TW548613B - Multiple power source control circuit - Google Patents

Description

548613 五、發明說明（l) 本案係為一種控制電路，尤指一種多重電源控制電路。 發明背景 液晶顯示裝置（liquid crystal display driver)主 要是藉由外部之電源供應器提供電壓源Vdd及其内部電路 自行產生之電壓源Vpp來供應該液晶顯示裝置運作所需之 電源。且液晶顯示裝置内部晶片之P型金屬氧化半導體電 日日體（PMOS)的基板電壓（Substrate voltage)必須大 於源極（source electr〇de)及汲極（drain electrode )端之電壓，才不會有很大之漏電流經由源極或是汲極产 至P型金屬氧化半導體電晶體（PM0S)之基板而造成 机 之損毀。 但是現行一般液晶顯示裝置内部電路經過一段操作 後其輸出電壓通常都超過電源供應器所提供之電壓。且二 :-些消耗性產品的應用而t，液晶顯示裝置經過運作後 ^輸出電壓，可能尚於或是低於電源供應器所提供之電 因此p型金屬氧化半導體電晶體（PM〇s) 須要能夠動態調整’使基板電壓一直雜抹+ 土板電壓必 高之電壓值。 直、、隹持在該晶片内部最 請參閱第一圖’其係習知技術之電政国 改變輸出電壓為乂^或是vpp。但是，對於’一H該電路可 兩個不同之輸出電壓來控制不同電路的案;而”要第產一生圖 pd2310.ptd 第4頁 548613

之只提供一輸出電壓準位，根本無 職疋之故，中請人鑑於習知技術相需求。 與研穽，廿 4r Mn ^ ^ lj, 研失’乃經籴心試驗 研九並一本錢而不捨之精神，終研發屮士 電源控制電路』。 發出本案之『多重 發明摘要 動態調整輸出電壓A，使P型金屬氧、：控制m路，能夠 (PMOS )之基板電壓一=夺金在電晶體 ^不會有漏電流之情形產[且能輸出一第一電壓準位 及弟二電壓準位以供不同之電路使用。 本案之主要目的係為提供一 本案之另一目的係為提供一種多重電源控制電路，其係 收比車乂電路所產生之一輸出訊號，該多重電源控制電 ，係包含：一電位轉換電路，電連接於該比較電路並接收 第一電壓值及一第二電壓值，用以因應該輸出訊號之控 ^進而產生一第一電壓準位及一第二電壓準位；以及一 輪出電路’電連接於該電位轉換電路，用以因應該第一電 壓準位及第二電壓準位之控制，以決定輸出該第一電壓值 及該第二電壓值兩者之一。 根據上述構想，電路中該比較電路可接收該第一電壓值 及該第二電壓值’並比較該第一電壓值及該第二電壓值之 大小關係，而產生該輸出訊號。 根據上述構想，電路中該電為轉換電路可由一反向器 (inverter)、二個P型金屬氧化半導體電晶體（PMOS)及

pd2310.ptd 第5頁 548613 五、發明說明（3) 二個N型金屬氧化半導體電晶體（NMOS )所組成。 根據上述構想，電路中該輸出電路可由二個p型金屬氧 化半導體電晶體（PM〇s )所組成。 根f上述構想，該多重電源控制電路所輸出之電壓值可 用以提供一p型金屬氧化半導體電晶體（PMOS )之基板所 需之電壓。 根據上述構想，電路中該P型金屬氧化半導體電晶體可 置於一液晶顯示裝置之内部晶片。 、根據上述構想，電路中該多重電源控制電路可用以避免 漏電流經由p型金屬氧化半導體電晶體之源極或是汲極流 至P型金屬氧化半導體電晶體（PMOS )之基板。 本案之又一目的係為提供一種多重電源控制電路，其 路較電斤產生之一輸出訊號，該多重電源控制電 第出電*準位’俾使輪 根據上述構冑’電路中該比較電路可用 壓值及該第二電壓值之士 ，關在 ^ 平乂及弟 電 舻姑，.…目I “糸’而產生該輸出訊號。 根據上述構心，電路中該電為轉換電路可由 (inverter)、二個p型今屬鐘务主 反向器 一個請今屬4化束^屬 +導體電晶體（PM〇s)及 -個N型金屬乳化+導體電晶體（細s)所 根據上述，想’電路中該電位轉換 壓準位及該第二電壓準位可用 之該弟-電 促仏一個需要不同電壓準 pd2310.ptd 第6頁 548613 五、發明說明（4) 位之電路使用。 較佳實施例說明 俜= 佳實施例之電路圖’本案 2 = ΐ電源控制電路’其係接收-比較電路2。 供應器所提供之電屋源）及一第二電 置夕=之曰電源 示裝置内部電路自行產生 ppC為該液曰曰顯 生之一 _ ψ 1 % 屋生之電壓源）之大小關係後，所產 # U 至於該多重電源控制電路可包含：-電 位轉換電路21及一輪出電路22。 』匕3 電 - Ξί二轉=2-〗：電連接於該比較電路2°並接收該第 Φ， ^ ^ —電壓值Vpp，用以因應該輸出訊號之控 $ ’進而產生—第—電壓準位及__第二電壓準位。至 電位轉換電路可由一反向器（inverter)、二個卩型金屬氧 ==電晶體（PM〇S)及二個Μ金屬氧化半導體電晶 體（NMOS )所組成。 ，輸出電路22，電連接於該電位轉換電路21，用以因應 該第一電壓準位及第二電壓準位之控制，以決定輸出該^ 一電壓值vdd及該第二電壓值Vpp兩者之一。至於該輸出電路 22可由二個P型金屬氧化半導體電晶體（PMOS )所組成。 pd2310.ptd 第7頁

548613 五、發明說明（5)

表一 (1)由表中可知當Vdd〉Vpp時，該比較電路20輸出一高 電位邏輯訊號（Logic High)至該電位轉換電路21，讓Ni 導通、N2關閉，進而驅動P2導通而使134之電位為Vdd，並傳 送至該輸出電路22之P4電晶體閘極（Gate )，至於pi則關 閉而使b3之電位為0並傳送至該輸出電路22之P3電晶體閘 極(Gate )。 由於P3電晶體閘 )，因此P3之源極 壓為較高電位之Vdd P3及P4之基板電壓 流經由源極或是沒 源極及沒極之電位 成通道，因此不會 晶顯示裝置内部晶 )之基板，可避免 及汲極就可導通進而使p3及P4之基板電 ’使輸出電麼（Vhi)為Vdd。由上可知， 係連接較高電位之電壓，故不會有漏電 極流至基板。至於P1由於閘極電位大於 ，而無法導通，則源極及汲極間不會形 f漏電流之情形產生。且Vdd輸出至該液 、之p型金屬氧化半導體電晶體（pM〇S 漏電流經由該p型金屬氧化半導體電晶

548613 五、發明說明（6) 體之源極或是汲極流至該p型金屬氧 (PMOS)之基板。 屬虱化+導體電晶體 (2)至於當Vpp > Vdd時，該比較電一 輯訊號（L〇gicL〇w)至該電位轉換電路21出讓二 =邏 號，而使㈣通，進而驅動P1導通= = = 送至該輸出電路22之P3電晶體閘極（Gate)，至於 閉而使b4之電位為為〇並傳送至該輪出' 閘極（Gate )。 心寬日日體 由於P4電晶體閘極之電位小於另_端之電 )’請4之源極及沒極就可導通進而使P3及P4:J:雷 壓為較南電位之vpp，使輸出電壓（Vhi )為V ; ’ P3及P4之基板電壓係連接較高電位之電壓厂故 J知， 流經由源極或是汲極流至基板。至於 源極…之電位’而無法導通，則源極及沒極 成通道，因此不會有漏電流之情形產生。且V冑出至：： 晶顯：f置内部晶片之P型金屬氧化半導體電 曰曰 )之基板’可避免漏電流經由該口型金屬氧化- 體之源極或是没極流至該P型金屬氧化 =電 (PMOS )之基板。 电阳體 請參閱第二圖（b)，由 為兩個不同之電壓值，因此 電壓時，則只需要由比較電 ，一可得知b3及b4之輸出電位 當某兩個電路需要不同之輸入 路20產生一訊號，輸入至該電

548613 五、發明說明（7) 第二輸 請參 bl、b3 電壓值 重電源 電壓值 本案 得到充 然本案 尤其當 上所使 後之電 綜合 技術之 型金屬 在該晶 且能輸 使用， 的。 本案 皆不脫 出端（VQUt，2 )輸 閱第三圖，其係 、b4及輸出電壓 改變之電壓模擬 電路確實能使輸 換後就可由第—輪出端（V 出不同之電壓值。 1 第，圖⑷電路上幾個特定點 (D在Vdd為5V的條件下，隨著Vpp 圖。由電壓示意圖可知，本案之多 出電壓（vhi )—直維持輸出最高之 out, 1 及 之多重電 份的了解 之實施並 改變第一 用之NM0S 路亦是本 上面所述 缺失，且 氧化半導 片内部最 出一第一 是故具有 源控制 ，使得 非可由 電壓值 及 PM0S 案所保 ’本案 能夠動 體電晶 高之電 電壓準 產業利 電路，將 熟習本技 上述實施 及第二電 的組合結 護之範圍 之多重電 態調整輸 體（PM0S 壓值，不 位及第二 用性，進 可由以上的實施例說明而 藝之人士可據以完成之， 例而被限制其實施型態， 壓值之正負極性時，電路 構將會有所改變，而改變 〇 源控制電路能夠改善習知 出電壓值，使輸出至一P )之基板電壓值一直維持 會有漏電流之情形產生， 電壓準位以供不同之電路 而達成發展本案之發明目 得由熟悉本技藝 如附申請專利範 之人士任施匠思而為諸般修飾，然 圍所欲保護者。

pd2310.ptd 第10頁 548613 圖式簡單說明 本案得藉由下列圖示及詳細說明，俾得一更深入之瞭 解： 圖 路 ^6- 之 例 。施 圖實 路佳 電較 之案 術本 技係 知其 習： # ) 本(b 係 其a) •.( 圖圖 一二 第第 壓 ^6- 出 輸 及 點 定 特 個 幾 上 路 電 a κίν 圖 二 第。 係圖 其擬 :模 圖壓 三電 第之 圖號說明 2 0 :比較電路 21 :電位轉換電路 22 :輸出電路

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Claims (1)

1. 548613 六、申請專利範圍 1 · 一種多重電源控制電路，其係接收一比較電路所產生之 一輸出訊號，該多重電源控制電路係包含： 一電位轉換電路，電連接於該比較電路並接收一第一 電壓值及一第二電壓值，用以因應該輸出訊號之控制，進 而產生一第一電壓準位及一第二電壓準位；以及 一輪出電路，電連接於該電位轉換電路，用以因應該 第一電壓準位及第二電壓準位之控制，以決定輸出該第_ 電壓值及該第二電壓值兩者之一。

   2 ·如申請專利範圍第1項所述之電路，其中該比較電路係 接收該第一電壓值及該第二電壓值。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之電路，其中該比較電路係 用以比較該第一電壓值及該第二電壓值之大小關係，而產 生該輸出訊號。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之電路，其中該電位轉換電 路係由一反向器（inverter)、一個P型金屬氧化半導體電 晶體（PMOS)及二個n型金屬氧化半導體電晶體（nm〇s) 所組成。

   5 ·如申請專利範圍第1項所述之電路，其中該輸出電路係 由二個P型金屬氧化半導體電晶體（PM〇S )所組成。 6·如申請專利範圍第1項所述之電路，其中該多重電源控 制電路所輸出之電壓值係用以提供一 P型金屬氧化半導體 電晶體（PMOS )之基板所需之電壓。 7·如申請專利範圍第6項所述之電路，其中該{)型金屬氧化 半導體電晶體係置於一液晶顯示裝置之内部晶片。

   pd2310.ptd 第12頁 548613 六、申請專利範圍 - 8.如申請專利範圍第6項所述之電路，其中該多重電源控 制電路係用以避免漏電流經由該p型金屬氧化半導體電晶 體之源極或是汲極流至該p型金屬氧化半導體電晶體 (PMOS )之基板。 9· 一種多重電源控制電路，其係接收一比較電路所產生之 一輸出訊號，該多重電源控制電路係包含： 一電位轉換電路，電連接於該比較電路並接收該第一 電壓值及该第二電壓值，用以因應該輸出訊號之控制，來 轉換該電位轉換電路之輸出電壓準位，俾使輸出一第一電 壓準位及一第二電壓準位。 I 0 ·如申請專利範圍第9項所述之電路，其中該比較電路係 用以比較該第一電壓值及該第二電壓值之大小關係，而產 生該輸出訊號。 II ·如申請專利範圍第9項所述之電路，其中該電為轉換電 路係由一反向器（inverter)、二個p型金屬氧化半導體電 晶體（PMOS)及二個N型金屬氧化半導體電晶體（NMOS) 所組成。 12·如申請專利第9項所述之電路，其中該電位轉換電路輸 出之該第一電壓準位及該第二電壓準位係用以提供二個需 要不同電壓準位之電路使用。