程進行時需要耗煩的製程控制，以維持層品質的穩定，〜 « /、内了月b產生良好體積鈍化之狹窄的參數窗限制了層製作之可變性，使得層無法同時最佳化其抗反射及表二鈍化品質， -本方法整體高敏感度及高度控制需求使得其經濟性潛力無法發揮。

Appl. Phys. Lett. 71(10), p. 1371, Izumi,

Matsumara, nLow-temperature nitridation of silicon surf ace NH3- decomposed species in a catalytic chemical vapor deposition system” 提出一種氮4匕半導體元件石夕表面之方法（ULSI)。表面生成的SiNxOy層最大厚度為4. 8 nm時之化學計算比例S i : N : 0 = 1 : 〇 · 9 : 0 · 3。層以 Cat-CVD法使用鎢線作為催化劑而塗佈。測量得知鎢所產生的SiNxOy層污染可被忽略。由於SiNxOy層之過低的厚度該氮化並不適合使用於太陽能電池。為使太陽能電池生成一光生伏打活性層可&Cat-CVD法

II

1

91123924.ptd 第9頁 561629 五、發明說明（6) 沉積多晶矽（Solar Energy Materials & Solar Cells 69 ( 200 1 ) 1 07 - 1 1 4，Niira et al·，丨丨 Thin film poly - Si formation for solar cells by Flux method and Cat-CVD method")。多晶矽層之金屬污染濃度為2 x 1 014cm3 至2 X 1 018cm3 〇

Solar Energy Materials & Solar Cells Vol. 65, P. 54 1 -547, Schropp et al·，nP〇ly-silicon films with low impurity concentration made by hot wire chemical vapour deposition” 提出以HWCVD 沉積多晶石夕。發現鎢污染濃度為1016cm3。專利US 6, 225, 241 B1提出一種在一半導體基板上催化沉積一鈍化層之方法。本發明之目的在於進一步改良太陽能電池之製造方法，使得除了良好的光學特性外基板亦具良好的表面及體積鈍化。本發明之製造方法兼具良好可重複性及經濟性。尤其良好體積鈍化之參數窗寬，而可同時得到理想的抗反射及表面純化層。本目的依據本發明而如下達成：在生成〇 <χ ^丨· 5且〇 -y -2之含矽SiNxOy層時，選擇性地將一或多種濃度c為1 X 1 014cm 3 $ 1 021cnr3有催化作用的摻質植入該層中。該摻λ使氫被由S1 Nx 0y層釋放及/或影響層之結構而使層釋放更多的氫。尤其是生成層厚上平均值為O 0· 01 Sy S2 之SiNxOy 層。濃度C係優先地在1 〇16Clir3與1 〇19Cnr3之門。

561629 、發明說明（7) 推質係來自V族及VI族之元素或财火金屬或包含該元素。優先之摻質為鉬、钽、鎢、鉑及/或銖。払貝尤其是兀素鎢及/或Ο 之w〇x，藉由成核而可 ^別有利地影響成長之SiNxOy層的結構，並藉催化作用而二層中所含氫，使得由矽所構成或包含矽之基板的體谓及表面鈍化達到需要的程度。知本發明所選擇之含氫SiNx〇y層在成長及回火時可釋放出 Ϊ而ί被摻雜一或多種摻質，該摻質在層成長時作為催化 i到#致一改善的氫結合的結構，含氫分子或分子狀態的鰛2 ιΓ成原子狀態的氫（質子），或層回火時層原子結合裂解成原子狀態的氫。衣 ?:及體積鈍化的同時，太陽能電池基板表面層亦構成 "ί几反射層。選今之設計概念，在太陽能電池siN為層成長時染而在束道二尤其是金屬摻質，該金屬摻質一般被視作污現，選擇性致品質變劣。本發明驚奇地發會由於奇夕邱尤八疋由一或多種耐火金屬構成的摻質故可得1=積及表面純化作用而改善太陽能電池特性。太發日η & ^之製程控制，而無損可再製造性及品質。得層製作：面及體積鈍化的參數窗寬廣，使面鈍化品質。艮，而可同時最佳化其抗反射及表層層之結構及厚…

561629 五、發明說明（8) 均句生成的SiNxOy層層厚為5〇 nn^ii〇 nm時，χ應在〇與1 · 5之間。 ’ 生成均勻的表面層經常有困難，因尤其在基板與表面声的過渡地帶會由於基板表面的影響而導致表面層結構改曰變。因此，本發明進一步設計選擇性地改變SiNx〇y的化計算，使得層厚上的X在(^丨與^之間且/或7在〇盥2 〇，優*的是，層厚在〇.6至13的範圍内遞增，口遺層厚在0.1至1.0的範圍内遞增。除了已述均句的摻質摻“，亦可使其在層厚上產生 χ 1 018cur3的乾圍内遞增。 1主1 =:地生成具強梯度及可變厚度的可改良氮化矽層的抗反射特性。潛之叙點為本發明設計概念可使用於所有表如已述，亦可使摻雜漠度：：：ίί ί 度，故可配合不同的表面層系統。仕層厚上有一梯使S i Nx Oy層摻雜耐火金屬之_ _ 以及氮化合物，如石夕烧、二秒仃〃方法^為利用含氫之矽激發，使氮化石夕在低壓裝置中催氰氫或聯氧4氣體之上，該耐火金屬為金屬片或金沉f在熱的耐火金屬鉑及/或鈮。、，友’如纽、鉬、鎢、鍊、用以沉積鑽石層的合適方法已做為太陽能電池的非晶矽沉積】^已為大家所知，也可的製程，該沉積被視為化學' j3衣程，以及氮化矽沉積祛械鈍化層，亦即積體半導 91123924.ptd 第12頁 561629 五、發明說明（9) 體護層；但生成半導體元件之適當不能有金屬污染’因否則半導體元件品質會受不利^ CH· Matsumura, JDn T nu 曰 Ρη· Appl· Phys· 37，Ρ·3175， 1 9 9 ο J ° 本發明尤其使含氫之摻雜表面層沉積於大面積之上。該大面積之矽基板可作為矽薄層而覆蓋一載子材二反上。該載子材料可是一玻璃板、—陶瓷板、一金屬板聚合物膜。矽基板本身可具一微晶、非晶或多晶結構。 *亦可使大面積矽基板由一單晶矽片或一多晶矽片或一矽膜構成，尤其是以 EFG 法（Edge-defined Film-fed

Growth)製作的矽膜。大面積矽基板可不受上面所述左右而具一 ρ η接面。藉調整塗佈參數，例如壓力、摻質溫度、氣體組成成分、氧分壓、基板溫度、金屬與基板距離及金屬幾何可進行品要的S i Nx 〇y層換雜，尤其是对火金屬推質之推雜。沉積參數尤其應在下述範圍中：壓力Ρ ·· 0. 1 Pa ^ 1 000 Pa

金属溫度T: 1500 °C ^2500 °C 氣體組成成分 (含矽與含氮之反應氣體的比）：〇 · 〇〇 1 - 1 · 〇氧分壓： 0-20 Pa 基板溫度： 2 0 H 0 0 °C：距離·金屬基板： l-l〇〇mm

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产擇性地摻雜摻質之Si NxOy層的生成可以連續或靜態的私作方式來進仃。後者在由熱金屬及氣體構成的層材料源關^後f基板送入塗佈範圍，層成長時基板為靜止。亦可循環進行’亦即在層材料源開啟下將基板送入塗佈範圍，使其在該處被塗佈，然後再被移出。另外亦可連續進行，基板被連績送入塗佈範圍並穿過該範圍而離開該範圍。

尤其可藉改變氣體組成成分、壓力、金屬溫度及總氣流等參數而改變層組成成分之化學計算，該化學計算之改變在0 · 1至1. 5之間。靜態塗佈時亦可藉氣體組成成分、壓力、金屬溫度及總氣流等參數之時間變化而改變層厚上的層組成成分化學計算。塗佈路徑上氣體組成成分、壓力、金屬溫度、金屬幾何及總氣流等參數之空間變化亦可調整化學計算。沒有流速（Closed-Chamber-Deposition)之反應氣體的組成則可由沉積之反應速度調整。

本發明設計概念之優點可由下表看出。故製造具含氫 SiNx0y表面層之EFG太陽能電池時可驚奇地發現太陽能電池效率（Eta)與Si Nx0y層中摻質鎢之含量有一關聯。組別 Si N 0 H Fe W Eta [At%] [At%] [At%] [At%] [At%] [At%] [%] 1 37 47 1?1 15 參 13,34 2 37 51 U 12 - - 13,45 3 37 50 1，8 11 0,008 - 13,50 4 37 48 1,6 13 0,007 0,020 14,04 5 36 50 2,1 12 0,002 - 13,38

91123924.ptd 第14頁 561629 五、發明說明（11) 如表中所示，各組具近似之矽、氮及氫濃度。明顯的不同在於氧、鐵及鎢濃度。SiN層中氧濃度提高（第5組）及鐵濃度提高（第3組）時，相較於低污染之參考組（第1及2組）太陽能電池效率並未改善。其效率皆在13.34%與13.50%之間。但鎢濃度提高之第4組效率明顯高出〇. 6 %而為 14· 04% 〇第4組鐫濃度約為1 〇ι9 cnr3，故可知即使在極低之濃度時效果仍產生，因為氫擴散極佳，因此外來原子致使活性氫原子數目高。摻質摻雜的有效度下限為1014至l〇15cnr3。方具嫣接雜s i Nx 0y層之太陽能電池的效率較佳可能由於三 ^ 素所致。第一方面為鎢原子在層製作時可作為催化 i^進形的成長反應產生正面影響（例如鎢促使分子狀 ^、N1鍵或Si—H鍵裂解，而產生高濃度原子狀態的第此尤其可得到較佳之電子表面鈍化。）。劑促ί=為鎢原子在後續的高溫處理中可再度作為催化度原子i能的氫、Ν_Η鍵或Si-H鍵裂解，而產生高濃第=心的虱，如此而增進氫體積鈍化。 # 而使ΐ:: ^ i1原子在層成長時會導致結晶氮化矽成核，由、二Γ產生正面的結構變化。化。除了 ^ ί :層摻雜鎢’⑨活化氫而使得體積及表面鈍 Mo, Ta, pts,p ，所有具近似化學特性的耐火金屬，如氫活化的雜L 亦可被使用。此外，所有如鎢-般會使本發明中ϊΐί子或雜質分子亦適用。尤其是例如碳。但表面及體積鈍化的雜質原子不包括氧及

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電池時需池種類而的雜質原。因此塗積在所有層太陽能金屬板或為遠距離表面層沉计概念適微晶、非載質之薄接面。實施例詳之含氫表面層大面積地沉積石夕基板上。如添加適當的氣在層上，則可使用工業標準適用極不同的基板種類，故類上，亦包括覆蓋在一載子該載子材料可是一玻璃板、物膜。受基板種類左右的塗漿或LPCVD技術，原則上可有種類之基板上。有種類的大面積半導體元晶結構之膜狀（例如EFG)、矽太陽能電池。尤其適用於

製造太陽能在視太陽能電體’使得需要的平行板技術可將摻雜層沉材料上之矽薄一陶瓷板、一佈方法，例如將摻雜之含氫故本發明設件’尤其是具片狀或覆蓋一鈍化大面積pn 以下將依據實施例1 : 使摻雜不同的子沉積佈方法基板種電池。一聚合微波電積在所用於所晶或多層狀的細况明本發明：材料為1 Ο Ο X 1 0 0 _，厚度3 Ο ο β m，導電性約5 Ω cm，單側磷擴散且發射極層電阻約為4〇 d/sq的硼摻雜矽片。 ^

此石夕片被置入一真空室中，在低於5 X l〇_3mbar的壓力下被加熱至3 00 T：。石夕片被置於真空室一設有加熱燈絲之水平特殊鋼板上。石夕片上方約1〇〇 mm處設有一垂直穿過真空室壁直徑20 mm的石英玻璃管。砂片加熱後由石英玻璃管流入氨。石英玻璃管旁約2 〇

561629 其使石夕五、發明說明（13) mm處有另一進氣至中。氣體的混合比為1 : 2 ( 被一氣體流出口中的調整閥石英玻璃管在真空室外被振器被輸入1 2 0 W微波功率（璃管中產生一氨氣電漿。石螺旋線，其被加熱至約1 9 0 〇的氨流過。被激發的氨與矽炫反應生鉑螺旋線蒸發出鉑原子，其化矽層如本發明所述被摻雜化矽層厚度達到75 nm為止t 將如此而得的晶圓進一步效率大於1 4. 5 %。實施例2 : 材料為100 X 1〇〇 mm，厚 Ω cm，單侧磷擴散且發射極矽片。燒經一分散噴嘴被輸送入真空石夕烧：氨）。真空室中的壓力門調整為3 X 1 〇-2mbar。一微波共振器包圍。該微波共，率2· 54 GHz)，故在石英玻。英玻璃管出口端直接設置一鉑 C並被在石英玻璃管中被激發成氮化石夕而沉積在矽片上。由被植入氮化矽層中，而使得氮塗佈製程持續進行，直至氮加工成太陽能電池，而使得其度3 0 0 // m，導電性約5 層電阻約為4 0 Ω / s q的爛摻雜此矽片被置入一真空室中，在低於5 χ j 〇_3mbar的壓力被加熱謂0。(：。石夕片被置於真空室_設有加熱燈絲直巧為300_mm的水平圓形特殊鋼板上。矽片上方約2〇 _處設有直控為300 _的圓形特殊鋼板，該特殊鋼板具直徑為 )· 5 mm均勻分佈的氣體流出孔。矽片加熱後由上特殊鋼板流入氨、矽烷及甲烷。氣體的

561629 五、發明說明（14) 混合比為1 : 2 : 0. 〇〇 1 (矽烷：氨：曱烷）。真空室中的壓力被一氣體流出口中的調整閥門調整為5 X 1 〇_2mbar。上下高級鋼板間被輸入一 700 V交流電壓（頻率1〇〇 kHz)，故在兩板間產生一電漿。被激發的氨與矽烷反應生成氮化矽而沉積在矽片上。甲烧分，與電漿原子團反應，使得碳被植入氮化矽層中，而，得f化矽層如本發明所述被摻雜。塗佈製程持^進行，直至亂化石夕層厚度達到75 nm為止。、

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Claims

561629 六、申請專利範圍 ' —- - 1 · 一種太陽能電池之製造方法，其在一由矽構成或含石夕之片狀或膜狀基板上生成一構成鈍化層及/或抗反射声人有石夕之含氫層，其特徵為，在生成0<χ$1·5且〇$y$2之含矽SiNxOy層時，選擇性地將一或多種濃度C為1 x i〇i4cnr3 ‘ l〇21cnr3有催化作用的推貝遥擇性地植入該層中。 2·如申請專利範圍第1項之方法，其中生成層厚上平均值為0.1 <x<1.5且0·01 <y<2之SiNxOy 層0 3 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中摻質濃度C 為 1 X 1 〇16cm-3 sc S 1 X 1 019cnr3。 4 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中摻質在Si NxOy層之層厚上產生一梯度，尤其是使彳參質濃度C 隨層厚的增加而亦在1 x 1 〇i4cnr3至1 x 1 〇19cnr3的範圍内遞增〇 5 ·如申請專利範圍第丨項之方法，其中摻質在S i Nx 〇y層中均勻分佈。 6 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中掺質為耐火金屬之原子或包含該原子。 7 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中摻質為鉬、組、鶴、祐、銖、破或其化合物。 8 ·如申請專利範圍第丨項之方法，其中基板被覆蓋到一玻璃板、一陶瓷板、一金屬板或一聚合

C:\2D-\92-01\91123924.ptd 第20頁 561629 六、申請專利範圍物膜上。 9 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中由碎構成的基板具一微晶、非晶或多晶結構。 1 0.如申請專利範圍第1項之方法，其中基板由一單晶石夕片或一多晶石夕片或一石夕膜構成。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項之方法，其中石夕膜是一以EFG 法（Edge-defined Film-fed Growth)製作的膜。 1 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中摻質是元素鎢及/或〇Sx^3之Wox。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中 4貝可使生成S i Nx 0y層所使用的氣體，如石夕烧、二石夕燒、氨、氫或聯氧等氣體，催化裂解。如申請專利範圍第1項之方法，其中 3氣之S 1 NX 〇y層由非晶氫化氮化矽構成。 15 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中均勻形成SiNx〇y層。 1 6 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中 ^〜〇y層在層厚上改變，而使X隨層厚在〇 · 6至丨· 3的範圍遞增’ y隨層厚在0 · 1至丨· 〇的範圍内遞增。 1 7 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中 SlNx〇y層層厚為3〇 nmsi5〇 nm，尤其是5〇 nm至110 18 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中

561629 六、申凊專利範圍含氮s 1 Nx 0y層利用氣態含氫之矽及氮化合物，如矽烷、夕焼1 氨、氫或聯氧之激發而生成於熱的耐火金屬上。 1 9·如申請專利範圍第1項之方法，其中 SiNx〇y層在一反應室中生成，該反應室壓力P為0.1 Pag P$100〇 pa。

2 〇 ·如申請專利範圍第1 9項之方法，其中反應室壓力P調整為i pa$p$200 Pa。 ϋ ·如申請專利範圍第1項之方法，其中八藉f整塗佈參數，例如壓力、金屬溫度、氣體組成成刀 '氧4分壓、基板溫度、金屬與基板距離及金屬幾何而調整含氫SiNx〇y層之厚度。 2 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中才籌成^參質的金屬溫度被調整在1 5 0 0 °C至2 5 0 0 °C的範圍内〇 =·2°申請專利範圍第21項之方法，其中 ^成成分中含矽與含氮反應氣體的比被調整在 0.001至1.0的範圍内。 24·如申請專利範圍第2丨項之方法，其中氧分壓Ρ被調整在〇 <p <20 pa的範圍内。 2 5 ·如申請專利範圍第2丨項之方法，其中基板溫度被調整在20 °C至6 00 °C的範圍内。 2 6 ·如申請專利範圍第21項之方法，其中金屬與基板距離被調整在1 mm至100 mm的範圍内。 2 7 ·如申請專利範圍第2 1項之方法，其中

561629 六、申請專利範圍金屬幾何為棒、線及/或板形。 2 8.如申請專利範圍第1項之方法，其中含氫S i NxOy層以靜態方式塗佈於基板上。 2 9.如申請專利範圍第1項之方法，其中含氫S i NxOy層以循環方式塗佈於基板上。 3 0.如申請專利範圍第1項之方法，其中含氫SiNxOy層以連續方式塗佈於基板上。 3 1.如申請專利範圍第2 1項之方法，其中沒有流速之反應氣體的組成由沉積之反應速度調整。 3 2.如申請專利範圍第1項之方法，其中 SiNxOy層化學計算成分藉氣體組成成分、壓力、金屬溫度及/或總氣流等參數之改變而被調整。 3 3.如申請專利範圍第28項之方法，其中 S i NxOy層化學計算成分藉靜態塗佈時的氣體組成成分、壓力、金屬溫度及/或總氣流等參數之改變而被調整。 3 4.如申請專利範圍第1 6項之方法，其中 S i NxOy層化學計算成分藉氣體組成成分、壓力、金屬溫度、金屬幾何及/或總氣流等參數之空間變化而被調整。

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