TW546415B - Plasma treatment method and treatment device - Google Patents

Description

546415 A7 B7 i、發明説明（d 【發明所屬之技術領域】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於藉由電漿來進行試料之鈾刻及真空容器 內壁之淸洗之電漿處理方法及處理裝置。 【先行技術】 於半導體裝置之製造領域中，除了做爲〇11六“（ Dynamic Random Access Memory)與 L 〇 G I C 等之被鈾刻 材料來加以應用之S i ，A 1 ，S i〇2等之材料之外，於 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 F R A M(Ferroelectric Random Access Memory)與M R A Μ (Magnetic Random Access Memory)等之中，非揮發性之材 料是做爲被蝕刻材料來加以使用。因爲於蝕刻時之反應生 成物之熔點較高，因此非揮發性材料難以被蝕刻。此外， 因爲蝕刻後之反應生成物之蒸氣壓較低且附著於真空容器 內壁之附著係數較高，因此由於處理數枚至數百枚之試料 而使堆積物覆蓋了真空容器內壁，之後產生剝落並成爲雜 質發生之原因。此外，由於堆積物使得電感天線及反應容 器內之電漿之結合狀態產生變化，並導致蝕刻速度與一致 性、蝕刻之垂直性、蝕刻側壁之附著狀況等產生常態性之 變化。做爲非揮發性材料之具體例子，有用於M R A Μ與 磁頭之強磁性、反強磁性材料之F e、N i F e、 P t Μ η、I r Μ n。此外，用於D R A M之電容部及閘 極部、FRAM 之電容部、MRAM 之 TMR ( Tunneling Magneto Resistive)元件部之貴金屬材料之P t、I r、 A u、T a 、R u。其他亦有高電介體材料之A 1 2〇3、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -4- 546415 A7 B7 五、發明説明（2) H f〇3、T a 2〇3，強電介體材料之P Z T (鈦酸鍩酸 鉛）、B S T (鈦酸鋇緦）、S B T (鉬酸緦鉍）等。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 做爲以往之電漿處理方法及處理裝置之一，有設置於 真空容器外圍之線圈狀之天線之電感型電漿處理裝置，以 及導入微波之電漿處理裝置。於兩者之裝置中，於針對非 揮發性材料之蝕刻之際，均無有效之淸洗真空容器內壁之 堆積物之對策，因此必須重複進行於大氣下之淸洗。因爲 完成一次淸洗之後到下一次之試料之處理之完成準備爲止 必須花費6至1 2小時，因此使得裝置之運轉效率降低。 另一方面，存在著藉由於天線與電漿之間設置法拉第 屏障，並將高頻電源接續於法拉第屏障並供給電力，可以 抑制於真空容器之反應生成物之附著，並且可以進行真空 容器內壁之淸洗之裝置。其例子有記載於日本特開平 1 0 - 2 7 5 6 9 4號公報，日本特開 200 0 --323298 號公報。 【發明之開示】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而，於上述之以往技術中，並未詳細探討具體之蝕 刻方法及淸洗方法。 因此，本發明爲針對上述之問題點所創作之發明，其 目的爲提供，於電感天線及電漿之間設置法拉第屏障之電 漿處理裝置中，可以抑制於真空容器之反應生成物之附著 ，或是可以將附著於真空容器內壁之反應生成物有效去除 之電漿處理方法及處理裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 546415 A7 B7 五、發明説明（3) 爲了解決上述課題，本發明採用接下來之手段。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將處理氣體供給至形成電漿生成部之真空容器，並採 用設置於真空容器之外圍並可以加上高頻電力之天線及法 拉第屏障以生成電漿並進行處理，其特徵爲，將至少 5 Ο Ο V以上之電壓加於上述法拉第屏障，並將設置於上 述真空容器內並且其被蝕刻材料爲非揮發性材料之試料加 以鈾刻。 本發明之其他目的，特徵及優點可以從與附加圖面相 關之本發明之實施例之記載中淸楚得知。 【發明之實施型態】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以下，針對本發明之實施例參照圖面加以說明。第1 圖係顯示本發明之電漿處理裝置之剖面圖。真空容器2是 由，將電漿生成部形成於內部之絕緣材料（例如，石英、 陶瓷等非導電性材料）所構成之放電部2 a ，以及爲被處 理物之試料1 2，以及配置有配置試料1 2之電極5之處 理部2 b所組成。處理部2 b設置爲接地，電極5則隔著 絕緣材料被裝設於處理部2 b。於放電部2 a之外圍中配 置著線圈狀之電感耦合天線1 。此外，於放電部2 a之外 側中，設置了與電漿6以靜電容量的方式加以結合之圓盤 狀之法拉第屏障8。電感耦合天線1與法拉第屏障8隔著 匹配箱（Matching Box ) 3以直列之方式接續於第1之高頻 電源1 0。此外，與法拉第屏障8以並列之方式排列之， 阻抗之大小爲可變動之電路則與地面接地。於真空容器2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -6 - 546415 A7 B7 五、發明説明（4) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 內之中，除了從氣體供給裝置4中被提供了處理氣體之外 ’還藉由排氣裝置7針對所定之壓力進行減壓排氣。從氣 體供給裝置4供給處理氣體，並將該處理氣體，藉由電感 親合天線1與法拉第屏障8所產生之電場作用來使之電發 化。於電極5上接續了第2之高頻電源1 1。此外，藉由 將由第1之高頻電源1〇所產生之例如13 · 56MHz 、27 · 12MHz、40 · 68MHz 等 HF 頻率帶， 以及頻率數更局之V H F頻率帶等之尚頻電力供給至電感 耦合天線1與法拉第屏障8，可以得到電漿生成用之電場 ，但爲了抑制電力之反射而採用匹配箱3 ，並使電感耦合 天線1之阻抗與第1之高頻電源1 0之輸出阻抗加以一致 。匹配箱3—般是採用具有2個稱爲倒L型之靜電容量可 加以變動之可變電容9者。此外，爲了將存在於電漿6之 離子引進試料1 2中，因此藉由第2之高頻電源1 1將篇 押電壓加上於電極5。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接下來詳細說明法拉第屏障8。如第2圖所示，係由 具有橫條狀之裂縫之金屬導體所構成，並以與真空容器重 疊之方式來加以配置。於法拉第屏障8之電壓附加，可以 以第1圖中之以V C 3所表示之可變電容9 c來加以調節 。於法拉第屏障8之電壓附加，可以藉由試料之處理方法 來設定成所定之値。 接下來，爲了達到法拉第屏障8之電壓附加之最適化 ，可以藉由模擬來算出附加於法拉第屏障8之電壓與真空 容器內壁之護套電壓之關係。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -7- 546415 A7 B7 五、發明説明（5) 於將高頻電壓V f S加上於法拉第屏障8之際，直流 電壓V s h則被加上於真空容器內壁上。因此，電槳中之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 離子加速朝向真空容器內壁並撞擊該內壁。此離子加速電 壓V s h爲

Vsh = Vfs/2>t；Dsh/((Dfs + Dch/c) + Dsh) + Vs............(第 1 式） 在此D s h爲形成於真空容器內壁之護套厚度， D c h爲真空容器之厚度，ε爲真空容器之相對介電常數 ’ V s爲電漿空間電位（通常約爲1 5 V左右）。此外， 形成於真空容器內壁之護套厚度D s h爲 Dsh=lE3*(25/4)/3*(ICF/8.8 5E-12)-05* ((Mi/1.602E-19)-0.25*Vsh° 75 ……（第 2 式） 在此I C F爲電將之飽和電流密度，M i爲離子之質 量。將上述V s h與D s h加以聯立，其具有非線性之依 存性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第3圖係顯示厚度爲1 〇mm、1 5mm之氧化I呂真 空容器，以及厚度爲1 0mm之石英真空容器之情況下之 法拉第屏障8之附加電壓V f s與護套電壓V s h之關係 之結果之圖示。在此設定電漿爲氯氣電漿，飽和離子電流 爲4 m A / c m 2。於1 0 m m之氧化銘真空容器中，於將 5 0 0 V之電壓加於法拉第屏障8之情況下，護套電壓約 6 0 V，於將1 5 0 0 V之電壓加於法拉第屏障8之情況 下，護套電壓約3 6 0 V。此外，於1 5 m m之氧化鋁真 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） -8 - 546415 Α7 Β7 五、發明説明（6) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 空容器及1 〇 m m之石英真空容器中，其護套電壓比起於 1 〇 m m之氧化鋁真空容器之情況，各降低了 7成及4成 ，由此可以得知，爲了得到同等之效果，有必要加上更高 之電壓。 第4圖係顯示’於1 〇 m m之氧化鋁真空容器中，將 試料中、之被蝕刻材料P t加以蝕刻之際之，堆積於真空容 器內壁之反應生成物堆積速度，以及藉由於法拉第屏障8 加上電壓以使附著於真空容器內壁之反應生成物加以除去 之反應生成物淸洗速度。從第4圖中可以得知，於法拉第 屏障電壓約爲5 Ο Ο V之情況下，反應生成物堆積速度與 反應生成物淸洗速度幾乎相同。亦即，於處理p t之際， 藉由加上約5 Ο Ο V之法拉第屏障電壓，可使反應生成物 不堆積於真空容器內壁。此外，因爲真空容器內壁不會過 度淸洗，因此不會損傷真空容器內壁之氧化鋁，可以進行 長時間之安定處理。藉由此，於蝕刻之際可以抑制反應生 成物附著於真空容器內壁。 接下來，採用第5圖說明各種電漿處理方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A所顯示之方法爲，爲了於試料進行蝕刻之際可以抑 制反應生成物附著於真空容器內壁，一方面將電壓加上於 法拉第屏障一方面進行處理之方法。於此方法中，因爲可 以降低反應生成物附著於真空容器內壁，因此可以得到安 定之放電。此外，因爲可以降低喜靜寂淸洗之次數，因此 其裝置之運轉效率高。 B所顯示之方法爲，每當進行η枚試料之蝕刻之後進 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -9- 546415 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（7) 行淸洗之方法。其使用於，即使一方面將電壓加上於法拉 第屏障一方面進行蝕刻亦無法完全去除反應生成物之情況 下，以及不將電壓加上於法拉第屏障並以鈾刻速度爲優先 之處理中之處理方法。若爲此方法，則於淸洗之際，可以 採用與試料之蝕刻氣體不同之氣體。因此，若是選擇淸洗 效果佳之氣體的話，則可完全去除反應生成物。此外，亦 可降低淸洗時間。 C所顯示之方法爲，於A之處理方法之前進行熟成（ Aging )處理之方法。爲於大氣中進行洗淨之後，爲了儘快 得到安定之裝置狀態所用之方法。洗淨後之狀態下，容易 於真空容器內壁附著種種之物質並產生雜質。因此，藉由 一方面將檔片運送至電極5並將至少5 0 0 V以上之電壓 加於法拉第屏障，一方面將以氯氣爲主之電漿加以放電， 以進行降低真空容器內之雜質之處理。之後則藉由進行鈾 刻以降低雜質之影響。 D所顯示之方法爲，於C所說明之熟成處理方法與於 B所說明之洗淨之組合。此方法爲適用於於雜質之產生與 放電狀態之變化，以及製程之常態性變化中產生問題之情 況下之方法。以往，即使於必須於大氣中進行洗淨之製程 中，藉由採用此處理方法，不僅可以達到雜質之降低，還 可以得到安定之鈾刻功能，並提升裝置之運轉效率。 以下，針對以本發明之處理方法將種種之非揮發性材 料加以蝕刻之例子加以說明。 第6圖係顯示將約6 Ο Ο V之電壓加於法拉第屏障並 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 546415 A7 B7 五、發明説明（8) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 連續處理1批（8枚）之A U之際之鈾刻速度。若是不將 電壓加於法拉第屏障進行處理的話，則於第8枚之處理晶 圓中因爲反應生成物之影響而使得電漿消失且無法進行蝕 刻，而藉由將電壓加於法拉第屏障進行處理，則可以以蝕 刻速度之批內一致性爲2 . 6 %之安定處理加以實施。所 謂的批內一致性，是指於1批（例如8枚、1 2枚、2 5 枚晶圓等之單位）內之每個晶圓之蝕刻速度之分散程度， 數値愈低，則其蝕刻處理愈安定。此外，於N i F e之鈾 刻中亦與A u相同，可以得到安定之鈾刻速度，其批內一 致性爲1 . 3 %。此外，於F e N之蝕刻中，其批內一致 性爲約3 %，可以得到安定之蝕刻速度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第7圖係顯示不將電壓加於法拉第屏障並連續處理1 批（8枚）之丁 a之際之蝕刻速度。於T a之處理中，因 爲比起常態性變化其餓刻速度更爲優先，因此不將電壓加 於法拉第屏障而直接進行處理。之後，爲了除去附著於真 空容器內壁之反應生成物，於處理1批之後進行淸洗。批 內一致性爲約4 , 8 %，而實施淸洗後之批間一致性爲約 1 . 7 %。所謂的批間一致性，是指例如各批之第1枚之 晶圓之鈾刻速度之分散程度，數値愈低，則其淸洗處理愈 安定。 第8圖係顯示將約7 Ο Ο V之電壓加於法拉第屏障並 處理P t之際之蝕刻速度。於處理1批（2 5枚）之後， 進行約1 0分鐘之將約1 5 0 0 V之電壓加於法拉第屏障 之淸洗處理，其結果爲，可以達到批內一致性與批間一致 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -11 - 546415 A7 B7 五、發明説明（9) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 性均爲1 · 3 %之安定處理。此外，亦於I r中將約 6 Ο Ο V之電壓加於法拉第屏障並進行處理，於處理1批 (2 5枚）之後，進行上述淸洗，可以得到其批內一致性 爲約2 · 9 %，批間一致性爲3 %。 接下來，針對採用法拉第屏障將附著於真空容器內壁 之反應生成物以適切之時間進行淸洗之檢測淸洗時間之終 點之終點判定方法，參照第9圖、第1 0圖加以說明。橫 軸爲淸洗時間，縱軸爲發光強度。 胃9圖係顯示觀測反應生成物之波長之情況下之終點 判定方法之圖示。藉由將電壓加於法拉第屏障，以開始除 去附著於真空容器內壁之反應生成物。藉由此，因爲反應 生成物產生電離並於真空容器中漂流，因此反應生成物之 發光強度變強。漸漸的隨著真空容器內之反應生成物被除 去其發光強度亦變弱，其2次差分亦降低。接下來其2次 差分開始上升並於與〇相交之處達到終點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 0圖係顯示觀測從真空容器本身所產生之生成物 之波長之情況下之終點判定方法之圖示。例如，若真空容 器爲氧化鋁所製的話，其發光波長爲3 〇 8 n m ( A 1 ) 、：3 9 6 n m ( A 1 )等，若爲石英製的話，則爲3 9 1 n 111 ( s 1 C 1 ) 、437nm(SiF)等。藉由將電 壓加於法拉第屏障，以開始除去附著於真空容器內壁之反 應生成物’但因爲反應生成物覆蓋住真空容器內壁，因此 其發光強度變弱。因爲附著於真空容器內壁之反應生成物 漸漸的被除去，因此真空容器之表層逐漸顯露。藉由此， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） -12- 546415 A7 B7 五、發明説明（^ 發光強度逐漸變強，其2次差分亦變強。接下來其2次差 分開始下降並於與〇相交之處達到終點。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} 藉由採用此方法，因爲可使反應生成物不殘留於真空 容器內壁，且不因過度淸洗使真空容器內壁損傷，因此可 以進行長時間之安定處理及延長真空容器壽命。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接下來，針對採用雜質監測器之真空容器內壁之淸洗 間隔之最適化加以說明。以往，爲了防止因不安定触刻所 造成之產品不良，以預先設定之間隔，例如於每1批中進 行強制性之淸洗。於本實施例中，係以即時之方式於試料 處理中進行雑質測定，並基於預先訂定之上限値（例如有 可能使蝕刻處理受到阻礙之雜質個數）及下限値（例如試 料處理前之雜質個數），以達成淸洗間隔之最適化。第 1 1圖係顯示處理時間與雜質個數之關係之圖示。隨著試 料處理之重覆進行，電漿中之雜質個數亦會增加。當處理 第η枚之試料處理之後，並不進行第η + 1枚之試料處理 ，而是實施將電壓加於上述法拉第屏障之淸洗處理。此淸 洗最好以自動進行之方式來預先設定。於此淸洗中亦進行 雜質個數之監測，於雜質個數低於所定之下限値之情況下 則結束淸洗，並開始第η + 1枚之試料處理。藉由重覆此 操作，以達成淸洗間隔之最適化，並提升裝置之運轉效率 〇 接下來，針對以包含三氯化硼及氯氣之混合氣體來進 行淸洗加以說明。第1 2圖（a )係顯示將R u加以蝕亥II 前之氧化鋁製真空容器之放電部2 a之內側。此外，第 本紙張尺度適用中國國家檩準（CNS ) A4規格（21〇Χ 297公釐） -13- 546415 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（j 1 2圖（b )係顯示蝕刻後之情況。黑色可見部分爲反應 生成物所堆積之處。爲了除去此反應生成物，使用氯氣及 氧氣之混合氣體來做爲淸洗氣體並進行約3 0分之淸洗， 其結果顯示於第1 2圖（c )。無法完全去除反應生成物 。接下來以相同條件進行蝕刻，並使用三氯化硼及氯氣之 混合氣體來做爲淸洗氣體並進行約3 0分之淸洗，其結果 顯示於第1 2圖（d )。幾乎可以完全將反應生成物去除 〇 此外，第1 3圖（a )係顯示將A u加以鈾刻前之氧 化鋁製真空容器之放電部2 a之內側。此外，從第1 3圖 (b )可得知，不將電壓加於法拉第屏障來進行蝕刻而使 反應生成物全面附著之情況。爲了除去此反應生成物，使 用三氯化硼及氯氣之混合氣體來做爲淸洗氣體並進行約 1 0分之淸洗，如第1 3圖（c )般，幾乎可以完全將反 應生成物去除。 如上所述，做爲淸洗氣體，使用三氯化硼及氯氣之混 合氣體其效率高’尤其是設定其比例爲三氯化硼2 0%及 氯氣8 0 %之際最有效。此外，針對由種種非揮發性材料 之触刻所產生之反應生成物，三氯化硼及氯氣之混合氣體 之淸洗效果亦極爲顯著。 如以上所說明，根據本發明，可以提供，即使於任何 非揮發性材料之試料中，可以藉由加上最適之法拉第屏障 電壓’可以於試料處理中抑制反應生成物附著於真空容器 內壁’此外’亦可有效去除堆積於真空容器內壁之反應生 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公餐） -14- 546415 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（^ 成物之電漿處理方法及處理裝置。 【圖面之簡單說明】 第1圖係顯示本發明所採用之電漿處理裝置之剖面圖 〇 第2圖係顯示本發明所採用之法拉第屏障之槪略圖。 第3圖係顯示法拉第屏障電壓與護套電壓之關係之圖 不° 第4圖係顯示法拉第屏障電壓與反應生成物淸洗速度 與反應生成物堆積速度之關係。 第5圖係顯示本發明之電漿處理方法之圖示。 第6圖係顯示處理枚數與金之蝕刻速度之關係。 第7圖係顯示處理枚數與钽金屬之蝕刻速度之關係。 第8圖係顯示處理枚數與白金之蝕刻速度之關係。 第9圖係顯示本發明之終點判定方法之圖示。 第1 0圖係顯示本發明之終點判定方法之圖示。 第1 1圖係顯示本發明之電漿處理方法之圖示。 第1 2圖係顯示本發明之淸洗結果之圖示。 第1 3圖係顯示本發明之淸洗結果之圖示。 【圖號說明】 1 :電感耦合天線 2a，2b :真空容器 3 :匹配箱 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇xT^^y τ * , 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -15- 546415 A7 B7 五、發明説明（d 置頻 裝障 高 給置屏容：供 裝第電 1 料 體極漿氣拉變 1 試 氣電電排法可 ，： 源 ----J.--’--^^衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -16-

Claims (1)

1. 546415 * A-8 ,B8 L C8 1 *ί)8 六、申請專利範圍 1、…·…-------------- 1 . 一'種電獎處理方法，係將處理熱體供給至形成電 漿生成部之真空容器’並採用設置於真空容器之外圍並可 以加上高頻電力之天線及法拉第屏障以生成電獎並進行處 理，其特徵爲：將至少5 Ο Ο V以上之電壓加於上述法拉 第屏障，並將設置於上述真空容器內並且其被蝕刻材料爲 非揮發性材料之試料加以鈾刻。 2 . —種電漿處理方法，係將處理氣體供給至形成電 漿生成部之真空容器，並採用設置於真空容器之外圍並可 以加上高頻電力之天線及法拉第屏障以生成電漿並進行處 理，其特徵爲：將至少5 Ο Ο V以上之電壓加於上述法拉 第屏障，並將附著於上述真空容器內壁之反應生成物加以 淸洗。 3 .如申請專利範圍第2項之電漿處理方法，其中， 上述處理氣體爲包含三氯化硼及氯氣之混合氣體。 4 .如申請專利範圍第3項之電漿處理方法，其中， 係以上述混合氣體之比例爲三氯化硼2 0 %及氯氣8 0 % 之方式來供給並用於淸洗。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 .如申請專利範圍第2項之電漿處理方法，其中， 將至少1 5 Ο Ο V以上之電壓加於上述法拉第屏障。 6 . —種電漿處理方法，係將處理氣體供給至形成電 漿生成部之真空容器，並採用設置於真空容器之外圍並可 W加上高頻電力之天線及法拉第屏障以生成電漿並進行處 理’其特徵爲：具有將檔片運送至試料台上，將至少 5 〇 Ο V以上之電壓加於上述法拉第屏障，並藉由採用包 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -17- 546415 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 含氯氣之氣體之電漿來將真空容器內之雜質加以除去之第 1步驟，以及於上述第1步驟之後，將設置於上述真空容 器內之試料台上，並且其被蝕刻材料爲非揮發性材料之試 料加以鈾刻之第2步驟，以及於上述第2步驟之後，將至 少1 5 Ο Ο V以上之電壓加於上述法拉第屏障上，並採用 包含三氯化硼及氯氣之混合氣體，以除去真空容器內之反 應生成物之第3步驟。 7 · —種電漿處理方法，係將處理氣體供給至形成電 漿生成部之真空容器，並採用設置於真空容器之外圍並可 以加上高頻電力之天線及法拉第屏障以生成電漿並進行處 理’其特徵爲：藉由雜質監測器將真空容器內雜質個數加 以檢測出，於雜質個數超過所定之上限値之情況下，進行 將電壓加於法拉第屏障之淸洗，於雜質個數低於所定之下 限値之情況下則結束淸洗。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 . —種電漿處理裝置，其特徵爲：具有形成電漿生 成部之真空容器，以及將氣體供給至上述真空容器之氣體 供給手段，以及將電場產生於上述電漿生成部之天線，以 及設置於上述真空容器之法拉第屏障，以及將高頻電力供 給至上述天線及法拉第屏障之高頻電源，以及終點判定手 段，而於上述終點判定手段中，藉由檢測出反應生成物之 發光波長以檢測出上述真空容器內壁之淸洗之終點。 9 · 一種電漿處理裝置，其特徵爲：具有形成電漿生 成部之真空容器，以及將氣體供給至上述真空容器之氣體 供給手段，以及將電場產生於上述電漿生成部之天線，以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- 8 8 8 8 ABCD 546415 六、申請專利範圍 3 及設置於上述真空容器之法拉第屏障，以及將高頻電力供 給至上述天線及法拉第屏障之高頻電源，以及終點判定手 段，而於上述終點判定手段中，藉由檢測出上述真空容器 之材質之發光波長以檢測出上述真空容器內壁之淸洗之終 1占。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -19-