TW559939B - Apparatus and method for fabricating and repairing a mask - Google Patents
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Description
559939 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 1 .發明領域 本發明關係半導體積體電路製造領域，及更明確地說 ’關係一種製造及使用電子束化學钱刻來維修一面罩的 方法。 2.相關技藝說明 在半導體晶圓上塗佈光阻劑後，使用一掃描器以曝光光 阻劑於放射光線，如具有標稱波長248奈米（nm)，丨93 nm， 或157 nm的深紫外光（DUV)。晶圓細分成相鄰的相同區域 及使用一返原投影糸統以掃描橫過面罩及各區上面。各區 内製造一或更多積體電路（1C)晶片。面罩可為透射或反射， 決定轉換圖案至光阻劑作為顯影處理後曝光的結果。 使用一相移面罩（PSM)及具有DUV光的光學近似校正 (OPC)也印刷具有臨界尺寸（CD)100-180 nm的特徵。不過， 需要用下一代微影術（NGL)來印刷具有更小c D的特徵。超 紫外光（EU V)微影術，一 NGL的主要替代法，使用具有中波 長範圍1(M5 nm的曝光。 一種EUV掃描器具有4成像反射鏡及一 〇· 1〇的數字孔徑 (NA)以達到一具有約1·〇〇微米（um)焦點深度（DOF)的50-70 nm CD。或者，一種EUV掃描器具有6成像反射鏡及一 0.25 NA以印刷一具有約0 17微米（um) d〇F的20-30 run CD 。 製造中檢查DUV或EUV面罩的瑕疵。重要瑕疵的維修 使用一具有一鎵液體金屬離子源的聚焦離子束（FIB)工具 。清晰瑕疵由沉積碳或金屬遮蓋，然後用氣體協助蝕刻 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Μ規格_ χ 297公爱） 559939 A7 _ _ B7 _ 五、發明説明（2 ) (GAE)修整。使用物理離子噴濺或GAE使用離子衝擊維修 不透明瑕疵。消除不透明瑕疵對下層必須充分的蝕刻選 擇性。下層為為DUV透射面罩内的石英或為EUV反射面 罩内的緩衝層。 在掃描尋找瑕疵或維修瑕疵期間FIB會損壞面罩。面罩的 維修部份因噴濺成為粗糙。有機污染會沉積在面罩的表面 上。鎵離子會植入下層。鎵在157 nm及EUV波長強烈吸收 ’因而減少透射面罩的透射，如157 nm DUV面罩，或減少 反射面罩的反射，如EUV面罩。面罩的下層會由鎵原子撞 擊而進一步損壞。 因為面罩上特徵的CD收縮使面罩損壞成為更嚴重的問題 。降低FIB的加速電壓會減少鎵離子的穿透範圍，但會補償 蝕刻選擇性及空間解析度。限制成像時間及超掃描面積會 減少損壞，但反而會影響維修。維修後處理，·如濕蝕刻157 nm DUV面罩内的石英基板或EUV面罩内的緩衝層，會消除 植入的鎵離子，但下層材料會變為凹陷。如果除去充分的 材料，便會發生相位錯誤。 如此’所需要的是一種製造及維修面罩無損害的方法及 其裝置。 圖式簡單說明 圖1⑷-⑷為根據本發明形成的一空白Euv面罩的斷面 圖。 圖2(aHd)為根據本發明形成的一 Ευν面罩的斷面圖。 圖3為本發明的一 EUV面罩的斷面圖。 -5-
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圖4為根據本發明的_使用電子束感應化學姓刻維修不透 明瑕疵的裝置的斷面圖。 發明詳細說明^
為了充刀了解本發明，在下面的詳細說明中提出許多的 特定細節，如特別材料，尺寸，&處理方法。不過，熟知 技藝人士應清晰知道，纟不運用這些特定細節的情沉下， 仍然可Η %本發明。在其他的例子中’並未特別詳細說明 已知半導體裝置及方法，以免不必要地混淆本發明。 利用微影術使用一面罩在晶圓表面上的光阻劑中印刷一 需要的圖案。深紫外光（EUV)微影術使用透射面罩用於具有 裝 波長為24—8 nm , 193 nm或157 nm光的曝光。超紫外光 (EUV)U〜術使用一曝光反射面罩因為幾乎所有密致材料在 波長範圍1 1 -15 nm中都容易吸收e υ V。 訂
DUV面罩所需的圖案係選擇性由消除部份不透明鉻層以 掀開透明石英基板而決定。EUV面罩所需的圖案係選擇 性由消除部份吸收層以掀開基板上一多層反射鏡而決定。 k查DUV面罩或eu V面罩的瑕疵作為面罩製造方法的一 。榀查一般使用Du v光。瑕疵可能呈現清晰或不透明 。如果其尺寸，形狀，或位置嚴重影響印刷正確性及範圍 内面罩特彳政的品質，便認為嚴重的瑕疵。嚴重的瑕疵必須 維修，否則使用該面罩製造的結構的生產率會下降。本發 明包括一裝置及一種維修在DUV面罩或Euv面罩上的不透 明瑕疵而不損壞下層的方法。 現在說明根據本發明的一種製造及維修Euv面罩的方法 -6- 559939 A7 B7 五、發明説明（ 的各種具體實施例。首先，一基板1100具有一低熱膨脹係 數（CTE)，一光滑表面，及一低瑕疵量.係用來作為本發明 EUV面罩的開始材料。一具體實施例如圖1 (a)所示。基板 1 100由一具有所需要性質的玻璃-陶瓷材料形成。 第二’ 一多層（ML)反射鏡1200在基板1 100上面形成因為 E U V面罩係根據分散式布拉格反射器的原理操作。一具 體實施例如圖1(b)所示。ML反射鏡1200包括約20-80對的一 高折射係數材料12 10及一低折射係數材料丨220的交替層。 整個基板1100的厚度均勻性必須優於〇 8%。 在一具體實施例中，ML反射鏡1200包括40對的一高折射 係數材料1 2 1 0及一低折射係數材料1 220的交替層。高折射 係數材料12 10可由約2.8 nm厚的鉬形成，而低折射係數材 料1220可由約（I nm厚的矽形成。按需要，一帽層123〇， 如約11.0 nm厚的矽，在ML反射鏡1200上面形成以防止EUV 面罩中ML反射鏡1200頂部表面上的鉬氧化。ML反射鏡 1200可達成一 EUV中央照射波長約13·4 nm的尖峰反射率約 60-75%。 可使用離子束沉積（IBD)或直流電流（DC)磁控管噴濺以在 基板1 100上面形成ML反射鏡1200。1BD造成ML反射鏡1200 的上部表面較少動搖及較少瑕疵因為沉積條件可達到最佳 而使基板1 100上面的瑕疵變為光滑。DC磁控管噴濺較一致 ’因而產生較佳的厚度均勻性，但任何基板n 〇〇上面的瑕 疫會向上傳遞透過交替層至ML反射鏡1200的上部表面。 第三，一緩衝層1300在ML反射鏡1200的上部表面形成。 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) —- 559939
具體貫施例如圖1(c)所示。緩衝層13〇〇具有厚度約為ι〇_ 55 run。緩衝層1300由二氧化矽形成，如一低溫氧化物 (LTO)。一低處理溫度，一般小於約15〇它，適合防止ml反 射鏡1200下方的交替層相互擴散。其他材料，如氧氮化矽 或碳，可用來形成緩衝層1300。緩衝層13〇〇可由射頻（RF) 磁控管噴濺沉積。 第四，一吸收層1400在緩緩層13〇〇的上面形成。一具體 實她例如圖1 (d)所示。吸收層1 4〇〇可由厚度約45_丨25 nm會 減弱EUV光的材料形成，其在曝光至Eljv光期間保持穩定 ’並與面罩製造方法相容。吸收層丨4〇〇可由DC磁控管噴濺 沉積。 各種金屬，合金，及陶瓷可用來形成吸收層14〇〇。金屬 包括鋁，鉻，鎳，钽，鈦及鎢。合金包括金屬化合物，如 ί呂銅。陶瓷，包括金屬及非金屬化合物，如各種金屬的硼化 物，碳化物，氮化物，氧化物，磷化物，矽化物及硫化物 。例子包括矽化鎳，硼化鉅，鍺钽，氮化妲，矽化鉅，氮 化矽鉅，及氮化鈦。 結合吸收層1400，緩衝層1300，ML反射鏡1200，及基板 1 100造成一 EUV空白面罩1700。一具體實施例如圖1(d)所示 。圖1(d)所示的EUV空白面罩1700可進一步處理以生產一 EUV面罩1800，一具體實施例如圖2(d)所示。 首先，一 EUV空白面罩1700遮蓋一幅射感應層，如光阻 劑1600。光阻劑1600具有厚度約160-640 nm。可使用化學 放大抗蝕劑（CAR)。需要的圖案利用選擇適當波長放射的充 -8-
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線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 6 五、發明説明（ 分曝光在光阻劑1600中形成，如DUV光或電子束，然後進 仃濕或乾顯影處理。一具體實施例如圖2(a)所示。光阻劑 1600的圖案顯影後’使用光學工具或掃描電子顯微鏡（sem) 測量特徵的臨界尺寸（CD)。 使用反應離子蝕刻（RIE)轉移阻光劑16〇〇的圖案至下面的 吸收層1400。例如，吸收層14〇〇使用合氣氣體如或bci^ ，或含氟氣體如NF3乾蝕刻。使用氬氣作為載體氣體。在某 些情況下，包括氧氣。由修改反應器室的結構及調整參數 如電力’壓力’基板溫度及氣體流量便可改變钱刻率及餘 刻選擇性。 緩衝層1300作為一蝕刻阻擋層以協助產生一良好蝕刻圖 形在上面的吸收層1400内。另外，緩衝層13〇〇保護下面]^1^ 反射鏡1200在蝕刻上面吸收層14〇〇期間免於損壞。另外， 緩衝層1300保護下面ML反射鏡1200在任何維修以消除吸收 層1400的不透明期間免於損壞。 蝕刻後，消除光阻劑1600及使用光學工具或掃描電子顯 微鏡（SEM)測量吸收層1400形成的特徵的CD。如果合適， 使用一干涉儀測量光訊號強度及光訊號的相位。然後，使 用顯微鏡或自動檢查工具檢查面罩的瑕疫。面罩檢查工具 包含光學技術及掃描面罩以獲得影像。雷射產生的UV/DUV 光通常用來作為發光源。標準波長包括，但不限於，4 8 8 nm，365 nm，266 nm，257 nm，248 nm , 198 nm，及 193 nm。較短波長提供較佳解析度及成為面罩上所發現瑕疵微 影結果的較佳預測。 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 7 五、發明説明（ 瑕錄查-般為比較兩個印刷在面罩上不同部份的桿稱 相同的圖案(模型對模型> 或比較面罩上印刷的圖案及圖幸對 應的配置資料(模型對資料庫)。圖案從光阻劑_轉移後瑕 疵會在吸收層1400發現。出現的瑕疲可為清晰瑕疫⑺。或 不透明瑕W72。。-具體實施例如圖抑）所示。纟清晰瑕疲 Π10中，必須出現吸收層刚，但可能完全或部份遺失。 在不透明瑕疲Ϊ720中’吸收層14〇〇會不見，但可能完全或 部份出現。 /吏用聚焦離子束(FIB)工具以不透明材料173〇,如碳，遮 蓋-清晰瑕庇mo。清晰瑕疫也可以使用有機原始氣體的 離子束感應金屬沉積維修。例如，由六碳鶴或w(c〇)6氣體 沉積鶴。沉積後使用氣體協㈣刻（GAE)修整以消除任何過 度噴灑及獲得不透明材料丨730的理想維修後尺寸。溴氣或 氣氣可用在GAE。沉積不透明材料173〇不需要如透射面罩 上鉻或反射面罩上吸收層1400相同的厚度。沉積不透明材 料1730必須用於清洗面罩的化學藥品相容。 本發明使用電子束感應化學蝕刻以維修D uv面罩或E 面罩上的不透明瑕疵Π20。電子束感應化學蝕刻具有高下 層選擇性因為基本上為化學，不像Πβ或GAE因為離子衝擊 必須具有物理成分。不像FIB的離子束，由離子移植或原子 撞擊電子束不會損壞下層。一具體實施例如圖2(c)所示。 在一 EUV面罩中，一緩衝層丨3〇〇遮蓋及保護ML反射鏡 1200在維修上面的吸收層μ⑻時不被損壞。緩衝層13〇〇所 需的厚度視被維修處理消除的材料量而定。結果，高蝕刻 本紙張尺度適用中關家標準(CNS) A4規格(2ι〇 X 297公董) • 10- 559939 A7 B7
選擇性容許EUV面罩上使用一薄緩衝13〇〇。薄緩衝層i3〇〇 造成一低總吸收堆疊因而減少陰影及改善成像。薄緩衝層 13 0 〇也減少在完成維修後消除緩衝層丨3 〇 〇時產生可印刷= 軟瑕庇的機會。 如果使用EUV面罩1 800以曝光晶圓上的光阻劑，薄緩衝 層1300會增加ML反射鏡1200的光吸收。結果減少對比因而 稍微降低晶圓上面光阻劑的印刷特徵的CD控制。為了防止 這種下降，將無吸收層1400遮蓋地方的緩衝層13〇〇消除。 如果消除緩衝層1300的曝光部份則上面吸收層丨4〇〇及下 面ML反射鏡1200必須不能損壞。二氧化矽形成的緩衝層 1300可利用含氟氣體如CF4或乾姓刻。在某些情況下， 包括氧氣及一載體氣體如氬氣。或者，薄緩衝層]3 〇 〇用濕 #刻因為吸收層14 0 0的下戴會變小。例如，由二氧化石夕形 成的緩衝層1 300可用約3-5%氫氟酸水溶液蝕刻。如需要可 合併使用乾蝕刻及濕蝕刻。 上述處理的結果為一 EUV面罩1800具有一反射區1750及 一反反射，或黑暗，區1760。一具體實施例如圖2(d)所示。 本發明的一具體實施例為一 EUV面罩2700如圖3所示。一 EUV面罩2700包括一吸收層24 00，一薄緩衝層2300，一 ML 反射鏡2200及一基板21 00。EUV面罩2 700具有一第一區 2750及一第二區2760。第一區2750為反射因為ML反射鏡 2200無遮蓋。第二區2760為反反射，或黑暗，因為吸收層 2400 ° 首先，本發明EUV面罩2700包括一基板2 100，如玻璃-陶 -11· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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究材料，具有低熱膨脹係數（CTE) ’低瑕疵量，及一光滑表 面。 第二，一多層（ML)反射鏡2200係沉積在基板21〇〇上面。 ML反射鏡2200包括20-80對一高折射係數材料221〇及一低折 射係數材料2220的交替層。 在一具體實施例中，ML反射鏡2200包括40對一高折射係 數材料22 10及一低折射係數材料2220的交替層。高折射係 數材料22 10可由約2.8 nm厚的鉬形成，而低折射係數材料 2 220可由約4.1 nm厚的石夕形成。ML反射鏡2200可達成一中 央照射波長約13.4 nm的尖峰反射率約60-75%。 第三’超薄緩衝層2300沉積在ML反射鏡2200上面。超薄 緩衝層2300約為10-55 nm厚。超薄緩衝層2300保護下面ML 反射鏡2200在蝕刻上面吸收層2400期間免於損壞。超薄緩 衝層2 3 0 0也保護下面M L反射鏡2 2 0 0在任何維修以消除不透 明時免於損壞。 超薄緩衝層2300由二氧化矽形成，如一低溫氧化物（Lt〇) 。其他材料，如氧氮化矽或碳，可用來形成超薄緩衝層 2300 ° 第四’一吸收層2400沉積在超薄緩衝層23(j〇上面。吸收 層2400可由厚度約45- 125 nm會減弱EUV光的材料形成，在 曝露於EUV光時保持穩定，並與面罩製造方法相容。 吸收層2400包括一或更多金屬，合金，及陶瓷。金屬包 括鋁，鉻，鎳，鈮，妲，鈦及鎢。合金包括金屬化合物， 如鋁銅。陶瓷包括金屬及非金屬化合物，如各種金屬的石朋 •12· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱y
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線 559939 A7 B7 五、發明説明（1C)) 化物’碳化物，氮化物，氧化物，矽化物及硫化物。例子 包括碎化鎳，硼化矩，錯組，氮化组，矽化钽，氮化石夕鈕 ，及氮化鈦。 本發明的一裝置400使用電子束感應化學蝕刻以維修duv 面罩或EUV面罩4 10上的不透明瑕疵405。一具體實施例如 圖4所示。 在本發明申請專利範圍的一裝置400，需要維修的面罩 410固定在一支架420上面。支架420位於處理室470内的工 作台430上面。工作台430能旋轉，傾斜及在不同方向移動 ’如沿X軸，y軸，及2軸。使用一成像系統44〇以定位面罩 410上面的一不透明瑕疵4〇5。成像系統440包括一電子柱。 一氣體輸送系統4 5 0從儲氣槽分配一或多種氣體至處理室 470内吹向基板4 1 0上面的不透明瑕疫405。氣體經過一戍更 多開口，例如噴嘴，注入處理室470之内。利用調整流量控 制闊以維持需要的流量。 重要的參數包括噴嘴尺寸，噴嘴對面罩的傾斜角，氣體八 配的分散角，及噴嘴孔徑至面罩表面的距離。標準值包括， 但不限於，噴嘴直徑1〇〇-300微米（11111)，噴嘴斜角45_7〇。（自 垂直方向算起），分散角5-25。，及50- 150 um噴嘴孔徑至面 罩表面的距離。 氣體包括反應氣體及載體氣體。反應氣體的選擇相據^ 刻材料而定。在本發明的一具體實施例中，反應氣體吸 不透明瑕疵405及變為離解。氬氣為載體氣體的—例子。 包括材料如鉻 在DUV透射面罩410中，不透明瑕疵405 -13-
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電子輸送系統460引導電子射向處理室47〇内面罩41〇上面 的不透明瑕疲405。電子輸送系統彻包括—聚焦系統以提 供一高聚焦電子束。在-具體實施例中，高度聚焦表示電 子束尺寸比二次電子範圍小。在一具體實施例中，高度聚 焦表示電子束尺寸切需要祕㈣小重要瑕疲尺寸的3〇% 。一般，電子束具有標準的尾直徑約為5_125nm。 毛子輸达糸統460使用一低加速電壓，如在〇 3_3 〇。乂， 以限制發射的電子在面罩4⑽面橫向擴散。低電壓也減少 表面充電。發射的電子包括二次電子及反向散射電子。如 果二次電子與反應氣體反應即在面罩410上面被吸收及被離 解，便感應不透明瑕疵4〇5進行化學蝕刻。如希望，監視二 次電子電流以偵測姓刻終點。 在，部份的情況中，電子束感應化學㈣為有限反應及 非大量限制轉移。不透明瑕疵405的化學蝕刻由反應氣體產 生揮發性副產品，從面罩離解及從處理室47〇排除保持面罩 410。一泵系統480從處理室470抽氣及揮發性材料，因而處 理室470產生真空。 不透明瑕疵405的電子束感應化學蝕刻速率視反應氣體分 壓及電子束的電流密度而定。處理室47〇的全面壓力約 0·001_0·200千分之一陶爾（mT)及在面罩41〇的維修的不透明 瑕疵405上面的局部壓力約〇5〇〇_1〇〇〇〇 mT。電子束電流約 為0.050- 1 .〇〇〇十億分之安培（nA)。·電子束感應化學钱刻速 率一般視二次電子束的產生率而定。最大蝕刻速率的加速 電壓一般為l.OKeV或較少。 -15-
Claims (1)
- 559939 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ，適合掃描經過該不透明瑕疵的該電子。 11.如申請專利m圍第i項之裝置，4 一步包括一加速系統 ，適合提供一低加速電壓於該電子。 12·如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包括一電腦，適 合控制該電子輸送系統。 13. —種製造及維修面罩之方法，包括·· 提供一基板； 形成一層在該基板上面； 將該層成形為一第一區及一第二區· 將該第一區中的該層消除； 檢查該第一區的一不透明瑕疲； 形成一反應氣體於該不透明瑕疵上方；及 引導電子射向該瑕疵，該電子感應該反應氣體以蝕刻 該不透明瑕疵。 η.如申請專利範圍第u項之方法，其t該反應氣體钱刻該 不透明瑕疵不損壞該基板。 Λ 15. 如申請專利範圍第13項之裝置，其中該不透明瑕範勺 鉻及該反應氣體包括氣及氧。 ％匕括 16. —種製造及維修面罩之方法，包括： 提供一基板； 形成一反射鏡在該基板上面； 形成一緩衝層在該反射鏡上面； 形成一吸收層在該緩衝層上面； 將該吸收層成形為一第一區及一第二區； -2- 八;見格(210 χ 297 公發) 559939 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 將該第一區中的該吸收層消除； 檢查該第一區的一不透明瑕疵； 分配一反應氣體於該不透明瑕疵上方； 在該不透明瑕龜上面掃描一電子束，該電子束威應該 反應氣體’以反應該不透明瑕症’以形成一揮發性副產 口 · τχ 口口 >汉 將該第一區中的該缓衝層消除。 17·如申請專利範圍第丨6項之方法，其中該不透明瑕疵包括 一吸收層及該反應氣體包括氟化氙（XeF2)。 -3 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 申請曰期 案 號 091113633 類 別 VA4.L ^ (以上各欄由本局表‘） A4 C4 中文說明書替換頁(92年8曰、 559939 ||翌專利説明書 中 文 製造及維修面罩之裝置及方法 一、名稱 英 文 APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATING AND REPAIRING A MASK 姓 名 國 籍 住、居所 姓 名 (名稱） 國 籍 1. 泰德梁 TED LIANG 2. 艾藍史帝佛ALAN STIVERS 1.2.皆美國 U.S.A. 1 ·美國加州光明谷市奈塔林大道849號 849 NECTARINE AVENUE, SUNNYVALE, CALIFORNIA 94087, U.S.A. 2·美國加州帕羅亞爾托市羅斯路2732號 2732 ROSS ROAD, PALO ALTO, CALIFORNIA 94303, U.S.A. 美商英特爾公司 INTEL CORPORATION 美國 U.S.A. 裝 訂 三、申請人 住、居所 (事務所) 代表人 姓 名 美國加州聖塔卡拉瓦市米遜大學路2200號 2200 MISSION COLLEGE BOULEVARD, SANTA CLARA，CALIFORNIA 95052, U.S.A. 湯姆士 C.雷納德 THOMAS C. REYNOLDS 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 559939 A7 B7 第091113633號專利申請案 中文說明書替換頁(92年8月） 13 五、發明説明 為了充分了解本發明以上提供許多具體實施例及其詳 細說明。熟悉本技藝者會明白一具體實施例中的特徵同 樣適用於其他具體實施例。熟悉本技藝者也會明白可以 產生許多相當改變以取代本文所述的特別材料，方法， 尺寸，濃度，等。必須了解本發明的詳細說明必須視為 解說而非限制，其中本發明的範圍必須根據下列申請專 利範圍的決定。 如此，所說明的為一種製造及維修面罩無損壞的方法及 其裝置。 圖式元件符號說明 400 裝置 405 不透明瑕疵 410 面罩 420 支架 430 工作台 440 成像系統 450 氣體輸送系統 460 電子輸送系統 470 處理室 480 泵系統 1100 基板 1200 多層反射鏡 1210 高折射係數材料 1220 低折射係數材料 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) 559939 第091113633號專利申請案 中文說明書替換頁(92年8月） 五、 發明説明（14 1230 帽層 1300 緩衝層 1400 吸收層 1600 光阻劑 1700 超紫外線(EUV)面罩 1710 清晰瑕疵 1720 不透明瑕疵 1730 不透明材料 1750 反射區 1760 反反射區 1800 EUV面罩 2100 基板 2200 多層反射鏡 2210 局折射係數材料 2220 低折射係數材料 2230 帽層 2300 緩衝層 2400 吸收層 2700 EUV面罩 2750 第一區 2760 第二區-17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
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