TW555889B - Method for producing metal foams and furnace for producing same - Google Patents

Description

555889 A7 ___— _ B7 _ __ 五、發明說明（,） ΜΜΜΜ, 本發明關於一種由被覆金屬之高分子結構製造金屬泡 沬材料的方法及一種製造該金屬泡沫材料的熔爐。 發_明背景 目前生產金屬泡沬材料用來製造電池是一個重要的課 題，特別是鎳泡沫材料已被大量的使用於電池的製造。 傳統上鎳泡沬材料的生產方法，首先是將鎳沉積一於 高分子泡沬材料上，如聚氨酯泡沬材料，然後再將此被覆 鎳的高分子基材作熱處理。該熱處理一般是在一個具有三 區間的連續式帶式熔爐（belt furnace)內完成。置放於輸 送帶上的鎳被覆高分子基材，首先進入一個氧化區，其係 曝露在高溫及自由氧的環境下，藉此將高分子燃燒。該高 分子基材因此被移除，造成一個氧化鎳泡沬結構。緊接著 氧化區之後是一個還原與退火區，其中經氧化的鎳泡沬結 構則曝露在一個純氫氣的還原氣氛和高溫環境下。在這個 還原與退火區內處理該經氧化的鎳泡沬結構，將使第一區 內生成的鎳氧化物還原至金屬態，而退火步驟可以強化機 械特性，即增強鎳泡沬結構的延展性。最後，具延展性的 .鎳泡沬結構進入一個冷卻區，其係在一個氮氣和氫氣的控 制環境下受到冷卻。 如此的熱處理有許多的缺點。首先，僅管在自由氧的 環境下燃燒高分子可移除該高分子基材，但不幸的是，亦 會造成金屬鎳的氧化。在高分子移除後，該經氧化的鎳結 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 555889 A7 _ -- —_B7___________ 五、發明說明（夂） 構必須再於遼原的氣氛下還原，因而使得處理程序變的複 雜化。再者，該經氧化的鎳結構是#常脆且易碎。因此這 種脆的經氧化的鎳結構必須在熔爐內輸送帶上得到支撐。 這些輸送帶相對於鎳結構而言是非常的重’且一般是由特 殊的耐火鋼材製成，因爲不斷重覆的加熱和冷卻循還，該 輸送帶必須經常更換。輸送帶對該製程的能量平衡還有一 負面的影響，因爲不但質輕的鎳結構需要加熱和冷卻，質 重的輸送帶結構亦需要加熱和冷卻。該製程另一項缺點是 純氫氣的使用’那會造成生產成本的增加及處理上的危險。 發明目的 本發明之目的是提供一個較簡單的方法，由被覆金屬 的高分子基材製造一種金屬結構。這個目的已在本專利申 請範圍第1項的方法中得到實現。 發明槪述 本發明提供一種方法，可以製造與本發明目的相符的 金屬結構’該方法是在一個熱區域內處理一種金屬被覆的 高分子結構，而該加熱區溫度至少爲600。^且其氣氛基本 •上是由水蒸汽或是水蒸汽與諸如氮、氬或其類似者的中性 氣體的混合物所組成。該水蒸汽或水蒸汽與中性氣體的混 合物被注射且保持在該區域內。在該熱區（hot zone)內， 高分子基材被熱分解並與水蒸汽反應。其中發生的氧化反 應屬於一種吸熱反應，稱作「水煤氣」反應，以C + h2〇 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297 ----- --------------------訂---r------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 555889 A7 B7 五、發明說明（3 <=> CO + H2表示。根據這一個化學反應式，高分子中的碳 與水蒸汽反應生成一氧化碳和氫。特別是該法和傳統上利 用自由氧去燃燒高分子的方法相反，此方法中用來移除高 分子的氧化劑是水蒸汽且金屬被覆高分子基材並不曝露於 自由氧下。 在高分子移除之後，留下一個金屬結構。必須注意的 是，在應用的條件下，該水蒸汽僅氧化碳而金屬不會被氧 化。由於金屬在移除高分子時不會被氧化，因此並不需要 特別的還原處理。特別是該金屬結構並未曝露在一個含有 高濃度氫氣的氣氛下。這代表傳統上在純的或高濃度氫氣 下的還原步驟就不再需要了。因此製造成本就降低，同時 也消除了因使用純的或高濃度氫氣的危險。 在熱區之後，該金屬結構在冷卻區內及控制的條件下 冷卻，在一個非氧化的氣氛下進行爲較佳。 對被覆金屬的高分子基材於熱區內的處理，可以在不 使最初支撐金屬氧化的狀況下將高分子基材移除。 應該注意的是，加熱區內充斥的高溫環境對該金屬結 構有一種熱處理或回火處理的效應。它可增加該金屬結構 的強度並提供一個良好的延展性。 此方法的另一項優點是，因爲該金屬並未氧化，所以 不致變脆。在熱區中形成的金屬泡沫結構是自行支撐且容 易處理的。 因此，本發明的方法是一種由被覆金屬之高分子結構 產生金屬結構較簡單的方法。該金屬塗層可能含有不同的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂il·------ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 555889 ____B7___ 五、發明說明（) 金屬，如鎳、銅、鐵、鉻、鋅、鋁、鉛、錫、金、鉑或屬 於鉑族的其它金屬及其合金’或上述金屬的合金。 該方法特別適合由被覆銅的高分子基材來生產銅泡沫 結構，或由被覆鎳的高分子基材來生產鎳泡沬結構。在實 際應用上，因爲該方法使用較便宜且較不危險的氣體，所 以已證明是既經濟又實用的。確實’本發明的方法可以利 用水蒸汽於一個步驟中來製造一種延展性金屬結構。 另外値得注意的是，因爲熱區內未使用自由氧，且如 果冷卻區內有氫，它僅存在低的濃度，所以以很有利的將 冷卻區內的氣體送入熱區。冷卻區內氣體所具有的能量可 以在熱區內被利用。特別是指當氫的含量少於5體積％時 ，這也是工業用熔爐基準的爆炸極限値。在傳統的方法中 ，因爲氧化區含有氧氣和還原區含有氫氣，將一區中的氣 體送入另一區是絕對不可能的。 爲了簡化處理與增加生產力，本發明的方法最好是在 一個熔爐組內進行，且該熔爐組有一特殊配件，其安裝可 使金屬被覆高分子基材和該金屬結構被連續的導引通過該 熱區及該冷卻區。 較佳的是，該熱區的溫度至少在650°C，更佳的是在約 750QC至950°C之間，且最理想的是在約900%至950°C之 間。而回火溫度的選擇依該金屬結構的延展性來決定。 在冷卻區內保持一個惰性或略微還原性的氣氛可以防 止該金屬結構在冷卻時發生氧化。一種適當的惰性氣體是 氮氣。然而，該冷卻區內存在基本上由氮氣和氫氣所組成 6 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂·------- 555889 A7 ________B7___ 五、發明說明（< ) 的氣氛係較佳的。最佳的是該氮氣含量低於5體積％。這 個氫氣濃度可以促成一個還原的氣氛，但不致於產生安全 上的問題。 値得注意的是，因爲經加熱區處理所得的金屬結構可 以自行支撐，該被覆金屬的高分子基材可以被處理成捲體 的形式。除此之外，因爲所得的金屬結構具有延展性，它 在冷卻後可以輕易的被捲開。 另一項關於該金屬結構強度的優點是，它不需要非常 麻煩的照顧。當被覆金屬的高分子基材是屬條狀形式時， 則它不需要被支撐在輸送帶上。事實上，在一個較佳的具 體實施例中，該條狀形式之被覆金屬的高分子基材被滑置 於一個滑面（sliding surface)上，且該滑面自加熱區和冷 卻區延伸通過。舉例來說，該被覆金屬的的高分子基材可 以施加一牽引力，卻不造成任何金屬結構的損害。爲了幫 助該被覆金屬的高分子基材在該滑面上的推進，該滑面最 好是朝向冷卻區傾斜。 當然’如果需要的話，也可以利用輸送裝置來支撐該 被覆金屬的高分子基材，例如對具有低的質量表面密度的 被覆金屬高分子基材的處理。在傳統的方法中，這種輸送 •裝置可能是一種輸送帶。然而，另一種較佳的輸送裝置是 一種金屬箔。因爲金屬箔比輸送帶輕很多，它的熱慣性也 比較低’所以金屬箔加熱升溫較快。加熱能量損失因而減 少。當銅泡沫材料由銅被覆高分子結構產生時，該高分子 結構最好以銅箱支撐。 7 本紙張尺度適用中國國豕4示準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

555889 A7 五、發明說明（V ) 另外，本發明也提供一*種由金屬被覆筒分子基材製造 金屬結構的熔爐，這熔爐包括： —熱區； 一冷卻區，緊鄰熱區;且 一平面，延伸且通過該熱區與冷卻區’用來移動該金 屬被覆高分子基材及金屬結構，以通過該熱區與冷卻區。 該熱區包括一個加熱裝置，使熱區加熱至溫度在至少 600。(：； 一注射裝置，可使水蒸汽射入該熱區；以及一萃取 裝置，可自該熱區萃取氣體。該冷卻區包括注射裝置’可 注射中性及/或還原氣體進入冷卻區’而且至少一部份冷卻 區內的氣體將經由萃取裝置被輸送至熱區。 該熔爐又可以進一步包括引導裝置，用來引導該被覆 金屬之局分子基材及金屬結構，通過該熱區和冷卻區。 這樣的一個熔爐可在僅兩個區間內，由金屬被覆高分 子基材製造金屬泡沫材料。因此較傳統上具有氧化區、還 原/回火區及冷卻區的三處理區的熔爐體積更爲小。除此之 外，本發明的熔爐較傳統的三處理區的熔爐更爲安全，因 爲傳統的熔爐內自由氧的區域緊鄰於純氫的區域。的確， 在本發明的熔爐中，兩種不同氣體互相混合並不會造成爆 .炸的危險。這也進一步的簡化了熔爐的構造，特別是分隔 熱區和冷卻區的結構，因此氣密性的分隔就不再需要了。 一種能夠分隔熱區和冷卻區較有利的方式是利用擋板，來 控制氣體由一區進入另一區。 本發明的熔爐因此是一個較簡單、安全和更小體積的 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

ϋ H «ϋ ϋ ι ϋ n 一 ον · ϋ ϋ n I ϋ ·ϋ ^1 I ♦ 555889 A7 ------B7 ___ 五、發明說明（q ) 裝置’可以由金屬被覆高分子結構來製造金屬泡沬材料。 該金屬塗層可以是鎳、銅、鐵和其合金。 本發明的熔爐特別適合由被覆銅之高分子基材來生產 銅泡沬材料。 很明顯的是，依照金屬被覆高分子基材可以製成捲體 形式或條狀形式，引導裝置可能有不同的型式。 如前面所述，熔爐內熱區所製得的金屬結構是具有延 展性與自行支撐性的。因此，該金屬被覆高分子基材並不 需要支撐於一條輸送帶上，這就簡化了該熔爐的構造。 在一較佳具體實施例中，該熔爐具有一個滑面，延伸 通過熱區與冷卻區，該被覆金屬之高分子基材在上面滑動 輸送。熔爐外及/或內的引導裝置可包含一安置於該熱區前 的第一滾輪，以及安置大約於該冷卻區出口的第二滾輪。 當該滾筒滾動時，金屬覆高分子基材藉著在滑面上滑動而 在熔爐內向前行進。較佳的是，該滑面保持傾斜使其朝向 冷卻區形成一個下降斜坡。 較有利的情況是，該熔爐的熱區可以建造成較冷卻區 高一層，所以冷卻區氣體的一部份可以流向熱區，而在熱 區內與其它氣體進行萃取。這些主要含有水蒸汽、碳氧化 ，物、氫氣、氮氣及有機發泡物的熱分解產物的萃取氣體， 可以爲作熱而燃燒，或在丙烷火燄端燃燒。 圖式簡單說明 本發明將以實施例的方式利用下列圖式，作簡單說明 9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

T.-------

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 555889 A7 ______B7 __ 五、發明說明（$ ) ，其中： 圖1是一個具有二區域氣氛控制之熔爐的圖式說明， 其中執行了本發明方法中的第一具體實施例；以及 圖2是一個具有二區域氣氛控制之熔爐的圖式說明， 其中執行了本發明方法中的第二具體實施例。 較佳具體實施例詳細說明 本發明藉著將一個被覆金屬之高分子結構曝露於一個 含有控制的水蒸汽氣氛的環境下，使其加熱而移除該高分 子基材，並製造一種具有延展性的金屬泡沬結構。 用來製造金屬泡沬材料的被覆金屬之高分子結構，一 般是由在一種導電高分子泡沬材料上電鍍一層金屬得來。 許多種金屬，如鎳、銅、鐵、鉻、鋅、鋁、鉛、錫、金、 鉑或屬鉑族的其它金屬和它們的合金，可以被電鍍在該高 分子泡沬材料上，當作薄膜、重疊的膜，或當作相或結構 的混合體，以本發明的方法來處理而製得對應的金屬泡沬 材料。然而，本發明的方法特別設計爲由銅或鎳被覆高分 子結構來製造具有延展性的銅或鎳的泡沬結構。 該高分子基材可由一種網狀開放式蜂巢泡沫結構、封 .閉式蜂巢泡沬結構、毛氈、織物、不織布結構、或類似結 構、或任何上述結構的組合。可以作爲高分子基材的材半斗 包括:聚酯、聚氨酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚乙烯、聚= 聚氰氨、聚酚、聚丙烯，這些高分子都可以受熱分解，並 在熱區內與水蒸汽反應而被氧化。 10 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .---- •訂 --- ♦ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 555889 ___B7 五、發明說明（' ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該方法的兩個較佳具體貫S也例’將以圖1和圖2中的 熔爐爲參考而加以描述。在兩個實例中，運用了一種被覆 金屬的高分子結構用來製造銅泡沫材料。該被覆銅的高分 子結構可具有質量表面密度典型地介於150至2500 g/m2 間。較高或較低的塗層重量也可由特別的發泡基材來獲得 〇 圖1顯示一個二區域氣氛控制的熔爐10。該熔爐10 包括了一個熱區12和一個緊鄰的冷卻區14。該熱區12配 置有加熱裝置(未顯示），其可以維持一個至少是600°C的溫 度。該熱區12的氣氛基本上是由水蒸汽或水蒸汽和諸如氮 氣之中性氣體的混合物所構成°該水蒸汽或該混合物如圖 中的箭頭18所表示，並由注射裝置引入。在冷卻區14的 氣氛也被控制，且最好是由氮氣和5體積％氫氣的氣體 混合物所組成。該氣體混合物是藉由如圖中箭頭20所示的 注射裝置引入熔爐內。該熱區12和冷卻區14是由一系列 的擋板16所分隔，它們可以提供一個方便的分隔作用’並 可以控制兩區域間的氣體流動。的確’應該注意的是’兩 個區域12和14內的氣體可以互相混合而沒有危險，所以 氣密性的分隔是不需要的。 參考標示22顯示一個條狀形式的銅被覆高分子基材， 將在熔爐10內進行處理。該被覆銅之高分子基材22可以 引入熱區12中，並被連續的引導通過熔爐10，以使其通 過兩個區域。在熱區內12,該高分子基材在高溫和水蒸汽 的環境下被熱分解，約900至950°C間爲較佳。來自高分 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 555889 A7 _____B7 _— 一 五、發明說明（J ) 子的碳與水蒸汽反應可以形成碳氧化物和氫氣。 特別値得一提的是，該高分子的移除是在一個基本上 無氧分子的氣氛下進行。高分子因此被移除且得到一個無 高分子的銅結構23。而熱區內的水蒸汽不會氧化銅，所以 銅會保持在它的金屬狀態。 高溫對金屬有一個回火效應，可以改善延展性。結果 在熱區12的尾端，可以得到一個不含高分子的延展性銅泡 ’沬結構。該銅結構23接著進入冷卻區14，其中在一個控 制的條件下，冷卻至20至75°C溫度之間。 在本具體實施例中，於擋板16的位置處，冷卻區14 的溫度接近熱區12的溫度，且在冷卻區14尾端的溫度約 爲5(^(:。在冷卻區14內保有略微還原的氣氛，可以避免 銅結構23的氧化，並可促使任何一點的銅氧化物得到還原 〇 可喜的是被覆銅的高分子基材22並不需要被支撐在熔 爐10的輸送帶上。這有可能是因爲在本發明方法中，銅不 被氧化而因此可以如前所述般的保持自行支撐。在這個較 佳具體實施例中，被覆銅的高分子基材22，可以在熔爐1〇 內由爐板形成的滑面24上滑動。爲了減少銅被覆高分子基 .材22在該滑面24上滑動時的摩擦力，該爐板必須非常平 整。由於銅被覆高分子基材的重量很輕及滑面24表面很平 整，該被覆銅的高分子基材22可以很輕易的滑動。圖丨中 ，滾輪26和28係用來引導該被覆銅的高分子基材通過熔 爐。第一滾輪26在進入熱區12前，輔助銅被覆高分子基 12 本紙張尺度適用中賴家i準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) "" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

555889 A7 ^____B7___ 五、發明說明（[丨） 材，而第二滾輪28被安置在冷卻區14的大約出口附近， 用來收集所生產的銅泡沬結構。兩個滾輪會同步轉動，取 決於熔爐的傾斜度，第一滾輪26或第二滾輪28均對該銅 被覆高分子基材22施加一個牽引力。結果，銅被覆高分子 基材22在熔爐內行進而不致受到傷害。 圖1顯不熔爐10最好是傾斜的，且熱區12應處於一 個比冷卻區14還要高的位置。因此滑面24可形成一個朝 向冷卻區Η下降的斜坡，如此可以幫助被覆銅的高分子基 材22在熔爐10內行進。取決於滑面與熔爐坡度，可以使 該被覆銅的高分子基材受重力的作用而滑行通過熔爐。 .此結構對熔爐內氣體的流動亦有影響。由圖1可以瞭 解，氮和氫的氣體混合物由冷卻區14的尾端進入熔爐10 。然後，這混合氣體以對被覆銅的高分子基材相反的方向 通過該冷卻區’因而確保該局分子基材的冷卻效果。分隔 擋板16用一種特別的方式被安置在熱區和冷卻區之間，可 以使至少一部份的氣體混合物，由冷卻區14流向熱區12 。來自熱區12的氣體，亦即基本上是由水蒸汽、碳氧化物 (CO和C02)和氫所組成，將在該熔爐內較高的區域被萃取 ，如圖中箭頭30處’然後在丙院火談端燃燒。 圖2亦顯示一個相當於圖1內熔爐的熔爐110。相似 的，其包括一熱區112，其內保持一個環境，使溫度維持 在900至950QC之間，且其內氣氛基本上是由水蒸汽構成 。水蒸氣是由箭頭U8處輸送入熱區112°緊鄰熱區的是 一個冷卻區Π4，其具有一個控制的氣氛，基本上是氮氣 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —iif (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·1!*------ ♦ 555889 A7 ____B7__ 五、發明說明（丨/) 和5體積％的氫氣所組成。這氮氣和氫氣的混合物是由箭 頭120處輸送入該熔爐110。這兩區112和114是以擋板 116來分隔。如圖1所示，該熔爐110是朝冷卻區114傾 斜，且冷卻區114內一部份的氣體流入熱區112，在那裡 它們和其它氣體一起在箭頭121處被萃取至丙烷火燄端燃 燒。 參考標示122顯示一個在熔爐110內處理的銅被覆高 分子基材122。根據第二個較佳的具體實施例，該被覆銅 的高分子基材122是以一銅箔124上支撐於熔爐110中。 當處理易脆輕質的銅被覆高分子基材時，如質量表面密度 低於450 g/m2時，或典型地介於100和200 g/m2間，使用 一個支撐銅范124是特別的適合。 如圖1所示，該銅箔124儲存於供應滾輪126上，被 引導至一個組合滾輪128。該被覆銅的高分子基材122也 被引導至該組合滾輪128，所以可以被置放在銅箔之 頂部上。然後，被覆銅的高分子基材122進入在銅箔124 之上的熔爐110中。當被覆銅的高分子基材122連續的通 過該熔爐110,高分子基材被移除且所得的銅結構123被 冷卻。在冷卻區114的尾端，在銅箔124上支撐的銅結構 .123被收集在一個於其上被分離的滾輪130上。 至於第一個具體實施例，被覆銅的高分子基材122由 於兩個滾輪128和130的轉動，而在熔爐內向前行進。然 而，必須注意的是，牽引的力量並無施加於被覆銅的高分 子基材122上，而是在銅箔上124。而且很明顯的，該被 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂il·------ 555889 A7 ___B7___ 五、發明說明（Ρ ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 覆銅的高分子基材122並沒有與爐板接觸，因爲它是置放 在該銅箔124上。所以被覆銅的高分子基材就能夠在熔爐 110中行進時受到保護而免於傷害、撕裂或變形。 根據熱學的觀點，銅箔比輸送帶更有趣。的確，一個 輸送帶典型地具有10至15 kg/m2之間的表面質量密度， 而適當銅箔的表面質量密度可能在1〇〇至200 kg/m2之間 。所以銅箔的熱慣性遠比輸送帶爲低，且加熱速率也快很 多，因此加熱時能量損失也減少。再者，該銅箔在使用於 製造被覆金屬的高分子基材之後還可以回收。 元件符號說明 10 熔爐 110 熔爐 12 熱區 112 熱區 14 冷卻區 114 冷卻區 16 擋板 116 擋板 22 被覆銅之高分子基材 122 被覆銅之高分子基板 23 無高分子的銅結構 123 銅結構 24 滑面 124 銅箱 26 第一滾輪 126 供應滾輪 28 第二滾輪 128 組合滾輪 30 熔爐內較高的區域 130 滾輪 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 555889 A8B8C8D8 六、申請專利範園 區和該冷卻區。 9 ·根據申請專利範圍第8項的方法，其中該輸送裝 置是一個活動式金屬箔。 10·根據申請專利範圍第1項的方法，其中該被覆金 屬的高分子基材是採捲體的形式。 11·根據申請專利範圍第1項的方法，其中該被覆金 屬的高分子基材是條狀形式。 12-根據申請專利範圍第1項至第11項中之任一項的 方法，其中被覆金屬的高分子基材的金屬是選自於下列金 屬所組成的群體中：鎳、銅、鐵、鉻、鋅、銘、給、錫、 金、鉑或屬鉑族的其它金屬，及其合金。 13·根據申請專利範圍第12項的方法，其中被覆金屬 的局分子基材是一種被覆銅的局分子基材或被覆鎳的高分 子基材。 14. 根據申請專利範圍第1項至第11項中之任一項的 方法，其中該熱區和該冷卻區被建造成能夠使至少一部份 該冷卻區中的氣體可流入該熱區。 15. 根據申請專利範圍第14項的方法，其中被覆金屬 的高分子基材的金屬是選自於下列金屬所組成的群體中： 鎳、銅、鐵、鉻、鋅、鋁、鉛、錫、金、鉑或屬鉑族的其 它金屬，及其合金。 16. —種可以由一種金屬被覆高分子基材製造一種金 屬結構的熔爐，包括下列部份： •一熱區； 2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) ，裝 訂： 555889 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 •一冷卻區，緊鄰該熱區； •一通過熱區和冷卻區延伸的表面，用來移動該被覆 金屬的高分子基材及該金屬結構，而通過該熱區和冷卻區 其中該熱區包括了加熱裝置，以使溫度升高達至少 600°C，和注射裝置，以注射水蒸汽或水蒸汽與中性氣體的 混合物進入該熱區，以及萃取裝置，以萃取來自該熱區的 氣體，其中該冷卻區包括了注射裝置，以注射中性及/或還 原氣體進入該冷卻區，且其中冷卻區內至少一部份的氣體 被移轉至熱區，並在熱區由萃取裝置進行萃取。 17·根據申請專利範圍第16項的熔爐，其包括用來分 離熱區和冷卻區擋板裝置。 18.根據申請專利範圍第16項的熔爐，其中該表面定 義了一個朝向冷卻區的下降斜坡。 19·根據申請專利範圍第16項的熔爐，其包括用來引 導金屬被覆高分子基材及其金屬結構的輸送裝置，以通過 熱區與冷卻區。 20. 根據申請專利範圍第19項的熔爐，其中輸送裝置 是一種活動式金屬箔。 21. 根據申請專利範圍第16項的溶爐，其中被覆金 屬的高分子基材係捲體形式。 22·根據申請專利範圍第16項至第2〇項中之任一項 的熔爐，其中被覆金屬的高分子基材係條狀形式。 23.根據申請專利範圍第22項的熔爐，其中被覆金 屬的高分子基材的金屬是選自於下列金屬所組成的群體中 3 張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ' --- (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 卜訂 555889 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 :鎳 '銅 '鐵 '鉻~鋅 '鋁 '鉛 '錫~金 '鉑或屬鉑族的 其它金屬，及其合金。 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 24. 根據申請專利範圍第16項至第21項中之任一項 的熔爐，其中被覆金屬的高分子基材的金屬是選自於下列 金屬所組成的群體中：鎳、銅、鐵、鉻、鋅、鋁、鉛、錫 、金、鉑或屬鉑族的其它金屬，及其合金。 25. 根據申請專利範圍第24項的熔爐，其中被覆金 屬的高分子基材是被覆銅的高分子基材或被覆鎳的高分子 基材。 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)