TW545103B - Heat dissipation device for integrated circuit - Google Patents

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Kuo-Liang You
Jason Huang
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Description

545103 五、發明說明(1) 1. 本技術適用領域 本技術適用於積體電路晶片之散熱元件。 2. 背景說明 習知技術如圖1所示,積體電路元件1 0安置在電路板基材 15上面,積體電路元件10上面安置有散熱元件,散熱元件 包含:實心金屬板1 1,以及安置金屬板1 1的金屬底座1 2。 這種純金屬散熱機構的缺點是散熱效果較差,對於需要高 散熱效果的中央處理單元晶片而言,散熱能力就顯然不足 夠。究其原因,乃是因為金屬的散熱效果雖好,但是熱傳 導速度不夠快。近年來,液態熱傳導材料的興起,可以提 高熱傳導,本技術便結合液體材料於中空的金屬中,可以 結合兩者的優點,達到快速導熱以及散熱之效果。 《傳導材料的熱傳導能力,取決於材料之吸熱與散熱面積 之大小,而且熱傳導材料的傳熱能力,不完全依賴材料本 身,而是與外部所供給的熱量具有直接相關。因此,與其 他金屬或是非金屬導熱材料相比較,熱傳導材料不存在固 定的導熱量,其有效導熱係數隨著能量、表面積的多少而 改變。接近音速的傳遞速度,使得熱傳導材料的最高導熱 係數可達相同表面積銀材料的7 0 0 0多倍。下述幾種材料之 導熱係數(W/m · K)供比較:鋁 218、碳鋼49. 8、銅4(H、 銀4 1 8、以及無機熱傳導材料2,9 2 6,0 0 0。
545103 五 、發明說明 (2) 3. 本技術之摘要說明 技 術之 目的之一為 開 發 一種 高 效 率散 熱元 件 〇 本 技 術之 目的之二為 開 發 一種 以 金 屬結 合熱 傳 導 材 料 之高 效 率 散執 元件。 本 技 術之 目的之三為 開 發 一種 以 中 空腔 體金 屬 内 含 金 屬超 軌 傳 導材 料之高效率 散 熱 元件 0 4. 較佳實施例 圖 2. 本技術實施例- . 圖 示 揭露 一種積體電 路 散 2 0之 散 執 機構 ,包 含 ·· 底 座 22, 用 以 接觸 耦合於安置 於 電 路板 基 材 2 5上 面的 積 體 電 路 20 ; 以 及 散熱 片21具有中 空 金 屬 212, ,安置於前述之散熱底座 2 2上 ,中 空金屬2 1内 含 導 熱液 體 , 提供 快速 導 数 效 果 •,金 屬 散 熱片 21的表面提 供 散 執效 /、、、产 果 〇 圖 3. 本技術實施例二 與 前 一圖 示不同點是 本 技 術的 散 数 Φ 底座 22, 内 部 δ又 計 為中 空 用以 容納導熱液 體 更加 提 高 熱傳 導效 率 〇 圖 4. 本技術實施例: 本 —ru ό又 計與 前述技術不 同 的 是本 技 術 只使 用中 空 腔 體 金 屬管 31 2, 1安置於基材3 2上面, 基材3 2接觸耦合至積體電路20 上 面 提供 散熱效果。 基 材 3 2可 以 是 實心: 金屬 也 可 以 設計
I 545103 五、發明說明(3) 成為具有空間3 2 2的空心金屬,空間3 2 2用以容納導熱液 體,更加提高熱傳導效率。 圖5 ·本技術貫施例四 本設計與前述技術不同的是本技術使用中空金屬板412, 安置於基材42上面,基材42接觸耦合至積體電路2 0上面提 供散熱效果。基材4 2可以是實心金屬,.也可以設計成為具 有空間4 2 2的空心金屬,空間42 2用以容納導熱液體,更加 提高熱傳導效率。 · 其他的變化設計(圖中未表示),如採用片狀彎折、管狀彎 折等簡單變化之設計,或是採用螺旋f安置在底座上的設 計、或是改用橫向排列、彎折板設計等,只要是以中空金 屬内含導熱液體之散熱設計,均為本技術之均等技術,也 是本技術之權利人所欲保護之權利範圍。 前述描述揭示了本技術之較佳實施例以及設計圖式,惟, 較佳實施例以及設計圖式僅是舉例說明,並非用於限制本 技術之權利範圍於此,凡是以均等之技術手段實施本技術 者、或是以下述之「申請專利範圍」所涵蓋之權利範圍而 實施者,均不脫離本發明之精神而為申請人之權利範圍。
545103 圖式簡單說明 5. 圖式的簡單說明 )5 1.習知技術 圖2.本技術實施例一 圖3.本技術實施例二 圖4.本技術實施例二 圖5.本技術貫施例四 6. 元件編號表 積體電路1 0 . 2 0 . 實心金屬板1 1. 散熱元件之基座12. 22.32. 42. 電路板1 5 . 2 5 . 具有空心管的散熱板2 1. 内含導熱液體的散熱管212.312. 内含導熱液體的散熱板412. 容納導熱液體的空間322.422.414.

Claims (1)

  1. 545103 六、申請專利範圍 1. 一種積體電路用之散熱機構,包含.: (1) 底座,用以接觸耦合於前述之積體電路;以及 (2) 中空金屬,安置於前述之底座上,内含導熱液體,提 供導熱效果;金屬表面提供散熱效果。: 2. 如申請專利範圍第1項所述之積體電路用之散熱機構, 其中所述之基座,係實心金屬。 3. 如申請專利範圍第1項所述之積體電路用之散熱機構, 其中所述之基座,係空心金屬,内含導熱液體提供導熱效 果。 4. 如申請專利範圍第1項所述之積體電路用之散熱機構, 其中所述之中空金屬,係呈管狀中空者。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之積體電路用之散熱機構, 其中所述之中空金-·属,係呈板狀中空者。 6. 如申請專利範圍第4項所述之積體電路用之散熱機構, 其中所述之管狀中空金屬,係呈彎折狀。 7. 如申請專利範圍第5項所述之積體電路用之散熱機構, 其中所述之板狀中空金屬,係呈彎折狀。
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